JP2001223085A - Ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クラックが発生し難く、空孔率の低い密な誘
電体厚膜をセラミック基板、ガラス／セラミック複合基
板上に形成することにより、高輝度の青色発光が得ら
れ、白色発光やフルカラー化、高精細化が可能で、しか
も製造が容易な薄膜ＥＬ素子、およびその製造方法を実
現する。 【解決手段】 少なくとも耐熱温度ないし融点が８００
℃以上の基板と、厚膜焼成により形成された誘電体層を
有するＥＬ素子であって、上記誘電体層が少なくとも膜
厚の２倍以上、３０倍以下の長さの辺を有する矩形パタ
ーンに形成されている構成のＥＬ素子とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄型でかつ平板状
の表示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクト
ロルミネセンス）素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネセンス（電界効果）と
いう現象を応用した無機物質からなる発光層を有する薄
膜ＥＬ素子は、発光デバイスとして平面薄型ディスプレ
イに用いられている。

【０００３】薄膜ＥＬ素子の発光色は、その素子のもつ
発光層の材料によって定まる。従来から、発光層の材料
として、母体材料にはＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等が選ば
れ、発光中心材料には、例えば遷移金属元素群の中から
選ばれている。

【０００４】これらの組み合わせにより、ＺｎＳ：Ｍｎ
等を用いた黄色発光素子、ＺｎＳ：Ｔｂ等を用いた緑色
発光素子、ＣａＳ：ＥｕあるいはＺｎＳ：Ｓｍ等を用い
た赤色発光素子、およびＳｒＳ：Ｃｅ或いはＺｎＳ：Ｔ
ｍ等を用いた青色発光素子等が知られている。

【０００５】また、白色発光素子としては、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ，ＥｕあるいはＺｎＳ：Ｐｒ等の単膜発光層や、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＣａＳ：Ｅｕ、あるいは特開昭６２−７４９
８６号公報に開示されているＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍ
ｎ等の積層発光層等が知られている。

【０００６】しかしながら、上述の発光素子のうち、実
用化されているものはＺｎＳ：Ｍｎを用いた黄色発光素
子程度であり、他の発光素子については十分な発光輝度
が得られておらず、特に青色発光素子では未だ実用化に
は至っていないのが現状である。

【０００７】ＥＬディスプレイの発展を妨げているの
は、高輝度で色純度の高い青色発光素子ないし白色発光
素子が見つかっていない点にある。

【０００８】フルカラーディスプレイや、現在実用化さ
れているＺｎＳ：Ｍｎを用いた黄色発光素子を利用して
白色発光素子を得ようとすると、３元色の１つであり、
黄色発光の補色である青色発光素子の高性能化が必要に
なってくる。

【０００９】上述の特開昭６２−７４９８６号公報に開
示された白色発光素子は、ＳｒＳ：Ｃｅの性能が劣って
おり、やや緑がかった青色を呈するので、全体的にも緑
がかった白色を呈してしまう。

【００１０】高性能の青色発光素子が実現すれば、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎを用いた黄色発光素子と組み合わせることによ
り、高性能の白色発光素子も実現できる。

【００１１】青色発光のための有望な蛍光物質として、
ＳｒＳが知られている。ＩＤＷ(International Display
Workshop)1997 X.Wu "Multicolor Thin-Film Ceramic
Hybrid EL Displays" p593 to 596 には、ＳｒＳを用い
たＥＬディスプレイについての検討がなされている。

【００１２】この文献では、ＳｒＳにＣｅをドープして
安定性を向上させると共に、ＳｒＳの劣化を防止する有
効な手段として酸素からの汚染を防止し、高純度のＳｒ
Ｓ発光層を形成するために、Ｈ₂Ｓ雰囲気下で電子ビー
ム蒸着法により発光層を形成する手法が有効である旨記
載されている。また、形成された発光層を、窒素雰囲気
下、６００℃以上の温度でアニールすることにより、良
好な発光特性が得られる旨記載されてる。

【００１３】しかし一般的なＥＬ素子ではガラス基板、
ＩＴＯ薄膜上に誘電体層、発光層が形成されるため、６
００℃以上での高温アニールはガラス基板、ＩＴＯ薄膜
の耐熱性が不充分であるため、実用化には至っていな
い。

【００１４】そこで、特開平７−５０１９７号公報のＥ
Ｌディスプレイでは、耐熱性セラミック基板上に、銀／
プラチナ等の厚膜導体ペーストを印刷、焼成した後Ｐｂ
ＮｂＯ₃ 、ＢａＴｌＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＰｂＴｌＯ₃
等の厚膜誘電体ペーストを印刷、焼成することにより発
光層の下地を形成している。これらの厚膜焼成導体およ
び誘電体は８５０℃から１０００℃以上の高温で焼成さ
れるため、その後の発熱体形成および高温熱処理に充分
耐え得る耐熱性を有する。

【００１５】また、上記公報では厚膜焼成誘電体の表面
を平坦化し、その後に続く薄膜プロセスで形成される発
光層および上部誘電体層の絶縁耐圧を確保する方法が開
示されている。通常の焼成後の厚膜セラミックの表面は
１μm 以上の表面粗さを有し、その上に１μm 程度以下
の厚さを有する薄膜を形成しても、均一にその表面を被
覆することは困難であり、膜厚方向に電界が印加される
と低電界でも絶縁破壊にいたる場合が多い。充分な絶縁
耐圧を得るためにほ薄膜の膜厚を下地の表面粗さ以上に
充分厚くするか、あるいは下地の表面を平坦化すること
が必要である。上記ＥＬディスプレイでは焼成後の誘電
体セラミック表面に、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含むゾルをス
ピンコーティング等の手法により塗布した後、空気中で
６００℃、３０分の加熱をすることにより、２〜３μm
のＰＺＴ層を形成している。そのＰＺＴ層の表面は、ス
クリーン印刷されて焼結された第１誘電体層の表面より
も著しく滑らかであることが観察されたと記されてい
る。

