JP2001221744A - 透過率測定装置 - Google Patents
透過率測定装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エキシマレーザを光源として硝子部品の透過
率を高精度に測定することができる透過率測定装置を得
ること。 【解決手段】 エキシマレーザからのレーザ光を信号光
と参照光とに分割する光分割手段と、該信号光の光路中
に被測定物を挿脱可能に設けた挿脱手段と、参照光から
Ｐ偏光成分もしくはＳ偏光成分のみを分離する偏光手段
Ｆ１と該偏光手段Ｆ１で分離した光束の光量を測定する
測定手段Ｆ２と、被測定物を光路中に配置したときの透
過光及び被測定物を光路中より取り出したときの信号光
より該参照光で分離した偏光成分と同じ偏光成分のみを
分離する偏光手段Ｒ１と該偏光手段Ｒ１で分離した光束
の光量を測定する測定手段Ｒ２とを有し、該測定手段Ｆ
２と測定手段Ｒ２から得られる信号を用いて、該被測定
物の透過率を測定していること。
率を高精度に測定することができる透過率測定装置を得
ること。 【解決手段】 エキシマレーザからのレーザ光を信号光
と参照光とに分割する光分割手段と、該信号光の光路中
に被測定物を挿脱可能に設けた挿脱手段と、参照光から
Ｐ偏光成分もしくはＳ偏光成分のみを分離する偏光手段
Ｆ１と該偏光手段Ｆ１で分離した光束の光量を測定する
測定手段Ｆ２と、被測定物を光路中に配置したときの透
過光及び被測定物を光路中より取り出したときの信号光
より該参照光で分離した偏光成分と同じ偏光成分のみを
分離する偏光手段Ｒ１と該偏光手段Ｒ１で分離した光束
の光量を測定する測定手段Ｒ２とを有し、該測定手段Ｆ
２と測定手段Ｒ２から得られる信号を用いて、該被測定
物の透過率を測定していること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透過率測定装置に関
し、エキシマレーザ等の短波長のパルス光を放射するレ
ーザを光源として用い、石英や螢石等の硝材の透過率を
測定する際に好適なものである。
し、エキシマレーザ等の短波長のパルス光を放射するレ
ーザを光源として用い、石英や螢石等の硝材の透過率を
測定する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩなどの集積回路の高集積化
に伴い、集積回路の製造装置として１μｍ以下の微細パ
ターンを正確にウエハ上に形成することができる高解像
度の露光装置が使用されている。また、露光装置で形成
されるパターン像の解像線幅を更に細かくするために、
遠紫外域で出力強度の大きな光を放射するエキシマレー
ザを露光用光源として搭載した露光装置の開発も盛んに
行なわれている。このような露光装置に使用される硝子
やミラー等の光学部品のうち、屈折部材としては、高透
過率で且つ長時間の露光に対しても透過率の低下の少な
い耐紫外線性のある光学部品が要求されている。
に伴い、集積回路の製造装置として１μｍ以下の微細パ
ターンを正確にウエハ上に形成することができる高解像
度の露光装置が使用されている。また、露光装置で形成
されるパターン像の解像線幅を更に細かくするために、
遠紫外域で出力強度の大きな光を放射するエキシマレー
ザを露光用光源として搭載した露光装置の開発も盛んに
行なわれている。このような露光装置に使用される硝子
やミラー等の光学部品のうち、屈折部材としては、高透
過率で且つ長時間の露光に対しても透過率の低下の少な
い耐紫外線性のある光学部品が要求されている。
【０００３】こうした光学部品（硝材）の透過率の測定
方法は大きく分けて以下の２通りの方式がある。 （ア−１）レーザ照射中の透過率を測定する方式。 (ア-1-1)エキシマレーザを照射中にエキシマレーザに非
常に近い波長の光をプローブ光としてレーザの入射角度
とは別の角度から照射し、硝材への入射前と入射後のプ
ローブ光強度を測定することでエキシマレーザ照射中の
透過率変動を計測する方式。 (ア-1-2)エキシマレーザを光源として硝材への入射前と
透過後のエキシマレーザ光の光量を計測することで、硝
材の透過率を測定する方式。 （ア−２）長時間レーザ照射する前後の透過率を分光高
