JP2001236793A

JP2001236793A - 読取専用記憶装置の温度補償のための方法と装置

Info

Publication number: JP2001236793A
Application number: JP2000401269A
Authority: JP
Inventors: Allen P Mills Jr; パインミルズジュニヤアレン
Original assignee: Lucent Technologies Inc
Current assignee: Nokia of America Corp
Priority date: 2000-01-07
Filing date: 2000-12-28
Publication date: 2001-08-31
Also published as: EP1115120A2; EP1115120A3

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】読取専用記憶装置の温度補償のための方法と
装置とを提供する。【解決手段】抵抗性の読取専用記憶装置の温度補償の
ための方法と装置が開示されている。ＲＯＭデバイスに
送られた入力電圧は、温度依存性の接続抵抗の固有抵抗
が変わる場合でも、ＲＯＭに流れる電流を実質的に一定
のレベルに維持するために、温度変化に対応して調整さ
れる。本発明のある実施例では、基準抵抗２９の電圧
は、定電流源２７を基準抵抗に呈することから決まり、
この電圧レベルがＲＯＭデバイスの入力に印加される。
基準抵抗は、データ抵抗３０、例えば、ポリシリコンと
類似の導電特性を有するように選択される。温度が上昇
すると、ポリシリコンのデータ抵抗の固有抵抗と抵抗と
が類似の状態で減少するので、基準抵抗の電圧も低下す
る。基準抵抗の電圧は、データ抵抗の電圧降下に相応し
て低下するので、選択したデータ抵抗を流れる電流を一
定に維持できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、全体的に電子回路
に関していて、特に、読取専用記憶装置（ＲＯＭ）電子
回路の温度補償に関している。

【０００２】

【従来の技術】読取専用記憶装置（ＲＯＭ）は周知の技
術である。一般的に、ＲＯＭは、数学的機能のようなプ
ログラム命令、又は数学的機能を用いて処理する情報デ
ータを恒久的に保存するために、コンピュータ・システ
ムで用いられている。従来技術で周知のように、ＲＯＭ
は、平行ビット線の平らな配列構造に対して垂直である
と共に絶縁している、平行ワード線の平らな配列構造か
ら一般的に構成されている。ＲＯＭデバイスのある実施
例では、ワード線とビット線とを含んでいる２つの平面
が、互いに垂直に設けてあると共に絶縁層により分離さ
れている。バイポーラ・トランジスタ又は金属−酸化物
半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のような
能動性半導体デバイスは、各々ワード線と各々ビット線
との接合部を相互に接続して、メモリ・セルを形成して
いる。典型的には、製造工程において、大きさの経済性
のために、全てのセルがデバイスで満たされ、特定のデ
バイスとのリンクが、エンコーディング・プロセスでオ
ープンされて、セルを非作動状態にする。メモリ・セル
でデバイスが接続しているかどうかに基づいて、ロジッ
ク“１”又は“０”がセルに保存してあるかどうかが決
定される。トランジスタ又はＭＯＳＦＥＴデバイスに対
して、各々、作動デバイスの制御電極（ベースあるいは
ゲート）がワード線に接続し、エミッタ又はソース電極
が、ビット線に典型的には接続されている。ワード線の
正電位が、そのセルのデバイスを“オン”にする。セル
に物理的リンクがない場合に、ビット線に送られる信号
が無いことになる。ビット線が次に平行して読み取ら
れ、ＲＯＭの出力を構成する“１”と“０”の信号のグ
ループが得される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ＲＯＭデバイスは、抵
抗性の相互接続部を備えて製造することもできる。ここ
で引例を用いて包含されている“読取専用記憶装置のた
めの構造”という名称でＭｉｌｌなどに開示された米国
特許第５，８４７，４４２号では、ワード線とビット線
とを相互に接続するために、抵抗性デバイスを用いて製
造したＲＯＭデバイスを考案している。抵抗性デバイス
を用いると、抵抗性デバイスが容易に製造できて、小型
になるので、トランジスタ・デバイスより効果的にな
る。包含した引例の要約は、本発明の特許請求の範囲を
十分に理解するために提示されている。

【０００４】抵抗性デバイスを具備して製造したＲＯＭ
デバイスが、米国特許の説明で参照したように図１に示
してあり、ここで図１を用いて繰り返し説明される。図
のデバイスでは、あるワード線２８だけが抵抗性デバイ
ス３０を介してビット線４０に接続している。ワード線
２８とビット線４０との間の接続は、ＲＯＭデバイスに
保存した特定のデータから特定される。抵抗性デバイス
３０は、垂直に設けた平行ビット線４０から平行ワード
線２８を分離している絶縁材料の内部で、カラム又はポ
ストとして形成されている。

