JP2001189610A - 導波管およびバックプレーンシステム - Google Patents

導波管およびバックプレーンシステム

Info

Publication number
JP2001189610A
JP2001189610A JP2000331135A JP2000331135A JP2001189610A JP 2001189610 A JP2001189610 A JP 2001189610A JP 2000331135 A JP2000331135 A JP 2000331135A JP 2000331135 A JP2000331135 A JP 2000331135A JP 2001189610 A JP2001189610 A JP 2001189610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
channel
gap
axis
along
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000331135A
Other languages
English (en)
Inventor
Richard A Elco
リチャード・エー・エルコ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FCI Americas Technology LLC
Original Assignee
Berg Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Berg Technology Inc filed Critical Berg Technology Inc
Publication of JP2001189610A publication Critical patent/JP2001189610A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H01P3/165Non-radiating dielectric waveguides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/16Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12Hollow waveguides

Landscapes

  • Waveguides (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】導波管とバックプレーンシステムに関する。 【解決手段】導電性チャンネル102Aと、このチャン
ネル102Aにほぼ平行に設けられた導電性チャンネル
102Bとを有する。ギャップ112は、チャンネル1
02Aとチャンネル102Bとの間に規定され、nが奇
数のTEn,0モードで電磁波を導波管の軸線に沿って
伝搬するが、しかし、mが偶数のTEm,0モードで電
磁波を抑制する。このようなNRD導波管が開示されて
いる。上部導電性板体104A,104Bと、下部導電
性板体106A,106Bと、導電性板体間に設けられ
た絶縁性チャンネルとを有している。上部導電性板体1
04A,104Bは、絶縁性チャンネル上に導波管の軸
線に沿ってギャップ112を有し、このギャップ112
は、奇数の長手方向磁気モードで電磁波を導波管の軸線
に沿って伝搬するが、しかし、偶数の長手方向磁気モー
ドで電磁波を抑制することを可能にするギャップ幅を備
えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波管およびバッ
クプレーン(backplane)システムに関する。
よりさらに、本発明は、広帯域なマイクロウェーブモデ
ム導波管のバックプレーンシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】遠距離通信とデーター通信バックプレー
ンシステムにおける広帯域データー搬送割合用の増加さ
れたシステム帯域幅のための必要性が、一般的な技術的
解決を導いた。第1の解決方法は、適度な速度の平行バ
ス(bus)構造の密度を増加することであった。他の
解決方法は、比較的密度の低い、高いデーター率差動対
チャンネルにしぼられた。これらの解決方法は、さらに
他の解決方法に向かわされた。それは、すべてケーブル
バックプレーンであって、データー通信応用に現在使用
されている。しかしながら、これらの各解決方法は、導
電体および印刷回路基板(PCB)またはケーブル絶縁
体損失によって介入された帯域幅の制限を受ける。
【0003】シャノンハートレー(Shannon−H
artley)の定理は、与えられたどのような広帯域
データー通信システムプロトコル用にでも、通常、所望
のシステムデーター率(ギガビット/秒で)と要求され
たシステム3dB帯域幅(ギガヘルツで)との間に、一
次(linear)の関係があることを提供している。
たとえば、ファイバーチャンネルプロトコルを使用する
と、可能なデーター率は、3dBシステム帯域幅のほぼ
4倍である。減衰に関する帯域幅の考慮は、通常、いわ
ゆる「3dB帯域幅」に関連していることを理解してほ
しい。ギガヘルツのオーダーでの帯域幅要求を持った従
来の広帯域なデーター搬送は、通常、「パイプ」導波管
に、物理データーチャンネルとしてデーター変調された
マイクロウェーブキャリアを使用している、そのような
導波管が、比較可能なケーブルまたはPCBより低い減
衰を有しているからである。このタイプの絶縁性チャン
ネルは、通常PCBバックプレーンシステムに使用され
る広帯域ディジタルデータ搬送と比較して、「広帯域マ
イクロウェーブモデム」データー搬送システムとして考
えることができる。本発明は、バックプレーンシステム
に、従来の空気が充填された矩形の導波管を企図してい
る。これらの導波管は以下に詳述される。
【0004】バックプレーン絶縁性チャンネルとして使
用できるマイクロウェーブ導波管構造の他のタイプは、
交差電気(transverse electric)
1,0(TE1,0)モードで操作する非放射性絶縁体
(NRD)である。このTE1,0NRD導波管構造
は、PCBタイプのバックプレーンバスシステムと協働
できる。この実施例は、同様に以下に詳述される。その
ようなマイクロウェーブモデム導波管バックプレーンシ
ステムは、損失が最小限の従来のPCBまたはケーブル
バックプレーンシステムに関して、優れた帯域幅と帯域
幅密度特性を有している。マイクロウェーブモデムデー
タ搬送システムの更なる利点は、変調されたシンボル率
当たりのデーター率が、データー圧縮技法によって多く
の折り返しの増加ができ、また、Kが16、32、64
等の、K−ビット求積増幅変調(quadrature
amplitude modulation)(QA
M)のような変調技法を促進できることである。例え
ば、電話のモデムのようなモデムにおいて、データー率
は、いわゆる「より合わせ対」電話線の物理的帯域幅限
界を超えてほぼ100回折り返せることが理解されなけ
ればならない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】導波管は、多くの搬送
ラインの中でも最良の搬送特性を有している。それは、
それらが電磁気的放射を有していず、比較的減衰が少な
いからである。しかしながら、導波管は、2つの大きな
理由のために、回路基板や容器用として実用的ではな
い。第1に、搬送ライン用に回路基板に埋設するには、
寸法が典型的にあまりにも大きすぎることである。第2
に、導波管が金属の壁で囲まれていなければならないこ
とである。垂直な金属の壁は、回路基板や容器用のラミ
ネーション技法や標準的製作技法によって容易に製造す
ることができない。このように、ラミネートされた印刷
回路基板用に、広帯域マイクロウェーブモデム導波管の
