JP2001237255A - 樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法及びその金型 - Google Patents
樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法及びその金型Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止時の余分な樹脂を十分に取り除くこ
とができる樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレ
ーク方法及びその金型を提供する。 【解決手段】 半導体装置１のリードフレーム３のゲー
ト部近傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａを設け、前記リー
ドフレーム３の外方の余剰樹脂部分４を固定し、前記リ
ードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させ
て、前記凸状樹脂溜まり４Ａごと余剰樹脂部分４をリー
ドフレーム３から剥がす。
とができる樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレ
ーク方法及びその金型を提供する。 【解決手段】 半導体装置１のリードフレーム３のゲー
ト部近傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａを設け、前記リー
ドフレーム３の外方の余剰樹脂部分４を固定し、前記リ
ードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させ
て、前記凸状樹脂溜まり４Ａごと余剰樹脂部分４をリー
ドフレーム３から剥がす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止半導体装
置のリード部のゲートブレーク方法及びその金型に関す
るものである。
置のリード部のゲートブレーク方法及びその金型に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような樹脂封止半導体装置の
樹脂封止は以下に示すようにして行われていた。
樹脂封止は以下に示すようにして行われていた。
【０００３】図９は従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封
止工程後の平面図、図１０はその図９のＡ−Ａ′線断面
図、図１１は従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行
う上金型の上面図、図１２は図１１のＡ−Ａ′断面であ
り、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図であ
る。
止工程後の平面図、図１０はその図９のＡ−Ａ′線断面
図、図１１は従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行
う上金型の上面図、図１２は図１１のＡ−Ａ′断面であ
り、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図であ
る。
【０００４】樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程は、図
１２に示すように行われている。
１２に示すように行われている。
【０００５】（１）まず、図１２（ａ）に示すように、
上金型２０１にはスプール２０２、上部キャビティ２０
３が形成されている。また、下金型２１１には、トラン
スファーポット２１２、ランナー２１３、ゲート２１
４、下部キャビティ２１５が形成されており、その上部
キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に半導体装置
１００がセットされ、その半導体装置１００を支持する
リードフレーム１０２がゲート２１４、ランナー２１３
へと延びて配置される。また、トランスファーポット２
１２内には封止樹脂タブレット３０１が装填されてい
る。
上金型２０１にはスプール２０２、上部キャビティ２０
３が形成されている。また、下金型２１１には、トラン
スファーポット２１２、ランナー２１３、ゲート２１
４、下部キャビティ２１５が形成されており、その上部
キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に半導体装置
１００がセットされ、その半導体装置１００を支持する
リードフレーム１０２がゲート２１４、ランナー２１３
へと延びて配置される。また、トランスファーポット２
１２内には封止樹脂タブレット３０１が装填されてい
る。
【０００６】（２）次に、図１２（ｂ）に示すように、
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５が閉じら
れ、トランスファーポット２１２内の封止樹脂タブレッ
ト３０１を加熱軟化させて、下部からプランジャ（図示
なし）により加圧する。
