JP2001230078A - 有機ｌｅｄパネルの製造方法 - Google Patents
有機ｌｅｄパネルの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 陰極における断線をより確実に防止でき、表
示品位および歩留まりの高い有機ＬＥＤパネルの製造方
法を提供する。 【解決手段】 パターニングされた透明電極２のエッジ
部分を覆い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明
電極が露出するように形成された感光性樹脂からなる絶
縁膜３を有する有機ＬＥＤパネルにおいて、絶縁膜を形
成した後に基板１に紫外光を照射する。また、絶縁膜と
は別に、感光性樹脂からなる隔壁を設けた有機ＬＥＤパ
ネルにおいても、隔壁を形成した後に基板に紫外光を照
射することにより、陰極５における断線をより確実に防
止でき、表示品位および歩留まりの高い有機ＬＥＤパネ
ルが得られる。
示品位および歩留まりの高い有機ＬＥＤパネルの製造方
法を提供する。 【解決手段】 パターニングされた透明電極２のエッジ
部分を覆い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明
電極が露出するように形成された感光性樹脂からなる絶
縁膜３を有する有機ＬＥＤパネルにおいて、絶縁膜を形
成した後に基板１に紫外光を照射する。また、絶縁膜と
は別に、感光性樹脂からなる隔壁を設けた有機ＬＥＤパ
ネルにおいても、隔壁を形成した後に基板に紫外光を照
射することにより、陰極５における断線をより確実に防
止でき、表示品位および歩留まりの高い有機ＬＥＤパネ
ルが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＬＥＤパネル
の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、陰極
における断線をより確実に防止でき、表示品位および歩
留まりの高い有機ＬＥＤパネルを提供し得る有機ＬＥＤ
パネルの製造方法に関する。
の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、陰極
における断線をより確実に防止でき、表示品位および歩
留まりの高い有機ＬＥＤパネルを提供し得る有機ＬＥＤ
パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＬＥＤパネルは、少なくとも一方が
透明な一対の電極間に、有機物からなる発光層、必要に
応じてホール注入輸送層や電子注入輸送層を挟んだ構造
をもち、低電圧駆動、高輝度発光が可能である。
透明な一対の電極間に、有機物からなる発光層、必要に
応じてホール注入輸送層や電子注入輸送層を挟んだ構造
をもち、低電圧駆動、高輝度発光が可能である。
【０００３】しかしながら、電極間に挟まれた各有機層
の膜厚は薄く、合計膜厚でも１００〜２００ｎｍ程度で
あり、透明電極のエッジの段差部分における有機層の膜
厚はさらに薄くなるために、これが上下の電極間でのリ
ークの原因になることがある。
の膜厚は薄く、合計膜厚でも１００〜２００ｎｍ程度で
あり、透明電極のエッジの段差部分における有機層の膜
厚はさらに薄くなるために、これが上下の電極間でのリ
ークの原因になることがある。
【０００４】このような電極間でのリークの問題を解決
するために、ＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの無機材料あるい
は絶縁性の有機材料のような絶縁材料を用いて、透明電
極のエッジ部分を絶縁膜で覆う技術が開発された（例え
ば、特許第２９１１５５２号公報参照）。
するために、ＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの無機材料あるい
は絶縁性の有機材料のような絶縁材料を用いて、透明電
極のエッジ部分を絶縁膜で覆う技術が開発された（例え
ば、特許第２９１１５５２号公報参照）。
【０００５】しかしながら、無機材料を用いる場合に
は、パターニングのためにドライエッチングなどの技術
や大型装置が必要になり、かつ製造プロセスが増加する
ので、製造コストの上昇につながる。
は、パターニングのためにドライエッチングなどの技術
や大型装置が必要になり、かつ製造プロセスが増加する
ので、製造コストの上昇につながる。
【０００６】そこで、透明電極のエッジ部分を有機材
料、すなわち感光性樹脂の絶縁膜で被覆する方法が提案
されている。しかしながら、感光性樹脂の絶縁膜で絶縁
耐圧を充分に確保するためには、比較的厚い膜厚が必要
になり、この厚い絶縁膜のエッジの段差部分で陰極の断
線が生じ易くなる。
料、すなわち感光性樹脂の絶縁膜で被覆する方法が提案
されている。しかしながら、感光性樹脂の絶縁膜で絶縁
耐圧を充分に確保するためには、比較的厚い膜厚が必要
になり、この厚い絶縁膜のエッジの段差部分で陰極の断
線が生じ易くなる。
【０００７】特開昭６２−２１４５３５号公報には、光
情報記録媒体に紫外線を照射して、洗浄に用いた洗剤を
酸化分解によってガス化する処理を含む光情報記録媒体
の製造方法が開示されている。また、特開平５−１４３
９８１号公報には、基板をオゾン環境下に置き、同時に
この基板に紫外線を照射することにより、紫外線による
有機物の分解と、分解物のオゾンによる酸化作用とを用
