JP2001250813A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JP2001250813A JP2001250813A JP2000065698A JP2000065698A JP2001250813A JP 2001250813 A JP2001250813 A JP 2001250813A JP 2000065698 A JP2000065698 A JP 2000065698A JP 2000065698 A JP2000065698 A JP 2000065698A JP 2001250813 A JP2001250813 A JP 2001250813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chlorine
- gas
- etching
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板のプラズマ処理後の金属汚染を低減
し、デバイス特性の劣化を防ぐ。 【解決の手段】半導体基板のエッチング処理後に、塩素
の単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに
半導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したＦｅ，Ｃ
ｒ汚染を除去する。
し、デバイス特性の劣化を防ぐ。 【解決の手段】半導体基板のエッチング処理後に、塩素
の単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに
半導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したＦｅ，Ｃ
ｒ汚染を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理方法に
係り、特に金属表面が露出したプラズマ処理室内で試料
を処理するのに好適なプラズマ処理方法に関するもので
ある。
係り、特に金属表面が露出したプラズマ処理室内で試料
を処理するのに好適なプラズマ処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマ処理においては試料への
金属汚染を防止するために、例えば、特開平７−３３５
３９４号公報に記載のようなプラズマ処理装置、すなわ
ち、真空容器の内側に石英，セラミックなどで形成され
た内筒状の絶縁カバーを設置した装置を用い、真空容器
の金属表面に直接にプラズマが接しないようにしてプラ
ズマ処理を行っていた。
金属汚染を防止するために、例えば、特開平７−３３５
３９４号公報に記載のようなプラズマ処理装置、すなわ
ち、真空容器の内側に石英，セラミックなどで形成され
た内筒状の絶縁カバーを設置した装置を用い、真空容器
の金属表面に直接にプラズマが接しないようにしてプラ
ズマ処理を行っていた。
【０００３】なお、本発明に関係するものとして、特開
平３−１６１２６号公報に記載のものがある。本公報に
は、Ａｌ合金のプラズマエッチング処理後の防食処理と
して、エッチング後に塩素ガスをプラズマ化するととも
に、エッチング時に比べて小さいバイアス電圧を印加し
て、試料に付着した塩化物を除去することが開示されて
いる。
平３−１６１２６号公報に記載のものがある。本公報に
は、Ａｌ合金のプラズマエッチング処理後の防食処理と
して、エッチング後に塩素ガスをプラズマ化するととも
に、エッチング時に比べて小さいバイアス電圧を印加し
て、試料に付着した塩化物を除去することが開示されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のように
プラズマ処理装置は、処理室内部を非金属部材でカバー
することにより、金属汚染を防止できるが、プラズマ電
位を確定するためにプラズマと接するアース電極を必要
する。従来、該アース電極にはステンレス鋼（ＳＵＳ）
やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性の金属が使用されて
いた。このため、処理室内に露出する金属表面は僅かで
あるが、近年の高集積化された半導体基板等の加工にお
いては、そのアース電極がプラズマ処理中にプラズマに
よってエッチング又はスパッタリングされ、アース電極
の材料に含まれる微量のＦｅ，Ｃｒなどの金属成分が飛
散し、試料の被処理面に付着して金属汚染となり、デバ
イス特性の劣化を引き起こす恐れがあった。
プラズマ処理装置は、処理室内部を非金属部材でカバー
することにより、金属汚染を防止できるが、プラズマ電
位を確定するためにプラズマと接するアース電極を必要
する。従来、該アース電極にはステンレス鋼（ＳＵＳ）
やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性の金属が使用されて
いた。このため、処理室内に露出する金属表面は僅かで
あるが、近年の高集積化された半導体基板等の加工にお
いては、そのアース電極がプラズマ処理中にプラズマに
よってエッチング又はスパッタリングされ、アース電極
の材料に含まれる微量のＦｅ，Ｃｒなどの金属成分が飛
散し、試料の被処理面に付着して金属汚染となり、デバ
イス特性の劣化を引き起こす恐れがあった。
