JP3285808B2 - Clean box for semiconductor - Google Patents

Clean box for semiconductor

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JP3285808B2
JP3285808B2 JP36744397A JP36744397A JP3285808B2 JP 3285808 B2 JP3285808 B2 JP 3285808B2 JP 36744397 A JP36744397 A JP 36744397A JP 36744397 A JP36744397 A JP 36744397A JP 3285808 B2 JP3285808 B2 JP 3285808B2
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昭夫 渡邉
誠 澄田
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造工程において、ウェハ基板や液晶表示板などを収
納して搬送するための半導体用クリーンボックスに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor clean box for storing and transporting a wafer substrate and a liquid crystal display panel in a semiconductor device manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、処理す
べきウェハ基板を半導体用クリーンボックス内に収納し
て、この半導体用クリーンボックスごと、ある工程から
次の工程に搬送するようにしている。ウェハ基板の搬送
に用いられる半導体用クリーンボックスとしては、例え
ば、図3に示すものがあった。半導体用クリーンボック
ス1の側面には、複数の溝2を形成している。そして、
これら溝2に、処理すべきウェハ基板3をスライドさせ
て挿入している。したがって、半導体用クリーンボック
ス1内には、複数枚のウェハ基板3が間隔をあけた状態
重ねて収納されることになる。また、この半導体用ク
リーンボックス1の前面、つまり、図面の手前には、図
示しないふたを設けるようにしている。そして、半導体
用クリーンボックス1内に清浄で乾燥した不活性ガスを
充満させるとともに、ふたを固定して、密封状態を保つ
ようにしている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a wafer substrate to be processed is stored in a semiconductor clean box, and the semiconductor clean box is transported from one process to the next process. FIG. 3 shows an example of a semiconductor clean box used for transporting a wafer substrate. A plurality of grooves 2 are formed on a side surface of the semiconductor clean box 1. And
A wafer substrate 3 to be processed is slid into these grooves 2. Accordingly, a plurality of wafer substrates 3 are stored in the semiconductor clean box 1 in a stacked state with a space therebetween. A lid (not shown) is provided on the front surface of the clean box 1 for semiconductors, that is, on the front side of the drawing. The clean box 1 for semiconductors is filled with a clean and dry inert gas, and the lid is fixed to keep the sealed state.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記半導体用クリーン
ボックス1を用いた製造工程では、ある工程で、ふたを
開いてウェハ基板3を取り出し、そのウェハ基板3を処
理する。そして、処理したウェハ基板3を再び半導体用
クリーンボックス1内に収納し、清浄で乾燥した不活性
ガスを充満させるとともに、半導体用クリーンボックス
1を密封して、次の工程に搬送している。
In the manufacturing process using the above-described semiconductor clean box 1, in a certain process, the lid is opened, the wafer substrate 3 is taken out, and the wafer substrate 3 is processed. Then, the processed wafer substrate 3 is stored in the semiconductor clean box 1 again, filled with a clean and dry inert gas, and the semiconductor clean box 1 is sealed and transported to the next step.

【0004】ところで、製造工程の途中で、処理途中の
ウェハ基板3を長時間保管しなければならないことがあ
る。この場合、もし、処理途中のウェハ基板3を半導体
用クリーンボックス1内に収納したまま保管すると、以
下のような問題が生じてしまう。例えば、ウェハ基板3
に、レジスト層を形成する工程がある。このレジスト層
は、最終的には取り除かれるものであるが、それが残っ
たまま、ウェハ基板3を半導体用クリーンボックス1内
に収納することも考えられる。しかし、レジストは、長
期間そのままにしておくと、化学反応を起こすことがあ
る。そのため、レジスト層が残ったウェハ基板3を半導
体用クリーンボックス1内に長時間保管しておくと、そ
の化学反応によって不活性ガスが汚染されてしまい、そ
のウェハ基板3だけでなく、他のウェハ基板3にまで悪
影響を及ぼすことがある。
By the way, in the middle of the manufacturing process, the wafer substrate 3 which is being processed may need to be stored for a long time. In this case, if the wafer substrate 3 being processed is stored in the semiconductor clean box 1 while being stored, the following problems occur. For example, the wafer substrate 3
Next, there is a step of forming a resist layer. This resist layer is finally removed, but it is also conceivable that the wafer substrate 3 is housed in the semiconductor clean box 1 while remaining. However, the resist may cause a chemical reaction if left as it is for a long time. Therefore, if the wafer substrate 3 on which the resist layer remains is stored in the semiconductor clean box 1 for a long time, the inert gas is contaminated by the chemical reaction, so that not only the wafer substrate 3 but also other wafers are contaminated. The substrate 3 may be adversely affected.