度計で測定し比較する方式。
方法は大きく分けて以下の２通りの方式がある。 （ア−１）レーザ照射中の透過率を測定する方式。 (ア-1-1)エキシマレーザを照射中にエキシマレーザに非
常に近い波長の光をプローブ光としてレーザの入射角度
とは別の角度から照射し、硝材への入射前と入射後のプ
ローブ光強度を測定することでエキシマレーザ照射中の
透過率変動を計測する方式。 (ア-1-2)エキシマレーザを光源として硝材への入射前と
透過後のエキシマレーザ光の光量を計測することで、硝
材の透過率を測定する方式。 （ア−２）長時間レーザ照射する前後の透過率を分光高
度計で測定し比較する方式。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】先に述べた方式に於い
て、（ア−２）の方式ではレーザ照射中の透過率変化を
分析することができない。また、(ア-1-1)の方式の場
合、エキシマレーザ光の波長に非常に近い波長をプロー
ブ光としてはいるもののエキシマレーザの波長に対する
特性とは完全に等しいわけではないこと、また、レーザ
の入射角度・位置における硝子部品の表面特性・内部特
性を分析することはできない。
て、（ア−２）の方式ではレーザ照射中の透過率変化を
分析することができない。また、(ア-1-1)の方式の場
合、エキシマレーザ光の波長に非常に近い波長をプロー
ブ光としてはいるもののエキシマレーザの波長に対する
特性とは完全に等しいわけではないこと、また、レーザ
の入射角度・位置における硝子部品の表面特性・内部特
性を分析することはできない。
【０００５】(ア-1-2)の方式に関しては、入射前のレー
ザ光量を計測するために、光路中にハーフミラーを設
け、レーザ光を参照光と露光光に分離する。このハーフ
ミラーの反射率（透過率）は、露光光のＰ偏光成分とＳ
偏光成分に対して異なった値を示す。従って、ハーフミ
ラーに入射する露光光の偏光状態が時々刻々と変化する
場合には、硝材へ入射前のレーザ光光量を計測する受光
素子に入射する光量とハーフミラーにより分離した露光
光の光量の比が変動することになり、受光素子で正確に
露光量を計測することができない。また、同様に硝材か
らの透過光光量に関しても正確に計測することはできな
い。
ザ光量を計測するために、光路中にハーフミラーを設
け、レーザ光を参照光と露光光に分離する。このハーフ
ミラーの反射率（透過率）は、露光光のＰ偏光成分とＳ
偏光成分に対して異なった値を示す。従って、ハーフミ
ラーに入射する露光光の偏光状態が時々刻々と変化する
場合には、硝材へ入射前のレーザ光光量を計測する受光
素子に入射する光量とハーフミラーにより分離した露光
光の光量の比が変動することになり、受光素子で正確に
露光量を計測することができない。また、同様に硝材か
らの透過光光量に関しても正確に計測することはできな
い。
【０００６】本発明はエキシマレーザを光源として、光
学部材の透過率を高精度に測定することができる透過率
測定装置の提供を目的とする。
学部材の透過率を高精度に測定することができる透過率
測定装置の提供を目的とする。
【０００７】この他本発明は、エキシマレーザ装置を光
源とし、偏光度のばらつきの影響を受けることなく、光
学部材の透過率を高精度に測定することができる透過率
測定装置の提供を目的とする。
源とし、偏光度のばらつきの影響を受けることなく、光
学部材の透過率を高精度に測定することができる透過率
測定装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の透過率
測定装置は、エキシマレーザからのレーザ光を信号光と
参照光とに分割する光分割手段と、該信号光の光路中に
被測定物を挿脱可能に設けた挿脱手段と、参照光からＰ
偏光成分もしくはＳ偏光成分のみを分離する偏光手段Ｆ
１と該偏光手段Ｆ１で分離した光束の光量を測定する測
定手段Ｆ２と、被測定物を光路中に配置したときの透過
光及び被測定物を光路中より取り出したときの信号光よ
り該参照光で分離した偏光成分と同じ偏光成分のみを分
離する偏光手段Ｒ１と該偏光手段Ｒ１で分離した光束の