バックプレーンシステムの必要性が存在する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による導波管は、
導波管の軸線に沿って設けられた第1の導電性チャンネ
ルと、第1のチャンネルにほぼ平行に設けられた第2の
導電性チャンネルとを有する。ギャップは、導波管の軸
線に沿って第1のチャンネルと第2の導電性チャンネル
との間に規定されている。ギャップは、nが奇数のTE
n,0モードで電磁波を導波管の軸線に沿って伝搬する
が、しかし、mが偶数のTEm,0モードで電磁波を抑
制することを可能にするギャップ幅を備えている。各チ
ャンネルは上部横壁と、上部横壁に対向しそれにほぼ平
行な下部横壁と、上部横壁と下部横壁とにほぼ垂直でそ
れらに接続された側壁とを有する。第1のチャンネルの
上部横壁と第2のチャンネルの上部横壁とはほぼ同一平
面をなしギャップは、第1のチャンネルの上部横壁と第
2のチャンネルの上部横壁との間に規定されている。同
様に、第1のチャンネルの下部横壁と第2のチャンネル
の下部横壁とはほぼ同一平面をなし、第2のギャップ
は、第1のチャンネルの下部横壁と第2のチャンネルの
下部横壁との間に規定されている。このように、第1の
チャンネルは、導波管の軸線に沿ってほぼC字状の断
面、または、ほぼI字状の断面を有し、電気的に導電性
の材料の板を曲げることによって形成されている。
【0007】本発明の他の態様において、モード抑制用
のギャップをその導電体に有するNRD導波管は、上部
導電性板体と、下部導電性板体と、導電性板体間で導波
管の軸線に沿って設けられた絶縁性チャンネルとを有し
ている。第2のチャンネルは、導電性板体間の絶縁性チ
ャンネルに隣接し導波管の軸線に沿って設けられてい
る。上部導電性板体は、絶縁性チャンネル上に導波管の
軸線に沿ってギャップを有する。このギャップは、奇数
の長手方向磁気モードで電磁波を導波管の軸線に沿って
伝搬するが、しかし、偶数の長手方向磁気モードで電磁
波を抑制することを可能にするギャップ幅を備えてい
る。本発明によるバックプレーンシステムは、導波管が
接続された印刷回路基板または多層基板のような基板を
有している。導波管は、非放射性絶縁体か、または、空
気が充填された矩形の導波管である。本発明の1態様に
よれば、導波管は、その中に、低いオーダーのモードか
らより高いオーダーのモードへの伝搬を阻止するための
ギャップを備えている。バックプレーンシステムは、導
波管に沿って電気信号を送るために導波管に接続された
少なくとも1つの送信機と、電気信号を受けるために導
波管に接続された少なくとも1つの受信機とを有してい
る。送信機と受信機とは、広帯域マイクロウェーブモデ
ムのようなトランシーバーである。
【0008】
【発明の実施の形態】上述した概要は、以下に述べる好
ましい実施例の詳細な記述と同様に、添付した図面を参
照して読むことによってより理解できる。本発明を示す
目的で、現時点において好ましい実施例を図に示した
が、しかしながら、本発明は開示された詳細な方法およ
び手段に限定されないことが理解される。
【0009】――従来のシステムの例:差動対PCBバ
ックプレーンが結合された横側――PCB導電体対のデ
ーターチャンネルが結合された横側(broadsid
e)の減衰(A)は、2つのチャンネルピッチnを有し
ていて、それは、導電体損失による周波数の平方根の
項、および、絶縁体損失から生ずる周波数の一次の項で
ある。すなわち、 A=(A*SQRT(f)+A*f)*L* (8.686db/ネーパー(neper)) (1) ここで、A=(π*μ*ρ)0.5/(w/p)*p*Z ( 2) および、A=π*DF*(μ*ε0.5 ( 3) データーチャンネルピッチがp、wはトレース(tra
ce)の幅、ρはPCBトレースの固有抵抗、およびε
とDFとは、PCB絶縁体の各誘電率と散逸ファクター
である。基準のために、w/pは、−0.5またはそれ
以下に一定に保持され、Zは、トレース間の層間隔h
を、h/p=0.2となるようにpに比例させることに
よって一定に保持される。A=3dB用の方程式(1)
の解は、特別なバックプレーン長さL用のデーターチャ
ンネルの3dB帯域幅に従う。
【0010】ゴア(Gore)によって製造され分配さ
れている「スピードボード(SPEEDBOARD)
(登録商標)」は、低損失「テフロン(TEFRON)
(登録商標)」ラミネートの例である。図1は、0.7
5mスピードボードバックプレーン用のチャンネル当た
りの帯域幅のプロットをデーターチャンネルピッチの関
数として示している。データーチャンネルピッチpが減
少するので、絶縁性損失に相対的な導電性損失の増加に
よって、チャンネルの帯域幅もまた減少する。高度に並
行な(すなわち小さいデーターチャンネルピッチ)バッ
クプレーン用に、平行なチャンネルの密度は、チャンネ
ル帯域幅の対応する低下よりも素早く増加することが望
ましい。したがって、チャンネル層当たりの帯域幅密度
BW/pは、最初に考慮される。全体システムの帯域幅
は、並行チャンネルの密度が増加するように増加するこ
ともまた望ましい。図2は、帯域幅密度のプロット対
0.75m「スピードボード」バックプレーン用のデー
ターチャンネルピッチを示している。しかしながら、図
2から、帯域幅密度は、最大のほぼ1.2mmのチャン
ネルピッチに到達する。この最大を越えるチャンネルピ
ッチのいかなる変更も、帯域幅密度の減少の結果とな
り、したがって、システム作業の減少になる。帯域幅密
度の最大は、導電性損失と絶縁性損失とがほぼ等しい場
合に起きる。
【0011】バックプレーンコネクタの作業は、帯域幅
対帯域幅密度プレーン(plane)または「フェーズ
プレーン」表現によって特徴付けられる。0.5mFR
−4バックプレーン用、および1.0mと0.75m
「スピードボード」バックプレーン用の、帯域幅対帯域
幅密度/層のプロットは、図3に示されていて、チャン
ネルピッチは独立して変更可能である。FR−4は、よ
く知られた他のPCB材料であり、それはガラス強化エ
ポキシ樹脂である。与えられた帯域幅密度用に、チャン
ネル帯域幅のための2つの可能な解決法があることが明
らかである。すなわち、密度低帯域幅「並行」解決法、お
よび、高帯域幅「直列」解決法である。帯域幅密度の限界
は、高い作業のPCB用でさえも、この分野の当業者に
明らかでなければならない。
【0012】――バックプレーンシステム―― 図4は、本発明によるバックプレーンシステムBの概略
図を示している。バックプレーンシステムBは、多層基
板(MLB)または、印刷回路基板(PCB)のような
基板Sを備えている。導波管Wは、外面に、またはML
B(図示せず)の内部部分に層のように、基板Sに設け
られている。導波管Wは、1つまたはそれ以上の送信機
Tと1つまたはそれ以上の受信機Rとの間で信号を搬送
する。送信機Tと受信機Rとは、送受信機であり、好ま
しくは、広帯域マイクロウェーブモデムである。好まし
くは、バックプレーンシステムBは、ある特性をもった
導波管を使用する。好ましい導波管は、ここで述べられ
る。
【0013】――空気が充填された矩形の導波管バック
プレーンシステム―― 図5は、閉成され押し出された導電パイプの矩形導波管
10を示している。導波管10は、断面がほぼ矩形で、
導波管の軸線12(図5にz−軸線として示されてい
る)に沿って設けられている。導波管10は、導波管の
軸線12に沿って設けられた上部横壁14、および上部
横壁14に対向し且つほぼ平行な下部横壁16を有して
いる。導波管10は、一対の側壁18A、18Bを有し
ていて、それらは各上部横壁14と下部横壁16に垂直
で且つそれらに接続されている。導波管10は、幅aと
高さbとを有している。高さbは、典型的には幅aより
も小さい。そのような導波管をバックプレーン応用に装
着するのは、困難でありまた高価である。図6は、導波
管10の壁14と18BのTE1,0モード用の電流の
流れを示している。図6から、最大電流は端部20A、
20Bの近傍であり、上部横壁14の中間での電流は、
