JP2001195922A - 光透過性導電性膜、これを有する光学部材、電子部品および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた電磁波低減機能を有しながら、高い光
透過性、導電性、耐環境性および耐久性を有することに
より、所望の機能を有する機能性膜として用いることが
できる光透過性導電性膜、光学部材、電子部品および装
置の提供。 【解決手段】 本発明の光透過性導電性膜は、プラスチ
ック基材の少なくとも表面の一部に形成された、表面抵
抗が１００Ω／ｃｍ² 以下である光透過性導電性膜であ
って、複数の層が積層されて形成されており、プラスチ
ック基材の表面に対して遠位側に位置する基準層よりも
近位側に位置する少なくとも１つの層が当該基準層より
稠密度が小さい低稠密度層である。本発明の光学部材
は、光学機能を有するプラスチック基材と、これに形成
された上記光透過性導電性膜とよりなる。本発明の電子
部品は、上記光透過性導電性膜が形成されたプラスチッ
ク基材を有してなり、本発明の装置は、当該電子部品を
有してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光透過性を有する
と共に導電性を有する機能性膜（この明細書において
「光透過性導電性膜」という。）、これを有する光学部
材、電子部品および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光透過性導電性膜は、例えば、液
晶表示装置などの表示用電極、冷凍食品ケースのガラス
窓の凍結防止膜、太陽電池用の透明電極、タッチパネル
用スイッチ電極などとして実用化されており、具体的に
は、アルミニウム、クロム、白金などから形成され
る、厚さが例えば３０〜１００Åの金属薄膜、金属
網、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化カド
ミウムなどから形成される金属酸化物膜などである。

【０００３】しかしながら、以上のような光透過性導電
性膜は、通常、高温下で形成されるものであるため、ガ
ラス基材などの耐熱性の高い基材に対してはともかく、
プラスチックなどよりなる耐熱性が１５０℃以下の基材
に対しては、優れた電磁波低減機能を有しながら、光透
過性、耐環境性および耐久性が高い光透過性導電性膜を
形成することができない、という問題がある。そして、
このような光透過性導電性膜を高温高湿環境下に保管し
た場合には、光透過性導電性膜の一部に色のズレが生ず
る、いわゆる色ムラが発生することがあり、また、光透
過性導電性膜とプラスチック基材との密着性が劣化して
光透過性導電性膜の一部がプラスチック基材から離れ
る、いわゆる膜浮きが発生することもある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的
は、優れた電磁波低減機能を有しながら、高い光透過
性、導電性、耐環境性および耐久性を有し、これによ
り、所望の機能を有する機能性膜として用いることがで
きる光透過性導電性膜を提供することにある。また、本
発明の第２の目的は、所望の機能を有する機能性膜とし
て有用な光透過性導電性膜が形成された光学部材を提供
することにある。更に、本発明の第３の目的は、所望の
機能を有する機能性膜として有用な光透過性導電性膜が
形成された電子部品および当該電子部品を有する装置を
提供することにある。ここに、「光透過性」とは、透過
させたい所望の波長の光が特定されている場合には、そ
の波長の光を透過させることのできる性質のことをい
い、好ましくは、例えば波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの
光に対する透過率が８０％以上である性質のことをい
う。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の光透過性導電性
膜は、プラスチック基材の少なくとも表面の一部に形成
された、表面抵抗が１００Ω／ｃｍ² 以下である光透過
性導電性膜であって、当該光透過性導電性膜は、複数の
層が積層されて形成されており、プラスチック基材の表
面に対して遠位側に位置する基準層よりも近位側に位置
する少なくとも１つの層が当該基準層より稠密度が小さ
い低稠密度層であることを特徴とする。ここで、「基準
層」とは、特定の層を示すものではなく、或る層との間
において、稠密度の大きさによる相対的な関係を示すた
めに基準となる任意の層のことである。

【０００６】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層の光学膜厚に比して、前記低稠密度層の光学膜
厚が小さいことが好ましい。

【０００７】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層および前記低稠密度層は、いずれも、導電性層
であってもよい。

【０００８】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層は、酸化インジウムを９０質量％以上の割合で
含有することが好ましい。

【０００９】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層および前記低稠密度層は、いずれも、酸化イン
ジウムと酸化スズとの混合物よりなることが好ましく、
また、前記基準層および前記低稠密度層は、いずれも、
酸化インジウムの含有割合が９５〜９７質量％であり、
酸化スズの含有割合が３〜５質量％であることが好まし
い。

【００１０】本発明の光透過性導電性膜においては、プ
ラスチック基材の表面に対して前記低稠密度層よりも近
位側の位置であって、プラスチック基材の表面に接する
位置に、二酸化シリコンよりなる層を有することが好ま
しい。

【００１１】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層および前記低稠密度層は、いずれも、誘電体層
であってもよい。

【００１２】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層および前記低稠密度層は、いずれも、二酸化シ
リコンよりなることが好ましい。

【００１３】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記低稠密度層は、プラスチック基材の表面に接した状態
に形成されていることが好ましい。

【００１４】本発明の光透過性導電性膜においては、前
記基準層および前記低稠密度層は、互いに接した状態に
形成されていることが好ましい。

【００１５】本発明の光透過性導電性膜においては、プ
ラスチック基材の表面に対して最も遠位側に位置する最
外層は、二酸化シリコンよりなることが好ましい。

【００１６】本発明の光透過性導電性膜においては、表
面抵抗が５０Ω／ｃｍ² 以下であることが好ましい。

【００１７】本発明の光透過性導電性膜においては、波
長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する透過率が７０％
以上であることが好ましい。

【００１８】本発明の光透過性導電性膜においては、波
長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する吸収率が２０％
以下であることが好ましい。

【００１９】本発明の光学部材は、光学機能を有するプ
ラスチック基材と、このプラスチック基材の少なくとも
表面の一部に形成された、上記の光透過性導電性膜とを
有することを特徴とする。

【００２０】本発明の電子部品は、上記の光透過性導電
性膜が形成されたプラスチック基材を有することを特徴
とする。

【００２１】本発明の電子部品においては、前記プラス
チック基材は、電子部品本体の少なくとも一部を覆うカ
バー部材であってもよく、あるいは、前記プラスチック
基材は、電子部品本体を収容する容器の少なくとも一部
であってもよい。

【００２２】本発明の装置は、上記の電子部品を有する
ことを特徴とする。

【００２３】

【作用】以上のような構成によれば、次のような作用効
果が奏される。表面抵抗が１００Ω／ｃｍ² 以下である
ので、当該光透過性導電性膜の厚さが小さくても十分に
高い導電性が得られると共に、優れた電磁波低減機能を
得ることができ、また、当該光透過性導電性膜は、複数
の層が積層されてなる多層構成において、基準層よりも
近位側に低稠密度層が存在することにより、高い耐環境
性および耐久性が得られる。

【００２４】低稠密度層の光学膜厚が基準層の光学膜厚
よりも小さいものとすることにより、耐環境性および耐
久性を更に向上させることができ、また、当該光透過性
導電性膜全体の厚さが必要以上に大きくなることを抑制
することができる。