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５が閉じら
れ、トランスファーポット２１２内の封止樹脂タブレッ
ト３０１を加熱軟化させて、下部からプランジャ（図示
なし）により加圧する。
【０００７】（３）次に、図１２（ｃ）に示すように、
加熱軟化された封止樹脂は、スプール２０２、ランナー
２１３を経てゲート２１４に導かれる。
加熱軟化された封止樹脂は、スプール２０２、ランナー
２１３を経てゲート２１４に導かれる。
【０００８】（４）更に、図１２（ｄ）に示すように、
加熱軟化された封止樹脂は、半導体装置１００がセット
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に導か
れ、ここで一定時間加熱して硬化させる。
加熱軟化された封止樹脂は、半導体装置１００がセット
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に導か
れ、ここで一定時間加熱して硬化させる。
【０００９】このようにして、図９および図１０に示さ
れるリードフレーム１０２を有する樹脂封止半導体装置
１０１が製造される。しかしながら、その封止後は、ゲ
ートブレーク後に、図１３に示すように、余剰樹脂が残
されることになる。
れるリードフレーム１０２を有する樹脂封止半導体装置
１０１が製造される。しかしながら、その封止後は、ゲ
ートブレーク後に、図１３に示すように、余剰樹脂が残
されることになる。
【００１０】さらに、詳細に説明すると、その余剰樹脂
１０３は、図１３に示すように、各部分に現れる。例え
ば、図１３（ａ）に示すように、ランナーの外側部分１
１１に残ったり、図１３（ｂ）に示すように、ランナー
の部分１１２に残ったり、図１３（ｃ）に示すように、
ランナーの両側部分１１３に残ったり、図１３（ｄ）に
示すように、ゲートの部分１１４に残ったりする。
１０３は、図１３に示すように、各部分に現れる。例え
ば、図１３（ａ）に示すように、ランナーの外側部分１
１１に残ったり、図１３（ｂ）に示すように、ランナー
の部分１１２に残ったり、図１３（ｃ）に示すように、
ランナーの両側部分１１３に残ったり、図１３（ｄ）に
示すように、ゲートの部分１１４に残ったりする。
【００１１】それらの余剰樹脂を適切にゲートブレーク
すると、図１４に示すようになる。
すると、図１４に示すようになる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の樹脂封止半導体装置の製造方法では、図１３に示すよ
うに、余分な樹脂を取り除くゲートブレーク時にゲート
部分の余分な樹脂を十分に取り除く事ができないという
問題があった。
の樹脂封止半導体装置の製造方法では、図１３に示すよ
うに、余分な樹脂を取り除くゲートブレーク時にゲート
部分の余分な樹脂を十分に取り除く事ができないという
問題があった。
【００１３】本発明は、上記問題点を除去し、樹脂封止
時の余分な樹脂を十分に取り除くことができる樹脂封止
半導体装置のリード部のゲートブレーク方法及びその金
型を提供することを目的とする。
時の余分な樹脂を十分に取り除くことができる樹脂封止
半導体装置のリード部のゲートブレーク方法及びその金
型を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体装置のリードフレームのゲート部近傍の上
部に凸状樹脂溜まりを設け、前記リードフレームの外方
の余剰樹脂部分を固定し、前記リードフレームごと樹脂
封止半導体装置を回転させて、前記凸状樹脂溜まりごと
余剰樹脂部分をリードフレームから剥がすことを特徴と
する。
成するために、 〔１〕半導体装置のリードフレームのゲート部近傍の上
部に凸状樹脂溜まりを設け、前記リードフレームの外方
の余剰樹脂部分を固定し、前記リードフレームごと樹脂
封止半導体装置を回転させて、前記凸状樹脂溜まりごと
余剰樹脂部分をリードフレームから剥がすことを特徴と
する。
【００１５】〔２〕半導体装置のリードフレーム側部の
ゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりを設け、前記リ
ードフレームの外部の余剰樹脂部分を固定し、前記リー
ドフレームごと樹脂封止半導体装置を回転させて、前記
円形の樹脂溜まりごと余剰樹脂部分をリードフレームか
ら剥がすことを特徴とする。
ゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりを設け、前記リ
ードフレームの外部の余剰樹脂部分を固定し、前記リー
ドフレームごと樹脂封止半導体装置を回転させて、前記
円形の樹脂溜まりごと余剰樹脂部分をリードフレームか
ら剥がすことを特徴とする。
【００１６】〔３〕半導体装置の樹脂封止工程で用いる
樹脂封止金型において、半導体装置のゲート部近傍の上
部に凸状樹脂溜まりを形成するように、凹状部を備える
ことを特徴とする。
樹脂封止金型において、半導体装置のゲート部近傍の上
部に凸状樹脂溜まりを形成するように、凹状部を備える
ことを特徴とする。
【００１７】〔４〕半導体装置の樹脂封止工程で用いる
樹脂封止金型において、半導体装置のリードフレーム側
部のゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりを形成する
ように、凹状部を備えることを特徴とする。
樹脂封止金型において、半導体装置のリードフレーム側
部のゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりを形成する
ように、凹状部を備えることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の第１実施例を示す樹脂封止
半導体装置の樹脂封止後の平面図、図２は図１のＡ−
Ａ′線断面図、図３はその樹脂封止半導体装置の樹脂封
止を行う上金型の上面図、図４は図３のＡ−Ａ′断面で
あり、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図で
ある。
半導体装置の樹脂封止後の平面図、図２は図１のＡ−
Ａ′線断面図、図３はその樹脂封止半導体装置の樹脂封
止を行う上金型の上面図、図４は図３のＡ−Ａ′断面で
あり、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図で
ある。
【００２０】図１及び図２において、２は樹脂封止半導
体装置、３はリードフレーム、４は余剰樹脂、４Ａはゲ
ート近傍の上部に形成される凸状樹脂溜まりである。
体装置、３はリードフレーム、４は余剰樹脂、４Ａはゲ
ート近傍の上部に形成される凸状樹脂溜まりである。
【００２１】以下、樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程
を図４を参照しながら説明する。
を図４を参照しながら説明する。
【００２２】（１）まず、図４（ａ）に示すように、上
金型２０１にはスプール２０２、上部キャビティ２０
３、凹状部２１６が形成されている。また、下金型２１
１には、トランスファーポット２１２、ランナー２１
３、ゲート２１４、下部キャビティ２１５が形成されて
おり、その上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１
５に半導体装置１がセットされ、その半導体装置１を支
持するリードフレーム３がゲート２１４、ランナー２１
３へと延びて配置される。また、トランスファーポット
２１２内には封止樹脂タブレット３０１が装填されてい
る。
金型２０１にはスプール２０２、上部キャビティ２０
３、凹状部２１６が形成されている。また、下金型２１
１には、トランスファーポット２１２、ランナー２１
３、ゲート２１４、下部キャビティ２１５が形成されて
おり、その上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１
５に半導体装置１がセットされ、その半導体装置１を支
持するリードフレーム３がゲート２１４、ランナー２１
３へと延びて配置される。また、トランスファーポット
２１２内には封止樹脂タブレット３０１が装填されてい
る。
【００２３】（２）そこで、図４（ｂ）に示すように、
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５が閉じら
れ、トランスファーポット２１２内の封止樹脂タブレッ
ト３０１を加熱軟化させて、下部からプランジャ（図示
なし）により加圧する。
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５が閉じら
れ、トランスファーポット２１２内の封止樹脂タブレッ
ト３０１を加熱軟化させて、下部からプランジャ（図示
なし）により加圧する。
【００２４】（３）次に、図４（ｃ）に示すように、加
熱軟化された封止樹脂は、スプール２０２、ランナー２
１３を経てゲート２１４に導かれる。
熱軟化された封止樹脂は、スプール２０２、ランナー２
１３を経てゲート２１４に導かれる。
【００２５】（４）更に、図４（ｄ）に示すように、加
熱軟化された封止樹脂は、半導体装置１がセットされた
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に導かれ
るとともに、ゲート２１４近傍の上部に形成される凸状
樹脂溜まり４Ａを形成する凹状部２１６に充填される。
ここで一定時間加熱して硬化させる。
熱軟化された封止樹脂は、半導体装置１がセットされた
上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に導かれ
るとともに、ゲート２１４近傍の上部に形成される凸状
樹脂溜まり４Ａを形成する凹状部２１６に充填される。
ここで一定時間加熱して硬化させる。
【００２６】このようにして、図１及び図２に示される
リードフレーム３を有する樹脂封止半導体装置２が製造
される。
リードフレーム３を有する樹脂封止半導体装置２が製造
される。
【００２７】このように、この実施例では、ゲート部近
傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａを形成するようにしてい
る。
傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａを形成するようにしてい
る。
【００２８】以上のように、第１実施例によれば、半導
