JP2001250982A - 化合物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
化合物半導体発光素子およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】厚いエピタキシャル層を形成せず、かつ、ｐ型
の窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成せずに、青色
系の発光をすることができる化合物半導体発光素子およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正
孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入さ
れうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含
む窒化物半導体量子構造を形成する。
の窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成せずに、青色
系の発光をすることができる化合物半導体発光素子およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正
孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入さ
れうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含
む窒化物半導体量子構造を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系の
化合物半導体発光素子およびその製造方法に関するもの
である。
化合物半導体発光素子およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）は、室温におけ
るバンドギャップが約３．４ｅＶであるとともに化学的
にも安定であることから、青色あるいは青紫色等の青色
系を発光する発光素子の材料として用いられている。窒
化ガリウムを発光素子の材料として用いる為には、ごく
最近まで窒化ガリウム単結晶基板の入手が困難であった
ことから、窒化ガリウムに対して熱的および結晶的な一
致を示すサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板が主に用いられ
てきた。
るバンドギャップが約３．４ｅＶであるとともに化学的
にも安定であることから、青色あるいは青紫色等の青色
系を発光する発光素子の材料として用いられている。窒
化ガリウムを発光素子の材料として用いる為には、ごく
最近まで窒化ガリウム単結晶基板の入手が困難であった
ことから、窒化ガリウムに対して熱的および結晶的な一
致を示すサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板が主に用いられ
てきた。
【０００３】しかしながら、サファイアは、ドープして
導電性の結晶を製造することが非常に困難な絶縁性材料
であるため、発光素子に対する電気的な接続をサファイ
ア基板以外に対して行わなければならず、サファイア基
板を用いる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子には、
その片面に正極と負極の両極が形成されている必要があ
るという大きな欠点を有している。
導電性の結晶を製造することが非常に困難な絶縁性材料
であるため、発光素子に対する電気的な接続をサファイ
ア基板以外に対して行わなければならず、サファイア基
板を用いる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子には、
その片面に正極と負極の両極が形成されている必要があ
るという大きな欠点を有している。
【０００４】そこで、サファイアの代りに炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）を基板として用いることが、特表平９−５０８７
５１号公報あるいは特開平１０−７５０１８号公報に開
示されている。炭化珪素はサファイアと異なり導電性を
有するため、炭化珪素を用いた基板には、その裏面に電
極を形成することができる。
ｉＣ）を基板として用いることが、特表平９−５０８７
５１号公報あるいは特開平１０−７５０１８号公報に開
示されている。炭化珪素はサファイアと異なり導電性を
有するため、炭化珪素を用いた基板には、その裏面に電
極を形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ただし、炭化珪素と窒
化ガリウムは約３％の格子不整合率を有するため、これ
らの公報において開示された窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子を製造するためには、炭化珪素基板上に格子