いて、基板表面を清浄化する基板の洗浄方法が開示され
ている。
情報記録媒体に紫外線を照射して、洗浄に用いた洗剤を
酸化分解によってガス化する処理を含む光情報記録媒体
の製造方法が開示されている。また、特開平５−１４３
９８１号公報には、基板をオゾン環境下に置き、同時に
この基板に紫外線を照射することにより、紫外線による
有機物の分解と、分解物のオゾンによる酸化作用とを用
いて、基板表面を清浄化する基板の洗浄方法が開示され
ている。
【０００８】しかしながら、上記の公報に記載の紫外線
照射の技術は、基板の洗浄のみを目的とするものであ
り、基板上の電極の断線の防止については記載されてい
ない。
照射の技術は、基板の洗浄のみを目的とするものであ
り、基板上の電極の断線の防止については記載されてい
ない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、陰極におけ
る断線をより確実に防止でき、表示品位および歩留まり
の高い有機ＬＥＤパネルの製造方法を提供することを課
題とする。
る断線をより確実に防止でき、表示品位および歩留まり
の高い有機ＬＥＤパネルの製造方法を提供することを課
題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記のよう
な問題点に着目し、鋭意研究を行った結果、有機ＬＥＤ
パネルの製造において、感光性樹脂からなる絶縁膜を形
成した後に紫外光を基板に照射することにより、陰極に
おける断線をより確実に防止でき、表示品位および歩留
まりの高い有機ＬＥＤパネルが得られることを見出し、
本発明を完成するに到った。
な問題点に着目し、鋭意研究を行った結果、有機ＬＥＤ
パネルの製造において、感光性樹脂からなる絶縁膜を形
成した後に紫外光を基板に照射することにより、陰極に
おける断線をより確実に防止でき、表示品位および歩留
まりの高い有機ＬＥＤパネルが得られることを見出し、
本発明を完成するに到った。
【００１１】また、陰極の電気的分離を確実にするため
に、絶縁膜とは別に、感光性樹脂からなる隔壁を設けた
有機ＬＥＤパネルにおいても、隔壁を形成した後に基板
に紫外光を照射することにより、陰極における断線をよ
り確実に防止でき、表示品位および歩留まりの高い有機
ＬＥＤパネルが得られることも見出し、本発明を完成す
るに到った。
に、絶縁膜とは別に、感光性樹脂からなる隔壁を設けた
有機ＬＥＤパネルにおいても、隔壁を形成した後に基板
に紫外光を照射することにより、陰極における断線をよ
り確実に防止でき、表示品位および歩留まりの高い有機
ＬＥＤパネルが得られることも見出し、本発明を完成す
るに到った。
【００１２】かくして、本発明によれば、パターニング
された透明電極のエッジ部分を覆い、かつ少なくとも発
光画素となる部分の透明電極が露出するように形成され
た感光性樹脂からなる絶縁膜を有する有機ＬＥＤパネル
において、絶縁膜を形成した後に基板に紫外光を照射す
ることを特徴とする有機ＬＥＤパネルの製造方法が提供
される。
された透明電極のエッジ部分を覆い、かつ少なくとも発
光画素となる部分の透明電極が露出するように形成され
た感光性樹脂からなる絶縁膜を有する有機ＬＥＤパネル
において、絶縁膜を形成した後に基板に紫外光を照射す
ることを特徴とする有機ＬＥＤパネルの製造方法が提供
される。
【００１３】また、本発明によれば、パターニングされ
た透明電極のエッジ部分を覆い、かつ少なくとも発光画
素となる部分の透明電極が露出するように形成された感
光性樹脂からなる絶縁膜と、陰極の電気的分離を確実に
するための感光性樹脂からなる隔壁を有する有機ＬＥＤ
パネルにおいて、絶縁膜を形成した後および隔壁を形成
した後にそれぞれ基板に紫外光を照射するか、あるいは
絶縁膜および隔壁を形成した後に基板に紫外光を照射す
ることを特徴とする有機ＬＥＤパネルの製造方法が提供
される。
た透明電極のエッジ部分を覆い、かつ少なくとも発光画
素となる部分の透明電極が露出するように形成された感
光性樹脂からなる絶縁膜と、陰極の電気的分離を確実に
するための感光性樹脂からなる隔壁を有する有機ＬＥＤ
パネルにおいて、絶縁膜を形成した後および隔壁を形成
した後にそれぞれ基板に紫外光を照射するか、あるいは
絶縁膜および隔壁を形成した後に基板に紫外光を照射す
ることを特徴とする有機ＬＥＤパネルの製造方法が提供
される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の方法によれば、陰極にお
ける断線をより確実に防止することができる。この作用
機構は明らかではないが、紫外光照射によって、特にエ
ッジ部分の絶縁膜が分解し、絶縁膜のエッジ部分が丸み
をおびることによるものと考えられる。すなわち、絶縁
膜上に形成された陰極は、絶縁膜のエッジ部分で急激な
膜厚の変化が生じ、断線しやすいが、このエッジ部分が
丸みをおびることにより、ほぼ一定膜厚の陰極が形成で
きるために、陰極の断線がより確実に防止できるものと
考えられる。
ける断線をより確実に防止することができる。この作用
機構は明らかではないが、紫外光照射によって、特にエ
ッジ部分の絶縁膜が分解し、絶縁膜のエッジ部分が丸み
をおびることによるものと考えられる。すなわち、絶縁
膜上に形成された陰極は、絶縁膜のエッジ部分で急激な
膜厚の変化が生じ、断線しやすいが、このエッジ部分が
丸みをおびることにより、ほぼ一定膜厚の陰極が形成で
