JP2001244711A - 回路基板の接続方法及びこれを用いたマイクロ波電力合成増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】組立・分解を容易とし、さらに組立後の電気的
調整を不要とすることができるマイクロ波電力合成増幅
器を提供する。 【解決手段】電力分配部１は、マイクロ波の入力信号を
分岐して出力する。第１、第２の電力増幅モジュール
２、３は、分岐されたそれぞれの信号を増幅する。電力
合成部４は、増幅されたそれぞれの信号を合成して出力
信号を出力する。コネクタアセンブリ５は、電力分配部
１の入力側および電力合成部４の出力側にそれぞれ接続
されて入力端子または出力端子となる。電力分配部１、
第１、第２の電力増幅モジュール２、３、電力合成部４
およびコネクタアセンブリ５は回路パターンが作成され
たそれぞれの回路基板の相対する入出力端子部が重ね合
わされ面接触により電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波電力合
成増幅器に関し、特に組立・分解を容易とし、さらに組
立後の電気的調整を不要とすることができるマイクロ波
電力合成増幅器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のマイクロ波電力合成増幅器は、電
力増幅モジュールを２並列接続として使用する場合、２
つの電力増幅モジュールの入力側に接続される電力分配
部と出力側に接続される電力合成部とを電気的に接続す
る手段として、金属リボン等を用いた半田付け作業によ
り接続されている。

【０００３】図１０は、従来のマイクロ波電力合成増幅
器の一例を示す外観図である。図１０（ａ）はマイクロ
波電力合成増幅器の平面図であり、図１０（ｂ）は平面
図におけるＢ−Ｂ’部の断面図である。

【０００４】図１０を参照すると、従来のマイクロ波電
力合成増幅器は、マイクロ波の入力信号を分岐して出力
する電力分配部１０１と、分岐されたそれぞれの信号を
増幅する第１、第２の電力増幅モジュール１０２、１０
３と、増幅されたそれぞれの信号を合成して出力信号と
する電力合成部１０４と、電力分配部１０１の２つの入
力側および電力合成部１０４の２つの出力側にそれぞれ
接続されて入力端子または出力端子とする４つのコネク
タアセンブリ１０５と、電力分配部１０１の２つの入力
側および電力合成部１０４の２つの出力側のそれぞれ一
方を終端するための２つの終端器１０６とより構成され
ている。

【０００５】また、電力分配部１０１、第１、第２の電
力増幅モジュール１０２、１０３、電力合成部１０４お
よびコネクタアセンブリ１０５は、各構成部を組み立て
て相互に電気的接続をする場合、図１０（ｂ）に示すよ
うに、回路パターンが作成されたそれぞれの回路基板の
入出力端子が、金属リボン１０７を用いて半田付けによ
り接続されている。

【０００６】このため、半田付けの工程が増加するとと
もに作業性が悪く、また、金属リボン等の接続により電
気的不連続点が生じて高周波特性が劣化するため組み立
てて一体化した後で電気調整が必要となるなどコストの
増加を招き、さらに、半田付け作業の善し悪しにより品
質が左右されるという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロ波電力合成増幅器は、各構成部を組み立てて相互に電
気的接続をする場合には、それぞれの回路基板間を金属
リボン等を用いた半田付け作業で接続するため、コスト
の増加および品質の低下を招くという欠点がある。

