JP2001230082A

JP2001230082A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JP2001230082A
Application number: JP2000042530A
Authority: JP
Inventors: Tetsuji Inoue; 鉄司井上; Michio Arai; 三千男荒井
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-02-21
Filing date: 2000-02-21
Publication date: 2001-08-24
Anticipated expiration: 2020-02-21
Also published as: JP4631122B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】従来と同等かそれ以上の性能を有し、長寿
命、耐候性を備え、安定性高く、高効率で、安価であ
り、製造容易で、膜界面での物性が安定した有機ＥＬ素
子。【解決手段】基板と、この基板上に形成されたホール
注入電極と電子注入電極と、これらの電極間に設けられ
た有機物質を含有する発光層とを有し、この発光層と電
子注入電極の間には、無機電子注入輸送層を有し、発光
層とホール注入電極との間には無機ホール注入輸送層を
有し、発光層は、無機電子注入輸送層または無機ホール
注入輸送層とそれぞれ接する界面を有する第１の発光層
と第２の発光層とを有し、無機電子注入輸送層は、ホー
ルをブロックするとともに電子を搬送するための導電パ
スを有し、無機ホール注入輸送層は、電子をブロック
し、ホールを搬送するための導通パスをも有し、第１の
発光層および第２の発光層は、含有するホスト材料のバ
ンドギャップが２．８eV以上である構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（電界発
光）素子に関し、詳しくは、有機化合物の薄膜に電界を
印加して光を放出する素子に用いられる無機／有機接合
構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に
ＩＴＯなどの透明電極を形成し、その上に有機アミン系
のホール輸送層、電子導電性を示しかつ強い発光を示す
たとえばＡｌｑ3 材からなる有機発光層を積層し、さら
に、ＭｇＡｇなどの仕事関数の小さい電極を形成した構
造の基本素子としている。

【０００３】これまでに報告されている素子構造として
は、ホール注入電極及び電子注入電極の間に１層または
複数層の有機化合物層が挟まれた構造となっており、有
機化合物層としては、２層構造あるいは３層構造があ
る。

【０００４】２層構造の例としては、ホール注入電極と
電子注入電極の間にホール輸送層と発光層が形成された
構造または、ホール注入電極と電子注入電極の間に発光
層と電子輸送層が形成された構造がある。３層構造の例
としては、ホール注入電極と電子注入電極の間にホール
輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造があ
る。また、単一層に全ての役割を持たせた単層構造も高
分子や混合系で報告されている。

【０００５】図２および図３に、有機ＥＬ素子の代表的
な構造を示す。

【０００６】図２では基板１１上に設けられたホール注
入電極１２と電子注入電極１３の間に有機化合物である
ホール輸送層１４と発光層１５が形成されている。この
場合、発光層１５は、電子輸送層の機能も果たしてい
る。

【０００７】図３では、基板１１上に設けられたホール
注入電極１２と電子注入電極１３の間に有機化合物であ
るホール輸送層１４と発光層１５と電子輸送層１６が形
成されている。

【０００８】これら有機ＥＬ素子においては、共通し
て、信頼性が問題となっている。すなわち、有機ＥＬ素
子は、原理的にホール注入電極と、電子注入電極とを有
し、これら電極間から効率よくホール・電子を注入輸送
するための有機層を必要とする。しかしながら、これら
の材料は、製造時にダメージを受けやすく、電極との親
和性にも問題がある。また、電子注入用の電子注入電極
に仕事関数の低い金属を用いる必要がある。そのため、
材料としてＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどを用いらざるを得な
い。しかし、これらの材料は酸化し易く、安定性に欠
け、有機ＥＬ素子の寿命を律したり、信頼性の問題を招
く大きな要因となっている。さらに、有機薄膜の劣化も
ＬＥＤ、ＬＤに較べると著しく大きいという問題を有し
ている。

【０００９】また、有機材料は比較的高価なものが多
く、低コストの有機ＥＬ素子応用製品を提供するため
に、その一部の構成膜を安価な無機材料で置き換えるこ
とのメリットは大きい。

【００１０】さらに、今まで以上に発光効率を改善し、
より低い駆動電圧で、より消費電流の少ない素子の開発
も望まれている。

【００１１】このような問題を解決するために、有機材
料と無機半導体材料のそれぞれのメリットを利用する方
法が考えられている。すなわち、有機ホール輸送層を無
機ｐ型半導体に置き換えた有機／無機半導体接合であ
る。このような検討は、特許第２６３６３４１号、特開
平２−１３９８９３号公報、特開平２−２０７４８８号
公報、特開平６−１１９９７３号公報で検討されている
が、発光特性や基本素子の信頼性で素子従来の有機ＥＬ
を越える特性を得ることが不可能であった。

【００１２】また、赤色と青色等といった複数の発光色
や、広い発光波長帯域を得るために、発光層を２層以上
にしてそれぞれ発光極大波長の異なる蛍光物質を用いる
試みもなされている。しかしながら、下地となるホール
注入輸送層や、電子注入輸送層が有機物質からなる薄膜
層である場合、これらの膜を蒸着法等により成膜した後
に、さらに２層以上の発光層を所定の膜厚に成膜し、さ
らに必要により有機物質からなるホール注入輸送層や、
電子注入輸送層を成膜することとなり、各有機層の膜厚
管理や、ドーピング量の調整等、製造作業が困難である
ばかりか、それぞれの膜界面での物性安定させ、期待し
た通りの機能を果たさせることが困難であった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の有機物質を用いたホール注入輸送層や、電子注入輸送
層を有する素子と同等かそれ以上の性能を有し、長寿命
で、耐候性を備え、安定性が高く、高効率で、しかも安
価な有機ＥＬ素子を実現することである。

【００１４】また、発光層を２層以上とした場合にも、
製造が容易で、膜界面での物性が安定した有機ＥＬ素子
を実現することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の構成に
より達成される。（１）基板と、この基板上に形成されたホール注入電
極と電子注入電極と、これらの電極間に設けられた有機
物質を含有する発光層とを有し、この発光層と電子注入
電極の間には、無機電子注入輸送層を有し、前記発光層
とホール注入電極との間には無機ホール注入輸送層を有
し、前期発光層は、前記無機電子注入輸送層または無機
ホール注入輸送層とそれぞれ接する界面を有する第１の
発光層と第２の発光層とを有し、前記無機電子注入輸送
層は、ホールをブロックするとともに電子を搬送するた
めの導電パスを有する高抵抗の無機電子注入輸送層であ
り、、前記無機ホール注入輸送層は、電子をブロックす
るとともにホールを搬送するための導通パスを有する高
抵抗の無機ホール注入輸送層であり、、前記第１の発光
層および第２の発光層は、含有するホスト材料のバンド
ギャップが２．８eV以上である有機ＥＬ素子。（２）前記ホスト材料は、フェニルアントラセン誘導
体、またはテトラアリールジアミン誘導体である上記
（１）の有機ＥＬ素子。（３）前記第１の発光層および第２の発光層は、それ
ぞれ異なったドーパントがドーピングされている上記
（１）または（２）の有機ＥＬ素子。（４）前記第１の発光層および第２の発光層から得ら
れた発光が合成されて白色光として放出される上記
（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素子。（５）前記第１の発光層は無機電子注入輸送層と界面
を接し、かつホスト材料に青色蛍光物質がドーピングさ
れている上記（１）〜（４）のいずれかの有機ＥＬ素
子。（６）前記高抵抗の無機電子注入輸送層は、第１成分
として仕事関数４eV以下であって、アルカリ金属元素、
およびアルカリ土類金属元素、およびランタノイド系元
素から選択される１種以上の酸化物と、第２成分として
仕事関数３〜５eVの金属の１種以上とを含有する上記
（１）〜（５）のいずれかの有機ＥＬ素子。（７）前記第２成分は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｍ
およびＩｎから選択される１種以上である上記（６）の
有機ＥＬ素子。（８）前記アルカリ金属元素は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒ
ｂ，ＣｓおよびＦｒの１種以上であり、アルカリ土類金
属元素は、Ｍｇ，ＣａおよびＳｒの１種以上であり、ラ
ンタノイド系元素はＬａおよびＣｅから選択される１種
以上を有する上記（６）または（７）の有機ＥＬ素子。（９）前記高抵抗の無機電子注入輸送層は、その抵抗
率が１〜１×１０¹¹Ω・cmである上記（１）〜（８）の
いずれかの有機ＥＬ素子。（１０）前記高抵抗の無機電子注入輸送層は、第２成
分を全成分に対して、０．２〜４０ mol％含有する上記
（６）〜（９）のいずれかの有機ＥＬ素子。

【００１６】（１１）前記高抵抗の無機電子注入輸送
層の膜厚は、０．２〜３０nmである上記（１）〜（１
０）のいずれかの有機ＥＬ素子。（１２）前記高抵抗の無機ホール注入輸送層は、抵抗
率が１〜１×１０¹¹Ω・cmである上記（１）〜（１１）
のいずれかの有機ＥＬ素子。（１３）前記高抵抗の無機ホール注入輸送層は、金属
および／または金属の酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化
物および硼化物のいずれか１種以上を含有する上記
（１）〜（１２）のいずれかの有機ＥＬ素子。（１４）前記高抵抗の無機ホール注入輸送層は、シリ
コンおよび／またはゲルマニウムの酸化物を主成分と
し、この主成分を（Ｓｉ_1-xＧｅ_x）Ｏ_yと表したとき０≦ｘ≦１、１．７≦ｙ≦２．２であり、さらに、仕事関数４．５eV以上の金属および／または金
属の酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化物および硼化物の
いずれか１種以上を含有する上記（１）〜（１３）のい
ずれかの有機ＥＬ素子。（１５）前記金属は、Ａｕ，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒ
ｕ、Ｓｎ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｐｔ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，
ＰｄおよびＣｏのいずれか１種以上である上記（１４）
の有機ＥＬ素子。（１６）前記金属および／または金属の酸化物、炭化
物、窒化物、ケイ化物および硼化物の含有量は、０．２
〜４０ mol％である上記（１４）または（１５）のいず
れかの有機ＥＬ素子。（１７）前記高抵抗の無機ホール注入輸送層の膜厚
は、０．２〜１００nmである上記（１）〜（１６）のい
ずれかの有機ＥＬ素子。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子は、基板
と、この基板上に形成されたホール注入電極と電子注入
電極と、これらの電極間に設けられた有機物質を含有す
る発光層とを有し、この発光層と電子注入電極の間に
は、無機電子注入輸送層を有し、前記発光層とホール注
入電極との間には無機ホール注入輸送層を有し、前期発
光層は、前記無機電子注入輸送層または無機ホール注入
輸送層とそれぞれ接する界面を有する第１の発光層と第
２の発光層とを有し、前記無機電子注入輸送層は、ホー
ルをブロックするとともに電子を搬送するための導電パ
スを有し、前記無機ホール注入輸送層は、電子をブロッ
クするとともにホールを搬送するための導通パスを有
し、前記第１の発光層および第２の発光層は、含有する
ホスト材料のバンドギャップが２．８eV以上である。

【００１８】このように、無機材料からなる無機電子注
入輸送層、無機ホール注入輸送層を設け、これらの間に
発光層を配置することで、無機材料の有するメリット
と、有機材料の有するメリットとを併せもった有機ＥＬ
素子とすることができる。すなわち、発光層と電子注入
輸送層、ホール注入輸送層との界面での物性が安定し、
製造が容易になる。また、従来の有機ホール注入層、有
機電子注入層を有する素子と同等かそれ以上の輝度が得
られ、しかも、耐熱性、耐候性が高いので従来のものよ
りも寿命が長く、リークやダークスポットの発生も少な
い。また、比較的高価な有機物質ではなく、安価で入手
しやすい無機材料を用いているので、製造が容易とな
り、製造コストを低減することができる。

【００１９】無機ホール注入輸送層は、ホール注入電極
からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に
輸送する機能および電子を妨げる機能を有するものであ
り、無機電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注入を
容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホー
ルを妨げる機能を有するものである。これらの層は、発
光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、
再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００２０】すなわち、無機電子注入輸送層を、ホール
をブロックし、電子を搬送するための導通パスを有する
高抵抗の無機電子注入輸送層とすることにより、特別に
電子注入機能を有する電極を形成する必要がなく、比較
的安定性が高く、導電率の良好な金属電極を用いること
ができる。そして、無機電子注入輸送層の電子注入輸送
効率が向上すると共に、素子の寿命が延びることにな
る。また、無機ホール注入輸送層を、ホールをブロック
し、電子を搬送するための導通パスを有する高抵抗の無
機ホール注入輸送層とすることにより、ホール注入電極
から発光層側の有機層へ効率よくホールを注入すること
ができる。しかも、有機層からホール注入電極への電子
の移動を抑制することができ、発光層でのホールと電子
との再結合を効率よく行わせることができる。

【００２１】特に、発光層を２層構造とした場合、それ
ぞれの発光層と、無機電子注入輸送層、無機ホール注入
輸送層と接する界面が安定し、発光層の物性が安定する
とともに、発光層の形成自体が容易となり、量産工程に
おいても製造が容易となり、しかも安定した特性と品質
を維持することができる。

【００２２】２つの発光層には、バンドギャップ２．８
eV以上、好ましくは２．８〜３．１eVのホスト物質が含
有されている。ホスト物質は、好ましくは２つの発光層
にそれぞれ異なったものを用いる。本発明では、ホスト
物質として、フェニルアントラセン誘導体、テトラアリ
ールジアミン誘導体を用いることが望ましい。

【００２３】２つの発光層には、好ましくは上記ホスト
物質のほか、ドーパントを有する。ドーパントとして
は、２つの発光層でそれぞれ異なった発光波長が得られ
るよう、異なった化合物であることが望ましい。また、
例えば、青色−黄色等のように、２つの発光層での発光
を組み合わせることにより、白色が得られるような化合
物を用いるとよい。この場合、好ましくは短波長側の発
光を得る発光層を電子注入電極側（基板側にホール注入
電極があり、基板側より光り取り出しを行う通常の積層
構成）に配置する。

【００２４】本発明におけるフェニルアントラセン誘導
体は、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。式（Ａ）Ａ₁₀₁ −Ｌ−Ａ₁₀₂ 〔式（Ａ）において、Ａ₁₀₁ およびＡ₁₀₂ は、各々モノ
フェニルアントリル基またはジフェニルアントリル基を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。Ｌ
は単結合または二価の連結基を表す。〕

【００２５】上記式（Ａ）、好ましくは下記化１、化２
に示される化合物を発光層に含有することにより、緑〜
青色の発光が１００００cdm^-2 程度、あるいはそれ以上
の高輝度で安定して得られる。また、耐熱性・耐久性が
高く、素子電流密度も１０００mAcm^-2程度でも安定した
駆動が可能である。