きるために、陰極の断線がより確実に防止できるものと
考えられる。
【００１５】本発明の好適な実施の形態について、図面
を参照して以下に説明する。図１は本発明の有機ＬＥＤ
パネルの概略断面図である。この有機ＬＥＤパネルは、
基板１、パターニングされた透明電極（陽極）２、絶縁
膜３、有機ＬＥＤ層４および陰極５からなる有機ＬＥＤ
素子（発光画素）が複数配置されて構成される。絶縁膜
３は、パターニングされた透明電極２のエッジ部分を覆
い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明電極が露
出するように形成された感光性樹脂からなる。
を参照して以下に説明する。図１は本発明の有機ＬＥＤ
パネルの概略断面図である。この有機ＬＥＤパネルは、
基板１、パターニングされた透明電極（陽極）２、絶縁
膜３、有機ＬＥＤ層４および陰極５からなる有機ＬＥＤ
素子（発光画素）が複数配置されて構成される。絶縁膜
３は、パターニングされた透明電極２のエッジ部分を覆
い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明電極が露
出するように形成された感光性樹脂からなる。
【００１６】また、図２は本発明の別の有機ＬＥＤパネ
ルの概略平面図である。この有機ＬＥＤパネルは、図１
の有機ＬＥＤパネルの構成要素に加えて、陰極６の電気
的分離を確実にするための感光性樹脂からなる隔壁６を
各発光画素間に備えている。
ルの概略平面図である。この有機ＬＥＤパネルは、図１
の有機ＬＥＤパネルの構成要素に加えて、陰極６の電気
的分離を確実にするための感光性樹脂からなる隔壁６を
各発光画素間に備えている。
【００１７】本発明の有機ＬＥＤパネルでは、有機ＬＥ
Ｄ層からの発光が基板側から放出されるので、発光効率
を高めるために、陰極を反射電極とするか、または陰極
の有機ＬＥＤ層と隣接しない面に反射膜（図示しない）
を設けてもよい。
Ｄ層からの発光が基板側から放出されるので、発光効率
を高めるために、陰極を反射電極とするか、または陰極
の有機ＬＥＤ層と隣接しない面に反射膜（図示しない）
を設けてもよい。
【００１８】また、本発明の有機ＬＥＤパネルでは、パ
ネルの表示品位（例えば、コントラスト）を高めるため
に、基板１の外側（有機ＬＥＤ層と反対側）に偏向板
（図示せず）を設けてもよく、さらにパネルの防湿を図
り、その信頼性を高めるために、陰極５上に封止膜また
は封止基板（図示せず）を設けてもよい。
ネルの表示品位（例えば、コントラスト）を高めるため
に、基板１の外側（有機ＬＥＤ層と反対側）に偏向板
（図示せず）を設けてもよく、さらにパネルの防湿を図
り、その信頼性を高めるために、陰極５上に封止膜また
は封止基板（図示せず）を設けてもよい。
【００１９】実施の形態１ １）透明電極の形成 ガラス基板、石英基板またはプラスチック基板など基板
１上に形成された透明電極を用いて、パターニング工程
（例えば、フォトリソ技術）により、複数本の透明電極
２をストライプ状になるように基板１上に形成する。透
明電極の材質としては、例えば、錫添加インジウム酸化
物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2 、ＺｎＯおよびＣｕＡｌＯ2 な
どが挙げられる。透明電極の好ましい膜厚は１００〜３
００ｎｍ程度で、ストライプにおける好ましいピッチは
有機ＬＥＤパネルのサイズや解像度にもよるが、それぞ
れ５０〜１０００μｍ程度、４０〜９００μｍ程度であ
る。
１上に形成された透明電極を用いて、パターニング工程
（例えば、フォトリソ技術）により、複数本の透明電極
２をストライプ状になるように基板１上に形成する。透
明電極の材質としては、例えば、錫添加インジウム酸化
物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2 、ＺｎＯおよびＣｕＡｌＯ2 な
どが挙げられる。透明電極の好ましい膜厚は１００〜３
００ｎｍ程度で、ストライプにおける好ましいピッチは
有機ＬＥＤパネルのサイズや解像度にもよるが、それぞ
れ５０〜１０００μｍ程度、４０〜９００μｍ程度であ
る。
【００２０】次いで、ストライプ状の透明電極２を形成
した基板１を公知の方法、例えば、イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）を用いた超音波洗浄と蒸気乾燥などによ
り洗浄・乾燥する。また、基板にエキシマ光（波長１７
２ｎｍ、放射照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）のような紫外光の
照射（酸化分解処理）により、基板表面をさらに浄化し
てもよい。この際の紫外光の照射時間は５〜３０分間程
度でよい（特開昭６２−２１４５３５号公報および特開
平５−１４３９８１号公報参照）。
した基板１を公知の方法、例えば、イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）を用いた超音波洗浄と蒸気乾燥などによ
り洗浄・乾燥する。また、基板にエキシマ光（波長１７
２ｎｍ、放射照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）のような紫外光の
照射（酸化分解処理）により、基板表面をさらに浄化し
てもよい。この際の紫外光の照射時間は５〜３０分間程
度でよい（特開昭６２−２１４５３５号公報および特開
