JP2001240575A5

JP2001240575A5 -

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Publication number: JP2001240575A5
Application number: JP2000307209A
Authority: JP
Filing date: 2000-10-06
Publication date: 2007-11-01
Anticipated expiration: 2020-10-06

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】下記の反応スキーム
【化１】

に基づき、（Ａ）式（１）で表される化合物の１位の水酸基の保護基を脱保護して水酸基とし、（Ｂ）前記水酸基を酸化してケトンとし、（Ｃ）４位の水酸基の保護基を脱保護し、５位の炭素との間に二重結合を形成することを特徴とする式（４）で表される光学活性エノンの製造方法。
ここで、Ｒ¹およびＲ⁴は、クミル基、α,α−ジエチルベンジル、α,α−ジメチル−ｐ−メトキシベンジル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、イソプロピルジメチルシリルまたはエチルジメチルシリルを示す。Ｒ²とＲ³は結合しておりＲ²とＲ³とで、アセトニド、メチルエチルケタールまたはジエチルケタールを示す。Ｒ⁵は水素原子、炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基を示す。
【請求項２】下記反応スキーム
【化２】

に基づき、（Ａ′）式（１）で表される化合物の４位の水酸基の保護基を脱保護して水酸基とし、（Ｂ′）前記水酸基を酸化してケトンとし、（Ｃ′）１位の水酸基の保護基を脱
保護し、５位の炭素との間に二重結合を形成することを特徴とする式（７）で表される光学活性エノンの製造方法。
ここで、Ｒ¹およびＲ⁴は、クミル基、α,α−ジエチルベンジル、α,α−ジメチル−ｐ−メトキシベンジル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、イソプロピルジメチルシリルまたはエチルジメチルシリルを示す。Ｒ²とＲ³は結合しておりＲ²とＲ³とで、アセトニド、メチルエチルケタールまたはジエチルケタールを示す。Ｒ⁵は水素原子、炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基を示す。
【請求項３】Ｒ¹がクミル基であり、かつＲ²とＲ³がアセトニドである請求項１に記載の光学活性エノンの製造方法。
【請求項４】Ｒ¹がクミル基であり、かつＲ²とＲ³がアセトニドである請求項２に記載の光学活性エノンの製造方法。
【請求項５】Ｒ⁴がクミル基であり、かつＲ²とＲ³がアセトニドである請求項１に記載の光学活性エノンの製造方法。
【請求項６】Ｒ⁴がクミル基であり、かつＲ²とＲ³がアセトニドである請求項２に記載の光学活性エノンの製造方法。
【請求項７】式（１）で表される光学活性化合物。
【化３】

ここで、Ｒ¹およびＲ⁴は、クミル基、α,α−ジエチルベンジル、α,α−ジメチル−ｐ−メトキシベンジル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、イソプロピルジメチルシリルまたはエチルジメチルシリルを示す。Ｒ²とＲ³は結合しておりＲ²とＲ³とで、アセトニド、メチルエチルケタールまたはジエチルケタールを示す。Ｒ⁵は水素原子、炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基を示す。
【請求項８】式（２）（ここで、Ｒ²からＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する。ただし、Ｒ²とＲ³が結合してアセトニドであり、Ｒ⁴がｔ−ブチルジメチルシリルの場合は、Ｒ⁵は炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基である）で表される光学活性化合物。
【化４】

【請求項９】式（３）（ここで、Ｒ²からＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化５】

【請求項１０】式（４）（ここで、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化６】

【請求項１１】式（５）（ここで、Ｒ¹からＲ³およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する。ただし、Ｒ²とＲ³が結合してアセトニドであり、Ｒ¹がｔ−ブチルジメチルシリルの場合は、Ｒ⁵は炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基である）で表される光学活性化合物。
【化７】