【００２６】

【化１】

【００２７】

【化２】

【００２８】上記化合物の蒸着膜は安定なアモルファス
状態なので、薄膜の膜物性が良好となりムラがなく均一
な発光が可能である。また、大気下で一年以上安定であ
り結晶化を起こさない。

【００２９】また、クロロホルム溶液でスピンコートし
ても安定なアモルファス状態の薄膜を形成することが可
能である。また、上記化合物を用いることにより、低駆
動電圧で効率よく発光し、その発光極大波長は、４００
〜７００nm程度である。

【００３０】式（Ａ）について説明すると、Ａ₁₀₁ およ
びＡ₁₀₂ は、各々モノフェニルアントリル基またはジフ
ェニルアントリル基を表し、これらは同一でも異なるも
のであってもよい。

【００３１】Ａ₁₀₁ 、Ａ₁₀₂ で表されるモノフェニルア
ントリル基またはジフェニルアントリル基は、無置換で
も置換基を有するものであってもよく、置換基を有する
場合の置換基としては、アルキル基、アリール基、アル
コキシ基、アリーロキシ基、アミノ基等が挙げられ、こ
れらの置換基はさらに置換されていてもよい。これらの
置換基については後述する。また、このような置換基の
置換位置は特に限定されないが、アントラセン環ではな
く、アントラセン環に結合したフェニル基であることが
好ましい。

【００３２】また、アントラセン環におけるフェニル基
の結合位置はアントラセン環の９位、１０位であること
が好ましい。

【００３３】式（Ａ）において、Ｌは単結合または二価
の基を表すが、Ｌで表される二価の基としてはアルキレ
ン基等が介在してもよいアリーレン基が好ましい。この
ようなアリーレン基については後述する。

【００３４】式（Ａ）で示されるフェニルアントラセン
誘導体のなかでも、化１、化２で示されるものが好まし
い。化１について説明すると、化１において、Ｍ₁ およ
びＭ ₂ は、各々アルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アミノ基または
複素環基を表す。

【００３５】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるアルキル基として
は、直鎖状でも分岐を有するものであってもよく、炭素
数１〜１０、さらには１〜４の置換もしくは無置換のア
ルキル基が好ましい。特に、炭素数１〜４の無置換のア
ルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、
（ｎ−，ｉ−）プロピル基、（ｎ−，ｉ−，ｓ−，ｔ
−）ブチル基等が挙げられる。

【００３６】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるシクロアルキル基と
しては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げ
られる。

【００３７】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるアリール基として
は、炭素数６〜２０のものが好ましく、さらにはフェニ
ル基、トリル基等の置換基を有するものであってもよ
い。具体的には、フェニル基、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）ト
リル基、ピレニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフ
ェニル基、フェニルアントリル基、トリルアントリル基
等が挙げられる。

【００３８】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるアルケニル基として
は、総炭素数６〜５０のものが好ましく、無置換のもの
であってもよいが置換基を有するものであってもよく、
置換基を有する方が好ましい。このときの置換基として
は、フェニル基等のアリール基が好ましい。具体的に
は、トリフェニルビニル基、トリトリルビニル基、トリ
ビフェニルビニル基等が挙げられる。

【００３９】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるアルコキシ基として
は、アルキル基部分の炭素数が１〜６のものが好まし
く、具体的にはメトキシ基、エトキシ基等が挙げられ
る。アルコキシ基は、さらに置換されていてもよい。

【００４０】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるアリーロキシ基とし
ては、フェノキシ基等が挙げられる。

【００４１】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表されるアミノ基は、無置換
でも置換基を有するものであってもよいが、置換基を有
することが好ましく、この場合の置換基としてはアルキ
ル基（メチル基、エチル基等）、アリール基（フェニル
基等）などが挙げられる。具体的にはジエチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、ジ（ｍ−トリル）アミノ基等
が挙げられる。

【００４２】Ｍ₁ 、Ｍ₂ で表される複素環基としては、
ビピリジル基、ピリミジル基、キノリル基、ピリジル
基、チエニル基、フリル基、オキサジアゾイル基等が挙
げられる。これらは、メチル基、フェニル基等の置換基
を有していてもよい。

【００４３】化１において、ｑ１およびｑ２は、各々、
０または１〜５の整数を表し、特に、０または１である
ことが好ましい。ｑ１およびｑ２が、各々、１〜５の整
数、特に１または２であるとき、Ｍ₁ およびＭ₂ は、各
々、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキ
シ基、アリーロキシ基、アミノ基であることが好まし
い。

【００４４】化１において、Ｍ₁ とＭ₂ とは同一でも異
なるものであってもよく、Ｍ₁ とＭ ₂ とが各々複数存在
するとき、Ｍ₁ 同士、Ｍ₂ 同士は各々同一でも異なるも
のであってもよく、Ｍ₁ 同士あるいはＭ₂ 同士は結合し
てベンゼン環等の環を形成してもよく、環を形成する場
合も好ましい。

【００４５】化１において、Ｌ₁ は単結合またはアリー
レン基を表す。Ｌ₁ で表されるアリーレン基としては、
無置換であることが好ましく、具体的にはフェニレン
基、ビフェニレン基、アントリレン基等の通常のアリー
レン基の他、２個ないしそれ以上のアリーレン基が直接
連結したものが挙げられる。Ｌ₁ としては、単結合、ｐ
−フェニレン基、４，４′−ビフェニレン基等が好まし
い。

【００４６】また、Ｌ₁ で表されるアリーレン基は、２
個ないしそれ以上のアリーレン基がアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−または−ＮＲ−が介在して連結するものであ
ってもよい。ここで、Ｒはアルキル基またはアリール基
を表す。アルキル基としてはメチル基、エチル基等が挙
げられ、アリール基としてはフェニル基等が挙げられ
る。なかでも、アリール基が好ましく、上記のフェニル
基のほか、Ａ₁₀₁ 、Ａ₁₀ ₂ であってもよく、さらにはフ
ェニル基にＡ₁₀₁ またはＡ₁₀₂ が置換したものであって
もよい。

【００４７】また、アルキレン基としてはメチレン基、
エチレン基等が好ましい。このようなアリーレン基の具
体例を以下に示す。

【００４８】

【化３】

【００４９】次に、化２について説明すると、化２にお
いて、Ｍ₃ およびＭ₄ は化１におけるＭ₁ およびＭ₂
と、またｑ３およびｑ４は化１におけるｑ１およびｑ２
と、さらにＬ₂ は化１におけるＬ₁ とそれぞれ同義であ
り、好ましいものも同様である。

【００５０】化２において、Ｍ₃ とＭ₄ とは同一でも異
なるものであってもよく、Ｍ₃ とＭ ₄ が各々複数存在す
るとき、Ｍ₃ 同士、Ｍ₄ 同士は、各々同一でも異なるも
のであってもよく、Ｍ₃ 同士あるいはＭ₄ 同士は結合し
てベンゼン環等の環を形成してもよく、環を形成する場
合も好ましい。

【００５１】化１、化２で表される化合物を以下に例示
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、化４、化６、化８、化１０、化１２、化１４、化１
６では一般式を示し、化５、化７、化９、化１１、化１
３、化１５、化１７、化１８で、各々対応する具体例を
Ｍ₁₁〜Ｍ₁₅、Ｍ₂₁〜Ｍ₂₅あるいはＭ₃₁〜Ｍ₃₅、Ｍ₄₁〜Ｍ
₄₅の組合せで示している。

【００５２】

【化４】

【００５３】

【化５】

【００５４】

【化６】

【００５５】

【化７】

【００５６】

【化８】

【００５７】

【化９】

【００５８】

【化１０】

【００５９】

【化１１】

【００６０】

【化１２】

【００６１】

【化１３】

【００６２】

【化１４】

【００６３】

【化１５】

【００６４】

【化１６】

【００６５】

【化１７】

【００６６】

【化１８】

【００６７】

【化１９】

【００６８】

【化２０】

【００６９】

【化２１】

【００７０】

【化２２】

【００７１】本発明に用いるフェニルアントラセン誘導
体は、（１）ハロゲン化ジフェニルアントラセン化合物
を、Ｎｉ（ｃｏｄ）₂ 〔ｃｏｄ：１，５−シクロオクタ
ジエン〕でカップリング、もしくはジハロゲン化アリー
ルをグリニャール化しＮｉＣｌ₂ （ｄｐｐｅ）［ｄｐｐ
ｅ：ジフェニルフォスフィノエタン］、ＮｉＣｌ₂ （ｄ
ｐｐｐ）〔ｄｐｐｐ：ジフェニルフォスフィノプロパ
ン〕、などのＮｉ錯体などを用いてクロスカップリング
する方法、（２）アントラキノン、ベンゾキノン、フェ
ニルアンスロンもしくはビアントロンとグリニャール化
したアリールもしくはリチオ化したアリールとの反応お
よび還元によりクロスカップリングする方法、等により
得られる。

【００７２】このようにして得られた化合物は、元素分
析、質量分析、赤外吸収スペクトル、 ¹Ｈまたは¹³Ｃ核
磁気共鳴吸収（ＮＭＲ）スペクトルなどによって同定す
ることができる。

【００７３】フェニルアントラセン誘導体は、４００〜
２０００程度、さらには４００〜１０００程度の分子量
をもち、２００〜５００℃の高融点を有し、８０〜２５
０℃、さらには１００〜２５０℃、よりさらには１３０
〜２５０℃、特に１５０〜２５０℃のガラス転移温度
（Ｔｇ）を示す。従って、通常の真空蒸着等により透明
で室温以上でも安定なアモルファス状態の平滑で良好な
膜を形成し、しかもその良好な膜の状態が長期間に渡っ
て維持される。

【００７４】フェニルアントラセン誘導体は、比較的ニ
ュートラルな化合物なので、発光層に用いると好ましい
結果を得ることができる。また、組み合わせる発光層、
電子注入輸送層やホール注入輸送層のキャリア移動度や
キャリア密度（イオン化ポテンシャル・電子親和力によ
り決まる）を考慮しながら、膜厚をコントロールするこ
とで、再結合領域・発光領域を自由に設計することが可
能であり、発光色の設計や、両電極の干渉効果による発
光輝度・発光スペクトルの制御や、発光の空間分布の制
御を可能にできる。

【００７５】本発明に用いるテトラアリールジアミン誘
導体は、融点やガラス転移温度が高く、その蒸着等によ
り成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安定なアモル
ファス状態を形成し、長期間に渡って平滑で良好な膜質
を示す。

【００７６】従ってバインダー樹脂を用いることなく、
それ自体で薄膜化することができる。

【００７７】この効果は、以下のことに起因していると
考えられる。

【００７８】分子量を増して高融点にしたこと。立体障害のあるフェニル基のようなバルキーな置換
基を導入して分子間の重なりを最適化していること。分子の取り得るコンフォーメーション数が多く、分
子の再配列が妨げられていること。

【００７９】また、分子中にＮ−フェニル基等のホール
注入輸送単位を多く含み、Ｒ₁ 〜Ｒ ₄ にフェニル基を導
入してビフェニル基にすることでπ共役系が広がり、キ
ャリア移動に有利になり、ホール注入輸送能にも非常に
優れる。

【００８０】従って、下記化２３で表されるテトラアリ
ールジアミン誘導体を用いることにより、ムラのない均
一な面発光が可能であり、高輝度が長時間に渡って安定
して得られる。波長によっても異なるが１００〜１００
０００cd/m² 程度、あるいはそれ以上の高輝度が安定し
て得られる。なお、本発明の有機ＥＬ素子の発光極大波
長は、３５０〜７００nm程度である。

【００８１】また、耐熱性・耐久性が高く、素子電流密
度が１A/cm² 程度以上でも安定した駆動が可能である。

【００８２】さらには、テトラアリールジアミン誘導体
を発光層に用いることによりエネルギーレベルが最適に
なり、界面においてキャリアが効果的にブロッキングさ
れるため、安定したキャリアの再結合および発光が起こ
る。特に、このホール注入輸送機能を有する発光層と接
する電子注入輸送層とのイオン化ポテンシャルＩｐの差
が最適化されて、界面におけるキャリアブロッキング効
果が高まり、極性的に劣勢あるいは不安定なキャリアの
注入はより起こりにくくなるので、各層の有機化合物が
ダメージを受けにくくなり、キャリア再結合領域や発光
領域で、キャリアや励起子の失活ポイントを生じにくく
なる。その結果、安定した発光が得られ、寿命が大幅に
向上する。

【００８３】また、テトラアリールジアミン誘導体を含
有する発光層に蛍光性物質をドープする構成では、ホー
ル注入輸送層と接する発光層と接する電子注入輸送層と
のイオン化ポテンシャルＩｐの差が最適化されて、界面
におけるキャリアブロッキング効果が高まり、極性的に
劣勢あるいは不安定なキャリアの注入は起こりにくくな
るので、発光層の有機化合物がダメージを受けにくくな
り、キャリア再結合領域や発光領域で、キャリアや励起
子の失活ポイントを生じにくくなる。また、特に蛍光性
物質としてルブレンをドープする場合、ルブレンはバイ
ボーラーな輸送性を有しており、ルブレンでもキャリア
再結合が起こるので、その分さらに有機化合物が受ける
ダメージは少なくなる。また、さらにルブレンがキャリ
ア再結合領域近傍に存在するため、励起子からルブレン
へのエネルギー移動が起こり、非放射的失活が少なくな
り、その結果、安定した発光が得られ、寿命が大幅に向
上する。

【００８４】本発明に用いるテトラアリールジアミン誘
導体は、下記の化２３で示される構造を有するものが好
ましい。

【００８５】

【化２３】

【００８６】化２３について説明すると、化２３におい
て、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は、それぞれアリール基、アルキル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロ
ゲン原子を表し、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ のうちの少なくとも１個は
アリール基である。ｒ１〜ｒ４は、それぞれ０または１
〜５の整数であり、ｒ１〜ｒ４は同時に０になることは
ない。従って、ｒ１＋ｒ２＋ｒ３＋ｒ４は１以上の整数
であり、少なくとも１つのアリール基が存在する条件を
満たす数である。Ｒ₅ およびＲ₆ は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ５
およびｒ６は、それぞれ０または１〜４の整数である。

【００８７】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアリール基として
は、単環もしくは多環のものであってよく、縮合環や環
集合も含まれる。総炭素数は６〜２０のものが好まし
く、置換基を有していてもよい。この場合の置換基とし
ては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

【００８８】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアリール基の具体例
としては、フェニル基、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル
基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、ナフチ
ル基、アントリル基、ビフェニリル基、フェニルアント
リル基、トリルアントリル基等が挙げられ、特にフェニ
ル基が好ましく、アリール基、特にフェニル基の結合位
置は３位（Ｎの結合位置に対してメタ位）または４位
（Ｎの結合位置に対してパラ位）であることが好まし
い。

