【特許請求の範囲】
【請求項１】 （ａ）下記一般式（Ｉ）で示される酸分解性基を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
（ｂ−１）活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、前記酸分解性基の分解反応に寄与する化合物のうち少なくとも１種、
（ｂ−２）活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、前記酸分解性基の分解反応に寄与しない化合物のうち少なくとも１種、
（ｃ）界面活性剤、及び
（ｄ）溶剤
を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。
【化１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ1は炭素数１〜４個のアルキル基を表す。Ｗは、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子及び珪素原子からなる群から選択される少なくとも１種の原子と少なくとも１つの炭素原子を含有する有機基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、置換あるいは無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換の環状アルキル基を表す。ｎは、１〜４の整数を表す。
【請求項２】 前記（ａ）の樹脂が、フェノール性水酸基を含有するアルカリ可溶性樹脂における該フェノール性水酸基の少なくとも一部が前記一般式（Ｉ）で示される酸分解性基で保護されている樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項３】 前記一般式（Ｉ）のＷが、下記で示される置換基の群から選択される少なくとも１種の置換基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化２】
上記式中：
Ｒ2は、水素原子、炭素数１〜６個の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基、炭素数２〜６個の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルケニル基、置換あるいは無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換のアラルキル基を表す。
Ｒ3は、水素原子、炭素数１〜６個の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基、炭素数１〜６個の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、水酸基、又はシアノ基を表す。
Ｘは、ハロゲン原子を表す。
Ｒ4は、置換あるいは無置換のアリール基、又は置換あるいは無置換の炭素数３〜１５個の環状アルキル基を表す。
ｍは、１〜４の自然数である。
【請求項４】 （ｂ−１）の化合物が、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物であり、（ｂ−２）の化合物が、活性光線又は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項５】 有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
[Claims]
(A) a resin having an acid-decomposable group represented by the following general formula (I), decomposed by the action of an acid, and having increased solubility in an alkali developer:
(B-1) at least one of compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and contribute to the decomposition reaction of the acid-decomposable group,
(B-2) at least one compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and does not contribute to the decomposition reaction of the acid-decomposable group;
A positive-type radiation-sensitive composition comprising (c) a surfactant and (d) a solvent.
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2. In the resin (a), at least a part of the phenolic hydroxyl group in an alkali-soluble resin containing a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group represented by the general formula (I). The positive radiation-sensitive composition according to claim 1, which is a resin.
3. The positive-type radiation-sensitive radiation according to claim 1, wherein W in the general formula (I) is at least one substituent selected from the group of substituents shown below. Composition.
Embedded image
In the above formula:
R 2 is a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted Represents an aryl group or a substituted or unsubstituted aralkyl group.
R 3 represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, a nitro group. , An amino group, a hydroxyl group, or a cyano group.
X represents a halogen atom.
R 4 represents a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted cyclic alkyl group having 3 to 15 carbon atoms.
m is a natural number of 1 to 4.
4. The compound (b-1) is a compound that generates a sulfonic acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, and the compound (b-2) generates a carboxylic acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. The positive-working radiation-sensitive composition according to claim 1, wherein the composition is a compound.
5. The positive radiation-sensitive composition according to claim 1, further comprising an organic basic compound.
6. A pattern forming method comprising: forming a film from the positive-type radiation-sensitive composition according to claim 1; and exposing and developing the film.