【００２５】基準層および低稠密度層を導電性層とする
ことにより、十分に高い導電性を有する光透過性導電性
膜が得られ、当該導電性層を混合物により形成する場合
には、当該混合物を構成する導電性材料の組成比を変更
することにより容易に制御された程度の稠密度を有する
光透過性導電性膜を得ることができる。

【００２６】基準層に、その主成分として酸化インジウ
ムが含有されることにより、容易に光透過性および導電
性を有する光透過性導電性膜が得られる。また、基準層
および低稠密度層が、いずれも、酸化インジウムと酸化
スズとの混合物よりなる場合には、容易に、しかも確実
に優れた光透過性および導電性を有する光透過性導電性
膜が得られる。

【００２７】プラスチック基材の表面に二酸化シリコン
よりなる層が形成されることにより、プラスチック基材
との密着性が高い光透過性導電性膜が得られる。

【００２８】基準層および低稠密度層を、誘電体層、特
に二酸化シリコンよりなる層（以下、「二酸化シリコン
層」ともいう。）とすることにより、当該誘電体層の形
成時において、その形成条件を変化させることにより、
容易に制御された稠密度を有する光透過性導電性膜が得
られ、また、可視領域の波長の光に対して十分な光透過
性を有する光透過性導電性膜が得られる。

【００２９】プラスチック基材の表面に低稠密度層であ
る二酸化シリコン層が形成されることにより、プラスチ
ック基材との密着性が高い光透過性導電性膜が得られ、
また、当該二酸化シリコン層の形成時において、その形
成条件を変化させることにより、容易に制御された稠密
度を有する光透過性導電性膜が得られ、更に、可視領域
の波長の光に対して十分な光透過性を有する光透過性導
電性膜が得られる。

【００３０】基準層および低稠密度層が互いに接した状
態に形成されることにより、十分に高い耐環境性および
耐久性を有する光透過性導電性膜が得られる。

【００３１】最外層を二酸化シリコンよりなる層とする
ことにより、当該最外層が密着性に優れたものとなり、
例えば反射防止膜、撥水膜などの各種機能性膜との一体
性が良好となる光透過性導電性膜が得られる。

【００３２】表面抵抗が５０Ω／ｃｍ² 以下であること
により、より十分に高い導電性および電磁波低減機能を
有する光透過性導電性膜が得られる。

【００３３】波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する
透過率が７０％以上であることにより、可視光線に対す
る光透過性が十分に高く、その結果、光量の損失が少な
く、プラスチック基材の色の再現性に優れた光透過性導
電性膜が得られる。ここに、「プラスチック基材の色の
再現性」とは、プラスチック基材に膜を形成した場合
に、当該膜を介して視認されるプラスチック基材の色
が、プラスチック基材そのものの色に比して、どの程度
再現されているかを示す度合のことをいい、「プラスチ
ック基材の色の再現性に優れた」とは、膜を介して視認
されるプラスチック基材の色と、プラスチック基材その
ものの色との差が微差であることをいう。

【００３４】波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する
吸収率が２０％以下であることにより、プラスチック基
材の色の再現性に優れた光透過性導電性膜が得られ、こ
れにより、実際に見える色の状態が大きく変化すること
がない。

【００３５】光学部材は、上記の光透過性導電性膜を有
するので、限られた光量を有効に利用しながら、当該光
透過性導電性膜によって優れた電磁波低減機能が発揮さ
れ、電磁波による悪影響を抑制することができると共
に、当該光学部材から周囲に対しての電磁波による悪影
響を抑制することができる。また、当該光学部材への入
射光と、光学部材からの出射光との間の色の変化が少な
い。

【００３６】電子部品は、上記の光透過性導電性膜を有
するので、電子部品本体から発せられる電磁波が外部に
漏れること、あるいは、外部から電子部品本体への電磁
波の影響を抑制することができ、いずれの場合において
も当該電子回路の誤作動を防止することができる。ま
た、電子回路の状態または表示部により示される表示の
視認が容易で確実となる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。

【００３８】＜光透過性導電性膜＞本発明の光透過性導
電性膜は、プラスチック基材の少なくとも表面の一部に
形成されるものであって、プラスチック基材が板状の場
合に一方または両方の面に形成される。この光透過性導
電性膜は、表面抵抗が１００Ω／ｃｍ² 以下、好ましく
は５０Ω／ｃｍ² 以下、更に好ましくは４０Ω／ｃｍ²
以下のものである。

【００３９】光透過性導電性膜の表面抵抗が１００Ω／
ｃｍ² 以下では、膜厚にもよるが、得られる電磁波低減
率は例えば１０ｄＢであり、表面抵抗が５０Ω／ｃｍ²
以下では、電磁波低減率は例えば２０ｄＢであり、表面
抵抗が４０Ω／ｃｍ² 以下では、得られる電磁波低減率
は例えば２５ｄＢである。しかしながら、当該光透過性
導電性膜の表面抵抗が１２０Ω／ｃｍ² 以上では、有効
な電磁波低減能を期待することができない。

【００４０】以上のような特性を有する光透過性導電性
膜は、プラスチック基材の表面上に複数の層が積層され
て形成される。このプラスチック基材は、例えば、アク
リル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ノルボルネン系樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、
ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂などにより形成されるが、これら熱
可塑性樹脂に限られるものではなく、熱硬化性樹脂やエ
ネルギー線硬化性樹脂などにより形成されたものでもよ
い。形成されたプラスチック基材は、光透過性のもので
あることが好ましく、特に透明なものであることが好ま
しい。

【００４１】このプラスチック基材は、具体的に、光学
レンズ本体、フィルター本体、プリズム本体、回折格子
本体、近接場光学素子本体もしくは導光板本体などの光
学機能を有する光学素子本体としての機能を有する光学
部材であり、あるいは、電子回路などを内蔵する電子部
品やそのような電子部品などを有する各種測定器、医療
機器もしくはオフィスオートメーション機器などの電子
機器の筐体、カバーまたは表示部（例えば、ブラウン
管、プラズマディスプレイ、カーナビゲーションシステ
ムのディスプレイあるいは車のメータパネルなどの前部
パネルまたはそのフィルター）などを構成する部材の一
部であってもよく、特に限定されるものではない。この
プラスチック基材は光透過性導電性膜の形成工程におけ
るコーティング作業時の加熱や温度上昇に耐えるに十分
な耐熱性を有することが望ましい。

【００４２】光透過性導電性膜は、複数の層が積層され
て形成されてなるものであり、例えば複数の導電性層と
誘電体層とが積層されて形成されている場合には、下記
のいずれかの構成であることが好ましい。 （１）プラスチック基材の表面に対して遠位側に位置す
る導電性層（以下「基準導電性層」ともいう。）よりも
近位側に位置する少なくとも１つの層が当該基準導電性
層より稠密度が小さい導電性層（以下「低稠密度導電性
層」ともいう。）であること。 （２）プラスチック基材の表面に対して遠位側に位置す
る誘電体層（以下「基準誘電体層」ともいう。）よりも
近位側に位置する少なくとも１つの層が当該基準誘電体
層より稠密度が小さい誘電体層（以下「低稠密度誘電体
層」ともいう。）であること。