光量を測定する測定手段Ｒ２とを有し、該測定手段Ｆ２
と測定手段Ｒ２から得られる信号を用いて、該被測定物
の透過率を測定していることを特徴としている。
測定装置は、エキシマレーザからのレーザ光を信号光と
参照光とに分割する光分割手段と、該信号光の光路中に
被測定物を挿脱可能に設けた挿脱手段と、参照光からＰ
偏光成分もしくはＳ偏光成分のみを分離する偏光手段Ｆ
１と該偏光手段Ｆ１で分離した光束の光量を測定する測
定手段Ｆ２と、被測定物を光路中に配置したときの透過
光及び被測定物を光路中より取り出したときの信号光よ
り該参照光で分離した偏光成分と同じ偏光成分のみを分
離する偏光手段Ｒ１と該偏光手段Ｒ１で分離した光束の
光量を測定する測定手段Ｒ２とを有し、該測定手段Ｆ２
と測定手段Ｒ２から得られる信号を用いて、該被測定物
の透過率を測定していることを特徴としている。
【０００９】請求項２の発明は請求項１の発明におい
て、前記偏光手段Ｆ１と前記偏光手段Ｒ１の少なくとも
一方は偏光子であることを特徴としている。
て、前記偏光手段Ｆ１と前記偏光手段Ｒ１の少なくとも
一方は偏光子であることを特徴としている。
【００１０】請求項３の発明は請求項１の発明におい
て、前記偏光手段Ｆ１と偏光手段Ｒ１のうち少なくとも
一方はビームスプリッタを有し、Ｓ偏光又はＰ偏光のど
ちらか一方を反射するようにブリュースタ角に合わせる
ことで、一方の偏光のみを取り出すことを特徴としてい
る。
て、前記偏光手段Ｆ１と偏光手段Ｒ１のうち少なくとも
一方はビームスプリッタを有し、Ｓ偏光又はＰ偏光のど
ちらか一方を反射するようにブリュースタ角に合わせる
ことで、一方の偏光のみを取り出すことを特徴としてい
る。
【００１１】請求項４の発明は請求項１の発明におい
て、前記偏光手段Ｆ１と偏光手段Ｒ１のうち一方に偏光
子を使用し、他方にビームスプリッタをブリュースタ角
に合わせることで一方の偏光のみを取り出すことで、Ｓ
偏光，Ｐ偏光のどちらか一方のみを取り出すことを特徴
としている。
て、前記偏光手段Ｆ１と偏光手段Ｒ１のうち一方に偏光
子を使用し、他方にビームスプリッタをブリュースタ角
に合わせることで一方の偏光のみを取り出すことで、Ｓ
偏光，Ｐ偏光のどちらか一方のみを取り出すことを特徴
としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】［実施形態１］図１は本発明の透
過率測定装置の実施形態１の構成を示す概略図である。
図において両矢印はＳ偏光を示し、Ｏ印はＰ偏光を示し
ている。図１において、エキシマレーザ等のパルス光を
放射する光源１からの光束は光分割手段としてのハーフ
ミラー２で透過光と反射光の２つの光束に分割され、透
過光はステージ（挿脱手段）３上に固定された硝材（被
測定物）４を透過する。ハーフミラー２により分割され
た参照光としての反射光束は偏光子６（偏光手段Ｆ１）
を透過することで、Ｐ偏光もしくはＳ偏光のみが透過し
（図ではＳ偏光の場合を示している）、Ｆセンサ８（測
定手段Ｆ２）で受光される。一方、硝材４を透過した信
号光としてのレーザ光は偏光子７（偏光手段Ｒ１）を透
過することで、先に分離した偏光成分と同偏光成分（Ｓ
偏光成分）のみを透過し、Ｒセンサ９（測定手段Ｒ２）
で受光される。レーザ制御系１０１は所望の露光量に応
じてトリガー信号２０１と放電電圧信号２０２をレーザ
１に入力することにより、レーザ１からのパルスエネル
ギ、及び、発光間隔を制御する。レーザ制御系１０１は
トリガー信号２０１や放電電圧信号２０２を生成してい
る。これらを生成する際には、露光量演算器１０３から
の照度モニター信号２０３やステージ駆動制御系１０２
からのステージの現在位置信号，主制御系１０４からの
履歴情報などがパラメータとして用いられている。
過率測定装置の実施形態１の構成を示す概略図である。
図において両矢印はＳ偏光を示し、Ｏ印はＰ偏光を示し
ている。図１において、エキシマレーザ等のパルス光を
放射する光源１からの光束は光分割手段としてのハーフ
ミラー２で透過光と反射光の２つの光束に分割され、透
過光はステージ（挿脱手段）３上に固定された硝材（被
測定物）４を透過する。ハーフミラー２により分割され