【０００５】抵抗性デバイス３０は広範囲の値で製造で
きる。ワード線２８とビット線４０との間の混線を減少
させるために、抵抗の最小値が１０メガオームのオーダ
ーである。配置されたスペースで１０メガオームの単位
の抵抗値を得るために、抵抗性デバイス３０は、被制御
固有抵抗をもつポリシリコン材料から通常は製作され
る。ポリシリコン材料は、周知の技術であり、そこで、
周知のように、ドーピング又は非ドーピング状態で製造
できる。ドーピング元素は、ホウ素、りん、ヒ素、アン
チモンとから成る元素のグループから通常は選択され
る。引用した特許で述べたように、ワード線とビット線
とを相互に接続する抵抗性デバイスとしてポリシリコン
・ポストを用いる長所として、抵抗性デバイスはトラン
ジスタ又はＭＯＳＦＥＴより小型で電力も小さくてすむ
ので、メモリ・セルのサイズも小さくなる。

【０００６】しかし、ポリシリコンは、高温に対して敏
感であり、従来技術で周知のように、ポリシリコンの抵
抗は、温度の上昇につれて大幅に減少する。温度が上昇
し、接続するポリシリコンの抵抗性デバイスの固有抵抗
が減少すると、抵抗性デバイスを流れる電流が増加す
る。電流の増加は、従来技術で周知のように、出力電圧
が電流と直接的に関係するので、ＲＯＭの出力電圧に悪
い影響を与える。出力電圧の増加を補償する１つの方法
が、前述の米国特許に開示されている。この方法では、
温度の変化に相応する利得特性をもつ演算増幅器を、感
知増幅器４２として使用する方式を開示している。開示
してあるように、演算増幅器は、データ抵抗３０と同様
の電気特性と熱特性をもつ帰還抵抗を用いている。この
方法によれば、演算増幅器の利得は、帰還抵抗の抵抗が
減少するにつれて低下する。低下した利得が、データ電
流の増加を補償し、出力電圧をほぼ一定に維持すること
になる。

【０００７】しかし、この補償方法の欠点は、ＲＯＭデ
バイスを流れる電流が温度変化に大きく関与することに
ある。この電流変化がＲＯＭデバイスのスイッチング速
度に更に影響するので、スイッチング速度が、温度変化
の影響を大きく受ける。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、ワード線とビ
ット線を接続するために、温度感応性抵抗材料を用い
る、読取専用記憶装置（ＲＯＭ）の温度補償に関してい
る。このようなデバイスでは、温度の変化が、ＲＯＭの
出力電圧とスイッチング速度に悪い影響を与える。

【０００９】本発明によれば、データの抵抗性デバイス
を流れる電流は、温度の変化に対応する入力基準電圧を
ＲＯＭに送ることによって、実質的に一定のレベルに維
持される。本発明のある実施例では、入力基準電圧は、
温度依存性基準抵抗に定電流源を送ることによって生成
する。基準抵抗の抵抗は温度の変化に対応して変動し、
それに伴って、基準抵抗の電圧（及びＲＯＭの入力）が
変動する。温度の変化に対応して入力電圧を変えること
により、ＲＯＭデータ抵抗に対するデータ電流が実質的
に一定の状態を維持する。実質的に一定の電流がＲＯＭ
デバイスに流れるので、出力電圧とＲＯＭのスイッチン
グ速度が実質的に一定に維持される。

【００１０】本発明の典型的な実施例では、基準抵抗
は、ＲＯＭ内部でワード線とビット線を相互に接続する
抵抗性デバイスとして選択された材料と類似の温度依存
性固有抵抗を有する材料から製造される。本発明のこの
実施例では、基準抵抗の抵抗の変動がデータ抵抗の抵抗
の変動と一致するので、データ抵抗を流れる電流は、任
意の温度変化に対して実質的に一定の状態を保つ。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１〜４と詳細な説明は、本発明
の代表的な実施例の図例として用いられており、本発明
を実施する唯一の方式として解釈すべきでない。本発明
の長所と本質と種々の更なる特徴は、添付の図面を参照
しながら詳細に説明する実施例からより明らかになると
思われる。これらの図面は、本発明の概念を示すことを
意図していることを理解すべきである。同じ参照番号で
も、必要に応じて、参照文字で補足してある場合、対応
する部品を識別するために、図面全体で用いられている
ことに注意すべきである。