【００４３】ここに、或る層についての「稠密度（Pack
ing Density ）」は、当該層のみからなる単層構造の膜
を形成した試料を真空中に置いたときの水晶振動子膜厚
計による膜厚表示値と、試料を大気中に戻したときの当
該膜の膜厚表示値とを、下記式（１）に代入して求める
ことができる。

【００４４】

【数１】 ここで、「Ｔｖ」は、真空中での膜厚表示値であり、
「Ｔａ」は、大気中に戻したときの膜厚表示値であり、
「ρ」は、水晶振動子膜厚計に入力された膜の密度であ
る。この稠密度が大きい層は、緻密性の高い構造を有
し、稠密度が小さい層は、緻密性が低い構造を有するも
のとなる。この稠密度の相対的な大小、すなわち緻密性
の相対的な高低は、試料を電子顕微鏡あるいは原子間力
顕微鏡で観察することによって容易に知ることができ
る。相対的に比較した際に、空隙がより少ない層が稠密
度がより大きい層であり、空隙がより多い層が稠密度が
より小さい層であり、稠密度がより小さい層の方がいわ
ゆるボソボソとした感じを与える。

【００４５】光透過性導電性膜を構成する導電性層は、
導電性材料を含有してなる層であり、好ましくは導電性
材料よりなる層である。ここに、導電性材料としては、
例えば、アルミニウム、クロム、白金などから形成され
る金属薄膜、金属網またはインジウム、スズ、亜鉛、カ
ドミウムなどの酸化物もしくはこれらの混合物が挙げら
れる。また、更に好ましくは、導電性層は、その層を形
成する同一の導電性材料からなる光学膜厚が０．１μｍ
の単層構造の膜をプラスチック基材の表面に形成した場
合に、その膜の表面抵抗が５００Ω／ｃｍ² 以下となる
ものである。

【００４６】光透過性導電性膜においては、基準導電性
層は、酸化インジウムがその含有割合が９０質量％以上
となるよう含有されてなるものであることが好ましく、
更に酸化インジウムと酸化スズとの混合物よりなるもの
であることが好ましく、特に酸化インジウムの含有割合
が９５〜９７質量％であり、酸化スズの含有割合が３〜
５質量％である混合物よりなるものであることが好まし
い。また、低稠密度導電性層は、酸化インジウムと酸化
スズとの混合物よりなるものであることが好ましく、更
に酸化インジウムの含有割合が９５〜９７質量％であ
り、酸化スズの含有割合が３〜５質量％である混合物よ
りなるものであることが好ましい。このように、基準導
導電性層および低稠密度導電性層が、酸化インジウムを
主成分として、当該酸化インジウムと酸化スズとの混合
物により構成されていることにより、十分に高い光透過
性および導電性を有する膜が形成しやすくなる。

【００４７】光透過性導電性膜においては、低稠密度導
電性層の光学膜厚が基準導電性層の光学膜厚よりも小さ
いことが好ましい。また、光透過性導電性膜において
は、プラスチック基材上に二酸化シリコンよりなる誘電
体層が形成され、この誘電体層の上に、低稠密度導電性
層および基準導電性層が互いに接する状態に形成されて
いること、あるいは、低稠密度導電性層がプラスチック
基材上に接した状態に形成されていることが好ましい。

【００４８】光透過性導電性膜を構成する誘電体層は、
上記の導電性層以外の層である。この誘電体層を形成す
る材料としては、例えば、シリコン、ジルコニウム、チ
タン、セリウム、アルミニウム、ハフニウム、イットリ
ウム、ランタンなどの酸化物あるいはこれらの混合物、
マグネシウムのフッ化物、亜鉛の硫化物、チタン、ジル
コニウム、ハフニウムなどの窒化物、ランタンのホウ化
物などが挙げられる。また、更に好ましくは、誘電体層
は、その層を形成する同一の材料からなる光学膜厚が
０．１μｍの単層構造の膜をプラスチック基材の表面に
形成した場合に、その膜の表面抵抗が１×１０⁶ Ω／ｃ
ｍ² より大きいものである。

【００４９】上記の基準誘電体層および低稠密度誘電体
層は、いずれも二酸化シリコンよりなるものであること
が好ましく、また、低稠密度誘電体層の光学膜厚が基準
誘電体層の光学膜厚よりも小さいことが好ましい。ま
た、低稠密度誘電体層および基準誘電体層が互いに接し
た状態に形成されていること、あるいは、低稠密度誘電
体層がプラスチック基材上に接した状態に形成されてい
ることが好ましい。

【００５０】光透過性導電性膜においては、隣接する層
の屈折率が互いに異なる状態で積層されている状態とな
ることが好ましい。これにより、光透過性導電性膜は、
可視光線に対して十分に小さい反射率を有するものとな
り、従って、当該光透過性導電性膜が形成されたプラス
チック基材を有する素子の低反射性化を図ることができ
る。

【００５１】また、光透過性導電性膜においては、最も
遠位側にある最外層は、二酸化シリコンよりなることが
好ましい。

【００５２】以上のような光透過性導電性膜を構成する
各層の形成手段は、特に限定されるものではなく、従来
から知られている手段を用いて形成することができ、例
えば、真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法、スパ
ッタリング法などを挙げることができる。

【００５３】以上のような構成によれば、上述のよう
な、表面抵抗が１００Ω／ｃｍ² 以下である光透過性導
電性膜が得られ、これにより、十分に高い光透過性およ
び導電性を有しながら、しかも優れた電磁波低減機能を
有する光透過性導電性膜が得られる。

【００５４】また、光透過性導電性膜においては、複数
の導電性層と誘電体層とが積層されて形成されている場
合に、低稠密度導電性層が基準導電性層よりも近位側に
少なくとも１つ存在すること、あるいは、低稠密度誘電
体層が基準誘電体層よりも近位側に少なくとも１つ存在
することにより、当該光透過性導電性膜が耐環境性およ
び耐久性の高いものとなる。

【００５５】そして、低稠密度導電性層の光学膜厚が基
準導電性層の光学膜厚よりも小さいこと、あるいは、低
稠密度誘電体層の光学膜厚が基準誘電体層の光学膜厚よ
りも小さいことにより、さらに十分に高い耐環境性およ
び耐久性を得ることができると共に、得られる光透過性
導電性膜の厚さが必要以上に大きくなることを抑制する
ことができる。

【００５６】また、プラスチック基材上に二酸化シリコ
ンよりなる誘電体層が積層されている場合には、プラス
チック基材と光透過性導電性膜との密着性が良好なもの
となり、これにより、得られる光透過性導電性膜の耐環
境性および耐久性が十分に高いことと相俟って、例えば
高温高湿環境下においてもいわゆる膜浮きの発生を有効
に防止することができる。また、当該誘電体層は稠密度
の程度の制御が容易であるので、稠密度が異なる層構成
を形成しやすい。更に、光透過性導電性膜の設計上の屈
折率変化が小さいという利点が得られる。

