JP2001217190A - リソグラフィ装置において使用するための位置検出システム - Google Patents
リソグラフィ装置において使用するための位置検出システムInfo
- Publication number
- JP2001217190A JP2001217190A JP2000386381A JP2000386381A JP2001217190A JP 2001217190 A JP2001217190 A JP 2001217190A JP 2000386381 A JP2000386381 A JP 2000386381A JP 2000386381 A JP2000386381 A JP 2000386381A JP 2001217190 A JP2001217190 A JP 2001217190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- reference frame
- substrate
- projection
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基準フレームに関する可動物体の好ましくは
サブマイクロメータの精度で反復可能な参照を可能にす
る参照システムを提供する。 【解決手段】 位置検出装置は、隔離された基準フレー
ムの上に取り付けられた放射源と、前記放射源の近くに
取り付けられた二次元検出器とを含む。位置が検出され
るべき物体の上には、入射光経路に平行であるがこれか
ら変位している戻り経路に沿って、放射源から放射され
る光を反射するように、再帰反射器が取り付けられてい
る。変位の量は物体の位置に依存し、二次元検出器によ
って測定される。３つのこのような装置を１つのシステ
ムに組み合わせて、全６自由度で物体の位置を測定す
る。
サブマイクロメータの精度で反復可能な参照を可能にす
る参照システムを提供する。 【解決手段】 位置検出装置は、隔離された基準フレー
ムの上に取り付けられた放射源と、前記放射源の近くに
取り付けられた二次元検出器とを含む。位置が検出され
るべき物体の上には、入射光経路に平行であるがこれか
ら変位している戻り経路に沿って、放射源から放射され
る光を反射するように、再帰反射器が取り付けられてい
る。変位の量は物体の位置に依存し、二次元検出器によ
って測定される。３つのこのような装置を１つのシステ
ムに組み合わせて、全６自由度で物体の位置を測定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可動物体の基準位
置を決定するために使用できるような位置検出システム
に関する。より詳細には、本発明は、放射の投影ビーム
を供給するための照射システムと、所望のパタ−ンに従
って投影ビームをパターン化することのできるパターン
化手段を保持するための第１物体テーブルと、基板を保
持するための第２物体テーブルと、パターン化されたビ
ームを基板の目標部分の上に結像するための投影システ
ムと、基準フレームとを有するリソグラフィ投影装置に
おける位置検出システムの使用法に関する。
置を決定するために使用できるような位置検出システム
に関する。より詳細には、本発明は、放射の投影ビーム
を供給するための照射システムと、所望のパタ−ンに従
って投影ビームをパターン化することのできるパターン
化手段を保持するための第１物体テーブルと、基板を保
持するための第２物体テーブルと、パターン化されたビ
ームを基板の目標部分の上に結像するための投影システ
ムと、基準フレームとを有するリソグラフィ投影装置に
おける位置検出システムの使用法に関する。
【０００２】
【従来の技術】用語「パターン化手段」は、基板の目標
部分に作り出すべきパターンに従って、パターン化され
た断面を有する入射放射ビームを付与するために使用す
ることのできる手段を呼ぶ、として広く解釈すべきであ
り、用語「光弁」もこれに関連して使用されてきた。一
般に前記パターンは、集積回路またはその他の装置（下
記を基準）などの、目標部分に作られる装置における特
定の機能層に対応する。このようなパターン化手段の例
は下記を含む。すなわち、 − 前記物体テーブルによって保持されたマスク。マス
クの概念はリソグラフィにおいて周知であり、これは２
進、交代位相、および減衰位相などのマスク形式、なら
びに様々なハイブリッドマスク形式を含む。投影ビーム
におけるこのようなマスクの配置は、マスク上のパター
ンに従って、マスクの上に突き当たる放射の（透過マス
クの場合には）選択的透過を、または（反射マスクの場
合には）反射を引き起こす。第１物体テーブルは、マス
クを入射する投影ビームの中で所望の位置に保持できる
こと、および望むならばマスクをビームに対して動かす
ことができることを保証する。 − 第１物体テーブルと呼ばれる構造によって保持され
ているプログラマブル・ミラーアレイ。このような装置
の一例として、粘弾性制御層と反射表面を有するマトリ
ックスアドレス可能表面がある。このような装置の背景
にある基本原理は、（例えば）反射表面のアドレスされ
る区域が入射光を回折光として反射し、アドレスされな
い区域は入射光を非回折光として反射することである。
適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビーム
からろ過して回折光のみをあとに残すことができ、この
方法によって、ビームはマトリックスアドレス可能表面
のアドレス指定パターンに従ってパターン化された状態
になる。必要とされるマトリックスアドレス指定は適当
な電子手段を使用して実施することができる。このよう
なミラーアレイに関する詳しい情報は、例えば本明細書
に参照として組み込まれている米国特許第５２９６８９
１号および同第５５２３１９３号から収集することがで
きる。 − 第１物体テーブルと呼ばれる構造によって保持され
ているプログラマブルＬＣＤ。この種の構造物の一例
が、本明細書に参照として組み込まれている米国特許第
５２２９８７２号に開示されている。簡単にするため
に、本文の残りはある個所ではそれ自体を、マスクを必
然的に伴う例に特定して向けることもある。しかし、こ
のような例において論議される一般原理を、上述のよう
にパターン化手段のもっと広い文脈で見るべきである。
部分に作り出すべきパターンに従って、パターン化され
た断面を有する入射放射ビームを付与するために使用す
ることのできる手段を呼ぶ、として広く解釈すべきであ
り、用語「光弁」もこれに関連して使用されてきた。一
般に前記パターンは、集積回路またはその他の装置（下
記を基準）などの、目標部分に作られる装置における特
定の機能層に対応する。このようなパターン化手段の例
は下記を含む。すなわち、 − 前記物体テーブルによって保持されたマスク。マス
クの概念はリソグラフィにおいて周知であり、これは２
進、交代位相、および減衰位相などのマスク形式、なら
びに様々なハイブリッドマスク形式を含む。投影ビーム
におけるこのようなマスクの配置は、マスク上のパター
ンに従って、マスクの上に突き当たる放射の（透過マス
クの場合には）選択的透過を、または（反射マスクの場
合には）反射を引き起こす。第１物体テーブルは、マス
クを入射する投影ビームの中で所望の位置に保持できる
こと、および望むならばマスクをビームに対して動かす
ことができることを保証する。 − 第１物体テーブルと呼ばれる構造によって保持され
ているプログラマブル・ミラーアレイ。このような装置
の一例として、粘弾性制御層と反射表面を有するマトリ
ックスアドレス可能表面がある。このような装置の背景
にある基本原理は、（例えば）反射表面のアドレスされ
る区域が入射光を回折光として反射し、アドレスされな
い区域は入射光を非回折光として反射することである。
適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビーム
からろ過して回折光のみをあとに残すことができ、この
方法によって、ビームはマトリックスアドレス可能表面
のアドレス指定パターンに従ってパターン化された状態
になる。必要とされるマトリックスアドレス指定は適当
な電子手段を使用して実施することができる。このよう
なミラーアレイに関する詳しい情報は、例えば本明細書
に参照として組み込まれている米国特許第５２９６８９
１号および同第５５２３１９３号から収集することがで
きる。 − 第１物体テーブルと呼ばれる構造によって保持され
ているプログラマブルＬＣＤ。この種の構造物の一例
が、本明細書に参照として組み込まれている米国特許第
５２２９８７２号に開示されている。簡単にするため
に、本文の残りはある個所ではそれ自体を、マスクを必
然的に伴う例に特定して向けることもある。しかし、こ
のような例において論議される一般原理を、上述のよう
にパターン化手段のもっと広い文脈で見るべきである。
【０００３】投射システムを以下「レンズ」と呼ぶこと
もあるが、この用語は、例えば屈折用光学部品、反射用
光学部品、および反射屈折系を含む様々な形式の投射シ
ステムを包含するものとして広く解釈すべきである。照
射システムも、放射の投射ビームを指向、形状化、また
は制御するための設計形式のいずれかに従って動作する
構成部分を含むことができ、このような構成部分はまた
以下に、集合的または単独で「レンズ」と呼ぶこともで
きる。さらに、第１および第２物体テーブルを、それぞ
れ「マスクテーブル」および「基板テーブル」と呼ぶこ
ともできる。
もあるが、この用語は、例えば屈折用光学部品、反射用
光学部品、および反射屈折系を含む様々な形式の投射シ
ステムを包含するものとして広く解釈すべきである。照
射システムも、放射の投射ビームを指向、形状化、また
は制御するための設計形式のいずれかに従って動作する
構成部分を含むことができ、このような構成部分はまた
以下に、集合的または単独で「レンズ」と呼ぶこともで
きる。さらに、第１および第２物体テーブルを、それぞ
れ「マスクテーブル」および「基板テーブル」と呼ぶこ
ともできる。
【０００４】リソグラフィ投射装置は、例えば集積回路
（ＩＣｓ）の製造に使用することができる。このような
場合には、パターン化手段はＩＣの個別の層に対応する
回路パターンを作ることができ、このパターンを、放射
感受性材料（レジスト）の層で被覆された基板（シリコ
ンウエハ）上の（１つまたは複数のダイを含む）目標部
分の上に結像することができる。一般に、単一のウエハ
は、一度に１つずつ投射システムを通じて続けて照射さ
れる隣接した目標部分の全ネットワークを含むことにな
る。マスクによるマスクテーブル上のパターン化を採用
する現在の装置では、２つの異なる機械形式を区別する
ことができる。一形式のリソグラフィ投射装置では、各
目標部分が、マスクパターン全体をその目標部分に一気
に露光することによって照射され、このような装置は通
常ウエハステッパと呼ばれる。別の形式の、通常はステ
ップアンドスキャン装置と呼ばれる装置では、各目標部
分が、マスクパターンを投射ビームの下で所定の基準方
向（「走査」方向）に漸進的に走査し、これに同期して
基板テーブルをこの方向に平行または逆平行に走査する
ことによって照射される。一般にこの投射システムは倍
率Ｍ（一般に＜１）を有するので、基板テーブルが走査
される速度Ｖは、マスクが走査される速度のＭ倍とな
る。ここに記載のリソグラフィ装置に関する詳しい情報
は、例えば本明細書に参照として組み込まれている米国