不整合を緩和するためのエピタキシャル層をまず形成
し、その上に、ｎ型とｐ型の窒化ガリウム系エピタキシ
ャル層を形成する必要がある。その結果、炭化珪素基板
上に形成するエピタキシャル層が必然的に２μｍ〜３μ
ｍ程度と厚くなり、エピタキシャル層にクラック等の欠
陥がしばしば発生するという問題があった。
化ガリウムは約３％の格子不整合率を有するため、これ
らの公報において開示された窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子を製造するためには、炭化珪素基板上に格子
不整合を緩和するためのエピタキシャル層をまず形成
し、その上に、ｎ型とｐ型の窒化ガリウム系エピタキシ
ャル層を形成する必要がある。その結果、炭化珪素基板
上に形成するエピタキシャル層が必然的に２μｍ〜３μ
ｍ程度と厚くなり、エピタキシャル層にクラック等の欠
陥がしばしば発生するという問題があった。
【０００６】また、ｐ型の窒化ガリウム系エピタキシャ
ル層を形成するためには、特開平５−１８３１８９号公
報に開示されるように、ｐ型不純物がドープされた窒化
ガリウム系エピタキシャル層を成長させた後、４００℃
以上の温度でアニーリングを行う必要がある。
ル層を形成するためには、特開平５−１８３１８９号公
報に開示されるように、ｐ型不純物がドープされた窒化
ガリウム系エピタキシャル層を成長させた後、４００℃
以上の温度でアニーリングを行う必要がある。
【０００７】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、厚いエピタキシャル層を形成せず、か
つ、ｐ型の窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成せず
に、青色系の発光をすることができる化合物半導体発光
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
たものであり、厚いエピタキシャル層を形成せず、か
つ、ｐ型の窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成せず
に、青色系の発光をすることができる化合物半導体発光
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体発
光素子は、ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正孔
注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入され
うる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む
窒化物半導体量子構造を有することを主な特徴とする。
光素子は、ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正孔
注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入され
うる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む
窒化物半導体量子構造を有することを主な特徴とする。
【０００９】本発明によると、ｐ型の半導体基板上にｉ
型あるいはｎ型のエピタキシャル層を形成することによ
り化合物半導体発光素子を製造するので、改めてｐ型の
窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成する必要が無
く、また、ｎ型の半導体基板上に格子不整合を緩和する
ための緩衝層を形成しさらにｎ型とｐ型の窒化ガリウム
系エピタキシャル層を形成する従来の構造と比べ、エピ
タキシャル層の厚さを薄くすることができる。
型あるいはｎ型のエピタキシャル層を形成することによ
り化合物半導体発光素子を製造するので、改めてｐ型の
窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成する必要が無
く、また、ｎ型の半導体基板上に格子不整合を緩和する
ための緩衝層を形成しさらにｎ型とｐ型の窒化ガリウム
系エピタキシャル層を形成する従来の構造と比べ、エピ
タキシャル層の厚さを薄くすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１１】図１は、本発明の化合物半導体発光素子１
０の断面構造を示している。まず、６Ｈ型（Ｈは結晶形
が六方晶形であることを示し、６は結晶ｃ軸方向への原
子積層が６層で一周期である結晶構造を表す。）あるい
は４Ｈ型のポリタイプ（結晶多形）を有し、アルミニウ
ムをドープしたｐ型の炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶基板１