た参照光としての反射光束は偏光子６（偏光手段Ｆ１）
を透過することで、Ｐ偏光もしくはＳ偏光のみが透過し
（図ではＳ偏光の場合を示している）、Ｆセンサ８（測
定手段Ｆ２）で受光される。一方、硝材４を透過した信
号光としてのレーザ光は偏光子７（偏光手段Ｒ１）を透
過することで、先に分離した偏光成分と同偏光成分（Ｓ
偏光成分）のみを透過し、Ｒセンサ９（測定手段Ｒ２）
で受光される。レーザ制御系１０１は所望の露光量に応
じてトリガー信号２０１と放電電圧信号２０２をレーザ
１に入力することにより、レーザ１からのパルスエネル
ギ、及び、発光間隔を制御する。レーザ制御系１０１は
トリガー信号２０１や放電電圧信号２０２を生成してい
る。これらを生成する際には、露光量演算器１０３から
の照度モニター信号２０３やステージ駆動制御系１０２
からのステージの現在位置信号，主制御系１０４からの
履歴情報などがパラメータとして用いられている。
【００１３】また、所望の露光量は入力装置１０５によ
り入力され、Ｆセンサ８、Ｒセンサ９から得られ、算出
された結果、及び、各種パラメータの経過は表示部１０
６により表示している。
り入力され、Ｆセンサ８、Ｒセンサ９から得られ、算出
された結果、及び、各種パラメータの経過は表示部１０
６により表示している。
【００１４】硝材４の透過率Ｔは硝材４を光路中に入れ
たときと入れないときのＲセンサ９からの出力を各々Ｉ
R1，ＩR0、硝材４を光路中に入れたときと入れないとき
のＦセンサ８からの出力を各々ＩF1，ＩF0としたとき、 Ｔ＝（ＩR1／ＩR0）／（ＩF0／ＩF1） より求めている。
たときと入れないときのＲセンサ９からの出力を各々Ｉ
R1，ＩR0、硝材４を光路中に入れたときと入れないとき
のＦセンサ８からの出力を各々ＩF1，ＩF0としたとき、 Ｔ＝（ＩR1／ＩR0）／（ＩF0／ＩF1） より求めている。
【００１５】また、評価する硝材４と同様の評価装置に
使用されるハーフミラー、偏光子などの硝子部品の透過
率変動やエキシマレーザの波長によっては測定器内部の
雰囲気（気体）によってレーザ光が吸収され、正確な透
過率測定を損なう場合がある。ステージ３はこのような
場合に定期的にサンプル（被測定物）を光路中から出し
入れするための挿脱手段として使用し、定期的にサンプ
ルを入れない状態でのＦセンサ８、Ｒセンサ９からの出
力比率の変動をモニタすることで、サンプルに対しレー
ザを照射しない場合のオフセットをキャンセルする。
使用されるハーフミラー、偏光子などの硝子部品の透過
率変動やエキシマレーザの波長によっては測定器内部の
雰囲気（気体）によってレーザ光が吸収され、正確な透
過率測定を損なう場合がある。ステージ３はこのような
場合に定期的にサンプル（被測定物）を光路中から出し
入れするための挿脱手段として使用し、定期的にサンプ
ルを入れない状態でのＦセンサ８、Ｒセンサ９からの出
力比率の変動をモニタすることで、サンプルに対しレー
ザを照射しない場合のオフセットをキャンセルする。
【００１６】このような装置の構成でレーザ照射中の硝
材の透過率を測定することで、偏光に影響されない高精
度な透過率測定を行っている。
材の透過率を測定することで、偏光に影響されない高精
度な透過率測定を行っている。
【００１７】以上のように本実施形態は、エキシマレー
ザを光源とした透過率測定装置であり、光路中における
サンプル（被測定物）４の出し入れを可能にする挿脱手
段、サンプルに照射する光量とサンプルから透過した光
量を計測する測定手段８，９を備えている。そしてレー
ザ光を参照光と信号光に分離する光分割手段と参照光の
光強度を検出する測定手段８と信号光がサンプル５を透
過した後の光強度を検出する測定手段９を備えている。
ザを光源とした透過率測定装置であり、光路中における
サンプル（被測定物）４の出し入れを可能にする挿脱手
段、サンプルに照射する光量とサンプルから透過した光
量を計測する測定手段８，９を備えている。そしてレー
ザ光を参照光と信号光に分離する光分割手段と参照光の
光強度を検出する測定手段８と信号光がサンプル５を透
過した後の光強度を検出する測定手段９を備えている。