特許第６０４６７９２号から収集することができる。
（ＩＣｓ）の製造に使用することができる。このような
場合には、パターン化手段はＩＣの個別の層に対応する
回路パターンを作ることができ、このパターンを、放射
感受性材料（レジスト）の層で被覆された基板（シリコ
ンウエハ）上の（１つまたは複数のダイを含む）目標部
分の上に結像することができる。一般に、単一のウエハ
は、一度に１つずつ投射システムを通じて続けて照射さ
れる隣接した目標部分の全ネットワークを含むことにな
る。マスクによるマスクテーブル上のパターン化を採用
する現在の装置では、２つの異なる機械形式を区別する
ことができる。一形式のリソグラフィ投射装置では、各
目標部分が、マスクパターン全体をその目標部分に一気
に露光することによって照射され、このような装置は通
常ウエハステッパと呼ばれる。別の形式の、通常はステ
ップアンドスキャン装置と呼ばれる装置では、各目標部
分が、マスクパターンを投射ビームの下で所定の基準方
向（「走査」方向）に漸進的に走査し、これに同期して
基板テーブルをこの方向に平行または逆平行に走査する
ことによって照射される。一般にこの投射システムは倍
率Ｍ（一般に＜１）を有するので、基板テーブルが走査
される速度Ｖは、マスクが走査される速度のＭ倍とな
る。ここに記載のリソグラフィ装置に関する詳しい情報
は、例えば本明細書に参照として組み込まれている米国
特許第６０４６７９２号から収集することができる。
【０００５】一般に、この形式の装置は単一の第１物体
（マスク）テーブルと単一の第２物体（基板）テーブル
を含んでいた。しかし、少なくとも２つの独立に移動可
能な（第２の）基板テーブルのある機械が入手できるよ
うになっており、この例としては、本明細書に参照とし
て組み込まれている米国特許第５９６９４４１号および
１９９８年２月２７日に出願の米国特許出願第０９／１
８００１１号（ＷＯ９８／４０７９１）に記載の多段装
置がある。このような多段装置の基本的動作原理は、第
１基板テーブルがこのテーブルの上に位置する第１基板
の露光を可能にするように投影システムの下にある間
に、第２基板テーブルがローディング位置に走行し、露
光された基板を排出し、新しい基板を取り上げ、新しい
基板の上にいくつかの初期計測ステップを実施し、それ
から第１基板の露光が完了するとすぐに投射システムの
露光位置にこの新しい基板を移転する準備ができること
であり、そこからサイクルがそれ自体この方式で反復
し、実質的に機械の処理量を増加することが可能で、こ
れは機械の所有コストを改善する。
（マスク）テーブルと単一の第２物体（基板）テーブル
を含んでいた。しかし、少なくとも２つの独立に移動可
能な（第２の）基板テーブルのある機械が入手できるよ
うになっており、この例としては、本明細書に参照とし
て組み込まれている米国特許第５９６９４４１号および
１９９８年２月２７日に出願の米国特許出願第０９／１
８００１１号（ＷＯ９８／４０７９１）に記載の多段装
置がある。このような多段装置の基本的動作原理は、第
１基板テーブルがこのテーブルの上に位置する第１基板
の露光を可能にするように投影システムの下にある間
に、第２基板テーブルがローディング位置に走行し、露
光された基板を排出し、新しい基板を取り上げ、新しい
基板の上にいくつかの初期計測ステップを実施し、それ
から第１基板の露光が完了するとすぐに投射システムの
露光位置にこの新しい基板を移転する準備ができること
であり、そこからサイクルがそれ自体この方式で反復
し、実質的に機械の処理量を増加することが可能で、こ
れは機械の所有コストを改善する。
【０００６】リソグラフィ装置では、基板の上に結像す
ることのできる特徴のサイズは、投影放射の波長によっ
て制限される。密度がさらに高く、したがって動作速度
がさらに高い集積回路を製造するためには、より小さな
特徴を結蔵できることが望ましい。最近のリソグラフィ
投影装置は水銀ランプまたはエキシマレーザによって発
生する紫外線光を使用するが、リソグラフィ装置におけ
る投影放射として、周波数（エネルギー）がより高い放
射、例えばＥＵＶまたはＸ線、または粒子ビーム、例え
ば電子またはイオンを使用することが提案されている。
ることのできる特徴のサイズは、投影放射の波長によっ
て制限される。密度がさらに高く、したがって動作速度
がさらに高い集積回路を製造するためには、より小さな
特徴を結蔵できることが望ましい。最近のリソグラフィ
投影装置は水銀ランプまたはエキシマレーザによって発
生する紫外線光を使用するが、リソグラフィ装置におけ
る投影放射として、周波数（エネルギー）がより高い放
射、例えばＥＵＶまたはＸ線、または粒子ビーム、例え
ば電子またはイオンを使用することが提案されている。
【０００７】リソグラフィ装置がどんな形式であって
も、どの時点においても物体テーブルなどの可動部分の
位置を正確に決定することが必要である。従来、これは
エンコーダまたは干渉計などのインクレメンタルセンサ
を使用して行われ、これは位置ではなく位置の変化を絶
対的に測定するセンサである。したがって、可動物体が
基準位置すなわちゼロ位置にあるときを検出して、絶対
位置を計算するために増分位置を使用できるベースとな
る基礎を準備する、追加のゼロ基準センサを準備するこ
とが必要である。このようなゼロ基準システムは１μｍ
またはこれよりもよい反復性をしばしば提供することが
できる。
も、どの時点においても物体テーブルなどの可動部分の
位置を正確に決定することが必要である。従来、これは
エンコーダまたは干渉計などのインクレメンタルセンサ
を使用して行われ、これは位置ではなく位置の変化を絶
対的に測定するセンサである。したがって、可動物体が
基準位置すなわちゼロ位置にあるときを検出して、絶対
位置を計算するために増分位置を使用できるベースとな
る基礎を準備する、追加のゼロ基準センサを準備するこ
とが必要である。このようなゼロ基準システムは１μｍ
またはこれよりもよい反復性をしばしば提供することが
できる。
【０００８】基板またはマスク位置付けシステムでは、
マスクまたは基板を全６自由度（ＤＯＦ）で位置付けで
きることがしばしば望ましい。したがって６つのゼロ基
準システムと６つの増分位置付けシステムが、結果的に
容認できない高さの集積反復性の誤差になる連鎖として
共に結合される。さらにまた、ホルダのゼロ基準は振動
絶縁された基準フレームに基準付けされることが多く、
この基準フレームの上に最も重大な計測構成部分が取り
付けられている。粗い位置付け用のエンコーダシステム
のゼロ基準はこの類別にはぴったりせず、したがって個
別の構造に取り付けられ、構造の位置は隔離された基準
フレームに関するマイクロメータレベルでは不確定のま
まである。
マスクまたは基板を全６自由度（ＤＯＦ）で位置付けで
きることがしばしば望ましい。したがって６つのゼロ基
準システムと６つの増分位置付けシステムが、結果的に
容認できない高さの集積反復性の誤差になる連鎖として
共に結合される。さらにまた、ホルダのゼロ基準は振動
絶縁された基準フレームに基準付けされることが多く、
この基準フレームの上に最も重大な計測構成部分が取り
付けられている。粗い位置付け用のエンコーダシステム
のゼロ基準はこの類別にはぴったりせず、したがって個
別の構造に取り付けられ、構造の位置は隔離された基準
フレームに関するマイクロメータレベルでは不確定のま
まである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基準
フレームに関する可動物体の好ましくはサブマイクロメ
ータの精度で反復可能な参照を可能にする基準システム
を提供することである。理想的には、このシステムは６
自由度で同時に可動物体を参照する能力を提供すべきで
ある。
フレームに関する可動物体の好ましくはサブマイクロメ
ータの精度で反復可能な参照を可能にする基準システム
を提供することである。理想的には、このシステムは６
自由度で同時に可動物体を参照する能力を提供すべきで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、放射の
投影ビームを供給するための照射システムと、所望のパ
ターンに従って投影ビームをパターン化することができ
るパターン化手段を保持するための第１物体テーブル
と、基板を保持するための第２物体テーブルと、基板の
目標部分の上にパターン化されたビームを結像するため
の投影システムと、基準フレームとを含むリソグラフィ
投影装置において、前記基準フレームの上に取り付けら
れた放射源と、前記基準フレームの１つの固定位置に取
り付けられた二次元放射検出器と、前記放射源によって
前記放射検出器に向かって放射された放射を反射するよ
うに、前記基準フレームに対して移動可能な前記物体テ
ーブルの１つに取り付けられた鏡映デバイスとを含む位
置検出デバイスを特徴とするリソグラフィ投影装置が提
供される。
投影ビームを供給するための照射システムと、所望のパ
ターンに従って投影ビームをパターン化することができ
るパターン化手段を保持するための第１物体テーブル
と、基板を保持するための第２物体テーブルと、基板の
目標部分の上にパターン化されたビームを結像するため
の投影システムと、基準フレームとを含むリソグラフィ
投影装置において、前記基準フレームの上に取り付けら
れた放射源と、前記基準フレームの１つの固定位置に取
り付けられた二次元放射検出器と、前記放射源によって
前記放射検出器に向かって放射された放射を反射するよ
うに、前記基準フレームに対して移動可能な前記物体テ
ーブルの１つに取り付けられた鏡映デバイスとを含む位
置検出デバイスを特徴とするリソグラフィ投影装置が提
供される。
【００１１】上述の位置検出デバイスは、２自由度で物
体テーブルの位置を測定することができ、この位置を６
自由度で検出するために、互いに異なる（すなわち平行
ではない）好ましくは実質的に直交する配列方向を有す
る３つの前記位置検出デバイスを、リソグラフィ投影装
置に備えることもできる。
体テーブルの位置を測定することができ、この位置を６
自由度で検出するために、互いに異なる（すなわち平行
ではない）好ましくは実質的に直交する配列方向を有す
る３つの前記位置検出デバイスを、リソグラフィ投影装
置に備えることもできる。
【００１２】放射源はコリメートされた放射の源である
ことが好ましく、ＲＥＤまたはレーザダイオードなどの
単色光源を含むことができ、単色光源はセンサハウジン
グの上または基準フレームから離れて取り付けられ、光
ファイバを有し、前記光源から放射された光を前記基準
フレーム上に取り付けられたビーム指向光学部品へ運
ぶ。この後者の配置では、コリメートされた光ビームの
高い点指示安定性、ならびに基準フレームから温度の変
動に非常に敏感である潜在的熱源を除去するという利点
がある。
ことが好ましく、ＲＥＤまたはレーザダイオードなどの
単色光源を含むことができ、単色光源はセンサハウジン
グの上または基準フレームから離れて取り付けられ、光
ファイバを有し、前記光源から放射された光を前記基準
フレーム上に取り付けられたビーム指向光学部品へ運
ぶ。この後者の配置では、コリメートされた光ビームの
高い点指示安定性、ならびに基準フレームから温度の変
動に非常に敏感である潜在的熱源を除去するという利点
がある。
【００１３】二次元位置検出器は、二次元ＰＳＤ（位置
感知検出器）、ＣＣＤカメラ、四象限光検出器、または