【００１６】しかし一般的にペロブスカイト系誘電体セ
ラミック材料は、アルミナ等のセラミック基板材料や結
晶化ガラスのようなガラス／セラミック複合材料よりも
膨張係数が大きく、これらの基板上にペーストを塗布、
焼成した後の冷却時の収縮により微小なクラックが観察
されることが多い。またクラックが発生しないまでも焼
成時に基板は焼き縮まないので、密に焼結することがか
なわず、その内部および表面に多くの空孔が存在し、上
記平坦化処理を施しても充分な絶縁耐圧が得られないと
いう問題が生じていた。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、クラ
ックが発生し難く、空孔率の低い密な誘電体厚膜を基板
上に形成することにより、高輝度の青色発光が得られ、
白色発光やフルカラー化、高精細化が可能で、しかも製
造が容易なＥＬ素子、およびその製造方法を実現するこ
とである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の構成により達成される。 （１） 少なくとも耐熱温度ないし融点が８００℃以上
の基板と、厚膜焼成により形成された誘電体層を有する
ＥＬ素子であって、上記誘電体層が少なくとも膜厚の２
倍以上、３０倍以下の長さの辺を有する矩形パターンに
形成されているＥＬ素子。 （２） 前記誘電体層は、平坦化処理されている上記
（１）のＥＬ素子。 （３） 前記矩形パターン間に別の誘電体が形成されて
いる上記（１）または（２）のＥＬ素子。 （４）前記誘電体層は、ペロブスカイト構造を有する上
記（１）〜（３）のいずれかのＥＬ素子。 （５） 誘電体層をスクリーン印刷法により矩形パター
ンにパターニングして上記（１）〜（４）のＥＬ素子を
得るＥＬ素子の製造方法。 （６） 前記誘電体層を形成した後、平坦化処理を行う
上記（５）のＥＬ素子の製造方法。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明のＥＬ素子は少なくとも耐
熱温度ないし融点が８００℃以上の基板と、厚膜焼成に
より形成した誘電体層を有するＥＬ素子であって、上記
誘電体層が少なくとも膜厚の２倍以上、３０倍以下の長
さの辺を有する矩形パターンに形成されているものであ
る。

【００２０】このように、耐熱性を有する基板上に、厚
膜旗成により誘電体を形成する際、誘電体層が少なくと
も膜厚の２倍以上、３０倍以下の長さの辺を有する矩形
パターンに実質上、分割して形成されることにより、基
板よりも膨張係数の大きな誘電体膜をクラックフリー
で、しかも高感度に焼結せしめることができる。さらに
その後に続く誘電体表面の平坦化処理によりＥＬ素子と
して充分な絶縁破壊耐性を有する誘電体層を得ることが
可能となる。

【００２１】パターニングされ、分割される誘電体層
は、少なくとも膜厚の２倍以上、３０倍以下の長さの辺
を有する矩形パターンとなっている。誘電体層の一辺の
長さが前記範囲を超えると、基板との応力により、クラ
ックや、空孔が生じやすくなる。また、分割される一辺
の長さが短すぎると、製造が作業が困難となり、表示に
不都合が生じてくる。ここで、矩形パターンとは必ずし
も正規の四角形である必要はなく、成膜される基板の形
状や、ディスプレイの設計内容に応じて必要な形状に分
割されていればよい。従って、上記辺の長さはは、矩形
パターンに換算した場合の一辺の長さであり、通常、基
板の長手方向に相当する辺が分割される。

【００２２】分割される辺の長さは好ましくは膜厚の２
倍以上、３０倍以下、特に１０倍以上、２０倍以下であ
る。また、基板の大きさが大きい場合、さらに他方の辺
を分割してもよく、この場合の一辺の好ましい長さは上
記と同様である。２方向の辺を分割パターニングする際
には、ディスプレイの表示との兼ね合いから不都合が生
じない部位で分割することが望ましい。

【００２３】パターニングされた誘電体層の間隔（ギャ
ップ）は、好ましくは誘電体層の膜厚の１倍以上、５倍
以下、特に１倍以上、２倍以下である。

【００２４】耐熱温度ないし融点が８００℃以上の基板
としては、絶縁性を有し、その上に形成される導体層、
厚膜誘電体層を汚染することなく、所定の強度を維持で
きるものであれば特に限定されるものではない。具体的
には、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、フォルステライト（２Ｍ
ｇＯ・ＳｉＯ₂）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）、
ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）、ベリリア（Ｂｅ
Ｏ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ＋ＢｅＯ）等のセラミッ
ク基板を挙げることができる。これらの耐熱温度はいず
れも１０００℃以上である。これらのなかでも特にアル
ミナ基板が好ましく、熱伝導性が必要な場合にはベリリ
ア、窒化アルミニウム、炭化シリコン等が好ましい。ま
たガラスとセラミックの複合材料であるガラス／セラミ
クス（結晶化ガラス）を用いることもできる。

【００２５】また、このほかに、石英、熱酸化シリコン
ウエハー等を用いることもできる。

【００２６】電極層は、少なくとも基板側または厚膜内
に形成され、その後の厚膜誘電体焼成、平坦化処理、発
光層形成等の高温プロセスを経ても充分な導電性と、基
板との密着強度を有し、かつ高温で誘電体層との反応
（相互拡散）が生じ難い材料が好ましい。具体的には主
成分としてパラジウム、ロジウム、イリジウム、レニウ
ム、ルテニウム、白金、銀、金、タンタル、ニッケル、
クロム、チタン等の通常用いられている金属電極を用い
ればよい。特に、一般的にチップコンデンサの電極に使
用されているような耐熱性金属材料、たとえばＡｇ／Ｐ
ｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ／Ｃｕ、Ａｕ等の薄
膜、厚膜を使用することができる。