長手方向(すなわち導波管の軸線12に沿っている)の
みであることが分かる。本発明によれば、長手方向のギ
ャプは横壁に導かれるので、TE1,0モード用の電流
と界磁のパターンはそれによって影響されない。図7に
示されたように、本発明の導波管100は1対の導電性
チャンネル102A、102Bを有している。第1のチ
ャンネル102Aは、導波管の軸線110に沿って設け
られている。第2のチャンネル102Bは、第1のチャ
ンネル102Aと第2のチャンネル102Bとの間のギ
ャップ112を規定するために、第1のチャンネル10
2Aにほぼ並行に設けられている。
【0014】ギャップ112は、nが奇数の整数の場
合、TEn,0モードでの電磁波の導波管の軸線110
に沿った伝搬を可能にするが、しかし、nが偶数の整数
の場合、TEn,0モードでの電磁波の伝搬を抑制す
る。ギャップ112がこれらのモード用の最大横断電流
の位置にあるので、導波管100はnの偶数値用にTE
n,0モードを抑制する。したがって、これらのモード
は、導波管100内を伝搬しない。それ故、波は、例え
ば、TE3,0モードで波の伝搬が可能になるような十
分なエネルギーが作りだされるまで、TE1,0モード
で伝搬されつづけることができる。TEn,0モード
が、nの偶数値用に抑制されるので、導波管100は、
広帯域導波管である。導波管100は幅aと高さbとを
有している。nの偶数値用のTEn,0モードの抑制を
確実にするために、導波管100の高さbは、約0.5
aまたはそれ以下に規定されている。データーチャンネ
ルピッチpはほぼaに等しい。導波管100の寸法は、
周波数または対象の周波数に基づく個々の応用のために
設定できる。ギャップ112は、電流の遮断が起きる限
りどのような幅を有してもよい。好ましくは、ギャップ
112は、導波管100の全長に沿って延びている。
【0015】図7の(A)に示されたように、各チャン
ネル102A、102Bは、上部横壁104A、104
Bと、その上部横壁104A、104Bに対向しかつそ
れにほぼ平行な下部横壁106A、106Bと、およ
び、横壁104、106にほぼ垂直でかつそれに接続さ
れた側壁108A、108Bとを備えている。第1のチ
ャンネル102Aの上部横壁104Aと第2のチャンネ
ル102Bの上部横壁104Bとは、ほぼ同一面にあ
る。ギャップ112は、第1のチャンネル102Aの上
部横壁104Aと第2のチャンネル102Bの上部横壁
104Bとの間に規定されている。同様に、第1のチャ
ンネル102Aの下部横壁106Aと第2のチャンネル
102Bの下部横壁106Bとはほぼ同一面にあり、第
2のギャップ114は、それらの間に規定されている。
第1のチャンネル102Aの側壁108Aは、第2のチ
ャンネル102Bの側壁108Bに対向していて、かつ
それとほぼ並行である。側壁108Aと108Bとは導
波管100の境界を形成するために互いに向き合ってい
る。
【0016】このように、導波管100の配列は、図7
の(B)に示されたように、バックプレーンシステム1
20を形成するために使用できる。バックプレーンシス
テム120は、複数のほぼ「I」形状の導電性チャンネ
ル103または「C」形状の導電性チャンネル102を
使用して構成される。好ましくは、導電性チャンネル
は、銅のような導電性の材料で形成されていて、これは
導電性の材料を押し出しによってまたは板体を曲げるこ
とによって構成することができる。導電性チャンネル
は、ついで、好ましい実施例において、印刷回路基板
(PCB)118A、118Bである2つの基板の間で
ラミネートすることができる(たとえば、にかわによっ
て)。PCBは、たとえば、従来の回路トレース(図示
せず)をその上に有している。
【0017】上述した従来のシステムとは異なり、本発
明の導波管110における減衰は、0.2dB/メータ
ーよりも少なく、1メーターの長さのオーダーのバック
プレーンシステム用のBWの限定されたファクターでは
ない。その代わり、BW限定ファクターは、導波管に沿
った不連続性または不規則性による、低次元のモードか
ら次に高いモードへのモード変換である。(導波管シス
テムの以下の分析に暗に含まれるものは、搬送波抑圧
(carrier suppression)を有する
か有していない単一の上部サイドバンド変調を前提とし
ている。)図8は、本発明による矩形の導波管100に
おける減衰対周波数のプロットである。図8から、カッ
トオフ近傍の厳しい減衰を避ける最低の操作周波数f
は、TE1,0カットオフ周波数fのほぼ2倍である
ことがわかる。すなわち、 f<f≦2*(c/2a)=c/a (4)。 ギャップ112によって次に高いモードであるTE3,
0モード用のカットオフ周波数は、TE1,0カットオ
フ周波数の3倍である。すなわち、 f=3*(c/2a)=1.5*f (5)。
【0018】上部サイドバンド限界に基づいた帯域幅B
Wは、それ故(f−f)で、光の速さcで置き換え
ると、 BW=150(Ghz*mm)/p (6) となる。ここで、データーチャンネルピッチのpは、導
波管の幅aと置き換えられる。さらに、b/pはTE
0,nモードに置き換えるために0.5より小さい。帯
域幅密度BWDは、単にピッチによって割られている。
すなわち、 BWD=BW/p=150/p*p(Ghz/mm) (7)。 それ故、BWとBWDとの関係は、 BW=(150*BWD)0.5(Ghz) (8)。 例えば、約20GHzから約50GHzの周波数範囲に
相当するこの関係のプロットは、「スピードボード」の
帯域幅対帯域幅密度に関して図9に示されている。図9
から、矩形TE1,0モードバックプレーンシステムで
取得可能な帯域幅と帯域幅密度の範囲は、「スピードボ
ード」システムのほぼ2倍であることが分かる。
【0019】図10〜図12は、同様に、本発明が従来
のシステムを越えることができる改良を示している。図
10は、種々の材料を使用した従来のラミネートされた
導波管の減衰と周波数特性とを表わしている。図11
は、本発明によるバックプレーンシステムの減衰と周波
数特性とを表わしていて、特に、λ/0.4GHzで
5h/8侵入を持った直径0.094インチ(0.23
9cm)銅の管状プローブを使用した、0.312イン
チ(0.72cm)掛ける0.857インチ(2.18
cm)の溝孔が掘られた導波管である。図12は、本発
明による他のバックプレーンシステムの減衰と周波数特
性とを表わしていて、この場合はドアーノブタイプのア
ンテナを使用している。これらの図は、本発明の導波管
が従来のシステムよりも相対的に大きい帯域幅を有して
いることを表わしている。この章に「空気が充填され
た」導波管として述べられているが、本発明は、空気の
代わりに充填材料を使用することもできる。充填材料
は、適切などのような絶縁材料でもできる。
【0020】――非放射性絶縁体(NRD)導波管バッ
クプレーンシステム―― 図13は、従来のTEモードNRD導波管20を示して
いる。導波管20は、矩形の導波管(上述の導波管10
のような)から作り出され、特に側壁を除去して絶縁材
料22が充填されている。図示したように、導波管20
は、上部導電性板体24Uと、上部導電性板体24Uに
対向してほぼ並行に設けられた下部導電性板体24Lと
を有している。絶縁性チャンネル22は、導電性の板体
24Uと24Lとの間で導波管の軸線30(図13にお
いてz軸線として示されている)に沿って設けられてい
る。第2のチャンネル26は、絶縁性のチャンネル22
に隣接して、導波管の軸線30に沿って設けられてい
る。ここで参照して取り込む米国特許第5、473、2
96号は、NRD導波管の製造について述べている。
【0021】導波管20は、偶数と奇数の両方の長手方
向磁気モードを支持できる(伝搬方向における磁界の対
称に関して)。偶数のモードは、カットオフ周波数を有
しているのに対し、奇数モードはそうではない。所望の
奇数モード用の導波管20におけるフィールドパターン