【００８９】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアルキル基として
は、直鎖状でも分岐を有するものであってもよく、炭素
数１〜１０のものが好ましく、置換基を有していてもよ
い。この場合の置換基としてはアリール基と同様のもの
が挙げられる。

【００９０】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアルキル基として
は、メチル基、エチル基、（ｎ−，ｉ−）プロピル基、
（ｎ−，ｉ−，ｓ−，ｔ−）ブチル基等が挙げられる。

【００９１】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアルコキシ基として
は、アルキル部分の炭素数１〜６のものが好ましく、具
体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が
挙げられる。アルコキシ基はさらに置換されていてもよ
い。

【００９２】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアリールオキシ基と
しては、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−
（ｔ−ブチル）フェノキシ基等が挙げられる。

【００９３】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアミノ基としては、
無置換でも置換基を有するものであってもよいが、置換
基を有するものが好ましく、具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリル
アミノ基、ジビフェニリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ
−トリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−ナフチルアミノ
基、Ｎ−フェニル−Ｎ−ビフェニリルアミノ基、Ｎ−フ
ェニル−Ｎ−アントリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−
ピレニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ジアントリル
アミノ基、ジピレニルアミノ基等が挙げられる。

【００９４】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるハロゲン原子として
は、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

【００９５】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ のうちの少なくとも１個はアリ
ール基であるが、特にＲ₁ 〜Ｒ₄ として１分子中にアリ
ール基が２〜４個存在することが好ましく、ｒ１〜ｒ４
のなかの２〜４個が１以上の整数であることが好まし
い。特に、アリール基は分子中に総計で２〜４個存在
し、より好ましくはｒ１〜ｒ４のなかの２〜４個が１で
あり、さらにはｒ１〜ｒ４が１であり、含まれるＲ₁ 〜
Ｒ₄ のすべてがアリール基であることが好ましい。すな
わち、分子中のＲ₁ 〜Ｒ₄ が置換していてもよい４個の
ベンゼン環には総計で２〜４個のアリール基が存在し、
２〜４個のアリール基の結合するベンゼン環は４個のベ
ンゼン環のなかで同一でも異なるものであってもよい
が、特に２〜４個のアリール基がそれぞれ異なるベンゼ
ン環に結合することが好ましい。そして、さらに少なく
とも２個がＮの結合位置に対してパラ位またはメタ位に
結合していることがより好ましい。また、この際アリー
ル基としては少なくとも１個がフェニル基であることが
好ましく、すなわちアリール基とベンゼン環が一緒にな
ってＮ原子に対し４−または３−ビフェニリル基を形成
することが好ましい。特に２〜４個が４−または３−ビ
フェニリル基であることが好ましい。４−または３−ビ
フェニリル基は一方のみでも両者が混在していてもよ
い。また、フェニル基以外のアリール基としては、特に
（１−，２−）ナフチル基、（１−，２−，９−）アン
トリル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基な
どが好ましく、フェニル基以外のアリール基も特にＮの
結合位置に対しパラ位またはメタ位に結合することが好
ましい。これらのアリール基もフェニル基と混在してい
てもよい。

【００９６】化２３において、Ｒ₅ 、Ｒ₆ で表されるア
ルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子とし
てはＲ₁ 〜Ｒ₄ のところで挙げたものと同様のものが挙
げられる。

【００９７】ｒ５、ｒ６は、ともに０であることが好ま
しく、２つのアリールアミノ基を連結するビフェニレン
基は無置換のものが好ましい。

【００９８】なお、ｒ１〜ｒ４が２以上の整数のとき、
各Ｒ₁ 〜Ｒ₄ 同士は各々同一でも異なるものであっても
よい。また、ｒ５、ｒ６が２以上の整数のとき、Ｒ₅ 同
士、Ｒ₆ 同士は同一でも異なるものであってもよい。

【００９９】化２３の化合物のなかでも、下記の化２４
または化２５で表される化合物が好ましい。

【０１００】

【化２４】

【０１０１】

【化２５】

【０１０２】まず、化２４について説明すると、化２４
において、Ａ₁ 〜Ａ₄ は、それぞれＮの結合位置に対し
てパラ位（４位）またはメタ位（３位）に結合するフェ
ニル基を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。これらのフェニル基はさらに置換基を有していて
もよく、この場合の置換基としてはＲ₁ 〜Ｒ₄ で表され
るアリール基のところで挙げた置換基と同様のものを挙
げることができる。Ｒ ₇ 〜Ｒ₁₀はそれぞれアルキル基、
アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ
基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。これらの具体例としては化２３の
Ｒ₁ 〜Ｒ₄ のところで挙げたものと同様のものを挙げる
ことができる。

【０１０３】ｒ７〜ｒ１０はそれぞれ０または１〜４の
整数であり、ｒ７〜ｒ１０は０であることが好ましい。

【０１０４】また、化２４において、Ｒ₅ 、Ｒ₆ 、ｒ５
およびｒ６は化２３のものと同義であり、ｒ５＝ｒ６＝
０であることが好ましい。

【０１０５】なお、化２４において、ｒ７〜ｒ１０が各
々２以上の整数であるとき、各Ｒ₇〜Ｒ₁₀同士は同一で
も異なるものであってもよい。

【０１０６】次に、化２５について説明すると、化２５
において、ＡｒはＮの結合位置のパラ位またはメタ位に
結合するアリール基を表す。アリール基としては、化２
３のＲ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアリール基のところで例示し
たものと同様のものを挙げることができ、特にフェニル
基が好ましい。この場合、アリール基はさらに置換され
ていてもよく、このような置換基としてはＲ₁ 〜Ｒ₄ の
ところで例示したものを挙げることができる。置換基と
してはアミノ基が好ましい。ただし、アミノ基は、場合
によっては環化して複素環基となっていてもよい。具体
的にはＲ₁ 〜Ｒ ₄ で表されるアミノ基のなかから選択す
ることができる。Ｚ₁ 、Ｚ₂ およびＺ₃は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。これらの具体例として
は化２３のＲ₁ 〜Ｒ₄ のところで挙げたものと同様のも
のを挙げることができる。ただし、Ｚ₁ 、Ｚ₂ およびＺ
₃ のうちの少なくとも１個はＮの結合位置のパラ位また
はメタ位に結合するアリール基を表すが、Ａｒ、Ｚ ₁ 〜
Ｚ₃ のすべてが同時にＮの結合位置に対してパラ位また
はメタ位に結合するフェニル基となることはなく、４個
のベンゼン環の２〜３個がパラ位またはメタ位にそれぞ
れ１個のアリール基を有することが好ましい。従って、
Ｚ₁ 〜Ｚ₂ のうちの１個または２個がこのようなアリー
ル基であることが好ましい。アリール基としては、（１
−，２−）ナフチル基、（１−，２−，９−）アントリ
ル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基等も好
ましいが、フェニル基が最も好ましい。

【０１０７】また、Ｚ₁ 〜Ｚ₃ で表される上記アリール
基は置換基を有していてもよく、置換基としてはＲ₁ 〜
Ｒ₄ のところで例示したものを挙げることができる。特
に、置換基としてはアミノ基が好ましい。具体的には、
Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で表されるアミノ基から選択することができ
る。ｓ１〜ｓ３は、それぞれ０または１〜５の整数であ
るが、これらは同時に０になることはなく、その和は１
以上の整数である。ｓ１〜ｓ３は、それぞれ０または１
であることが好ましく、さらにはｓ１〜ｓ３の１個また
は２個が１であり、残りが０であるような組合せが好ま
しく、この場合ｓ１〜ｓ３が１であるときに含まれるＺ
₁ 〜Ｚ₃ は、Ｎの結合位置に対してパラ位またはメタ位
に結合するアリール基、特にフェニル基であることが好
ましい。

【０１０８】なお、化２５において、ｓ１〜ｓ３が２以
上の整数のとき、各Ｚ₁ 〜Ｚ₃ 同士は各々同一でも異な
るものであってもよい。また、化２５のＲ₀ およびｒ０
は化２４のＲ₇ およびｒ７と各々同義であり、化２５の
Ｒ₅ 、Ｒ₆ 、ｒ５およびｒ６は化２５のものと各々同義
であり、好ましいものも同様である。

【０１０９】化２４の化合物のなかでも、下記化２６〜
化３１で表される化合物が好ましい。

【０１１０】

【化２６】

【０１１１】

【化２７】

【０１１２】

【化２８】

【０１１３】

【化２９】

【０１１４】

【化３０】

【０１１５】

【化３１】

【０１１６】化２６〜化３１の各々において、Ｒ₁₁〜Ｒ
₁₄は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。こ
れらの具体例としてはＲ₁ 〜Ｒ ₄ のところで挙げたもの
と同様のものを挙げることができる。

【０１１７】ｒ１１〜ｒ１４はそれぞれ０または１〜５
の整数であり、ｒ１１〜ｒ１４は、化２６〜化３１のい
ずれにおいても０であることが好ましい。

【０１１８】なお、ｒ１１〜ｒ１４が各々２以上の整数
であるとき、各Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄同士は同一でも異なるもので
あってもよい。

【０１１９】化２６〜化３１の各々において、Ｒ₅ 〜Ｒ
₁₀およびｒ５〜ｒ１０は、それぞれ化５のものと同義で
あり、好ましいものも同様である。

【０１２０】一方、化２５の化合物のなかでも下記化３
２〜化３７で表される化合物が好ましい。

【０１２１】

【化３２】

【０１２２】

【化３３】

【０１２３】

【化３４】

【０１２４】

【化３５】

【０１２５】

【化３６】

【０１２６】

【化３７】

【０１２７】化３２〜化３７の各々に示されるＡｒ₁ 〜
Ａｒ₆ はそれぞれアリール基を表し、化３２のＡｒ₁ と
Ａｒ₂ 、化３３のＡｒ₁ とＡｒ₃ 、化３４のＡｒ₁ とＡ
ｒ₂とＡｒ₃ 、化３５のＡｒ₄ とＡｒ₅ 、化３６のＡｒ₄
とＡｒ₆ 、化３７のＡｒ₄とＡｒ₅ とＡｒ₆ とは、それ
ぞれ同一でも異なるものであってもよい。アリール基の
具体例としては化２３のＲ₁ 〜Ｒ₄ のところのものと同
様のものを挙げることができ、フェニル基が特に好まし
い。

【０１２８】化３２〜化３７のＲ₁₅、化３２、化３４、
化３５、化３７のＲ₁₆、化３３、化３４、化３６、化３
７のＲ₂₀は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原
子を表し、化３２、化３５のＲ₁₅とＲ₁₆、化３３、化３
６のＲ₁₅とＲ₂₀、化３４、化３７のＲ₁₅とＲ₁₆とＲ₂₀と
はそれぞれ同一でも異なるものであってもよい。これら
の具体例としては化２３のＲ₁ 〜Ｒ₄ のところで挙げた
ものと同様のものを挙げることができる。

【０１２９】化３２〜化３７のｒ１５、化３２、化３
４、化３５、化３７のｒ１６、化３３、化３４、化３
６、化３７のｒ２０は、０または１〜４の整数である
が、ｒ１５、ｒ１６、ｒ２０は０であることが好まし
い。

【０１３０】化３２、化３５のＲ₁₇、化３２〜化３７の
Ｒ₁₈、化３３、化３６のＲ₁₉は、それぞれアルキル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロ
ゲン原子を表し、化３２、化３５のＲ₁₇とＲ₁₈、化３
３、化３６のＲ₁₈とＲ₁₉とはそれぞれ同一でも異なるも
のであってもよい。これらの具体例としては化２３のＲ
₁ 〜Ｒ₄ のところで挙げたものと同様のものを挙げるこ
とができる。

【０１３１】化３２、化３５のｒ１７、化３２〜化３７
のｒ１８、化３３、化３６のｒ１９は、０または１〜５
の整数であるが、ｒ１７、ｒ１８、ｒ１９は０であるこ
とが好ましい。

【０１３２】なお、化３２〜化３７において、ｒ１５、
ｒ１６、ｒ２０が２以上の整数であるとき、Ｒ₁₅同士、
Ｒ₁₆同士、Ｒ₂₀同士は各々同一でも異なるものであって
もよく、ｒ１７、ｒ１８、ｒ１９が２以上の整数である
とき、Ｒ₁₇同士、Ｒ₁₈同士、Ｒ₁₉同士は各々同一でも異
なるものであってもよい。

【０１３３】化３２〜化３７の各々において、Ｒ₅ 、Ｒ
₆ 、ｒ５およびｒ６は化４のものと同義であり、ｒ５＝
ｒ６＝０であることが好ましい。

【０１３４】以下に、化２３の化合物の具体例を示す
が、本発明はこれに限定されるものではない。なお、化
３８、化４４、化４９、化５４、化６０、化６５、化７
１、化７７、化８５、化９１、化９７、化１０２は一般
式であり、化３９〜４３、化４５〜４８、化５０〜５
３、化５５〜５９、化６１〜６４、化６６〜７０、化７
２〜７６、化７８〜８４、化８６〜８９、化９２〜９
６、化９８〜１０１、化１０３〜１０７にＲ¹ 等の組合
せで具体例を示している。この表示において、Ａｒ₁〜
Ａｒ₆ を除いて、すべてＨのときはＨで示しており、置
換基が存在するときは置換基のみを示すものとし、他の
ものはＨであることを意味している。