【００１８】そして２つの測定手段８，９はＰ偏光かＳ
偏光のどちらか一方のみを取り出すように構成した。即
ち測定手段８，９は同一の偏光成分光量のみを計測する
ようにしている。これによって被測定物５の透過率を高
精度に測定している。
偏光のどちらか一方のみを取り出すように構成した。即
ち測定手段８，９は同一の偏光成分光量のみを計測する
ようにしている。これによって被測定物５の透過率を高
精度に測定している。
【００１９】［実施形態２］図２は本発明の透過率測定
装置の実施形態２の要部概略図である。実施形態１では
偏光子を使用することで、Ｓ偏光もしくはＰ偏光のどち
らか一方の偏光のみの光束で透過率を測定することで、
偏光に影響されない透過率測定を可能としていた。これ
に対して、本実施形態では偏光子を使用しないで所定の
偏光成分を抽出し、被測定物の透過率を測定している点
が実施形態１と異なっており、この他の構成は同じであ
る。
装置の実施形態２の要部概略図である。実施形態１では
偏光子を使用することで、Ｓ偏光もしくはＰ偏光のどち
らか一方の偏光のみの光束で透過率を測定することで、
偏光に影響されない透過率測定を可能としていた。これ
に対して、本実施形態では偏光子を使用しないで所定の
偏光成分を抽出し、被測定物の透過率を測定している点
が実施形態１と異なっており、この他の構成は同じであ
る。
【００２０】図２において、レーザ１からの光束のうち
Ｓ偏光のみを反射するようにハーフミラー２を傾けて配
置している。ハーフミラー２で反射したＳ偏光をＦセン
サ８に入射させている。又、硝材４の後ろにハーフミラ
ー５を配置している。このとき、ハーフミラー２とハー
フミラー５が同じ偏光成分のみ（図２ではＳ偏光成分で
あるがＰ偏光成分でも良い）が反射するようにブリュー
スタ角になるように配置している。このような配置によ
って各センサ８，９からの出力比率を実施形態１と同様
に算出することで、偏光に影響されないで硝材４の透過
率測定を高精度に行っている。
Ｓ偏光のみを反射するようにハーフミラー２を傾けて配
置している。ハーフミラー２で反射したＳ偏光をＦセン
サ８に入射させている。又、硝材４の後ろにハーフミラ
ー５を配置している。このとき、ハーフミラー２とハー
フミラー５が同じ偏光成分のみ（図２ではＳ偏光成分で
あるがＰ偏光成分でも良い）が反射するようにブリュー
スタ角になるように配置している。このような配置によ
って各センサ８，９からの出力比率を実施形態１と同様
に算出することで、偏光に影響されないで硝材４の透過
率測定を高精度に行っている。
【００２１】［実施形態３］図３は本発明の透過率測定
装置の実施形態３の要部概略図である。本実施形態は所
定の偏光（Ｓ偏光）を得る為に、被測定物４以降におい
て図１で示す偏光子７を用い、被測定物４より前におい
て図２で示すハーフミラー２を用いている。この他の構
成は図１の実施形態１と同様である。
装置の実施形態３の要部概略図である。本実施形態は所
定の偏光（Ｓ偏光）を得る為に、被測定物４以降におい
て図１で示す偏光子７を用い、被測定物４より前におい
て図２で示すハーフミラー２を用いている。この他の構
成は図１の実施形態１と同様である。
【００２２】図３では硝材４への入射光量を測定する場
合に、ハーフミラー２をブリュースタ角で配置すること
で、一方の偏光のみ（図ではＳ偏光）を反射させ、硝材
４からの透過光を偏光子７を使用して、先に分離したの
と同じ偏光（図ではＳ偏光）のみを透過させ、それぞれ
の偏光をＦセンサ８とＲセンサ９で受光する。各センサ
８，９から得られた出力結果を元に実施形態１同様の方
法により透過率を算出することで、偏光に影響されない
高精度な透過率測定を可能にしている。また、本実施形
態では入射光量の測定をハーフミラー２でブリュースタ
角に反射し、透過光光量を偏光子７を使用して行った
が、これとは逆の配置で実施形態１に示すようにハーフ
ミラー２で反射した光を偏光子６を透過させてＦセンサ
８に入射させて測定し、実施形態２に示す様に被測定物
４からの透過光光量をハーフミラー５でブリュースタ角
に反射しＲセンサ９で測定しても良い。
合に、ハーフミラー２をブリュースタ角で配置すること