は、図14に示されている。絶縁体22におけるフィー
ルドは、上述した矩形導波管10のTE1,0モードの
それと類似していて、E〜cos(kx)およびH
〜sin(kx)として代わる。しかしながら、空気の
再作用負荷(reactive loading)が絶
縁体22の左面と右面とに一定の距離をおくので、絶縁
体22の外側で、フィールドはxと指数的に減衰、すな
わちexp(−τx)する。
【0022】「テフロン用」にこのモードの分散特性
は、図15に示されていて、ベータ(Beta)とFと
は、各標準化された伝搬定数と標準化された周波数であ
る。すなわち、 Beta=aβ/2 (9) および、 f=(aω/2c)(Dr−1)0.5 (10) であり、ここで、cは光の速さ、Drは絶縁体22の相
対的絶縁定数である。操作の範囲はfの値が1と2の間
用であり、中間的な分散のみがある。
【0023】絶縁体22の外側のフィールドは、指数的
に減衰するので、2つまたはそれ以上のNRD導波管3
0が、図16に示されたように、周期的マルチバス(p
eriodic multiple bus)構造を形
成するために、接地面PCBのように、基板24Uと2
4Lとの間でラミネートされる。フィールドを絶縁体2
2に外部で接続する結果の第1次数は、絶縁体導波管3
0間の漏話のあるレベルである。この接続は、図16に
示されたように、ピッチpと周波数Fとの増加で減少す
る。したがって、受容可能な漏話レベルは、最小導波管
ピッチpminを決定する。
【0024】本発明によれば、また、図17に示された
ように、長手方向のギャプは、頂部で最大の交差する電
流と、x=0で底部設置面構造を有する、比較的高い次
数の偶数モードの励磁および引き続く伝搬を阻止するた
めに使用できる。図17は、本発明のNRD導波管バッ
クプレーンシステム120を示している。導波管バック
プレーンシステム120は、上部導電性板体124U
と、上部導電性板体124Uと対向しほぼ並行に設けら
れた下部導電性板体124Lとを有している。好ましく
は、板体124Uと124Lとは、銅合金のような適切
な導電性の材料で作られていて、接地されている。絶縁
性チャンネル122は、導電性の板体124Uと124
Lとの間で導波管の軸線130に沿って設けられてい
る。導電性の板体のギャップ128は、導波管の軸線1
30に沿って形成されている。好ましくは、ギャップ1
28は、各絶縁性チャンネル122の中間の近傍に設け
られている。空気が充填されたチャンネル126は、絶
縁性チャンネル122に隣接して導波管の軸線130に
沿って設けられている。好ましい実施例において、導波
管120は、空気が充填されたチャンネル126によっ
て離隔された複数の絶縁性チャンネル122を有するこ
とができる。絶縁性チャンネル122は、あらゆる適切
な材料から作ることができる。
【0025】TE1,0モードNRD導波管の帯域幅
は、絶縁体と導電性接地面の損失に依存する。b〜a/
2で、固有値への近似、 k〜(ω/c)(Dr−1)0.5〜2/a、 (11) が保持するケース用に、減衰は、2つの構成要素を有し
ている。すなわち、絶縁体損失タンジェント(tang
ent)に比例する周波数の一次の項、および導電性接
地面における損失による周波数の3/2乗(powe
r)の項である。このフォームの減衰用に、 α=(α)(f)1.5+(α)f (12) 上部側波帯3dB点に基づいた帯域幅長さ製品BW*L
は、 BW*L〜(0.345/α)/(1/2)(α)(f)0.5+1 (13) であり、ここで、BW/f<1、およびfは、名目
的な搬送周波数である。好ましくは、ピッチpは、幅a
の倍数である。ついで、(3)からfは、1/pに比
例する。同様に、帯域幅密度BWD=BW/pである。
Dr=4と0.0001の損失タンジェントを有する
「テフロン」NRD導波管用と、およびクウォーツNR
Dガイド用の帯域幅と帯域幅密度特性のプロットは、図
9に示されている。これらのプロット用に、p=3aで
ある。このように矩形の導波管100の特性と同様に、
NRD導波管120は、増加された帯域幅と、より重要
なことに、従来のPCBバックプレーンの放射線状に閉
成した帯域幅作業に関連する端部が開放した帯域幅密度
特性を提供する。
【0026】このように、ラミネートされた印刷回路基
板用の広帯域なマイクロウェーブモデム導波管のバック
プレーンシステムが開示されている。この分野の当業者
にとって、多くの変更と修正が本発明の好ましい実施例
になされることが理解でき、そのような変更と修正とは
本発明の精神から離れることなくなされる。たとえば、
図9は、最小の作業用の参照点、ファイバー光学システ
ムポテンシャル帯域幅作業の下限を明示するマルチモー
ドファイバー光学システムもまた含んでいる。本発明の
マイクロウェーブモデム導波管が、従来のPCBバック
プレーンと将来のファイバー光学バックプレーンシステ
ムとの間の帯域幅作業における橋渡しを提供することが
予期される。したがって、添付した請求の範囲はそのよ
うなすべての均等な変更は本発明の真の精神と範疇に入
ることが企図される。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、ラミネートされた印刷
回路基板用に、広帯域マイクロウェーブモデム導波管の
バックプレーンシステムが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】0.75m「スピードボード」用のチャンネル
帯域幅対データーチャンネルピッチのプロットを示す
図。
【図2】0.75m「スピードボード」用の帯域幅密度
対データーチャンネルピッチのプロットを示す図。
【図3】0.5mFR−4バックプレーン、および1m
と0.75m「スピードボード」用の帯域幅密度対密度
/層のプロットを示す図。
【図4】本発明によるバックプレーンシステムの概略
図。
【図5】閉成され、引き出された導波管の矩形導波管を
示す図。
【図6】閉成され、引き出された導波管の矩形導波管に
おけるTE1,0モード用の電流の流れを示す図。
【図7】図7の(A)は、本発明による分離した矩形導
波管を示す図。図7の(B)は、本発明による空気が充
填された導波管のバックプレーンシステムを示す図。
【図8】矩形導波管の減衰対周波数のプロットを示す
図。
【図9】種々の導波管のバックプレーンシステムの帯域
幅と帯域幅密度特性のプロットを示す図。
【図10】種々の材料を使用した従来のラミネートされ
た導波管の減衰対周波数特性を示す図。
【図11】本発明によるバックプレーンシステムの減衰
対周波数特性を示す図。
【図12】本発明による他のバックプレーンシステムの
減衰対周波数特性を示す図。
【図13】非放射性絶縁体(NRD)導波管を示す図。
【図14】図13の奇数モード用のフィールドパターン
のプロットを示す図。
【図15】NRD導波管のTE1,0用の分散プロット
を示す図。
【図16】NRD導波管のバックプレーンシステムを示
す図。
【図17】本発明におけるNRD導波管のバックプレー
ンシステムを示す図。
【図18】図13の導波管システム用の内部導波管漏話
対周波数のプロットを示す図。
【符号の説明】
10、100……導波管 12、30、130……導波管の軸線 14、104A、104B……上部横壁 16、106A、106B……下部横壁 18A、18B、108A、108B……側壁 24U、24L……板体 102、103……導電性チャンネル 102A……第1のチャンネル 102B……第2のチャンネル 112、128……ギャップ 118A、118B……基板 122……絶縁性チャンネル MLB……多層基板 PCB……印刷回路基板 T……送信機 R……受信機 BD……帯域幅 BWD……帯域幅密度

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導波管であって:導波管の軸線に沿って
    設けられた第1の導電性チャンネルと;第1のチャンネ