【００５７】また、このような光透過性導電性膜は、種
々の機能が付加されたものとすることができる。具体的
には、反射防止機能、赤外線もしくは紫外線減衰機能、
抗菌性機能、撥水性機能または防曇性機能などの機能が
更に得られる。従って、本発明の光透過性導電性膜は、
以上のような機能が付加されることにより、種々の目的
に使用することができる。

【００５８】また、更に、本発明の光透過性導電性膜に
よれば、次のような作用効果を奏することができる。 （１）波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光（可視光線）に
対する透過率が７０％以上、好ましくは８０％以上、更
に好ましくは８５％以上とすることができ、これによ
り、十分に高い光透過性を有するものとなる。 （２）波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する吸収率
が２０％以下、好ましくは１０％以下とすることがで
き、これにより、光透過性導電性膜は、プラスチック基
材の色の再現性が良好なものとなる。また、吸収率が特
定の範囲にあれば、波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光の
うちの任意の波長の光を当該光透過性導電性膜の一面側
に照射したときの反射率と、前記光を当該光透過性導電
性膜の他面側に照射したときの反射率との差が３．０％
以下、好ましくは１．５％以下とすることができ、この
場合における光透過性導電性膜よりの反射光の色は、一
面側および他面側から見ても実際に同等のものとなる。

【００５９】本発明においては、光透過性導電性膜の表
面に、例えばパーフルオロアルキル基含有化合物を塗布
または真空蒸着法で形成することにより、例えば水ヤケ
や汚れの付着防止または傷防止のための撥水膜を付与す
ることができる。また、プラスチック基材の表面に、例
えばシリコン系紫外線硬化樹脂、アクリル系紫外線硬化
樹脂を形成することにより、光透過性導電性膜の付着力
または表面硬度を向上させる上で有用なハードコートを
設けることができる。更に、光透過性導電性膜の表面に
防曇処理や親水化処理を施すこともできる。また、本発
明において用いるプラスチック基材やハードコートは、
光透過性を損なわない範囲で着色したものとすることも
でき、また、板やフィルムを重ねて積層することもでき
る。

【００６０】本発明の光透過性導電性膜を構成する導電
性層および誘電体層の好ましい構成および蒸着方法は、
以下のとおりである。

【００６１】〔１〕導電性層 本発明の光透過性導電性膜を構成する好ましい導電性層
について説明する。なお、酸化インジウムと酸化スズと
の混合物層（ＩＴＯ層）は、形成方法の相違により、下
記ＩＴＯ−Ｍ層およびＩＴＯ−Ｐ層が形成される。 （１）ＩＴＯ−Ｍ層 ＩＴＯ−Ｍ層は、インジウム金属とスズ金属とを蒸着材
料として真空中で同時に蒸発させて、例えば下記の条件
の下で高周波放電イオンプレーティング蒸着法を用いて
形成される。ここに、良好な導電性を得るためには、層
中のスズ金属の含有割合が２〜１０重量％とすることが
好ましい。 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着速度 ：インジウム金属 ２００〜１２０Å／ｍｉｎ スズ金属 １２〜６Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力：４００〜９００Ｗ 膜厚 ：４００〜２０００Å なお、上記の「ＲＦ」は、１ＧＨｚ以下の高周波であ
る。

【００６２】（２）ＩＴＯ−Ｐ層 ＩＴＯ−Ｐ層は、酸化インジウムとスズ金属との混合焼
結体（スズ金属の含有割合が２〜１０重量％）を蒸着材
料として、例えば下記の条件の下で高周波放電イオンプ
レーティング蒸着法を用いて形成される。 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着速度 ：２００〜１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力：７００〜８００Ｗ 膜厚 ：１００〜３００Å

【００６３】以上のＩＴＯ−Ｍ層およびＩＴＯ−Ｐ層の
各々をポリカーボネイト樹脂基材上に蒸着して厚さ１０
００Åの単層構造の膜を形成し、各々の膜の断面を電子
顕微鏡で観察した場合には、ＩＴＯ−Ｍ層よりなる膜
は、ＩＴＯ−Ｐ層よりなる膜に比して、高い緻密性を有
する組織を形成すると共に堆積状況が均一であり、粒塊
が少ない。

【００６４】〔２〕誘電体層 本発明の光透過性導電性膜を構成する好ましい誘電体層
について説明する。 （１）二酸化シリコン層 二酸化シリコン層は、二酸化シリコンを蒸着材料とし
て、例えば下記の［条件１］〜［条件３］の下で真空蒸
着法を用いて形成される。 ［条件１］ 真空度 ：５×１０^-3Ｐａ以下（酸素ガス分圧） 蒸着速度 ：１８００〜３０００Å／ｍｉｎ ［条件２］ 真空度 ：１×１０^-2〜２×１０^-2Ｐａ（酸素ガス分
圧） 蒸着速度 ：６００〜１２００Å／ｍｉｎ ［条件３］ 真空度 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ（酸素ガス分
圧） 蒸着速度 ：１２０〜３００Å／ｍｉｎ

【００６５】条件１〜条件３の各々の下で、例えばポリ
カーボネイト樹脂などよりなる高分子基材上に二酸化シ
リコン層を形成して厚さ１０００Åの単層構造の膜を
得、各々の膜にスチールウール試験を行って各膜の硬度
を評価すると共に、各々の膜の断面を電子顕微鏡で観察
して各膜の構造を評価し、更に各々の膜を分光光度計に
より測定した各膜の反射率および透過率から屈折率を算
出した。その結果を下記の表１に示す。

【００６６】

【表１】

【００６７】上記表１において明らかなように、条件１
の下で得られた膜は、硬度が高くて、緻密性の高い構造
を有し、屈折率の大きいものである。これに対して、条
件３の下で得られた膜は、硬度が低くて、緻密性の低い
構造を有し、屈折率の小さいものである。従って、条件
１の下で得られた膜は、高い緻密性を有する組織を形成
すると共に、堆積状況が均一であり、粒塊が少ないもの
となる。

【００６８】（２）フッ化マグネシウム層 フッ化マグネシウム層は、フッ化マグネシウムを蒸着材
料として、例えば下記の条件の下で真空蒸着法を用いて
形成される。 真空度 ：１×１０^-3〜１×１０^-2Ｐａ（アルゴンガス
分圧もしくは酸素ガス分圧） 蒸着速度：１２０〜１２００Å／ｍｉｎ 屈折率 ：１．３５〜１．４３

【００６９】（３）酸化アルミニウムと酸化イットリウ
ムとの混合物層（以下「酸化アルミニウム−酸化イット
リウム層」という。） 酸化アルミニウム−酸化イットリウム層は、酸化アルミ
ニウムと酸化イットリウムとの混合物を蒸着材料とし
て、例えば下記の条件の下で真空蒸着法を用いて形成さ
れる。 真空度 ：８×１０^-3〜３×１０^-2Ｐａ（酸素ガス分
圧） 蒸着速度 ：１２０〜１２００Å／ｍｉｎ 屈折率 ：１．８〜２．１