【請求項１２】式（６）（ここで、Ｒ¹からＲ³およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化８】

【請求項１３】式（７）（ここで、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化９】

【請求項１４】式（９）（ここで、Ｒ¹、Ｒ⁴およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１０】

【請求項１５】式（１０）（ここで、Ｒ⁴およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１１】

【請求項１６】式（１１）（ここで、Ｒ⁴およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する。ただし、Ｒ⁴がｔ−ブチルジメチルシリルの場合は、Ｒ⁵は炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基である）で表される光学活性化合物。
【化１２】

【請求項１７】式（１２）（ここで、Ｒ⁴およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１３】

【請求項１８】式（１３）（ここで、Ｒ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１４】

【請求項１９】式（１４）（ここで、Ｒ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１５】

【請求項２０】式（１５）（ここで、Ｒ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１６】

【請求項２１】式（１６）（ここで、Ｒ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１７】

【請求項２２】式（１７）（ここで、Ｒ¹およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化１８】

【請求項２３】式（１８）（ここで、Ｒ¹およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する。ただし、Ｒ¹がｔ−ブチルジメチルシリルの場合は、Ｒ⁵は炭素数２０以下のアルキル基またはフェニル基である）で表される光学活性化合物。
【化１９】

【請求項２４】式（１９）（ここで、Ｒ¹およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化２０】

【請求項２５】式（２０）（ここで、Ｒ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化２１】

【請求項２６】式（２１）（ここで、Ｒ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化２２】

【請求項２７】式（２３）（ここで、Ｒ⁴およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化２３】

【請求項２８】式（２５）（ここで、Ｒ¹およびＲ⁵は請求項７に記載の式（１）と同じ意味を有する）で表される光学活性化合物。
【化２４】

【０００２】
【従来技術】
近年、光学活性な天然物および医薬品の合成において、複数の水酸基を有するキラルアルコール類は、両対称体共に極めて広く有用な用途があり注目を集めている。その中でも、水酸基が保護されたエノン体である、７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンは、プロスタグランジンや多くの生理活性物質の合成に重要なビルディングブロックとして用いられている。

Ｊｏｈｎｓｏｎらは、光学活性なこの７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンからプロスタグランジンＥ₂の全合成を行った（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ.，１９８６，１０８，５６５５）。この方法は光学活性エノンを、（＋）−Ｎ,Ｓ−ジメチル−Ｓ−フェニルスルホキシミンで、ラセミ体を光学分割することで合成している。しかし、この方法では分割剤のイミンが高価な上、−７８℃の低温反応を行ってイミンを付加した後に分割しなければならない。さらに、分割後にカルボニル基を再生する反応が必要であり、必ずしも工業的に容易に行える方法ではない。光学活性エノン、例えば７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンのより簡便な製造法が望まれる。

【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の解決しようとする課題は、光学活性エノン、例えば７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンのより簡便な製造方法を提供することである。さらに本発明の製造方法における過程で得られる中間体および製造物すなわち新規な光学活性化合物を提供することである。

【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、式（９）
【化２５】

で表される光学活性アルコール誘導体を出発物質として、光学活性エノン、例えば７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンの両鏡像体をそれぞれ、簡便かつ効率的に製造する方法を見出した。さらにこの製造方法で得られる中間体は、新規な光学活性化合物であり目的物の光学活性エノンと同様に、キラルビルディングブロックとして有用な化合物であることも見出し本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は（Ａ）式（１）で表される化合物の１位の水酸基の保護基を脱保護して水酸基とし（式（２））、（Ｂ）前記水酸基を酸化してケトンとし（式（３））、（Ｃ）４位の水酸基の保護基を脱保護し、５位の炭素との間に二重結合を形成することを特徴とする式（４）で表される光学活性エノンの製造方法を提供するものである。本発明では、化合物名はＩＵＰＡＣの命名法に従うが、官能基の位置を表現するときには便宜的に式（１）に示した番号により官能基の位置を示す。

また本発明は、（Ａ′）式（１）で表される化合物の４位の水酸基の保護基を脱保護して水酸基とし（式（５））、（Ｂ′）前記水酸基を酸化してケトンとし（式（６））、（Ｃ′）１位の水酸基の保護基を脱保護し、５位の炭素との間に二重結合を形成することを特徴とする式（７）で表される光学活性エノンの製造方法を提供するものである。