【0005】一方、処理途中のウェハ基板3を保管する
ときに、ウェハ基板3を半導体用クリーンボックス1か
ら取り出して、別の保管用ケースに収納することも考え
られる。しかし、ウェハ基板3をいちいち入れ換えてい
たのでは、時間がかかってしまう。しかも、その入れ換
えの際にも、ウェハ基板3に異物が付着するおそれが生
じ、却って逆効果となることがある。この発明の目的
は、内部のガスを入れ換えることができ、ウェハ基板を
搬送するときだけでなく、保管するときにも用いること
ができる半導体用クリーンボックスを提供することであ
る。
On the other hand, when storing the wafer substrate 3 during processing, the wafer substrate 3 may be taken out of the semiconductor clean box 1 and stored in another storage case. However, it takes time to replace the wafer substrate 3 one by one. In addition, at the time of replacement, foreign substances may adhere to the wafer substrate 3, which may have an adverse effect. An object of the present invention is to provide a semiconductor clean box that can exchange the internal gas and can be used not only when transporting a wafer substrate but also when storing it.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明は、ウェハ基板
などを収納して、密封状態に保つ半導体用クリーンボッ
クスを前提とする。そして、この発明は、通常は閉じた
状態にあるガス供給用バルブ機構と、通常は閉じた状態
にあるガス排出用バルブ機構とを備え、これらバルブ機
構は、半導体用クリーンボックスのいずれかの面に形成
したガイド管挿入孔を有するとともに、上記半導体用ク
リーンボックスの内側でガイド管挿入孔の周囲に設けた
弁座部材と、この弁座部材の弁座に磁力によって着座さ
せた球体とからなる。
The present invention is based on the premise of a semiconductor clean box which stores a wafer substrate or the like and keeps it sealed. The present invention includes a normally closed gas supply valve mechanism and a normally closed gas discharge valve mechanism, and these valve mechanisms are provided on any surface of the semiconductor clean box. together with the formed guide tube insertion hole, the click for said semiconductor
Provided around the guide tube insertion hole inside the lean box
The valve seat member and the valve seat of the valve seat member are seated by magnetic force.
Sphere.

【0007】そして、上記弁座部材の弁座の軸線とガイ
ド管挿入孔の軸線とをずらして配置し、上記ガイド管挿
入孔にガイド管を挿入したとき、このガイド管に押され
て、球体が弁座部材の弁座から離れ、そのガイド管か
ら、半導体用クリーンボックス内部にガスを供給した
り、半導体用クリーンボックス内部のガスを排出したり
する構成にした点に特徴を有する。
[0007] The axis of the valve seat of the valve seat member and the guide
The guide tube insertion hole is shifted from the axis of the
When a guide tube is inserted into the hole, it is pushed by this guide tube.
The sphere separates from the valve seat of the valve seat member and
Supplied gas into the clean box for semiconductors.
Gas inside the clean box for semiconductors.
It is characterized in that it is configured as follows.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1に、この発明の半導体用クリ
ーンボックスの実施例を示す。図1に示すように、半導
体用クリーンボックス1の底面1aには、一対のガイド
管挿入孔4を形成している。
FIG. 1 shows an embodiment of a clean box for a semiconductor according to the present invention. As shown in FIG. 1, a pair of guide tube insertion holes 4 is formed in the bottom surface 1a of the clean box 1 for a semiconductor.

【0009】 半導体用クリーンボックス1の内側では、
これらガイド管挿入孔4の周囲に、円筒状の弁座部材5
を設けている。この弁座部材5は強磁性体からなり、そ
の内周面に、ガイド管挿入孔4側へ向かって縮径する弁
座5aを形成している。そして、この弁座部材5の弁座
側5aには、マグネット6を埋め込んでいる。
[0009] In the inside of the semiconductor for the clean box 1,
A cylindrical valve seat member 5 is provided around these guide tube insertion holes 4.
Is provided. The valve seat member 5 is made of a ferromagnetic material, and has a valve seat 5a formed on the inner peripheral surface thereof, the diameter of which is reduced toward the guide tube insertion hole 4 side. A magnet 6 is embedded in the valve seat side 5a of the valve seat member 5.