【００７０】（４）酸化ジルコニウムと酸化チタンとの
混合物層（以下「酸化ジルコニウム−酸化チタン層」と
いう。） 酸化ジルコニウム−酸化チタン層は、酸化ジルコニウム
と酸化チタンとの混合物を蒸着材料として、例えば下記
の条件の下で真空蒸着法を用いて形成される。 真空度 ：８×１０^-3〜３×１０^-2Ｐａ（酸素ガス分
圧） 蒸着速度 ：１２０〜１２００Å／ｍｉｎ 屈折率 ：１．８〜２．１

【００７１】＜光学部材＞本発明の光学部材は、上記の
プラスチック基材が光学部材本体であって、当該光学部
材本体上に上記の単層構造または多層構造の光透過性導
電性膜が形成されてなるものである。特に、光学部材本
体が光学レンズ本体であって、この光学レンズ本体によ
りなる光学レンズが凸レンズの場合には、凸面側に上記
の光透過性導電性膜を形成し、それ以外のレンズの場合
には、凹面側に光透過性導電性膜を形成することが好ま
しい。

【００７２】このような光学部材によれば、光透過性導
電性膜が電磁波低減機能を有するので、当該光学部材を
介して機器に対する電磁波障害を防止することができる
ので機器に悪影響を及ぼすことがなく、また、機器内か
らの電磁波を低減されるので光学部材の周辺に悪影響を
及ぼすこともない。更に、光透過性導電性膜が高い光透
過性を有するので、光学部材への入射光と光学部材から
の出射光との色の変化が少なく、色の再現性に優れたも
のとなる。

【００７３】＜電子部品および装置＞本発明の電子部品
は、上記の光透過性導電性膜が形成されたプラスチック
基材を有してなるものである。

【００７４】このような電子部品およびこれを有する装
置によれば、光透過性導電性膜が電磁波低減機能を有す
るので、電子回路への電磁波による悪影響が防止されて
当該電子回路の誤作動を防ぐことができる。また、光透
過性導電性膜が高い光透過性を有するので、表示や電子
回路の状態の視認が容易となる。

【００７５】

【実施例】以下において、本発明の実施例を示すが、本
発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下に
おいては、特に断らない限りは真空蒸着法によって層形
成を行った。また、プラスチック基材に対して近位側に
位置する層から順番に、第１層、第２層、・・・、第ｎ
層として示した。

【００７６】＜実施例１＞紫外線硬化樹脂よりなるハー
ドコートを有するポリカーボネイト樹脂基材上に下記の
層を形成して、３層構造の導電性を有する膜を得た。こ
の膜は、反射防止膜として有用であった。各層の形成に
おいて、基材の温度は７０℃に維持された。

【００７７】第１層；膜厚６３０Åの酸化アルミニウム
−酸化イットリウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化アルミニウムと酸化イットリウムと
の混合物 蒸着速度 ：３５０Å／ｍｉｎ

【００７８】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１１２０ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：５００Ｗ

【００７９】第３層；膜厚８６０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：９００Å／ｍｉｎ

【００８０】この膜においては、第２層のＩＴＯ−Ｍ層
および第３層の二酸化シリコン層より稠密度が小さい酸
化アルミニウム−酸化イットリウム層が第１層として形
成されている。

【００８１】＜実施例２＞紫外線硬化樹脂よりなるハー
ドコートを有する、光学レンズとして有用なポリオレフ
ィン系樹脂基材上に下記の層を形成して、５層構造の導
電性を有する反射防止膜を有する光学レンズを得た。各
層の形成において、基材の温度は９０℃に維持された。

【００８２】第１層；膜厚９００Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：４２０Å／ｍｉｎ

【００８３】第２層；膜厚１８０Åの酸化チタン−酸化
ジルコニウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化チタンと酸化ジルコニウムとの混合
物 蒸着速度 ：２４０Å／ｍｉｎ

【００８４】第３層；膜厚１７０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ

【００８５】第４層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１０６０ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：６００Ｗ

【００８６】第５層；膜厚８５０Åのフッ化マグネシウ
ム層 ［蒸着条件］ 真空度 ：１×１０^-3Ｐａ 蒸着材料 ：フッ化マグネシウム 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【００８７】この光学レンズを構成する反射防止膜にお
いては、第１層の二酸化シリコン層が最も稠密度が小さ
い。

【００８８】＜実施例３＞フィルター本体であるポリカ
ーボネイト樹脂基材上に下記の層を形成して、１３層構
造の膜を有する長波長カットフィルターを得た。各層の
形成において、基材の温度は９０℃に維持された。

【００８９】第１層；膜厚１４３０Åの二酸化シリコン
層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：４２０Å／ｍｉｎ

【００９０】第２層；膜厚９３０Åの酸化チタン−酸化
ジルコニウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化チタンと酸化ジルコニウムとの混合
物 蒸着速度 ：２４０Å／ｍｉｎ

【００９１】第３層；膜厚１３８０Åの二酸化シリコン
層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ

【００９２】第４層；膜厚８７０Åの酸化チタン−酸化
ジルコニウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化チタンと酸化ジルコニウムとの混合
物 蒸着速度 ：２４０Å／ｍｉｎ

【００９３】第５層；膜厚１３８０Åの二酸化シリコン
層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：４２０Å／ｍｉｎ

【００９４】第６層；膜厚８７０Åの酸化チタン−酸化
ジルコニウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化チタンと酸化ジルコニウムとの混合
物 蒸着速度 ：２４０Å／ｍｉｎ

【００９５】第７層；膜厚１３８０Åの二酸化シリコン
層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：４２０Å／ｍｉｎ

【００９６】第８層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚７７０ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：６００Ｗ

【００９７】第９層；膜厚１４７０Åの二酸化シリコン
層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ

【００９８】第１０層；高周波放電イオンプレーティン
グ蒸着法により形成した膜厚７７０ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：６００Ｗ

【００９９】第１１層；膜厚１４７０Åの二酸化シリコ
ン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：４２０Å／ｍｉｎ

【０１００】第１２層；膜厚９２０Åの酸化チタン−酸
化ジルコニウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化チタンと酸化ジルコニウムとの混合
物 蒸着速度 ：２４０Å／ｍｉｎ

【０１０１】第１３層；膜厚２４８０Åの二酸化シリコ
ン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：４２０Å／ｍｉｎ

【０１０２】この長波長カットフィルターを構成する膜
においては、第１層の二酸化シリコン層が最も稠密度が
小さい。また、第８層および第１０層のＩＴＯ−Ｍ層が
最も稠密度が大きく、これらＩＴＯ−Ｍ層より稠密度が
小さい層が当該層よりも近位側に形成されている。

【０１０３】＜実施例４＞ポリカーボネイト樹脂で成形
したパチンコ台用の集積回路カバーの裏面（集積回路
側）に下記の層を形成して、３層構造の膜を形成した。
この膜は、電磁波低減膜として有用であった。各層の形
成において、基材の温度は９０℃に維持された。