【００１２】いま図２を見ると、本発明の典型的な実施
例が図示してある。本発明のこの実施例では、スイッチ
２５を用いて、入力アドレス線２４のコマンドをワード
線２８の電圧に変換している。図の本発明の典型的な実
施例では、ＭＯＳＦＥＴスイッチを用いて、アドレス線
コマンドをワード線電圧に変換している。当業者には自
明のように、異なる技術を用いる複数の異なるスイッチ
のタイプが、アドレス線コマンドをワード線電圧に変換
できる。例えば、ＣＭＯＳやバイポーラ・トランジスタ
やダイオードや機械的スイッチや静電スイッチが、本発
明に基づいて使用できる。本図の実施例では、スイッチ
２５がハイにゲートされると（すなわち、オン）、定電
流源２７で生成した電流Ｉ_aが、スイッチを介してグラ
ンドに流れる。しかし、図のスイッチがローにゲートさ
れると（すなわち、オフ）、電流Ｉ_aは、ドライバ２６
に入力電圧Ｖ_iとして印加される基準抵抗２９に基準電
圧Ｖ _rを生成する。図示するように、ドライバ２６は、
電圧フォロアとして構成した単一利得演算増幅器として
表されている。従来技術で周知のように、増幅器の高イ
ンピーダンス入力の電圧Ｖ_iは、増幅器の低インピーダ
ンス出力にある。従って、基準電圧は、データ抵抗３０
の入力側にある。

【００１３】本発明のある実施例に基づいて、基準抵抗
２９は、データ抵抗３０と同様の導電特性をもつ温度依
存性抵抗である。温度が変わると、基準抵抗２９の抵抗
値も変動し、基準抵抗に生じた電圧も抵抗の変動に直接
的に連動して変わる。データ抵抗３０と基準抵抗２９が
同じ電気特性と熱特性をもつ特殊なケースでは、スイッ
チ２５がオフにゲートすると、ドライバ電圧Ｖ_iがワー
ド線２５に生じて、電流Ｉ_aが、入力線（ワード線２
８）から出力線（ビット線４０）にデータ抵抗３０を経
由して流れる。電流Ｉ_aが、感知増幅器４２に印加され
て、出力電圧を生成する。感知増幅器４２は、本発明の
この代表的な図例では、固定の温度依存性抵抗４１をも
つ演算増幅器である。従来技術で周知のように、感知増
幅器４２の出力電圧は、下記のように、固定帰還抵抗４
１の値と電流Ｉ_aとから決まる。Ｖ_out ＝ −Ｉ_aＲここでＲは、帰還抵抗４１の値である。

【００１４】本発明のある実施例に基づいて、基準抵抗
２９は、データ抵抗３０とほぼ同様の導電特性をもつ材
料から形成されている。この場合、データ抵抗３０と基
準抵抗２９の抵抗値は、温度変化に相応して実質的に同
じ割合で変わる。そこで、定電流Ｉ_aが基準抵抗２９に
送られると、任意の温度で基準抵抗２９に生じる電圧
は、データ抵抗３０に流れる電流Ｉ_aに起因するデータ
抵抗３０の電圧降下と実質的に同じになる。入力基準電
圧は、従って、関連するワード線が選択される時に、デ
ータ抵抗３０により実質的に一定に電流Ｉ_aを維持する
ように調整される。

【００１５】図３は、図１に示した抵抗性デバイスＲＯ
Ｍに包含される、本発明のある実施例を示す。本発明の
この実施例では、図２に示したタイプの温度補償回路
が、ドライバ増幅器２６を経由して各々入力ワード線２
８に接続している。本図の実施例では、入力２０が、ア
ドレス線２４に接続したシリーズの出力を有するｎ−ス
テージ・リング・カウンタ２２にコマンドを呈する。ア
ドレス線２４は、この図示した実施例では、アドレス線
ごとに１つスイッチ、シリーズのＭＯＳＦＥＴスイッチ
２５に接続している。基準抵抗２９が、各々スイッチに
結合している。