さらに本発明は、４位の保護基がクミル基であり、かつ２位と３位の保護基がアセトニドである、式（１７）で表される化合物の４位の水酸基の保護基を脱保護して水酸基とし（式（１８））、前記水酸基を酸化してケトンとし（式（１９））、１位の水酸基の保護基を脱保護し、５位の炭素との間に二重結合を形成することを特徴とする式（１６）で表される光学活性エノンの製造方法を提供するものである。

また本発明は、４位の保護基がクミル基であり、かつ２位と３位の保護基がアセトニドである、式（１７）で表される化合物の１位の水酸基の保護基を脱保護して水酸基とし（式（２０））、前記水酸基を酸化してケトンとし（式（２１））、４位の水酸基の保護基を脱保護し、５位の炭素との間に二重結合を形成することを特徴とする式（１３）で表される光学活性エノンの製造方法を提供するものである。

さらに本発明は、式（１）で表される光学活性化合物を提供するものである。
ここで、式（１）で表される化合物は鏡像異性体を含むものである。
また本発明は、式（２）〜（７）、（９）〜（２１）、（２３）〜（２５）で表される光学活性化合物を提供するものである。
以下、発明の実施の形態に即して本発明をより詳細に説明する。

すなわち、式（１）で表される化合物の１位の保護基を先に脱保護する工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃからなるスキーム７の上のルートでは式（４）で表される光学活性エノンが選択的に得られるのに対して、式（１）で表される化合物の４位の保護基を先に脱保護する工程Ａ′、工程Ｂ′、工程Ｃ′からなるスキーム７の下のルートでは式（４）で表される光学活性エノンの鏡像異性体である式（７）で表される光学活性エノンが選択的に得られる。式（１）で表される化合物の保護基Ｒ²およびＲ³がアセトニドであり、保護基Ｒ⁵が水素原子である場合には、工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃからなるスキーム７の上のルートでは式（３７）で表される右旋光性化合物（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンが式（４）で表される化合物として得られる。一方、工程Ａ′、工程Ｂ′、工程Ｃ′からなるスキーム７の下のルートでは式（４０）で表される左旋光性化合物（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンが式（７）で表される化合物として得られる。

なお本発明においては、式（１）で表される化合物にはその鏡像異性体も含まれる。従って、式（１）を出発原料とする各光学活性化合物はその鏡像異性体も含む。つまり、式（１）で表される化合物の鏡像異性体を出発原料とし、その鏡像異性体の保護基Ｒ²およびＲ³がアセトニドであり、基Ｒ⁵が水素原子である場合には、工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃからなるスキーム７の上のルートでは式（４０）で表される左旋光性化合物（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンが式（４）で表される化合物として得られる。一方、工程Ａ′、工程Ｂ′、工程Ｃ′からなるスキーム７の下のルートでは式（３７）で表される右旋光性化合物（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンが式（７）で表される化合物として得られる。

本発明の光学活性エノンの製造方法、その中間体である光学活性化合物およびその光学活性化合物の製造方法における水酸基の保護基Ｒ¹およびＲ⁴は、水酸基の保護基として作用する基であればよい。好ましくは、エーテル型保護基、シリルエーテル型保護基、エステル型保護基である。エーテル型保護基としては、例えば、メトキシメチル、ｔ−ブチルチオメチル、ｔ−ブトキシメチル、シロキシメチル、２,２,２−トリクロロエトキシメチル、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、１−エトキシエチル、１−メチル−１−メトキシエチル、２,２,２−トリクロロエチル、２−トリメチルシリルエチル、ｔ−ブチル、アリル、ベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ニトロベンジル、クミル基、α,α−ジエチルベンジル、α−メチル−α−エチルベンジル、α,α−ジメチル−ｐ−メトキシベンジルである。シリルエーテル型保護基としては、例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、イソプロピルジメチルシリル、エチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリルである。エステル型保護基としては、例えば、アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチル、メトキシアセチル、ピバロイル、ベンゾイルである。特に好ましくは、エーテル型保護基、シリルエーテル型保護基であり、さらに好
ましくはクミル基、α,α−ジエチルベンジル、α,α−ジメチル−ｐ−メトキシベンジル、ｔ−ブチルジメチルシリルである。