【０１３５】

【化３８】

【０１３６】

【化３９】

【０１３７】

【化４０】

【０１３８】

【化４１】

【０１３９】

【化４２】

【０１４０】

【化４３】

【０１４１】

【化４４】

【０１４２】

【化４５】

【０１４３】

【化４６】

【０１４４】

【化４７】

【０１４５】

【化４８】

【０１４６】

【化４９】

【０１４７】

【化５０】

【０１４８】

【化５１】

【０１４９】

【化５２】

【０１５０】

【化５３】

【０１５１】

【化５４】

【０１５２】

【化５５】

【０１５３】

【化５６】

【０１５４】

【化５７】

【０１５５】

【化５８】

【０１５６】

【化５９】

【０１５７】

【化６０】

【０１５８】

【化６１】

【０１５９】

【化６２】

【０１６０】

【化６３】

【０１６１】

【化６４】

【０１６２】

【化６５】

【０１６３】

【化６６】

【０１６４】

【化６７】

【０１６５】

【化６８】

【０１６６】

【化６９】

【０１６７】

【化７０】

【０１６８】

【化７１】

【０１６９】

【化７２】

【０１７０】

【化７３】

【０１７１】

【化７４】

【０１７２】

【化７５】

【０１７３】

【化７６】

【０１７４】

【化７７】

【０１７５】

【化７８】

【０１７６】

【化７９】

【０１７７】

【化８０】

【０１７８】

【化８１】

【０１７９】

【化８２】

【０１８０】

【化８３】

【０１８１】

【化８４】

【０１８２】

【化８５】

【０１８３】

【化８６】

【０１８４】

【化８７】

【０１８５】

【化８８】

【０１８６】

【化８９】

【０１８７】

【化９０】

【０１８８】

【化９１】

【０１８９】

【化９２】

【０１９０】

【化９３】

【０１９１】

【化９４】

【０１９２】

【化９５】

【０１９３】

【化９６】

【０１９４】

【化９７】

【０１９５】

【化９８】

【０１９６】

【化９９】

【０１９７】

【化１００】

【０１９８】

【化１０１】

【０１９９】

【化１０２】

【０２００】

【化１０３】

【０２０１】

【化１０４】

【０２０２】

【化１０５】

【０２０３】

【化１０６】

【０２０４】

【化１０７】

【０２０５】

【化１０８】

【０２０６】

【化１０９】

【０２０７】上記テトラアリールジアミン誘導体は、Je
an Piccard, Herr. Chim. Acta., 7, 789(1924) 、Jean
Piccard, J. Am. Chem. Soc., 48, 2878(1926) 等に記
載の方法に従って、あるいは準じて合成することができ
る。具体的には、目的とする化合物に応じ、ジ（ビフェ
ニル）アミン化合物とジヨードビフェニル化合物、ある
いはＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジン化合物とヨードビフ
ェニル化合物、などの組合せで、銅の存在下で加熱する
こと（ウルマン反応）によって得られる。

【０２０８】上記テトラアリールジアミン誘導体は、質
量分析、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）、 ¹Ｈ核磁気共鳴
スペクトル（ＮＭＲ）等によって同定することができ
る。

【０２０９】これらのテトラアリールジアミン誘導体
は、６４０〜２０００程度の分子量をもち、１９０〜３
００℃の高融点を有し、８０〜２００℃の高ガラス転移
温度を示し、通常の真空蒸着等により透明で室温以上で
も安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜と
して得られ、しかもそれが長期間に渡って維持される。
なお、本発明の化合物のなかには融点を示さず、高温に
おいてもアモルファス状態を呈するものもある。従って
バインダー樹脂を用いることなく、それ自体で薄膜化す
ることができる。

【０２１０】テトラアリールジアミン誘導体は、１種の
みを用いても２種以上を併用してもよい。

【０２１１】本発明の発光層のいずれかには、上記ホス
ト物質のほか、他の蛍光性物質をドーパントとして有す
るとよい。ドーパントとしては、好ましくは以下のスチ
リルアミン系化合物およびクマリン系化合物が挙げられ
る。また、欧州特許公開0281381号公報に示される化合
物等を用いてもよい。これらの化合物を用いることによ
り、青色、または青緑色の発光が得られる。

【０２１２】（ア）一般式（Ｉ）で表されるスチリルア
ミン系化合物。

【０２１３】

【化１１０】

【０２１４】上記一般式（Ｉ）において、Ａ¹ 〜Ａ
¹²は、それぞれ独立に水素原子，ハロゲン原子，炭素数
１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコキシ
基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，
アミノ基，置換アミノ基，水酸基または下記一般式（I
I）

【０２１５】

【化１１１】

【０２１６】で表される芳香環に置換基を有していても
よいスチリル基を示す。

【０２１７】炭素数１〜１０のアルキル基としては、例
えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピ
ル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル
基，ｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−ペンチル基，
ネオペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基など
が、炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、例えばメ
トキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポ
キシ基，ｎ−ブチルオキシ基，イソブチルオキシ基，ｓ
ｅｃ−ブチルオキシ基，イソペンチルオキシ基，ｔ−ペ
ンチルオキシ基，ｎ−ヘキシルオキシ基などが、炭素数
６〜１８のアリールオキシ基としては、例えばフェノキ
シ基やナフチルオキシ基などが挙げられる。また、置換
アミノ基としては、例えばジメチルアミノ基，メチルア
ミノ基，アニリノ基，ジフェニルアミノ基などが挙げら
れる。さらに、上記一般式（II）で表されるスチリル基
としては、例えばＮ，Ｎ−ビス（フェニル）−４−アミ
ノスチリル基，Ｎ，Ｎ−ビス（トリル）−４−アミノス
チリル基などが挙げられる。

【０２１８】また、Ａ¹ 〜Ａ¹²は、その中の隣接する２
つがたがいに結合して飽和若しくは不飽和の５員環また
は６員環を形成してもよい。Ｚ¹ ，Ｚ² およびＥは、そ
れぞれ独立に水素原子，炭素数１〜１０のアルキル基，
置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリ
ール基，置換基を有する若しくは有しない炭素数７〜２
０のアラルキル基又は隣接するベンゼン環に結合する結
合手を示す。前記炭素数１〜１０のアルキル基として
は、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソ
プロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ネオペンチ
ル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基などが、前記炭
素数６〜２０のアリール基としては、例えばフェニル
基，ナフチル基，タ−フェニル基，アントラニル基，ピ
レニル基，ペリレニル基などが、前記炭素数７〜２０の
アラルキル基としては、例えばベンジル基やフェネチル
基などが挙げれらる。

【０２１９】Ａｒは、置換基を有する若しくは有しない
炭素数６〜２０のアリーレン基，炭素数４〜２０の２価
の芳香族性複素環式基又は置換基を有する若しくは有し
ない２価のトリアリールアミノ基を示す。ここで、炭素
数６〜２０のアリーレン基としては、例えばフェニレン
基，ビフェニレン基，ナフタレンジイル基，ターフェニ
レンジイル基，クオーターフェニレンジイル基，アント
ラセンジイル基，ピレンジイル基，ペリレンジイル基な
どが挙げられ、炭素数４〜２０の芳香族性複素環式基と
しては、例えばチオフェンジイル基，ビチオフェンジイ
ル基，ピリジンジイル基，ピラジンジイル基，キノリン
ジイル基，キノキサリンジイル基，カルバゾールジイル
基，ターチオフェンジイル基などが挙げれらる。前記置
換基としては、メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，
イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ
−ブチル基，ｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−ペン
チル基，ネオペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシ
ル基などの炭素数１〜１０のアルキル基，メトキシ基，
エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｎ
−ブチルオキシ基，イソブチルオキシ基，ｓｅｃ−ブチ
ルオキシ基，イソペンチルオキシ基，ｔ−ペンチルオキ
シ基，ｎ−ヘキシルオキシ基などの炭素数１〜１０のア
ルコキシ基，フェノキシ基，ナフチルオキシ基などの炭
素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，アミノ
基，シアノ基，ニトロ基，水酸基又はハロゲン原子が挙
げられ、これらの置換基は単一でも複数置換されていて
もよい。さらに、点線１，２および３は、それぞれ連結
することにより複素環構造をとりうることを示し、例え
ば、点線１または２の場合では、下記一般式(III)

【０２２０】

【化１１２】

【０２２１】で表されるアクリジン環構造、あるいは、
下記一般式（IV）

【０２２２】

【化１１３】

【０２２３】で表されるカルバゾール環構造をとりうる
ことを示す。なお、一般式（III)および（IV）における
Ａ¹ 〜Ａ¹²，Ｚ¹ 及びＺ² は上記と同じである。また、
Ａ¹ およびＡ⁷ が上記一般式（II）で表されるスチリル
基である場合、例えば、一般式（Ｖ）

【０２２４】

【化１１４】

【０２２５】〔式中、Ａ² 〜Ａ⁶ ，Ａ⁸ 〜Ａ¹²，Ｚ¹ ，
Ｚ² およびＥは上記と同じである。〕で表される構造を
とりうる。なお、Ａ¹ ，Ａ⁷ に対応するＮ−置換アミノ
スチリル基の芳香環には、前述した置換基の中から選ば
れた適当な置換基が１個以上導入されていてもよい。ｎ
は０，１又は２を示し、ｎが０の場合は、一般式（Ｉ）
の化合物は、下記一般式（VI）

【０２２６】

【化１１５】

【０２２７】で表され、ｎが１の場合、一般式（Ｉ）の
化合物は、下記一般式（VII)

【０２２８】

【化１１６】

【０２２９】で表され、ｎが２の場合、一般式（Ｉ）の
化合物は、下記一般式（VIII)

【０２３０】

【化１１７】

【０２３１】で表される。なお、一般式（VI），（VII)
及び（VIII) において、Ａ1 〜Ａ¹²，Ｚ¹ ，Ｚ² ，Ａ
ｒ，点線１および点線２は上記と同じである。また、一
般式（VIII) において、２つのＡｒはたがいに同一でも
異なっていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子において
は、前記の電子供与性スチリル化合物の中から選ばれた
少なくとも二種を組み合わせて、特に発光層また正孔輸
送層へ含有させるのが望ましい。二種以上組み合わせる
ときの混合比は、組み合わせる材料、要求される素子特
性などにより、好ましい量比とすればよい。

【０２３２】また、同一有機層へドープする場合には、
上記組み合わせの化合物を、上記比率にてホストに対
し、それぞれ蒸着速度の割合から、１０重量％以下、特
にそれぞれ１〜５重量％の割合でドープするのが望まし
い。上記一般式（VI）〜（VIII) のスチリルアミン化合
物は、蛍光増白剤として知られているものが多く、その
製造方法については、例えば“Ｂｕｌｌｅｔｉｎ”第３
５巻，第１３５ページ（１９６２年）や、“Ｓｙｎｔｈ
ｅｓｉｓ”第３４１ページ（１９８２年）などに記載さ
れている。以下、一般式（VI）〜（VIII) のスチリルア
ミン化合物の具体的な製造方法について説明する。

【０２３３】（１）一般式（VI）で表されるスチリルア
ミン化合物の製法一般式（IX）

【０２３４】

【化１１８】

【０２３５】〔式中、Ａ¹ 〜Ａ⁶ ，Ｚ¹ および点線１は
上記と同じであり、Ａは炭素数１〜４のアルキル基又は
フェニル基を示す。〕で表されるホスホン酸エステル
と、一般式（Ｘ）

【０２３６】

【化１１９】

【０２３７】〔式中、Ａ⁷ 〜Ａ¹²，Ｚ² および点線２は
上記と同じである。〕で表されるアルデヒドとをカップ
リングさせることにより、一般式（VI）で表されるスチ
リルアミン化合物が得られる。

【０２３８】（２）一般式（VII)で表されるスチリルア
ミン化合物の製法一般式（XI）

【０２３９】

【化１２０】

【０２４０】〔式中、Ａｒ及びＡは上記と同じであ
る。〕で表されるホスホン酸エステルと、上記一般式
（Ｘ）または一般式（XII)

【０２４１】

【化１２１】

【０２４２】〔式中、Ａ¹ 〜Ａ⁶ ，Ｚ¹ および点線１は
上記と同じである。〕で表されるアルデヒドとをカップ
リングさせることにより、一般式（VII)で表されるスチ
リルアミン化合物が得られる。また、一般式（XIII) Ｏ
ＨＣ−Ａｒ−ＣＨＯ・・・（XIII) 〔式中、Ａｒは上
記と同じである。〕で表されるアルデヒドと、上記一般
式（IX）又は一般式（XIV)

【０２４３】

【化１２２】

【０２４４】〔式中、Ａ⁷ 〜Ａ¹²，Ｚ² ，点線２および
Ａは上記と同じである。〕で表されるホスホン酸エステ
ルとをカップリングさせることによっても、一般式（VI
I)で表されるスチリルアミン化合物が得られる。

【０２４５】（３）一般式（VIII) で表されるスチリル
アミン化合物の製法一般式（XV）

【０２４６】

【化１２３】

【０２４７】〔式中、ＡｒおよびＡは上記と同じであ
る。〕で表されるホスホン酸エステルと、上記一般式
（Ｘ）又は一般式（XII)で表されるアルデヒドとをカッ
プリングさせることにより、一般式（VIII) で表される
スチリルアミン化合物が得られる。また、一般式（XVI)
ＯＨＣ−Ａｒ−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ−ＣＨＯ・・・（X
VI)〔式中、Ａｒは上記と同じである。〕で表されるア
ルデヒドと、上記一般式（IX) 又は(XIV) で表されるホ
スホン酸エステルとをカップリングさせることによって
も、一般式（VIII) で表されるスチリルアミン化合物が
得られる。その他、種々の方法が知られているが、上記
したようなＷｉｔｔｉｇ反応を用いる方法が有利であ
る。

【０２４８】前記製造方法においては、通常反応溶媒が
用いられる。該反応溶媒としては、炭化水素類，アルコ
ール類，エーテル類が好ましく、具体的には、メタノー
ル；エタノール；イソプロパノール；ブタノール；２−
メトキシエタノール；１，２−ジメトキシエタン；ビス
（２−メトキシエチル）エーテル；ジオキサン；テトラ
ヒドロフラン；トルエン；キシレン；ジメチルスルホキ
シド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ−メチルピロ
リドン；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなど
が挙げられる。特に、テトラヒドロフラン及びジメチル
スルホキシドが好適である。また、縮合剤として、例え
ば水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，ナトリウムアミ
ド，水素化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナトリウ
ムメチラート，カリウムｔ−ブトキシドなどが好ましく
用いられ、特にｎ−ブチルリチウム及びカリウムｔ−ブ
トキシドが好適である。反応温度は、使用する原料の種
類などにより異なり、一概に定めることはできないが、
通常は０〜１００℃の範囲、好ましくは０℃〜室温の範
囲で選ばれる。上記一般式（Ｉ）〔一般式(VI)，(VII),
(VIII)〕で表されるスチリルアミン化合物の具体例とし
ては、以下に示す化合物を挙げることができるが、もち
ろんこれらに限定されるものではない。

【０２４９】一般式(VI)で表されるスチリルアミン化合
物の例

【０２５０】

【化１２４】

【０２５１】

【化１２５】

【０２５２】

【化１２６】

【０２５３】一般式(VII) で表されるスチリルアミン化
合物の例

【０２５４】

【化１２７】

【０２５５】

【化１２８】

【０２５６】

【化１２９】

【０２５７】一般式(VIII)で表されるスチリルアミン化
合物の例

【０２５８】

【化１３０】

【０２５９】

【化１３１】

【０２６０】（イ）一般式（Ｂ）で表されるクマリン系
化合物

【０２６１】

【化１３２】（式中Ｔ¹ ，Ｔ² ，Ｔ³ ，Ｔ⁴ ，Ｔ⁵ ，Ｔ⁶ は各々に水
素原子または炭素数１〜４のアルキル基、Ｔ⁷ は水素原
子，素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を示し、
Ｘは−Ｓ−，