平５−１４３９８１号公報参照）。
【００２１】２）絶縁膜の形成 次に、パターニングされた透明電極２のエッジ部分を覆
い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明電極が露
出するように、感光性樹脂からなる絶縁膜３を形成す
る。
い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明電極が露
出するように、感光性樹脂からなる絶縁膜３を形成す
る。
【００２２】具体的には、基板の透明電極側に感光性樹
脂をスピンコートなどの塗布法により塗布し、プリベー
クした後、所定のフォトマスクを使用して露光し、現像
およびポストベークして絶縁膜３を形成する。感光性樹
脂用のプレポリマーとしては、通常この分野で用いられ
るもの、例えば、アクリル系、ポリイミド系、フェノー
ル系、アゾ系などが挙げられ、感光性樹脂としては市販
のものを用いることができる。絶縁膜の好ましい膜厚は
有機ＬＥＤ素子への印加電圧、樹脂の絶縁耐圧にもよる
が５００〜２０００ｎｍ程度である。次いで、絶縁膜３
を形成した基板を公知の方法、例えば、ＩＰＡを用いた
超音波洗浄、蒸気乾燥などにより洗浄・乾燥する。
脂をスピンコートなどの塗布法により塗布し、プリベー
クした後、所定のフォトマスクを使用して露光し、現像
およびポストベークして絶縁膜３を形成する。感光性樹
脂用のプレポリマーとしては、通常この分野で用いられ
るもの、例えば、アクリル系、ポリイミド系、フェノー
ル系、アゾ系などが挙げられ、感光性樹脂としては市販
のものを用いることができる。絶縁膜の好ましい膜厚は
有機ＬＥＤ素子への印加電圧、樹脂の絶縁耐圧にもよる
が５００〜２０００ｎｍ程度である。次いで、絶縁膜３
を形成した基板を公知の方法、例えば、ＩＰＡを用いた
超音波洗浄、蒸気乾燥などにより洗浄・乾燥する。
【００２３】３）紫外光の照射 次に、基板の絶縁膜側から紫外光を照射する。好ましい
紫外光は波長２００ｎｍ以下の光線であり、波長１００
〜２００ｎｍの範囲の光線がより好ましい。紫外光の波
長が２００ｎｍを超えると、本発明の効果が充分に得ら
れないので好ましくない。本発明において用いられる紫
外光としては、既存の装置を転用できる点で、波長１７
２ｎｍのエキシマ光が好ましい。
紫外光は波長２００ｎｍ以下の光線であり、波長１００
〜２００ｎｍの範囲の光線がより好ましい。紫外光の波
長が２００ｎｍを超えると、本発明の効果が充分に得ら
れないので好ましくない。本発明において用いられる紫
外光としては、既存の装置を転用できる点で、波長１７
２ｎｍのエキシマ光が好ましい。
【００２４】紫外光の好ましい照射時間および照射エネ
ルギーは、絶縁層を形成する感光性樹脂の種類、形成さ
れた絶縁層の膜厚および紫外光の波長により変化するの
で、これらの諸条件により適宜設定すればよい。一般
に、高い照射エネルギーの紫外光を用いる場合には比較
的短い照射時間で充分であり、低い照射エネルギーの紫
外光を用いる場合には比較的長い照射時間が必要にな
る。いずれにしても絶縁膜のエッジ部分が丸みをおびる
程度の紫外線照射が必要であり、通常、照射エネルギー
０．１〜１００Ｊ／ｃｍ2 の範囲、好ましくは１〜５０
Ｊ／ｃｍ2 の範囲で、照射時間５分〜２時間の範囲、好
ましくは１０〜６０分の範囲である。
ルギーは、絶縁層を形成する感光性樹脂の種類、形成さ
れた絶縁層の膜厚および紫外光の波長により変化するの
で、これらの諸条件により適宜設定すればよい。一般
に、高い照射エネルギーの紫外光を用いる場合には比較
的短い照射時間で充分であり、低い照射エネルギーの紫
外光を用いる場合には比較的長い照射時間が必要にな
る。いずれにしても絶縁膜のエッジ部分が丸みをおびる
程度の紫外線照射が必要であり、通常、照射エネルギー
０．１〜１００Ｊ／ｃｍ2 の範囲、好ましくは１〜５０
Ｊ／ｃｍ2 の範囲で、照射時間５分〜２時間の範囲、好
ましくは１０〜６０分の範囲である。
【００２５】基板表面に残存する界面活性剤を分解する
ことを目的として、紫外線照射を行う先行技術では、基
本的に照射エネルギーが大きいほど、照射時間が長いほ
ど基板の洗浄の効果は大きくなるものと考えられる。一
方、本発明は、陰極における断線をより確実に防止する
ことを目的として、紫外線照射を行うものである。紫外
線は絶縁膜のエッジ以外の部分の膜厚をも減少させるの
で、その照射エネルギーが大きすぎたり、照射時間が長
すぎると絶縁膜が薄くなり、その耐圧不足によりリーク
発生や素子破壊といった問題が生じる恐れがでてくる。
したがって、本発明においては上記のように絶縁膜のエ
ッジ部分が丸みをおびる程度の紫外線照射が必要であ
る。
ことを目的として、紫外線照射を行う先行技術では、基
本的に照射エネルギーが大きいほど、照射時間が長いほ
ど基板の洗浄の効果は大きくなるものと考えられる。一
方、本発明は、陰極における断線をより確実に防止する
ことを目的として、紫外線照射を行うものである。紫外
線は絶縁膜のエッジ以外の部分の膜厚をも減少させるの
で、その照射エネルギーが大きすぎたり、照射時間が長
すぎると絶縁膜が薄くなり、その耐圧不足によりリーク
発生や素子破壊といった問題が生じる恐れがでてくる。
したがって、本発明においては上記のように絶縁膜のエ
ッジ部分が丸みをおびる程度の紫外線照射が必要であ
る。
【００２６】図３は本発明において用いることができる