１上に、１０００℃以上の温度で単層以上１０ｎｍ未満
の厚さの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層１２をＭＯＣＶ
Ｄ（metalorganic chemical vapor deposition：有機金
属化学気相堆積）法で成長させる。以下のエピタキシャ
ル層は、全てＭＯＣＶＤ法により成長させる。
０の断面構造を示している。まず、６Ｈ型（Ｈは結晶形
が六方晶形であることを示し、６は結晶ｃ軸方向への原
子積層が６層で一周期である結晶構造を表す。）あるい
は４Ｈ型のポリタイプ（結晶多形）を有し、アルミニウ
ムをドープしたｐ型の炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶基板１
１上に、１０００℃以上の温度で単層以上１０ｎｍ未満
の厚さの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層１２をＭＯＣＶ
Ｄ（metalorganic chemical vapor deposition：有機金
属化学気相堆積）法で成長させる。以下のエピタキシャ
ル層は、全てＭＯＣＶＤ法により成長させる。
【００１２】上記ＡｌＮ層１２は、ＳｉＣ基板１１との
格子不整合率が約１％と小さい。また、ＡｌＮ層１２は
ｉ型であり、その厚さが１０ｎｍ以上になると正孔の注
入効率が低くなるので好ましくない。
格子不整合率が約１％と小さい。また、ＡｌＮ層１２は
ｉ型であり、その厚さが１０ｎｍ以上になると正孔の注
入効率が低くなるので好ましくない。
【００１３】次に、ＡｌＮ層１２の上に、ｎ型窒化ガリ
ウムアルミニウム（ＡｌｘＧａ１− ｘＮ）とｎ型窒化ガ
リウムアルミニウムインジウム（ＩｎｙＡｌｘＧａ
１−ｘ− ｙＮ）のいずれか又は両方よりなる組成傾斜層
１３を、１０００℃以上の温度で３０ｎｍ未満の厚さに
成長させる。ＡｌＮ層１２と組成傾斜層１３は、組み合
わされて正孔注入層として作用する。すると、内部電界
の作用によりｐ型ＳｉＣ基板１１からＡｌＮ層１２を通
して組成傾斜層１３中に注入された正孔は、発光領域と
なる窒化物半導体量子構造（ＭＱＷ）１４へと効率よく
導かれるようになる。
ウムアルミニウム（ＡｌｘＧａ１− ｘＮ）とｎ型窒化ガ
リウムアルミニウムインジウム（ＩｎｙＡｌｘＧａ
１−ｘ− ｙＮ）のいずれか又は両方よりなる組成傾斜層
１３を、１０００℃以上の温度で３０ｎｍ未満の厚さに
成長させる。ＡｌＮ層１２と組成傾斜層１３は、組み合
わされて正孔注入層として作用する。すると、内部電界
の作用によりｐ型ＳｉＣ基板１１からＡｌＮ層１２を通
して組成傾斜層１３中に注入された正孔は、発光領域と
なる窒化物半導体量子構造（ＭＱＷ）１４へと効率よく
導かれるようになる。
【００１４】ｐ型ＳｉＣ基板１１から正孔を効率よく注
入するためには、正孔注入層であるＡｌＮ層１２と組成
傾斜層１３の厚さを合わせて３０ｎｍ未満とし、ｐ型Ｓ
ｉＣ基板１１から正孔が注入されうる距離に窒化物半導
体量子構造（ＭＱＷ）１４を配置する必要がある。参考
のために、本発明の化合物半導体発光素子１０のバンド
構造を示す概念図を図２に示す。
入するためには、正孔注入層であるＡｌＮ層１２と組成
傾斜層１３の厚さを合わせて３０ｎｍ未満とし、ｐ型Ｓ
ｉＣ基板１１から正孔が注入されうる距離に窒化物半導
体量子構造（ＭＱＷ）１４を配置する必要がある。参考
のために、本発明の化合物半導体発光素子１０のバンド
構造を示す概念図を図２に示す。
【００１５】なお、正孔注入層は、厚さが１０ｎｍ未満
の窒化アルミニウム層、厚さが３０ｎｍ未満の窒化ガリ
ウムアルミニウム層、あるいは、厚さが３０ｎｍ未満の
窒化ガリウムアルミニウムインジウム層のいずれかのみ
で形成することもできる。また、窒化ガリウムアルミニ
ウム層と窒化ガリウムアルミニウムインジウム層は、そ
の組成を必ずしも傾斜させる必要はなく、格子不整合が
あまり大きくない場合には均一組成にしてもよい。
の窒化アルミニウム層、厚さが３０ｎｍ未満の窒化ガリ
ウムアルミニウム層、あるいは、厚さが３０ｎｍ未満の
窒化ガリウムアルミニウムインジウム層のいずれかのみ
で形成することもできる。また、窒化ガリウムアルミニ
ウム層と窒化ガリウムアルミニウムインジウム層は、そ
の組成を必ずしも傾斜させる必要はなく、格子不整合が
あまり大きくない場合には均一組成にしてもよい。
【００１６】ところで、例えば組成傾斜層１３がＡｌｘ
Ｇａ１−ｘＮよりなる場合、該組成傾斜層１３における
ＡｌＮの組成比ｘをｘ＝０．３からｘ＝０に向けて徐々
に減少させることにより、エピタキシャル層の格子定数
を窒化ガリウム（ＧａＮ）のものに近づけていくが、組
成傾斜層１３の成長温度や膜厚等によっては、格子不整
合を十分に緩和できない場合がある。
Ｇａ１−ｘＮよりなる場合、該組成傾斜層１３における