【００２７】また、電極層は、シリコンを有するもので
も良い。このシリコン電極層は、多結晶シリコン（ｐ−
Ｓｉ）であっても、アモルファス（ａ−Ｓｉ）であって
もよく、必要により単結晶シリコンであってもよい。

【００２８】電極層は、主成分のシリコンに加え、導電
性を確保するため不純物をドーピングする。不純物とし
て用いられるドーパントは、所定の導電性を確保しうる
ものであればよく、シリコン半導体に用いられている通
常のドーパントを用いることができる。具体的には、
Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ等が挙げられ、これらのなか
でも、特にＢ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂおよびＡｌが好ましい。
ドーパントの濃度としては０．００１〜５at％程度が好
ましい。

【００２９】また、他の電極層（上部電極）は、通常基
板と反対側から発光を取り出すため、所定の発光波長域
で透光性を有する透明な電極が好ましい。透明電極は、
基板が透明であれば、発光光を基板側から取り出すこと
が可能なため、基板側に用いてもよい。この場合、Ｚｎ
Ｏ、ＩＴＯなどの透明電極を用いることが特に好まし
い。ＩＴＯは、通常Ｉｎ₂ Ｏ₃ とＳｎＯとを化学量論組
成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよ
い。Ｉｎ₂ Ｏ₃ に対するＳｎＯ₂ の混合比は、１〜２０
wt％、さらには５〜１２wt％が好ましい。また、ＩＺＯ
でのＩｎ₂ Ｏ₃ に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２
〜３２wt％程度である。

【００３０】電極層の厚さは下地の基板の表面粗さ、誘
電体層の焼成温度によって最低膜厚が決まる。すなわ
ち、基板の表面の凹凸に追随して、連続的に被覆できる
膜厚が必要であり、また誘電体焼成時に誘電体との反応
により高抵抗化がおこらないだけの膜厚が必要である。

【００３１】これらの材料で電極層を形成する方法とし
ては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印
刷焼成法など既存の方法を用いればよいが、特に、基板
上に内部に電極を有した厚膜を形成した構造を作製する
場合、誘電体厚膜と同じ方法が好ましい。

【００３２】電極層の好ましい抵抗率としては、発光層
に効率よく電界を付与するため、１Ω・cm以下、特に１
×１０^-6 〜１×１０^-3 Ω・cmである。電極層の膜厚と
しては、形成する材料にもよるが、好ましくは５０〜１
００００nm、特に５００〜５０００nm程度である。

【００３３】導体層が形成された基板上に、厚膜誘電体
層が形成される。この厚膜誘電体の形成工程では、上述
のように基板材料との熱膨張係数差によるクラックやポ
アの発生を抑制するため、膜厚の２〜３０倍程度の幅の
パターンに印刷した後焼成することが好ましい。

【００３４】誘電体厚膜材料（第１の絶縁層）として
は、公知の誘電体厚膜材料を用いることができる。さら
に比較的誘電率の大きな材料が好ましい。

【００３５】例えばチタン酸鉛系、ニオブ酸鉛系、チタ
ン酸バリウム系等の材料を用いることができる。

【００３６】また、これ以外に以下の材料および以下の
材料の２種類以上の混合物などが好適である。

【００３７】(A) ペロブスカイト型材料：ＰｂＴｉＯ
₃ 、希土類元素含有チタン酸鉛、ＰＺＴ（ジルコンチタ
ン酸鉛）、ＰＬＺＴ（ジルコンチタン酸ランタン鉛）等
のＰｂ系ペロブスカイト化合物、ＮａＮｂＯ₃ 、ＫＮｂ
Ｏ₃ 、ＮａＴａＯ₃ 、ＫＴａＯ ₃ 、ＣａＴｉＯ₃ 、Ｓｒ
ＴｉＯ₃ 、ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒＯ₃ 、ＣａＺｒ
Ｏ₃、ＳｒＺｒＯ₃ 、ＣｄＺｒＯ₃ 、ＣｄＨｆＯ₃ 、Ｓ
ｒＳｎＯ₃ 、ＬａＡｌＯ₃ 、ＢｉＦｅＯ₃ 、Ｂｉ系ペロ
ブスカイト化合物など。以上のような単純、さらには金
属元素を３種以上含有する複合ペロブスカイト化合物、
複合、層状の各種ペロブスカイト化合物。

【００３８】(B) タングステンブロンズ型材料： ニオ
ブ酸鉛、ＳＢＮ（ニオブ酸ストロンチウムバリウム）、
ＰＢＮ（ニオブ酸鉛バリウム）、ＰｂＮｂ₂Ｏ₆ 、Ｐｂ
Ｔａ₂Ｏ₆ 、ＰｂＮｂ₄Ｏ₁₁ 、Ｂａ₂ＫＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ
₂ＬｉＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＡｇＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＲｂＮ
ｂ₅Ｏ₁₅ 、ＳｒＮｂ₂Ｏ₆ 、Ｓｒ₂ＮａＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ
₂ＬｉＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＫＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＲｂＮｂ₅
Ｏ₁₅ 、Ｂａ₃Ｎｂ₁₀Ｏ ₂₈ 、Ｂｉ₃Ｎｄ₁₇Ｏ₄₇ 、Ｋ₃Ｌｉ
₂Ｎｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｋ₂ＲＮｂ₅Ｏ₁₅ （Ｒ：Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ）、
Ｋ₂ＢｉＮｂ₅Ｏ ₁₅ 、Ｓｒ₂ＴｌＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂Ｎａ
Ｎｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＫＮｂ₅Ｏ₁₅ 等のタングステンブロ
ンズ型酸化物など。