    ルにほぼ平行に設けられ、導波管の軸線に沿って第1の
    チャンネルとの間にギャップを規定する第2の導電性チ
    ャンネルとを有し、ギャップは、nが奇数のTEn,0
    モードで電磁波を導波管の軸線に沿って伝搬するが、し
    かし、mが偶数のTEm,0モードで電磁波を抑制する
    ことを可能にするギャップ幅を備えたことを特徴とする
    導波管。
  2. 【請求項2】 nが1でmが2であることを特徴とする
    請求項1記載の導波管。
  3. 【請求項3】 前記各チャンネルは上部横壁と、上部横
    壁に対向しそれにほぼ平行な下部横壁と、上部横壁と下
    部横壁とにほぼ垂直でそれらに接続された側壁とを有
    し;第1のチャンネルの上部横壁と第2のチャンネルの
    上部横壁とは、ほぼ同一平面をなし;ギャップは、第1
    のチャンネルの上部横壁と第2のチャンネルの上部横壁
    との間に規定されていることを特徴とする請求項1記載
    の導波管。
  4. 【請求項4】 第1のチャンネルの下部横壁と第2のチ
    ャンネルの下部横壁とはほぼ同一平面をなし;第2のギ
    ャップは、第1のチャンネルの下部横壁と第2のチャン
    ネルの下部横壁との間に規定されていることを特徴とす
    る請求項3記載の導波管。
  5. 【請求項5】 第1のチャンネルは、導波管の軸線に沿
    ってほぼC字状の断面を有することを特徴とする請求項
    1記載の導波管。
  6. 【請求項6】 第1のチャンネルは、導波管の軸線に沿
    ってほぼI字状の断面を有することを特徴とする請求項
    1記載の導波管。
  7. 【請求項7】 第1のチャンネルは、電気的に導電性の
    材料の板を曲げることによって形成されていることを特
    徴とする請求項1記載の導波管。
  8. 【請求項8】 モード抑制用の導電体におけるギャップ
    を有するNRD導波管であって:上部導電性板体と;下
    部導電性板体と;導電性板体間で導波管の軸線に沿って
    設けられた絶縁性チャンネルと;導電性板体間の絶縁性
    チャンネルに隣接し導波管の軸線に沿って設けられた第
    2のチャンネルと;を有し、上部導電性板体は、絶縁性
    チャンネル上に導波管の軸線に沿ってギャップを有し、
    このギャップは、奇数の長手方向磁気モードで電磁波を
    導波管の軸線に沿って伝搬するが、しかし、偶数の長手
    方向磁気モードで電磁波を抑制することを可能にするギ
    ャップ幅を備えたことを特徴とするNRD導波管。
  9. 【請求項9】 絶縁性チャンネルは、導波管の軸線に沿
    ってほぼ矩形の断面を有することを特徴とする請求項8
    記載の導波管。
  10. 【請求項10】 バックプレーンシステムであって:基
    板と;基板に接続された導波管と;導波管に沿って電気
    信号を送るために導波管に接続された少なくとも1つの
    送信機と;電気信号を受けるために導波管に接続された
    少なくとも1つの受信機と;を備えたことを特徴とする
    バックプレーンシステム。
  11. 【請求項11】 基板は複数層からなる基板であること
    を特徴とする請求項10記載のバックプレーンシステ
    ム。
  12. 【請求項12】 送信機と受信機とは、トランシーバー
    であることを特徴とする請求項10記載のバックプレー
    ンシステム。
  13. 【請求項13】 トランシーバーは、広帯域マイクロウ
    ェーブモデムであることを特徴とする請求項12記載の
    バックプレーンシステム。
  14. 【請求項14】 導波管は、非放射性絶縁体、および、
    空気が充填された矩形の導波管のいずれか一方であるこ
    とを特徴とする請求項10記載のバックプレーンシステ
    ム。
  15. 【請求項15】 導波管は、その中に、低いオーダーの
    モードからより高いオーダーのモードへの伝搬を阻止す
    るためのギャップを備えたことを特徴とする請求項10
    記載のバックプレーンシステム。
JP2000331135A 1999-10-29 2000-10-30 導波管およびバックプレーンシステム Pending JP2001189610A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/429,812 US6590477B1 (en) 1999-10-29 1999-10-29 Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap
US09/429812 1999-10-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001189610A true JP2001189610A (ja) 2001-07-10

Family

ID=23704833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000331135A Pending JP2001189610A (ja) 1999-10-29 2000-10-30 導波管およびバックプレーンシステム

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6590477B1 (ja)
EP (2) EP1096596A3 (ja)
JP (1) JP2001189610A (ja)
AT (1) ATE392023T1 (ja)
CA (1) CA2324570A1 (ja)
DE (1) DE60038586T2 (ja)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI113581B (fi) * 1999-07-09 2004-05-14 Nokia Corp Menetelmä aaltojohdon toteuttamiseksi monikerroskeramiikkarakenteissa ja aaltojohto
US6590477B1 (en) * 1999-10-29 2003-07-08 Fci Americas Technology, Inc. Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap
US20070268087A9 (en) * 2000-11-03 2007-11-22 Lemke Timothy A High speed, controlled impedance air dielectric electronic backplane systems
US7088199B2 (en) * 2004-05-28 2006-08-08 International Business Machines Corporation Method and stiffener-embedded waveguide structure for implementing enhanced data transfer
JP4337779B2 (ja) * 2004-07-01 2009-09-30 ソニー株式会社 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置
US7271680B2 (en) * 2005-06-29 2007-09-18 Intel Corporation Method, apparatus, and system for parallel plate mode radial pattern signaling
US7301424B2 (en) * 2005-06-29 2007-11-27 Intel Corporation Flexible waveguide cable with a dielectric core