ＡｌＮの組成比ｘをｘ＝０．３からｘ＝０に向けて徐々
に減少させることにより、エピタキシャル層の格子定数
を窒化ガリウム（ＧａＮ）のものに近づけていくが、組
成傾斜層１３の成長温度や膜厚等によっては、格子不整
合を十分に緩和できない場合がある。
【００１７】その場合、該組成傾斜層１３の成長中ある
いは成長終了後に、アンモニア及びキャリアガスである
水素を流した状態で、エピタキシャル層を形成したＳｉ
Ｃ単結晶基板１１に対し、１０００℃以上の高温から例
えば５００℃程度の低温までの昇降温を一度以上繰り返
す。
いは成長終了後に、アンモニア及びキャリアガスである
水素を流した状態で、エピタキシャル層を形成したＳｉ
Ｃ単結晶基板１１に対し、１０００℃以上の高温から例
えば５００℃程度の低温までの昇降温を一度以上繰り返
す。
【００１８】すると、ＳｉＣ単結晶基板１１と組成傾斜
層１３との熱膨張係数の差を利用して、該組成傾斜層１
３を効率的に格子緩和させることができ、さらに、その
後に成長されて発光領域となる窒化物半導体量子構造
（ＭＱＷ）１４にかかる応力を予め低減しておくことが
できる。
層１３との熱膨張係数の差を利用して、該組成傾斜層１
３を効率的に格子緩和させることができ、さらに、その
後に成長されて発光領域となる窒化物半導体量子構造
（ＭＱＷ）１４にかかる応力を予め低減しておくことが
できる。
【００１９】組成傾斜層１３を形成した後、キャリアガ
スを窒素に切り替えるとともに成長温度を７００℃ない
し８００℃程度に下げ、ｎ型窒化ガリウムインジウム
（ＩｎＧａＮ）よりなる量子構造、例えばＩｎＧａＮ井
戸層とＧａＮ障壁層とを交互に積層してなる多重量子井
戸構造１４、を成長する。
スを窒素に切り替えるとともに成長温度を７００℃ない
し８００℃程度に下げ、ｎ型窒化ガリウムインジウム
（ＩｎＧａＮ）よりなる量子構造、例えばＩｎＧａＮ井
戸層とＧａＮ障壁層とを交互に積層してなる多重量子井
戸構造１４、を成長する。
【００２０】続いて、ＭＱＷ層１４の上に、例えば厚さ
３００ｎｍ程度の比較的厚いｎ型窒化ガリウムアルミニ
ウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ）層１５を成長する。この層
は、電極１７を形成するためのコンタクト層として機能
する。このＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５におけるＡｌＮの
組成比ｙを調整することにより、ＭＱＷ層１４にかかる
応力を低減し、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５の成長に起因
するＭＱＷ層１４の結晶性悪化を抑止することができ
る。
３００ｎｍ程度の比較的厚いｎ型窒化ガリウムアルミニ
ウム（ＡｌｙＧａ１−ｙＮ）層１５を成長する。この層
は、電極１７を形成するためのコンタクト層として機能
する。このＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５におけるＡｌＮの
組成比ｙを調整することにより、ＭＱＷ層１４にかかる
応力を低減し、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５の成長に起因
するＭＱＷ層１４の結晶性悪化を抑止することができ
る。
【００２１】ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５は均一組成であ
る必要はなく、最表面側をｙ＝０すなわちＧａＮとして
電極１７とのコンタクトを容易にすることもできること
は言うまでもない。
る必要はなく、最表面側をｙ＝０すなわちＧａＮとして
電極１７とのコンタクトを容易にすることもできること
は言うまでもない。
【００２２】図３に、本発明の化合物半導体発光素子１
０における各エピタキシャル層のａ軸方向の格子定数を
概念的に示す。実線は実際の格子定数を示し、点線は本
来の格子定数を示す。
０における各エピタキシャル層のａ軸方向の格子定数を
概念的に示す。実線は実際の格子定数を示し、点線は本
来の格子定数を示す。
【００２３】最後に、ｐ型ＳｉＣ単結晶基板１１の裏面
側とｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５の主表面側にｐ側電
極１６とｎ側電極１７とを形成することにより、化合物
半導体発光素子１０を製造することができる。
側とｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５の主表面側にｐ側電
極１６とｎ側電極１７とを形成することにより、化合物
半導体発光素子１０を製造することができる。
【００２４】ＩｎＧａＮ井戸層におけるＩｎＮの組成
を、青緑色発光が得られる範囲として前記化合物半導体
発光素子１０を製造したところ、ピーク波長４８０ｎ