何らかの適当な二次元検出器アレイにすることができ、
二次元検出器アレイは、検出器（アレイ）上における反
射光の位置の関数として２つの直交方向の各々に出力信
号を提供することができる。本発明において使用される
ＣＣＤカメラの解像度は、サブピクセル補間法によって
強化することができる。
感知検出器）、ＣＣＤカメラ、四象限光検出器、または
何らかの適当な二次元検出器アレイにすることができ、
二次元検出器アレイは、検出器（アレイ）上における反
射光の位置の関数として２つの直交方向の各々に出力信
号を提供することができる。本発明において使用される
ＣＣＤカメラの解像度は、サブピクセル補間法によって
強化することができる。
【００１４】本発明のさらなる態様によれば、放射の投
影ビームを供給するための照射システムと、所望のパタ
ーンに従って投影ビームをパターン化することができる
パターン化手段を保持するための第１物体テーブルと、
基板を保持するための第２物体テーブルと、基準フレー
ムと、基板の目標部分の上にパターン化されたビームを
結像するための投影システムとを含むリソグラフィ投影
装置を使用する装置を製造するための方法において、放
射感受層を備えた基板を前記第２物体テーブルに準備す
るステップと、照射システムを使用して放射の投影ビー
ムを準備するステップと、前記パターン化手段を使用し
て、投影ビームの断面にパターンを付与するステップ
と、パターン化されたビームを前記基板の前記目標部分
に投影するステップとを含む方法であって、前記投影ス
テップ前または前記投影ステップ中に、前記基準フレー
ムに対して移動可能な前記物体テーブルの１つが、前記
基準フレーム上に取り付けられた放射源から前記１つの
物体テーブル上に取り付けられた鏡映デバイスに向って
放射を放射するステップ、前記鏡映デバイスによって放
射を反射するステップ、および前記基準フレーム上のあ
る固定位置に取り付けられた二次元放射検出器において
反射した放射を検出するステップによって、基準位置に
あると判定されることを特徴とする方法が提供される。
影ビームを供給するための照射システムと、所望のパタ
ーンに従って投影ビームをパターン化することができる
パターン化手段を保持するための第１物体テーブルと、
基板を保持するための第２物体テーブルと、基準フレー
ムと、基板の目標部分の上にパターン化されたビームを
結像するための投影システムとを含むリソグラフィ投影
装置を使用する装置を製造するための方法において、放
射感受層を備えた基板を前記第２物体テーブルに準備す
るステップと、照射システムを使用して放射の投影ビー
ムを準備するステップと、前記パターン化手段を使用し
て、投影ビームの断面にパターンを付与するステップ
と、パターン化されたビームを前記基板の前記目標部分
に投影するステップとを含む方法であって、前記投影ス
テップ前または前記投影ステップ中に、前記基準フレー
ムに対して移動可能な前記物体テーブルの１つが、前記
基準フレーム上に取り付けられた放射源から前記１つの
物体テーブル上に取り付けられた鏡映デバイスに向って
放射を放射するステップ、前記鏡映デバイスによって放
射を反射するステップ、および前記基準フレーム上のあ
る固定位置に取り付けられた二次元放射検出器において
反射した放射を検出するステップによって、基準位置に
あると判定されることを特徴とする方法が提供される。
【００１５】本発明によるリソグラフィ投影装置を使用
する製造工程では、マスク内のパターンが、少なくとも
部分的に放射感受層（レジスト）によって覆われている
基板の上に結像される。この結像ステップの前に、基板
を、下塗り、レジスト被覆、およびソフトベーキングな
どの様々な過程にかけることができる。露光の後に、基
板を、露光後のベーキング（ＰＥＢ）、現像、硬ベーキ
ング、結像された特徴の測定／検査にかけることができ
る。これらの手順の配列は、デバイス例えばＩＣの個別
の層をパターン化するための基礎として使用される。次
に、このようなパターン化された層は、エッチング、イ
オン注入（ドーピング）、金属被覆法、酸化、化学機械
的研摩などの様々な工程を受けることができ、これらの
すべては個別の層を完了することを目的とする。いくつ
かの層を必要とする場合には、手順全体またはこの変形
を新しい各層について反復しなければならない。結局、
デバイスの配列が基板（ウエハ）の上に存在することに
なる。これらのデバイスをダイシングまたはのこ引きな
どの技法によって互いに分離し、それゆえ個々のデバイ
スをキャリアの上に取り付けたり、ピンに連結したりす
ることができる。このような工程についての詳しい情報
は、例えばＰｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔの著書「Ｍｉ
ｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａ
ｃｔｉｃａｌＧｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製
造：半導体加工の実用ガイド）」第３版（ＭｃＧｒａｗ
Ｈｉｌｌ出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０
６７２５０−４）から得ることができる。
する製造工程では、マスク内のパターンが、少なくとも
部分的に放射感受層（レジスト）によって覆われている
基板の上に結像される。この結像ステップの前に、基板
を、下塗り、レジスト被覆、およびソフトベーキングな
どの様々な過程にかけることができる。露光の後に、基
板を、露光後のベーキング（ＰＥＢ）、現像、硬ベーキ
ング、結像された特徴の測定／検査にかけることができ
る。これらの手順の配列は、デバイス例えばＩＣの個別
の層をパターン化するための基礎として使用される。次
に、このようなパターン化された層は、エッチング、イ
オン注入（ドーピング）、金属被覆法、酸化、化学機械
的研摩などの様々な工程を受けることができ、これらの
すべては個別の層を完了することを目的とする。いくつ
かの層を必要とする場合には、手順全体またはこの変形
を新しい各層について反復しなければならない。結局、
デバイスの配列が基板（ウエハ）の上に存在することに
なる。これらのデバイスをダイシングまたはのこ引きな
どの技法によって互いに分離し、それゆえ個々のデバイ
スをキャリアの上に取り付けたり、ピンに連結したりす
ることができる。このような工程についての詳しい情報
は、例えばＰｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔの著書「Ｍｉ
ｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａ
ｃｔｉｃａｌＧｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製
造：半導体加工の実用ガイド）」第３版（ＭｃＧｒａｗ
Ｈｉｌｌ出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０
６７２５０−４）から得ることができる。
【００１６】本文では、ＩＣの製造における本発明によ
る装置の使用法を特定して参照することもできるが、こ
のような装置は多くの他の適用分野を有することを明白
に理解すべきである。例えば、これは統合された光学
系、磁区メモリ用の誘導検出パターン、液晶表示パネ
ル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用することもでき
る。このような他の適用分野に関して、本文における用
語「レティクル」、「ウエハ」、または「ダイ」の使用
はどれでも、より普遍的な用語「マスク」、「基板」、
および「目標部分」にそれぞれ置き換えられると考える
べきであることは、当業者には理解されよう。
る装置の使用法を特定して参照することもできるが、こ
のような装置は多くの他の適用分野を有することを明白
に理解すべきである。例えば、これは統合された光学
系、磁区メモリ用の誘導検出パターン、液晶表示パネ
ル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用することもでき
る。このような他の適用分野に関して、本文における用
語「レティクル」、「ウエハ」、または「ダイ」の使用
はどれでも、より普遍的な用語「マスク」、「基板」、
および「目標部分」にそれぞれ置き換えられると考える
べきであることは、当業者には理解されよう。
【００１７】本資料では、用語「放射」および「ビー
ム」は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎ
ｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長における）紫
外（ＵＶ）線、遠紫外（ＥＵＶ）線、Ｘ線、電子、およ
びイオンを含むがこれらに限定されることはない、あら
ゆる種類の電磁放射または粒子束を包含するために使用
される。
ム」は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎ
ｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長における）紫
外（ＵＶ）線、遠紫外（ＥＵＶ）線、Ｘ線、電子、およ
びイオンを含むがこれらに限定されることはない、あら
ゆる種類の電磁放射または粒子束を包含するために使用
される。
【００１８】本発明を、例示的な実施形態と添付の図面
を参照して以下に説明する。図面において、同様な参照
番号は同様な部分を示す。
を参照して以下に説明する。図面において、同様な参照
番号は同様な部分を示す。
【００１９】
【発明の実施の形態】実施形態１ 図１は、本発明によるリソグラフィ投影装置を概略的に
示している。この装置は、放射（例えばＵＶまたはＥＵ
Ｖ線）の投影ビームＰＢを供給するための放射系ＬＡ、
ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレティクル）を保持するた
めのマスクホルダを備え、品目ＰＬに対してマスクを正
確に位置付けるための第１位置付け手段に連結された第
１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例
えばレジストを被覆したシリコンウエハ）を保持するた
めの基板ホルダを備え、品目ＰＬに対して基板を正確に
位置付けるための第２位置付け手段に連結された第２物
体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射
された部分を基板Ｗの目標部分Ｃの上に結像するため
の、投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折系ま
たは反射屈折系、ミラー群、またはフィールド検出器の
配列）とを含む。
示している。この装置は、放射（例えばＵＶまたはＥＵ
Ｖ線）の投影ビームＰＢを供給するための放射系ＬＡ、
ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレティクル）を保持するた
めのマスクホルダを備え、品目ＰＬに対してマスクを正
確に位置付けるための第１位置付け手段に連結された第
１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例