体装置の製造方法の一部である樹脂封止工程において、
ゲート部に凹状部が形成された金型を使用することによ
り、ゲート部近傍の上部に凸状の樹脂溜まりを成形する
ことが可能となり、ゲートブレイク時に余剰樹脂が残ら
ないという効果が得られる。
体装置の製造方法の一部である樹脂封止工程において、
ゲート部に凹状部が形成された金型を使用することによ
り、ゲート部近傍の上部に凸状の樹脂溜まりを成形する
ことが可能となり、ゲートブレイク時に余剰樹脂が残ら
ないという効果が得られる。
【００２９】次に、この実施例のゲートブレーク方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３０】図５はこの実施例のゲートブレーク工程断
面図である。
面図である。
【００３１】（１）まず、図５（ａ）に示すように、樹
脂封止を行った後、樹脂の冷却を行う。半導体装置１の
樹脂封止後には、ゲート近傍の上部に凸状樹脂溜まり４
Ａが設けられている。
脂封止を行った後、樹脂の冷却を行う。半導体装置１の
樹脂封止後には、ゲート近傍の上部に凸状樹脂溜まり４
Ａが設けられている。
【００３２】（２）次いで、図５（ｂ）に示すように、
樹脂封止半導体装置２及びリードフレーム３の部分を半
導体装置受け台５に載せるとともに、リードフレーム３
の外方の余剰樹脂４が動かないように余剰樹脂４の外側
部を余剰樹脂受け台６上に載せ、上部から余剰樹脂４の
外側部を余剰樹脂押さえ７で押さえて固定する。
樹脂封止半導体装置２及びリードフレーム３の部分を半
導体装置受け台５に載せるとともに、リードフレーム３
の外方の余剰樹脂４が動かないように余剰樹脂４の外側
部を余剰樹脂受け台６上に載せ、上部から余剰樹脂４の
外側部を余剰樹脂押さえ７で押さえて固定する。
【００３３】（３）次に、図５（ｃ）に示すように、リ
ードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させ
る。
ードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させ
る。
【００３４】（４）すると、図５（ｄ）に示すように、
余剰樹脂４と樹脂封止半導体装置２を切り離すことがで
きる。
余剰樹脂４と樹脂封止半導体装置２を切り離すことがで
きる。
【００３５】この第１実施例によれば、ゲート部近傍の
上部に凸状樹脂溜まり４Ａを設けるようにしたので、余
剰樹脂４は一体的に剥がれ、ゲートブレーク時に余剰樹
脂４が残らないという効果を奏することができる。
上部に凸状樹脂溜まり４Ａを設けるようにしたので、余
剰樹脂４は一体的に剥がれ、ゲートブレーク時に余剰樹
脂４が残らないという効果を奏することができる。
【００３６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００３７】図６は本発明の第２実施例を示す樹脂封止
半導体装置の樹脂封止後の平面図、図７は図６のＡ−
Ａ′線断面図である。
半導体装置の樹脂封止後の平面図、図７は図６のＡ−
Ａ′線断面図である。
【００３８】これらの図に示すように、第２実施例の樹
脂封止半導体装置の樹脂封止後の構造は、第１実施例の
凸状樹脂溜まり４Ａに代えて、リードフレーム３の側部
のゲート部のコーナーに円形に加工される樹脂溜まり４
Ｂを有する点を除いて、第１実施例と同様である。ま
た、金型の構造も第１実施例の凸状樹脂溜まり４Ａを形
成する凹状部２１６に代えて、第２実施例ではリードフ
レーム３の側部のゲート部のコーナーに円形に加工され
る樹脂溜まり４Ｂを形成する窪み部（図示なし）を形成
する。
脂封止半導体装置の樹脂封止後の構造は、第１実施例の
凸状樹脂溜まり４Ａに代えて、リードフレーム３の側部
のゲート部のコーナーに円形に加工される樹脂溜まり４
Ｂを有する点を除いて、第１実施例と同様である。ま
た、金型の構造も第１実施例の凸状樹脂溜まり４Ａを形
成する凹状部２１６に代えて、第２実施例ではリードフ
レーム３の側部のゲート部のコーナーに円形に加工され
る樹脂溜まり４Ｂを形成する窪み部（図示なし）を形成
する。
【００３９】次に、この実施例のゲートブレーク方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００４０】図８はこの実施例のゲートブレーク工程断
面図である。
面図である。
【００４１】（１）まず、図８（ａ）に示すように、樹
脂封止を行った後、樹脂の冷却を行う。樹脂封止半導体
装置２の樹脂封止後には、リードフレーム３の側部のゲ
ート部のコーナーが円形に形成された樹脂溜まり４Ｂを
有している。
脂封止を行った後、樹脂の冷却を行う。樹脂封止半導体
装置２の樹脂封止後には、リードフレーム３の側部のゲ
ート部のコーナーが円形に形成された樹脂溜まり４Ｂを
有している。
【００４２】（２）次いで、図８（ｂ）に示すように、
樹脂封止半導体装置２及びリードフレーム３の部分を半
導体装置受け台５に載せるとともに、余剰樹脂４が動か
ないようにリードフレーム３の外方の余剰樹脂４を余剰
樹脂受け台６上に載せ、上部から余剰樹脂４の外側部を
余剰樹脂押さえ７で押さえて固定する。
樹脂封止半導体装置２及びリードフレーム３の部分を半