US7551042B1 (en) * 2006-06-09 2009-06-23 Johnson Ray M Microwave pulse compressor using switched oversized waveguide resonator
US8032089B2 (en) * 2006-12-30 2011-10-04 Broadcom Corporation Integrated circuit/printed circuit board substrate structure and communications
US9136570B2 (en) * 2007-12-07 2015-09-15 K & L Microwave, Inc. High Q surface mount technology cavity filter
JP4645664B2 (ja) * 2008-03-06 2011-03-09 株式会社デンソー 高周波装置
US8274147B2 (en) * 2008-06-19 2012-09-25 Broadcom Corporation Method and system for intra-printed circuit board communication via waveguides
US9322904B2 (en) 2011-06-15 2016-04-26 Keyssa, Inc. Proximity sensing using EHF signals
US8554136B2 (en) 2008-12-23 2013-10-08 Waveconnex, Inc. Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips
JP2011044953A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Sony Corp Av機器用の有線伝送線路
US8730314B2 (en) * 2010-04-13 2014-05-20 Varian Medical Systems, Inc. Systems and methods for monitoring radiation treatment
CN103563166B (zh) 2011-03-24 2019-01-08 基萨公司 具有电磁通信的集成电路
US8811526B2 (en) 2011-05-31 2014-08-19 Keyssa, Inc. Delta modulated low power EHF communication link
US9372214B2 (en) * 2011-06-03 2016-06-21 Cascade Microtech, Inc. High frequency interconnect structures, electronic assemblies that utilize high frequency interconnect structures, and methods of operating the same
US20130278360A1 (en) * 2011-07-05 2013-10-24 Waveconnex, Inc. Dielectric conduits for ehf communications
TWI633766B (zh) 2011-10-21 2018-08-21 奇沙公司 用於非接觸的訊號編接的裝置和系統
KR20150041653A (ko) 2012-08-10 2015-04-16 키사, 아이엔씨. Ehf 통신을 위한 유전체 커플링 시스템
US9478840B2 (en) * 2012-08-24 2016-10-25 City University Of Hong Kong Transmission line and methods for fabricating thereof
CN104769852B (zh) 2012-09-14 2016-09-21 凯萨股份有限公司 具有虚拟磁滞的无线连接
US9531425B2 (en) 2012-12-17 2016-12-27 Keyssa, Inc. Modular electronics
EP2974504B1 (en) 2013-03-15 2018-06-20 Keyssa, Inc. Ehf secure communication device
TWI551093B (zh) 2013-03-15 2016-09-21 奇沙公司 極高頻通訊晶片
US9793603B2 (en) * 2013-06-27 2017-10-17 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Millimeter wave frequency data communication systems
US9548523B2 (en) * 2014-04-09 2017-01-17 Texas Instruments Incorporated Waveguide formed with a dielectric core surrounded by conductive layers including a conformal base layer that matches the footprint of the waveguide
US9769446B1 (en) * 2015-03-10 2017-09-19 Lentix, Inc. Digital image dynamic range processing apparatus and method
EP3286799B1 (en) * 2015-04-21 2022-06-01 3M Innovative Properties Company Waveguide with high dielectric resonators
US10411320B2 (en) 2015-04-21 2019-09-10 3M Innovative Properties Company Communication devices and systems with coupling device and waveguide
US10240947B2 (en) 2015-08-24 2019-03-26 Apple Inc. Conductive cladding for waveguides
US10170831B2 (en) * 2015-08-25 2019-01-01 Elwha Llc Systems, methods and devices for mechanically producing patterns of electromagnetic energy
DE112015007202T5 (de) * 2015-12-21 2018-09-06 Intel Corporation Mikroelektronische vorrichtungen mit eingebetteten substrathohlräumen für datenübertragungen von vorrichtung zu vorrichtung
CN113507293B (zh) 2016-02-01 2023-09-05 安费诺富加宜(亚洲)私人有限公司 高速数据通信系统
WO2018063342A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Rawlings Brandon M Co-extrusion of multi-material sets for millimeter-wave waveguide fabrication
US10587026B2 (en) * 2017-01-27 2020-03-10 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Fully integrated broadband interconnect