えばレジストを被覆したシリコンウエハ）を保持するた
めの基板ホルダを備え、品目ＰＬに対して基板を正確に
位置付けるための第２位置付け手段に連結された第２物
体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射
された部分を基板Ｗの目標部分Ｃの上に結像するため
の、投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折系ま
たは反射屈折系、ミラー群、またはフィールド検出器の
配列）とを含む。
【００２０】ここに図示するように、装置は透過式であ
る（すなわち透過性マスクを有している）。しかしなが
ら一般に、これを例えば反射式にすることもできる。
る（すなわち透過性マスクを有している）。しかしなが
ら一般に、これを例えば反射式にすることもできる。
【００２１】ここに図示する例では、照射システムは、
放射ビームを発生させる源泉ＬＡ（例えばＨｇランプ、
エキシマレーザ、レーザ発生プラズマ源または放電プラ
ズマ源、ストレイジリングまたはシンクロトロンにおけ
る電子ビームの経路の周りに設けられたアンジュレー
タ、または電子またはイオンビーム源）を含む。このビ
ームは照射システムＩＬの中に含まれる様々な光学部品
（例えばビーム形成光学部品Ｅｘ、インテグレータＩ
Ｎ、および集光レンズＣＯ）に沿って通されるので、結
果として生ずるビームＰＢは所望の形状と輝度分布を有
する。
放射ビームを発生させる源泉ＬＡ（例えばＨｇランプ、
エキシマレーザ、レーザ発生プラズマ源または放電プラ
ズマ源、ストレイジリングまたはシンクロトロンにおけ
る電子ビームの経路の周りに設けられたアンジュレー
タ、または電子またはイオンビーム源）を含む。このビ
ームは照射システムＩＬの中に含まれる様々な光学部品
（例えばビーム形成光学部品Ｅｘ、インテグレータＩ
Ｎ、および集光レンズＣＯ）に沿って通されるので、結
果として生ずるビームＰＢは所望の形状と輝度分布を有
する。
【００２２】続いてビームＰＢを、マスクテーブルＭＴ
上のマスクホルダに保持されたマスクＭＡが遮る。マス
クＭＡを通過すると、ビームＰＢはレンズＰＩを通過
し、レンズＰＩは基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢを
集束させる。干渉計変位測定手段ＩＦの助けによって、
例えばビームＰＢの経路に様々な目標部分Ｃを位置付け
るように、第２位置付け手段によって基板テーブルＷＴ
を正確に移動させることができる。同様に、第１位置付
け手段と干渉計変位測定手段とを使用して、例えばマス
クライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、
ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置付け
ることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移
動は、図１には明白に示されていない長ストロークモジ
ュール（粗い位置付け）と短ストロームモジュール（精
密位置付け）との助けによって実施される。
上のマスクホルダに保持されたマスクＭＡが遮る。マス
クＭＡを通過すると、ビームＰＢはレンズＰＩを通過
し、レンズＰＩは基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢを
集束させる。干渉計変位測定手段ＩＦの助けによって、
例えばビームＰＢの経路に様々な目標部分Ｃを位置付け
るように、第２位置付け手段によって基板テーブルＷＴ
を正確に移動させることができる。同様に、第１位置付
け手段と干渉計変位測定手段とを使用して、例えばマス
クライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、
ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置付け
ることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移
動は、図１には明白に示されていない長ストロークモジ
ュール（粗い位置付け）と短ストロームモジュール（精
密位置付け）との助けによって実施される。
【００２３】図示された装置は２つの異なる様式で使用
することができる。すなわち、 １．ステップ様式では、マスクテーブルＭＴを本質的に
固定に保ち、マスク画像全体を目標部分Ｃの上に一気に
（すなわち単一の「フラッシュ」で）投影する。それか
ら基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動さ
せて、異なる目標部分ＣがビームＰＢによって照射でき
るようにする。 ２．走査様式では、所定の目標部分Ｃが単一「フラッシ
ュ」で露光されないことを除いて、本質的に同じ筋書が
適用される。代りに、マスクテーブルＭＴが速度ｖで所
定の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に移
動可能であるから、投影ビームＰＢはマスク画像の上を
走査することになり、同時に基板テーブルＷＴは同方向
または逆方向に速度Ｖ＝Ｍｖ（ただしＭはレンズＰＬの
倍率で、一般的にＭ＝１／４または１／５）で移動され
る。この方式で、解像度に妥協する必要なく比較的大き
な目標部分Ｃを露光することができる。
することができる。すなわち、 １．ステップ様式では、マスクテーブルＭＴを本質的に
固定に保ち、マスク画像全体を目標部分Ｃの上に一気に
（すなわち単一の「フラッシュ」で）投影する。それか
ら基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動さ
せて、異なる目標部分ＣがビームＰＢによって照射でき
るようにする。 ２．走査様式では、所定の目標部分Ｃが単一「フラッシ
ュ」で露光されないことを除いて、本質的に同じ筋書が
適用される。代りに、マスクテーブルＭＴが速度ｖで所
定の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に移
動可能であるから、投影ビームＰＢはマスク画像の上を
走査することになり、同時に基板テーブルＷＴは同方向
または逆方向に速度Ｖ＝Ｍｖ（ただしＭはレンズＰＬの
倍率で、一般的にＭ＝１／４または１／５）で移動され
る。この方式で、解像度に妥協する必要なく比較的大き
な目標部分Ｃを露光することができる。
【００２４】図２は、基板（ウエハ）テーブルＷＴと共
に使用される本発明による一実施形態の平面図である。
本発明がマスク（レティクル）と共に使用することもで
きることが認識されよう。ウエハＷと基準Ｘ軸およびＹ
軸が点線で示されている。Ｚ軸はＸ軸およびＹ軸に垂直
である。本発明による位置検出システムは３つの同様な
位置検出装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを含む。各位置検
出装置は、コリメートされた放射の入射ビーム１２を再
帰反射器１３に向って放射する放射源１１を含み、再帰
反射器１３は、入射光経路に平行であるがこれから変位
している戻り経路の上に入射光を反射させる反射器であ
る。二次元での戻りビーム１４の変位は、放射源と入射
ビーム１２に垂直な平面における反射器との相対位置の
関数である。再帰反射器１３は例えば、単一のコーナー
で合う３つの互いに直角な平面、いわゆる「コーナーキ
ューブ」から製造することもできる。反射器は、透過立
方体から（概念的に）カットされたコーナーの３つの外
面上にされたミラーコーティングを設けることによって
形成することができる。戻りビーム１４は二次元放射検
出器１５の上に衝突する。
に使用される本発明による一実施形態の平面図である。
本発明がマスク（レティクル）と共に使用することもで
きることが認識されよう。ウエハＷと基準Ｘ軸およびＹ
軸が点線で示されている。Ｚ軸はＸ軸およびＹ軸に垂直
である。本発明による位置検出システムは３つの同様な
位置検出装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを含む。各位置検
出装置は、コリメートされた放射の入射ビーム１２を再
帰反射器１３に向って放射する放射源１１を含み、再帰
反射器１３は、入射光経路に平行であるがこれから変位
している戻り経路の上に入射光を反射させる反射器であ
る。二次元での戻りビーム１４の変位は、放射源と入射
ビーム１２に垂直な平面における反射器との相対位置の
関数である。再帰反射器１３は例えば、単一のコーナー
で合う３つの互いに直角な平面、いわゆる「コーナーキ
ューブ」から製造することもできる。反射器は、透過立
方体から（概念的に）カットされたコーナーの３つの外
面上にされたミラーコーティングを設けることによって
形成することができる。戻りビーム１４は二次元放射検
出器１５の上に衝突する。
【００２５】放射源１１と放射検出器１５は、互いに隣
接して、高度に安定した方法でリソグラフィ装置の隔離
された基準または計測学フレームＭＦの上に取り付けら
れている。従来、放射源１１と放射検出器１５を互いに
または単一ブラケット１６に図３に示すように取り付け
ることもできる。位置検出器１５と放射源１１との１つ
または複数のハウジングおよび／または取付け用ブラケ
ットは、熱安定性を高くするためにゼロデュール（ＲＴ
Ｍ）またはインバーなどの熱膨張率の非常に低い材料で
作られることが好ましい。隔離された基準または計測学
フレームＭＦもこのような材料で作ることができる。再
帰反射器１３はウエハテーブルＷＴの上の便利な個所、
例えば１つのコーナーの近くに取り付けられる。
接して、高度に安定した方法でリソグラフィ装置の隔離
された基準または計測学フレームＭＦの上に取り付けら
れている。従来、放射源１１と放射検出器１５を互いに
または単一ブラケット１６に図３に示すように取り付け
ることもできる。位置検出器１５と放射源１１との１つ
または複数のハウジングおよび／または取付け用ブラケ
ットは、熱安定性を高くするためにゼロデュール（ＲＴ
Ｍ）またはインバーなどの熱膨張率の非常に低い材料で
作られることが好ましい。隔離された基準または計測学
フレームＭＦもこのような材料で作ることができる。再
帰反射器１３はウエハテーブルＷＴの上の便利な個所、
例えば１つのコーナーの近くに取り付けられる。
【００２６】二次元位置検出器１５は、二次元ＰＳＤ
（位置感知検出器）、ＣＣＤカメラ、四象限光検出器、
または何らかの適当な二次元検出器にすることができ、
入射ビーム１２および反射ビーム１４にほぼ垂直な感知
平面を有して取り付けられる。
（位置感知検出器）、ＣＣＤカメラ、四象限光検出器、
または何らかの適当な二次元検出器にすることができ、
入射ビーム１２および反射ビーム１４にほぼ垂直な感知
平面を有して取り付けられる。
【００２７】位置検出装置の位置１０Ａ、１０Ｂ、１０
Ｃと配列方向、すなわち角度α、β、γを、６自由度全
部でできるだけ高い平衡した位置感度を提供するために
選択する。本発明の特定の適用例では、位置検出装置の
位置と配列方向は、基板テーブルの形状と基準フレー
ム、ならびに位置、ピッチ、ロール、およびヨー誤差に
対するリソグラフィ装置の変化する感度などの要素によ
って決定される。
Ｃと配列方向、すなわち角度α、β、γを、６自由度全
部でできるだけ高い平衡した位置感度を提供するために