式（８）で表されるシクロペンテン誘導体から式（９）で表されるシクロペンタンジオール誘導体への反応は公知のシス付加酸化反応であれば良いが、マンガン酸化、オスミウム酸化が好ましい。特にオスミウム酸化が最も好ましい。
式（８）で表される化合物は、シクロペンタジエンにクメンペルオキシドとＣｕ(ＯＡｃ)₂とを反応させた後、本発明者らの方法（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，２０００，６，８１７）によりＯＡｃをＯＨとし、ジクロロメタン／ヘキサンの１／５溶媒中酸化マンガンを触媒として水酸基をケトンに酸化し、さらにこれをＮａＢＨ₄で還元した後に、他の保護基で水酸基を保護することにより得られる。クミル基を脱保護してさらに他の保護基に変えることも可能である。

本発明における工程Ｃで製造することができる式（４）で表される化合物は、公知の単離方法により単離することができる。例えば、抽出や液体クロマトグラフィーにより精製分離することができる。また、単離した式（４）で表される化合物は公知の分析方法により同定することができる。例えば、質量スペクトル、赤外吸収スペクトル、核磁気共鳴スペクトルのスペクトルを測定することおよび元素分析することにより分子構造を決定することができる。公知の単離方法により本発明における工程Ｃで製造される式（４）で表される化合物を精製分離して単離することおよび単離した化合物を同定することは当業者にとって容易である。
なお、式（４）で表される化合物が公知化合物である場合には、測定値を文献値と比較することにより得られる化合物を同定することもできる。
また、本発明の製造方法により得られ単離される式（４）で表される化合物は高い純度および高い光学純度を示す。

本発明における工程Ｃ′で製造することができる式（７）で表される化合物は、公知の単離方法により単離することができる。例えば、抽出や液体クロマトグラフィーにより精製分離することができる。また、単離した式（７）で表される化合物は公知の分析方法により同定することができる。例えば、質量スペクトル、赤外吸収スペクトル、核磁気共鳴スペクトルのスペクトルを測定することおよび元素分析することにより分子構造を決定することができる。公知の単離方法により本発明における工程Ｃ′で製造される式（７）で表される化合物を精製分離して単離することおよび単離した化合物を同定することは当業者にとって容易である。
なお、式（７）で表される化合物が公知化合物である場合には、測定値を文献値と比較することにより得られる化合物を同定することもできる。
また、本発明の製造方法により得られ単離される式（７）で表される化合物は高い純度および高い光学純度を示す。

実施例１
式（４７）の化合物の製造：（その１）
（＋）−ｃｉｓ−４−クミルオキシ−２−シクロペンテン−１−オール４.０２ｇとイミダゾール２.０４ｇをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）４０mlに溶かし、室温で攪拌した。ここに、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド３.２ｇのＤＭＦ溶液を滴下した。滴下後室温で３時間攪拌し、反応液を水に加えた。酢酸エチルで２回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤をろ別後、減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラム（アセトン／ヘキサン＝１／８）で精製し、式（４６）の化合物を６.０７ｇ得た。収率は９９％であった。

実施例３
実施例２と同様の操作により、式（４６）の化合物の鏡像異性体である式（４８）の化合物から式（４７）の鏡像異性体である式（４９）の化合物を得た。収率９０％であった。
得られた式（４９）の化合物の物性測定値をつぎに示す。
融点４８〜４９℃、
［α］_D ³⁰ −１０.２５゜（ｃ０.７５２，クロロホルム）