【0010】また、上記弁座部材5内には、強磁性体か
らなる球体7を設けている。この球体7の表面には、四
ふっ化エチレン樹脂等のように化学的に安定した物質を
コーティング加工している。このようにした球体7は、
通常はマグネット6にひきつけられて、弁座部材5の弁
座5aに着座する。したがって、半導体用クリーンボッ
クス1内は、密封状態に保たれることになる。以上述べ
たようにして、半導体用クリーンボックス1の底面1a
に、一対のバルブ機構を構成している。なお、弁座部材
5の弁座5aの軸線S1と、上記ガイド管挿入孔4の軸
線S2とをややずらして配置している。
In the valve seat member 5, a sphere 7 made of a ferromagnetic material is provided. The surface of the sphere 7 is coated with a chemically stable substance such as an ethylene tetrafluoride resin. The sphere 7 thus made is
Usually, it is attracted to the magnet 6 and sits on the valve seat 5 a of the valve seat member 5. Therefore, the inside of the semiconductor clean box 1 is kept in a sealed state. As described above, the bottom surface 1a of the semiconductor clean box 1
And a pair of valve mechanisms. Note that the axis S 1 of the valve seat 5 a of the valve seat member 5 and the axis S 2 of the guide tube insertion hole 4 are slightly shifted from each other.

【0011】次に、この実施例の作用を説明する。図1
に示すように、決められた場所には、ガス供給用ガイド
管8とガス排出用ガイド管9とを、上方に向かって突出
させている。そして、これらガイド管8、9を、上記一
対のガイド管挿入孔4の間隔に合わせて配置している。
半導体用クリーンボックス1内の不活性ガスを入れ換え
たいときは、半導体用クリーンボックス1を上記の決め
られた場所に置けばよい。このとき、半導体用クリーン
ボックス1を降ろしていけば、ガイド管8、9がガイド
管挿入孔4に挿入され、その先端がそれぞれ球体7に当
接する。したがって、ガイド管8、9の先端に押し上げ
られて、球体7が、弁座部材5の弁座5aから離れる。
Next, the operation of this embodiment will be described. FIG.
As shown in (1), a gas supply guide tube 8 and a gas discharge guide tube 9 are projected upward at predetermined locations. These guide tubes 8 and 9 are arranged in accordance with the interval between the pair of guide tube insertion holes 4.
When it is desired to replace the inert gas in the clean box 1 for semiconductors, the clean box 1 for semiconductors may be placed in the above-mentioned determined location. At this time, if the semiconductor clean box 1 is lowered, the guide tubes 8 and 9 are inserted into the guide tube insertion holes 4, and the ends of the guide tubes 8 and 9 abut against the spheres 7. Therefore, the spherical body 7 is pushed up by the tips of the guide tubes 8 and 9, and separates from the valve seat 5 a of the valve seat member 5.

【0012】ここで、前述のように、弁座部材5の弁座
5aの軸線S1とガイド管挿入孔4の軸線S2とをややず
らしているので、ガイド管8、9は、球体7の中心から
ずれた位置で、この球体7を押し上げることになる。も
し、球体7の中心を押し上げるようにすると、この球体
7は、ガイド管8、9の先端に載ったまま垂直方向に押
し上げられてしまう。そのため、球体7が、ガイド管
8、9の先端を塞いでしまう可能性がある。それに対し
て、球体7の中心からずれた位置で押し上げるようにす
れば、球体7は、図面左側に転がって、ガイド管8、9
の先端から外れる。したがって、ガイド管8、9の先端
が塞がれてしまうことがない。
[0012] Here, as described above, since a little shifted to the axis S 2 of the shaft lines S 1 and the guide tube insertion hole 4 of the valve seat 5a of the valve seat member 5, the guide tube 8 and 9, the sphere 7 At a position deviated from the center of the sphere. If the center of the sphere 7 is pushed up, the sphere 7 is pushed up in the vertical direction while resting on the tips of the guide tubes 8 and 9. Therefore, there is a possibility that the spherical body 7 blocks the tips of the guide tubes 8 and 9. On the other hand, if the sphere 7 is pushed up at a position deviated from the center of the sphere 7, the sphere 7 rolls to the left side of the drawing and the guide tubes 8, 9
From the tip of the Therefore, the tips of the guide tubes 8 and 9 are not blocked.