ｍ、半値幅１００ｎｍの発光が確認された。また、コン
タクト層であるＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５の電導性が高
いことにより、透光性電極を形成しなくても、素子の広
い領域で発光が認められた。
を、青緑色発光が得られる範囲として前記化合物半導体
発光素子１０を製造したところ、ピーク波長４８０ｎ
ｍ、半値幅１００ｎｍの発光が確認された。また、コン
タクト層であるＡｌｙＧａ１−ｙＮ層１５の電導性が高
いことにより、透光性電極を形成しなくても、素子の広
い領域で発光が認められた。
【００２５】また、ＳｉＣ単結晶基板１１の上に形成し
たＡｌＮ層１２からＡｌｙＧａ１− ｙＮ層１５までの全
エピタキシャル層の厚さは約０．３μｍであり、従来Ｓ
ｉＣ単結晶基板を用いて青色系の化合物半導体発光素子
を製造するために成長していたエピタキシャル層の厚さ
２μｍ〜３μｍと比較すると、約十分の一程度の厚さに
まで薄くすることができた。エピタキシャル層には、ク
ラックは発生していなかった。
たＡｌＮ層１２からＡｌｙＧａ１− ｙＮ層１５までの全
エピタキシャル層の厚さは約０．３μｍであり、従来Ｓ
ｉＣ単結晶基板を用いて青色系の化合物半導体発光素子
を製造するために成長していたエピタキシャル層の厚さ
２μｍ〜３μｍと比較すると、約十分の一程度の厚さに
まで薄くすることができた。エピタキシャル層には、ク
ラックは発生していなかった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ｐ型のＳｉＣ単結晶基板上に極めて薄いエピタキシャル
層を成長することにより青色系の発光をする化合物半導
体発光素子を製造することができるので、エピタキシャ
ル層に歪が生じにくくなり、エピタキシャル層にクラッ
ク等の欠陥が発生することを防止できる。
ｐ型のＳｉＣ単結晶基板上に極めて薄いエピタキシャル
層を成長することにより青色系の発光をする化合物半導
体発光素子を製造することができるので、エピタキシャ
ル層に歪が生じにくくなり、エピタキシャル層にクラッ
ク等の欠陥が発生することを防止できる。
【００２７】また、この化合物半導体発光素子を製造す
る際には、ｐ型のＧａＮ系エピタキシャル層を形成する
必要がないので、エピタキシャル層をｐ型化するための
アニールや電子線照射等の処理は必要としない。
る際には、ｐ型のＧａＮ系エピタキシャル層を形成する
必要がないので、エピタキシャル層をｐ型化するための
アニールや電子線照射等の処理は必要としない。
【図１】本発明の化合物半導体発光素子の断面構造を示
した説明図である。
した説明図である。
【図２】本発明の化合物半導体発光素子のバンド構造を
示す概念図である。
示す概念図である。
【図３】本発明の化合物半導体発光素子における各エピ
タキシャル層の格子定数を示す概念図である。
タキシャル層の格子定数を示す概念図である。
１０ 化合物半導体発光素子 １１ ｐ型炭化珪素単結晶基板 １２ ｉ型あるいはｎ型の窒化アルミニウム層 １３ ｎ型窒化ガリウムアルミニウム組成傾斜層 １４ 窒化物半導体量子構造 １５ ｎ型窒化ガリウムアルミニウム層 １６ ｐ側電極 １７ ｎ側電極
Claims (14)
- 【請求項１】 ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の
正孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入
されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを
含む窒化物半導体量子構造を有することを特徴とする化
合物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記ｐ型半導体基板は、炭化珪素単結晶
であることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体発
光素子。 - 【請求項３】 前記炭化珪素単結晶は、６Ｈまたは４Ｈ
のポリタイプを有することを特徴とする請求項２記載の
化合物半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記正孔注入層は、厚さが１０ｎｍ未満
の窒化アルミニウム層であることを特徴とする請求項１
記載の化合物半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記正孔注入層は、厚さが３０ｎｍ未満
の窒化ガリウムアルミニウム層であることを特徴とする
請求項１記載の化合物半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記正孔注入層は、厚さが３０ｎｍ未満
の窒化ガリウムアルミニウムインジウム層であることを