【００３９】(C) ＹＭｎＯ₃ 系材料：希土類元素（Ｓｃ
およびＹを含む）とＭｎとＯとを含み、六方晶系ＹＭｎ
Ｏ₃ 構造をもつ酸化物など。例えば、ＹＭｎＯ₃ 、Ｈｏ
ＭｎＯ₃等。

【００４０】これらの多くは、相転移点を室温以上に持
ち、強誘電体である。以下、これらの材料について説明
する。

【００４１】(A) ペロブスカイト型材料のうち、ＢａＴ
ｉＯ₃ やＳｒ系ペロブスカイト化合物などは、一般に化
学式ＡＢＯ₃ で表される。ここで、ＡおよびＢは各々陽
イオンを表す。ＡはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｋ、Ｎ
ａ、Ｌｉ、ＬａおよびＣｄから選ばれた１種以上である
ことが好ましく、ＢはＴｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂから
選ばれた１種以上であることが好ましい。

【００４２】こうしたペロブスカイト型化合物における
比率Ａ／Ｂは、好ましくは０．８〜１．３であり、より
好ましくは０．９〜１．２である。

【００４３】Ａ／Ｂをこのような範囲にすることによっ
て、誘電体の絶縁性を確保することができ、また結晶性
を改善することが可能になるため、誘電体特性または強
誘電特性を改善することができる。これに対し、Ａ／Ｂ
が０．８未満では結晶性の改善効果が望めなくなり、ま
たＡ／Ｂが１．３をこえると均質な薄膜の形成が困難に
なってしまう。

【００４４】このようなＡ／Ｂは、成膜条件を制御する
ことによって実現する。また、ＡＢＯ₃ におけるＯの比
率は、３に限定されるものではない。ペロブスカイト材
料によっては、酸素欠陥または酸素過剰で安定したペロ
ブスカイト構造を組むものがあるので、ＡＢＯ_X におい
て、ｘの値は、通常、２．７〜３．３程度である。な
お、Ａ／Ｂは、蛍光Ｘ線分析法から求めることができ
る。

【００４５】本発明で用いるＡＢＯ₃ 型のペロブスカイ
ト化合物としては、Ａ¹⁺Ｂ⁵⁺Ｏ₃ 、Ａ²⁺Ｂ⁴⁺Ｏ₃ 、Ａ³⁺
Ｂ³⁺Ｏ₃ 、Ａ_X ＢＯ₃ 、Ａ（Ｂ′_0.67Ｂ″_0.33）Ｏ₃ 、
Ａ（Ｂ′_0.33Ｂ″_0.67）Ｏ₃ 、Ａ（Ｂ_0.5 ⁺³ Ｂ_0.5 ⁺⁵ ）
Ｏ₃ 、Ａ（Ｂ_0.5 ²⁺ Ｂ_0.5 ^{6 +} ）Ｏ₃ 、Ａ（Ｂ_0.5 ¹⁺ Ｂ
_0.5 ⁷⁺ ）Ｏ₃ 、Ａ³⁺（Ｂ_0.5 ²⁺ Ｂ_0.5 ⁴⁺ ）Ｏ₃ 、Ａ（Ｂ
_0.25 ¹⁺Ｂ_0.75 ⁵⁺）Ｏ₃ 、Ａ（Ｂ_0.5 ³⁺ Ｂ_0.5 ⁴⁺ ）
Ｏ_2.75、Ａ（Ｂ_0.5 ²⁺ Ｂ_0.5 ^{5 +} ）Ｏ_2.75等のいずれであ
ってもよい。

【００４６】具体的には、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ等のＰｂ系
ペロブスカイト化合物、ＮａＮｂＯ ₃ 、ＫＮｂＯ₃ 、Ｎ
ａＴａＯ₃ 、ＫＴａＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ
₃ 、ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒＯ₃ 、ＣａＺｒＯ₃ 、Ｓｒ
ＺｒＯ₃ 、ＣｄＨｆＯ₃ 、ＣｄＺｒＯ₃ 、ＳｒＳｎＯ
₃ 、ＬａＡｌＯ₃ 、ＢｉＦｅＯ₃ 、Ｂｉ系ペロブスカイ
ト化合物などおよびこれらの固溶体等である。

【００４７】なお、上記ＰＺＴは、ＰｂＺｒＯ₃ −Ｐｂ
ＴｉＯ₃ 系の固溶体である。また、上記ＰＬＺＴは、Ｐ
ＺＴにＬａがドープされた化合物であり、ＡＢＯ₃ の表
記に従えば、（Ｐｂ_0.89〜_0.91Ｌａ_0.11〜_0.09）（Ｚｒ
_0.65Ｔｉ_0.35）Ｏ₃ で示される。

【００４８】また、層状ペロブスカイト化合物のうちＢ
ｉ系層状化合物は、一般に 式 Ｂｉ₂ Ａ_m-1 Ｂ_m Ｏ_3m+3 で表わされる。上記式において、ｍは１〜５の整数、Ａ
は、Ｂｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋおよび希
土類元素（ＳｃおよびＹを含む）のいずれかであり、Ｂ
は、Ｔｉ、ＴａおよびＮｂのいずれかである。具体的に
は、Ｂｉ₄ Ｔｉ₃Ｏ₁₂、ＳｒＢｉ₂ Ｔａ₂ Ｏ₉ 、ＳｒＢ
ｉ₂ Ｎｂ₂ Ｏ₉ などが挙げられる。本発明では、これら
の化合物のいずれを用いてもよく、これらの固溶体を用
いてもよい。

【００４９】本発明に用いることが好ましいペロブスカ
イト型化合物は、相転移温度が２００℃以上でかつ誘電
率が高いものが好ましくＮａＮｂＯ₃ 、ＫＮｂＯ₃ 、Ｋ
ＴａＯ₃ 、ＣｄＨｆＯ₃ 、ＣｄＺｒＯ₃ 、ＢｉＦｅＯ
₃ 、Ｂｉ系ペロブスカイト化合物などであり、より好ま
しいものはＣｄＨｆＯ₃ である。

【００５０】(B) タングステンブロンズ型材料として
は、強誘電体材料集のLandoit-Borenstein Vol. 16記載
のタングステンブロンズ型材料が好ましい。タングステ
ンブロンズ型材料は、一般に化学式Ａ_yＢ₅Ｏ₁₅ で表さ
れる。ここで、ＡおよびＢは各々陽イオンを表す。Ａは
Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｒ
ｂ、Ｔｌ、Ｂｉ、希土類およびＣｄから選ばれた１種以
上であることが好ましく、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＦｅおよびＮｉから選ばれた１種以上で
あることが好ましい。

【００５１】こうしたタングステンブロンズ型化合物に
おける比率Ｏ／Ｂは、１５／５に限定されるものではな
い。タングステンブロンズ材料によっては、酸素欠陥ま
たは酸素過剰で安定したタングステンブロンズ構造を組
むものがあるので、比率Ｏ／Ｂにおいては、通常、２．
６〜３．４程度である。

【００５２】具体的には、（Ｂａ，Ｐｂ）Ｎｂ₂Ｏ₆ 、
ＰｂＮｂ₂ Ｏ₆ 、ＰｂＴａ₂Ｏ₆ 、ＰｂＮｂ₄Ｏ₁₁、Ｐｂ
Ｎｂ₂Ｏ₆ 、ＳＢＮ（ニオブ酸ストロンチウムバリウ
ム）、Ｂａ₂ＫＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＬｉＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ
₂ＡｇＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＲｂＮｂ ₅Ｏ₁₅ 、ＳｒＮｂ₂Ｏ₆
、ＢａＮｂ₂Ｏ₆ 、Ｓｒ₂ＮａＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＬｉＮ
ｂ ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＫＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＲｂＮｂ₅Ｏ₁₅ 、
Ｂａ₃Ｎｂ₁₀Ｏ₂₈ 、Ｂｉ₃Ｎｄ₁₇Ｏ₄₇ 、Ｋ₃Ｌｉ₂Ｎｂ₅
Ｏ₁₅ 、Ｋ₂ＲＮｂ₅Ｏ₁₅ （Ｒ：Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ）、Ｋ₂Ｂ
ｉＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＴｌＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＮａＮｂ₅
Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＫＮｂ₅Ｏ₁₅ 等のタングステンブロンズ型
酸化物などおよびこれらの固溶体等が好ましく、特に、
ＳＢＮ〔（Ｂａ，Ｓｒ）Ｎｂ₂ Ｏ₆ 〕やＢａ₂ＫＮｂ₅Ｏ
₁₅ 、Ｂａ₂ＬｉＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｂａ₂ＡｇＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓ
ｒ₂ＮａＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＬｉＮｂ₅Ｏ₁₅ 、Ｓｒ₂ＫＮ
ｂ₅Ｏ₁₅が好ましい。

【００５３】(C) ＹＭｎＯ₃ 系材料は、化学式ＲＭｎＯ
₃ で表せる。Ｒは希土類元素（ＳｃおよびＹを含む）か
ら選ばれた１種以上であることが好ましい。ＹＭｎＯ₃
系材料における比率Ｒ／Ｍｎは、好ましくは０．８〜
１．２であり、より好ましくは０．９〜１．１である。
このような範囲にすることにより、絶縁性を確保するこ
とができ、また結晶性を改善することが可能になるた
め、強誘電特性を改善することができる。これに対し、
比率Ｒ／Ｍｎが０．８未満、１．２をこえる範囲では、
結晶性が低下する傾向がある。また特に、比率Ｒ／Ｍｎ
が１．２をこえる範囲では、強誘電性が得られず、常誘
電的特性になる傾向があり、分極を利用した素子への応
用が不可能になってくることがある。このようなＲ／Ｍ
ｎは、成膜条件を制御することによって実現する。な
お、Ｒ／Ｍｎは、蛍光Ｘ線分析法から求めることができ
る。

【００５４】本発明に用いることが好ましいＹＭｎＯ₃
系材料は、結晶構造が六方晶系のものである。ＹＭｎＯ
₃ 系材料は、六方晶系の結晶構造を持つものと斜方晶系
の結晶構造を持つものとが存在する。相転移の効果を得
るためには、六方晶系の結晶材料が好ましい。具体的に
は、組成が実質的にＹＭｎＯ₃ 、ＨｏＭｎＯ₃ 、ＥｒＭ
ｎＯ₃ 、ＹｂＭｎＯ₃ 、ＴｍＭｎＯ₃ 、ＬｕＭｎＯ₃ で
あるものか、これらの固溶体などである。