【0013】このようにしてガイド管8、9を半導体用
クリーンボックス1内に挿入したら、ガス供給用ガイド
管8から、清浄で乾燥した不活性ガスを半導体用クリー
ンボックス1内に供給する。同時に、ガス排出用ガイド
管9から、半導体用クリーンボックス1内の不活性ガス
を排出する。したがって、半導体用クリーンボックス1
内の不活性ガスが入れ換えられて、清浄で乾燥した不活
性ガスを充満させることができる。そして、半導体用ク
リーンボックス1を持ち上げれば、ガイド管8、9がガ
イド管挿入孔4からそれぞれ抜かれるので、マグネット
6にひきつけられて、球体7が弁座部材5の弁座5aに
再び着座する。したがって、半導体用クリーンボックス
1内は、密封状態に保たれることになる。
When the guide tubes 8 and 9 are inserted into the semiconductor clean box 1 in this manner, a clean and dry inert gas is supplied from the gas supply guide tube 8 into the semiconductor clean box 1. At the same time, the inert gas in the semiconductor clean box 1 is discharged from the gas discharge guide tube 9. Therefore, semiconductor clean box 1
The inert gas within is replaced and can be filled with clean and dry inert gas. Then, when the semiconductor clean box 1 is lifted, the guide tubes 8 and 9 are pulled out from the guide tube insertion holes 4, respectively. I do. Therefore, the inside of the semiconductor clean box 1 is kept in a sealed state.

【0014】以上述べた実施例によれば、半導体用クリ
ーンボックス1内の不活性ガスが汚染されたような場合
でも、それを清浄で乾燥した不活性ガスに入れ換えるこ
とができる。したがって、常に半導体用クリーンボック
ス1内に清浄で乾燥した不活性ガスを充満させておくこ
とができ、製造工程の途中で、処理すべきウェハ基板3
を、半導体用クリーンボックス1内に収納したまま長期
間保管することが可能となる。なお、この実施例では、
ガイド管挿入孔4を半導体用クリーンボックス1の底面
1aに形成したが、他の面に形成してもかまわない。た
だし、底面1aに形成しておけば、この半導体用クリー
ンボックス1を、ガイド管8、9を上方に向かって突出
させた場所に置くだけで、その自重を利用して、ガイド
管8、9を半導体用クリーンボックス1内に挿入するこ
とができる。
According to the above-described embodiment , even when the inert gas in the semiconductor clean box 1 is contaminated, it can be replaced with a clean and dry inert gas. Therefore, the clean and dry inert gas can always be filled in the semiconductor clean box 1 and the wafer substrate 3 to be processed during the manufacturing process.
Can be stored for a long time while being stored in the semiconductor clean box 1. In this embodiment ,
Although the guide tube insertion hole 4 is formed on the bottom surface 1a of the semiconductor clean box 1, it may be formed on another surface. However, if the semiconductor clean box 1 is formed on the bottom surface 1a, the semiconductor clean box 1 is simply placed at a position where the guide tubes 8 and 9 are protruded upward. Can be inserted into the clean box 1 for semiconductors.

【0015】 なお、半導体用クリーンボックス1として
は、図3に示したもの以外のタイプであってもかまわな
い。例えば、図2に示すものは、半導体用クリーンボッ
クス1の底面を、ふた15としたタイプである。このタ
イプでは、具体的には図示しないが、複数枚のウェハ基
板をウェハラック16によって保持している。そして、
ウェハラック16をふたの上に載せるとともに、このふ
た15に半導体用クリーンボックス本体を被せて、密封
するようにしている。このようにした半導体用クリーン
ボックス1でも、例えば、底面となるふた15に、上記
第1、2実施例で説明したバルブ機構を設けておけばよ
い。
The semiconductor clean box 1 may be of a type other than that shown in FIG . For example, the type shown in FIG. 2 is a type in which the bottom of the clean box for semiconductor 1 is a lid 15. In this type, although not specifically shown, a plurality of wafer substrates are held by a wafer rack 16. And
The wafer rack 16 is placed on the lid, and the lid 15 is covered with a semiconductor clean box body so as to be sealed. In the semiconductor clean box 1 thus configured, for example, the valve mechanism described in the first and second embodiments may be provided on the lid 15 serving as the bottom surface.