US10468736B2 (en) * 2017-02-08 2019-11-05 Aptiv Technologies Limited Radar assembly with ultra wide band waveguide to substrate integrated waveguide transition
US10584580B2 (en) 2017-10-23 2020-03-10 SharpKeen Enterprises, Inc. Electromagnetic surface wave communication in a pipe
US11527808B2 (en) 2019-04-29 2022-12-13 Aptiv Technologies Limited Waveguide launcher
US11362436B2 (en) 2020-10-02 2022-06-14 Aptiv Technologies Limited Plastic air-waveguide antenna with conductive particles
US11757166B2 (en) 2020-11-10 2023-09-12 Aptiv Technologies Limited Surface-mount waveguide for vertical transitions of a printed circuit board
US11749883B2 (en) 2020-12-18 2023-09-05 Aptiv Technologies Limited Waveguide with radiation slots and parasitic elements for asymmetrical coverage
US11681015B2 (en) 2020-12-18 2023-06-20 Aptiv Technologies Limited Waveguide with squint alteration
US11901601B2 (en) 2020-12-18 2024-02-13 Aptiv Technologies Limited Waveguide with a zigzag for suppressing grating lobes
US11502420B2 (en) 2020-12-18 2022-11-15 Aptiv Technologies Limited Twin line fed dipole array antenna
US11626668B2 (en) 2020-12-18 2023-04-11 Aptiv Technologies Limited Waveguide end array antenna to reduce grating lobes and cross-polarization
US11444364B2 (en) 2020-12-22 2022-09-13 Aptiv Technologies Limited Folded waveguide for antenna
US11668787B2 (en) 2021-01-29 2023-06-06 Aptiv Technologies Limited Waveguide with lobe suppression
US11721905B2 (en) 2021-03-16 2023-08-08 Aptiv Technologies Limited Waveguide with a beam-forming feature with radiation slots
US11616306B2 (en) 2021-03-22 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Apparatus, method and system comprising an air waveguide antenna having a single layer material with air channels therein which is interfaced with a circuit board
US11973268B2 (en) 2021-05-03 2024-04-30 Aptiv Technologies AG Multi-layered air waveguide antenna with layer-to-layer connections
US11962085B2 (en) 2021-05-13 2024-04-16 Aptiv Technologies AG Two-part folded waveguide having a sinusoidal shape channel including horn shape radiating slots formed therein which are spaced apart by one-half wavelength
US11616282B2 (en) 2021-08-03 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Transition between a single-ended port and differential ports having stubs that match with input impedances of the single-ended and differential ports

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE750554C (de) * 1940-10-31 1945-01-17 Hohlrohrleitung zur dielektrischen Fortleitung kurzer elektromagnetischer Wellen
US4862186A (en) * 1986-11-12 1989-08-29 Hughes Aircraft Company Microwave antenna array waveguide assembly

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE893819C (de) * 1944-12-23 1953-10-19 Siemens Ag Hohlrohrleitung
US3157847A (en) * 1961-07-11 1964-11-17 Robert M Williams Multilayered waveguide circuitry formed by stacking plates having surface grooves
DE1158597B (de) * 1962-02-23 1963-12-05 Telefunken Patent Verlustarmer Hohlleiter zur UEbertragung der H-Welle
DE1275649B (de) * 1963-06-08 1968-08-22 Sumitomo Electric Industries Seitlich offener Hohlleiter fuer die UEbertragung elektromagnetischer Oberflaechenwellen
US3315187A (en) 1966-01-25 1967-04-18 Sumitomo Electric Industries Microwave transmission line
GB1320673A (en) 1971-01-12 1973-06-20 Cambridge Scientific Instr Ltd Microwave spectroscopy
US3686590A (en) 1971-06-24 1972-08-22 Rca Corp Sheet metal waveguide constructed of a pair of interlocking sheet metal channels