【００５５】以上述べた材料のうち、単体で室温〜厚膜
形成温度の間に２回相転移する材料であってもよい。た
とえば、ＳｒＺｒＯ₃ 、ＣｄＨｆＯ₃ 、ＰｂＨｆＯ₃ 、
（Ｎａ，Ｋ）ＮｂＯ₃ など、固溶体としては、ＰｂＮｂ
₂Ｏ₆ とＰｂＴｉＯ₃ の固溶体、ＰｂＮｂ₂Ｏ₆ とＰｂＺ
ｒＯ₃ の固溶体、Ｂａ₄Ｎａ₂Ｎｂ₁₀Ｏ₃₀ など、さらに
上記材料では、相転移の回数は１回であるが、これらの
混合物とすることにより２回以上の相転移をする材料と
してもよい。なお、焼結性を向上させるため、相転移温
度を調整するため、誘電率、導電性を制御するためなど
の目的から添加物を加えてもよい。

【００５６】以上のような誘電体厚膜の膜厚としては、
１０〜５０μm 程度が好ましい。

【００５７】誘電体厚膜の形成方法は、特に限定され
ず、１０〜５０μm 程度の膜が比較的容易に得られる方
法、たとえばゾルゲル法、印刷焼成法などが好ましい。

【００５８】印刷焼成法による場合には、材料の粒度を
適当に揃え、バインダーと混合し、適当な粘度のペース
トとする。このペーストを基板上にスクリーン印刷法に
より形成し、乾燥させる。このグリーンシートを適当な
温度で焼成し、厚膜を得る。

【００５９】焼成後の厚膜誘電体層の表面は、結晶粒径
（３μm 以下）と同程度の表面粗さを有する場合があ
る。このため、その上に直接薄膜を成膜、積層しても、
厚膜誘電体層の表面を完全に被覆することは困難であ
り、厚膜方向に電界を印加すると、比較的低い電界強度
でも絶縁破壊を起こしてしまうことがある。また、基板
表面と厚膜誘電体表面との間には、通常、数十μm 程度
の段差があり、この段差上に薄膜を完全に被覆し、十分
な絶縁耐圧を確保するのは困難である。

【００６０】そこで、本発明においては、これらの表面
粗さや段差による性能低下を回避するため、以下の平坦
化処理を行うことが望ましい。

【００６１】平坦化には、誘電体材料を用い、これをパ
ターニングされた誘電体層上にパターニングの溝が完全
に埋まるように被覆する。この場合に用いられる誘電体
材料は、誘電体層に要求される誘電率を有する必要はな
く、基板と誘電体層との密着・接着性に優れ、内部応力
の生じ難い材料、あるいは応力を緩和しやすい材料が好
ましい。具体的には、上記誘電体層で例示した材料のな
かから好適なものを選択するか、高融点ガラス等を用い
ればよい。これらのなかでも特に、結晶化ガラス、ホウ
ケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラスなどが好まし
い。

【００６２】ただし、この平坦化層の誘電率が低い場
合、誘電体層上に数十μm の膜厚に形成した状態でＥＬ
素子の下部誘電体として使用すると、発光開始電圧が高
くなりすぎて、実用には適さない。そこで、この平坦化
層に研削と研磨を行い、下地の厚膜誘電体層を露出させ
ることが好ましい。露出させた誘電体層の表面および厚
膜誘電体層で挟まれた平坦化層の表面はともに十分平坦
に処理することが好ましく、鏡面状の光沢を有すること
が望ましい。また、厚膜誘電体層と平坦化層の境界に
は、その後の薄膜形成工程に支障を来すような段差が存
在しないことが望ましい。

【００６３】厚膜誘電体層が形成され、好ましくは平坦
化処理が行われた基板上には、発光層が形成される。発
光層は、エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法等により形
成することができる。

【００６４】発光層の材料としては、例えば、月刊ディ
スプレイ ’９８ ４月号 最近のディスプレイの技術
動向 田中省作 p1〜10に記載されているような材料を
挙げることができる。具体的には、赤色発光を得る材料
として、ＺｎＳ、Ｍｎ／ＣｄＳＳｅ等、緑色発光を得る
材料として、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ、ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ等、青色発光を得るための材料として、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ、（ＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ）ｎ、ＣａＣａ
₂Ｓ₄：Ｃｅ、Ｓｒ₂Ｇａ₂Ｓ₅：Ｃｅ等を挙げることがで
きる。

【００６５】また、白色発光を得るものとして、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等が知られている。

【００６６】これらのなかでも、上記ＩＤＷ(Internati
onal Display Workshop)’97 X.Wu"Multicolor Thin-Fi
lm Ceramic Hybrid EL Displays" p593 to 596 で検討
されている、ＳｒＳ：Ｃｅの青色発光層を有するＥＬに
本発明を適用することにより特に好ましい結果を得るこ
とができる。

【００６７】また、一般にII族−硫黄化合物、II族−II
I族−硫黄化合物または希土類硫化物、つまり主にＳｒ
Ｓに代表されるII−Ｓ系化合物または、主にＳｒＧａ₂
Ｓ₄に代表されるII−III₂−S₄系化合物（II＝Zn、Cd、C
a、Mg、Be、Sr、Ba、希土類、III＝Ｂ、Al、Ga、In、T
l）または、Ｙ₂Ｓ₃などの希土類硫化物、およびこれら
の化合物を用いた複数成分の組み合わせの混晶または混
合化合物としてもよい。

【００６８】これらの化合物の組成比は厳密に上記した
値をとるのではなく、それぞれの元素に関してある程度
の固溶限を有している。従って、その範囲の組成比であ
ればよい。

【００６９】通常、ＥＬ蛍光体薄膜は、母体材料に発光
中心を添加する。発光中心は、既存の遷移金属、希土類
を既存の量、添加すればよい。例えば、Ｃｅ，Ｅｕなど
の希土類、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ａｇ
などを金属または硫化物の形で原料に添加する。添加量
は、原料と形成される薄膜で異なるので、薄膜が既存の
添加量となるように原料の組成を調整する。