選択する。本発明の特定の適用例では、位置検出装置の
位置と配列方向は、基板テーブルの形状と基準フレー
ム、ならびに位置、ピッチ、ロール、およびヨー誤差に
対するリソグラフィ装置の変化する感度などの要素によ
って決定される。
【００２８】図３は、ある位置検出装置１０の部分断面
図である。ここに見ることができるように、放射源１１
と放射検出器１５は、入射ビーム１２と戻りビーム１４
がウエハＷと実質的に平行であるＸ−Ｙ平面に角度δだ
け傾いている位置で、ブラケット１６を通じて計測学フ
レームＭＦに取り付けられている。角度δは、同じ大き
さの入射光ビーム１２に対する反射器１３の水平および
垂直変位が結果的に放射検出器１５における戻り光ビ−
ム１４の同じ変位となるように、実質的に４５Ｅである
ことが好ましい。
図である。ここに見ることができるように、放射源１１
と放射検出器１５は、入射ビーム１２と戻りビーム１４
がウエハＷと実質的に平行であるＸ−Ｙ平面に角度δだ
け傾いている位置で、ブラケット１６を通じて計測学フ
レームＭＦに取り付けられている。角度δは、同じ大き
さの入射光ビーム１２に対する反射器１３の水平および
垂直変位が結果的に放射検出器１５における戻り光ビ−
ム１４の同じ変位となるように、実質的に４５Ｅである
ことが好ましい。
【００２９】図３に示すように、放射源１１は、ＬＥＤ
またはレーザダイオード１１１、または計測学フレーム
ＭＦの上に取り付けられたコリメータ光学部品１１３に
光を導く単一モード光ファイバ１１２の中へ光を放射す
るための、同様な単色光源から形成される。この方法
で、光源１１１を計測学フレームＭＦから離れて置き、
これから断熱することができる。検出器ハウジングから
光源を離すことは、センサ／検出器に対するコリメート
されたビームの非常に高い点指示安定性をもたらす。
またはレーザダイオード１１１、または計測学フレーム
ＭＦの上に取り付けられたコリメータ光学部品１１３に
光を導く単一モード光ファイバ１１２の中へ光を放射す
るための、同様な単色光源から形成される。この方法
で、光源１１１を計測学フレームＭＦから離れて置き、
これから断熱することができる。検出器ハウジングから
光源を離すことは、センサ／検出器に対するコリメート
されたビームの非常に高い点指示安定性をもたらす。
【００３０】図４は、基板テーブルＷＴの中に挿入され
たコーナーキューブ反射器１３の１つの可能な配置を示
す。この場合、光源１１は開口１７を通じて入射ビーム
１２をコーナーキューブ反射器１３の中に向ける。入射
ビーム１２は基板テーブルＷＴの上部表面に直角であ
り、コーナーキューブ反射器１３の３つの表面１３ａ、
１３ｂ、１３ｃによって反射されるので、戻りビーム１
４は検出器１５への平行経路の上にある。この配置で
は、位置検出装置は基板テーブルＷＴの上部表面に平行
な方向の変位を検出する。
たコーナーキューブ反射器１３の１つの可能な配置を示
す。この場合、光源１１は開口１７を通じて入射ビーム
１２をコーナーキューブ反射器１３の中に向ける。入射
ビーム１２は基板テーブルＷＴの上部表面に直角であ
り、コーナーキューブ反射器１３の３つの表面１３ａ、
１３ｂ、１３ｃによって反射されるので、戻りビーム１
４は検出器１５への平行経路の上にある。この配置で
は、位置検出装置は基板テーブルＷＴの上部表面に平行
な方向の変位を検出する。
【００３１】キャッツアイと呼ばれる再帰反射器１３Ｎ
の一代替形式を図５に示す。これはコーナーキューブ再
帰反射器１３の代りに使用することができる。キャッツ
アイ１３Ｎは、レンズ１３１と、レンズ１３１の焦点距
離ｆに同じレンズ１３１のための距離に置かれたミラー
１３２を含む。従来、レンズ１３１は、選択的に銀引き
されてミラー１３２を形成する平面状の背部表面を有す
る単一の透明体１３３の切り取った前部表面の中に形成
されている。
の一代替形式を図５に示す。これはコーナーキューブ再
帰反射器１３の代りに使用することができる。キャッツ
アイ１３Ｎは、レンズ１３１と、レンズ１３１の焦点距
離ｆに同じレンズ１３１のための距離に置かれたミラー
１３２を含む。従来、レンズ１３１は、選択的に銀引き
されてミラー１３２を形成する平面状の背部表面を有す
る単一の透明体１３３の切り取った前部表面の中に形成
されている。
【００３２】位置感知システムを形成する本発明の３位
置検出システムは、ウエハテーブルＷＴの位置と向きに
依存する６つの信号を出す。このシステムは２つの様式
で使用することができる。すなわち、ゼロ探索システム
として、基板ホルダは、３つの検出器がすべて６自由度
すべてにおいてゼロ出力をもたらすまで移動される。位
置測定システムとして、センサ信号は、適切な電子また
はマイクロプロセッサベースの制御システム（図示せ
ず）によって、何らかのサーボ制御装置または他の制御
装置が必要とするような隔離された基準フレームに関す
る６自由度位置付け情報に変換される。これは、センサ
を同時にまたは順次にサンプリングすることによって行
うことができる。
置検出システムは、ウエハテーブルＷＴの位置と向きに
依存する６つの信号を出す。このシステムは２つの様式
で使用することができる。すなわち、ゼロ探索システム
として、基板ホルダは、３つの検出器がすべて６自由度
すべてにおいてゼロ出力をもたらすまで移動される。位
置測定システムとして、センサ信号は、適切な電子また
はマイクロプロセッサベースの制御システム（図示せ
ず）によって、何らかのサーボ制御装置または他の制御
装置が必要とするような隔離された基準フレームに関す
る６自由度位置付け情報に変換される。これは、センサ
を同時にまたは順次にサンプリングすることによって行
うことができる。
【００３３】理想的には、計測学（基準）フレーム上の
放射源／検出器ユニットおよびテーブル上の反射器の位
置は、ゼロ出力が６自由度のために同時に与えられる位
置にテーブルが移動できるようなところである。（しか
し、「ゼロ」位置はすべての検出器がゼロまたは中点値
出力を与える位置である必要はないことに注目すべきで
あり、３つの二次元検出器からの出力信号のどの反復可
能で独特の組合せもゼロ位置として定義することができ
る。）言い換えれば、検出装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ
すべての捕捉ゾーンは重なり合うべきである。しかしこ
れは、これを配置するために装置の他の構成部分を必要
とするために、必ずしも可能であるとは限らない。この
場合には、テーブルは装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの各
々の捕捉ゾーン間で移動することができ、増分検出器か
らの位置信号は、ゼロ基準位置を決定するために使用さ
れる基準検出装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによって示さ
れるように特定位置間のテーブルの移動を示す。
放射源／検出器ユニットおよびテーブル上の反射器の位
置は、ゼロ出力が６自由度のために同時に与えられる位
置にテーブルが移動できるようなところである。（しか
し、「ゼロ」位置はすべての検出器がゼロまたは中点値
出力を与える位置である必要はないことに注目すべきで
あり、３つの二次元検出器からの出力信号のどの反復可
能で独特の組合せもゼロ位置として定義することができ
る。）言い換えれば、検出装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ
すべての捕捉ゾーンは重なり合うべきである。しかしこ
れは、これを配置するために装置の他の構成部分を必要
とするために、必ずしも可能であるとは限らない。この
場合には、テーブルは装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの各
々の捕捉ゾーン間で移動することができ、増分検出器か
らの位置信号は、ゼロ基準位置を決定するために使用さ
れる基準検出装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによって示さ
れるように特定位置間のテーブルの移動を示す。
【００３４】参照工程は静的であっても動的であっても
よいことに留意すべきである。静的工程では、テーブル
は１つまたは複数の基準位置に移動され、静的に保持さ
れて必要な測定が行われる。様々なセンサのサンプリン
グ頻度が十分に高いことに依存する動的工程では、テー
ブルは単に１つまたは複数の基準位置を通るかまたはそ
の近くを移動し、システムの参照は絶対および増分参照
システムからの一致した測定値から計算することができ
る。テーブルが実際には１つまたは複数の基準位置を通
過しない場合、または測定システムのサンプルがその通
過と一致しない場合には、得られる測定値を必要に応じ
て外挿または内挿することができる。
よいことに留意すべきである。静的工程では、テーブル
は１つまたは複数の基準位置に移動され、静的に保持さ
れて必要な測定が行われる。様々なセンサのサンプリン
グ頻度が十分に高いことに依存する動的工程では、テー
ブルは単に１つまたは複数の基準位置を通るかまたはそ
の近くを移動し、システムの参照は絶対および増分参照
システムからの一致した測定値から計算することができ
る。テーブルが実際には１つまたは複数の基準位置を通
過しない場合、または測定システムのサンプルがその通
過と一致しない場合には、得られる測定値を必要に応じ
て外挿または内挿することができる。
【００３５】本発明を、リソグラフィ装置の基板（ウエ
ハ）テーブルの位置を検出するために使用される場合に
ついて図解した。本発明はリソグラフィ装置におけるマ
スク（レティクル）、または実際に他の可動物体の位置
を検出するために使用可能であることは容易に理解され
よう。
ハ）テーブルの位置を検出するために使用される場合に
ついて図解した。本発明はリソグラフィ装置におけるマ
スク（レティクル）、または実際に他の可動物体の位置
を検出するために使用可能であることは容易に理解され
よう。
【００３６】本発明の位置検出信号の重要な利点は、誘
導性、磁気、または容量性センサにおけるように、計測
学（基準）フレームとウエハテーブルとの間に残存力が
ないことである。これは、基準または計測学フレームが
最高安定度のために非常に低い固有周波数によって６自
由度で隔離されているので重要である。センサによって
フレームに伝達されることのある、偶力を伴うどのよう
な妨害力も、結果として安定するために非常に長い時間
がかかる振動になる。
導性、磁気、または容量性センサにおけるように、計測
学（基準）フレームとウエハテーブルとの間に残存力が
ないことである。これは、基準または計測学フレームが
最高安定度のために非常に低い固有周波数によって６自
由度で隔離されているので重要である。センサによって
フレームに伝達されることのある、偶力を伴うどのよう
な妨害力も、結果として安定するために非常に長い時間
がかかる振動になる。
【００３７】第２の利点はコリメートされた光の使用か
ら導かれる。これは、センサの感度が実質的に作業距離
とは独立しており、基準フレーム、センサモジュール、
および物体テーブルのレイアウトにおいて大きなフレキ
シビリティを可能にすることを意味する。
ら導かれる。これは、センサの感度が実質的に作業距離
とは独立しており、基準フレーム、センサモジュール、
および物体テーブルのレイアウトにおいて大きなフレキ
