JP2001223462A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接続信頼性を高めたプリント配線板を提供す
る。 【解決手段】 半田ペースト７５ａ、７５ｂをリフロー
して半田バンプ７６ａ、７６ｂを形成した後に、導電性
接続ピン９６の固定部９８を半田バンプ７６ｂに当接さ
せ、再びリフローをして導電性接続ピン９６を取り付け
ている。これにより、導電性接続ピン９６を取り付ける
際のリフローによる半田のずり上がりを防ぎ、なおか
つ、半田ペースト７５ａ、７５ｂ内に形成された気泡を
抜き取ることができる。よって、プリント配線板の接続
信頼性を向上させることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、導電性接続ピン
が配設されたプリント配線板の製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図９を参照し、従来の導電性接続ピンの
固定方法について説明する。まず、ソルダーレジスト２
７０の開口部２７１内のパッド２５８に半田ペースト２
７５γを印刷する（図９（Ａ））。次に、該半田ペース
ト２７５の上に、図示しない治具により導電性接続ピン
２９６を位置決めする（図９（Ｂ））。そして、リフロ
ーすることで、半田ペーストを溶融して半田２７５と
し、該パッド２５８上に導電性接続ピン２９６を固定す
る（図９（Ｃ））。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】現在、ＩＣチップの高
集積化に伴い、小型の導電性接続ピンが用いられるよう
になっている。このため、上述した方法では、導電性接
続ピン２９６を取り付けてリフローした際に、半田２７
５が表面張力によって、導電性接続ピン２９６の固定部
２９６ａと接続部２９６ｂとの直角部分までずり上がる
ことがあった（図９（Ｃ））。これにより、該プリント
配線板に載置されたＩＣチップをドータボード等に接続
するため、導電性接続ピンをドータボードのソケットに
装填する際に、接続部２９６ｂがソケットへ嵌入せず、
接続不良が発生することがあった。更に、固定部２９６
ａへずり上がった半田により短絡を引き起こすことがあ
った。

【０００４】さらに、半田ペースト２７５γを印刷する
時点で、気泡２７５βが紛れ込み、リフローの際にも気
泡２７５βが抜けずに、そのまま半田２７５内に残るこ
とがあった。半田内に残留した気泡２７５βは、電子部
品の動作時に発生した熱により、拡散あるいは膨張した
りする。それにより、導電性接続ピン２９６との接続強
度が弱くなり、接続性、信頼性に影響を与えることがあ
った。また、最悪の場合には、ソケットの抜き差しにお
いてピンが外れることがあった。

【０００５】そのため、本発明者は上述した課題に対応
するため半田ペーストの充填量を減らしてみたが、導電
性接続ピンとの接続強度が低下してしまい、望ましい結
果を得ることができなかった。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、接続信頼性を高めた
プリント配線板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明では、少なくとも以下（ａ）〜
（ｄ）の工程を備えることを技術的特徴とするプリント
配線板の製造方法にある：（ａ）プリント配線板の表層
の開口に、半田ペーストを充填する工程；（ｂ）前記半
田ペーストをリフローして半田バンプを形成する工程；
（ｃ）前記半田バンプと当接するように導電性接続ピン
を載置する工程；（ｄ）前記半田バンプが溶融する温度
を加え、前記半田バンプを介して前記導電性接続ピンを
取り付ける工程。

【０００８】請求項２の発明では、上面に電子部品接続
用の半田パッド開口部を有し、下面には、外部接続用半
田パッド開口部を有するプリント配線板において、少な
くとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えることを技術的
特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）上面、下
面の半田パッドの開口部に、半田ペーストを充填する工
程；（ｂ）前記半田ペーストをリフローして上面及び下
面に半田バンプを形成する工程；（ｃ）前記下面の半田
バンプと当接するように導電性接続ピンを載置する工
程；（ｄ）前記半田バンプが溶融する温度を加え、前記
半田バンプを介して前記導電性接続ピンを取り付ける工
程。