【０１０４】第１層；膜厚２００Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ

【０１０５】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚２０００ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：５００Ｗ

【０１０６】第３層；膜厚９３０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：９００Å／ｍｉｎ

【０１０７】この膜においては、第２層のＩＴＯ−Ｍ層
より稠密度が小さい二酸化シリコン層が第１層として形
成されている。

【０１０８】＜実施例５＞紫外線硬化樹脂よりなるハー
ドコートを有するポリオレフィン系樹脂基材を真空装置
に入れて、当該ポリオレフィン系樹脂基材上に下記の層
を形成して、３層構造の膜を得た。この膜は、電磁波低
減膜として有用であった。各層の形成において、基材の
温度は９０℃に維持された。

【０１０９】第１層；膜厚５００Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ アルゴンガス圧 ：３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：３００Å／ｍｉｎ

【０１１０】第２層；膜厚５００Åの酸化アルミニウム
−酸化イットリウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化アルミニウムと酸化イットリウムと
の混合物 蒸着速度 ：３５０Å／ｍｉｎ

【０１１１】第３層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚２０００ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：５５０Ｗ

【０１１２】この膜においては、第２層の酸化アルミニ
ウム−酸化イットリウム層より稠密度が小さい二酸化シ
リコン層が第１層として形成されており、また、第３層
のＩＴＯ−Ｍ層より稠密度が小さい二酸化シリコン層お
よび酸化アルミニウム−酸化イットリウム層がそれぞれ
第１層および第２層として形成されている。

【０１１３】＜実施例６＞紫外線硬化樹脂よりなるハー
ドコートを有するポリオレフィン系樹脂基材を真空装置
に入れて、当該ポリオレフィン系樹脂基材上に下記の層
を形成して、５層構造膜を得た。この膜は、電磁波低減
膜として有用であった。各層の形成において、基材の温
度は９０℃に維持された。

【０１１４】第１層；膜厚３００Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１１５】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１７０ÅのＩＴＯ−Ｐ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：スズ金属を５重量％含有するインジウム
酸化物 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電圧力：５００Ｗ

【０１１６】第３層；膜厚１６０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１１７】第４層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１０６０ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：５５０Ｗ

【０１１８】第５層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚８９０Åのフッ化マグネシウ
ム層 ［蒸着条件］ アルゴンガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：フッ化マグネシウム 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力 ：４００Ｗ

【０１１９】この膜においては、第４層のＩＴＯ−Ｍ層
および第５層のフッ化マグネシウム層より稠密度が小さ
い層が第１層〜第３層に形成されている。

【０１２０】＜実施例７＞ポリカーボネイト樹脂基材上
に下記の層を形成して、４層構造の膜を得た。この膜
は、反射防止膜として有用であった。各層の形成におい
て、基材の温度は９０℃に維持された。

【０１２１】第１層；膜厚５００Åの酸化アルミニウム
−酸化イットリウム層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化アルミニウムと酸化イットリウムと
の混合物 蒸着速度 ：３５０Å／ｍｉｎ

【０１２２】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１５０ÅのＩＴＯ−Ｐ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：スズ金属を５重量％含有するインジウム
酸化物 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電圧力：５００Ｗ

【０１２３】第３層；膜厚１０７０ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：５５０Ｗ

【０１２４】第４層；膜厚８３０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１２５】この膜においては、第３層のＩＴＯ−Ｍ層
および第４層の二酸化シリコン層より稠密度が小さい層
が、第１層、第２層として形成されている。また、第２
層のＩＴＯ−Ｐ層の稠密度と、第３層のＩＴＯ−Ｍ層の
稠密度とが大きく異なっている。

【０１２６】＜実施例８＞紫外線硬化樹脂よりなるハー
ドコートを有するポリカーボネイト樹脂基材を真空装置
に入れて、当該ポリカーボネイト樹脂基材上に下記の層
を形成して、４層構造の膜を得た。この膜は、電磁波低
減膜として有用であった。各層の形成において、基材の
温度は９０℃に維持された。

【０１２７】第１層；膜厚５００Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１２８】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚２４０ÅのＩＴＯ−Ｐ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：スズ金属を５重量％含有するインジウム
酸化物 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電圧力：５００Ｗ

【０１２９】第３層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１０００ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属）ＲＦ放電圧力：５５０Ｗ

【０１３０】第４層；膜厚８５０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１３１】この膜においては、第３層のＩＴＯ−Ｍ層
および第４層の二酸化シリコン層より稠密度が小さい層
が第１層、第２層として形成されている。また、第２層
のＩＴＯ−Ｐ層の稠密度と、第３層のＩＴＯ−Ｍ層の稠
密度とが大きく異なっていると共に、第１層の二酸化シ
リコン層の稠密度と、第４層の二酸化シリコン層の稠密
度とが大きく異なっている。

【０１３２】＜実施例９＞紫外線硬化樹脂よりなるハー
ドコートを有するポリオレフィン系樹脂基材を真空装置
に入れて、当該ポリオレフィン系樹脂基材上に下記の層
を形成して、３層構造の膜を得た。この膜は、電磁波低
減膜として有用であった。各層の形成において、基材の
温度は９０℃に維持された。

【０１３３】第１層；膜厚５５０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１３４】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１１００ÅのＩＴＯ−Ｐ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：スズ金属を５重量％含有するインジウム
酸化物 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電圧力：５００Ｗ

【０１３５】第３層；膜厚８５０Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．０×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１３６】この膜においては、第１層の二酸化シリコ
ン層が最も稠密度が小さい。

【０１３７】＜比較例１＞アクリル樹脂基材上に下記の
層を形成して、単層構造の膜を得た。層形成において、
基材の温度は５０℃に維持された。

【０１３８】第１層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚２０００ÅのＩＴＯ−Ｐ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属を５重量％含有するイン
ジウム酸化物 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電圧力：４５０Ｗ

【０１３９】この膜は、単層構造である点で、本発明の
条件を満たさないものである。また、吸収率が２０％を
超えている点でも本発明の条件を満たしていない。

【０１４０】＜比較例２＞ポリカーボネイト樹脂基材上
に下記の層を形成して、３層構造の導電性を有する膜を
得た。各層の形成において、基材の温度は９０℃に維持
された。

【０１４１】第１層；膜厚８００Åの酸化アルミニウム
層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：酸化アルミニウム 蒸着速度 ：３５０Å／ｍｉｎ

【０１４２】第２層；高周波放電イオンプレーティング
蒸着法により形成した膜厚１０００ÅのＩＴＯ−Ｍ層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：２×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：インジウム金属、スズ金属 蒸着速度 ：１２０Å／ｍｉｎ（インジウム金属）、
６Å／ｍｉｎ（スズ金属） ＲＦ放電圧力：８００Ｗ

【０１４３】第３層；膜厚９００Åの二酸化シリコン層 ［蒸着条件］ 酸素ガス圧 ：１．５×１０^-2Ｐａ 蒸着材料 ：二酸化シリコン 蒸着速度 ：６００Å／ｍｉｎ

【０１４４】この膜は、表面抵抗が高く、電磁波低減機
能および導電性が劣る点で、本発明の条件を満たさない
ものである。また、この膜においては、第３層の二酸化
シリコン層の稠密度が最も小さく、また、第２層より稠
密度が小さい層が当該第２層よりも近位側に存在しな
い。