シビリティを可能にすることを意味する。
【００３８】本発明の特定の実施形態について上に説明
したが、本発明を説明したもの以外の方式でも実用化で
きることは認識されよう。特に本発明を使用して、リソ
グラフィ装置における基板（ウエハ）テーブルまたはマ
スク（レティクル）テーブルのいずれの位置も検出する
ために計測学システムをゼロ基準することもできる。さ
らに、複数の（基板またはマスク）テーブルおよび／ま
たは複数の作業ゾーン（例えば、露光測定ゾーンまたは
特徴化ゾーン）を備えたリソグラフィ装置では、複数の
システムが、各作業ゾーンの中または近くに設けた静的
部分（放射源および検出器）と各テーブルの上に設けた
反射器を備えることもできる。様々なセットの放射源お
よび検出器が、これらの作業域の中に位置付けることの
できるどのテーブルの上の反射器とも共に動作できる。
この説明は本発明を限定しようとするものではない。
したが、本発明を説明したもの以外の方式でも実用化で
きることは認識されよう。特に本発明を使用して、リソ
グラフィ装置における基板（ウエハ）テーブルまたはマ
スク（レティクル）テーブルのいずれの位置も検出する
ために計測学システムをゼロ基準することもできる。さ
らに、複数の（基板またはマスク）テーブルおよび／ま
たは複数の作業ゾーン（例えば、露光測定ゾーンまたは
特徴化ゾーン）を備えたリソグラフィ装置では、複数の
システムが、各作業ゾーンの中または近くに設けた静的
部分（放射源および検出器）と各テーブルの上に設けた
反射器を備えることもできる。様々なセットの放射源お
よび検出器が、これらの作業域の中に位置付けることの
できるどのテーブルの上の反射器とも共に動作できる。
この説明は本発明を限定しようとするものではない。
【図１】本発明の第１実施形態によるリソグラフィ投影
装置を示す図である。
装置を示す図である。
【図２】本発明による位置検出システムの平面図であ
る。
る。
【図３】図２の位置検出システムの部分断面図である。
【図４】本発明において使用可能な再帰反射器の断面図
である。
である。
【図５】本発明において使用可能な代替再帰反射器の断
面図である。
面図である。
【符号の説明】 Ｃ 目標部分 ＣＯ 集光レンズ Ｅｘ ビーム形成光学部品 ＩＦ 干渉計変位測定手段 ＩＬ 照射システム ＩＮ インテグレータ ＬＡ 放射系 ＭＡ マスク ＭＴ 第１物体テーブル、マスクテーブル ＰＢ ビーム ＰＬ 投影システム Ｗ 基板、ウエハ ＷＴ 第２物体テーブル、基板テーブル １０ 位置検出装置 １１ 放射源 １２ 入射ビーム １３ 再帰反射器 １４ 戻りビーム １５ 放射検出器 １６ ブラケット １７ 開口 １１１ レーザダイオード １１２ 光ファイバ １１３ コリメータ光学部品 １３１ レンズ １３２ ミラー １３３ 透明体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドレアス ベルナルドウス ゲラルド ウス、アリエンス オランダ国 ウトレヒト、フローレンス ナイチンゲールラーン 19 (72)発明者 マルチヌス ヘンドリクス ヘンドリク ス、ホエクス オランダ国 ブルーゲル、エフェルトゼン ラーン 15 (72)発明者 パトリック デビッド、フォーゲルサンク オランダ国 フェルトホーフェン、デ ク ロッケンマカー 19 (72)発明者 エリク ロエロフ、ロープストラ オランダ国 ヘーツェ、アトラス ７ (72)発明者 イイムブン パトリック、クワン オランダ国 エイントホーフェン、セント ニカシウスシュトラート 29ビー
Claims (14)
- 【請求項１】 放射の投影ビームを供給するための照射
システムと、 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するこ
とができるパターン化手段を保持するための第１物体テ
ーブルと、 基板を保持するための第２物体テーブルと、 基板の目標部分の上にパターン化されたビームを結像す
るための投影システムと、 基準フレームとを含むリソグラフィ投影装置において、 前記基準フレームの上に取り付けられた放射源と、 前記基準フレームの１つの固定位置に取り付けられた二
次元放射検出器と、 前記放射源によって前記放射検出器に向かって放射され
た放射を反射するように、前記基準フレームに対して移
動可能な前記物体テーブルの１つに取り付けられた鏡映
デバイスとを含む位置検出デバイスを特徴とするリソグ
ラフィ投影装置。 - 【請求項２】 前記放射源がコリメートされた放射源で
ある請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記放射源が単色放射源である請求項１
または請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記鏡映デバイスが再帰反射器である請
求項１、請求項２、または請求項３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記放射源が、基準フレームから離れて
取付け可能である光源と、前記基準フレームの上に取付
け可能なビーム指向光学部品と、前記光源を前記ビーム
指向光学部品に結合するための光ファイバを含む前記請
求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項６】 前記放射源が光源としてレーザダイオー
ドまたはＬＥＤを含む前記請求項のいずれか一項に記載
の装置。 - 【請求項７】 前記二次元位置検出器が、二次元ＰＳ
Ｄ、またはＣＣＤカメラ、または四象限光検出器である
前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項８】 前記再帰反射器が、前記放射に対して透
過性であって１つのコーナで接触する互いに直角な３つ
の表面を有するテーブル形形状物を有し、前記３つの表
面は反射コーティングを備えている前記請求項のいずれ
か一項に記載の装置。 - 【請求項９】 前記再帰反射器が収束レンズと反射表面
を含み、前記反射表面が前記レンズから前記レンズの焦
点距離と同じだけ離間している請求項１から請求項７ま
でのいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１０】 本明細書で定義する３つの位置検出デ
バイスを含む前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記位置検出デバイスの検出範囲より
広い検出範囲で前記可動物体テーブルの位置を検出する
ための増分位置感知デバイスと、前記検出範囲で前記物
体テーブルの絶対位置を決定するために前記増分位置感
知デバイスと前記位置検出器からの出力信号を組み合わ
せるための手段とをさらに含む前記請求項のいずれか一
項に記載の装置。 - 【請求項１２】 放射の投影ビームを供給するための照
射システムと、 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するこ
とができるパターン化手段を保持するための第１物体テ
ーブルと、 基板を保持するための第２物体テーブルと、 基準フレームと、 基板の目標部分の上にパターン化されたビームを結像す
るための投影システムとを含むリソグラフィ投影装置を
使用する装置を製造するための方法において、 放射感受層を備えた基板を前記第２物体テーブルに準備
するステップと、 照射システムを使用して放射の投影ビームを準備するス
テップと、 前記パターン化手段を使用して、投影ビームの断面にパ
ターンを付与するステップと、 パターン化されたビームを前記基板の前記目標部分に投
影するステップとを含む方法であって、 前記投影ステップ前または前記投影ステップ中に、前記
基準フレームに対して移動可能な前記物体テーブルの１
つが、前記基準フレーム上に取り付けられた放射源から
前記１つの物体テーブル上に取り付けられた鏡映デバイ
スに向かって放射を放射するステップ、前記鏡映デバイ
スによって放射を反射するステップ、および前記基準フ
レーム上のある固定位置に取り付けられた二次元放射検
出器において反射した放射を検出するステップによっ
て、基準位置にあると判定されることを特徴とする方
法。 - 【請求項１３】 前記リソグラフィ投影装置が、前記１
つの物体テーブルの位置を感知するための増分位置感知
システムをさらに含み、前記一つの物体テーブルが前記
基準位置にあると決定された後に、前記増分位置感知シ
ステムを使用して前記基準位置に対する前記物体テーブ
ルの移動を測定することによって前記物体テーブルの絶
対位置を決定するステップをさらに含む請求項１２に記
載の方法。 - 【請求項１４】 基準フレームの上に取り付けられた放
射源と、 前記基準フレーム上の固定された位置に取り付けられた
二次元放射検出器と、 前記放射検出器に向って前記放射源によって放射される
放射を反射するように、前記基準フレームに対して移動
可能である物体に取り付けられた鏡映デバイスとを含む
位置検出デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99310407.4 | 1999-12-22 | ||
| EP99310407 | 1999-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217190A true JP2001217190A (ja) | 2001-08-10 |
| JP3880312B2 JP3880312B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=8241829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000386381A Expired - Fee Related JP3880312B2 (ja) | 1999-12-22 | 2000-12-20 | リソグラフィ装置において使用するための位置検出システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6894261B2 (ja) |
| JP (1) | JP3880312B2 (ja) |
| KR (1) | KR100585464B1 (ja) |
| DE (1) | DE60033775T2 (ja) |
| TW (1) | TWI231405B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007318119A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 変位測定システム、リソグラフィ装置、変位測定方法およびデバイス製造方法 |
| CN100405222C (zh) * | 2005-02-23 | 2008-07-23 | 上海微电子装备有限公司 | 七自由度定位机构 |
| JP2009170908A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Asml Netherlands Bv | ゼロレベルを規定するように構成されたエンコーダを有するリソグラフィ装置 |