【０００９】請求項３は、上面に電子部品接続用の半田
パッド開口部を有し、下面には、外部接続用半田パッド
開口部を有するプリント配線板において、少なくとも以
下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とす
るプリント配線板の製造方法：（ａ）上面、あるいは、
下面の半田パッドの開口部に、半田ペーストを充填する
工程；（ｂ）前記半田ペーストをリフローして上面、あ
るいは、下面に半田バンプを形成する工程；（ｃ）前記
（ａ）工程の反対面の半田パッドの開口部に、半田ペー
ストを充填する工程；（ｄ）前記半田ペーストをリフロ
ーして前記反対面に半田バンプを形成する工程；（ｅ）
前記下面の半田バンプと当接するように導電性接続ピン
を載置する工程；（ｆ）前記半田バンプが溶融する温度
を加え、前記半田バンプを介して前記導電性接続ピンを
取り付ける工程。

【００１０】請求項１〜３では、半田ペーストをリフロ
ーして半田バンプを形成した後に、導電性接続ピンを半
田バンプに当接させ、再びリフローをして導電性接続ピ
ンを取り付けている。半田ペーストをリフローして半田
バンプを形成した際に、半田ペースト内に形成された気
泡を抜き取ることができる。また、半田バンプを形成し
た後に、再びリフローをして導電性接続ピンを取り付け
ているため、リフローの際の導電性接続ピンへの半田の
ずり上がりを防ぐことができる。このため、プリント配
線板の接続信頼性を向上させることが可能となる。

【００１１】請求項４では、半田ペーストとしてＳｎ／
Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂを
用いている。それにより、接着強度のバラツキも小さ
く、ヒートサイクル条件下やＩＣチップの実装の熱によ
っても、導電性接続ピンの接着強度の低下もなく、ピン
の脱落、傾きを引き起こさず、電気的接続も確保するこ
とが可能となる。

【００１２】請求項５では、半田ペーストをリフローす
る温度として、１８０〜２８０℃を加えている。これに
より、適切に半田バンプを形成することが可能となる。

【００１３】請求項６では、半田バンプが溶融する温度
として、１８０〜２８０℃を加えている。それにより、
導電性接続ピンを適切に半田バンプに取り付けることが
可能となる。

【００１４】請求項７では、下面の半田ペーストの融点
は、上面の半田ペーストの融点よりも高いため、ＩＣチ
ップ等の電子部品を上面の半田パッドに取り付けるため
リフローした際にも下面の半田パッドが溶融して導電性
接続ピンがずれることがない。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るプ
リント配線板の製造方法について図を参照して説明す
る。先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板
１０の構成について、図６を参照して説明する。図６
は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の
断面図を示している。

【００１６】図６に示すようにプリント配線板１０は、
コア基板３０とビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとか
らなる。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹
脂絶縁層５０、１５０からなる。層間樹脂絶縁層５０に
は、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、
層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および
導体回路１５８が形成されている。層間樹脂絶縁層１５
０の上には、開口部７１Ｕ、７１Ｄが形成されたソルダ
ーレジスト層７０が配設されている。

【００１７】ソルダーレジスト７０の開口部７１Ｕ、７
１Ｄを介して、開口部７１Ｕ側のバイアホール１６０に
は、ＩＣチップ（図示せず）への接続用の半田バンプ７
６ａが形成されている。また、もう一方の開口部７１Ｄ
側のバイアホール１６０には、導電性接着剤となる半田
バンプ７６ｂを介して、ドータボード（図示せず）への
接続用の導電性接続ピン９６が接続されている。

【００１８】次に、本発明の第１実施形態に係るプリン
ト配線板の製造方法について説明する。ここでは、第１
実施形態のプリント配線板の製造方法に用いる、Ａ．層
間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤について
説明する。