紫外光照射装置の概略模式図である。この装置において
は、紫外光ランプ８から発した光は直接的に、また反射
板７に反射されて間接的に基板１の絶縁膜または隔壁に
照射される。
紫外光照射装置の概略模式図である。この装置において
は、紫外光ランプ８から発した光は直接的に、また反射
板７に反射されて間接的に基板１の絶縁膜または隔壁に
照射される。
【００２７】図４は本発明において用いることができ
る、基板を移送させながら紫外光を照射する装置の概略
模式図である。図３の紫外光照射機構に加えて、基板１
を連続的に移送する基板搬送装置１０および搬送前後の
基板を収納する基板ストッカ９を備える。このように絶
縁膜および隔壁が形成された複数の基板が連続的に移送
される状態で紫外光を照射する方法は、有機ＬＥＤパネ
ルの製造を効率化できるので、本発明の好ましい実施態
様の一つである。
る、基板を移送させながら紫外光を照射する装置の概略
模式図である。図３の紫外光照射機構に加えて、基板１
を連続的に移送する基板搬送装置１０および搬送前後の
基板を収納する基板ストッカ９を備える。このように絶
縁膜および隔壁が形成された複数の基板が連続的に移送
される状態で紫外光を照射する方法は、有機ＬＥＤパネ
ルの製造を効率化できるので、本発明の好ましい実施態
様の一つである。
【００２８】４）有機ＬＥＤ層の形成 次いで、絶縁膜３上に有機ＬＥＤ層４を形成する。有機
ＬＥＤ層４は、発光層または発光層と電荷輸送層（電子
輸送層および／または正孔輸送層）からなり、それぞれ
の層は単層構造および多層構造のいずれであってもよ
い。その形成方法は、蒸着法、塗布法および印刷法な
ど、公知の方法のいずれであってもよい。形成条件は材
質および形成方法などにより適宜決定すればよい。
ＬＥＤ層４は、発光層または発光層と電荷輸送層（電子
輸送層および／または正孔輸送層）からなり、それぞれ
の層は単層構造および多層構造のいずれであってもよ
い。その形成方法は、蒸着法、塗布法および印刷法な
ど、公知の方法のいずれであってもよい。形成条件は材
質および形成方法などにより適宜決定すればよい。
【００２９】例えば、基板を蒸着装置内にセットし、ボ
ートを用いた抵抗加熱蒸着により、４，４‘−ビス−
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル（ＮＰＤ）からなる正孔輸送層（ホール輸送層）お
よびトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ
3 ）からなる発光層を蒸着レート０．２〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃで基板上に形成する。それぞれの膜厚は５０〜１
００ｎｍ程度であり、有機ＬＥＤ層の全膜厚としては、
１００〜２００ｎｍ程度である。
ートを用いた抵抗加熱蒸着により、４，４‘−ビス−
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル（ＮＰＤ）からなる正孔輸送層（ホール輸送層）お
よびトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ
3 ）からなる発光層を蒸着レート０．２〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃで基板上に形成する。それぞれの膜厚は５０〜１
００ｎｍ程度であり、有機ＬＥＤ層の全膜厚としては、
１００〜２００ｎｍ程度である。
【００３０】５）陰極の形成 最後に、有機ＬＥＤ層４上に陰極５を形成する。陰極の
材質としては、公知の電極材料、例えば、ＭｇとＡｇと
の合金が挙げられる。その形成方法は、抵抗加熱蒸着や
電子ビーム蒸着などが挙げられ、形成条件は材質および
形成方法などにより適宜決定すればよい。
材質としては、公知の電極材料、例えば、ＭｇとＡｇと
の合金が挙げられる。その形成方法は、抵抗加熱蒸着や
電子ビーム蒸着などが挙げられ、形成条件は材質および
形成方法などにより適宜決定すればよい。
【００３１】例えば、基板を蒸着装置内にセットし、Ｍ
ｇとＡｇとを蒸着レート１０：１で共蒸着法により基板
１の有機ＬＥＤ層４上に蒸着する。陰極５を他の有機層
と電気的に分離（絶縁）するためにメタルマスクを用い
る。陰極５の好ましい膜厚は１００〜３００ｎｍ程度で
ある。
ｇとＡｇとを蒸着レート１０：１で共蒸着法により基板
１の有機ＬＥＤ層４上に蒸着する。陰極５を他の有機層
と電気的に分離（絶縁）するためにメタルマスクを用い
る。陰極５の好ましい膜厚は１００〜３００ｎｍ程度で
ある。
【００３２】実施の形態２ 実施の形態１では陰極の分離をメタルマスクのみを用い
て行う。この方法ではメタルマスクと基板とが接触する
ため、先に形成した有機ＬＥＤ層に傷がつき、パネルの
表示品位が低下したり、メタルマスクの撓みによって陰
極の幅がメタルマスクの開口幅より大きくなり、陰極同
士が短絡する恐れがある。そこで、実施の形態２では、
陰極の電気的分離を確実にするための感光性樹脂からな
る隔壁を形成する。この隔壁形成以外の工程は実施の形
態１と同様にして、有機ＬＥＤパネルを得る。
て行う。この方法ではメタルマスクと基板とが接触する
ため、先に形成した有機ＬＥＤ層に傷がつき、パネルの
表示品位が低下したり、メタルマスクの撓みによって陰
極の幅がメタルマスクの開口幅より大きくなり、陰極同
士が短絡する恐れがある。そこで、実施の形態２では、