| KR20150040753A (ko) * | 2013-10-07 | 2015-04-15 | 덕터 요한네스 하이덴하인 게엠베하 | 워크피스에 대하여 도구의 위치를 결정하는 장치 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7729030B2 (en) * | 2002-10-21 | 2010-06-01 | Hrl Laboratories, Llc | Optical retro-reflective apparatus with modulation capability |
| SG147288A1 (en) * | 2003-04-29 | 2008-11-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method and angular encoder |
| DE10327268B4 (de) * | 2003-06-17 | 2010-12-23 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Erkennung der Position und des Formats einer Filmkassette |
| JP4335084B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2009-09-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 測定装置を有するリトグラフ投影装置 |
| US7061579B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7352472B2 (en) * | 2004-02-18 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method for determining z-displacement |
| US7315032B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a device manufacturing method |
| TWI252301B (en) * | 2004-07-30 | 2006-04-01 | Delta Electronics Inc | Deposition system and film thickness monitoring device thereof |
| US7382857B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-06-03 | Carl Zeiss Ag | X-ray catheter assembly |
| US7437911B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-10-21 | Asml Holding N.V. | Method and system for operating an air gauge at programmable or constant standoff |
| US7224431B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7505152B2 (en) * | 2005-02-24 | 2009-03-17 | The Boeing Company | Optical metrology system |
| US7394073B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-07-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for ion beam angle measurement in two dimensions |
| US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102005062038A1 (de) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Projektionssystem mit einer Positionsbestimmungseinrichtung |
| US7602489B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4409552B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2010-02-03 | 住友重機械工業株式会社 | ロール自動供給装置 |
| US8174671B2 (en) * | 2007-06-21 | 2012-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure |
| US7804579B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product |
| US7837907B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-11-23 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process |
| US7847938B2 (en) * | 2007-10-01 | 2010-12-07 | Maskless Lithography, Inc. | Alignment system for optical lithography |
| US8482732B2 (en) * | 2007-10-01 | 2013-07-09 | Maskless Lithography, Inc. | Alignment system for various materials and material flows |
| CN102519369A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-06-27 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 测量反射式望远镜次镜六自由度对准误差的装置及方法 |
| CN104197850A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-12-10 | 东莞市乐琪光电科技有限公司 | 一种基于机器视觉的元件管脚检测方法及其装置 |
| US9857161B2 (en) * | 2014-09-03 | 2018-01-02 | Beijing Jiaotong University | 6DOF error laser simultaneous measurement system with a single polarization maintaining fiber coupling and transmitting the dual-frequency laser |
| JP6376407B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-08-22 | 三菱重工業株式会社 | 電磁パルス照射方法及び電磁パルス照射システム |
| JP6376408B2 (ja) | 2015-06-30 | 2018-08-22 | 三菱重工業株式会社 | 電磁パルス防護方法及び電磁パルス防護システム |
| DE102020124704B4 (de) * | 2020-09-22 | 2022-06-23 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung einer räumlichen Position eines Körpers |
| CN114877809B (zh) * | 2022-05-27 | 2023-10-20 | 中北大学 | 一种基于二维复合平面大量程光栅结构的位移测量系统 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4686531A (en) | 1983-10-28 | 1987-08-11 | Control Data Corporation | Capacitance height gage applied in reticle position detection system for electron beam lithography apparatus |
| US4538069A (en) | 1983-10-28 | 1985-08-27 | Control Data Corporation | Capacitance height gage applied in reticle position detection system for electron beam lithography apparatus |
| GB8420096D0 (en) | 1984-08-07 | 1984-09-12 | Putra Siregar N I | Measurement of errors |
| US4676649A (en) | 1985-11-27 | 1987-06-30 | Compact Spindle Bearing Corp. | Multi-axis gas bearing stage assembly |
| NL8600639A (nl) * | 1986-03-12 | 1987-10-01 | Asm Lithography Bv | Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
| JP2606285B2 (ja) * | 1988-06-07 | 1997-04-30 | 株式会社ニコン | 露光装置および位置合わせ方法 |
| NL8900991A (nl) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| NL9001611A (nl) * | 1990-07-16 | 1992-02-17 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| NL9100215A (nl) * | 1991-02-07 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| JP3306972B2 (ja) | 1993-02-26 | 2002-07-24 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| KR0156800B1 (ko) | 1995-02-10 | 1998-12-15 | 이대원 | 레이저 다이오드를 이용한 자동 초점 조절 장치 |
| US5552608A (en) * | 1995-06-26 | 1996-09-03 | Philips Electronics North America Corporation | Closed cycle gas cryogenically cooled radiation detector |