【０００５】本発明の目的は、プラズマ処理による試料
への金属汚染を低減することのできるプラズマ処理方法
を提供することにある。
への金属汚染を低減することのできるプラズマ処理方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体基板
のエッチング処理後に、塩素の単独ガスあるいは塩素と
酸素の混合ガスのプラズマに半導体基板を晒し、半導体
基板表面に付着したＦｅ，Ｃｒ汚染物質を除去すること
により、達成できる。
のエッチング処理後に、塩素の単独ガスあるいは塩素と
酸素の混合ガスのプラズマに半導体基板を晒し、半導体
基板表面に付着したＦｅ，Ｃｒ汚染物質を除去すること
により、達成できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１及
び図２により説明する。図１は本発明のプラズマ処理方
法のステップを示す図であり、図２は該ステップを実行
するためのプラズマ処理装置の一例であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置を示す図である。
び図２により説明する。図１は本発明のプラズマ処理方
法のステップを示す図であり、図２は該ステップを実行
するためのプラズマ処理装置の一例であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置を示す図である。
【０００８】まず図２により本実施例を実行するための
装置を説明する。処理室１は、この場合、容器１ａ，放
電管１ｂ，アース電極１ｃおよび石英板２で形成され
る。処理室１の下部にはウエハ載置用の電極８が設けら
れ、電極８の周囲に対応しアース電極１ｃが位置する。
放電管１ｂ上部にはエッチング用の処理ガスを導入する
ガス導入口４と、ガス導入口４の下部に石英製のガス分
散板１２が設けられ、また、放電管１ｂの内側には、石
英製の内筒１１が設けられている。この場合、主にプラ
ズマと接する処理室内部は内筒１１及びガス分散板１２
によって、放電管１ｂの金属面の露出を防いである。
装置を説明する。処理室１は、この場合、容器１ａ，放
電管１ｂ，アース電極１ｃおよび石英板２で形成され
る。処理室１の下部にはウエハ載置用の電極８が設けら
れ、電極８の周囲に対応しアース電極１ｃが位置する。
放電管１ｂ上部にはエッチング用の処理ガスを導入する
ガス導入口４と、ガス導入口４の下部に石英製のガス分
散板１２が設けられ、また、放電管１ｂの内側には、石
英製の内筒１１が設けられている。この場合、主にプラ
ズマと接する処理室内部は内筒１１及びガス分散板１２
によって、放電管１ｂの金属面の露出を防いである。
【０００９】処理室１の内部は容器１ａに取付けられた
真空排気装置３によって減圧された後、ガス供給装置
（図示省略）によってガス導入口４を介しエッチングガ
スが導入され、所望の圧力に調整される。また処理室１
内には、放電管１ｂの外周部に配置された電磁コイル５
ａないし５ｃによって磁場が形成されるとともに、石英
窓２により仕切られ処理室１に連結された導波管７を介
して、導波管７の端部に設けたマグネトロン６から発振
した、この場合、周波数２.４５ＧＨｚ のマイクロ波が
処理室１内に導入される。この磁場とマイクロ波によっ
て処理室１内に生成されたプラズマ１００により、電極
８に載置された試料、すなわち半導体基板であるウエハ
９がエッチング処理される。またウエハ９のエッチング
形状を制御するために、電極８には整合器（図示省略）
を介して高周波電源１０が接続され、高周波電圧（バイ
アス電圧）を印加することが可能になっている。
真空排気装置３によって減圧された後、ガス供給装置
（図示省略）によってガス導入口４を介しエッチングガ
スが導入され、所望の圧力に調整される。また処理室１
内には、放電管１ｂの外周部に配置された電磁コイル５
ａないし５ｃによって磁場が形成されるとともに、石英
窓２により仕切られ処理室１に連結された導波管７を介
して、導波管７の端部に設けたマグネトロン６から発振
した、この場合、周波数２.４５ＧＨｚ のマイクロ波が
処理室１内に導入される。この磁場とマイクロ波によっ
て処理室１内に生成されたプラズマ１００により、電極
８に載置された試料、すなわち半導体基板であるウエハ
９がエッチング処理される。またウエハ９のエッチング
形状を制御するために、電極８には整合器（図示省略）
を介して高周波電源１０が接続され、高周波電圧（バイ
アス電圧）を印加することが可能になっている。
【００１０】このように構成されたプラズマ処理装置に
より、図１に示すように、この場合、Ｓｉ又はＰｏｌｙ
−Ｓｉを塩素系ガス、この場合、Ｃｌ2＋Ｏ2の混合ガス
のプラズマによりエッチング処理する（これをステップ
１に示す）。このエッチング処理中においては、アース
電極１ｃがプラズマに接することになり、また、電極８
に高周波バイアス電圧を印加するので、アース電極１ｃ
の表面にプラズマ中のイオンを引込むに十分なイオンシ
ースが生じてアース電極表面にプラズマ中のイオンが入
射する。この場合、アース電極１ｃはアルミニウムでな
り、不純物として少量ではあるがＦｅ，Ｃｒ等の重金属
が含まれている。また、アルミニウムのアルマイト処理
時にも、処理液等からＦｅ，Ｃｒ等の重金属がアルマイ
ト中に取り込まれる可能性がある。このため、アース電
極１ｃがエッチング又はスパッタリングされてＦｅ，Ｃ
ｒ等の重金属が飛散し、ウエハ９表面に付着する。この
ためプラズマエッチング処理後のウエハ表面には、ステ
ップ２に示すようにＦｅ，Ｃｒ等の重金属が付着してい
る。
より、図１に示すように、この場合、Ｓｉ又はＰｏｌｙ
−Ｓｉを塩素系ガス、この場合、Ｃｌ2＋Ｏ2の混合ガス
のプラズマによりエッチング処理する（これをステップ
１に示す）。このエッチング処理中においては、アース
電極１ｃがプラズマに接することになり、また、電極８
に高周波バイアス電圧を印加するので、アース電極１ｃ
の表面にプラズマ中のイオンを引込むに十分なイオンシ
ースが生じてアース電極表面にプラズマ中のイオンが入
射する。この場合、アース電極１ｃはアルミニウムでな
り、不純物として少量ではあるがＦｅ，Ｃｒ等の重金属
が含まれている。また、アルミニウムのアルマイト処理
時にも、処理液等からＦｅ，Ｃｒ等の重金属がアルマイ
ト中に取り込まれる可能性がある。このため、アース電
極１ｃがエッチング又はスパッタリングされてＦｅ，Ｃ
ｒ等の重金属が飛散し、ウエハ９表面に付着する。この
ためプラズマエッチング処理後のウエハ表面には、ステ
ップ２に示すようにＦｅ，Ｃｒ等の重金属が付着してい
る。
【００１１】次に、ウエハ９を電極８に載置したまま、
エッチング処理後の処理室１内に塩素の単独ガスあるい
は塩素と酸素の混合ガスを所定の流量で導入するととも
に処理室１内の圧力を所定の処理圧力に調整し、プラズ
マを発生させる。このとき、電極８には高周波バイアス
電圧を印加せず、ウエハ９を数秒間、例えば、５〜１０
秒程度の被エッチング形状に影響の生じない時間でプラ
ズマに晒す処理を行う。エッチング処理後のこのプラズ
マ処理では高周波バイアス電圧を印加していないので、
ウエハ９のエッチング形状，マスクおよび下地材料の減
少が最小限に抑制され、ウエハ９の表面に付着したＦ
ｅ，Ｃｒ汚染物質を、ＦｅｘＣｌｙ，ＣｒｘＣｌｙの反
応生成物に変えて除去することができる（これをステッ
プ３に示す）。
エッチング処理後の処理室１内に塩素の単独ガスあるい
は塩素と酸素の混合ガスを所定の流量で導入するととも
に処理室１内の圧力を所定の処理圧力に調整し、プラズ
マを発生させる。このとき、電極８には高周波バイアス
電圧を印加せず、ウエハ９を数秒間、例えば、５〜１０
秒程度の被エッチング形状に影響の生じない時間でプラ
ズマに晒す処理を行う。エッチング処理後のこのプラズ
マ処理では高周波バイアス電圧を印加していないので、
ウエハ９のエッチング形状，マスクおよび下地材料の減
少が最小限に抑制され、ウエハ９の表面に付着したＦ
ｅ，Ｃｒ汚染物質を、ＦｅｘＣｌｙ，ＣｒｘＣｌｙの反
応生成物に変えて除去することができる（これをステッ
プ３に示す）。
【００１２】本実施例の金属汚染除去プロセスを用いれ
ば、この場合、単にエッチング処理のみで終了した場合
の金属汚染量を１.０としたとき、Ｆｅは０.５に、Ｃｒ
は０.７に減少した。本実施例によれば、ウエハ９表面
の金属汚染を完全に除去することはできなかったが、も
ともと微量な重金属の付着をさらに低減することがで
き、微細化した半導体素子の製造工程においても十分に
金属汚染を低減することができる。
ば、この場合、単にエッチング処理のみで終了した場合
の金属汚染量を１.０としたとき、Ｆｅは０.５に、Ｃｒ
は０.７に減少した。本実施例によれば、ウエハ９表面
の金属汚染を完全に除去することはできなかったが、も
ともと微量な重金属の付着をさらに低減することがで
き、微細化した半導体素子の製造工程においても十分に
金属汚染を低減することができる。
【００１３】なお、本一実施例では、ゲート材料のエッ
チング処理に用いるエッチングガスはＣｌ2＋Ｏ2を例に
述べたが、エッチングガスとして塩素単体を使用した場
合、臭化水素あるいは臭化水素と酸素との混合ガスを使
用した場合、塩素，酸素および臭化水素との混合ガスを
使用した場合についても、同様に本実施例の重金属汚染
除去用プラズマ処理を行うことにより金属汚染低減が図
れる。
チング処理に用いるエッチングガスはＣｌ2＋Ｏ2を例に
述べたが、エッチングガスとして塩素単体を使用した場
合、臭化水素あるいは臭化水素と酸素との混合ガスを使
用した場合、塩素，酸素および臭化水素との混合ガスを
使用した場合についても、同様に本実施例の重金属汚染
除去用プラズマ処理を行うことにより金属汚染低減が図
れる。
【００１４】また、図３に示すようなＡｌ系のメタル配
線のエッチングプロセスにおいても適用することができ
る。この場合、ＴｉＮとＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕから成る積層
構造のメタル配線材料をＢＣｌ3＋Ｃｌ2の塩素系のエッ
チングガスプラズマによってエッチング処理する（これ
をステップ１に示す）。エッチング処理後は被処理面に
Ｆｅ，Ｃｒ汚染物質が付着・残留する（これをステップ
２に示す）。このとき、ウエハの被処理面にはエッチン
グ処理中に形成された側壁保護膜が残っている。このた
め、本メタル配線での金属除去プロセスでは、塩素系ガ
スプラズマにウエハを長く晒しても、被エッチング形状
を損ねることがない。
線のエッチングプロセスにおいても適用することができ
る。この場合、ＴｉＮとＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕから成る積層