導体装置受け台５に載せるとともに、余剰樹脂４が動か
ないようにリードフレーム３の外方の余剰樹脂４を余剰
樹脂受け台６上に載せ、上部から余剰樹脂４の外側部を
余剰樹脂押さえ７で押さえて固定する。
【００４３】（３）次に、図８（ｃ）に示すように、リ
ードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させ
る。
ードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させ
る。
【００４４】（４）すると、図８（ｄ）に示すように、
余剰樹脂４と樹脂封止半導体装置２を切り離すことがで
きる。
余剰樹脂４と樹脂封止半導体装置２を切り離すことがで
きる。
【００４５】上記したように、第２実施例によれば、リ
ードフレーム３側部のゲート部のコーナーに円形の樹脂
溜まり４Ｂが形成されているので、余剰樹脂４は一体的
に剥がれ、ゲート部のコーナーに余剰樹脂４が残らない
という効果を奏することができる。
ードフレーム３側部のゲート部のコーナーに円形の樹脂
溜まり４Ｂが形成されているので、余剰樹脂４は一体的
に剥がれ、ゲート部のコーナーに余剰樹脂４が残らない
という効果を奏することができる。
【００４６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００４７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００４８】（Ａ）ゲート部近傍の上部に凸状樹脂溜ま
りを設けるようにしたので、余剰樹脂は一体的に剥が
れ、ゲートブレーク時に余剰樹脂が残らないという効果
を奏することができる。
りを設けるようにしたので、余剰樹脂は一体的に剥が
れ、ゲートブレーク時に余剰樹脂が残らないという効果
を奏することができる。
【００４９】（Ｂ）リードフレーム側部のゲート部のコ
ーナーに円形の樹脂溜まりが形成されているので、余剰
樹脂は一体的に剥がれ、ゲート部のコーナーに余剰樹脂
が残らないという効果を奏することができる。
ーナーに円形の樹脂溜まりが形成されているので、余剰
樹脂は一体的に剥がれ、ゲート部のコーナーに余剰樹脂
が残らないという効果を奏することができる。
【００５０】（Ｃ）ゲート部近傍の上部に凸状樹脂溜ま
りを形成することができるように、凹状部が設けられた
金型を設けるようにしたので、余剰樹脂の一体化を図る
ことができ、ゲートブレーク時に余剰樹脂を確実に除去
することができる。
りを形成することができるように、凹状部が設けられた
金型を設けるようにしたので、余剰樹脂の一体化を図る
ことができ、ゲートブレーク時に余剰樹脂を確実に除去
することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す樹脂封止半導体装置
の樹脂封止後の平面図である。
の樹脂封止後の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す樹脂封止半導体装置
の樹脂封止を行う上金型の上面図である。
の樹脂封止を行う上金型の上面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ′断面であり、その樹脂封止半導
体装置の樹脂封止工程断面図である。
体装置の樹脂封止工程断面図である。
【図５】本発明の第１実施例を示す樹脂封止半導体装置
のゲートブレーク工程断面図である。
のゲートブレーク工程断面図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す樹脂封止半導体装置
の樹脂封止後の平面図である。
の樹脂封止後の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ′線断面図である。
【図８】本発明の第２実施例を示す樹脂封止半導体装置
のゲートブレーク工程断面図である。
のゲートブレーク工程断面図である。
【図９】従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程後の
平面図である。
平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ′線断面図である。
【図１１】従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行う
上金型の上面図である。
上金型の上面図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ′断面であり、その樹脂封止
半導体装置の樹脂封止工程断面図である。
半導体装置の樹脂封止工程断面図である。
【図１３】従来技術の問題点の説明図である。
【図１４】理想的な樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の
平面図である。
平面図である。