【０００８】本発明の目的は、このような従来の欠点を
除去するため、各構成部が回路パターンが作成されたそ
れぞれの回路基板の相対する入出力端子部が重ね合わさ
れて面接触により電気的に接続され、入出力端子部の両
側に設けられた貫通した結合用の穴を用いねじで共締め
して一体化されることにより、組立・分解を容易とし、
さらに組立後の電気的調整を不要とすることができるマ
イクロ波電力合成増幅器を提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板の接続
方法は、マイクロ波の入力信号を分岐して出力する電力
分配部と、分岐されたそれぞれの信号を増幅する第１、
第２の電力増幅モジュールと、増幅されたそれぞれの信
号を合成して出力信号とする電力合成部と、前記電力分
配部の２つの入力側および前記電力合成部の２つの出力
側にそれぞれ接続されて入力端子または出力端子とする
４つのコネクタアセンブリとを有し、前記電力分配部、
前記第１、第２の電力増幅モジュール、前記電力合成部
および前記コネクタアセンブリは回路パターンが作成さ
れたそれぞれの回路基板の相対する入出力端子部が重ね
合わされて面接触により電気的に接続され、前記入出力
端子部の両側に設けられた貫通した結合用の穴を用いね
じで共締めして一体化されることを特徴としている。

【００１０】また、本発明のマイクロ波電力合成増幅器
は、マイクロ波の入力信号を分岐して出力する電力分配
部と、分岐されたそれぞれの信号を増幅する第１、第２
の電力増幅モジュールと、増幅されたそれぞれの信号を
合成して出力信号とする電力合成部と、前記電力分配部
の２つの入力側および前記電力合成部の２つの出力側に
それぞれ接続されて入力端子または出力端子とする４つ
のコネクタアセンブリとを有し、前記電力分配部、前記
第１、第２の電力増幅モジュール、前記電力合成部およ
び前記コネクタアセンブリは回路パターンが作成された
それぞれの回路基板の相対する入出力端子部が重ね合わ
され面接触により電気的に接続されることを特徴として
いる。

【００１１】また、前記電力分配部および前記電力合成
部は、ハイブリッド回路基板と、前記ハイブリッド回路
基板の上面に重ねられ外形が略同一の誘電体板Ａおよび
金属板Ａと、前記ハイブリッド回路基板の下面に重ねら
れ前記ハイブリッド回路基板と外形が略同一の誘電体板
Ｂおよび金属板Ｂとを有し、前記ハイブリッド回路基板
の入力端子部および出力端子部の位置に対応する前記誘
電体板Ａおよび前記金属板Ａまたは前記誘電体板Ｂおよ
び前記金属板Ｂの一部が、前記第１、第２の電力増幅モ
ジュールの入出力端子部および前記コネクタアセンブリ
と嵌合するように切り欠き部が設けられていることを特
徴としている。

【００１２】さらに、前記ハイブリッド回路基板は、両
面を使用してハイブリッド回路が作成され、前記ハイブ
リッド回路の片面に作成された入力端子または出力端子
にスルーホールを設け前記ハイブリッド回路基板の反対
面に前記スルーホールと接続される導電パターンが作成
されることを特徴としている。

【００１３】また、前記電力増幅モジュールは、マイク
ロ波ストリップラインを用いて作成された増幅回路基板
と、前記増幅回路基板を収める凹部を設けた金属ベース
と、前記増幅回路基板の少なくとも入出力端子部を除き
回路部品を囲うカバー枠およびカバーとを有し、前記金
属ベースと凹部に収める前記増幅回路基板とのそれぞれ
の表面の高さが等しく同一面となるよう構成されること
を特徴としている。

【００１４】また、前記コネクタアセンブリは、Ｌ字型
の金属ブロックと、前記金属ブロックの側面に取り付け
られたコネクタと、前記金属ブロックの平面凹部に収め
られ前記コネクタの中心導体と接続し信号パターンが作
成されたコネクタ回路基板とを有し、前記金属ブロック
と前記金属ブロックの平面凹部に収められた前記コネク
タ回路基板とのそれぞれの表面の高さが等しく同一面と
なるよう作成されたことを特徴としている。

【００１５】また、前記電力分配部、前記第１、第２の
電力増幅モジュール、前記電力合成部および前記コネク
タアセンブリは、前記それぞれの回路基板の相対する入
出力端子部において両側に設けられた貫通した結合用の
穴を用いねじで共締めして一体化されることを特徴とし
ている。

