JP2011222804A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【選択図】 図1A
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態における半導体装置は、ドーパントとしてマグネシウム(Mg)を用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態2における半導体装置について説明する。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態3における半導体装置について説明する。
次に、本発明の実施の形態4について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態4における半導体装置について説明する。
Claims (8)
- ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層と、
この第1半導体層の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層と、
この第2半導体層の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層と
を少なくとも備え、
前記第1窒化物半導体は、前記第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3半導体層は、n型とされていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第3半導体層の上に接して形成された第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層を備え、
前記第3半導体層は、アンドープの前記第2窒化物半導体から構成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1半導体層は、シリコンから構成されていることを特徴とする半導体装置。 - ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層を形成する第1工程と、
前記第2半導体層の上に、前記第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記第2半導体層の上に、n型とされた前記第3半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3半導体層の上に第3窒化物半導体を堆積してn型の第4半導体層を形成する第3工程を備え、
前記第2工程では、前記第1半導体層の上に、アンドープの前記第2窒化物半導体を堆積して前記第3半導体層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1工程では、シリコンから構成された前記第1半導体層の上に前記第2半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013172125A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子 |
CN104882522A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-02 | 中国科学院半导体研究所 | 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111074A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-04-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体素子及び太陽電池 |
JP2001250982A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2005029587A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | 窒化物系半導体素子 |
WO2006120908A1 (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Nichia Corporation | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
-
2010
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111074A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-04-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体素子及び太陽電池 |
JP2001250982A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2005029587A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | 窒化物系半導体素子 |
WO2006120908A1 (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Nichia Corporation | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013172125A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子 |
CN104882522A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-02 | 中国科学院半导体研究所 | 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法 |
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