【０２６２】

【化１３３】

【０２６３】を示し、Ｙは水素原子または、

【０２６４】

【化１３４】

【０２６５】を示す。Ｔ⁸ ，Ｔ⁹ は各々水素原子，メチ
ル基，エチル基，あるいはフェニル基であり、Ｔ⁴ ，Ｔ
⁵ ，Ｔ⁶ とＴ⁸ ，Ｔ⁹ は互いに結合し、飽和６員環を形
成してもよい。さらにＴ¹ ，Ｔ² ，Ｔ³ は互いに結合
し、飽和６員環を形成してもよい。）

【０２６６】具体的には以下の化合物が挙げられる。

【０２６７】

【化１３５】

【０２６８】

【化１３６】

【０２６９】

【化１３７】

【０２７０】このような蛍光性物質の含有量は、ホスト
物質である化合物の１０モル％以下とすることが好まし
い。

【０２７１】クマリン系化合物は、式（Ｃ）で示される
クマリン誘導体も好ましい。

【０２７２】

【化１３８】

【０２７３】式（Ｃ）について説明すると、式（Ｃ）
中、Ｄ₁ 、Ｄ₂ 、Ｄ₃ およびＤ₄ は各々水素原子または
アルキル基を表し、これらは同一でも異なるものであっ
てもよい。Ｄ₁ 〜Ｄ₄ で表されるアルキル基としては、
炭素数１〜６のものが好ましく、直鎖状であっても分岐
を有するものであってもよく、場合によっては環状であ
ってもよい。また置換基を有していてもよい。Ｄ₁ 〜Ｄ
₄ で表されるアルキル基としては、具体的には、メチル
基、エチル基、（ｎ−，ｉ−）プロピル基、（ｎ−，ｉ
−，ｓ−，ｔ−）ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペン
チル基、ｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘ
キシル基等が挙げられる。Ｄ₁ 〜Ｄ₄ で表されるアルキ
ル基の総炭素数は１〜６であることが好ましい。

【０２７４】Ｄ₁ 〜Ｄ₄ としてはメチル基等が好まし
く、Ｄ₁ 〜Ｄ₄ は通常同一である。

【０２７５】Ｚはイミダゾール環中の２個の炭素原子と
ともにベンゼン環またはナフタレン環を形成するのに必
要な原子群を表し、これらのベンゼン環、ナフタレン環
はさらに置換基を有していてもよく、これらの置換基の
具体例については後述する。Ｚで形成される環がナフタ
レン環である場合、イミダゾール環を含むベンゾイミダ
ゾール環を基礎成分と考えたとき、このベンゾイミダゾ
ール環におけるベンゼン環の縮合位置はいずれであって
もよく、ベンゾイミダゾール環の４，５位、５，６位、
６，７位のいずれであってもよい（下記構造式参照）。

【０２７６】

【化１３９】

【０２７７】式（Ｃ）で示される化合物のなかでも、下
記式（Ｉａ）で示される化合物が好ましい。

【０２７８】

【化１４０】

【０２７９】式（Ｉａ）中、Ｄ₁ 〜Ｄ₄ は式（Ｃ）にお
けるものと同義のものであり、Ｄ₅、Ｄ₆ 、Ｄ₇ および
Ｄ₈ は各々水素原子、アルキル基（例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基等）、アルコキシ基（例えばメトキシ
基等）、アリール基（例えばフェニル基、（ｏ−，ｍ
−，ｐ−）トリル基等）、アリールオキシ基（例えばフ
ェノキシ基等）、置換アミノ基（例えばジフェニルアミ
ノ基等）、複素環基（例えばピリジル基、チエニル基
等）等を表す。Ｄ₅ 〜Ｄ₈ は水素原子、アリール基等で
あることが好ましい。

【０２８０】また、Ｄ₅ とＤ₆ 、Ｄ₆ とＤ₇ またはＤ₇
とＤ₈ は、各々互いに結合してベンゼン環を形成しても
よく、このようにベンゼン環を形成することも場合によ
っては好ましい。こうして形成されるベンゼン環はさら
に置換基を有していてもよく、この場合の置換基として
はＤ₅ 〜Ｄ₈ で表される置換基と同様のものが挙げられ
る。

【０２８１】以下に式（Ｃ）で示されるクマリン誘導体
の具体的化合物例を示すが、本発明はこれらに限定され
るものではない。化合物例は式（Ｉａ）中のＤ₁ 〜Ｄ₈
の組合せで示している。また、Ｐｈはフェニル基を表わ
す。

【０２８２】

【化１４１】

【０２８３】式（Ｃ）で表されるクマリン誘導体は西独
特許公開２２５３５３８号［Ger.Offen.2253538(Ger.Ap
pl.1972)W.Mach,D.Augart,H.Scheuermann ］等に記載の
方法で合成することができる。

【０２８４】また、いずれかの発光層には、下記式
（１）で表される基本骨格を有するルブレン誘導体等の
緑〜赤色蛍光物質を含有することが好ましい。また、上
記ホスト物質との組み合わせでは、テトラアリールジア
ミン誘導体と組み合わせることが好ましい。

【０２８５】

【化１４２】

【０２８６】発光層に式（１）で表されるルブレン誘導
体を含有させことにより、特に長波長域に極大発光波長
をもつ有機ＥＬ素子が得られる。特に、式（１）の化合
物は、発光層において、それ自体で発光機能を有するホ
スト物質のドーパントとして、あるいは電子注入輸送性
化合物と正孔注入輸送性化合物とで形成された発光機能
を有する混合層のドーパントとして使用することによっ
て、青〜赤色の発光、特に長波長発光が可能であり、し
かも十分な輝度が得られ、発光性能が持続する。

【０２８７】式（１）中、Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ はそれぞれ非置
換、または置換基を有するアルキル基、アリール基、ア
ミノ基、複素環基およびアルケニル基のいずれかを表
す。また、好ましくはアリール基、アミノ基、複素環基
およびアルケニル基のいずれかである。

【０２８８】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ で表されるアリール基として
は、単環もしくは多環のものであって良く、縮合環や環
集合も含まれる。総炭素数は、６〜３０のものが好まし
く、置換基を有していても良い。

【０２８９】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ で表されるアリール基として
は、好ましくはフェニル基、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリ
ル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、（１
−、および２−）ナフチル基、アントリル基、（ｏ−，
ｍ−，ｐ−）ビフェニリル基、ターフェニル基、フェナ
ントリル基等である。

【０２９０】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ で表されるアミノ基としては、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
ノ基等いずれでも良い。これらは、総炭素数１〜６の脂
肪族、および／または１〜４環の芳香族炭素環を有する
ことが好ましい。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ
基、ジトリルアミノ基、ビスジフェニリルアミノ基、ビ
スナフチルアミノ基等が挙げられる。

【０２９１】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ で表される複素環基としては、
ヘテロ原子としてＯ，Ｎ，Ｓを含有する５員または６員
環の芳香族複素環基、および炭素数２〜２０の縮合多環
芳香複素環基等が挙げられる。

【０２９２】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ で表されるアルケニル基として
は、少なくとも置換基の１つにフェニル基を有する（１
−、および２−）フェニルアルケニル基、（１，２−、
および２，２−）ジフェニルアルケニル基、（１，２，
２−）トリフェニルアルケニル基等が好ましいが、非置
換のものであっても良い。

【０２９３】芳香族複素環基および縮合多環芳香複素環
基としては、例えばチエニル基、フリル基、ピロリル
基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基等が挙げ
られる。

【０２９４】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ が置換基を有する場合、これら
の置換基のうちの少なくとも２つがアリール基、アミノ
基、複素環基、アルケニル基およびアリーロキシ基のい
ずれかであることが好ましい。アリール基、アミノ基、
複素環基およびアルケニル基については上記Ｒ¹ 〜Ｒ⁴
と同様である。

【０２９５】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ の置換基となるアリーロキシ基
としては、総炭素数６〜１８のアリール基を有するもの
が好ましく、具体的には（ｏ−，ｍ−，ｐ−）フェノキ
シ基等である。

【０２９６】これら置換基の２種以上が縮合環を形成し
ていてもよい。また、さらに置換されていても良く、そ
の場合の好ましい置換基としては上記と同様である。

【０２９７】Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ が置換基を有する場合、少なく
ともその２種以上が上記置換基を有することが好まし
い。その置換位置としては特に限定されるものではな
く、メタ、パラ、オルト位のいずれでも良い。また、Ｑ
¹ とＱ⁴ 、Ｑ² とＱ³ はそれぞれ同じものであることが
好ましいが異なっていてもよい。

【０２９８】また、Ｑ¹ 〜Ｑ⁸ のうちの少なくとも５種
以上、より好ましくは６種以上が非置換または置換基を
有するアルキル基、アリール基、アミノ基、アルケニル
基または複素環基であることが好ましい。

【０２９９】Ｑ⁵ ，Ｑ⁶ ，Ｑ⁷ およびＱ⁸ は、それぞれ
水素または置換基を有していても良いアルキル基、アリ
ール基、アミノ基およびアルケニル基のいずれかを表
す。

【０３００】Ｑ⁵ ，Ｑ⁶ ，Ｑ⁷ およびＱ⁸ で表されるア
ルキル基としては、炭素数が１〜６のものが好ましく、
直鎖状であっても分岐を有していても良い。アルキル基
の好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、
（ｎ，ｉ）プロピル基、（ｎ，ｉ，ｓｅｃ，ｔｅｒｔ）
−ブチル基、（ｎ，ｉ，ｎｅｏ，ｔｅｒｔ）−ペンチル
基等が挙げられる。

【０３０１】Ｑ⁵ ，Ｑ⁶ ，Ｑ⁷ およびＱ⁸ で表されるア
リール基、アミノ基、アルケニル基としては、上記Ｑ¹
〜Ｑ⁴ の場合と同様である。また、Ｑ⁵ とＱ⁶ 、Ｑ⁷ と
Ｑ⁸は、それぞれ同じものであることが好ましいが、異
なっていても良い。

【０３０２】また、Ｑ¹ 〜Ｑ⁸ のうちの５種以上が非置
換または置換基を有するアルキル基、アリール基、アミ
ノ基、アルケニル基および複素環基でなくてもよい。但
し、その場合にはＱ¹ 〜Ｑ⁴ が全てフェニル基であっ
て、Ｑ⁵ ，Ｑ⁶ ，Ｑ⁷ およびＱ ⁸ が水素であるものは含
まないことが好ましい。

【０３０３】また、発光層に含有されるルブレン誘導体
は、さらに下記の式（２）で表される基本骨格を有する
ものが好ましい。

【０３０４】

【化１４３】

【０３０５】上記式（２）中、Ｑ¹¹〜Ｑ¹³、Ｑ²¹〜
Ｑ²³、Ｑ³¹〜Ｑ³³およびＱ⁴¹〜Ｑ⁴³は水素、アリール
基、アミノ基、複素環基、アリーロキシ基およびアルケ
ニル基のいずれかである。また、これらのうちの少なく
とも１群中にはアリール基、アミノ基、複素環基および
アリーロキシ基のいずれかを置換基として有することが
好ましい。これらの２種以上が縮合環を形成していても
よい。あるいは、これらの全てが水素である場合にはＱ
⁵ ，Ｑ⁶ ，Ｑ⁷ およびＱ⁸ のいずれかにはアルキル基、
またはアリール基を有することが好ましい。

【０３０６】アリール基、アミノ基、複素環基およびア
リーロキシ基の好ましい態様としては上記Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ と
同様である。また。Ｑ¹¹〜Ｑ¹³とＱ⁴¹〜Ｑ⁴³、Ｑ²¹〜Ｑ
²³とＱ³¹〜Ｑ³³は、それぞれ同じであることが好ましい
が異なっていてもよい。

【０３０７】Ｑ¹¹〜Ｑ¹³、Ｑ²¹〜Ｑ²³、Ｑ³¹〜Ｑ³³およ
びＱ⁴¹〜Ｑ⁴³の置換基となるアミノ基としては、アルキ
ルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等
いずれでも良い。これらは、総炭素数１〜６の脂肪族、
および／または１〜４環の芳香族炭素環を有することが
好ましい。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基等が挙げられ
る。

【０３０８】形成される縮合環としては、例えばインデ
ン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノ
リン、ｉｓｏキノリン、キノクサリン、フェナジン、ア
クリジン、インドール、カルバゾール、フェノキサジ
ン、フェノチアジン、ベンゾチアゾール、ベンゾチオフ
ェン、ベンゾフラン、アクリドン、ベンズイミダゾー
ル、クマリン、フラボン等を挙げることができる。

【０３０９】本発明における特に好ましいルブレン誘導
体の具体例を以下のＩＢ−１〜２７１に示す。但し、各
置換基Ｑ¹ 〜Ｑ⁸ をＱ¹⁰〜Ｑ⁸⁰ として表した。なお、
下記具体例のほか、Ｑ¹ 〜Ｑ⁴ がフェニル基であって、
Ｑ⁵ 〜Ｑ⁸ すべて水素であるルブレンも特に好ましい化
合物である。

【０３１０】

【表１】

【０３１１】

【表２】

【０３１２】

【表３】

【０３１３】

【表４】

【０３１４】

【表５】

【０３１５】

【表６】

【０３１６】

【表７】

【０３１７】

【表８】

【０３１８】

【表９】

【０３１９】

【表１０】

【０３２０】

【表１１】

【０３２１】

【表１２】

【０３２２】

【表１３】

【０３２３】

【表１４】

【０３２４】

【表１５】

【０３２５】

【表１６】

【０３２６】

【表１７】

【０３２７】

【表１８】

【０３２８】

【表１９】

【０３２９】

【表２０】

【０３３０】

【表２１】

【０３３１】

【表２２】

【０３３２】

【表２３】

【０３３３】

【表２４】

【０３３４】

【表２５】

【０３３５】

【表２６】

【０３３６】

【表２７】

【０３３７】

【表２８】

【０３３８】

【表２９】

【０３３９】

【表３０】

【０３４０】

【表３１】

【０３４１】

【表３２】

【０３４２】

【表３３】

【０３４３】

【表３４】

【０３４４】

【表３５】

【０３４５】また、本発明に用いる好ましいルブレン誘
導体の具体例としては、以下のIIＢ−１〜８４およびII
IＢ−１〜６０に示す化合物であっても良い。但し、各
置換基Ｑ¹ 〜Ｑ⁸ をＱ¹⁰〜Ｑ⁸⁰ として表した。