【００１６】さらに、前記電力分配部、前記第１、第２
の電力増幅モジュール、前記電力合成部および前記コネ
クタアセンブリは、前記それぞれの回路基板の相対する
入出力端子部に挟められ、前記それぞれの回路基板の相
対する入出力端子部に作成された信号パターンに接触す
る信号用の導体部分と前記信号パターンの両側に作成さ
れたグランドパターンに接触するグランド用の導体部分
とが絶縁体で分離され弾力性を有するシムを設けたこと
を特徴としている。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明のマイクロ
波電力合成増幅器の一つの実施の形態を示す外観図であ
る。図１（ａ）は本発明のマイクロ波電力合成増幅器の
平面図であり、図１（ｂ）は平面図におけるＡ−Ａ’部
の断面図である。

【００１８】図１に示す本実施の形態は、マイクロ波の
入力信号を分岐して出力する電力分配部１と、分岐され
たそれぞれの信号を増幅する第１、第２の電力増幅モジ
ュール２、３と、増幅されたそれぞれの信号を合成して
出力信号とする電力合成部４と、電力分配部１の２つの
入力側および電力合成部４の２つの出力側にそれぞれ接
続されて入力端子または出力端子とする４つのコネクタ
アセンブリ５と、電力分配部１の２つの入力側および電
力合成部４の２つの出力側のそれぞれ一方を終端するた
めの２つの終端器６とより構成されている。

【００１９】また、電力分配部１、第１、第２の電力増
幅モジュール２、３、電力合成部４およびコネクタアセ
ンブリ５は、回路パターンが作成されたそれぞれの回路
基板の相対する入出力端子部が重ね合わされ面接触によ
り電気的に接続されている。

【００２０】したがって、電気的に接続されるそれぞれ
の回路基板間で、互いの入出力端子部の信号パターンが
面接触により電気的接続されるため、金属リボンまたは
複数の金属ワイヤを用いて半田付けにより接続する必要
はなく、また、電気的特性が同一な回路基板を使用し互
いの入出力端子部を特性インピーダンスに揃えることに
より電気的不連続点が発生しないので高周波特性の劣化
がなく組み立てた後での電気調整を不要とすることがで
きる。

【００２１】次に、本実施の形態のマイクロ波電力合成
増幅器の構成を詳細に説明する。図２は、図１に示す本
発明のマイクロ波電力合成増幅器の分解斜視図である。

【００２２】図１および図２によると、第１、第２の電
力増幅モジュール２、３が回路パターン面を上面として
いるのに対して、電力分配部１および電力合成部４は入
出力端子部を下面として相対する入出力端子部が面接触
となるように重ね合うことで電気的に接続され、それぞ
れの入出力端子部の両側に設けられた結合用穴によりね
じ８で共締めして固定され組み立てられる。

【００２３】また、電力分配部１および電力合成部４の
入出力端子部を下面としているのに対して、コネクタア
センブリ５は電気的接続部を上面として相対する入出力
端子部が面接触となるように重ね合うことで電気的に接
続され、それぞれの入出力端子部の両側に設けられた結
合用穴によりねじ８で共締めして固定され組み立てられ
る。

【００２４】このように、電力分配部１、電力増幅モジ
ュール２、３、電力合成部４およびコネクタアセンブリ
５は、それぞれの入出力端子部の両側に設けられた同一
間隔とする貫通した結合用穴によりねじ８で共締めして
電気的接続が行われるため、組立・分解が容易であり、
また、それぞれの回路基板の入出力端子部を重ね合わせ
ることにより、回路基板間の隙間の省略を含め小型化を
図ることができる。

【００２５】また、それぞれの回路基板間の電気的接触
を良くするため、導電性および弾力性を有し、信号パタ
ーンとグランドパターンとが絶縁されたシム７が挟み込
まれている。

【００２６】次に、各構成部の構成について実施例をも
とに説明する。図３は、図１に示す電力増幅モジュール
の実施例の斜視図であり、図４は、図３に示す電力増幅
モジュールのカバー無しの平面図である。