【００１６】図２に関係して既に説明したように、基準
電圧Ｖ_rは、図のスイッチ２５がローにゲートされる時
に、温度依存性基準抵抗２９に定電流を送ると、基準抵
抗２９に生じる。スイッチ２５がハイにゲートされる時
に、基準電圧は、名目的にグランド・レベルになる。基
準電圧Ｖ_rは、ドライバ２６に対する入力電圧Ｖ_iとして
用いる。ドライバ２６は一般的に低出力状態になる。各
々ドライバは、オンされると、入力電圧Ｖ_iに追従する
出力電圧Ｖ_Oを生成する。本発明のある実施例に基づい
て、Ｖ_iは、選択したＭＯＳＦＥＴスイッチ２５がオン
にゲートされる時に名目的にゼロ・レベルになるか、又
は選択したＭＯＳＦＥＴスイッチ２５がオフにゲートす
る時に名目的にＶ_rレベルになる。

【００１７】引用した米国特許で説明したように、ワー
ド線２８は、データ抵抗３０によりビット線とワード線
との間に接続が構成されている選択されたセル・サイト
を除いて、ビット線４０から絶縁されている。データ抵
抗３０が存在するメモリ・セルにおいて、電流Ｉ_aはワ
ード線２８からビット線４０に流れる。電流Ｉ_aは、次
に、ビット線４０により感知増幅器４２に送られる。

【００１８】本発明のこの図示した実施例では、感知増
幅器４２は、利得が帰還抵抗４１から決まる帰還演算増
幅器である。従来技術から分かるように、感知増幅器４
２は、線形又は非線形モードで作動する。図の実施例で
は、帰還抵抗４１は、固定値であり、実質的に温度に関
係しない。感知増幅器４２の出力電圧は、電流Ｉ_aと帰
還抵抗４１とから決まる。電流Ｉ_aと帰還抵抗４１は共
に温度非依存性なので、出力電圧は、実質的に一定な状
態を保つ。

【００１９】図４は、図１に示したＲＯＭデバイスに適
用される、本発明の第２の実施例を示す。本発明のこの
実施例では、単一の定電流源２７と基準抵抗２９を用い
て、基準電圧Ｖ_rを生成する。基準電圧Ｖ_rは、図の実施
例では、ＣＭＯＳスイッチ２５を経由して各々のワード
線２８に印加される。図のように、ＣＭＯＳスイッチ２
５は、２つの相補型ＭＯＳＦＥＴスイッチ６２、６４か
ら成るインバータとして構成されている。本実施例で
は、選択したアドレス線２４がハイの時に、スイッチ６
４がオフにゲートされ、スイッチ６２がオンにゲートさ
れる。従って、ドライバ２６と対応するワード線２８に
対する入力の電圧レベルが、名目的にグランド・レベル
になる。しかし、選択したアドレス線２４がローの時に
は、スイッチ６４がオンにゲートし、ＭＯＳＦＥＴスイ
ッチ６２がオフにゲートされる。この場合、ドライバ２
６と対応するワード線２８に対する入力の電圧レベル
は、名目的に基準電圧Ｖ_rになる。本発明のこの実施例
は、同じ基準電圧が複数の入力ドライバ２６の各々に
選択的に印加されるので、図３のものと比べると優れて
いる。

【００２０】ポリシリコン・データ抵抗を採用する特殊
なＲＯＭの場合、非線形領域でデータ抵抗を作動する
と、更に効果的になる。ポリシリコンの特性は従来技術
で周知のことである。従来技術から周知のように、ポリ
シリコン抵抗を流れる電流は、下記から決まる。

【数１】Ｖ_Oは、絶対温度Ｔに比例し、ｋは、ボルツマン定数で
あり、Ｅ_Oは、約０．５ｅＶであり、シリコンの約半分
の禁制帯幅である。

【００２１】式１から、当業者には、電圧ＶがＶ_Oより
高い場合に、ポリシリコン材料の抵抗が非線形になるこ
とが理解されると思われる。ポリシリコン材料の特性に
ついては、１９８８年にボストンでＴｅｄ・Ｋａｍｉｎ
ｓ、Ｋｌｕｗｅｒ・Ａｃａｄｅｍｉｃ・Ｐｕｂｌｉｓｈ
ｅｒｓで発表した“集積回路アプリケーションのための
多結晶シリコン”第５章に詳細に記載してある。更に、
式１と２とから、電流Ｉ（ｖ）が、電圧と指数関数的に
関係し、温度と逆の関係にあるので、抵抗値の大きな変
動が電圧の僅かな変動から補償できることが分かる。本
発明の更に別の実施例では、データ抵抗３０を流れる電
流は、入力電流Ｉ_aに比例している。