【0016】[0016]

【発明の効果】この発明によれば、半導体用クリーンボ
ックス内のガスを入れ換えることができる。したがっ
て、製造工程の途中で、処理途中のウェハ基板などを半
導体用クリーンボックス内に収納したまま長時間保管す
ることが可能となる。このようにすれば、半導体用クリ
ーンボックスを、ウェハ基板などを搬送するときだけで
なく、保管するときにも用いることが可能となる。
According to the present invention , the gas in the semiconductor clean box can be exchanged. Therefore, during the manufacturing process, it is possible to store the wafer substrate or the like that is being processed in the semiconductor clean box for a long time. This makes it possible to use the semiconductor clean box not only when transporting a wafer substrate or the like, but also when storing it.

【0017】また、 磁力によって球体を弁座部材の弁座
に着座させるので、例えば、スプリングを用いて球体を
着座させるのに比べると、その設置スペースが小さくて
すむ。しかも、ガイド管は、球体の中心からずれた位置
でこの球体を押すので、この球体がガイド管の先端を塞
いでしまうことがない。
Further , since the sphere is seated on the valve seat of the valve seat member by the magnetic force, the installation space is smaller than when the sphere is seated by using a spring, for example. Moreover, since the guide tube pushes the sphere at a position shifted from the center of the sphere, the sphere does not block the tip of the guide tube.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例のバルブ機構を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a valve mechanism according to an embodiment .

【図2】他の例の半導体用クリーンボックス1を示す断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing another example of a semiconductor clean box 1;
FIG.

【図3】半導体用クリーンボックス1を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a sectional view showing a clean box 1 for a semiconductor;
You.

【符号の説明】 1 半導体用クリーンボックス 1a 底面 3 ウェハ基板 4 ガイド管挿入孔 5 弁座部材 5a 弁座 6 マグネット 7 球体 8 ガス供給用ガイド管 9 ガス排出用ガイド管 [Description of Signs] 1 Clean box for semiconductor 1a Bottom surface 3 Wafer substrate 4 Guide tube insertion hole 5 Valve seat member 5a Valve seat 6 Magnet 7 Sphere 8 Gas supply guide tube 9 Gas discharge guide tube

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−203993(JP,A) 特開 昭55−76268(JP,A) 特開 平8−219314(JP,A) 実開 昭64−35268(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 B65D 85/86 F16K 15/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-8-203993 (JP, A) JP-A-55-76268 (JP, A) JP-A-8-219314 (JP, A) 35268 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 B65D 85/86 F16K 15/18

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ウェハ基板などを収納して、密封状態に
保つ半導体用クリーンボックスにおいて、通常は閉じた
状態にあるガス供給用バルブ機構と、通常は閉じた状態
にあるガス排出用バルブ機構とを備え、これらバルブ機
構は、半導体用クリーンボックスのいずれかの面に形成
したガイド管挿入孔を有するとともに、上記半導体用ク
リーンボックスの内側でガイド管挿入孔の周囲に設けた
弁座部材と、この弁座部材の弁座に磁力によって着座さ
せた球体とからなり、上記弁座部材の弁座の軸線とガイ
ド管挿入孔の軸線とをずらして配置し、上記ガイド管挿
入孔にガイド管を挿入したとき、このガイド管に押され
て、球体が弁座部材の弁座から離れ、そのガイド管か
ら、半導体用クリーンボックス内部にガスを供給した
り、半導体用クリーンボックス内部のガスを排出したり
する構成にしたことを特徴とする半導体用クリーンボッ
クス。
1. A clean box for a semiconductor, in which a wafer substrate or the like is housed and kept in a sealed state, comprises a normally closed gas supply valve mechanism, and a normally closed gas discharge valve mechanism. These valve mechanisms have a guide tube insertion hole formed on either surface of the semiconductor clean box, and
Provided around the guide tube insertion hole inside the lean box
The valve seat member and the valve seat of the valve seat member are seated by magnetic force.
Of the valve seat of the valve seat member and the guide
The guide tube insertion hole is shifted from the axis of the
When a guide tube is inserted into the hole, it is pushed by this guide tube.
Wherein the sphere is separated from the valve seat of the valve seat member, and a gas is supplied from the guide tube to the inside of the semiconductor clean box or the gas inside the semiconductor clean box is discharged. Clean box for semiconductor.
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