【００２７】ここで、第１および第２の電力増幅モジュ
ール２、３は、同一の構成および同一の電気的特性とな
るよう作成されているため、第１の電力増幅モジュール
２として以下に説明する。

【００２８】図３および図４によると、第１の電力増幅
モジュール２は、半導体部品（トランジスタ、ＭＭＩＣ
等）２６を搭載しマイクロ波ストリップラインを用いて
作成された増幅回路基板２１と、増幅回路基板２１を収
める凹部を設けた金属ベース２０と、入出力端子部を除
き回路部品を囲うカバー枠２２およびカバー２３とより
構成されている。

【００２９】増幅回路基板２１は、その表面が金属ベー
ス２０の表面の高さと等しく同一面となるよう金属ベー
ス２０の凹部に埋め込まれ、電力分配部１あるいは電力
合成部４と結合したときに、その入出力端子部で信号パ
ターンが電力分配部１あるいは電力合成部４の金属部と
接触しないように、金属ベース２０の端面と一致するか
これより少し内側になるよう作成される。また、電力分
配部１あるいは電力合成部４と結合するときに電気的特
性を良くするため、ＲＦ入力端子２７およびＲＦ出力端
子２８の両側にグランドパターン３０を設け、さらに、
ＲＦ入力端子２７およびＲＦ出力端子２８の両側にある
計４個の結合用穴２４を設けねじにより共締めし固定さ
れる。その他の２つの取付穴２５は、外部シャーシに取
り付けるために使用される。

【００３０】また、増幅回路基板２１は、ＤＣ入力端子
２９が２カ所に設けられ、一方にはプラス電位、他方に
はマイナス電位がそれぞれ供給される。

【００３１】図５は、図１に示す電力分配部又は電力合
成部の実施例の斜視図である。図６は、図５に示す電力
分配部又は電力合成部の分解斜視図であり、図７は、図
６に示すハイブリッド回路基板のパタ−ン図である。

【００３２】ここで、電力分配部１および電力合成部４
は、ハイブリッド回路を用いることにより、構成を共通
にすることができる。したがって、電力分配部１につい
て以下に説明する。

【００３３】図５および図６によると、電力分配部１
は、ハイブリッド回路基板１３と、電気的絶縁のためハ
イブリッド回路基板１３の上面に重ねられ外形が略同一
の誘電体板Ａ１２および電気的に遮蔽する金属板Ａ１１
と、ハイブリッド回路基板１３の下面にも同様にして誘
電体板Ｂ１４および金属板Ｂ１５とより構成されてい
る。

【００３４】ハイブリッド回路基板１３は、図７に示す
ように、ハイブリッド回路を構成する回路パタ−ンが表
面および裏面に対称に作成され、ハイブリッド回路の入
出力端子３１にスルーホール３２を設け両面が共通の入
出力端子３１となるよう導電パターンが作成されること
により、電力分配部１および電力合成部４のどちらにも
使用が可能となるとともに、ハイブリッド回路基板１３
の表面または裏面で他の回路基板の入出力端子部と面接
触が行える。

【００３５】誘電体板Ｂ１４および金属板Ｂ１５は、第
１、第２の電力増幅モジュール２、３およびコネクタア
センブリ５と結合するため、図５に示すように、ハイブ
リッド回路基板１３の中央部を除き入出力端子部の位置
に対応する４カ所に切り欠き部１６が設けられている。