【００２２】当業者には自明のように、基準電圧Ｖ
_rは、局部的に測定した温度からアナログで又はデジタ
ルで生成できる。更に、基準電圧は、ＲＯＭの外部又は
内部で生成することもできる。本発明の好ましい実施例
では、ポリシリコン基準抵抗とアナログ方式とを用い
て、基準電圧を生成している。

【００２３】ここに記した事例は、当業者が本発明を明
確に理解して実施するために提示されている。事例は、
本発明の範囲に対する限定と考えるべきでない。それ
は、本発明の使用例を図示して記載しているにすぎな
い。本発明の種々の修正と代替の実施例が、前述の説明
から当業者には明らかと思われる。従って、この説明
は、図解だけを意図しており、本発明を実施する最良モ
ードを当業者に示すことを意図しており、その考えられ
る全ての形態の図示を意図していない。用いた用語は、
制限するより説明するための用語であり、構造の詳細は
本発明の趣旨から逸脱せずに実質的に変更可能であり、
添付の請求項の範囲に属する全ての修正事項の独占的な
使用が確保されることも理解すべきである。

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、読取専用記憶装置の温
度補償のための方法と装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】抵抗性デバイスを用いて構成したＲＯＭデバイ
スの平面図である。

【図２】本発明の１つの実施例の回路図である。

【図３】図２に示し、図１に示したＲＯＭに包含される
本発明の実施例の平面図である。

【図４】図２に示し、図１に示したＲＯＭに包含され
る、本発明の第２の実施例である。

【符号の説明】

２４入力アドレス線２５スイッチ２６ドライバ２７定電流源２８ワード線２９基準抵抗３０データ抵抗４０ビット線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の出力ビット線に複数の入力ワード
線を相互接続するために複数のデータ抵抗を用いるＲＯ
Ｍデバイスにおいて、前記のデータ抵抗の選択された１
つに流れる電流を実質的に一定に維持する、温度補償回
路であって、前記の基準抵抗の導電性が温度の変化に応答する、少な
くとも１つの基準抵抗と、前記の少なくとも１つの基準抵抗に結合された定電流源
において、前記の少なくとも１つの基準抵抗に電圧を生
成させる、定電流源と、前記の入力ワード線に前記の電圧を選択的に結合するた
めに、前記の少なくとも１つの基準抵抗に接続されてい
る、少なくとも１つのスイッチとを備えている、温度補
償回路。
【請求項２】前記の基準抵抗の導電特性が、前記のデ
ータ抵抗の導電特性と同じになるように選択される、請
求項１に記載の温度補償回路。
【請求項３】前記のデータ抵抗がポリシリコン材料か
ら選択される、請求項２に記載の温度補償回路。
【請求項４】前記のポリシリコン材料がドーピングし
ていない、請求項３に記載の温度補償回路。
【請求項５】前記のポリシリコン材料がドーピングさ
れている、請求項３に記載の温度補償回路。
【請求項６】前記のデータ抵抗が金属酸化物から構成
されている、請求項２に記載の温度補償回路。
【請求項７】前記の基準抵抗の導電特性が前記のデー
タ抵抗の導電特性と実質的に類似している、請求項１に
記載の温度補償回路。
【請求項８】前記のデータ抵抗がポリシリコン材料か
ら選択される、請求項７に記載の温度補償回路。
【請求項９】前記のポリシリコン材料がドーピングさ
れていない、請求項８に記載の温度補償回路。
【請求項１０】前記のポリシリコン材料がドーピング
されている、請求項８に記載の温度補償回路。
【請求項１１】前記のデータ抵抗が金属酸化物から構
成されている、請求項８に記載の温度補償回路。
【請求項１２】前記の出力ビット線に結合された複数
の感知増幅器において、各々の出力線が少なくとも１つ
の感知増幅器を備え、前記の感知増幅器は前記のデータ
抵抗を流れる前記の一定の電流を入力し、前記の感知増
幅器の各々が一定の出力電圧を呈する、複数の感知増幅
器を更に備えている、請求項１に記載の温度補償回路。
【請求項１３】前記の感知増幅器は固定帰還抵抗Ｒを
もつ演算増幅器を備え、前記の増幅器の出力電圧が前記
の一定の電流の値と前記の帰還抵抗とから決定される、
請求項１２に記載の温度補償回路。
【請求項１４】前記の帰還抵抗が温度非依存性であ