で、一方の偏光のみ（図ではＳ偏光）を反射させ、硝材
４からの透過光を偏光子７を使用して、先に分離したの
と同じ偏光（図ではＳ偏光）のみを透過させ、それぞれ
の偏光をＦセンサ８とＲセンサ９で受光する。各センサ
８，９から得られた出力結果を元に実施形態１同様の方
法により透過率を算出することで、偏光に影響されない
高精度な透過率測定を可能にしている。また、本実施形
態では入射光量の測定をハーフミラー２でブリュースタ
角に反射し、透過光光量を偏光子７を使用して行った
が、これとは逆の配置で実施形態１に示すようにハーフ
ミラー２で反射した光を偏光子６を透過させてＦセンサ
８に入射させて測定し、実施形態２に示す様に被測定物
４からの透過光光量をハーフミラー５でブリュースタ角
に反射しＲセンサ９で測定しても良い。
【００２３】［実施形態４］図４は本発明の透過率測定
装置の実施形態４の要部概略図である。
装置の実施形態４の要部概略図である。
【００２４】実施形態１、２、３において、偏光子の調
整誤差やブリュースタ角の調整誤差があると、もう一方
の偏光成分をセンサが受光し、測定誤差となる。このた
め本実施形態では、実施形態１と実施形態２を組み合わ
せた構成としている。即ち、図４に示すように光学系の
ハーフミラー２（５）とセンサ８（９）の間に偏光子６
（７）を挿入することで、調整誤差・組み付け誤差によ
りノイズとなる漏れ込んだ偏光成分を最小限に抑えるこ
とで、高精度な透過率の測定を可能としている。
整誤差やブリュースタ角の調整誤差があると、もう一方
の偏光成分をセンサが受光し、測定誤差となる。このた
め本実施形態では、実施形態１と実施形態２を組み合わ
せた構成としている。即ち、図４に示すように光学系の
ハーフミラー２（５）とセンサ８（９）の間に偏光子６
（７）を挿入することで、調整誤差・組み付け誤差によ
りノイズとなる漏れ込んだ偏光成分を最小限に抑えるこ
とで、高精度な透過率の測定を可能としている。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、エキシマレーザを光源
として、光学部材の透過率を高精度に測定することがで
きる透過率測定装置を達成することができる。
として、光学部材の透過率を高精度に測定することがで
きる透過率測定装置を達成することができる。
【００２６】この他本発明によれば、エキシマレーザ装
置を光源とし、偏光度のばらつきの影響を受けることな
く、光学部材の透過率を高精度に測定することができる
透過率測定装置を達成することができる。
置を光源とし、偏光度のばらつきの影響を受けることな
く、光学部材の透過率を高精度に測定することができる
透過率測定装置を達成することができる。
【図１】 本発明の透過率測定装置の実施形態１の要部
概略図
概略図
【図２】 本発明の透過率測定装置の実施形態２の要部
概略図
概略図
【図３】 本発明の透過率測定装置の実施形態３の要部
概略図
概略図
【図４】 本発明の透過率測定装置の実施形態４の要部
概略図
概略図
１ エキシマレーザ ２ 光分割手段（ハーフミラー） ３ ステージ ４ 被測定物 ５ ハーフミラー ６，７ 偏光子 ８，９ 測定手段 １０１ レーザ制御系 １０２ ステージ駆動制御系 １０３ 露光量演算器 １０４ 主制御系 １０５ 入力装置
Claims (4)
- 【請求項１】 エキシマレーザからのレーザ光を信号光
と参照光とに分割する光分割手段と、該信号光の光路中
に被測定物を挿脱可能に設けた挿脱手段と、参照光から
Ｐ偏光成分もしくはＳ偏光成分のみを分離する偏光手段
Ｆ１と該偏光手段Ｆ１で分離した光束の光量を測定する
測定手段Ｆ２と、被測定物を光路中に配置したときの透
過光及び被測定物を光路中より取り出したときの信号光
より該参照光で分離した偏光成分と同じ偏光成分のみを
分離する偏光手段Ｒ１と該偏光手段Ｒ１で分離した光束
の光量を測定する測定手段Ｒ２とを有し、該測定手段Ｆ
２と測定手段Ｒ２から得られる信号を用いて、該被測定
物の透過率を測定していることを特徴とする透過率測定
装置。 - 【請求項２】 前記偏光手段Ｆ１と前記偏光手段Ｒ１の
少なくとも一方は偏光子であることを特徴とする請求項