【００７０】発光層の膜厚としては、特に制限されるも
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは１００〜１０００nm、特に１５０〜５０
０nm程度である。

【００７１】これらの材料で発光層を形成する方法とし
ては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印
刷焼成法など既存の方法を用いればよい。また、特に上
記ＩＤＷに記載されているように、ＳｒＳ：Ｃｅの発光
層を形成する場合には、Ｈ₂Ｓ雰囲気下、エレクトロン
ビーム蒸着法により形成すると、高純度の発光層を得る
ことができる。

【００７２】発光層の形成後、好ましくは加熱処理を行
う。加熱処理は、基板側から下部電極層、厚膜誘電体
層、発光層と積層した後に行ってもよいし、基板側から
下部電極層、厚膜誘電体層（下部絶縁層）、発光層、薄
膜誘電体層（上部絶縁層）、あるいはこれに上部電極層
を形成した後にキャップアニールしてもよい。通常、熱
処理の温度は、好ましくは６００〜１３００℃、特に８
００〜１０００℃程度、処理時間は１０〜６００分、特
に３０〜１８０分程度である。アニール処理時の雰囲気
としては、Ｎ₂ 、Ａｒ、ＨｅまたはＨ₂ Ｓの雰囲気が好
ましい。

【００７３】発光層の上には、好ましくはさらに薄膜誘
電体層（上部絶縁層）が形成される。薄膜誘電体層の構
成材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒
化シリコン（ＳｉＮ）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、チ
タン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、酸化イットリ
ウム（Ｙ₂Ｏ₃）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）、
チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃）、ＰＺＴ、ジルコニア（Ｚ
ｒＯ₂）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、ニオブ酸鉛、ＰＭＮ−ＰＴ系材
料等およびこれらの多層または混合薄膜を挙げることが
でき、これらの材料で誘電体層を形成する方法として
は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印刷
焼成法など既存の方法を用いればよい。この場合の誘電
体層の膜厚としては、好ましくは５０〜１０００nm、特
に１００〜５００nm程度である。

【００７４】また、必要により誘電体層を形成した後、
さらに他の材料を用いて誘電体層を２重に形成してもよ
い。

【００７５】さらにこの誘電体層上には、好ましくは上
部電極層が形成される。電極層材料はすでに述べた電極
材料が好ましい。

【００７６】本発明のＥＬ素子は、基板上に高密度、高
誘電率の誘電体層を形成できるので、高い発光輝度、特
に高輝度の青色発光が得られ、しかも、電極が薄膜プロ
セスにより形成することも可能であることから、高精細
のＲＧＢカラーディスプレイを構成することもできる。
また、比較的製造工程が容易であり、製造コストを低く
押さえることができる。そして、効率のよい、高輝度の
青色発光が得られることから、白色発光の素子としてカ
ラーフィルターと組み合わせてもよい。

【００７７】カラーフィルター膜には、液晶ディスプレ
イ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良い
が、ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【００７８】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００７９】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００８０】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００８１】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。

【００８２】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上に透明電極と接する状態で形成される
場合、透明電極（ＩＴＯ、ＩＺＯ）ダメージを受けない
ような材料が好ましい。

【００８３】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００８４】本発明の薄膜ＥＬ素子は、通常、パルス駆
動、交流駆動され、その印加電圧は、８０〜２５０V 程
度である。

【００８５】

【実施例】＜実施例１＞次に本発明の薄膜ＥＬ素子の実
施例について、製造工程を示す図を参照しつつ説明す
る。先ず、図１に示すように、所定の耐熱性、または高
融点を有する基板１の上にスクリーン印刷法により、Ａ
ｇ系厚膜電極ペースト（ＥＳＬ社製 ９９１６）を厚
さ：５μm 、幅：２２０μm 、間隔：８０μm のパター
ンに印刷・塗布した。図２はこのようなペーストが塗布
された状態を示す図１の平面図である。

【００８６】電極ペースト塗布後、大気雰囲気中、１２
５℃の温度で３０分間の乾燥を行い、さらにベルト炉を
用いて大気中、９００℃の温度で１５分間の焼成を行う
ことにより、下部電極２を形成した。

【００８７】次いで、図３に示すように、スクリーン印
刷法によりニオブ酸鉛系厚膜ペースト（ＥＳＬ社製 ４
２１０−Ｃ）を厚さ：２０μm 、幅：２５０μm 、間
隔：５０μm のパターンに印刷・塗布した。このとき、
下部電極層は、外部駆動回路に接続するための部分以外
はこのパターンに覆われるようにした。

【００８８】塗布後、大気雰囲気中、１２５℃の温度で
３０分間の乾燥を行い、さらにベルト炉を用いて大気
中、９００℃の温度で１５分間焼成し、厚膜誘電体層３
を形成した。

【００８９】このように、厚膜誘電体層を基板上に連続
的に塗布形成することなく、下部電極のピッチと同程度
のサイズにパターン形成することにより、熱膨張係数の
異なる基板上に、全くクラックを生じさせることなく高
密度に焼成でき、比誘電率７０００〜１００００程度の
良好な誘電特性が容易に得られることがわかった。

【００９０】焼成後の厚膜誘電体層の表面は、結晶粒径
（３μm 以下）と同程度の表面粗さを有する。このた
め、その上に直接薄膜を成膜、積層しても、厚膜誘電体
層の表面を完全に被覆することは困難であり、厚膜方向
に電界を印加すると、比較的低い電界強度でも絶縁破壊
を起こしてしまう。また、基板表面と厚膜誘電体表面と
の間には、約２５μm の段差があり、この段差上に薄膜
を完全に被覆し、十分な絶縁耐圧を確保するのは困難で
ある。

【００９１】そこで、本発明の実施例においては、これ
らの表面粗さや段差による性能低下を回避するため、以
下の工程を有する。

【００９２】図４に示すように、結晶化ガラスペースト
（ＥＳＬ社製 Ｄ−４０４０）を基板上の下部電極の外
部駆動回路との接続部以外の全面にわたって約２５μm
の厚さに印刷・塗布した。その後、大気雰囲気中、１２
５℃の温度で１５分間の乾燥を行い、さらにベルト炉を
用いて大気中、８５０℃の温度で１０分間焼成して平坦
化層４を形成した。

【００９３】ただし、この結晶化ガラス平坦化層４は誘
電率が３程度と低く、厚さ２５μmの状態でＥＬ素子の
下部誘電体として使用すると、発光開始電圧が高くなり
すぎて、実用には適さない。そこで、図５に示すよう
に、研削と研磨を行い、下地の厚膜誘電体層を露出させ
た。露出させた誘電体層の表面および厚膜誘電体層で挟
まれた平坦化層の表面はともに十分平坦で、鏡面状の光
沢を有していた。また、厚膜誘電体層と平坦化層の境界
には、その後の薄膜形成工程に支障を来すような段差は
存在しなかった。

【００９４】次いで、ＳｒＳ：Ｃｅ発光層をＥＢ−蒸着
法により、４００nmの膜厚に形成した。成膜条件として
は、槽内を１．３３×１０^-4 Pa（１．０×１０^-6 Tor
r）以下に減圧し、基板温度：２５０℃で、ＳｒＳ：Ｃ
ｅの成膜レートは１．５〜３nm／sec とし、成膜期間中
Ｈ₂Ｓを供給し続けた。ＳｒＳ：Ｃｅは、Ｃｅを０．１m
ol％含む材料を用いた。

【００９５】次いで、同様にしてＺｎＳ：Ｍｎ発光層
を、４００nmの膜厚に形成した。ＺｎＳ：Ｍｎは、Ｍｎ
を１．０wt％含む材料を用いた。

【００９６】このようにして、図６に示すようなＺｎ
Ｓ：Ｍｎ／ＳｒＳ：Ｃｅの２層からなる白色発光の発光
層５を形成した。

【００９７】発光層５が成膜された基板を、雰囲気熱処
理炉に移し、Ｈ₂Ｓ雰囲気中、８００℃で、３０分間加
熱処理した。

【００９８】次いで、図７に示すように、この発光層の
上にＳｉＮ薄膜誘電体層６をＲＦスパッタ法により２０
０nmの膜厚に形成した。

【００９９】次いで、図８に示すように、ＤＣスパッタ
装置を使用し、ＩＴＯをターゲットとして、ＩＴＯ上部
透明電極７を２００nmの膜厚に形成した。

【０１００】さらに、下部電極の外部駆動回路と接続す
る部分上の発光層、上部誘電体層は、通常のフォトリソ
グラフィーおよびエッチング技術により除去される。そ
の後、コラム側、ロウ側のそれぞれの駆動回路接続部に
Ｃｕ／Ｔｉ等のメタライズ処理を施した。

【０１０１】また、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のカラーフィル
ターが形成されたガラスを、カラーフィルター側を上部
透明電極と相対するようにアライメントし封止した。

【０１０２】コラム側、ロウ側のメタライズ処理された
駆動回路接続部上に、他端が駆動回路に接続されたＦＰ
Ｃの端部をハンダ付することにより、ディスプレイパネ
ルと駆動回路との電気的接続を行った。

【０１０３】得られた薄膜ＥＬディスプレイに、大気雰
囲気下、２２０V 、９０Hzの交流電圧を印加したとこ
ろ、ＩＴＯ電極側から観察して３００cd／m² 以上の白
色の発光が確認できた。

【０１０４】

【発明の効果】以上のように、本発明によればクラック
が発生し難く、空孔率の低い密な誘電体厚膜をセラミッ
ク基板、ガラス／セラミック複合基板上に形成すること
により、高輝度の青色発光が得られ、白色発光やフルカ
ラー化、高精細化が可能で、しかも製造が容易な薄膜Ｅ
Ｌ素子、およびその製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【図２】図１の平面図である。

【図３】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【図４】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【図５】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【図６】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【図７】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【図８】本発明の実施例である無機ＥＬ素子の製造工程
を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 電極層（下部電極） ３ 誘電体層（厚膜誘電体層） ４ 平坦化層 ５ 発光層 ６ 誘電体層（薄膜誘電体層） ７ 電極層（上部電極層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB04 AB14 AB17 AB18 BB06 CA00 CA01 CA02 CB01 DA02 DB01 DB02 DC02 DC04 FA00 FA01 FA03

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも耐熱温度ないし融点が８００
   ℃以上の基板と、厚膜焼成により形成された誘電体層を
   有するＥＬ素子であって、 上記誘電体層が少なくとも膜厚の２倍以上、３０倍以下
   の長さの辺を有する矩形パターンに形成されているＥＬ
   素子。
2. 【請求項２】 前記誘電体層は、平坦化処理されている
   請求項１のＥＬ素子。
3. 【請求項３】 前記矩形パターン間に別の誘電体が形成
   されている請求項１または２のＥＬ素子。
4. 【請求項４】前記誘電体層は、ペロブスカイト構造を有
   する請求項１〜３のいずれかのＥＬ素子。
5. 【請求項５】 誘電体層をスクリーン印刷法により矩形
   パターンにパターニングして請求項１〜４のＥＬ素子を
   得るＥＬ素子の製造方法。
6. 【請求項６】 前記誘電体層を形成した後、平坦化処理
   を行う請求項５のＥＬ素子の製造方法。