る、請求項１３に記載の温度補償回路。
【請求項１５】前記の少なくとも１つのスイッチは、
前記のスイッチに対する入力がハイの時に、前記の入力
ワード線の選択された１つに前記の電圧を選択的に結合
する、請求項１に記載の温度補償回路。
【請求項１６】前記の少なくとも１つのスイッチは、
前記のスイッチに対する入力がローの時に、前記の入力
ワード線の選択された１つに前記の電圧を選択的に結合
する、請求項１に記載の温度補償回路。
【請求項１７】前記の感知増幅器は非線形領域で作動
される、請求項１２に記載の温度補償回路。
【請求項１８】前記の感知増幅器は線形領域で作動さ
れる、請求項１２に記載の温度補償回路。
【請求項１９】読取専用記憶装置（ＲＯＭ）に流れる
電流を、温度が変わる際に、実質的に一定に維持するた
めの方法であって、前記のＲＯＭは、複数の入力線と出
力線との間に電気的な相互接続を呈するために、複数の
データ抵抗を採用しており：更に、前記のデータ抵抗と実質的に類似の導電特性を有する基
準抵抗を選択するステップを；基準電圧を前記の入力線
に供給するステップであって、ここで前記の基準電圧は
一定の電流を前記の基準抵抗に供給することによって生
成され、前記の基準電圧が温度変化に対応している、基
準電圧を供給するステップとを備えている方法。
【請求項２０】前記のデータ抵抗がドーピングされて
いないポリシリコンから構成されている、請求項１９に
記載の方法。
【請求項２１】前記のデータ抵抗がドーピングされた
ポリシリコンから構成されている、請求項１９に記載の
方法。
【請求項２２】前記の基準電圧を供給するステップ
が、前記の基準電圧を前記のワード線に選択的に切り替
えるステップを更に備えている、請求項１９に記載の方
法。
【請求項２３】複数の出力ビット線に複数の入力ワー
ド線を相互接続するために複数のデータ抵抗を用いるＲ
ＯＭデバイスにおいて、前記のデータ抵抗の選択された
１つに流れる電流を実質的に一定に維持する、温度補償
回路であって、温度の変化に応答する電圧を生成する、少なくとも１つ
の電圧源と、前記の入力ワード線に前記の電圧を選択的に結合するた
めに、前記の少なくとも１つの電圧源に接続されてい
る、少なくとも１つのスイッチとを備えている温度補償
回路。
【請求項２４】前記の出力ビット線に結合された複数
の感知増幅器において、各々の出力線が少なくとも１つ
の感知増幅器を備え、前記の感知増幅器は前記のデータ
抵抗を流れる前記の一定の電流を入力し、前記の感知増
幅器の各々が一定の出力電圧を呈する、前記の複数の感
知増幅器を更に備えている、請求項２３に記載の温度補
償回路。
【請求項２５】前記の感知増幅器は固定帰還抵抗Ｒを
もつ演算増幅器を備え、前記の増幅器の出力電圧が前記
の一定の電流の値と前記の帰還抵抗とから決定される、
請求項２４に記載の温度補償回路。
【請求項２６】前記の帰還抵抗が温度非依存性であ
る、請求項２５に記載の温度補償回路。
【請求項２７】前記の感知増幅器は非線形領域で作動
される、請求項２４に記載の温度補償回路。
【請求項２８】前記の感知増幅器は線形領域で作動さ
れる、請求項２４に記載の温度補償回路。
【請求項２９】前記の少なくとも１つのスイッチは、
前記のスイッチに対する入力がハイの時に、前記の入力
ワード線の選択された１つに前記の電圧を選択的に結合
する、請求項２３に記載の温度補償回路。
【請求項３０】前記の少なくとも１つのスイッチは、
前記のスイッチに対する入力がローの時に、前記の入力
ワード線の選択された１つに前記の電圧を選択的に結合
する、請求項２３に記載の温度補償回路。
【請求項３１】前記の温度応答電圧は、前記のデータ
抵抗の電圧の変化を補償するように変化する、請求項２
３に記載の温度補償回路。
【請求項３２】読取専用記憶装置（ＲＯＭ）に流れる
電流を、温度が変わる際に、実質的に一定に維持するた
めの方法であって、前記のＲＯＭは、複数の入力線と出
力線との間に電気的な相互接続を呈するために、複数の
データ抵抗を採用しており：更に、前記の入力線に温度の変化に応答する基準電圧を供給
し、前記の基準電圧は前記のデータ抵抗に流れる前記の
電流を実質的に一定に維持するように変化する、供給ス
テップを更に備えている方法。
【請求項３３】前記の基準電圧を供給するステップ
が、前記の基準電圧を前記のワード線に選択的に切り替
えるステップを更に備えている、請求項３２に記載の方
法。