１の透過率測定装置。 - 【請求項３】 前記偏光手段Ｆ１と偏光手段Ｒ１のうち
少なくとも一方はビームスプリッタを有し、Ｓ偏光又は
Ｐ偏光のどちらか一方を反射するようにブリュースタ角
に合わせることで、一方の偏光のみを取り出すことを特
徴とする請求項１の透過率測定装置。 - 【請求項４】 前記偏光手段Ｆ１と偏光手段Ｒ１のうち
一方に偏光子を使用し、他方にビームスプリッタをブリ
ュースタ角に合わせることで一方の偏光のみを取り出す
ことで、Ｓ偏光，Ｐ偏光のどちらか一方のみを取り出す
ことを特徴とする請求項１の透過率測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000028969A JP2001221744A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 透過率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000028969A JP2001221744A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 透過率測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001221744A true JP2001221744A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18554300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000028969A Pending JP2001221744A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 透過率測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001221744A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103528956A (zh) * | 2013-09-13 | 2014-01-22 | 杭州电子科技大学 | 组织工程角膜透明度检测方法及装置 |
| US9362532B2 (en) | 2012-11-29 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for ablating substrate and method of fabricating display apparatus |
| JP2020193884A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社日立ハイテクソリューションズ | 濁度計、及び濁度色度計 |
-
2000
- 2000-02-07 JP JP2000028969A patent/JP2001221744A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9362532B2 (en) | 2012-11-29 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for ablating substrate and method of fabricating display apparatus |
| CN103528956A (zh) * | 2013-09-13 | 2014-01-22 | 杭州电子科技大学 | 组织工程角膜透明度检测方法及装置 |
| JP2020193884A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社日立ハイテクソリューションズ | 濁度計、及び濁度色度計 |
| JP7333199B2 (ja) | 2019-05-29 | 2023-08-24 | 株式会社日立ハイテクソリューションズ | 濁度計、及び濁度色度計 |
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