構造のメタル配線材料をＢＣｌ3＋Ｃｌ2の塩素系のエッ
チングガスプラズマによってエッチング処理する（これ
をステップ１に示す）。エッチング処理後は被処理面に
Ｆｅ，Ｃｒ汚染物質が付着・残留する（これをステップ
２に示す）。このとき、ウエハの被処理面にはエッチン
グ処理中に形成された側壁保護膜が残っている。このた
め、本メタル配線での金属除去プロセスでは、塩素系ガ
スプラズマにウエハを長く晒しても、被エッチング形状
を損ねることがない。
【００１５】また、本実施例では、マイクロ波プラズマ
エッチング装置を用いたプラズマ処理について説明した
が、その他のエッチング装置、例えば、誘導結合型放電
（ＩＣＰ放電）プラズマを利用したエッチング装置，容
量結合型放電（ＣＣＰ放電）プラズマ（２周波励起プラ
ズマ，狭電極プラズマを含む）を利用したエッチング装
置，表面波プラズマを利用したエッチング装置およびＵ
ＨＦプラズマを利用したエッチング装置にも適用可能で
あり、又はこれらのプラズマ生成方式を用いた成膜装
置，アッシング装置のプラズマ処理後に、本実施例のプ
ラズマ処理後の金属汚染除去プロセスを適用しても同様
の作用効果がある。
エッチング装置を用いたプラズマ処理について説明した
が、その他のエッチング装置、例えば、誘導結合型放電
（ＩＣＰ放電）プラズマを利用したエッチング装置，容
量結合型放電（ＣＣＰ放電）プラズマ（２周波励起プラ
ズマ，狭電極プラズマを含む）を利用したエッチング装
置，表面波プラズマを利用したエッチング装置およびＵ
ＨＦプラズマを利用したエッチング装置にも適用可能で
あり、又はこれらのプラズマ生成方式を用いた成膜装
置，アッシング装置のプラズマ処理後に、本実施例のプ
ラズマ処理後の金属汚染除去プロセスを適用しても同様
の作用効果がある。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、試料のプラズマ処理後
に、バイアス電圧を印加せずに塩素の単独ガスあるいは
塩素と酸素の混合ガスのプラズマに試料を晒すことによ
り、試料の処理形状への影響を最小限にし、試料に付着
したＦｅ，Ｃｒの汚染物質を除去できるので、試料プラ
ズマ処理における金属汚染を低減できるという効果があ
る。
に、バイアス電圧を印加せずに塩素の単独ガスあるいは
塩素と酸素の混合ガスのプラズマに試料を晒すことによ
り、試料の処理形状への影響を最小限にし、試料に付着
したＦｅ，Ｃｒの汚染物質を除去できるので、試料プラ
ズマ処理における金属汚染を低減できるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例であるプラズマ処理方法を示
す図である。
す図である。
【図２】図１のプラズマ処理方法を実行するためのプラ
ズマ処理装置の一例を示す縦断面図である。
ズマ処理装置の一例を示す縦断面図である。
【図３】本発明の他の実施例であるプラズマ処理方法を
示す図である。
示す図である。
１…処理室、１ａ…容器、１ｂ…放電管、１ｃ…アース
電極、２…石英板、３…真空排気装置、４…ガス導入
口、５ａ，５ｂ，５ｃ…電磁コイル、６…マグネトロ
ン、７…導波管、８…電極、９…ウエハ、１０…高周波
電源、１１…内筒、１２…ガス分散板。
電極、２…石英板、３…真空排気装置、４…ガス導入
口、５ａ，５ｂ，５ｃ…電磁コイル、６…マグネトロ
ン、７…導波管、８…電極、９…ウエハ、１０…高周波
電源、１１…内筒、１２…ガス分散板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DA01 DB02 DB06 DB08 DB15 DD01 DE01 DE11 DE20 DM40 DN01 5F004 AA14 AA16 BA19 BA20 BB07 BB13 BB14 CA03 CA06 DA04 DA11 DA26 DB01 DB02 DB09 DB12 EB02
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板のエッチング処理後に、塩素の
単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに半
導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したＦｅ又はＣ
ｒの汚染物質を除去することを特徴とするプラズマ処理
方法。 - 【請求項２】真空処理室内で試料に高周波バイアス電圧
を印加して行うプラズマ処理によってＦｅ又はＣｒの汚
染物質が生じたプラズマ処理の後に、前記高周波バイア
ス電圧を印加せずに塩素の単独ガスあるいは塩素と酸素
の混合ガスのプラズマに前記プラズマ処理後の試料を晒
すことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】シリコン系ゲート材料を被エッチング対象
とする試料を塩素系ガス又は臭化水素ガスを用いてエッ
チング処理した後、５〜１０秒程度の被エッチング形状
に影響を生じない時間で塩素の単独ガスあるいは塩素と
酸素の混合ガスのプラズマに前記試料を晒すことを特徴
とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000065698A JP2001250813A (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000065698A JP2001250813A (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250813A true JP2001250813A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18585182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000065698A Pending JP2001250813A (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001250813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014077760A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Nagaoka Univ Of Technology | 難溶解性物質の可溶化処理方法および溶解方法 |
-
2000
- 2000-03-06 JP JP2000065698A patent/JP2001250813A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014077760A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Nagaoka Univ Of Technology | 難溶解性物質の可溶化処理方法および溶解方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI442468B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| US7097716B2 (en) | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect | |
| JP2006286791A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20190031101A (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| JP2007324154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH03184335A (ja) | 表面クリーニング装置及びその方法 | |
| JP6609535B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3148177B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2006120983A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP4224374B2 (ja) | プラズマ処理装置の処理方法およびプラズマ処理方法 | |
| JP2001250813A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH06136544A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4061691B2 (ja) | 表面加工方法 | |
| JP3727312B2 (ja) | プラズマ処理装置のプラズマ処理方法 | |
| JP2015088696A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| WO2022013938A1 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2006319181A (ja) | プラズマエッチング装置、及び当該装置のクリーニング方法 | |
| JP2006086377A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH09102484A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH0992641A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPS63233533A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08124903A (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
| JP2002203838A (ja) | プラズマ処理装置及び該装置用部品の作製方法 | |
| JP2000260758A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH06224159A (ja) | プラズマエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050809 |