【００３６】第１、第２の電力増幅モジュール２、３お
よびコネクタアセンブリ５と結合するときには、この切
り欠き部１６に第１、第２の電力増幅モジュール２、３
およびコネクタアセンブリ５の入出力端子部を勘合さ
せ、入出力端子部の面接触により電気的に接続されると
ともに、入出力端子部の両側にある各２個の結合用穴１
７を設けねじにより共締めし固定される。その他の中央
にある２つの固定用穴１８は、外部シャーシに取り付け
るために使われ、また内側に位置する組立ねじ１９は、
ハイブリッド回路基板１３の上下に重ねられる絶縁用の
誘電体板Ａ１２および誘電体板Ｂ１４と電気的に遮蔽す
る金属板Ａ１１および金属板Ｂ１５とよりなる５層を一
体とするために使用される。

【００３７】ここで、電力分配部１として使用する場合
には、図１、２に示すように、ハイブリッド回路の２つ
の入力端子部のそれぞれにコネクタアセンブリ５が取り
付けられ、一方にはマイクロ波信号が入力され他方は終
端器６により高周波信号が終端されている。また、２つ
の出力端子部のそれぞれには第１、第２の電力増幅モジ
ュール２、３が取り付けられる。

【００３８】次に、電力合成部４として使用する場合に
は、ハイブリッド回路の２つの入力端子部のそれぞれに
第１、第２の電力増幅モジュール２、３が接続され、２
つの出力端子部のそれぞれにコネクタアセンブリ５が取
り付けられ、一方はマイクロ波の信号が出力され他方は
終端器６により高周波信号が終端されている。

【００３９】図中では、入力側と出力側との４カ所を同
じ下面としたが、誘電体板Ａ１２および金属板Ａ１１ま
たは誘電体板Ｂ１４および金属板Ｂ１５の切り欠き位置
を変えることにより、任意の向きにすることができる。

【００４０】図８は、図１に示すコネクタアセンブリの
実施例の斜視図である。

【００４１】コネクタアセンブリ５は、コネクタ回路基
板５１と、コネクタ回路基板５１を平面部に収める凹部
を設けた金属ブロック５２と、コネクタ５３とより構成
されている。

【００４２】コネクタ回路基板５１は、その表面が金属
ブロック５２の表面の高さと等しく同一面となるよう金
属ブロック５２の凹部に埋め込まれている。

【００４３】また、金属ブロック５２は、電力分配部１
または電力合成部４の入出力端子部に面接触して電気的
に接続されマイクロ波電力合成増幅器の入出力端子とな
るよう取り付けられる結合用穴５４が２箇所設けられて
いる。

【００４４】このように各構成部の入出力端子部は、重
ね合わされ面接触により電気的に接続され、ねじで共締
めして固定されることにより十分な電気的接続が得られ
るが、さらに接触を良くするためにシム７が間に挟み込
まれている。

【００４５】図９は、図１に示すシムの実施例の外観図
である。シム７は、各構成部それぞれの回路基板の相対
する入出力端子部に挟み込まれたときに信号パターンと
接触する導体７１と、信号パターンとグランドパターン
を絶縁する絶縁体７３と、グランドパターンと接触する
導体７２と、それぞれの回路基板の相対する入出力端子
部において両側に設けられた貫通した結合用の穴に対応
する結合用穴７４とより構成されている。

【００４６】このシム７の導体７１、７２は、導電性お
よび弾力性を有する、例えばリン青銅板等の公知の素材
で作成されている。

【００４７】以上の実施の形態において、電力増幅モジ
ュールを２並列接続として使用する場合について示した
が、飽和電力の異なる電力増幅モジュールのカスケード
接続または電力増幅モジュールの４並列接続、あるいは
他の機能を有する回路基板との接続にも応用することが
できる。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波電力合成増幅器によれば、電力分配部、第１、第２の
電力増幅モジュ−ル、電力合成部およびコネクタアセン
ブリが回路パターンが作成されたそれぞれの回路基板の
相対する入出力端子部が重ね合わされ面接触により電気
的に接続され、ねじで共締めして一体化されることによ
り、組立・分解を容易とし、さらに組立後の電気的調整
を不要としてコストの増加および品質の低下を防止でき
る効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマイクロ波電力合成増幅器の一つの実
施の形態を示す外観図である。