【０３４６】

【表３６】

【０３４７】

【表３７】

【０３４８】

【表３８】

【０３４９】

【表３９】

【０３５０】

【表４０】

【０３５１】

【表４１】

【０３５２】

【表４２】

【０３５３】

【表４３】

【０３５４】

【表４４】

【０３５５】

【表４５】

【０３５６】

【表４６】

【０３５７】

【表４７】

【０３５８】

【表４８】

【０３５９】

【表４９】

【０３６０】

【表５０】

【０３６１】

【表５１】

【０３６２】

【表５２】

【０３６３】

【表５３】

【０３６４】

【表５４】

【０３６５】

【表５５】

【０３６６】

【表５６】

【０３６７】

【表５７】

【０３６８】

【表５８】

【０３６９】

【表５９】

【０３７０】

【表６０】

【０３７１】

【表６１】

【０３７２】

【表６２】

【０３７３】さらに、本発明に用いるルブレン誘導体は
以下のIVＢ−１〜３９０に示す化合物であってもよい。
但し、各置換基Ｑ¹ 〜Ｑ⁸ をＱ¹⁰〜Ｑ⁸⁰ として表し
た。

【０３７４】

【表６３】

【０３７５】

【表６４】

【０３７６】

【表６５】

【０３７７】

【表６６】

【０３７８】

【表６７】

【０３７９】

【表６８】

【０３８０】

【表６９】

【０３８１】

【表７０】

【０３８２】

【表７１】

【０３８３】

【表７２】

【０３８４】

【表７３】

【０３８５】

【表７４】

【０３８６】

【表７５】

【０３８７】

【表７６】

【０３８８】

【表７７】

【０３８９】

【表７８】

【０３９０】

【表７９】

【０３９１】

【表８０】

【０３９２】

【表８１】

【０３９３】

【表８２】

【０３９４】

【表８３】

【０３９５】

【表８４】

【０３９６】

【表８５】

【０３９７】

【表８６】

【０３９８】

【表８７】

【０３９９】

【表８８】

【０４００】

【表８９】

【０４０１】

【表９０】

【０４０２】

【表９１】

【０４０３】

【表９２】

【０４０４】

【表９３】

【０４０５】

【表９４】

【０４０６】

【表９５】

【０４０７】

【表９６】

【０４０８】

【表９７】

【０４０９】

【表９８】

【０４１０】

【表９９】

【０４１１】

【表１００】

【０４１２】

【表１０１】

【０４１３】

【表１０２】

【０４１４】

【表１０３】

【０４１５】

【表１０４】

【０４１６】

【表１０５】

【０４１７】

【表１０６】

【０４１８】

【表１０７】

【０４１９】

【表１０８】

【０４２０】

【表１０９】

【０４２１】本発明に用いるルブレン誘導体を得るに
は、例えば、ジフェニルテトラセンキノン等を用いて合
成することができる。以下に代表的な合成スキームを示
す。

【０４２２】

【化１４４】

【０４２３】

【化１４５】

【０４２４】

【化１４６】

【０４２５】

【化１４７】

【０４２６】

【化１４８】

【０４２７】上記ルブレン誘導体を含有する発光層は、
ホール（正孔）および電子の注入機能、それらの輸送機
能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機
能を有する。発光層は本発明の化合物の他、比較的電子
的にニュートラルな化合物を用いることで、電子とホー
ルを容易かつバランスよく注入・輸送することができ
る。

【０４２８】本発明におけるルブレン誘導体は、上記ホ
スト物質と組み合わせて、ドーパントとして使用する。
発光層におけるルブレン誘導体の含有量は０．０１〜１
０質量％、さらには０．１〜５質量％であることが好ま
しい。ホスト物質と組み合わせて使用することによっ
て、ホスト物質の発光波長特性を変化させることがで
き、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子
の発光効率や安定性が向上する。

【０４２９】本発明の発光層には、通常の有機ＥＬ素子
に用いられている各種有機化合物、例えば、特開昭６３
−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報等に記載されている各種有
機化合物をともに用いることができる。例えば、ホール
注入輸送性化合物としては、芳香族三級アミン、ヒドラ
ゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体等を用いることができ、また、
電子注入輸送性化合物としては、アルミキノリノールな
どの有機金属錯体誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キ
ノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン
誘導体、フルオレン誘導体等を用いることができる。

【０４３０】本発明では、発光層を電子注入輸送性化合
物とホール注入輸送性化合物との混合層とすることが好
ましい。そして、このような混合層にフェニルアントラ
セン誘導体を含有させる。この化合物は、通常、蛍光性
物質として含有されるため、より具体的には、フェニル
アントラセン誘導体が電子注入輸送性化合物であると
き、他のホール注入輸送性化合物をさらに添加すること
が好ましく、本発明のフェニルアントラセン誘導体がホ
ール注入輸送性化合物であるときは、他の電子注入輸送
性化合物をさらに添加することが好ましい。上記の混合
層における電子注入輸送性化合物とホール注入輸送性化
合物との混合比は、重量比で、電子注入輸送性化合物：
ホール注入輸送性化合物が６０：４０〜４０：６０であ
ることが好ましく、特には５０：５０程度であることが
好ましい。

【０４３１】この混合に供する電子注入輸送性化合物
は、上記の電子注入輸送層用の化合物のなかから、また
ホール注入輸送性化合物は、上記のホール注入輸送層用
の化合物のなかから選択して用いることができる。ま
た、場合によっては本発明の化合物から選択して用いて
もよい。さらに、混合層において、電子注入輸送性化合
物、ホール注入輸送性化合物は各々１種のみ用いても２
種以上を併用してもよい。また、混合層には発光強度を
高めるために、フェニルアントラセン誘導体や他の蛍光
性物質をドープして用いてもよい。

【０４３２】さらに、他の電子注入輸送性化合物および
他のホール注入輸送性化合物の混合層とし、このような
混合層に上記化合物をドープして用いてもよい。

【０４３３】このような混合層をＥＬ素子に適用するこ
とによって、素子の安定性が向上する。

【０４３４】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有
機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびる
という利点があるが、前述のドーパントをこのような混
合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波
長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移
行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ
素子の安定性を向上させることができる。特に、上記ル
ブレン誘導体は電子注入、ホール注入ともに安定であり
ドーパントとして２質量％程度ドープするだけで飛躍的
に発光寿命を延ばすことができる。

【０４３５】また、ドーパントのキャリアトラップ性
が、電子側もしくはホール側に偏っている場合、再結合
を向上させるためキャリアトラップ性の異なる２種以上
のドーパントを用いて再結合確率を向上させてもよい。
キャリアトラップ性の異なるドーパントを用いること
で、発光層でのホールと電子の再結合確率が向上し、発
光効率、発光輝度が向上する。特に好ましい組み合わせ
は、ホスト材料に対して、電子トラップ性の高いドーパ
ントと、ホスト材料に対して、ホールトラップ性の高い
ドーパントとの組み合わせである。

【０４３６】ホール注入輸送性の化合物としては、強い
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材
料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリ
ルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用
いるのが好ましい。

【０４３７】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般
的には、ホール注入輸送性化合物の重量比が、１／９９
〜９９／１、さらには１０／９０〜９０／１０、特には
２０／８０〜８０／２０程度）となるようにすることが
好ましい。

【０４３８】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には１〜８５nmとすることが好ましく、
さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすることが好
ましい。

【０４３９】発光層の形成には、均質な薄膜が形成でき
ることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空
蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径
が０．２μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が
０．２μm を超えていると、不均一な発光となり、素子
の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注
入効率も著しく低下する。

【０４４０】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【０４４１】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、第２の発光層を所定の厚
さに形成する。

【０４４２】本発明の有機ＥＬ素子は、上記発光層と、
一方の電極である陰電極との間に、無機電子注入輸送
層、特に高抵抗の無機電子注入輸送層を有する。

【０４４３】このように、電子の導通パスを有し、ホー
ルをブロックできる無機電子注入輸送層を有機層と電子
注入電極（陰極）の間に配置することで、発光層へ電子
を効率よく注入することができ、発光効率が向上すると
ともに駆動電圧が低下する。

【０４４４】また、好ましくは高抵抗の無機電子注入輸
送層の第２成分を、全成分に対して０．２〜４０ mol％
含有させて導電パスを形成することにより、電子注入電
極から発光層側の有機層へ効率よく電子を注入すること
ができる。しかも、有機層から電子注入電極へのホール
の移動を抑制することができ、発光層でのホールと電子
との再結合を効率よく行わせることができる。また、無
機材料の有するメリットと、有機材料の有するメリット
とを併せもった有機ＥＬ素子とすることができる。本発
明の有機ＥＬ素子は、従来の有機電子注入層を有する素
子と同等かそれ以上の輝度が得られ、しかも、耐熱性、
耐候性が高いので従来のものよりも寿命が長く、リーク
やダークスポットの発生も少ない。また、比較的高価な
有機物質ばかりではなく、安価で入手しやすく製造が容
易な無機材料も用いることで、製造コストを低減するこ
ともできる。

【０４４５】高抵抗の無機電子注入輸送層は、その抵抗
率が好ましくは１〜１×１０¹¹Ω・cm、特に１×１０³
〜１×１０⁸Ω・cmである。高抵抗の無機電子注入輸送
層の抵抗率を上記範囲とすることにより、高い電子ブロ
ック性を維持したまま電子注入効率を飛躍的に向上させ
ることができる。高抵抗の無機電子注入輸送層の抵抗率
は、シート抵抗と膜厚からも求めることができる。

【０４４６】高抵抗の無機電子注入輸送層は、好ましく
は第１成分として仕事関数４eV以下、より好ましくは１
〜４eVであって、好ましくはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃ
ｓおよびＦｒから選択される１種以上のアルカリ金属元
素、または、好ましくはＭｇ，ＣａおよびＳｒから選択
される１種以上のアルカリ土類金属元素、または、好ま
しくはＬａおよびＣｅから選択される１種以上のランタ
ノイド系元素のいずれかの酸化物を含有する。これらの
なかでも、特に酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化セリウムが好ましい。これらを混合し
て用いる場合の混合比は任意である。また、これらの混
合物中には酸化リチウムがＬｉ₂Ｏ換算で、５０ mol％
以上含有されていることが好ましい。

【０４４７】高抵抗の無機電子注入輸送層は、さらに第
２成分としてＺｎ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒｕ，ＳｍおよびＩｎか
ら選択される１種以上の元素を含有する。この場合の第
２成分の含有量は、好ましくは０．２〜４０ mol％、よ
り好ましくは１〜２０ mol％である。含有量がこれより
少ないと電子注入機能が低下し、含有量がこれを超える
とホールブロック機能が低下してくる。２種以上を併用
する場合、合計の含有量は上記の範囲にすることが好ま
しい。第２成分は金属元素の状態でも、酸化物の状態で
あってもよい。

【０４４８】高抵抗である第１成分中に導電性（低抵
抗）の第２成分を含有させることにより、絶縁性物質中
に導電物質が島状に存在するようになり、電子注入のた
めのホッピングパスが形成されるものと考えられる。

【０４４９】上記第１成分の酸化物は通常化学量論組成
（stoichiometric composition）であるが、これから多
少偏倚して非化学量論的組成（non-stoichiometry）と
なっていてもよい。また、第２成分も、通常、酸化物と
して存在するが、この酸化物も同様である。

【０４５０】高抵抗の無機電子注入輸送層には、他に、
不純物として、Ｈやスパッタガスに用いるＮｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅ等を合計５at％以下含有していてもよい。

【０４５１】なお、高抵抗の無機電子注入輸送層全体の
平均値としてこのような組成であれば、均一でなくても
よく、膜厚方向に濃度勾配を有する構造としてもよい。

【０４５２】高抵抗の無機電子注入輸送層は、通常、非
晶質状態である。

【０４５３】高抵抗の無機電子注入輸送層の膜厚として
は、好ましくは０．２〜３０nm、特に０．２〜２０nm程
度が好ましい。電子注入層がこれより薄くても厚くて
も、電子注入層としての機能を十分に発揮できなくなく
なってくる。

【０４５４】上記の高抵抗の無機電子注入輸送層の製造
方法としては、スパッタ法、蒸着法などの各種の物理的
または化学的な薄膜形成方法などが考えられるが、スパ
ッタ法が好ましい。なかでも、上記第１成分と第２成分
のターゲットを別個にスパッタする多元スパッタが好ま
しい。多元スパッタにすることで、それぞれのターゲッ
トに好適なスパッタ法を用いることができる。また、１
元スパッタとする場合には、第１成分と第２成分の混合
ターゲットを用いてもよい。

【０４５５】高抵抗の無機電子注入輸送層をスパッタ法
で形成する場合、スパッタ時のスパッタガスの圧力は、
０．１〜１Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通常
のスパッタ装置に使用される不活性ガス、例えばＡｒ，
Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒ等が使用できる。また、必要によりＮ
₂を用いてもよい。スパッタ時の雰囲気としては、上記
スパッタガスに加えＯ₂を１〜９９％程度混合して反応
性スパッタを行ってもよい。

【０４５６】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法や、ＤＣスパッタ法等が使用できる。スパ
ッタ装置の電力としては、好ましくはＲＦスパッタで
０．１〜１０Ｗ／cm²の範囲が好ましく、成膜レートは
０．５〜１０nm／min 、特に１〜５nm／min の範囲が好
ましい。

【０４５７】成膜時の基板温度としては、室温（２５
℃）〜１５０℃程度である。

【０４５８】無機電子注入輸送層は、無機絶縁性電子注
入輸送層であってもよい。

【０４５９】無機絶縁性電子注入輸送層は、主成分とし
て酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化ルビジウム（Ｒｂ
₂Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ
₂Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ₂Ｏ）、酸化ストロンチウム
（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、および酸化
カルシウム（ＣａＯ）の１種または２種以上を含有す
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合し
て用いてもよく、２種以上を用いる場合の混合比は任意
である。また、これらのなかでは酸化ストロンチウムが
最も好ましく、次いで酸化マグネシウム、酸化カルシウ
ム、さらに酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）の順で好ましく、
次いで酸化ルビジウム（Ｒｂ₂Ｏ）、次いで酸化カリウ
ム（Ｋ₂Ｏ）、および酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）が好ま
しい。これらを混合して用いる場合には、これらのなか
で酸化ストロンチウムが４０ mol％以上、または酸化リ
チウムと酸化ルビジウムの総計が４０ mol％以上、特に
５０ mol％以上含有されていることが好ましい。

【０４６０】無機絶縁性電子注入輸送層は、好ましくは
安定剤として酸化シリコン（ＳｉＯ ₂）、および／また
は酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ₂）を含有する。これらは
いずれか一方を用いてもよいし、両者を混合して用いて
もよく、その際の混合比は任意である。

【０４６１】上記の各酸化物は、通常、化学量論的組成
（stoichiometric composition）で存在するが、これか
ら多少偏倚し、非化学量論的組成（non-stoichiometr
y）となっていてもよい。