陰極の電気的分離を確実にするための感光性樹脂からな
る隔壁を形成する。この隔壁形成以外の工程は実施の形
態１と同様にして、有機ＬＥＤパネルを得る。
【００３３】具体的には、実施の形態１と同様にして絶
縁膜形成、基板洗浄および紫外光照射を行い、この基板
の絶縁膜を形成した側に隔壁６を形成し、紫外光照射を
行い、次いで実施の形態１と同様にして有機ＬＥＤ層お
よび陰極５を順次形成する。隔壁６の形成は、例えば、
感光性樹脂としての絶縁膜と同様の材料や市販のフォト
レジストをスピンナー等により基板に塗布し、プリベー
クした後、所定のフォトマスクを使用して透明電極と直
交する方向にストライプ状の隔壁（膜厚１０００〜５０
００ｎｍ程度）を形成する。
縁膜形成、基板洗浄および紫外光照射を行い、この基板
の絶縁膜を形成した側に隔壁６を形成し、紫外光照射を
行い、次いで実施の形態１と同様にして有機ＬＥＤ層お
よび陰極５を順次形成する。隔壁６の形成は、例えば、
感光性樹脂としての絶縁膜と同様の材料や市販のフォト
レジストをスピンナー等により基板に塗布し、プリベー
クした後、所定のフォトマスクを使用して透明電極と直
交する方向にストライプ状の隔壁（膜厚１０００〜５０
００ｎｍ程度）を形成する。
【００３４】次いで、隔壁６を形成した基板を公知の方
法、例えば、ＩＰＡを用いた超音波洗浄、蒸気乾燥など
により洗浄・乾燥する。このようにして得られた基板の
隔壁側から紫外光を照射する。紫外光照射に関する諸条
件は、実施の形態１と同様である。
法、例えば、ＩＰＡを用いた超音波洗浄、蒸気乾燥など
により洗浄・乾燥する。このようにして得られた基板の
隔壁側から紫外光を照射する。紫外光照射に関する諸条
件は、実施の形態１と同様である。
【００３５】実施の形態２では、絶縁膜を形成した後お
よび隔壁を形成した後にそれぞれ紫外光を照射している
が、絶縁膜および隔壁を形成した後に基板に紫外光を照
射してもよい。しかしながら、本発明の効果を充分に得
るためには、紫外光の照射を絶縁膜の形成後および隔壁
の形成後について別々に行うのが好ましい。
よび隔壁を形成した後にそれぞれ紫外光を照射している
が、絶縁膜および隔壁を形成した後に基板に紫外光を照
射してもよい。しかしながら、本発明の効果を充分に得
るためには、紫外光の照射を絶縁膜の形成後および隔壁
の形成後について別々に行うのが好ましい。
【００３６】本発明の効果を得るためには、絶縁膜のエ
ッジ部分だけに紫外光を照射すればよいが、この部分照
射のためにはマスキングなどの処理が必要になり、工程
が煩雑になるので、紫外光は絶縁膜や隔壁が形成された
基板全体に照射するのが好ましい。したがって、絶縁膜
や隔壁のエッジ部分が分解し、エッジ部分が丸みをおび
るだけでなく、絶縁膜や隔壁のエッジ以外の部分も分解
し、膜厚が減少する。このことから絶縁膜や隔壁の膜厚
の決定にあたっては、紫外光照射による膜厚の減少を見
込むことが望ましい。
ッジ部分だけに紫外光を照射すればよいが、この部分照
射のためにはマスキングなどの処理が必要になり、工程
が煩雑になるので、紫外光は絶縁膜や隔壁が形成された
基板全体に照射するのが好ましい。したがって、絶縁膜
や隔壁のエッジ部分が分解し、エッジ部分が丸みをおび
るだけでなく、絶縁膜や隔壁のエッジ以外の部分も分解
し、膜厚が減少する。このことから絶縁膜や隔壁の膜厚
の決定にあたっては、紫外光照射による膜厚の減少を見
込むことが望ましい。
【００３７】
【実施例】本発明を実施例および比較例によりさらに具
体的に説明するが、これらの実施例により本発明が限定
されるものではない。なお、実施例１は前記の実施の形
態１の具体例を示し、実施例２は前記の実施の形態２の
具体例を示す。
体的に説明するが、これらの実施例により本発明が限定
されるものではない。なお、実施例１は前記の実施の形
態１の具体例を示し、実施例２は前記の実施の形態２の
具体例を示す。
【００３８】実施例１ ガラス基板上に形成された膜厚１５０ｎｍのＩＴＯから
なる透明電極を、フォトレジストを使用する通常のフォ
トリソ技術を用いて処理し、ストライプ状（ピッチ２５
０μｍ、幅２３０μｍ）に形成した。次に、この基板を
ＩＰＡを用いて超音波洗浄し、蒸気乾燥して、基板にエ
キシマ光（波長１７２ｎｍ、放射照度１０ｍＷ／ｃ
ｍ2 ）を１５分間照射した。
なる透明電極を、フォトレジストを使用する通常のフォ
トリソ技術を用いて処理し、ストライプ状（ピッチ２５
０μｍ、幅２３０μｍ）に形成した。次に、この基板を
ＩＰＡを用いて超音波洗浄し、蒸気乾燥して、基板にエ
キシマ光（波長１７２ｎｍ、放射照度１０ｍＷ／ｃ
ｍ2 ）を１５分間照射した。
【００３９】次いで、得られた基板に感光性樹脂として
のＰＣ４０３（ＪＳＲ社製、製品名）をスピンコートに
より塗布し、プリベークした後、所定のフォトマスクを
使用して露光し、現像およびポストベークして、透明電
極のエッジ部分に膜厚１０００ｎｍの絶縁膜を形成し
た。次に、この基板をＩＰＡを用いて超音波洗浄し、蒸
気乾燥して、基板にエキシマ光（波長１７２ｎｍ、放射
照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を１５分間照射した。
のＰＣ４０３（ＪＳＲ社製、製品名）をスピンコートに
より塗布し、プリベークした後、所定のフォトマスクを
使用して露光し、現像およびポストベークして、透明電
極のエッジ部分に膜厚１０００ｎｍの絶縁膜を形成し