【０１４５】以上の実施例１〜９および比較例１〜２に
ついては、下記の表２〜４に示す。また、各層の屈折率
および稠密度を併せて表２〜４に示す。なお、各層の屈
折率については、下記の手段により算出した。 各層の屈折率 分光光度計により測定した各膜の反射率および透過率か
ら屈折率を算出した。

【０１４６】また、実施例１〜９および比較例１〜２に
よって得られた各膜についての表面抵抗、吸収率、反射
率および透過率について、下記の手段により測定し、そ
の結果を併せて表２〜４に示す。 （１）表面抵抗 共和理研製の４探針プローブを使用して、各膜の表面抵
抗値を測定した。 （２）反射率 日立製作所製の分光光度計「Ｕ−４０００型」によって
測定した。 （３）透過率 日立製作所製の分光光度計「Ｕ−４０００型」によって
測定した。 （４）吸収率 上記（２）および（３）で測定された反射率および透過
率から、下記式（２）により吸収率を求めた。

【０１４７】

【数２】

【０１４８】更に、実施例１〜９および比較例１〜２に
よって得られた各膜についての下記の項目について評価
した。結果を併せて表２〜４に示す。 （１）電磁波低減率 アドバンテスト社製のシールド材料テスターを使用し
て、３０ＭＨｚでの電界低減率を測定した。 （２）基材の色の再現性 基材の色の再現性を目視により判定した。 （３）耐環境性 ［テスト］各膜を５日間、高温高湿下（温度：６０
℃，湿度：９０％）に放置して、当該膜の外観にクラッ
ク、層浮き、変色などの異常の発生の有無を確認した。
そして、外観に異常がないときを「○」、軽微の異常が
認められるときを「△」、著しい異常が認められるとき
を「×」として評価した。 ［テスト］各膜を１日間、高温乾燥下（温度：６０
℃）に放置して、当該膜の外観にクラック、層浮き、変
色などの異常の発生の有無を確認した。そして、外観に
異常がないときを「○」、軽微の異常が認められるとき
を「△」、著しい異常が認められるときを「×」として
評価した。また、温度７０℃の高温乾燥下に放置して
も、外観に異常がないときを「◎」とした。

【０１４９】

【表２】

【０１５０】

【表３】

【０１５１】

【表４】

【０１５２】上記表２〜４の結果から明らかなように、
実施例１〜９の各膜は、電磁波低減率が高くて、基材の
色の再現性が良好であり、しかも耐環境性に優れている
ことが確認された。これに対し、比較例１の膜は、耐環
境性が比較的優れているが、電磁波低減率および基材の
色の再現性が実施例１〜９の膜に比べて劣るものであっ
た。また、比較例２の膜は、基材の色の再現性に優れる
ものであったが、電磁波低減率および耐環境性が実施例
１〜９の膜に比べて劣るものであった。

【０１５３】次に、上記の実施例２、実施例５および実
施例９によって得られた各膜について、波長４５０ｎｍ
〜７００ｎｍの光を、各膜の一面側、すなわち表面側に
照射したときの反射率と、当該光を各膜の他面側、すな
わち裏面側に基材を介して照射したときの反射率とを測
定した。結果を下記の表５に示す。

【０１５４】

【表５】

【０１５５】以上、表５から明らかなように、実施例
２、実施例５および実施例９によって得られた各膜は、
波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの各々の光を、当該膜の表
面側に照射したときの反射率と、当該光を膜の裏面側に
照射したときの反射率との差が小さく、３．０％以下の
ものであった。

【０１５６】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、表面抵
抗が１００Ω／ｃｍ² 以下であるので、光透過性導電性
膜の厚さが小さくても十分に高い導電性が得られると共
に、優れた電磁波低減機能を得ることができ、また、当
該光透過性導電性膜は、複数の層が積層されてなる多層
構成において、基準層よりも近位側に低稠密度層が存在
することにより、高い耐環境性および耐久性が得られ
る。

【０１５７】請求項２に記載の発明によれば、低稠密度
層の光学膜厚が基準層の光学膜厚よりも小さいものとす
ることにより、耐環境性および耐久性を更に向上させる
ことができ、また、光透過性導電性膜全体の厚さが必要
以上に大きくなることを抑制することができる。

【０１５８】請求項３に記載の発明によれば、基準層お
よび低稠密度層を導電性層とすることにより、十分に高
い導電性を有する光透過性導電性膜が得られ、当該導電
性層を混合物により形成する場合には、当該混合物を構
成する導電性材料の組成比を変更することにより容易に
制御された程度の稠密度を有する光透過性導電性膜を得
ることができる。

【０１５９】請求項４に記載の発明によれば、基準層
に、その主成分として酸化インジウムが含有されること
により、容易に光透過性および導電性を有する光透過性
導電性膜が得られる。

【０１６０】請求項５および請求項６に記載の発明によ
れば、基準層および低稠密度層が、いずれも、酸化イン
ジウムと酸化スズとの混合物よりなる場合には、容易
に、しかも確実に優れた光透過性および導電性を有する
光透過性導電性膜が得られる。

【０１６１】請求項７に記載の発明によれば、プラスチ
ック基材の表面に二酸化シリコンよりなる層が形成され
ることにより、プラスチック基材との密着性が高い光透
過性導電性膜が得られる。

【０１６２】請求項８および請求項９に記載の発明によ
れば、基準層および低稠密度層を、誘電体層、特に二酸
化シリコンよりなる層とすることにより、当該誘電体層
の形成時において、その形成条件を変化させることによ
り、容易に制御された程度の稠密度を有する光透過性導
電性膜が得られ、また、可視領域の波長の光に対して十
分な光透過性を有する光透過性導電性膜が得られる。

【０１６３】請求項１０に記載の発明によれば、プラス
チック基材の表面に二酸化シリコンよりなる層が形成さ
れることにより、プラスチック基材との密着性が高い光
透過性導電性膜が得られ、また、当該二酸化シリコンよ
りなる層の形成時において、その形成条件を変化させる
ことにより、容易に制御された程度の稠密度を有する光
透過性導電性膜が得られ、更に、可視領域の波長の光に
対して十分な光透過性を有する光透過性導電性膜が得ら
れる。

【０１６４】請求項１１に記載の発明によれば、基準層
および低稠密度層が互いに接した状態に形成されること
により、十分に高い耐環境性および耐久性を有する光透
過性導電性膜が得られる。

【０１６５】請求項１２に記載の発明によれば、最外層
を二酸化シリコンよりなる層とすることにより、当該最
外層が密着性に優れたものとなり、例えば反射防止膜、
撥水膜などの各種機能性膜との一体性が良好となる光透
過性導電性膜が得られる。

【０１６６】請求項１３に記載の発明によれば、表面抵
抗が５０Ω／ｃｍ² 以下であることにより、より十分に
高い導電性および電磁波低減機能を有する光透過性導電
性膜が得られる。

【０１６７】請求項１４に記載の発明によれば、波長４
５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する透過率が７０％以上
であることにより、可視光線に対する光透過性が十分に
高く、その結果、光量の損失が少なく、プラスチック基
材の色の再現性に優れた光透過性導電性膜が得られる。

【０１６８】請求項１５に記載の発明によれば、波長４
５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対する吸収率が２０％以下
であることにより、プラスチック基材の色の再現性に優
れた光透過性導電性膜が得られ、これにより、実際に見
える色の状態が大きく変化することがない。

【０１６９】請求項１６記載の発明の光学部材によれ
ば、上記の光透過性導電性膜を有するので、限られた光
量を有効に利用しながら、当該光透過性導電性膜によっ
て優れた電磁波低減機能が発揮され、電磁波による悪影
響を抑制することができると共に、当該光学部材から周
囲に対しての電磁波による悪影響を抑制することができ
る。また、当該光学部材への入射光と、光学部材からの
出射光との間の色の変化が少ない。

【０１７０】請求項１７〜請求項１９のいずれかに記載
の電子部品およびこれを有する請求項２０に記載の装置
によれば、上記の光透過性導電性膜を有するので、電子
部品本体から発せられる電磁波が外部に漏れること、あ
るいは、外部から電子部品本体への電磁波の影響を抑制
することができ、いずれの場合においても当該電子回路
の誤作動を防止することができる。また、電子回路の状
態または表示部により示される表示の視認が容易で確実
となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｈ０４Ｎ 5/72 ５Ｃ０９４ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０５Ｋ 9/00 ５Ｅ３２１ Ｈ０４Ｎ 5/72 Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１０ ５Ｆ０５１ Ｈ０５Ｋ 9/00 ３３９Ｚ ５Ｇ３０７ // Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１０ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ ３３９ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ (72)発明者 徳弘 節夫 東京都八王子市石川町2970番地コニカ株式 会社内 (72)発明者 中村 新吾 東京都八王子市石川町2970番地コニカ株式 会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JA05 JA06 JB03 JC07 LA01 2H092 HA01 HA03 MA05 MA06 NA11 NA28 PA01 2K009 AA04 AA15 BB12 BB24 CC03 CC06 DD03 DD06 DD07 EE02 EE03 4F100 AA17C AA19D AA20D AA27D AA33B AA33C AK01A AK45A AR00B AR00C BA03 BA04 BA07 BA25 DA01 EH66B EH66C EH66D GB41 JA13C JA14B JB14A JD08 JG01 JG01B JG01C JG04 JG04B JG04C JL00 JM02B JM02C JM02D JN01 JN01B JN01C JN08 YY00 5C058 AA06 BA06 BA35 DA08 5C094 AA10 AA31 AA60 DA13 EB02 ED01 FB02 FB15 JA01 JA05 JA11 5E321 AA04 AA46 BB22 BB25 BB60 GG05 GH01 5F051 FA01 FA03 FA04 GA03 GA06 GA13 HA03 5G307 FA02 FB01 FC02 FC09 FC10

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラスチック基材の少なくとも表面の一
   部に形成された、表面抵抗が１００Ω／ｃｍ² 以下であ
   る光透過性導電性膜であって、 当該光透過性導電性膜は、複数の層が積層されて形成さ
   れており、 プラスチック基材の表面に対して遠位側に位置する基準
   層よりも近位側に位置する少なくとも１つの層が当該基
   準層より稠密度が小さい低稠密度層であることを特徴と
   する光透過性導電性膜。
2. 【請求項２】 前記基準層の光学膜厚に比して、前記低
   稠密度層の光学膜厚が小さいことを特徴とする請求項１
   に記載の光透過性導電性膜。
3. 【請求項３】 前記基準層および前記低稠密度層は、い
   ずれも、導電性層であることを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載の光透過性導電性膜。
4. 【請求項４】 前記基準層は、酸化インジウムを９０質
   量％以上の割合で含有することを特徴とする請求項１〜
   請求項３のいずれかに記載の光透過性導電性膜。
5. 【請求項５】 前記基準層および前記低稠密度層は、い
   ずれも、酸化インジウムと酸化スズとの混合物よりなる
   ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の光透
   過性導電性膜。
6. 【請求項６】 前記基準層および前記低稠密度層は、い
   ずれも、酸化インジウムの含有割合が９５〜９７質量％
   であり、酸化スズの含有割合が３〜５質量％であること
   を特徴とする請求項５に記載の光透過性導電性膜。
7. 【請求項７】 プラスチック基材の表面に対して前記低
   稠密度層よりも近位側の位置であって、プラスチック基
   材の表面に接する位置に、二酸化シリコンよりなる層を
   有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか
   に記載の光透過性導電性膜。
8. 【請求項８】 前記基準層および前記低稠密度層は、い
   ずれも、誘電体層であることを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載の光透過性導電性膜。
9. 【請求項９】 前記基準層および前記低稠密度層は、い
   ずれも、二酸化シリコンよりなることを特徴とする請求
   項８に記載の光透過性導電性膜。
10. 【請求項１０】 前記低稠密度層は、プラスチック基材
    の表面に接した状態に形成されていることを特徴とする
    請求項１〜請求項６、請求項８および請求項９のいずれ
    かに記載の光透過性導電性膜。
11. 【請求項１１】 前記基準層および前記低稠密度層は、
    互いに接した状態に形成されていることを特徴とする請
    求項１〜請求項１０のいずれかに記載の光透過性導電性
    膜。
12. 【請求項１２】 プラスチック基材の表面に対して最も
    遠位側に位置する最外層は、二酸化シリコンよりなるこ
    とを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれかに記載
    の光透過性導電性膜。
13. 【請求項１３】 表面抵抗が５０Ω／ｃｍ² 以下である
    ことを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記
    載の光透過性導電性膜。
14. 【請求項１４】 波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対
    する透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項
    １〜請求項１３のいずれかに記載の光透過性導電性膜。
15. 【請求項１５】 波長４５０ｎｍ〜７００ｎｍの光に対
    する吸収率が２０％以下であることを特徴とする請求項
    １〜請求項１４のいずれかに記載の光透過性導電性膜。
16. 【請求項１６】 光学機能を有するプラスチック基材
    と、このプラスチック基材の少なくとも表面の一部に形
    成された、請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の光
    透過性導電性膜とを有することを特徴とする光学部材。
17. 【請求項１７】 請求項１〜請求項１５のいずれかに記
    載の光透過性導電性膜が形成されたプラスチック基材を
    有することを特徴とする電子部品。
18. 【請求項１８】 前記プラスチック基材は、電子部品本
    体の少なくとも一部を覆うカバー部材であることを特徴
    とする請求項１７に記載の電子部品。
19. 【請求項１９】 前記プラスチック基材は、電子部品本
    体を収容する容器の少なくとも一部であることを特徴と
    する請求項１７に記載の電子部品。
20. 【請求項２０】 請求項１７〜請求項１９のいずれかに
    記載の電子部品を有することを特徴とする装置。