| US5907392A (en) * | 1995-07-20 | 1999-05-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP3689949B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2005-08-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法 |
| US5995222A (en) * | 1995-12-28 | 1999-11-30 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Subject positioning device for optical interferometer |
| EP0823977B1 (en) * | 1996-03-04 | 2002-01-16 | ASM Lithography B.V. | Lithopraphic apparatus for step-and-scan imaging of a mask pattern |
| EP0824722B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-07-25 | Asm Lithography B.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
| JPH1050604A (ja) * | 1996-04-04 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 位置管理方法及び位置合わせ方法 |
| KR100521704B1 (ko) * | 1997-09-19 | 2005-10-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치, 주사형 노광장치 및 방법, 그리고 이것으로제조된 디바이스 |
| US6020964A (en) * | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
| JP3587343B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2004-11-10 | キヤノン株式会社 | 面位置検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| TW367407B (en) * | 1997-12-22 | 1999-08-21 | Asml Netherlands Bv | Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system |
| US6160622A (en) * | 1997-12-29 | 2000-12-12 | Asm Lithography, B.V. | Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device |
| US6144025A (en) * | 1999-01-13 | 2000-11-07 | Santec Corporation | Laser light source apparatus |
-
2000
- 2000-12-12 TW TW089126466A patent/TWI231405B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-20 US US09/739,622 patent/US6894261B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-20 JP JP2000386381A patent/JP3880312B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-20 KR KR1020000079267A patent/KR100585464B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-20 DE DE60033775T patent/DE60033775T2/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-14 US US10/845,231 patent/US6875992B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100405222C (zh) * | 2005-02-23 | 2008-07-23 | 上海微电子装备有限公司 | 七自由度定位机构 |
| JP2007318119A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | 変位測定システム、リソグラフィ装置、変位測定方法およびデバイス製造方法 |
| JP4660503B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2011-03-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| JP2009170908A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Asml Netherlands Bv | ゼロレベルを規定するように構成されたエンコーダを有するリソグラフィ装置 |
| KR20150040753A (ko) * | 2013-10-07 | 2015-04-15 | 덕터 요한네스 하이덴하인 게엠베하 | 워크피스에 대하여 도구의 위치를 결정하는 장치 |
| JP2015075487A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＤｒ． Ｊｏｈａｎｎｅｓ Ｈｅｉｄｅｎｈａｉｎ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｍｉｔｂｅｓｃｈｒａｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 加工部品に対して工具を位置決めするための装置 |
| KR102221482B1 (ko) | 2013-10-07 | 2021-03-03 | 덕터 요한네스 하이덴하인 게엠베하 | 워크피스에 대하여 도구의 위치를 결정하는 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010011712A1 (en) | 2001-08-09 |
| US6894261B2 (en) | 2005-05-17 |
| KR100585464B1 (ko) | 2006-06-02 |
| TWI231405B (en) | 2005-04-21 |
| DE60033775D1 (de) | 2007-04-19 |
| US6875992B2 (en) | 2005-04-05 |
| DE60033775T2 (de) | 2007-11-29 |
| JP3880312B2 (ja) | 2007-02-14 |
| KR20010062560A (ko) | 2001-07-07 |
| US20040211921A1 (en) | 2004-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3880312B2 (ja) | リソグラフィ装置において使用するための位置検出システム | |
| US8736815B2 (en) | Position sensor and lithographic apparatus | |
| US6485153B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
| KR100535206B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
| KR100697298B1 (ko) | 정렬 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법,및 정렬 툴 | |
| KR101185462B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| US7804584B2 (en) | Integrated circuit manufacturing methods with patterning device position determination | |
| US20050275841A1 (en) | Alignment marker and lithographic apparatus and device manufacturing method using the same | |
| US6730920B2 (en) | Abbe arm calibration system for use in lithographic apparatus | |
| JP4216820B2 (ja) | リソグラフ装置 | |
| EP1111472B1 (en) | Lithographic apparatus with a position detection system | |
| EP3317725B1 (en) | Position measurement system and lithographic apparatus | |
| JP4099122B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイスの製造方法 | |
| JP2007013166A (ja) | レチクル予備位置合わせセンサ用一体照明システムがあるエンドエフェクタ | |
| JP5784576B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
| JP2004343058A (ja) | 計測ビームの操作および方向付けするための装置および方法 | |
| JP2001267196A (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、露光装置、及び露光方法 | |
| US7280228B2 (en) | System and method of measurement, system and method of alignment, lithographic apparatus and method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20030424 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060621 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061024 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061107 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061010 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |