JP2001210874A - 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードチップおよび発光ダイオードInfo
- Publication number
- JP2001210874A JP2001210874A JP2000019354A JP2000019354A JP2001210874A JP 2001210874 A JP2001210874 A JP 2001210874A JP 2000019354 A JP2000019354 A JP 2000019354A JP 2000019354 A JP2000019354 A JP 2000019354A JP 2001210874 A JP2001210874 A JP 2001210874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- emission wavelength
- emitting diode
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオードにおいて、少量の蛍光体で効
率良く発光波長変換を行って、色調表現のバリエーショ
ンを増加させる。 【解決手段】 ＬＥＤチップのサブストレート基板５の
下面に、蛍光体を均一に分散させた蛍光体層６を予め設
けておく。そして、リードフレーム９へのダイボンドや
ワイヤーボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体
７を塗布することで、ＬＥＤチップの発光層３を完全に
包み込む。さらに、ＬＥＤチップ表面に塗布する蛍光体
７の種類を、基板の下面に設けた蛍光体層６とは発光波
長が異なるものにして、ＬＥＤ自体の発光波長と、下部
蛍光体層で変換された発光波長と、上部蛍光体塗布層で
変換された発光波長の３種類の波長を得る。
率良く発光波長変換を行って、色調表現のバリエーショ
ンを増加させる。 【解決手段】 ＬＥＤチップのサブストレート基板５の
下面に、蛍光体を均一に分散させた蛍光体層６を予め設
けておく。そして、リードフレーム９へのダイボンドや
ワイヤーボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体
７を塗布することで、ＬＥＤチップの発光層３を完全に
包み込む。さらに、ＬＥＤチップ表面に塗布する蛍光体
７の種類を、基板の下面に設けた蛍光体層６とは発光波
長が異なるものにして、ＬＥＤ自体の発光波長と、下部
蛍光体層で変換された発光波長と、上部蛍光体塗布層で
変換された発光波長の３種類の波長を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光波長変換のた
めに蛍光体と組み合わせた発光ダイオード（ＬＥＤ）チ
ップおよび発光ダイオードに関する。
めに蛍光体と組み合わせた発光ダイオード（ＬＥＤ）チ
ップおよび発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】４３０ｎｍ以下の短い波長で発光するＬ
ＥＤが開発されてから、そのＬＥＤチップの表面に蛍光
体を塗布することによって発光波長の変換を図り、白色
の発光を可能としたＬＥＤランプが開発されている。
ＥＤが開発されてから、そのＬＥＤチップの表面に蛍光
体を塗布することによって発光波長の変換を図り、白色
の発光を可能としたＬＥＤランプが開発されている。
【０００３】しかしながら、この蛍光体は、その比重が
大きく、エポキシ樹脂等の樹脂と蛍光体を混合してＬＥ
Ｄチップの表面に塗布した場合に、蛍光体のみが沈降し
てしまうため、多量の塗布を行う必要がある。
大きく、エポキシ樹脂等の樹脂と蛍光体を混合してＬＥ
Ｄチップの表面に塗布した場合に、蛍光体のみが沈降し
てしまうため、多量の塗布を行う必要がある。
【０００４】さらに、ＬＥＤチップの表面に塗布された
蛍光体による波長変換によって得られる２次発光波長は
１種類のみであり、その２次発光波長と、励起前のＬＥ
Ｄチップの発光波長との組み合わせ比率で表現できる色
調のみを発光可能であった。
蛍光体による波長変換によって得られる２次発光波長は
１種類のみであり、その２次発光波長と、励起前のＬＥ
Ｄチップの発光波長との組み合わせ比率で表現できる色
調のみを発光可能であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術で
は、非常に高価な蛍光体を多量に使用する必要があり、
製品コストが高くなるという問題があった。
は、非常に高価な蛍光体を多量に使用する必要があり、
製品コストが高くなるという問題があった。
【０００６】また、蛍光体の塗布量のバラツキによっ
て、変換された波長のバランスが変わるため、発光する
色調にバラツキが生じて、製造の歩留りが低下するとい
う問題もあった。
て、変換された波長のバランスが変わるため、発光する
色調にバラツキが生じて、製造の歩留りが低下するとい
う問題もあった。
【０００７】さらに、色座標で表される色調表現につい
ては、ＬＥＤ自体の発光波長と、その発光波長を蛍光体
で励起して波長変換した発光波長とを結ぶ線上以外の色
調表現が不可能であった。
ては、ＬＥＤ自体の発光波長と、その発光波長を蛍光体
で励起して波長変換した発光波長とを結ぶ線上以外の色
調表現が不可能であった。
【０００８】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、少量の蛍光体で効率良
く発光波長変換を行うことが可能であり、製造の歩留り
を向上させることができ、さらに、色調表現のバリエー
ションを増加させることができる発光ダイオードチップ
および発光ダイオードを提供することを目的とする。
するためになされたものであり、少量の蛍光体で効率良
く発光波長変換を行うことが可能であり、製造の歩留り
を向上させることができ、さらに、色調表現のバリエー
ションを増加させることができる発光ダイオードチップ
および発光ダイオードを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
チップは、基板上に半導体積層構造が形成された発光ダ
イオードチップにおいて、該基板の該半導体積層構造と
は反対側の面に、発光波長を変換させるための蛍光体層
が１層または２層以上形成され、そのことにより上記目
的が達成される。
チップは、基板上に半導体積層構造が形成された発光ダ
イオードチップにおいて、該基板の該半導体積層構造と
は反対側の面に、発光波長を変換させるための蛍光体層
が１層または２層以上形成され、そのことにより上記目
的が達成される。
【００１０】本発明の発光ダイオードは、本発明の発光
ダイオードチップがダイボンドおよびワイヤーボンドさ
れ、さらに、該発光ダイオードチップ表面に蛍光体が１
種類または２種類以上塗布されてなり、そのことにより
上記目的が達成される。
ダイオードチップがダイボンドおよびワイヤーボンドさ
れ、さらに、該発光ダイオードチップ表面に蛍光体が１
種類または２種類以上塗布されてなり、そのことにより
上記目的が達成される。
【００１１】前記発光ダイオードチップ表面に塗布され
ている蛍光体は、前記基板の前記半導体積層構造とは反
対側の面に設けられている蛍光体層とは異なる発光波長
に変換させるものであってもよい。
ている蛍光体は、前記基板の前記半導体積層構造とは反
対側の面に設けられている蛍光体層とは異なる発光波長
に変換させるものであってもよい。
【００１２】以下、本発明の作用について説明する。
【００１３】本発明にあっては、ＬＥＤチップのサブス
トレート基板の下面（半導体積層構造とは反対側の面）
に、蛍光体層を設けることによって、ＬＥＤからの発光
波長を変換させることができる。この蛍光体層は、エポ
キシ樹脂等に蛍光体を混ぜたものを基板の下面に均一に
塗布したり、またはエポキシ樹脂やガラス等の固体中に
蛍光体を分散させたものを基板の下面に貼り付けること
等により形成することができる。よって、従来のよう
に、塗布量のバラツキが生じたり、蛍光体が樹脂に沈降
して多量の蛍光体を必要とするという問題は生じない。
トレート基板の下面（半導体積層構造とは反対側の面）
に、蛍光体層を設けることによって、ＬＥＤからの発光
波長を変換させることができる。この蛍光体層は、エポ
キシ樹脂等に蛍光体を混ぜたものを基板の下面に均一に
塗布したり、またはエポキシ樹脂やガラス等の固体中に
蛍光体を分散させたものを基板の下面に貼り付けること
等により形成することができる。よって、従来のよう
に、塗布量のバラツキが生じたり、蛍光体が樹脂に沈降
して多量の蛍光体を必要とするという問題は生じない。
【００１４】また、本発明のＬＥＤチップをリードフレ
ームや導電性基板にダイボンドしてワイヤーボンドを行
った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布することによ
り、この蛍光体塗布層と基板下面に設けた蛍光体層と
で、ＬＥＤチップの発光層を完全に包み込むことが可能
となる。上部は樹脂に混ぜた蛍光体を塗布し、下部は蛍
光体を分散した樹脂を塗布したり、樹脂蛍光体を分散し
た固体を貼り付けること等により、必要な蛍光体の量を
減らすことができ、少量の蛍光体で効率の良い波長変換
が可能である。よって、従来技術のように、高価な蛍光
体を多量に使用する必要がなく、製品コストが高くなる
という問題が生じない。
ームや導電性基板にダイボンドしてワイヤーボンドを行
った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布することによ
り、この蛍光体塗布層と基板下面に設けた蛍光体層と
で、ＬＥＤチップの発光層を完全に包み込むことが可能
となる。上部は樹脂に混ぜた蛍光体を塗布し、下部は蛍
光体を分散した樹脂を塗布したり、樹脂蛍光体を分散し
た固体を貼り付けること等により、必要な蛍光体の量を
減らすことができ、少量の蛍光体で効率の良い波長変換
が可能である。よって、従来技術のように、高価な蛍光
体を多量に使用する必要がなく、製品コストが高くなる
という問題が生じない。
【００１５】さらに、ＬＥＤチップ表面に塗布する蛍光
体の種類を、基板の下面に設けた蛍光体層と発光波長が
異なるものにすることにより、ＬＥＤ自体の発光波長
と、下部蛍光体層で励起されて変換された発光波長と、
上部蛍光体塗布層で励起されて変換された発光波長の３
種類の波長を発光可能である。よって、従来よりも表現
可能な色調のバリエーションが一気に増加する。
体の種類を、基板の下面に設けた蛍光体層と発光波長が
異なるものにすることにより、ＬＥＤ自体の発光波長
と、下部蛍光体層で励起されて変換された発光波長と、
上部蛍光体塗布層で励起されて変換された発光波長の３
種類の波長を発光可能である。よって、従来よりも表現
可能な色調のバリエーションが一気に増加する。
【００１６】基板下面に発光波長が異なる蛍光体層を２
層以上設けたり、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を２種類以
上塗布することにより、さらに色調表現のバリエーショ
ンを増やすことができる。
層以上設けたり、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を２種類以
上塗布することにより、さらに色調表現のバリエーショ
ンを増やすことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施形態におけるＬＥＤ
チップの概略構成を示す断面図である。このＬＥＤチッ
プは、サファイア基板５上に、Ｎ−ＧａＮ層４、発光層
３およびＰ−ＧａＮ層２からなる半導体積層構造が積層
されている。発光層３およびＰ−ＧａＮ層２はその下の
Ｎ−ＧａＮ層４が露出するようにその一部が除去され、
そのＮ−ＧａＮ層４の露出部上およびＰ−ＧａＮ層２上
に電極１が形成されている。
チップの概略構成を示す断面図である。このＬＥＤチッ
プは、サファイア基板５上に、Ｎ−ＧａＮ層４、発光層
３およびＰ−ＧａＮ層２からなる半導体積層構造が積層
されている。発光層３およびＰ−ＧａＮ層２はその下の
Ｎ−ＧａＮ層４が露出するようにその一部が除去され、
そのＮ−ＧａＮ層４の露出部上およびＰ−ＧａＮ層２上
に電極１が形成されている。
【００１９】さらに、サファイア基板５の下面には、Ｌ
ＥＤ自体からの発光波長（青色（例えば４３０ｎｍ）以
下（青色以下の発光波長）を波長変換するために下部蛍
光体層６が設けられている。
ＥＤ自体からの発光波長（青色（例えば４３０ｎｍ）以
下（青色以下の発光波長）を波長変換するために下部蛍
光体層６が設けられている。
【００２０】例えば、ウェハーのダイシング前に、樹脂
中に蛍光体を均一に分散させたものに蛍光体を混ぜたも
のをサファイア基板５の下面に均一に塗布し、１チップ
ずつ分割することにより、下部蛍光体層６を形成するこ
とができる。または、ウェハーのダイシング前に、樹脂
やガラス等の固体中に蛍光体を分散させたものをサファ
イア基板５の下面に貼り付け、１チップずつ分割するこ
とによっても、下部蛍光体層６を形成することができ
る。
中に蛍光体を均一に分散させたものに蛍光体を混ぜたも
のをサファイア基板５の下面に均一に塗布し、１チップ
ずつ分割することにより、下部蛍光体層６を形成するこ
とができる。または、ウェハーのダイシング前に、樹脂
やガラス等の固体中に蛍光体を分散させたものをサファ
イア基板５の下面に貼り付け、１チップずつ分割するこ
とによっても、下部蛍光体層６を形成することができ
る。
【００２１】この樹脂としては、エポキシ樹脂やガラス
等を用いることができ、蛍光体としてはＣｅ（Ｙ3Ａｌ5
Ｏ12：Ｃｅ3+）、ＣａＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+、ＳｒＣａ
2Ｓ4：Ｃｅ3+、Ｍ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+（但し、Ｍはカルシ
ウム、ストロンチウムおよびバリウムのうちの少なくと
も１つ以上の金属元素）、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+等を用い
ることができる。
等を用いることができ、蛍光体としてはＣｅ（Ｙ3Ａｌ5
Ｏ12：Ｃｅ3+）、ＣａＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+、ＳｒＣａ
2Ｓ4：Ｃｅ3+、Ｍ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+（但し、Ｍはカルシ
ウム、ストロンチウムおよびバリウムのうちの少なくと
も１つ以上の金属元素）、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+等を用い
ることができる。
【００２２】このＬＥＤチップを、図２に示すように、
ダイボンド用接着剤１０を用いてリードフレーム９にダ
イボンドする。そして、ＬＥＤチップ表面に存在する金
属性の電極１のうち、アノード側およびカソード側の一
方を、金またはアルミニウム等の細線８を用いて、ダイ
ボンドされているフレームの端部にワイヤー接続し、他
方の電極をダイボンドされているフレームとは離れた位
置にある対極のフレームにワイヤー接続する。以上によ
りダイボンドおよびワイヤーボンド工程が完了する。
ダイボンド用接着剤１０を用いてリードフレーム９にダ
イボンドする。そして、ＬＥＤチップ表面に存在する金
属性の電極１のうち、アノード側およびカソード側の一
方を、金またはアルミニウム等の細線８を用いて、ダイ
ボンドされているフレームの端部にワイヤー接続し、他
方の電極をダイボンドされているフレームとは離れた位
置にある対極のフレームにワイヤー接続する。以上によ
りダイボンドおよびワイヤーボンド工程が完了する。
【００２３】このようにワイヤーボンドを完了したリー
ドフレームは、通常、透明または着色したエポキシ樹脂
で任意の形状にモールドされる。
ドフレームは、通常、透明または着色したエポキシ樹脂
で任意の形状にモールドされる。
【００２４】本実施形態では、ワイヤーボンド後に、Ｌ
ＥＤチップ表面に下部蛍光体層６とは異なる発光波長の
蛍光体を混ぜた樹脂を塗布して、図２に示すような上部
蛍光体塗布層７を形成する。この蛍光体としてはＣｅ
（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）、ＣａＧａＳ4：Ｃｅ、Ｃａ
Ｇａ2Ｓ4：Ｃｅ3+等を用いることができる。その後、さ
らに樹脂で任意の形状にモールドする。
ＥＤチップ表面に下部蛍光体層６とは異なる発光波長の
蛍光体を混ぜた樹脂を塗布して、図２に示すような上部
蛍光体塗布層７を形成する。この蛍光体としてはＣｅ
（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）、ＣａＧａＳ4：Ｃｅ、Ｃａ
Ｇａ2Ｓ4：Ｃｅ3+等を用いることができる。その後、さ
らに樹脂で任意の形状にモールドする。
【００２５】このようにして得られる本実施形態のＬＥ
Ｄの発光波長分布を図３に示す。この図に示すように、
本実施形態のＬＥＤからは、ＬＥＤチップ自体からの発
光波長と、ＬＥＤチップ自体からの発光を下部蛍光体層
で励起して得られる発光波長と、ＬＥＤチップ自体から
の発光を上部蛍光体塗布層で励起して得られる発光波長
との３種類の波長の光が得られる。そして、各々の波長
光のピーク出力の高さをコントロールすることによっ
て、任意の色調を表現することができる。上記ＬＥＤチ
ップ自体からの発光波長は電流によりコントロールし、
ＬＥＤチップ自体からの発光を下部蛍光体層で励起して
得られる発光波長およびＬＥＤチップ自体からの発光を
上部蛍光体塗布層で励起して得られる発光波長は蛍光体
濃度でコントロールすることができる。
Ｄの発光波長分布を図３に示す。この図に示すように、
本実施形態のＬＥＤからは、ＬＥＤチップ自体からの発
光波長と、ＬＥＤチップ自体からの発光を下部蛍光体層
で励起して得られる発光波長と、ＬＥＤチップ自体から
の発光を上部蛍光体塗布層で励起して得られる発光波長
との３種類の波長の光が得られる。そして、各々の波長
光のピーク出力の高さをコントロールすることによっ
て、任意の色調を表現することができる。上記ＬＥＤチ
ップ自体からの発光波長は電流によりコントロールし、
ＬＥＤチップ自体からの発光を下部蛍光体層で励起して
得られる発光波長およびＬＥＤチップ自体からの発光を
上部蛍光体塗布層で励起して得られる発光波長は蛍光体
濃度でコントロールすることができる。
【００２６】なお、図３においては、下部蛍光体層の発
光波長よりも上部蛍光体塗布層の発光波長を大きくして
あるが、逆であってもよい。また、下部蛍光体層として
異なる発光波長を有する２層以上の蛍光体層を形成して
もよく、上部蛍光体塗布層として異なる発光波長を有す
る２種類以上の蛍光体を塗布してもよい。
光波長よりも上部蛍光体塗布層の発光波長を大きくして
あるが、逆であってもよい。また、下部蛍光体層として
異なる発光波長を有する２層以上の蛍光体層を形成して
もよく、上部蛍光体塗布層として異なる発光波長を有す
る２種類以上の蛍光体を塗布してもよい。
【００２７】さらに、本発明は、ＧａＮからなるＬＥＤ
チップに限られず、他の材料系を用いたＬＥＤチップに
適用することも可能であり、例えばＺｎＳｅ系材料が挙
げられる。
チップに限られず、他の材料系を用いたＬＥＤチップに
適用することも可能であり、例えばＺｎＳｅ系材料が挙
げられる。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ＬＥＤチップのサブストレート基板の下面に、蛍光体を
均一に分散させた蛍光体層を予め設けておき、さらに、
リードフレームや導電性基板へのダイボンドやワイヤー
ボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布す
ることで、ＬＥＤチップの発光層を完全に包み込むこと
が可能となる。よって、少量の蛍光体によって効率良く
波長変換を行うことができ、製造コストを下げることが
できる。
ＬＥＤチップのサブストレート基板の下面に、蛍光体を
均一に分散させた蛍光体層を予め設けておき、さらに、
リードフレームや導電性基板へのダイボンドやワイヤー
ボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布す
ることで、ＬＥＤチップの発光層を完全に包み込むこと
が可能となる。よって、少量の蛍光体によって効率良く
波長変換を行うことができ、製造コストを下げることが
できる。
【００２９】また、基板の下面に設けた蛍光体層とし
て、固体に蛍光体を分散させたものを用いることによ
り、その固体中の濃度を変化させたり、固体の厚みを変
化させることで蛍光体量をコントロールしてバラツキを
防ぐことができる。
て、固体に蛍光体を分散させたものを用いることによ
り、その固体中の濃度を変化させたり、固体の厚みを変
化させることで蛍光体量をコントロールしてバラツキを
防ぐことができる。
【００３０】さらに、ＬＥＤチップ表面に塗布する蛍光
体の種類を、基板の下面に設けた蛍光体層とは発光波長
が異なるものにすることにより、ＬＥＤ自体の発光波長
と、下部蛍光体層で励起されて変換された発光波長と、
上部蛍光体塗布層で励起されて変換された発光波長の３
種類の波長を発光可能な発光ダイオードが得られる。よ
って、従来よりも表現可能な色調のバリエーションを大
幅に増加させることができる。
体の種類を、基板の下面に設けた蛍光体層とは発光波長
が異なるものにすることにより、ＬＥＤ自体の発光波長
と、下部蛍光体層で励起されて変換された発光波長と、
上部蛍光体塗布層で励起されて変換された発光波長の３
種類の波長を発光可能な発光ダイオードが得られる。よ
って、従来よりも表現可能な色調のバリエーションを大
幅に増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態であるＬＥＤチップの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態であるＬＥＤの構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の一実施形態であるＬＥＤにおける発光
波長分布を示すグラフである。
波長分布を示すグラフである。
１ ＬＥＤチップの電極 ２ Ｐ−ＧａＮ層 ３ 発光層 ４ Ｎ−ＧａＮ層 ５ サファイア基板 ６ 下部蛍光体層 ７ 上部蛍光体塗布層 ８ 金線またはアルミニウム等からなる細線 ９ リードフレーム １０ ダイボンド用接着材
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に半導体積層構造が形成された発
光ダイオードチップにおいて、 該基板の該半導体積層構造とは反対側の面に、発光波長
を変換させるための蛍光体層が１層または２層以上形成
されている発光ダイオードチップ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発光ダイオードチップ
がダイボンドおよびワイヤーボンドされ、さらに、該発
光ダイオードチップ表面に蛍光体が１種類または２種類
以上塗布されてなる発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記発光ダイオードチップ表面に塗布さ
れている蛍光体は、前記基板の前記半導体積層構造とは
反対側の面に設けられている蛍光体層とは異なる発光波
長に変換させるものである請求項２に記載の発光ダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019354A JP3748355B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019354A JP3748355B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210874A true JP2001210874A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3748355B2 JP3748355B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=18546064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019354A Expired - Fee Related JP3748355B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3748355B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243715A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 白色光源及びそれを用いた画像表示装置 |
| WO2005088738A1 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Showa Denko K.K. | Group iii nitride semiconductor light-emitting device, forming method thereof, lamp and light source using same |
| JP2006086191A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2007018222A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Ube Industries, Ltd. | 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード |
| JP2007088318A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード及びその製造工程 |
| JP2009130360A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | 白色発光ダイオードチップおよびその製造方法 |
| US7808007B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device |
| EP2339656A2 (en) | 2009-12-22 | 2011-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US8350283B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| US8378364B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-02-19 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Multi-chip light emitting diode and method for fabricating the same |
| US8395169B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US8569787B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light source apparatus using semiconductor light emitting device |
| US20150255689A1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-10 | Lextar Electronics Corporation | Comprehensive Light-Emitting Diode Device and Lighting-Module |
| WO2018109060A1 (de) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil mit einem optoelektronischen bauelement |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019354A patent/JP3748355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243715A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 白色光源及びそれを用いた画像表示装置 |
| US7576365B2 (en) | 2004-03-12 | 2009-08-18 | Showa Denko K.K. | Group III nitride semiconductor light-emitting device, forming method thereof, lamp and light source using same |
| WO2005088738A1 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Showa Denko K.K. | Group iii nitride semiconductor light-emitting device, forming method thereof, lamp and light source using same |
| JP2006086191A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP4667803B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2011-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR101036530B1 (ko) | 2005-08-10 | 2011-05-24 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 발광 다이오드용 기판 및 발광 다이오드 |
| WO2007018222A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Ube Industries, Ltd. | 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード |
| EP1914810A4 (en) * | 2005-08-10 | 2013-11-27 | Ube Industries | SUBSTRATE FOR AN LED AND LUMINOUS DIODE |
| EP1914810A1 (en) * | 2005-08-10 | 2008-04-23 | Ube Industries, Ltd. | Substrate for light emitting diode and light emitting diode |
| JP5029362B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2012-09-19 | 宇部興産株式会社 | 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード |
| US7863636B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-01-04 | Ube Industries, Ltd. | Substrate for light-emitting diode, and light-emitting diode |
| JPWO2007018222A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2009-02-19 | 宇部興産株式会社 | 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード |
| JP2007088318A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード及びその製造工程 |
| US7808007B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device |
| JP2009130360A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | 白色発光ダイオードチップおよびその製造方法 |
| US8378364B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-02-19 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Multi-chip light emitting diode and method for fabricating the same |
| US8637890B2 (en) | 2009-12-22 | 2014-01-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US8368104B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US8395169B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US8592850B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| EP2339656A2 (en) | 2009-12-22 | 2011-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| EP3270426A1 (en) | 2009-12-22 | 2018-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US8569787B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light source apparatus using semiconductor light emitting device |
| US8350283B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| US20150255689A1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-10 | Lextar Electronics Corporation | Comprehensive Light-Emitting Diode Device and Lighting-Module |
| US9166125B2 (en) * | 2014-03-06 | 2015-10-20 | Lextar Electronics Corporation | Comprehensive light-emitting diode device and lighting-module |
| WO2018109060A1 (de) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil mit einem optoelektronischen bauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3748355B2 (ja) | 2006-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10326059B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| JP5311582B2 (ja) | Ｌｅｄ素子並びにこのｌｅｄ素子を用いたバックライト装置及びディスプレー装置 | |
| JP3486345B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2004186488A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法 | |
| JP3748355B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP4771800B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| WO2006137359A1 (ja) | 白色半導体発光素子およびその製法 | |
| JP3367096B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP3871668B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US20120211791A1 (en) | LED Packaging Structure and Fabricating Method Thereof | |
| JP2003115611A (ja) | 発光装置 | |
| US9564560B2 (en) | Optoelectronic component | |
| JP2018082027A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| KR20090034412A (ko) | 발광 칩 및 이의 제조 방법 | |
| JP2002198561A (ja) | 半導体発光装置 | |
| CN202712260U (zh) | 平面结构白光led芯片 | |
| KR100684043B1 (ko) | 백색 발광다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| KR100450514B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 | |
| JP2003008082A (ja) | 発光ダイオード及びその形成方法 | |
| JP2006295215A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2008227550A (ja) | 発光ダイオード、その製造方法および白色照明装置 | |
| TWI272733B (en) | Mixed light LED device, and manufacturing method thereof | |
| KR20130105566A (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP2000294839A (ja) | 発光ダイオード | |
| KR20100043693A (ko) | 지연형광체를 구비하는 교류용 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050616 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050805 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051125 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |