JP2001189828A - 画像読取装置及びその駆動制御方法 - Google Patents

画像読取装置及びその駆動制御方法

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JP2001189828A JP37546899A JP37546899A JP2001189828A JP 2001189828 A JP2001189828 A JP 2001189828A JP 37546899 A JP37546899 A JP 37546899A JP 37546899 A JP37546899 A JP 37546899A JP 2001189828 A JP2001189828 A JP 2001189828A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトセンサの最適な読取感度を設定する読
取感度設定動作や、被写体画像の画像読み取り動作にお
ける消費電力の低減を図り、良好に携帯情報端末等へ適
用することができる画像読取装置及びその駆動制御方法
を提供する。 【解決手段】 ダブルゲート型フォトセンサ10を2次
元配列して構成されるフォトセンサアレイ100と、ダ
ブルゲート型フォトセンサ10のトップゲートにリセッ
トパルスを印加するトップゲートドライバ111と、ダ
ブルゲート型フォトセンサ10のボトムゲートに読み出
しパルスを印加するボトムゲートドライバ112と、ダ
ブルゲート型フォトセンサ10からの出力電圧の読み出
しを行う出力回路部113と、被写体に所定の照射光を
照射するバックライト118と、環境照度判定動作や点
灯状態設定動作、読取感度設定動作、画像読み取り動
作、実効電圧調整動作を実行制御するコントローラ12
0と、を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像読取装置及び
その駆動制御方法に関し、特に、いわゆる、ダブルゲー
ト構造を有する薄膜トランジスタを2次元配列して構成
されるフォトセンサアレイを備え、指紋等の2次元画像
を読み取る画像読取装置及びその駆動制御方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、印刷物や写真、あるいは、指紋等
の微細な凹凸の形状等を読み取る2次元画像の読取装置
として、光電変換素子(フォトセンサ)をマトリクス状
に配列して構成されるフォトセンサアレイを有する構造
のものがある。このようなフォトセンサアレイとして、
一般に、CCD(Charge Coupled Device)等の固体撮
像デバイスが用いられている。CCDは、周知の通り、
フォトダイオードや薄膜トランジスタ(TFT:ThinFi
lm Transistor)等のフォトセンサをマトリクス状に配
列した構成を有し、各フォトセンサの受光部に照射され
た光量に対応して発生する電子−正孔対の電荷量を、水
平走査回路及び垂直走査回路により検出し、照射光の輝
度を検知している。
【0003】このようなCCDを用いたフォトセンサシ
ステムにおいては、走査された各フォトセンサを選択状
態にするための選択トランジスタを個別に設ける必要が
あるため、画素数が増大するにしたがって、システム自
体が大型化するという問題を有している。そこで、近
年、このような問題を解決するための構成として、フォ
トセンサ自体にフォトセンス機能と選択トランジスタ機
能とを持たせた、いわゆる、ダブルゲート構造を有する
薄膜トランジスタ(以下、ダブルゲート型フォトセンサ
という)を画像読取装置に適用して、システムの小型
化、及び、画素の高密度化を図る試みがなされている。
【0004】このようなフォトセンサを用いた画像読取
装置は、概略、ガラス基板の一面側にトップゲート電極
及びボトムゲート電極を備えたダブルゲート型フォトセ
ンサをマトリクス状に形成して、フォトセンサアレイを
構成し、例えば、ガラス基板の背面側に設けられた光源
から照射光を照射して、フォトセンサアレイ上方の検知
面に載置された指紋等の2次元画像の画像パターンに応
じた反射光を、ダブルゲート型フォトセンサにより明暗
情報として検出し、2次元画像を読み取るものである。
ここで、フォトセンサアレイによる画像の読み取り動作
は、リセットパルスの印加による初期化終了時から読み
出しパルスが印加されるまでの光蓄積期間において、各
ダブルゲート型フォトセンサ毎に蓄積されるキャリヤ
(正孔)の蓄積量に基づいて、明暗情報が検出される。
なお、ダブルゲート型トランジスタ、及び、フォトセン
サアレイの具体的な構成及び動作については、後述す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなダブル
ゲート型フォトセンサを適用したフォトセンサシステム
においては、以下に示すような問題を有していた。すな
わち、ダブルゲート型フォトセンサを適用したセンサシ
ステムにおいては、光蓄積期間におけるフォトセンサ毎
のキャリヤ(正孔)の蓄積量に基づいて、画像の読み取
りが行われるので、種々の環境下で被写体画像(2次元
画像)を良好に読み取るためには、上記光蓄積期間(す
なわち、読取感度に相当する)を適切に設定する必要が
ある。
【0006】ここで、光蓄積期間は、環境照度等の周囲
の条件に大きく依存するため、従来においては、被写体
画像の画像読み取り動作を開始する前に標準試料等を検
知面に載置し、光蓄積期間を複数段階に変えて読み取り
動作(いわゆる、読取感度設定動作)を行い、その読取
結果に基づいて、環境照度等の周囲の条件に応じた最適
な光蓄積期間を求める手法を採用していた。しかしなが
ら、上述したような従来技術に係るフォトセンサシステ
ムにおいては、上記読取感度設定動作、及び、それに引
き続き実行される被写体画像の画像読み取り動作時に
は、検知面に載置された被写体に対して、ガラス基板の
背面側に設けられた光源から照射光を継続的又は連続的
に照射する必要があり、これに伴って消費電力の増大を
招くという問題を有していた。特に、このような消費電
力の問題は、低消費電力化が強く求められる携帯情報端
末等に、画像読取装置を適用する際には顕著かつ重大な
問題となっていた。
【0007】そこで、本発明は、上述した問題を解決
し、フォトセンサの最適な読取感度を設定する読取感度
設定動作や、被写体画像の画像読み取り動作における消
費電力の低減を図り、良好に携帯情報端末等へ適用する
ことができる画像読取装置及びその駆動制御方法を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
る画像読取装置は、複数のフォトセンサを2次元配列し
て構成されるフォトセンサアレイと、前記フォトセンサ
アレイの前面側に載置された被写体に対して、前記フォ
トセンサアレイの背面側から照射光を照射する光源と、
前記光源を消灯した状態における環境照度を判定する環
境照度判定手段と、前記環境照度に基づいて、前記光源
の点灯状態を設定する点灯状態設定手段と、前記環境照
度判定時、又は、前記点灯状態設定後、の少なくともい
ずれか一方において、前記フォトセンサアレイにおける
画像読取感度を変化させつつ、前記2次元配列されたフ
ォトセンサに対応する画素より構成される被写体画像を
読み取り、前記画像読取感度毎の前記被写体画像の画像
パターンに基づいて、最適な画像読取感度を求める読取
感度設定手段と、前記最適な画像読取感度に基づいて、
前記2次元配列されたフォトセンサに対応する画素より
構成される被写体画像を読み取る画像読み取り手段と、
を具備することを特徴としている。
【0009】請求項2記載の発明に係る画像読取装置
は、請求項1記載の画像読取装置において、前記点灯状
態設定手段は、前記光源を点灯、又は、消灯、いずれか
一方の状態にする光源設定手段を備えていることを特徴
としている。請求項3記載の発明に係る画像読取装置
は、請求項1記載の画像読取装置において、前記環境照
度判定手段は、前記光源を消灯状態に維持し、前記被写
体が前記フォトセンサアレイの前面側に載置された状態
で、前記2次元配列されたフォトセンサに対応する画素
より構成される被写体画像を読み取り、前記画像読取感
度毎の前記被写体画像の画像パターンに基づいて最適な
画像読取感度を求め、該画像読取感度に対して予め設定
されたしきい値に基づいて環境照度を判定することを特
徴としている。
【0010】請求項4記載の発明に係る画像読取装置
は、請求項1記載の画像読取装置において、前記環境照
度判定手段は、前記被写体が載置される前記フォトセン
サアレイとは別個独立して設けられた環境照度検出部を
備え、前記環境照度検出部は少なくとも1つのフォトセ
ンサを備え、該フォトセンサの出力電圧に対して予め設
定されたしきい値に基づいて環境照度を判定することを
特徴としている。請求項5記載の発明に係る画像読取装
置は、請求項1乃至4のいずれかに記載の画像読取装置
において、前記画像読取装置は、前記フォトセンサアレ
イにおける第1の電極に印加される実効電圧を最適値に
するための第1の信号電圧を印加するとともに、前記フ
ォトセンサアレイにおける第2の電極に印加される実効
電圧を最適値にするための第1の信号電圧を印加する実
効電圧調整手段を具備することを特徴としている。
【0011】請求項6記載の発明に係る画像読取装置
は、請求項5記載の画像読取装置において、前記フォト
センサは、半導体層からなるチャネル領域を挟んで形成
されたソース電極及びドレイン電極と、少なくとも前記
チャネル領域の上方及び下方に各々絶縁膜を介して形成
されたトップゲート電極及びボトムゲート電極と、を備
えたダブルゲート構造を有し、前記トップゲート電極を
前記第1の電極として、前記リセットパルスを印加し、
前記ボトムゲート電極を前記第2の電極として、前記読
み出しパルスを印加することにより、前記初期化終了か
ら前記読み出しパルスの印加までの電荷蓄積期間に前記
チャネル領域に蓄積された電荷に対応した電圧を出力す
ることを特徴としている。
【0012】請求項7記載の発明に係る画像読取装置の
駆動制御方法は、複数のフォトセンサを2次元配列して
構成されるフォトセンサアレイと、前記フォトセンサア
レイの前面側に載置された被写体に対して、前記フォト
センサアレイの背面側から照射光を照射する光源と、を
備えた画像読取装置の駆動制御方法において、前記光源
を消灯した状態における環境照度を判定する環境照度判
定動作を実行する手順と、該環境照度に基づいて、前記
光源の点灯状態を設定する点灯状態設定動作を実行する
手順と、前記環境照度判定時、又は、前記点灯状態設定
後、の少なくともいずれか一方において、前記フォトセ
ンサアレイにおける画像読取感度を変化させつつ、前記
2次元配列されたフォトセンサに対応する画素より構成
される被写体画像を読み取り、前記画像読取感度毎の前
記被写体画像の画像パターンに基づいて、最適な画像読
取感度を求める読取感度設定動作を実行する手順と、前
記最適な画像読取感度に基づいて、前記2次元配列され
たフォトセンサに対応する画素より構成される被写体画
像を読み取る画像読み取り動作を実行する手順と、を含
むことを特徴としている。
【0013】請求項8記載の発明に係る画像読取装置の
駆動制御方法は、請求項7記載の画像読取装置の駆動制
御方法において、点灯状態設定動作を実行する手順は、
前記光源を点灯、又は、消灯、いずれか一方の状態にす
ることを特徴としている。請求項9記載の発明に係る画
像読取装置の駆動制御方法は、請求項7記載の画像読取
装置の駆動制御方法において、前記環境照度判定動作を
実行する手順は、前記光源を消灯状態に維持し、前記被
写体が前記フォトセンサアレイの前面側に載置された状
態で、前記2次元配列されたフォトセンサに対応する画
素より構成される被写体画像を読み取り、前記画像読取
感度毎の前記被写体画像の画像パターンに基づいて最適
な画像読取感度を求め、該画像読取感度に対して予め設
定されたしきい値に基づいて環境照度を判定することを
特徴としている。
【0014】請求項10記載の発明に係る画像読取装置
の駆動制御方法は、請求項7記載の画像読取装置の駆動
制御方法において、前記環境照度判定動作を実行する手
順は、前記被写体が載置される前記フォトセンサアレイ
とは別個独立して設けられた環境照度検出部に備えられ
たフォトセンサの出力電圧に対して予め設定されたしき
い値に基づいて環境照度を判定することを特徴としてい
る。請求項11記載の発明に係る画像読取装置の駆動制
御方法は、請求項7乃至10のいずれかに記載の画像読
取装置の駆動制御方法において、前記画像読取装置の駆
動制御方法は、前記フォトセンサアレイにおける第1の
電極に印加される実効電圧を最適値にするための第1の
信号電圧を印加するとともに、前記フォトセンサアレイ
における第2の電極に印加される実効電圧を最適値にす
るための第1の信号電圧を印加する実効電圧調整動作を
実行する手順を含むことを特徴としている。
【0015】請求項12記載の発明に係る画像読取装置
の駆動制御方法は、請求項11記載の画像読取装置の駆
動制御方法において、前記フォトセンサは、半導体層か
らなるチャネル領域を挟んで形成されたソース電極及び
ドレイン電極と、少なくとも前記チャネル領域の上方及
び下方に各々絶縁膜を介して形成されたトップゲート電
極及びボトムゲート電極と、を備えたダブルゲート構造
を有し、前記トップゲート電極を前記第1の電極とし
て、前記リセットパルスを印加し、前記ボトムゲート電
極を前記第2の電極として、前記読み出しパルスを印加
することにより、前記初期化終了から前記読み出しパル
スの印加までの電荷蓄積期間に前記チャネル領域に蓄積
された電荷に対応した電圧を出力することを特徴として
いる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る画像読取装
置及びその駆動制御方法の実施の形態について詳しく説
明する。まず、本発明に係る画像読取装置に適用される
ダブルゲート型トランジスタについて、図面を参照して
説明する。図1は、ダブルゲート型トランジスタの構造
を示す概略断面図である。図1(a)に示すように、ダ
ブルゲート型フォトセンサ10は、可視光が入射される
と電子−正孔対が生成されるアモルファスシリコン等の
半導体層(チャネル層)11と、半導体層11の両端に
それぞれ設けられたnシリコン層17、18と、n
シリコン層17、18上に形成されたソース電極12及
びドレイン電極13と、半導体層11の上方(図面上
方)にブロック絶縁膜14及び上部(トップ)ゲート絶
縁膜15を介して形成されたトップゲート電極21と、
半導体層11の下方(図面下方)に下部(ボトム)ゲー
ト絶縁膜16を介して形成されたボトムゲート電極22
と、を有して構成されている。
【0017】なお、図1(a)において、トップゲート
電極21、トップゲート絶縁膜15、ボトムゲート絶縁
膜16、及び、トップゲート電極21上に設けられる保
護絶縁膜20は、いずれも半導体層11を励起する可視
光に対して透過率の高い材質により構成され、一方、ボ
トムゲート電極22は、可視光の透過を遮断する材質に
より構成されることにより、図面上方から入射する照射
光のみを検知する構造を有している。すなわち、ダブル
ゲート型フォトセンサ10は、半導体層11を共通のチ
ャネル領域として、半導体層11、ソース電極12、ド
レイン電極13及びトップゲート電極21により形成さ
れる上部MOSトランジスタと、半導体層11、ソース
電極12、ドレイン電極13及びボトムゲート電極22
により形成される下部MOSトランジスタとからなる2
つのMOSトランジスタの組み合わせた構造が、ガラス
基板等の透明な絶縁性基板19上に形成されている。そ
して、このようなダブルゲート型フォトセンサ10は、
一般に、図1(b)に示すような等価回路により表され
る。ここで、TGはトップゲート端子、BGはボトムゲ
ート端子、Sはソース端子、Dはドレイン端子である。
【0018】次に、上述したダブルゲート型フォトセン
サを2次元配列して構成されるフォトセンサシステムに
ついて、図面を参照して簡単に説明する。図2は、ダブ
ルゲート型フォトセンサを2次元配列して構成されるフ
ォトセンサシステムの概略構成図である。図2に示すよ
うに、フォトセンサシステムは、大別して、多数のダブ
ルゲート型フォトセンサ10を、例えば、n行×m列の
マトリクス状に配列したフォトセンサアレイ100と、
各ダブルゲート型フォトセンサ10のトップゲート端子
TG及びボトムゲート端子BGを各々行方向に接続した
トップゲートライン101及びボトムゲートライン10
2と、トップゲートライン101及びボトムゲートライ
ン102に各々接続されたトップゲートドライバ111
及びボトムゲートドライバ112と、各ダブルゲート型
フォトセンサのドレイン端子Dを列方向に接続したデー
タライン103と、データライン103に接続された出
力回路部113と、を有して構成される。ここで、φtg
及びφbgは、それぞれリセットパルスφT1、φT2、
…φTi、…φTn、及び、読み出しパルスφB1、φ
B2、…φBi、…φBnを生成するための制御信号、
φpgは、プリチャージ電圧Vpgを印加するタイミングを
制御するプリチャージ信号である。
【0019】このような構成において、トップゲートド
ライバ111からトップゲート端子TGに電圧を印加す
ることによりフォトセンス機能が実現され、ボトムゲー
トドライバ112からボトムゲート端子BGに電圧を印
加し、データライン103を介して検出信号を出力回路
部113に取り込んでシリアルデータとして出力(Vou
t)することにより選択読み出し機能が実現される。
【0020】次に、上述したフォトセンサシステムの駆
動制御方法について、図面を参照して説明する。図3
は、フォトセンサシステムの駆動制御方法の一例を示す
タイミングチャートであり、図4は、ダブルゲート型フ
ォトセンサの動作概念図であり、図5は、フォトセンサ
システムの出力電圧の光応答特性を示す図である。ま
ず、リセット動作においては、図3、図4(a)に示す
ように、i番目の行のトップゲートライン101にパル
ス電圧(リセットパルス;例えばVtg=+15Vのハイ
レベル)φTiを印加して、各ダブルゲート型フォトセ
ンサ10の半導体層に蓄積されているキャリア(正孔)
を放出する(リセット期間Treset)。
【0021】次いで、光蓄積動作においては、図3、図
4(b)に示すように、トップゲートライン101にロ
ーレベル(例えばVtg=−15V)のバイアス電圧φT
iを印加することにより、リセット動作を終了し、キャ
リヤ蓄積動作による光蓄積期間Taがスタートする。光
蓄積期間Taにおいては、トップゲート電極側から入射
した光量に応じてチャネル領域にキャリアが蓄積され
る。そして、プリチャージ動作においては、図3、図4
(c)に示すように、光蓄積期間Taに並行して、プリ
チャージ信号φpgに基づいてデータライン103に所定
の電圧(プリチャージ電圧)Vpgを印加し、ドレイン電
極13に電荷を保持させる(プリチャージ期間Tprc
h)。
【0022】次いで、読み出し動作においては、図3、
図4(d)に示すように、プリチャージ期間Tprchを経
過した後、ボトムゲートライン102にハイレベル(例
えばVbg=+10V)のバイアス電圧(読み出し選択信
号;以下、読み出しパルスという)φBiを印加するこ
とにより、ダブルゲート型フォトセンサ10をON状態
にする(読み出し期間Tread)。ここで、読み出し期間
Treadにおいては、チャネル領域に蓄積されたキャリア
(正孔)が逆極性のトップゲート端子TGに印加された
Vtg(−15V)を緩和する方向に働くため、ボトムゲ
ート端子BGのVbgによりnチャネルが形成され、ドレ
イン電流に応じてデータライン103のデータライン電
圧VDは、図5(a)に示すように、プリチャージ電圧
Vpgから時間の経過とともに徐々に低下する傾向を示
す。
【0023】すなわち、光蓄積期間Taにおける光蓄積
状態が暗状態で、チャネル領域にキャリヤ(正孔)が蓄
積されていない場合には、図4(e)、図5(a)に示
すように、トップゲートTGに負バイアスをかけること
によって、ボトムゲートBGの正バイアスが打ち消さ
れ、ダブルゲート型フォトセンサ10はOFF状態とな
り、ドレイン電圧、すなわち、データライン103の電
圧VDが、ほぼそのまま保持されることになる。一方、
光蓄積状態が明状態の場合には、図4(d)、図5
(a)に示すように、チャネル領域に入射光量に応じた
キャリヤ(正孔)が捕獲されているため、トップゲート
TGの負バイアスを打ち消すように作用し、この打ち消
された分だけボトムゲートBGの正バイアスによって、
ダブルゲート型フォトセンサ10はON状態となる。そ
して、この入射光量に応じたON抵抗に従って、データ
ライン103の電圧VDは、低下することになる。
【0024】したがって、図5(a)に示したように、
データライン103の電圧VDの変化傾向は、トップゲ
ートTGへのリセットパルスφTiの印加によるリセッ
ト動作の終了時点から、ボトムゲートBGに読み出しパ
ルスφBiが印加されるまでの時間(光蓄積期間Ta)
に受光した光量に深く関連し、蓄積されたキャリアが少
ない場合には緩やかに低下する傾向を示し、また、蓄積
されたキャリアが多い場合には急峻に低下する傾向を示
す。そのため、読み出し期間Treadがスタートして、所
定の時間経過後のデータライン103の電圧VDを検出
することにより、あるいは、所定のしきい値電圧を基準
にして、その電圧に至るまでの時間を検出することによ
り、照射光の光量が換算される。
【0025】上述した一連の画像読み取り動作を1サイ
クルとして、i+1番目の行のダブルゲート型フォトセ
ンサ10にも同等の処理手順を繰り返すことにより、ダ
ブルゲート型フォトセンサ10を2次元のセンサシステ
ムとして動作させることができる。なお、図3に示した
タイミングチャートにおいて、プリチャージ期間Tprch
の経過後、図4(f)、(g)に示すように、ボトムゲ
ートライン102にローレベル(例えばVbg=0V)を
印加した状態を継続すると、ダブルゲート型フォトセン
サ10はOFF状態を持続し、図5(b)に示すよう
に、データライン103の電圧VDは、プリチャージ電
圧Vpgを保持する。このように、ボトムゲートライン1
02への電圧の印加状態により、ダブルゲート型フォト
センサ10の読み出し状態を選択する選択機能が実現さ
れる。
【0026】図6は、上述したようなフォトセンサシス
テムを適用した2次元画像の画像読取装置の要部断面図
である。図6に示すように、指紋等の2次元画像を読み
取る画像読取装置においては、ダブルゲート型トランジ
スタ10のガラス基板19下方側に設けられた導光板3
1、光源32からなるバックライト30から照射光R1
を入射させ、この照射光R1がダブルゲート型トランジ
スタ10の形成領域を除く、透明な絶縁性基板19と絶
縁膜15、16、20を透過して、保護絶縁膜20上の
被写体(指)40に照射される。そして、被写体40の
画像パターン(あるいは、凹凸パターン)によって決ま
る反射率に応じた反射光R2が、透明な絶縁膜20、1
5、14及びトップゲート電極21を透過して半導体層
11に入射することにより、被写体40の画像パターン
に対応したキャリヤが蓄積され、上述した一連の駆動制
御方法にしたがって、被写体40の画像パターンを明暗
情報として読み取ることができる。
【0027】<第1の実施形態>次に、本発明に係る画
像読取装置の第1の実施形態について、図面を参照して
説明する。なお、以下に示す実施形態においては、フォ
トセンサとして、上述したダブルゲート型フォトセンサ
を適用し、トップゲート電極を第1の電極として電圧を
印加することにより、フォトセンス機能を実現するとと
もに、ボトムゲート電極を第2の電極として電圧を印加
することにより、チャネル領域に蓄積された電荷量を読
み出す機能を実現するものとして説明する。図7は、本
発明に係る画像読取装置の第1の実施形態を示す概略構
成図である。なお、ここでは、図1、図2、図6に示し
た構成を適宜参照しながら説明する。また、図2に示し
たフォトセンサシステムと同等の構成については、同一
の符号を付して説明する。
【0028】図7に示すように、本実施形態に係る画像
読取装置は、図1に示したダブルゲート型フォトセンサ
10を2次元配列して構成されるフォトセンサアレイ1
00と、ダブルゲート型フォトセンサ10のトップゲー
ト端子TGに所定のタイミングで、所定のトップゲート
電圧(リセットパルス)を印加するトップゲートドライ
バ111と、ダブルゲート型フォトセンサ10のボトム
ゲート端子BGに所定のタイミングで、所定のボトムゲ
ート電圧(読み出しパルス)を印加するボトムゲートド
ライバ112と、ダブルゲート型フォトセンサ10への
プリチャージ電圧の印加及びデータライン電圧の読み出
しを行うコラムスイッチ114、プリチャージスイッチ
115、アンプ116からなる出力回路部113と、読
み出されたデータ電圧(アナログ信号)をデジタル信号
からなる画像データに変換するアナログ−デジタル変換
器(以下、A/Dコンバータと記す)117と、フォト
センサアレイ100が形成されたガラス基板の背面側に
配置され、被写体に所定の照射光を照射するバックライ
ト(光源)118と、フォトセンサアレイ100による
被写体画像の読取動作制御(画像読み取り動作)や外部
機能部200とのデータのやり取り等を行うとともに、
本発明における環境照度判定動作や点灯状態設定動作、
読取感度設定動作、実効電圧調整動作を実行制御する機
能を備えたコントローラ120と、読取画像データや読
取感度の設定、環境照度の判定、実効電圧の調整等に関
連するデータ等を記憶するRAM130と、を有して構
成されている。
【0029】ここで、フォトセンサアレイ100、トッ
プゲートドライバ111、ボトムゲートドライバ11
2、出力回路部113(コラムスイッチ114、プリチ
ャージスイッチ115、アンプ116)からなる構成
は、図2に示したフォトセンサシステムと略同等の構成
及び機能を有しているので、その詳細な説明を省略す
る。また、バックライト118は、所定の波長を有する
単色光を発光する光源と、透明なアクリル等の合成樹脂
板により構成され、光源から発せられて入射した光を板
内部で均一に散乱させ、フォトセンサアレイ100上方
の検知面に載置された被検出体に略均一に照射光を照射
する導光板とを有して構成される面光源である。
【0030】コントローラ120は、トップゲートドラ
イバ111及びボトムゲートドライバ112に制御信号
φtg、φbgを出力することにより、トップゲートドライ
バ111及びボトムゲートドライバ112の各々から、
フォトセンサアレイ100を構成する各ダブルゲート型
フォトセンサのトップゲート端子TG及びボトムゲート
端子BGに所定の信号電圧(リセットパルスφTi、読
み出しパルスφBi)を印加するとともに、プリチャー
ジスイッチ115に制御信号φpgを出力することによ
り、データラインにプリチャージ電圧Vpgを印加して、
被写体画像の読取動作の実行を制御する。
【0031】また、コントローラ120には、ダブルゲ
ート型フォトセンサ10からコラムスイッチ114を介
して読み出されたデータライン電圧VDが、アンプ11
6及びA/Dコンバータ117を介してデジタル信号に
変換され、画像データとして入力される。コントローラ
120は、この画像データに対して、所定の画像処理を
施したり、RAM130への書き込み、読み出しを行う
とともに、画像データの照合や加工等の所定の処理を実
行する外部機能部200に対してインタフェースとして
の機能をも備えている。
【0032】さらに、コントローラ120は、トップゲ
ートドライバ111及びボトムゲートドライバ112に
出力する制御信号φtg、φbgを設定制御することによ
り、外光等の環境照度に対応して被写体画像を最適に読
み込むことができる読取感度、すなわち、ダブルゲート
型フォトセンサ10の最適な光蓄積期間Taを設定する
機能、最適な光蓄積期間に基づいて環境照度を判定する
機能、該環境照度に基づいて被写体画像の読取動作時に
おけるバックライトの点灯状態を設定制御する機能、及
び、ダブルゲート型フォトセンサ10のトップゲートT
G及びボトムゲートBGに印加される実効電圧の偏りを
最適値に調整する機能を有している。したがって、コン
トローラ120は、環境照度判定手段、点灯状態設定手
段、読取感度設定手段、画像読み取り手段、及び、実効
電圧調整手段を構成している。
【0033】次に、本実施形態に係る画像読取装置の駆
動制御方法について、図面を参照して説明する。図8
は、本実施形態に係る画像読取装置の駆動制御方法の処
理手順を示すフローチャートであり、図9は、本実施形
態に係る画像読取装置の駆動制御方法の一例を示すタイ
ミングチャートであり、図10は、被写体を透過する外
光の状況を示す概念図であり、図11は、環境照度と光
蓄積期間との対応関係を示す測定データである。ここで
は、図2、図7に示した画像読取装置の構成を適宜参照
しながら、その駆動制御手順及び方法を説明する。図
8、図9に示すように、本実施形態に係る画像読取装置
の駆動制御方法は、環境照度判定動作と、点灯状態設定
動作、読取感度設定動作と、画像読み取り動作と、実効
電圧調整動作の各手順を有し、いずれもコントローラ1
20により各動作制御が行われる。以下、各処理動作に
ついて具体的に説明する。
【0034】<環境照度判定動作/点灯状態設定動作>
図8、図9に示すように、本実施形態における環境照度
判定動作は、まず、フォトセンサアレイ100上方の検
知面に指等の被写体を載置した状態で、バックライト1
18を消灯状態に設定制御した後(手順S11)、ダブ
ルゲート型フォトセンサ10のトップゲート端子TGを
行方向に接続するトップゲートライン101の各々に対
して、所定の遅れ時間Tdlyの時間間隔で順次リセット
パルスφT1、φT2、…φTnを印加してリセット期
間Trstをスタートし、各行毎のダブルゲート型フォト
センサ10を初期化する。ここで、リセットパルスφT
1、φT2、…φTnは、ハイレベルが信号電圧Vtg
h、ローレベルが信号電圧Vtglのパルス信号であり、ハ
イレベルVtghのリセットパルスφT1、φT2、…φ
Tnが印加されるタイミング以外では、ローレベルの信
号電圧Vtglが印加された状態にある。
【0035】次いで、リセットパルスφT1、φT2、
…φTnが立ち下がり、リセット期間Trstが終了する
ことにより、光蓄積期間TA1、TA2、…TAnが順次
スタートして、各行毎にダブルゲート型フォトセンサ1
0のトップゲート電極側から入射される光量に応じてチ
ャネル領域に電荷(正孔)が発生し、蓄積される。そし
て、各行毎に設定される光蓄積期間TA1、TA2、…T
nは、図9に示すように、最後のリセットパルスφT
nが立ち下がった後、各行毎に所定の遅れ時間Tdly分
ずつ段階的に変化させるように、プリチャージ信号φpg
及び読み出しパルスφBn、…φB2、φB1を順次印
加して、読み出し期間Trdをスタートし、ダブルゲート
型フォトセンサ10に蓄積された電荷に対応する電圧変
化VDが、出力回路部113によりデータライン103
を介して読み出され、順次RAM130に記憶される。
【0036】ここで、読み出しパルスφB1、φB2、
…φBnは、ハイレベルが信号電圧Vbgh、ローレベル
が信号電圧Vbglのパルス信号であり、ハイレベルVbgh
の読み出しパルスφB1、φB2、…φBnが印加され
るタイミング以外では、ローレベルの信号電圧Vbghが
印加された状態にある。なお、照射光量の検出方法は、
上述したフォトセンサシステムと同様に、各データライ
ン103の電圧VDの低下傾向を、読み出し期間Trdが
スタートして、所定の時間経過後の電圧値を検出するこ
とにより、あるいは、所定のしきい値電圧を基準にし
て、その電圧値に至るまでの時間を検出することによ
り、照射光量に換算する。したがって、このような環境
照度判定動作によれば、各行毎に設定される光蓄積期間
TA1、TA2、…TAn相互が所定の遅れ時間Tdlyの2
倍の時間間隔で増加するので、一画面の読み込み動作に
より行数分以上の感度調整幅で設定された読取感度で読
み取られた画像データが得られる。そして、この画像デ
ータに基づいて、コントローラ120は、明暗パターン
のコントラストが最大となる光蓄積期間を抽出し、環境
照度の判定に用いる最適な光蓄積期間Taを決定する。
【0037】ここで、バックライト118が消灯状態に
おいては、図10に示すように、フォトセンサアレイ1
00上の検知面に載置された被写体、例えば、指40a
の上方から照射される外光(白色光)R1は、指40a
の肉厚の薄い部分において、光の透過を生じ、また、皮
膚の表層40bに入射した光R2は、皮膚に含まれる赤
色系の色素内で伝搬、散乱を繰り返し、白色光のうち主
に波長の長い赤色の可視光R3が指40aの表面からフ
ォトセンサアレイ100に放出されるので、上記一連の
画像読取手順により得られる光蓄積期間Taは、被写体
を透過してフォトセンサアレイ100に達した自然光や
人工光等の外光(環境照度)の寄与によるものと考える
ことができる。そこで、このような考えに基づいて、環
境照度と被写体画像を良好に読み取ることができる最適
な光蓄積期間との関係について鋭意検討した結果、図1
1に示すように、概ね1000ルクス(Lx)以上の環
境照度になると、光蓄積期間が短くなり、環境照度によ
る被写体画像の読み取りへの寄与が増大する(支配的な
っていく)ことが認められた。
【0038】すなわち、環境照度が1000ルクス以上
の環境下においては、バックライトからの照射光に対す
る被写体表面での反射光よりも、被写体を透過した外光
の方が、フォトセンサアレイ100による画像読み取り
動作に大きく寄与するので、バックライトを消灯状態に
設定しても、外光のみで被写体画像を良好に読み取るこ
とができる。したがって、図11に示した環境照度と光
蓄積期間との対応関係を有する参照テーブルや近似式を
コントローラ120及びRAM130に保持しておくこ
とにより、上述した環境照度判定動作により決定された
光蓄積期間Taに基づいて、環境照度を抽出、あるい
は、逆算することができる(手順S12)。
【0039】次いで、算出された環境照度が所定のしき
い値レベル以上か否かが判定され(手順S13)、環境
照度がしきい値レベル以上の場合には、以後の被写体画
像を読み取る全ての動作において、バックライトが消灯
状態に設定制御される。一方、環境照度がしきい値レベ
ル以下の場合には、以後の被写体画像を読み取る全ての
動作において、バックライトが点灯状態に設定制御され
る(手順S14)。ここで、環境照度の判定基準となる
しきい値レベルは、例えば、上述した1000ルクスを
適用することができる。なお、上記一連の画像読取手順
において設定される読取感度、すなわち、各行毎に設定
される光蓄積期間TA1、TA2、…TAnは、後述する
読取感度設定動作において設定される光蓄積時間よりも
遅延時間間隔が長いか、あるいは、設定数が少なくても
よい。図11に示したように、環境照度と最適な光蓄積
期間との関係(変化傾向)は、極めて緩やかであるた
め、概ね1000ルクス以上になっているか否かが概略
的に判明すればよいからである。
【0040】<読取感度設定動作>図8、図9に示すよ
うに、本実施形態における読取感度設定動作(手順S1
5)は、上述した環境照度判定動作において実行した一
連の画像読取手順と同等の処理手順を有している。ま
ず、フォトセンサアレイ100上方の検知面に指等の被
写体が載置された状態で、バックライト118を点灯状
態に設定制御した後、フォトセンサアレイ100のトッ
プゲートライン101に対して、所定の遅れ時間Tdly
の時間間隔でリセットパルスφT1、φT2、…φTn
を印加して、各行毎のダブルゲート型フォトセンサ10
を初期化する。次いで、リセット期間Trstが終了する
と、光蓄積期間TB1、TB2、…TBnが順次スタート
して、各行毎にダブルゲート型フォトセンサ10に入射
される光量に応じてチャネル領域に電荷(正孔)が発生
し、蓄積される。
【0041】そして、プリチャージ信号φpg及び読み出
しパルスφBn、…φB2、φB1の印加により、各行
毎に設定された光蓄積期間TB1、TB2、…TBnに蓄
積された電荷に対応する電圧変化VDを、出力回路部1
13を介して読み出し、順次RAM130に記憶する。
したがって、このような読取感度設定動作によれば、各
行毎に設定される光蓄積期間TB1、TB2、…TBn
互が所定の遅れ時間Tdlyの2倍の時間間隔で増加する
ので、一画面の読み込み動作により行数分以上の感度調
整幅で設定された読取感度で読み取られた画像データが
得られる。そして、この画像データに基づいて、コント
ローラ120は、明暗パターンのコントラストが最大と
なる光蓄積期間を抽出し、後述する被写体画像の画像読
み取り動作における最適な光蓄積期間(すなわち、最適
な読取感度)Tbを決定する。
【0042】なお、本実施形態においては、フォトセン
サアレイ100の背面側に配置されたバックライト11
8を点灯状態(すなわち、上記手順S13において、環
境照度がしきい値レベル以下の場合)として、検知面に
載置された被写体表面で反射した反射光により、被写体
画像を事前読み出しする場合について説明したが、バッ
クライト118を消灯状態(すなわち、上記手順S13
において、環境照度がしきい値レベル以上の場合)とし
て、上記読取感度設定処理を行うものであってもよい。
この場合、上述した環境照度判定動作における光蓄積期
間TA1、TA2、…TAnの設定が、読取感度設定動作
と同等である場合には、環境照度判定動作において決定
された最適な光蓄積期間Taをそのまま、後述する被写
体画像の画像読み取り動作における光蓄積期間に設定す
ることができ、読取感度設定動作を省略することもでき
る。また、読取感度設定動作において、各行毎に設定さ
れる光蓄積期間TB1、TB2、…TBnは、後述する画
像読み取り動作における読取感度を設定し、読み取られ
た画像の精度に影響を与えるものなので、遅延時間間隔
を短く、また、設定数を多くすることが望ましい。
【0043】<画像読み取り動作>次に、上述した読取
感度設定動作(又は、環境照度判定動作)により決定さ
れた最適な光蓄積時間Tb(又は、Ta)を用いて、被
写体画像の画像読み取り動作(手順S16)を実行す
る。すなわち、図8、図9に示すように、ダブルゲート
型フォトセンサ10のトップゲート端子TGを行方向に
接続するトップゲートライン101の各々に、順次リセ
ットパルスφT1、φT2、…φTnを印加してリセッ
ト期間Trstをスタートし、各行毎のダブルゲート型フ
ォトセンサ10を初期化する。ここで、リセットパルス
φT1、φT2、…φTnは、ハイレベルが信号電圧V
tgh、ローレベルが信号電圧Vtglのパルス信号であり、
ハイレベルVtghのリセットパルスφT1、φT2、…
φTnが印加されるタイミング以外では、ローレベルの
信号電圧Vtglが印加される。
【0044】次いで、リセットパルスφT1、φT2、
…φTnが立ち下がり、リセット期間Trstが終了する
ことにより、各行毎に、上記最適な光蓄積期間Tbが順
次スタートして、ダブルゲート型フォトセンサ10のト
ップゲート電極側から入射される光量に応じてチャネル
領域に電荷(正孔)が発生し、蓄積される。ここで、図
9に示すように、光蓄積期間Tb内に並行して、プリチ
ャージ信号φpgを印加することにより、プリチャージ期
間Tprchをスタートし、データライン103にプリチャ
ージ電圧Vprchを印加してダブルゲート型フォトセンサ
10のドレイン電極に所定の電圧を保持させるプリチャ
ージ動作が行われる。
【0045】そして、最適な光蓄積期間Ta及びプリチ
ャージ期間Tprchが終了したダブルゲート型フォトセン
サ10に対して、各行毎に、ボトムゲートライン102
に順次読み出しパルスφB1、φB2、…φBnを印加
して、読み出し期間Trdをスタートし、ダブルゲート型
フォトセンサ10に蓄積された電荷に対応する電圧変化
VDを、コラムスイッチ113によりデータライン10
3を介して読み出す。ここで、読み出しパルスφB1、
φB2、…φBnは、ハイレベルが信号電圧Vbgh、ロ
ーレベルが信号電圧Vbglのパルス信号であり、ハイレ
ベルVbghの読み出しパルスφB1、φB2、…φBn
が印加されるタイミングでは、ローレベルの信号電圧V
bghが印加された状態にある。
【0046】<実効電圧調整動作>次に、上述した画像
読み取り動作が、全ての行(n)において終了すると、
一連の環境照度判定動作、読取感度設定動作及び画像読
み取り動作において、各ゲート電極に印加された信号の
実効電圧の偏りを調整して最適化する実効電圧調整動作
(手順S17)を実行する。すなわち、図9に示すよう
に、上述した各動作において、リセットパルスによりダ
ブルゲート型フォトセンサ10のトップゲートライン1
01(トップゲート端子TG)に印加された信号電圧の
平均値、すなわち、実効電圧を、予め当該ダブルゲート
型フォトセンサ10の感度特性に応じて設定した最適値
に調整することができる所定の実効電圧を有する信号
(第1の信号電圧)を、各行のトップゲートライン10
1に印加する。同様に、読み出しパルスによりダブルゲ
ート型フォトセンサ10のボトムゲートライン102
(ボトムゲート端子BG)に印加された信号電圧の平均
値、すなわち、実効電圧を、予め当該ダブルゲート型フ
ォトセンサ10の感度特性に応じて設定した最適値に調
整することができる所定の実効電圧を有する信号(第2
の信号電圧)を、各行のボトムゲートライン102に印
加する。
【0047】ここで、ダブルゲート型フォトセンサ10
のトップゲートTG及びボトムゲートBGに印加される
信号の実効電圧について簡単に説明する。図9からも明
らかなように、環境照度判定動作、読取感度設定動作及
び画像読み取り動作における各リセット動作において
は、トップゲートTGに対して、極めて短い時間(Trs
t)のみ、ハイレベルの信号電圧Vtghが印加され、それ
以外の比較的長い期間では、ローレベルの信号電圧Vtg
lが印加されている。そのため、環境照度判定動作、読
取感度設定動作及び画像読み取り動作時において、トッ
プゲートTGに印加される実効電圧は、ローレベル側に
大きく偏っている。さらに、画像読み取り動作に設定さ
れる最適な光蓄積期間Tbは、読取感度設定動作により
環境照度等に応じて、その都度、変更設定されるため、
上記トップゲートTGに印加される実効電圧が、必然的
に変動する。
【0048】一方、環境照度判定動作、読取感度設定動
作及び画像読み取り動作における読み出し動作において
も、ボトムゲートBGに対して、極めて短い時間(Tr
d)のみ、ハイレベルの信号電圧Vbghが印加され、それ
以外の比較的長い期間では、ローレベルの信号電圧Vtg
lが印加されている。そのため、環境照度判定動作、読
取感度設定動作及び画像読み取り動作時において、ボト
ムゲートBGに印加される実効電圧も、ローレベル側に
大きく偏っている。さらに、画像読出動作に設定される
最適な光蓄積期間Taは、読取感度設定動作により環境
照度等に応じて、その都度、変更設定されるため、上記
ボトムゲートTGに印加される実効電圧は、必然的に変
動する。
【0049】そのため、このような特定の極性の電圧側
に偏った電圧がゲート電極に印加された状態が継続する
と、ゲート電極に正孔がトラップされて、ダブルゲート
型フォトセンサの素子特性が劣化して感度特性が変化し
てしまう問題が生じる。そこで、本実施形態において
は、環境照度判定動作、読取感度設定動作及び画像読み
取り動作の処理サイクル内、及び、これから実行する実
効電圧調整動作の処理サイクル内に印加される電圧波形
について、例えば、ダブルゲート型フォトセンサの感度
特性に応じて設定されるトップゲート側の実効電圧の最
適値、及び、ボトムゲート側の実効電圧の最適値を基準
として、上記電圧波形のハイレベル側の時間積分値の絶
対値と、ローレベル側の時間積分値の絶対値とを等しく
するように、所定の信号幅Ttp、Tbpを有する調整パル
スを、実効電圧調整動作時にダブルゲート型フォトセン
サのトップゲートライン、及び、ボトムゲートラインに
印加することにより、上記素子特性の劣化に伴う感度特
性の変化を抑制して、フォトセンサシステムの信頼性を
向上させることができる。
【0050】以上説明したように、本実施形態に係る画
像読取装置及びその駆動制御方法によれば、被写体画像
の画像読み取り動作に先立って、バックライトを消灯状
態に設定制御して環境照度を検出、判定し、該環境照度
が所定のしきい値レベル(1000ルクス)以上である
場合には、バックライトを消灯状態に設定したまま、被
写体画像の画像読み取り動作を実行することができるの
で、画像読取装置の消費電力を低減することができ、良
好に携帯情報端末等へ適用することができる。また、こ
の場合、バックライトを消灯状態に設定した状態であっ
ても、被写体画像を良好に読み取ることができる。さら
に、環境照度判定動作と読取感度設定動作を同等のタイ
ミングで同等のパルス波形の信号を用いて実行している
ので、動作制御を簡易に行うことができる。
【0051】<第2の実施形態>次に、本発明に係る画
像読取装置の第2の実施形態について、図面を参照して
説明する。図12は、本発明に係る画像読取装置の第1
の実施形態を示す概略構成図である。なお、ここでは、
図1、図2、図6に示した構成を適宜参照しながら説明
する。また、上述した実施形態(図7)と同等の構成に
ついては、同一の符号を付して説明を省略する。本実施
形態に係る画像読取装置は、上述した第1の実施形態の
構成に加え、環境照度を判定する環境照度検出部を備え
たことを特徴としている。すなわち、上述した第1の実
施形態においては、被写体に対して、読取感度設定動作
及び画像読み取り動作を実行するフォトセンサアレイを
用いて、環境照度判定動作を実行していたが、これとは
別個に、被写体が載置されないフォトセンサ領域(環境
照度検出部)を設け、該フォトセンサ領域において環境
照度を検出する。
【0052】具体的には、図12に示すように、本実施
形態に係る画像読取装置は、指等の被写体40が載置さ
れるフォトセンサアレイ100上方(紙面手前側)の検
知面SPの近傍、又は、隣接して、環境照度検出部30
0が設けられた構成を有している。ここで、環境照度検
出部300は、被写体画像の読取時におけるバックライ
トの点灯状態を設定するものであるので、被写体が載置
されるフォトセンサアレイ100の近傍に設ける必要が
ある。また、図示の都合上、図12においては、環境照
度検出部300を比較的広い領域を有するように示した
が、少なくとも、環境照度を的確に判断できるものであ
れば、単一のダブルゲート型フォトセンサのみを有する
微小な領域のものであってもよい。そして、環境照度検
出部300は、コントローラ120により制御され、読
取感度設定動作及び画素読取動作に先立って、後述する
手順に基づいて環境照度を検出する。
【0053】次に、本実施形態に係る画像読取装置の駆
動制御方法について、図面を参照して説明する。図13
は、本実施形態に係る画像読取装置の駆動制御方法の処
理手順を示すフローチャートであり、図14は、本実施
形態に係る画像読取装置の駆動制御方法の一例を示すタ
イミングチャートであり、図15は、フォトセンサの出
力電圧と環境照度との対応関係を示す特性図である。こ
こでは、図2、図7、図12に示した画像読取装置の構
成を適宜参照しながら、その駆動制御手順及び方法を説
明する。図13、図14に示すように、本実施形態に係
る画像読取装置の駆動制御方法は、上述した第1の実施
形態と同様に、環境照度判定動作と、読取感度設定動作
と、画像読み取り動作と、実効電圧調整動作の各手順を
有し、いずれもコントローラ120により各動作制御が
行われる。なお、読取感度設定動作、画像読み取り動作
及び実効電圧調整動作の各手順は、上述した実施形態と
同等であるので、その説明を省略し、本実施形態の特徴
である環境照度判定動作について、以下に詳しく説明す
る。
【0054】<環境照度判定動作>図13、図14に示
すように、本実施形態における環境照度判定動作は、例
えば、フォトセンサアレイ100上方の検知面SPに、
被写体が載置されたことを検知して、環境照度検出部3
00に備えられたダブルゲート型フォトセンサにより環
境照度を検出する。具体的には、環境照度検出部300
を構成するダブルゲート型フォトセンサのトップゲート
ラインに対して、所定の時間間隔でリセットパルスφT
1、φT2、…φTnを印加して、各行毎のダブルゲー
ト型フォトセンサを初期化する。リセット期間Trstが
終了すると、予め設定された所定の光蓄積期間TLが順
次スタートして、各行毎にダブルゲート型フォトセンサ
に入射される光量に応じてチャネル領域に電荷(正孔)
が発生し、蓄積される。そして、プリチャージ信号φpg
及び読み出しパルスφB1、φB2、…φBnの印加に
より、各行毎に設定された光蓄積期間TLに蓄積された
電荷に対応する電圧変化を読み出し、順次RAM130
に記憶する(手順S21)。
【0055】ここで、環境照度検出部300を構成する
ダブルゲート型フォトセンサから出力される出力電圧
は、図15に示すように、通常のダブルゲート型フォト
センサの出力電圧と同様に、検出対象が暗い場合(環境
照度が低い場合)には、電圧レベルが高くなり、検出対
象が明るい場合(環境照度が高い場合)には、電圧レベ
ルが低くなる傾向を示す。そこで、図11に示したよう
に、被写体画像の読み取りへの寄与が増大する(支配的
なっていく)環境照度を、バックライトの使用、不使用
を判定する判定照度Ljとして設定することにより、環
境照度検出部300からの出力電圧に基づいて、環境照
度を判定することができる。
【0056】具体的には、図15に示した出力電圧と環
境照度との対応関係から判定照度Ljに対応する判定出
力電圧Vj抽出して、コントローラ120及びRAM1
30に保持しておくことにより、上述した環境照度判定
動作により検出される出力電圧と判定出力電圧Vjとの
大小関係に基づいて、環境照度の判定を行うことができ
る。なお、環境照度判定動作において各行毎に設定され
る光蓄積期間TLは、図15に示した出力電圧と環境照
度との対応関係に基づいて、上述した判定照度Ljを含
む範囲に、フォトセンサの感度領域(光蓄積期間TLの
変化範囲)TWを有するように設定する。そして、上記
環境照度判定動作において、環境照度検出部300から
の出力電圧が、上記判定電圧Vj以上か否かが判定され
(手順S22)、出力電圧が判定電圧Vj以下の場合
(すなわち、出力電圧に対応する環境照度が判定照度L
j以上の場合)には、環境照度のみでの画像読み取り動
作が可能と判断して、以後の読取感度設定動作、画像読
み取り動作において、バックライトが消灯状態(不使用
状態)に設定制御される。
【0057】一方、出力電圧が判定電圧Vj以上の場合
(すなわち、出力電圧に対応する環境照度が判定照度L
j以下の場合)には、環境照度のみでの画像読み取り動
作が不可能と判断して、以後の読取感度設定動作、画像
読み取り動作において、バックライトが点灯状態(使用
状態)に設定制御される(手順S23)。ここで、判定
照度Ljは、例えば、上述した1000ルクスを適用す
ることができる。続いて、上述した実施形態と同様に、
読取感度設定動作(手順S24)、被写体の画像読み取
り動作(手順S25)、実効電圧調整動作(手順S2
6)が順次実行される。なお、本実施形態においては、
環境照度判定動作により設定されるバックライトの点灯
状態に関わらず、読取感度設定動作(手順S24)が必
ず実行される。これは、環境照度判定動作が検知面SP
とは別個独立して設けられた環境照度検出部により実行
されるため、被写体画像の画像読み取り動作において用
いられる最適な光蓄積時間Tbを設定する必要があるか
らである。
【0058】以上説明したように、本実施形態に係る画
像読取装置及びその駆動制御方法によれば、被写体画像
を読み取るフォトセンサアレイとは別個に環境照度検出
部を設けて、読取感度設定動作や画像読み取り動作とは
別個の制御により、判断照度近傍の環境照度を有する光
蓄積期間を設定して環境照度判定動作を実行しているの
で、被写体画像の画像読み取り動作に先立って実行する
環境照度の判定に要する時間を一層短縮することができ
る。また、環境照度の判定を、環境照度検出部からの出
力電圧と所定の判定出力電圧との大小関係の比較のみに
よって実行することができるので、動作制御を極めて簡
易に行うことができる。
【0059】<他の具体例>次に、本発明に係る画像読
取装置の駆動制御方法における環境照度判定動作及び読
取感度設定動作に適用することができる画像の読出動作
の他の具体例について、図面を参照して説明する。図1
6は、本発明に係る画像読取装置の駆動制御方法におけ
る環境照度判定動作(特に、第1の実施形態)及び読取
感度設定動作に適用することができる画像の読出動作の
他の実施例を示すタイミングチャートである。ここで
は、図2、図7に示した構成を適宜参照しながら説明す
る。図16に示すように、本実施例に係る画像の読出動
作は、まず、ダブルゲート型フォトセンサ10のトップ
ゲート端子TGを行方向に接続するトップゲートライン
101の各々に対して、同時にリセットパルスφT1、
φT2、…φTnを印加してリセット期間Trstを同時
にスタートし、各行毎のダブルゲート型フォトセンサ1
0を初期化する。
【0060】次いで、リセットパルスφT1、φT2、
…φTnが同時に立ち下がり、リセット期間Trstが終
了することにより、全ての行におけるダブルゲート型フ
ォトセンサ10の光蓄積期間TC1、TC2、…TCn
一斉にスタートして、各行毎のダブルゲート型フォトセ
ンサ10のトップゲート電極側から入射される光量に応
じてチャネル領域に電荷(正孔)が発生し、蓄積され
る。ここで、各行毎に設定される光蓄積期間TC1、T
2、…TCnは、図9に示すように、各行毎に所定の遅
れ時間Tdly分ずつ段階的に変化させるように、プリチ
ャージ信号φpg及び読み出しパルスφB1、φB2、…
φBnを印加する。したがって、上述した実施形態に示
したような被写体画像の画像読み取り動作に先立って行
う環境照度判定動作又は読取感度設定動作において、被
写体画像を構成する各行毎に異なる読取感度(すなわ
ち、行数分の異なる読取感度)で読み取られた画像デー
タを、1回の被写体画像(一画面)の読み込みにより取
得することができる。
【0061】ここで、本発明に係る画像読取装置の駆動
制御方法に適用される環境照度判定動作及び読取感度設
定動作の手法は、上述した実施形態及び実施例に限定さ
れるものではなく、被写体画像を異なる読取感度で画像
データを取得できるものであれば、例えば、リセット動
作→光蓄積動作→プリチャージ動作→読み出し動作の一
連の処理サイクルを読取感度を順次変更して複数回繰り
返して、異なる読取感度による画像データを取得するも
のでもあってもよいし、さらに他の方法であってもよい
ことはいうまでもない。なお、上述した各実施形態にお
いては、フォトセンサアレイを構成するフォトセンサと
して、ダブルゲート型フォトセンサを適用した場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。要するに、フォトセンサアレイを構成するフォトセ
ンサにおいて、読取感度設定動作及び画像読み取り動作
時に環境照度に関わらずバックライトを点灯する制御を
行う構成を有しているものであれば、本発明に係る画像
読取装置の構成及び駆動制御方法を良好に適用すること
ができ、消費電力の低減を図ることができる。
【0062】
【発明の効果】請求項1、2、7又は8記載の発明によ
れば、光源を消灯した状態における環境照度を判定する
動作を実行する環境照度判定手段と、環境照度に基づい
て、光源を点灯、又は、消灯、いずれか一方の状態に設
定する動作を実行する点灯状態設定手段と、フォトセン
サアレイにおける画像読取感度を変化させつつ、被写体
画像を読み取り、画像読取感度毎の前記被写体画像の画
像パターンに基づいて、最適な画像読取感度を求める動
作を実行する読取感度設定手段と、最適な画像読取感度
に基づいて、被写体画像を読み取る動作を実行する画像
読み取り手段と、を有しているので、被写体画像の画像
読み取り動作に先立って、環境照度に応じて光源の点灯
/消灯状態に設定制御することができるとともに、適切
な画像読み取りを実行することができる最適な読取感度
を設定することができ、被写体画像を良好に読み取りつ
つ、無駄な光源の点灯を抑制して消費電力の低減を図る
ことができる。
【0063】請求項3又は9記載の発明によれば、環境
照度判定動作は、光源を消灯状態に維持し、被写体がフ
ォトセンサアレイの前面側に載置された状態で、被写体
画像を読み取り、画像読取感度毎の被写体画像の画像パ
ターンに基づいて最適な画像読取感度を求め、該画像読
取感度に対して予め設定されたしきい値に基づいて環境
照度を判定するので、複雑な判定処理を行うことなく、
簡易に画像読み取り動作への環境照度の寄与の度合いを
判定することができるとともに、環境照度の寄与の度合
いが大きい(環境照度が高い)場合には、環境照度判定
動作において決定された画像読取感度をそのまま、被写
体画像の画像読み取り動作における画像読取感度に設定
することができ、読取感度設定動作を省略して、処理動
作を簡略化することができる。
【0064】請求項4又は10記載の発明によれば、環
境照度判定動作は、被写体が載置されるフォトセンサア
レイとは別個独立して設けられた環境照度検出部に備え
られたフォトセンサの出力電圧に対して予め設定された
しきい値に基づいて環境照度を判定するので、被写体画
像の画像読み取り動作に先立って実行する環境照度の判
定に要する時間を一層短縮することができるとともに、
環境照度検出部からの出力電圧としきい値との比較処理
によって判定を行うことができ、処理動作を極めて簡略
化することができる。請求項5又は11記載の発明によ
れば、フォトセンサアレイにおける第1の電極に印加さ
れる実効電圧を最適値にするための第1の信号電圧を印
加するとともに、フォトセンサアレイにおける第2の電
極に印加される実効電圧を最適値にするための第1の信
号電圧を印加する実効電圧調整手段を具備しているの
で、環境照度判定動作、読取感度設定動作、画像読み取
り動作においてフォトセンサに印加される信号電圧によ
る実効電圧の偏りを最適化することができ、フォトセン
サの素子特性の劣化や感度特性の変化を抑制して、信頼
性の高い画像読取装置を提供することができる。
【0065】請求項6又は12記載の発明によれば、上
記フォトセンサは、半導体層からなるチャネル領域を挟
んで形成されたソース電極及びドレイン電極と、少なく
ともチャネル領域の上方及び下方に各々絶縁膜を介して
形成されたトップゲート電極及びボトムゲート電極とを
備え、所定のタイミングでトップゲート電極にリセット
パルスを印加するとともに、ボトムゲート電極に読み出
しパルス印加することにより、電荷蓄積期間にチャネル
領域に蓄積された電荷に対応した電圧を出力する、いわ
ゆる、ダブルゲート型フォトセンサにより構成されてい
るので、環境照度判定動作、読取感度設定動作及び画像
読み取り動作時にトップゲート電極及びボトムゲート電
極に印加される実効電圧の偏りによる素子特性の劣化や
感度特性の変化を抑制することができ、信頼性の高い画
像読取装置を提供することができる。また、フォトセン
サアレイを構成するフォトセンサデバイスを薄型、小型
化することができるとともに、読取画素を高密度化して
被写体画像を高精細で読み取ることができ、さらに、消
費電力を低減して、携帯情報端末へ良好に適用すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る画像読取装置に適用されるダブル
ゲート型フォトセンサの構造を示す概略断面図である。
【図2】ダブルゲート型フォトセンサを2次元配列して
構成されるフォトセンサシステムの概略構成図である。
【図3】フォトセンサシステムの一般的な駆動制御方法
を示すタイミングチャートである。
【図4】ダブルゲート型フォトセンサの動作概念図であ
る。
【図5】フォトセンサシステムの出力電圧の光応答特性
を示す図である。
【図6】フォトセンサシステムを適用した2次元画像の
画像読取装置の要部断面図である。
【図7】本発明に係る画像読取装置の第1の実施形態を
示す概略構成図である。
【図8】第1の実施形態に係る画像読取装置の駆動制御
方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図9】第1の実施形態に係る画像読取装置の駆動制御
方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図10】被写体を透過する外光の状況を示す概念図で
ある。
【図11】環境照度と光蓄積期間との対応関係を示す測
定データである。
【図12】本発明に係る画像読取装置の第1の実施形態
を示す概略構成図である。
【図13】第2の実施形態に係る画像読取装置の駆動制
御方法の処理手順を示すフローチャートであり、
【図14】第2の実施形態に係る画像読取装置の駆動制
御方法の一例を示すタイミングチャートであり、
【図15】フォトセンサの出力電圧と環境照度との対応
関係を示す特性図である。
【図16】本発明に係る画像読取装置の駆動制御方法に
おける環境照度判定動作及び読取感度設定動作に適用す
ることができる画像の読出動作の他の実施例を示すタイ
ミングチャートである。
【符号の説明】
10 ダブルゲート型フォトセンサ 11 半導体層 21 トップゲート電極 22 ボトムゲート電極 30 バックライト 40 被写体 100 フォトセンサアレイ 101 トップゲートライン 102 ボトムゲートライン 103 データライン 111 トップアドレスデコーダ 112 ローアドレスデコーダ 113 出力回路部 118 バックライト 120 コントローラ 130 RAM
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AA04 AA10 AB01 BA05 CA09 CA11 CB06 DD12 FB09 GA02 GA09 5C051 AA01 BA04 DA06 DB01 DB08 DB28 DB33 DC02 DC05 DC07 DE02 DE03 DE29 EA09 5C072 AA01 BA06 CA12 EA07 EA08 FB19 FB23 FB27 RA20 UA13 VA10 5F049 MA15 MB05 NA17 NA20 NB03 RA02 RA06 UA01 UA20 WA03

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のフォトセンサを2次元配列して構
    成されるフォトセンサアレイと、 前記フォトセンサアレイの前面側に載置された被写体に
    対して、前記フォトセンサアレイの背面側から照射光を
    照射する光源と、 前記光源を消灯した状態における環境照度を判定する環
    境照度判定手段と、 前記環境照度に基づいて、前記光源の点灯状態を設定す
    る点灯状態設定手段と、 前記環境照度判定時、又は、前記点灯状態設定後、の少
    なくともいずれか一方において、前記フォトセンサアレ
    イにおける画像読取感度を変化させつつ、前記2次元配
    列されたフォトセンサに対応する画素より構成される被
    写体画像を読み取り、前記画像読取感度毎の前記被写体
    画像の画像パターンに基づいて、最適な画像読取感度を
    求める読取感度設定手段と、 前記最適な画像読取感度に基づいて、前記2次元配列さ
    れたフォトセンサに対応する画素より構成される被写体
    画像を読み取る画像読み取り手段と、 を具備することを特徴とする画像読取装置。
  2. 【請求項2】 前記点灯状態設定手段は、前記光源を点
    灯、又は、消灯、いずれか一方の状態にする光源設定手
    段を備えていることを特徴とする請求項1記載の画像読
    取装置。
  3. 【請求項3】 前記環境照度判定手段は、前記光源を消
    灯状態に維持し、前記被写体が前記フォトセンサアレイ
    の前面側に載置された状態で、前記2次元配列されたフ
    ォトセンサに対応する画素より構成される被写体画像を
    読み取り、前記画像読取感度毎の前記被写体画像の画像
    パターンに基づいて最適な画像読取感度を求め、該画像
    読取感度に対して予め設定されたしきい値に基づいて環
    境照度を判定することを特徴とする請求項1記載の画像
    読取装置。
  4. 【請求項4】 前記環境照度判定手段は、前記被写体が
    載置される前記フォトセンサアレイとは別個独立して設
    けられた環境照度検出部を備え、前記環境照度検出部は
    少なくとも1つのフォトセンサを備え、該フォトセンサ
    の出力電圧に対して予め設定されたしきい値に基づいて
    環境照度を判定することを特徴とする請求項1記載の画
    像読取装置。
  5. 【請求項5】 前記画像読取装置は、前記フォトセンサ
    アレイにおける第1の電極に印加される実効電圧を最適
    値にするための第1の信号電圧を印加するとともに、前
    記フォトセンサアレイにおける第2の電極に印加される
    実効電圧を最適値にするための第1の信号電圧を印加す
    る実効電圧調整手段を具備することを特徴とする請求項
    1乃至4のいずれかに記載の画像読取装置。
  6. 【請求項6】 前記フォトセンサは、半導体層からなる
    チャネル領域を挟んで形成されたソース電極及びドレイ
    ン電極と、少なくとも前記チャネル領域の上方及び下方
    に各々絶縁膜を介して形成されたトップゲート電極及び
    ボトムゲート電極と、を備えたダブルゲート構造を有
    し、 前記トップゲート電極を前記第1の電極として、前記リ
    セットパルスを印加し、前記ボトムゲート電極を前記第
    2の電極として、前記読み出しパルスを印加することに
    より、前記初期化終了から前記読み出しパルスの印加ま
    での電荷蓄積期間に前記チャネル領域に蓄積された電荷
    に対応した電圧を出力することを特徴とする請求項5記
    載の画像読取装置。
  7. 【請求項7】 複数のフォトセンサを2次元配列して構
    成されるフォトセンサアレイと、前記フォトセンサアレ
    イの前面側に載置された被写体に対して、前記フォトセ
    ンサアレイの背面側から照射光を照射する光源と、を備
    えた画像読取装置の駆動制御方法において、 前記光源を消灯した状態における環境照度を判定する環
    境照度判定動作を実行する手順と、 該環境照度に基づいて、前記光源の点灯状態を設定する
    点灯状態設定動作を実行する手順と、 前記環境照度判定時、又は、前記点灯状態設定後、の少
    なくともいずれか一方において、前記フォトセンサアレ
    イにおける画像読取感度を変化させつつ、前記2次元配
    列されたフォトセンサに対応する画素より構成される被
    写体画像を読み取り、前記画像読取感度毎の前記被写体
    画像の画像パターンに基づいて、最適な画像読取感度を
    求める読取感度設定動作を実行する手順と、 前記最適な画像読取感度に基づいて、前記2次元配列さ
    れたフォトセンサに対応する画素より構成される被写体
    画像を読み取る画像読み取り動作を実行する手順と、を
    含むことを特徴とする画像読取装置の駆動制御方法。
  8. 【請求項8】 点灯状態設定動作を実行する手順は、前
    記光源を点灯、又は、消灯、いずれか一方の状態にする
    ことを特徴とする請求項7記載の画像読取装置の駆動制
    御方法。
  9. 【請求項9】 前記環境照度判定動作を実行する手順
    は、前記光源を消灯状態に維持し、前記被写体が前記フ
    ォトセンサアレイの前面側に載置された状態で、前記2
    次元配列されたフォトセンサに対応する画素より構成さ
    れる被写体画像を読み取り、前記画像読取感度毎の前記
    被写体画像の画像パターンに基づいて最適な画像読取感
    度を求め、該画像読取感度に対して予め設定されたしき
    い値に基づいて環境照度を判定することを特徴とする請
    求項7記載の画像読取装置の駆動制御方法。
  10. 【請求項10】 前記環境照度判定動作を実行する手順
    は、前記被写体が載置される前記フォトセンサアレイと
    は別個独立して設けられた環境照度検出部に備えられた
    フォトセンサの出力電圧に対して予め設定されたしきい
    値に基づいて環境照度を判定することを特徴とする請求
    項7記載の画像読取装置。
  11. 【請求項11】 前記画像読取装置の駆動制御方法は、
    前記フォトセンサアレイにおける第1の電極に印加され
    る実効電圧を最適値にするための第1の信号電圧を印加
    するとともに、前記フォトセンサアレイにおける第2の
    電極に印加される実効電圧を最適値にするための第1の
    信号電圧を印加する実効電圧調整動作を実行する手順を
    含むことを特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記
    載の画像読取装置の駆動制御方法。
  12. 【請求項12】 前記フォトセンサは、半導体層からな
    るチャネル領域を挟んで形成されたソース電極及びドレ
    イン電極と、少なくとも前記チャネル領域の上方及び下
    方に各々絶縁膜を介して形成されたトップゲート電極及
    びボトムゲート電極と、を備えたダブルゲート構造を有
    し、 前記トップゲート電極を前記第1の電極として、前記リ
    セットパルスを印加し、前記ボトムゲート電極を前記第
    2の電極として、前記読み出しパルスを印加することに
    より、前記初期化終了から前記読み出しパルスの印加ま
    での電荷蓄積期間に前記チャネル領域に蓄積された電荷
    に対応した電圧を出力することを特徴とする請求項11
    記載の画像読取装置の駆動制御方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010140508A (ja) * 2010-03-01 2010-06-24 Nec Corp 指紋装置および指紋法
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