【図２】図１に示す本発明のマイクロ波電力合成増幅器
の分解斜視図である。

【図３】図１に示す電力増幅モジュールの実施例の斜視
図である。

【図４】図３に示す電力増幅モジュールのカバー無しの
平面図である。

【図５】図１に示す電力分配部又は電力合成部の実施例
の斜視図である。

【図６】図５に示す電力分配部又は電力合成部の分解斜
視図である。

【図７】図６に示すハイブリッド回路基板のパタ−ン図
である。

【図８】図１に示すコネクタアセンブリの実施例の斜視
図である。

【図９】図１に示すシムの実施例の外観図である。

【図１０】従来のマイクロ波電力合成増幅器の一例を示
す外観図である。

【符号の説明】

１ 電力分配部 ２、３ 第１、第２の電力増幅モジュール ４ 電力合成部 ５ コネクタアセンブリ ６ 終端器 ７ シム ８ ねじ １１ 金属板Ａ １２ 誘電体板Ａ １３ ハイブリッド回路基板 １４ 誘電体板Ｂ １５ 金属板Ｂ １６ 切り欠き部 １７ 結合用穴 １８ 固定用穴 １９ 組立ねじ ２０ 金属ベース ２１ 増幅回路基板 ２２ カバー枠 ２３ カバー ２４ 結合用穴 ２５ 取付穴 ２６ 半導体部品 ２７ ＲＦ入力端子 ２８ ＲＦ出力端子 ２９ ＤＣ入力端子 ３０ グランドパターン ３１ 入出力端子 ３２ スルーホール ５１ コネクタ回路基板 ５２ 金属ブロック ５３ コネクタ ５４ 結合用穴 ７１、７２ 導体 ７３ 絶縁体 ７４ 結合用穴 １０１ 電力分配部 １０２、１０３ 第１、第２の電力増幅モジュール １０４ 電力合成部 １０５ コネクタアセンブリ １０６ 終端器 １０７ 金属リボン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/36 Ｈ０５Ｋ 3/36 Ａ Ｆターム(参考） 5E344 AA04 BB06 CC03 CD27 DD09 EE30 5J067 AA04 AA21 AA41 CA87 CA92 FA16 KA66 KA68 KS06 LS12 MA19 QA04 QA05 QS03 QS17 SA14 5J069 AA04 AA21 AA41 CA87 CA92 FA16 KC03 KC06 KC07 MA19 QA04 QA05 SA14 5J091 AA04 AA21 AA41 CA87 CA92 FA16 KA66 KA68 MA19 QA04 QA05 SA14 5J092 AA04 AA21 AA41 CA87 CA92 FA16 KA66 KA68 MA19 QA04 QA05 SA14