【００１９】Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

【００２０】Ｂ．樹脂充填剤の調製 ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いる。

【００２１】引き続き、図６を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説
明する。

【００２２】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からな
る基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートさ
れている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削
孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４
とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ）参照）。

【００２３】（２）スルーホール３６および下層導体回
路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、Ｎ
ａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、
Ｎａ₃ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化
浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行い、スルーホール３６を含む下層導体
回路３４の全表面に粗化面３４αを形成する（図１
（Ｃ）参照）。

【００２４】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール３６内、および、基板３０の片面の下層導体回
路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成する。すな
わち、まず、スルーホール３６に相当する部分が開口し
たマスクを基板３０上に載置し、スキージを用いてスル
ーホール３６内に樹脂充填剤４０を押し込んだ後、１０
０℃、２０分の条件で乾燥させる。次に、スキージを用
いて凹部となっている下層導体回路３４非形成部に樹脂
充填剤４０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾
燥させる（図１（Ｄ）参照）。

【００２５】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の
表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填
剤４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。
このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても
同様に行う（図２（Ａ）参照）。次いで、１００℃で１
時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤
４０を硬化させる。

【００２６】このようにして、スルーホール３６や下層
導体回路３４非形成部に形成された樹脂充填材４０の表
層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充
填材４０と下層導体回路３４及びスルーホール３６とが
粗化面３４αを介して強固に密着した絶縁性基板を得
る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面
と下層導体回路３４の表面とが同一平面となる。

【００２７】（５）上記基板３０を水洗、酸性脱脂した
後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板
３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４
の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッ
チングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗
化面４２を形成する（図２（Ｂ）参照）。エッチング液
としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グ
リコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエ
ッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用
する。

【００２８】（６）基板３０の両面に、Ａで作製した基
板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム
を基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８
０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、
さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用い
て貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成する
（図２（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂
フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力
４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件
で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させ
る。

【００２９】（７）次に、層間樹脂絶縁層５０上に、厚
さ１．２ｍｍの貫通孔５１ａが形成されたマスク５１を
介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビ
ーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．
０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの
条件で層間樹脂絶縁層５０に、直径８０μｍのバイアホ
ール用開口５２を形成する（図２（Ｄ）参照）。

【００３０】（８）バイアホール用開口５２を形成した
基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の
溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０
の表面に粗化面５０αを形成する（図３（Ａ）参照）。

【００３１】（９）次に、上記処理を終えた基板３０
を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板
３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口５
２の内壁面に触媒核を付着させる。

【００３２】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面５０α全体に
厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５３を形成
する（図３（Ｂ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【００３３】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜５３に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっき
レジスト５５を設ける。ついで、基板３０を５０℃の水
で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で
洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ
２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図３（Ｃ）
参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【００３４】（１２）めっきレジスト５５を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５５下の無電
解めっき膜５３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５３と電解銅
めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バ
イアホール６０を含む）を形成する（図３（Ｄ）参
照）。

【００３５】（１３）（５）と同様の処理を行い、第二
銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、導
体回路５８の表面に粗化面５８αを形成する（図４
（Ａ）参照）。

【００３６】（１４）上記（６）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１５
０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を
形成し、多層配線板を得る（図４（Ｂ）参照）。

【００３７】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３
によった。

【００３８】（１６）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、ソルダーレジスト開口部７１Ｕ、７１Ｄの
パターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソル
ダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²
の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００
μｍの直径の開口を形成する。そして、さらに、８０℃
で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５
０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダ
ーレジスト層７０を硬化させ、開口７１Ｕ、７１Ｄを有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層７０を形
成する（図４（Ｃ）参照）。上記ソルダーレジスト組成
物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用する
こともできる。

【００３９】（１７）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成する（図４（Ｄ）参照）。

【００４０】（１８）基板のＩＣチップを載置する面の
ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕに、スズ−鉛を含
有する半田ペースト７５ａを印刷し、さらに他方の面の
ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄに、スズ−アンチ
モンを含有する半田ペースト７５ｂを印刷する（図５
（Ａ）参照）。ここで、半田ペーストとしてＳｎ／Ｐ
ｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂを用
いるのが好ましい。それにより、接着強度のバラツキも
小さく、ヒートサイクル条件下やＩＣチップの実装の熱
によっても、導電性接続ピンの接着強度の低下もなく、
ピンの脱落、傾きを引き起こさず、電気的接続も確保す
ることが可能となる。

【００４１】（１９）次に、温度２５０℃、時間３０秒
〜２分間でリフローを行うことによりソルダーレジスト
層７０の開口７１Ｕに半田バンプ７６ａを形成し、もう
一方の開口７１Ｄに半田バンプ７６ｂを形成する（図５
（Ｂ）参照）。このとき、半田ペースト内に形成された
気泡を抜くことができる。半田ペーストをリフローする
温度としては、１８０〜２８０℃を加えることが好まし
い。それにより、適切に半田バンプ７６ｂを形成するこ
とが可能となる。半田ペーストをリフローする温度は、
半田組成により異なり、半田の融点により設定する。融
点＋０〜＋３０℃の温度が望ましい。

【００４２】（２０）その後、導電性接続ピン９６を適
当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン
９６の固定部９８を開口部７１Ｄ内の半田バンプ７６ｂ
に当接させる（図５（Ｃ）参照）。

【００４３】（２１）次に、温度２５０℃、時間３０秒
〜２分間でリフローを行うことにより導電性接続ピン９
６を半田バンプ７６ｂに固定する。それにより、図９
（Ｃ）を参照して上述した従来技術でのリフロー時の導
電性接続ピン９６への半田のずり上がりを防ぐことがで
き、導電性接続ピン９６を適切に取り付ける（半田付
け）ことが可能となる。なお、半田バンプ７６ｂを溶融
させる温度として、１８０〜２８０℃が好ましい。以上
の工程により、導電性接続ピン９６を有するプリント配
線板１０を得ることができる（図６参照）。

【００４４】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板の製造方法について、図７及び図８を参照
して説明する。ここで、半田パッドの形成以前の（１）
〜（１７）工程は、図１〜図５を参照して上述した第１
実施形態と同様であるため説明を省略する。

【００４５】（１８）この後、基板のＩＣチップを載置
する上面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕに、ス
ズ−鉛を含有する半田ペースト７５ａを印刷する（図７
（Ａ）参照）。

【００４６】（１９）次に、温度２５０℃、時間３０秒
〜２分間でリフローを行うことによりソルダーレジスト
層７０の上面の開口７１Ｕに半田バンプ７６ａを形成す
る（図７（Ｂ）参照）。

【００４７】（２０）ドータボードへ接続する下面のソ
ルダーレジスト層７０の開口７１Ｄに、スズ−アンチモ
ンを含有する半田ペースト７５ｂを印刷する（図７
（Ｃ）参照）。 （２１）次に、温度２５０℃、時間３０秒〜２分間でリ
フローを行うことによりソルダーレジスト層７０の下面
の開口７１Ｄに半田バンプ７６ｂを形成する（図８
（Ａ）参照）。このとき、半田ペースト内に形成された
気泡を抜くことができる。

【００４８】（２２）その後、導電性接続ピン９６を適
当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン
９６の固定部９８を開口部７１Ｄ内の半田バンプ７６ｂ
に当接させる（図８（Ｂ）参照）。

【００４９】（２３）次に、温度２５０℃、時間３０秒
〜２分間でリフローを行うことにより導電性接続ピン９
６を半田バンプ７６ｂに固定する。それにより、図９
（Ｃ）を参照して上述した従来技術でのリフロー時の導
電性接続ピン９６への半田のずり上がりを防ぐことがで
き、導電性接続ピン９６を適切に取り付ける（半田付
け）ことが可能となる。

【００５０】

【発明の効果】本発明では上述したように、半田ペース
トをリフローして半田バンプを形成した後に、導電性接
続ピンを半田バンプに当接させ、再びリフローをして導
電性接続ピンを取り付けている。半田ペーストをリフロ
ーして半田バンプを形成した際に、半田ペースト内に形
成された気泡を抜き取ることができる。また、半田バン
プを形成した後に、再びリフローをして導電性接続ピン
を取り付けているため、リフローの際の導電性接続ピン
への半田のずり上がりを防ぐことができる。このため、
プリント配線板の接続信頼性を向上させることが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。

【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。

【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。

【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。

【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１
実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２
実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態
に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、従来技術に係
るプリント配線板の導電性接続ピンを固定する際の工程
図である。

【符号の説明】

３０ コア基板 ３６ スルーホール ３６ａ ランド ４０ 樹脂充填剤 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ７０ ソルダーレジスト層 ７１Ｕ、７１Ｄ 開口部 ７２ ニッケルめっき層 ７４ 金めっき層 ７５ａ、７５ｂ 半田ペースト ７６ａ、７６ｂ 半田バンプ ９６ 導電性接続ピン ９８ 固定部 １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路 １６０ バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 淳志 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 Ｆターム(参考） 5E317 AA21 AA24 BB18 CC08 CC15 CC25 CD27 GG11 5E319 AC01 BB01 BB04 BB05 CC33 CD26

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を
   備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）プリント配線板の表層の開口に、半田ペーストを
   充填する工程； （ｂ）前記半田ペーストをリフローして半田バンプを形
   成する工程； （ｃ）前記半田バンプと当接するように導電性接続ピン
   を載置する工程； （ｄ）前記半田バンプが溶融する温度を加え、前記半田
   バンプを介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程。
2. 【請求項２】 上面に電子部品接続用の半田パッド開口
   部を有し、下面には、外部接続用半田パッド開口部を有
   するプリント配線板において、少なくとも以下（ａ）〜
   （ｄ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板
   の製造方法： （ａ）上面、下面の半田パッドの開口部に、半田ペース
   トを充填する工程； （ｂ）前記半田ペーストをリフローして上面及び下面に
   半田バンプを形成する工程； （ｃ）前記下面の半田バンプと当接するように導電性接
   続ピンを載置する工程； （ｄ）前記半田バンプが溶融する温度を加え、前記半田
   バンプを介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程。
3. 【請求項３】 上面に電子部品接続用の半田パッド開口
   部を有し、下面には、外部接続用半田パッド開口部を有
   するプリント配線板において、少なくとも以下（ａ）〜
   （ｆ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板
   の製造方法： （ａ）上面、あるいは、下面の半田パッドの開口部に、
   半田ペーストを充填する工程； （ｂ）前記半田ペーストをリフローして上面、あるい
   は、下面に半田バンプを形成する工程； （ｃ）前記（ａ）工程の反対面の半田パッドの開口部
   に、半田ペーストを充填する工程； （ｄ）前記半田ペーストをリフローして前記反対面に半
   田バンプを形成する工程； （ｅ）前記下面の半田バンプと当接するように導電性接
   続ピンを載置する工程； （ｆ）前記半田バンプが溶融する温度を加え、前記半田
   バンプを介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程。
4. 【請求項４】 前記半田ペーストとしてＳｎ／Ｐｂ、Ｓ
   ｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂを用いるこ
   とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のプリ
   ント配線板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記半田ペーストをリフローする温度と
   して、１８０〜２８０℃を加えることを特徴とする請求
   項１〜３のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記半田バンプが溶融する温度として、
   １８０〜２８０℃を加えることを特徴とする請求項１〜
   ３のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記上面の半田ペーストと前記下面の半
   田ペーストは、組成が異なり、かつ、下面の半田ペース
   トの融点は、上面の半田ペーストの融点よりも高いこと
   を特徴とする請求項２又は３に記載のプリント配線板の
   製造方法。