【０４６２】また、本発明の無機絶縁性電子注入輸送層
は、好ましくは上記各構成成分が全成分に対して、Ｓｒ
Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｒｂ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｎａ₂
Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、ＳｉＯ₂、ＧｅＯ₂に換算して、主成分：８０〜９９ mol％、より好ましくは９０〜９５
mol％、安定剤：１〜２０ mol％、より好ましくは５〜１０
mol％、含有する。

【０４６３】無機絶縁性電子注入輸送層の膜厚として
は、好ましくは０．１〜２nm、より好ましくは０．３〜
０．８nmである。

【０４６４】さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、上記発
光層と、一対の電極との間に、無機ホール注入輸送層、
特に高抵抗の無機ホール注入輸送層を有する。

【０４６５】このように、ホールの導通パスを有し、電
子をブロックできる高抵抗の無機ホール注入輸送層を有
機層とホール注入電極の間に配置することで、発光層へ
ホールを効率よく注入することができ、さらに発光効率
が向上するとともに駆動電圧も低下する。

【０４６６】また、好ましくは高抵抗の無機ホール注入
輸送層の主成分としてシリコンや、ゲルマニウム等の金
属または半金属の酸化物を用い、これに仕事関数４．５
eV以上、好ましくは４．５〜６eVの金属や、半金属およ
び／またはこれらの酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化
物、硼化物のいずれか１種以上を含有させて導電パスを
形成することにより、ホール注入電極から発光層側の有
機層へ効率よくホールを注入することができる。しか
も、有機層からホール注入電極への電子の移動を抑制す
ることができ、発光層でのホールと電子との再結合を効
率よく行わせることができる。また、無機材料の有する
メリットと、有機材料の有するメリットとを併せもった
有機ＥＬ素子とすることができる。本発明の有機ＥＬ素
子は、従来の有機ホール注入層を有する素子と同等かそ
れ以上の輝度が得られ、しかも、耐熱性、耐候性が高い
ので従来のものよりも寿命が長く、リークやダークスポ
ットの発生も少ない。また、比較的高価な有機物質ばか
りではなく、安価で入手しやすく製造が容易な無機材料
も用いることで、製造コストを低減することもできる。

【０４６７】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、その抵
抗率が好ましくは１〜１×１０¹¹Ω・cm、特に１×１０
³〜１×１０⁸Ω・cmである。高抵抗の無機ホール注入輸
送層の抵抗率を上記範囲とすることにより、高い電子ブ
ロック性を維持したままホール注入効率を飛躍的に向上
させることができる。高抵抗の無機ホール注入輸送層の
抵抗率は、シート抵抗と膜厚からも求めることができ
る。この場合、シート抵抗は４端子法等により測定する
ことができる。

【０４６８】主成分の材料は、シリコン、ゲルマニウム
の酸化物であり、好ましくは（Ｓｉ_1-xＧｅ_x）Ｏ_yにおいて０≦ｘ≦１、１．７≦ｙ≦２．２、好ましくは１．７≦ｙ≦１．９９である。高抵抗の無機ホール注入輸送層の主成分は、酸
化ケイ素でも酸化ゲルマニウムでもよく、それらの混合
薄膜でもよい。ｙがこれより大きくても小さくてもホー
ル注入機能は低下してくる傾向がある。組成は、例えば
ラザフォード後方散乱、化学分析等で調べればよい。

【０４６９】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、さらに
主成分に加え、仕事関数４．５eV以上の金属（半金属を
含む）の酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化物および硼化
物を含有することが好ましい。仕事関数４．５eV以上、
好ましくは４．５〜６eVの金属は、好ましくはＡｕ，Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｎ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，ＰｄおよびＣｏのいずれか１種ま
た２種以上である。これらは一般に金属としてあるいは
酸化物の形で存在する。また、これらの炭化物、窒化
物、ケイ化物、硼化物であってもよい。これらを混合し
て用いる場合の混合比は任意である。これらの含有量は
好ましくは０．２〜４０ mol％、より好ましくは１〜２
０ mol％である。含有量がこれより少ないとホール注入
機能が低下し、含有量がこれを超えると電子ブロック機
能が低下してくる。２種以上を併用する場合、合計の含
有量は上記の範囲にすることが好ましい。

【０４７０】上記金属または金属（半金属を含む）の酸
化物、炭化物、窒化物、ケイ化物および硼化物は、通
常、高抵抗の無機ホール注入輸送層中に分散している。
分散粒子の粒径としては、通常、１〜５nm程度である。
この導体である分散粒子同士との間で高抵抗の主成分を
介してホールを搬送するためのホッピングパスが形成さ
れるものと考えられる。

【０４７１】高抵抗の無機ホール注入輸送層には、他
に、不純物として、Ｈやスパッタガスに用いるＮｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等を合計５at％以下含有していてもよ
い。

【０４７２】なお、高抵抗の無機ホール注入輸送層全体
の平均値としてこのような組成であれば、均一でなくて
もよく、膜厚方向に濃度勾配を有する構造としてもよ
い。

【０４７３】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、通常、
非晶質状態である。

【０４７４】高抵抗の無機ホール注入輸送層の膜厚とし
ては、好ましくは０．３〜１００nm、より好ましくは１
〜１００nm、特に５〜３０nm程度が好ましい。高抵抗の
無機ホール注入輸送層がこれより薄くても厚くても、ホ
ール注入層としての機能を十分に発揮できなくなくなっ
てくる。

【０４７５】上記の高抵抗の無機ホール注入輸送層の製
造方法としては、スパッタ法、蒸着法などの各種の物理
的または化学的な薄膜形成方法などが考えられるが、ス
パッタ法が好ましい。なかでも、上記主成分と金属また
は金属酸化物等のターゲットを別個にスパッタする多元
スパッタが好ましい。多元スパッタにすることで、それ
ぞれのターゲットに好適なスパッタ法を用いることがで
きる。また、１元スパッタとする場合には、主成分のタ
ーゲット上に上記金属または金属酸化物等の小片を配置
し、両者の面積比を適当に調整することにより、組成を
調整してもよい。

【０４７６】高抵抗の無機ホール注入輸送層をスパッタ
法で形成する場合、上記無機電子注入輸送層と同様であ
る。

【０４７７】また、無機ホール注入輸送層は無機絶縁性
ホール注入輸送層であってもよい。無機絶縁性ホール注
入輸送層は、シリコンおよび／またはゲルマニウムの酸
化物を主成分とする。

【０４７８】また、主成分の平均組成、好ましくはラザ
フォード後方散乱により得られる主成分の平均組成を、（Ｓｉ_1-xＧｅ_x）Ｏ_yと表したとき０≦ｘ≦１１．７≦ｙ≦１．９９である。

【０４７９】このように、無機絶縁性ホール注入輸送層
の主成分である酸化物を上記組成範囲とすることによ
り、ホール注入電極から発光層側の有機層へ効率よくホ
ールを注入することができる。しかも、有機層からホー
ル注入電極への電子の移動を抑制することができ、発光
層でのホールと電子との再結合を効率よく行わせること
ができる。また、ホール注入輸送を目的としているた
め、逆バイアスをかけると発光しない。特に、時分割駆
動方式など、高い発光輝度が要求されるディスプレイに
効果的に応用でき、無機材料の有するメリットと、有機
材料の有するメリットとを併せもった有機ＥＬ素子とす
ることができる。本発明の有機ＥＬ素子は、従来の有機
ホール注入層を有する素子と同等の輝度が得られ、しか
も、耐熱性、耐候性が高いので従来のものよりも寿命が
長く、リークやダークスポットの発生も少ない。また、
比較的高価な有機物質ではなく、安価で入手しやすい無
機材料を用いているので、製造が容易となり、製造コス
トを低減することができる。

【０４８０】酸素の含有量を表すｙは、上記組成範囲と
なっていればよく、１．７以上であって１．９９以下で
ある。ｙがこれより大きくても、ｙがこれより小さくて
もホール注入能が低下し、輝度が低下してくる。また、
好ましくは１．８５以上であって１．９８以下である。

【０４８１】無機絶縁性ホール注入輸送層は、酸化ケイ
素でも酸化ゲルマニウムでもよく、それらの混合薄膜で
もよい。これらの組成比を表すｘは、０≦ｘ≦１であ
る。また、好ましくはｘは０．４以下、より好ましくは
０．３以下、特に０．２以下であることが好ましい。

【０４８２】あるいは、ｘは好ましくは０．６以上、よ
り好ましくは０．７以上、特に０．８以上であってもよ
い。

【０４８３】上記酸素の含有量は、ラザフォード後方散
乱により得られた膜中の平均組成であるが、これと同等
な精度を有する測定方法であれば上記測定法に限定され
るものではない。

【０４８４】無機絶縁性ホール注入輸送層は、好ましく
はさらにＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、ＳｎおよびＡｕのい
ずれか１種以上を含有する。中でも、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、特にＮｉを含有することが好ましい。これらの元素
の含有量は好ましくは１０at％以下、より好ましくは
０．０５〜１０at％、さらには０．１〜１０at％、特に
０．５〜５at％である。含有量がこれを超えるとホール
注入機能が低下してくる。２種以上を併用する場合、合
計の含有量が上記範囲内であることが好ましい。

【０４８５】無機絶縁性ホール注入輸送層には、他に、
不純物として、スパッタガスに用いるＮｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅ等を好ましくは合計１０at％以下、より好まし
くは０．０１〜２質量％、特に０．０５〜１．５質量％
程度含有していてもよい。これらの元素は１種でも２種
以上を含有していてもよく、これらを２種以上用いる場
合の混合比は任意である。

【０４８６】これらの元素はスパッタガスとして使用さ
れ、無機絶縁性ホール注入輸送層成膜時に混入する。こ
れらの元素の含有量が多くなるとトラップ効果が極端に
低下し、所望の性能が得られない。

【０４８７】スパッタガスの含有量は、成膜時の圧力
と、スパッタガスと酸素の流量比、成膜レート等によ
り、特に成膜時の圧力で決められる。スパッタガスの含
有量を上記範囲とするためには、高真空側で成膜した方
が好ましく、具体的には、１Pa以下、特に０．１〜１Pa
の範囲が好ましい。

【０４８８】なお、ホール注入層全体の平均値としてこ
のような組成であれば、均一でなくてもよく、膜厚方向
に濃度勾配を有する構造としてもよい。この場合は、有
機層（発光層）界面側が酸素プアであることが好まし
い。

【０４８９】無機絶縁性ホール注入輸送層は、通常、非
晶質状態である。

【０４９０】無機絶縁性ホール注入輸送層の膜厚として
は、特に制限はないが、０．０５〜１０nm、特に１〜５
nm程度が好ましい。ホール注入層がこれより薄くても厚
くても、ホール注入を十分には行えなくなってくる。

【０４９１】上記の無機絶縁性電子注入輸送層、無機絶
縁性ホール注入輸送層の製造方法としては、スパッタ
法、ＥＢ蒸着法などの各種の物理的または化学的な薄膜
形成方法などが可能であるが、スパッタ法が好ましい。
その際の条件等は上記無機電子注入輸送層と同様であ
る。なお、本発明においては、高抵抗の無機電子注入輸
送層および高抵抗の無機ホール注入輸送層を用いること
が望ましい。

【０４９２】無機電子注入輸送層の上（発光層と反対
側：所謂逆積層のときには下側になる）には、陰電極を
有する。陰電極は、下記の無機絶縁性電子注入輸送層と
の組み合わせでは、低仕事関数で電子注入性を有してい
る必要がないため、特に限定される必要はなく、通常の
金属を用いることができる。なかでも、導電率や扱い易
さの点で、Ａｌ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｐｔ，ＰｄおよびＮｉ、特にＡｌ，Ａｇから選
択される１種または２種等の金属元素が好ましい。

【０４９３】これら陰電極薄膜の厚さは、電子を無機絶
縁性電子注入輸送層に与えることのできる一定以上の厚
さとすれば良く、５０nm以上、好ましくは１００nm以上
とすればよい。また、その上限値には特に制限はない
が、通常膜厚は５０〜５００nm程度とすればよい。な
お、陰電極側から発光光を取り出す場合には、膜厚は５
０〜３００nm程度が好ましい。

【０４９４】本発明の有機ＥＬ素子は、上記無機電子注
入輸送層との組み合わせにおいて、陰電極として上記金
属元素を用いることが好ましいが、必要に応じて下記の
ものを用いてもよい。例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の
金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれら
を含む２成分、３成分の合金系、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１４at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。

【０４９５】上記陰電極薄膜の厚さは、電子注入を十分
行える一定以上の厚さとすれば良く、０．１nm以上、好
ましくは０．５nm以上、特に１nm以上とすればよい。ま
た、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は１〜
５００nm程度とすればよい。陰電極の上には、さらに補
助電極（保護電極）を設けてもよい。

【０４９６】補助電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらには１００nm以上、特に１００〜５００nmの範
囲が好ましい。補助電極層が薄すぎると、その効果が得
られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなってし
まい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、補
助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくなる
ため、ダークスポットの成長速度が速くなってしまう等
といった弊害が生じてくる。

【０４９７】補助電極は、組み合わせる陰電極の材質に
より最適な材質を選択して用いればよい。例えば、電子
注入効率を確保することを重視するのであればＡｌ等の
低抵抗の金属を用いればよく、封止性を重視する場合に
は、ＴｉＮ等の金属化合物を用いてもよい。

【０４９８】陰電極と補助電極とを併せた全体の厚さと
しては、特に制限はないが、通常５０〜５００nm程度と
すればよい。

【０４９９】ホール注入電極材料は、ホール注入層へホ
ールを効率よく注入することのできるものが好ましく、
仕事関数４．５eV〜５．５eVの物質が好ましい。具体的
には、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ
酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ
₃）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）
のいずれかを主組成としたものが好ましい。これらの酸
化物はその化学量論組成から多少偏倚していてもよい。
Ｉｎ₂Ｏ₃に対するＳｎＯ₂の混合比は、１〜２０質量
％、さらには５〜１２質量％が好ましい。また、ＩＺＯ
でのＩｎ₂Ｏ₃に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２
〜３２質量％程度である。

【０５００】ホール注入電極は、仕事関数を調整するた
め、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を含有していてもよい。
酸化シリコン（ＳｉＯ₂）の含有量は、ＩＴＯに対する
ＳｉＯ₂の mol比で０．５〜１０％程度が好ましい。Ｓ
ｉＯ₂を含有することにより、ＩＴＯの仕事関数が増大
する。

【０５０１】光を取り出す側の電極は、発光波長帯域、
通常４００〜７００nm、特に各発光光に対する光透過率
が５０％以上、特に６０％以上、さらには７０％以上で
あることが好ましい。透過率が低くなると、発光層から
の発光自体が減衰され、発光素子として必要な輝度を得
難くなってくる。