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ波の入力信号を分岐して出力す
   る電力分配部と、分岐されたそれぞれの信号を増幅する
   第１、第２の電力増幅モジュールと、増幅されたそれぞ
   れの信号を合成して出力信号とする電力合成部と、前記
   電力分配部の２つの入力側および前記電力合成部の２つ
   の出力側にそれぞれ接続されて入力端子または出力端子
   とする４つのコネクタアセンブリとを有し、前記電力分
   配部、前記第１、第２の電力増幅モジュール、前記電力
   合成部および前記コネクタアセンブリは回路パターンが
   作成されたそれぞれの回路基板の相対する入出力端子部
   が重ね合わされて面接触により電気的に接続され、前記
   入出力端子部の両側に設けられた貫通した結合用の穴を
   用いねじで共締めして一体化されることを特徴とする回
   路基板の接続方法。
2. 【請求項２】 マイクロ波の入力信号を分岐して出力す
   る電力分配部と、分岐されたそれぞれの信号を増幅する
   第１、第２の電力増幅モジュールと、増幅されたそれぞ
   れの信号を合成して出力信号とする電力合成部と、前記
   電力分配部の２つの入力側および前記電力合成部の２つ
   の出力側にそれぞれ接続されて入力端子または出力端子
   とする４つのコネクタアセンブリとを有し、前記電力分
   配部、前記第１、第２の電力増幅モジュール、前記電力
   合成部および前記コネクタアセンブリは回路パターンが
   作成されたそれぞれの回路基板の相対する入出力端子部
   が重ね合わされ面接触により電気的に接続されることを
   特徴とするマイクロ波電力合成増幅器。
3. 【請求項３】 前記電力分配部および前記電力合成部
   は、ハイブリッド回路基板と、前記ハイブリッド回路基
   板の上面に重ねられ外形が略同一の誘電体板Ａおよび金
   属板Ａと、前記ハイブリッド回路基板の下面に重ねられ
   前記ハイブリッド回路基板と外形が略同一の誘電体板Ｂ
   および金属板Ｂとを有し、前記ハイブリッド回路基板の
   入力端子部および出力端子部の位置に対応する前記誘電
   体板Ａおよび前記金属板Ａまたは前記誘電体板Ｂおよび
   前記金属板Ｂの一部が、前記第１、第２の電力増幅モジ
   ュールの入出力端子部および前記コネクタアセンブリと
   嵌合するように切り欠き部が設けられていることを特徴
   とする請求項２記載のマイクロ波電力合成増幅器。
4. 【請求項４】 前記ハイブリッド回路基板は、両面を使
   用してハイブリッド回路が作成され、前記ハイブリッド
   回路の片面に作成された入力端子または出力端子にスル
   ーホールを設け前記ハイブリッド回路基板の反対面に前
   記スルーホールと接続される導電パターンが作成される
   ことを特徴とする請求項２又は３記載のマイクロ波電力
   合成増幅器。
5. 【請求項５】 前記電力増幅モジュールは、マイクロ波
   ストリップラインを用いて作成された増幅回路基板と、
   前記増幅回路基板を収める凹部を設けた金属ベースと、
   前記増幅回路基板の少なくとも入出力端子部を除き回路
   部品を囲うカバー枠およびカバーとを有し、前記金属ベ
   ースと凹部に収める前記増幅回路基板とのそれぞれの表
   面の高さが等しく同一面となるよう構成されることを特
   徴とする請求項２又は３記載のマイクロ波電力合成増幅
   器。
6. 【請求項６】 前記コネクタアセンブリは、Ｌ字型の金
   属ブロックと、前記金属ブロックの側面に取り付けられ
   たコネクタと、前記金属ブロックの平面凹部に収められ
   前記コネクタの中心導体と接続し信号パターンが作成さ
   れたコネクタ回路基板とを有し、前記金属ブロックと前
   記金属ブロックの平面凹部に収められた前記コネクタ回
   路基板とのそれぞれの表面の高さが等しく同一面となる
   よう作成されたことを特徴とする請求項２又は３記載の
   マイクロ波電力合成増幅器。
7. 【請求項７】 前記電力分配部、前記第１、第２の電力
   増幅モジュール、前記電力合成部および前記コネクタア
   センブリは、前記それぞれの回路基板の相対する入出力
   端子部において両側に設けられた貫通した結合用の穴を
   用いねじで共締めして一体化されることを特徴とする請
   求項２、３、５又は６記載のマイクロ波電力合成増幅
   器。
8. 【請求項８】 前記電力分配部、前記第１、第２の電力
   増幅モジュール、前記電力合成部および前記コネクタア
   センブリは、前記それぞれの回路基板の相対する入出力
   端子部に挟められ、前記それぞれの回路基板の相対する
   入出力端子部に作成された信号パターンに接触する信号
   用の導体部分と前記信号パターンの両側に作成されたグ
   ランドパターンに接触するグランド用の導体部分とが絶
   縁体で分離され弾力性を有するシムを設けたことを特徴
   とすることを特徴とする請求項２、３、５、６又は７記
   載のマイクロ波電力合成増幅器。