１ 半導体装置 ２ 樹脂封止半導体装置 ３ リードフレーム ４ 余剰樹脂 ４Ａ ゲート近傍の上部に形成される凸状樹脂溜まり ４Ｂ 円形に加工される樹脂溜まり ５ 半導体装置受け台 ６ 余剰樹脂受け台 ７ 余剰樹脂押さえ ２０１ 上金型 ２０２ スプール ２０３ 上部キャビティ ２１６ 凹状部 ２１１ 下金型 ２１２ トランスファーポット ２１３ ランナー ２１４ ゲート ２１５ 下部キャビティ ３０１ 封止樹脂タブレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２９Ｃ 45/14 Ｂ２９Ｃ 45/14 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置のリードフレームのゲート部
近傍の上部に凸状樹脂溜まりを設け、前記リードフレー
ムの外方の余剰樹脂部分を固定し、前記リードフレーム
ごと樹脂封止半導体装置を回転させて、前記凸状樹脂溜
まりごと余剰樹脂部分をリードフレームから剥がすこと
を特徴とする樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブ
レーク方法。 - 【請求項２】 半導体装置のリードフレーム側部のゲー
ト部のコーナーに円形の樹脂溜まりを設け、前記リード
フレームの外部の余剰樹脂部分を固定し、前記リードフ
レームごと樹脂封止半導体装置を回転させて、前記円形
の樹脂溜まりごと余剰樹脂部分をリードフレームから剥
がすことを特徴とする樹脂封止半導体装置のリード部の
ゲートブレーク方法。 - 【請求項３】 半導体装置の樹脂封止工程で用いる金型
において、半導体装置のゲート部近傍の上部に凸状樹脂
溜まりを形成するように、凹状部を備えることを特徴と
する金型。 - 【請求項４】 半導体装置の樹脂封止工程で用いる金型
において、半導体装置のリードフレーム側部のゲート部
のコーナーに円形の樹脂溜まりを形成するように、凹状
部を備えることを特徴とする金型。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044478A JP4106844B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法 |
| US09/782,163 US6528000B2 (en) | 2000-02-22 | 2001-02-14 | Molding apparatus for use in manufacture of resin shielding semiconductor device |
| US10/300,782 US6682952B2 (en) | 2000-02-22 | 2002-11-21 | Method of forming the resin sealed semiconductor device using the lead frame |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044478A JP4106844B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237255A true JP2001237255A (ja) | 2001-08-31 |
| JP4106844B2 JP4106844B2 (ja) | 2008-06-25 |
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ID=18567222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000044478A Expired - Fee Related JP4106844B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010040911A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| US5326243A (en) * | 1992-06-25 | 1994-07-05 | Fierkens Richard H J | Compression-cavity mold for plastic encapsulation of thin-package integrated circuit device |
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-
2000
- 2000-02-22 JP JP2000044478A patent/JP4106844B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-14 US US09/782,163 patent/US6528000B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-21 US US10/300,782 patent/US6682952B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040911A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| US20030062605A1 (en) | 2003-04-03 |
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