た。次に、この基板をＩＰＡを用いて超音波洗浄し、蒸
気乾燥して、基板にエキシマ光（波長１７２ｎｍ、放射
照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を１５分間照射した。
【００４０】得られた基板を蒸着装置内にセットし、ボ
ートを用いた抵抗加熱蒸着により、有機ＬＥＤ層を形成
した。具体的には、ホール輸送層として４，４‘−ビス
−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフ
ェニル（ＮＰＤ）および発光層としてトリス（８−キノ
リノール）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を基板加熱なし
で、それぞれ蒸着レート０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで
蒸着し、膜厚がそれぞれ７０ｎｍのホール輸送層と発光
層からなる有機ＬＥＤ層を形成した。
ートを用いた抵抗加熱蒸着により、有機ＬＥＤ層を形成
した。具体的には、ホール輸送層として４，４‘−ビス
−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフ
ェニル（ＮＰＤ）および発光層としてトリス（８−キノ
リノール）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を基板加熱なし
で、それぞれ蒸着レート０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで
蒸着し、膜厚がそれぞれ７０ｎｍのホール輸送層と発光
層からなる有機ＬＥＤ層を形成した。
【００４１】最後にＭｇとＡｇとを蒸着レート１０：１
で共蒸着法により基板に蒸着して、膜厚１５０ｎｍの陰
極を形成し、有機ＬＥＤパネルを得た。陰極形成の際の
陰極の分離はメタルマスクを用いた。
で共蒸着法により基板に蒸着して、膜厚１５０ｎｍの陰
極を形成し、有機ＬＥＤパネルを得た。陰極形成の際の
陰極の分離はメタルマスクを用いた。
【００４２】比較例１ 絶縁膜形成後にエキシマ光を照射しないこと以外は、上
記の実施例１と同様にして、有機ＬＥＤパネルを得た。
記の実施例１と同様にして、有機ＬＥＤパネルを得た。
【００４３】実施例１と比較例１の有機ＬＥＤパネルを
比較したところ、前者では陰極の断線が０であったのに
対して、後者では陰極１００本当たり１〜２本の断線が
みられた。
比較したところ、前者では陰極の断線が０であったのに
対して、後者では陰極１００本当たり１〜２本の断線が
みられた。
【００４４】実施例２ 陰極の電気的分離を確実にするための感光性樹脂からな
る隔壁を形成すること以外は、実施例１と同様にして、
有機ＬＥＤパネルを得た。具体的には、実施例１と同様
にして絶縁膜形成、基板洗浄およびエキシマ光照射を行
った。次いで、隔壁形成用の感光性樹脂としてのネガ型
フォトレジストＯＭＲ−８３（東京応化工業社製、製品
名）をスピンナーにより基板に塗布し、プリベークした
後、所定のフォトマスクを使用して透明電極と直交する
方向にストライプ状の隔壁（膜厚２０００ｎｍ）を形成
した。
る隔壁を形成すること以外は、実施例１と同様にして、
有機ＬＥＤパネルを得た。具体的には、実施例１と同様
にして絶縁膜形成、基板洗浄およびエキシマ光照射を行
った。次いで、隔壁形成用の感光性樹脂としてのネガ型
フォトレジストＯＭＲ−８３（東京応化工業社製、製品
名）をスピンナーにより基板に塗布し、プリベークした
後、所定のフォトマスクを使用して透明電極と直交する
方向にストライプ状の隔壁（膜厚２０００ｎｍ）を形成
した。
【００４５】次に、この基板をＩＰＡを用いて超音波洗
浄し、蒸気乾燥して、基板にエキシマ光（波長１７２ｎ
ｍ、放射照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を１５分間照射した。
得られた基板を蒸着装置内にセットし、実施例１と同様
にしてホール輸送層と発光層からなる有機ＬＥＤ層およ
び陰極を形成した。
浄し、蒸気乾燥して、基板にエキシマ光（波長１７２ｎ
ｍ、放射照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を１５分間照射した。
得られた基板を蒸着装置内にセットし、実施例１と同様
にしてホール輸送層と発光層からなる有機ＬＥＤ層およ
び陰極を形成した。
【００４６】比較例２ 絶縁膜形成後および隔壁形成後にエキシマ光を照射しな
いこと以外は、上記の実施例２と同様にして、有機ＬＥ
Ｄパネルを得た。
いこと以外は、上記の実施例２と同様にして、有機ＬＥ
Ｄパネルを得た。
【００４７】実施例２と比較例２の有機ＬＥＤパネルを
比較したところ、前者では陰極の断線が０であったのに
対して、後者では陰極１００本当たり１〜２本の断線が
みられた。
比較したところ、前者では陰極の断線が０であったのに
対して、後者では陰極１００本当たり１〜２本の断線が
みられた。
【００４８】
【発明の効果】有機ＬＥＤパネルの製造において、感光
性樹脂からなる絶縁膜を形成した後、あるいは感光性樹
脂からなる隔壁を形成した後に紫外光を照射することに
より、陰極における断線をより確実に防止でき、表示品
位および歩留まりの高い有機ＬＥＤパネルを得ることが
できる。
性樹脂からなる絶縁膜を形成した後、あるいは感光性樹