特徴とする請求項１記載の化合物半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記正孔注入層は、組成傾斜層であるこ
とを特徴とする請求項５または請求項６記載の化合物半
導体発光素子。 - 【請求項８】 前記正孔注入層は、厚さが１０ｎｍ未満
の窒化アルミニウム層、厚さが３０ｎｍ未満の窒化ガリ
ウムアルミニウム層、厚さが３０ｎｍ未満の窒化ガリウ
ムアルミニウムインジウム層のうち、少なくとも２層以
上が組み合わされてなり、かつ、厚さが３０ｎｍ未満で
あることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体発光
素子。 - 【請求項９】 前記窒化ガリウムアルミニウム層あるい
は窒化ガリウムアルミニウムインジウム層は、組成傾斜
層であることを特徴とする請求項８記載の化合物半導体
発光素子。 - 【請求項１０】 前記窒化物半導体量子構造の上部に、
ｎ型窒化ガリウム層を備えることを特徴とする請求項１
記載の化合物半導体発光素子。 - 【請求項１１】 前記窒化物半導体量子構造の上部に、
ｎ型窒化ガリウムアルミニウム層を備えることを特徴と
する請求項１記載の化合物半導体発光素子。 - 【請求項１２】 ｐ型炭化珪素単結晶からなる半導体基
板と、該半導体基板上に形成され、ｉ型窒化アルミニウ
ム層とｎ型窒化ガリウムアルミニウム組成傾斜層とを有
する正孔注入層と、該正孔注入層上に形成され少なくと
もインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造
と、該窒化物半導体量子構造上に形成されたｎ型窒化ガ
リウム層またはｎ型窒化ガリウムアルミニウム層とを有
することを特徴とする化合物半導体発光素子。 - 【請求項１３】 前記正孔注入層の厚さは３０ｎｍ未満
であることを特徴とする請求項１２記載の化合物半導体
発光素子。 - 【請求項１４】 ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型
の正孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注
入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムと
を含む窒化物半導体量子構造を有する化合物半導体発光
素子の製造方法において、前記正孔注入層の成長中ある
いは成長後に昇降温を一度以上繰り返すことにより、格
子歪を緩和させることを特徴とする化合物半導体発光素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000062667A JP2001250982A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000062667A JP2001250982A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250982A true JP2001250982A (ja) | 2001-09-14 |
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ID=18582642
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000062667A Pending JP2001250982A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2001250982A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222804A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN112313805A (zh) * | 2018-04-05 | 2021-02-02 | 威斯康星州男校友研究基金会 | 用于氮化物基发光器件中的空穴注入的异质隧穿结 |
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2000
- 2000-03-07 JP JP2000062667A patent/JP2001250982A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222804A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN112313805A (zh) * | 2018-04-05 | 2021-02-02 | 威斯康星州男校友研究基金会 | 用于氮化物基发光器件中的空穴注入的异质隧穿结 |
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