【０５０２】電極の厚さは、５０〜５００nm、特に５０
〜３００nmの範囲が好ましい。また、その上限は特に制
限はないが、あまり厚いと透過率の低下や剥離などの心
配が生じる。厚さが薄すぎると、十分な効果が得られ
ず、製造時の膜強度等の点でも問題がある。

【０５０３】本発明の有機ＥＬ素子は、例えば図１に示
すように、基板１／ホール注入電極２／無機ホール注入
輸送層４／第１の発光層５ａ／第２の発光層５ｂ／無機
電子注入輸送層６／陰電極３と、発光層を２層以上の積
層体とした構成を有する。このような素子構造により、
発光色の色調調整や多色化を行うことができる。図１に
おいて、ホール注入電極２と陰電極３の間には、駆動電
源Ｅが接続されている。さらに、これらの積層順を逆に
した逆積層としてもよい。

【０５０４】これらの積層構成は、素子に求められる性
能や使用目的などにより、適宜最適な構成を選択した
り、必要な変更を加えて使用することができる。

【０５０５】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために、素子上を封止板等により封止することが好まし
い。封止板は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層
を用いて、封止板を接着し密封する。封止ガスは、Ａ
ｒ、Ｈｅ、Ｎ₂等の不活性ガス等が好ましい。また、こ
の封止ガスの水分含有量は、１００ppm 以下、より好ま
しくは１０ppm 以下、特には１ppm 以下であることが好
ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常
０．１ppm 程度である。

【０５０６】封止板の材料としては、好ましくは平板状
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ま
しいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカ
ガラス等のガラス組成のものも好ましい。特に、ソーダ
ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、
好ましい。封止板としては、ガラス板以外にも、金属
板、プラスチック板等を用いることもできる。

【０５０７】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
１〜２０μm 、より好ましくは１〜１０μm 、特に２〜
８μm が好ましい。このような直径のものは、粒長１０
０μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常直径と同程度以上であ
る。

【０５０８】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に２〜８μm の範囲が好ましい。

【０５０９】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは０．０１
〜３０質量％、より好ましくは０．１〜５質量％であ
る。

【０５１０】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。

【０５１１】本発明において、有機ＥＬ構造体を形成す
る基板としては、非晶質基板たとえばガラス、石英な
ど、結晶基板たとえば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、Ｚ
ｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＰなどがあげられ、またこれらの結
晶基板に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形
成した基板も用いることができる。また金属基板として
は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｄなどを用いる
ことができ、好ましくはガラス基板が用いられる。基板
は、通常光取り出し側となるため、上記電極と同様な光
透過性を有することが好ましい。

【０５１２】さらに、本発明素子を、平面上に多数並べ
てもよい。平面上に並べられたそれぞれの素子の発光色
を変えて、カラーのディスプレーにすることができる。

【０５１３】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【０５１４】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【０５１５】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【０５１６】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【０５１７】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【０５１８】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。

【０５１９】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ホール注入電極（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）の成
膜時にダメージを受けないような材料が好ましい。

【０５２０】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【０５２１】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型、パルス駆動型のＥＬ素子として用いられるが、交流
駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜３０
V 程度とされる。

【０５２２】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【０５２３】＜実施例１＞ガラス基板としてコーニング
社製商品名７０５９基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗
浄した。次いで、この基板をスパッタ装置の基板ホルダ
ーに固定し、ＩＴＯ酸化物ターゲットを用いＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により、ＩＴＯホール注入電極
層を形成した。

【０５２４】ＩＴＯが成膜された基板を、中性洗剤、ア
セトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノ
ール中から引き上げて乾燥した。次いで、表面をＵＶ／
Ｏ₃洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し
て、槽内を１×１０^-4Pa以下まで減圧した。

【０５２５】ターゲットにＳｉＯ₂と、この上に所定の
大きさのＡｕのペレットを配置して用い、高抵抗の無機
ホール注入層を２０nmの膜厚に成膜した。このときのス
パッタガスはＡｒ：３０sccm、Ｏ₂：５sccmで、室温
（２５℃）下、成膜レート１nm／min 、動作圧力０．２
〜２Pa、投入電力５００Ｗとした。成膜した高抵抗の無
機ホール注入輸送層の組成は、ＳｉＯ_1.9にＡｕを４ mo
l％含有するものであった。

【０５２６】さらに、減圧を保ったまま、テトラアリー
ルジアミン誘導体として上記例示化合物Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラ（３−ビフェニリル）ベンジジン（化合物
No.ＩＡ−１）と、ルブレンとを、蒸着速度：０．２nm/
secとして４０nmの厚さに蒸着し、第２の発光層とし
た。ＴＰＤに対してルブレンを５体積％ドープした。

【０５２７】次いで、フェニルアントラセン誘導体とし
て、上記例示化合物Ｉ−１を５０nmの厚さに蒸着し、第
１の発光層とした。フェニルアントラセン誘導体に対し
て下記の化合物を３体積％ドープした。

【０５２８】

【化１４９】

【０５２９】次いで、減圧状態を保ったまま、スパッタ
装置に移し、Ｌｉ₂ＯにＲｕＯ₂ を４ mol％混合したタ
ーゲットを用い、高抵抗の無機電子注入輸送層を２nmの
膜厚に成膜した。このときのスパッタガスはＡｒ：３０
sccm、Ｏ₂：５sccmで、室温（２５℃）下、成膜レート
１nm／min 、動作圧力：０．２〜２Pa、投入電力：５０
０Ｗとした。成膜した無機電子注入層の組成は、ターゲ
ットとほぼ同様であった。

【０５３０】さらに、減圧を保ったまま、Ａｌを２００
nmの厚さに蒸着して陰電極とし、最後にガラス封止して
有機ＥＬ素子を得た。

【０５３１】また、比較サンプル１として、発光層をＡ
ｌｑ3 単層で４０nmの厚さに形成した他は上記と同様に
して有機ＥＬ素子を得た。また、比較サンプル２とし
て、上記無機ホール注入層に代えて、蒸着法により、ポ
リチオフェンを蒸着速度０．１nm／secで１０nmの厚さ
に蒸着してホール注入層を形成し、ＴＰＤを蒸着速度
０．１nm／secで２０nmの厚さに蒸着してホール輸送層
を形成し、さらに、上記無機電子注入輸送層に代えて、
蒸着法により、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム（Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０．２nm/secとして３０nmの
厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした有機ＥＬ素子を作
製した。

【０５３２】加速試験として、１００mA／cm² の一定電
流密度で発光輝度、寿命特性を調べた。従来の有機材料
を電子注入輸送層としたこと以外全く同様の比較サンプ
ルに比べ、８０％程度発光輝度が向上していた。また、
比較サンプル１は１００時間以内に、比較サンプル２は
８０時間以内に輝度が半減したのに対して本発明サンプ
ルは、８００時間以上で、初期輝度の６０％以上を保っ
ていた。

【０５３３】＜実施例２＞実施例１において、高抵抗の
無機ホール注入層を成膜する際、ターゲットにＧｅＯ₂
と、このターゲット上に所定の大きさのＡｕのペレット
を配置し、高抵抗の無機ホール注入層を２０nmの膜厚に
成膜した。このときのスパッタガスはＡｒ：３０sccm、
Ｏ₂：５sccmで、室温（２５℃）下、成膜レート１nm／m
in 、動作圧力０．２〜２Pa、投入電力５００Ｗとし
た。成膜した無機ホール注入層の組成は、ＧｅＯ₂にＡ
ｕを２ mol％含有するものであった。

【０５３４】その他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素
子を得た。得られた有機ＥＬ素子を空気中で、１０mA／
cm²の定電流密度で駆動したところ、初期輝度は８８０
cd／m²、駆動電圧６，９V であった。

【０５３５】また、４端子法により高抵抗の無機ホール
注入層のシート抵抗を測定したところ、膜厚１００nmで
のシート抵抗は１００Ω／cm²であり、抵抗率に換算す
ると１×１０⁷Ω・cmであった。

【０５３６】＜実施例３＞実施例１において、高抵抗の
無機ホール注入輸送層を成膜する際にスパッタガスのＯ
₂流量、および膜組成によりターゲットを変えてその主
成分の組成をＳｉＯ_1.7、ＳｉＯ_1.95、ＧｅＯ_1.96、Ｓ
ｉ_0.5Ｇｅ_0.5Ｏ_1.92とした他は実施例１と同様にして有
機ＥＬ素子を作製し、発光輝度を評価したところほぼ同
等の結果が得られた。

【０５３７】＜実施例４＞実施例１において、高抵抗の
無機ホール注入層の金属を、ＡｕからＣｕ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｒｕ、Ｓｎ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｐｔ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｔａ，ＰｄおよびＣｏのいずれか１種以上、またはこれ
らの酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物に代え
ても同等の結果が得られた。

【０５３８】＜実施例５＞実施例１〜４において、高抵
抗の無機電子注入輸送層の組成を、Ｌｉ₂ＯからＮａ，
Ｋ，Ｒｂ，ＣｓおよびＦｒのアルカリ金属元素、または
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＢａおよびＲａのアルカリ土
類金属元素、またはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓ
ｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ
およびＬｕのランタノイド系元素から選択される１種以
上の元素の酸化物に代えても同様の結果が得られた。

【０５３９】また、ＲｕからＶ，Ｚｎ，ＳｍおよびＩｎ
から選択される１種以上の元素に代えても同様であっ
た。

【０５４０】＜実施例６＞実施例１において、第１の発
光層と第２の発光層を形成する際に、上記実施例１で用
いた化合物に代えて、上記各合成例の他の化合物、およ
び他の例示化合物を用いた他は実施例１と同様にして有
機ＥＬ素子を得たところ、実施例１とほぼ同様の結果が
得られることがわかった。

【０５４１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の有
機物質を用いたホール注入輸送層や、電子注入輸送層を
有する素子と同等かそれ以上の性能を有し、長寿命で、
耐候性を備え、安定性が高く、高効率で、しかも安価な
有機ＥＬ素子を実現することができる。

【０５４２】また、発光層を２層以上とした場合にも、
製造が容易で、膜界面での物性が安定した有機ＥＬ素子
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の構成例を示す概略断面
図である。

【図２】従来の有機ＥＬ素子の構成例を示す概略断面図
である。

【図３】従来の有機ＥＬ素子の他の構成例を示す概略断
面図である。

【符号の説明】

１基板２ホール注入電極３陰電極４無機ホール注入輸送層５発光層６無機電子注入輸送層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、この基板上に形成されたホール
注入電極と電子注入電極と、これらの電極間に設けられ
た有機物質を含有する発光層とを有し、この発光層と電子注入電極の間には、無機電子注入輸送
層を有し、前記発光層とホール注入電極との間には無機ホール注入
輸送層を有し、前期発光層は、前記無機電子注入輸送層または無機ホー
ル注入輸送層とそれぞれ接する界面を有する第１の発光
層と第２の発光層とを有し、前記無機電子注入輸送層は、ホールをブロックするとと
もに電子を搬送するための導電パスを有する高抵抗の無
機電子注入輸送層であり、前記無機ホール注入輸送層は、電子をブロックするとと
もにホールを搬送するための導通パスを有する高抵抗の
無機ホール注入輸送層であり、前記第１の発光層および第２の発光層は、含有するホス
ト材料のバンドギャップが２．８eV以上である有機ＥＬ
素子。
【請求項２】前記ホスト材料は、フェニルアントラセ
ン誘導体、またはテトラアリールジアミン誘導体である
請求項１の有機ＥＬ素子。
【請求項３】前記第１の発光層および第２の発光層
は、それぞれ異なったドーパントがドーピングされてい
る請求項１または２の有機ＥＬ素子。
【請求項４】前記第１の発光層および第２の発光層か
ら得られた発光が合成されて白色光として放出される請
求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項５】前記第１の発光層は無機電子注入輸送層
と界面を接し、かつホスト材料に青色蛍光物質がドーピ
ングされている請求項１〜４のいずれかの有機ＥＬ素
子。
【請求項６】前記高抵抗の無機電子注入輸送層は、第
１成分として仕事関数４eV以下であって、アルカリ金属
元素、およびアルカリ土類金属元素、およびランタノイ
ド系元素から選択される１種以上の酸化物と、第２成分として仕事関数３〜５eVの金属の１種以上とを
含有する請求項１〜５のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項７】前記第２成分は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｖ，Ｒ
ｕ，ＳｍおよびＩｎから選択される１種以上である請求
項６の有機ＥＬ素子。
【請求項８】前記アルカリ金属元素は、Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋ，Ｒｂ，ＣｓおよびＦｒの１種以上であり、アルカリ
土類金属元素は、Ｍｇ，ＣａおよびＳｒの１種以上であ
り、ランタノイド系元素はＬａおよびＣｅから選択され
る１種以上を有する請求項６または７の有機ＥＬ素子。
【請求項９】前記高抵抗の無機電子注入輸送層は、そ
の抵抗率が１〜１×１０¹¹Ω・cmである請求項１〜８の
いずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項１０】前記高抵抗の無機電子注入輸送層は、
第２成分を全成分に対して、０．２〜４０ mol％含有す
る請求項６〜９のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項１１】前記高抵抗の無機電子注入輸送層の膜
厚は、０．２〜３０nmである請求項１〜１０のいずれか
の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】前記高抵抗の無機ホール注入輸送層
は、抵抗率が１〜１×１０¹¹Ω・cmである請求項１〜１
１のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項１３】前記高抵抗の無機ホール注入輸送層
は、金属および／または金属の酸化物、炭化物、窒化
物、ケイ化物および硼化物のいずれか１種以上を含有す
る請求項１〜１２のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項１４】前記高抵抗の無機ホール注入輸送層
は、シリコンおよび／またはゲルマニウムの酸化物を主
成分とし、この主成分を（Ｓｉ_1-xＧｅ_x）Ｏ_yと表した
とき０≦ｘ≦１、１．７≦ｙ≦２．２であり、さらに、仕事関数４．５eV以上の金属および／または金
属の酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化物および硼化物の
いずれか１種以上を含有する請求項１〜１３のいずれか
の有機ＥＬ素子。
【請求項１５】前記金属は、Ａｕ，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｒｕ、Ｓｎ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｐｔ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｔａ，ＰｄおよびＣｏのいずれか１種以上である請求項
１４の有機ＥＬ素子。
【請求項１６】前記金属および／または金属の酸化
物、炭化物、窒化物、ケイ化物および硼化物の含有量
は、０．２〜４０ mol％である請求項１４または１５の
いずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項１７】前記高抵抗の無機ホール注入輸送層の
膜厚は、０．２〜１００nmである請求項１〜１６のいず
れかの有機ＥＬ素子。