脂からなる隔壁を形成した後に紫外光を照射することに
より、陰極における断線をより確実に防止でき、表示品
位および歩留まりの高い有機ＬＥＤパネルを得ることが
できる。
【図１】本発明の有機ＬＥＤパネルの概略断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の別の有機ＬＥＤパネルの概略平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明において用いられる紫外光照射装置の一
例の概略模式図である。
例の概略模式図である。
【図４】本発明において用いられる、基板を移送させな
がら紫外光を照射する装置の一例の概略模式図である。
がら紫外光を照射する装置の一例の概略模式図である。
１ 基板 ２ 透明電極（陽極） ３ 絶縁膜 ４ 有機ＬＥＤ層 ５ 陰極 ６ 隔壁 ７ 反射板 ８ 紫外光ランプ ９ 基板ストッカ １０ 基板搬送装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB17 AB18 CA01 CA05 CB01 CC01 DA00 DB03 FA00 FA01 FA02 5F041 AA25 AA41 CA12 CA45 CA46 CA77 CA84 CA88 FF01
Claims (5)
- 【請求項１】 パターニングされた透明電極のエッジ部
分を覆い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明電
極が露出するように形成された感光性樹脂からなる絶縁
膜を有する有機ＬＥＤパネルにおいて、絶縁膜を形成し
た後に基板に紫外光を照射することを特徴とする有機Ｌ
ＥＤパネルの製造方法。 - 【請求項２】 パターニングされた透明電極のエッジ部
分を覆い、かつ少なくとも発光画素となる部分の透明電
極が露出するように形成された感光性樹脂からなる絶縁
膜と、陰極の電気的分離を確実にするための感光性樹脂
からなる隔壁を有する有機ＬＥＤパネルにおいて、絶縁
膜を形成した後および隔壁を形成した後にそれぞれ基板
に紫外光を照射するか、あるいは絶縁膜および隔壁を形
成した後に基板に紫外光を照射することを特徴とする有
機ＬＥＤパネルの製造方法。 - 【請求項３】 紫外光が波長１００〜２００ｎｍの範囲
の光線である請求項１または２に記載の有機ＬＥＤパネ
ルの製造方法。 - 【請求項４】 照射エネルギー０．１〜１００Ｊ／ｃｍ
2 の範囲で、かつ照射時間５分〜２時間の範囲で紫外光
を照射することからなる請求項１〜３のいずれか１つに
記載の有機ＬＥＤパネルの製造方法。 - 【請求項５】 絶縁膜または絶縁膜と隔壁が形成された
複数の基板が連続的に移送される状態で紫外光を照射す
ることからなる請求項１〜４のいずれか１つに記載の有
機ＬＥＤパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041272A JP2001230078A (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 有機ｌｅｄパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041272A JP2001230078A (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 有機ｌｅｄパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001230078A true JP2001230078A (ja) | 2001-08-24 |
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ID=18564532
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000041272A Pending JP2001230078A (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 有機ｌｅｄパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001230078A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467553B1 (ko) * | 2002-05-21 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 고분자 유기전기발광 디스플레이 소자와 그 제조방법 |
| JP2005101009A (ja) * | 2004-12-24 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2005183078A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
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-
2000
- 2000-02-18 JP JP2000041272A patent/JP2001230078A/ja active Pending
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