実施例１３
式（３７）の（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンの製造：（その１）
実施例１０で得られた式（３６）の化合物の７２０mg（２.５１mmol）を酢酸８.３mlに溶かし、６０℃で３日間、９０℃で一日攪拌した。反応液を過剰の希水酸化ナトリウム水溶液に加え、エーテルで抽出した。有機層を希水酸化ナトリウム液、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤をろ別して溶媒を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラム（アセトン／ヘキサン＝１／２）で精製し、式（３７）の（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンを２６９mg（１.７４mmol）得た。収率６９％であった。
得られた式（３７）の（＋）エノン体の物性値は以下の値であり、これらは文献値と一致した。
［α］_D ³² −６９.８８゜（ｃ０.９９，クロロホルム）、
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ＝１.３５（ｓ，６Ｈ），４.４０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５.４Ｈｚ），５.２１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２.１，５.４Ｈｚ），６.１５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５.７Ｈｚ），７.５５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２.１，５.７Ｈｚ）

実施例１４
式（３７）の（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンの製造：（その２）
実施例１１で得られた式（３６）の化合物の５.１７ｇ（１８.０５mmol）を酢酸１００mlに溶かし、６０℃で４日間攪拌した。反応液を冷却後、反応液をジエチルエーテル３００mlで希釈し、飽和食塩水１００ml、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００mlで逐次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラム（シリカゲル２５０ｇ、ジエチルエーテル／ヘキサン＝１／３〜１／１ｖ／ｖ）で精製し、式（３７）の（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンを２.１８ｇ得た。収率７８％であった。
得られた式（３７）の（＋）エノン体の物性値は以下の値であり、これらは文献値（融点６８〜６９℃、［α］_D ²⁵ ＋７０.４９゜(ｃ０.９５，クロロホルム)）と一致した。
融点６８〜６９℃、［α］_D ³² ＋６９.７０゜（ｃ１.１８，クロロホルム）

実施例２２
式（４０）の（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンの製造：（その１）
実施例１９で得られた式（３９）の化合物の６２４mg（２.１５mmol）を酢酸７.０mlに溶かし、６０℃で３日間攪拌した。反応液を過剰の希水酸化ナトリウム水溶液に加え、エーテルで抽出した。有機層を希水酸化ナトリウム液、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤をろ別して溶媒を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラム（アセトン／ヘキサン＝１／２）で精製し、式（４０）の（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンを２７６mg（１.７９mmol）得た。収率８３％であった。
得られた式（４０）の（−）エノン体の物性測定値を以下に示す。これらは文献値と一致した。
［α］_D ³² ＋６９.７０゜（ｃ１.１８，クロロホルム）
¹Ｈ−ＮＭＲは実施例１３で得られた式（３７）の化合物と一致した。

実施例２３
式（４０）の（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンの製造：（その２）
実施例２０で得られた式（３９）の化合物の２.５７ｇ（８.８５mmol）を酢酸５０mlに溶かし、６０℃で４日間攪拌した。反応液にジエチルエーテル１５０mlを加え、飽和食塩
水５０ml、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液５０mlで逐次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラム（シリカゲル１５０ｇ、ジエチルエーテル／ヘキサン＝１／１ｖ／ｖ）で精製し、式（４０）の（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンを１.０３ｇ得た。収率７６％であった。
得られた式（４０）の（−）エノン体の物性測定値を以下に示す。これらは文献値と一致した。
融点６８〜６９℃、
［α］_D ³² −６９.８８゜（ｃ１.００，クロロホルム）

実施例２４
実施例２３と同様の操作により、式（３９）の化合物の鏡像異性体である式（４５）の化合物から式（４０）の（−）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンの鏡像異性体である式（３７）の（＋）−７,７−ジメチル−６,８−ジオキサビシクロ［３.３.０］オクト−３−エン−２−オンを得た。収率７６％であった。
得られた式（３７）の化合物の物性測定値をつぎに示す。
融点６８〜６９℃、
［α］_D ³¹ ＋６９.３６゜（ｃ１.０５，クロロホルム）