US4001733A (en) 1975-08-18 1977-01-04 Raytheon Company Ferrite phase shifter having conductive material plated around ferrite assembly
US4156907A (en) 1977-03-02 1979-05-29 Burroughs Corporation Data communications subsystem
US4200930A (en) 1977-05-23 1980-04-29 Burroughs Corporation Adapter cluster module for data communications subsystem
US4292669A (en) 1978-02-28 1981-09-29 Burroughs Corporation Autonomous data communications subsystem
GB2119581A (en) 1982-04-26 1983-11-16 Philips Electronic Associated Waveguide/microstrip mode transducer
US4587651A (en) 1983-05-04 1986-05-06 Cxc Corporation Distributed variable bandwidth switch for voice, data, and image communications
US4677404A (en) * 1984-12-19 1987-06-30 Martin Marietta Corporation Compound dielectric multi-conductor transmission line
US4800350A (en) * 1985-05-23 1989-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Dielectric waveguide using powdered material
US4818963A (en) 1985-06-05 1989-04-04 Raytheon Company Dielectric waveguide phase shifter
US4777657A (en) 1987-04-01 1988-10-11 Iss Engineering, Inc. Computer controlled broadband receiver
GB2222489B (en) 1988-08-31 1992-08-12 Marconi Electronic Devices Waveguide apparatus
US5004993A (en) 1989-09-19 1991-04-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Constricted split block waveguide low pass filter with printed circuit filter substrate
US5359714A (en) 1992-01-06 1994-10-25 Nicolas Avaneas Avan computer backplane-a redundant, unidirectional bus architecture
US5398010A (en) * 1992-05-07 1995-03-14 Hughes Aircraft Company Molded waveguide components having electroless plated thermoplastic members
FR2700069B1 (fr) 1992-12-24 1995-03-17 Adv Comp Res Inst Sarl Système d'interconnexion de cartes d'un système informatique rapide.
JP3123293B2 (ja) 1993-03-05 2001-01-09 株式会社村田製作所 非放射性誘電体線路およびその製造方法
EP0618642B1 (en) 1993-03-31 2001-09-19 Hitachi Kokusai Electric Inc. An electromagnetic radiator for radiating and receiving electromagnetic waves
US5363464A (en) 1993-06-28 1994-11-08 Tangible Domain Inc. Dielectric/conductive waveguide
US5818385A (en) 1994-06-10 1998-10-06 Bartholomew; Darin E. Antenna system and method
US5825268A (en) 1994-08-30 1998-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Device with a nonradiative dielectric waveguide
US5986527A (en) * 1995-03-28 1999-11-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Planar dielectric line and integrated circuit using the same line
JP3166897B2 (ja) 1995-08-18 2001-05-14 株式会社村田製作所 非放射性誘電体線路およびその集積回路
US5889449A (en) * 1995-12-07 1999-03-30 Space Systems/Loral, Inc. Electromagnetic transmission line elements having a boundary between materials of high and low dielectric constants
US5637521A (en) 1996-06-14 1997-06-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of fabricating an air-filled waveguide on a semiconductor body
US5929728A (en) * 1997-06-25 1999-07-27 Hewlett-Packard Company Imbedded waveguide structures for a microwave circuit package
JP2001075051A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Moritex Corp 不連続多波長光発生装置とこれを用いた偏波分散測定方法
US6590477B1 (en) * 1999-10-29 2003-07-08 Fci Americas Technology, Inc. Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE750554C (de) * 1940-10-31 1945-01-17 Hohlrohrleitung zur dielektrischen Fortleitung kurzer elektromagnetischer Wellen
US4862186A (en) * 1986-11-12 1989-08-29 Hughes Aircraft Company Microwave antenna array waveguide assembly

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H.BUTTERWECK: "Mode Filters for Oversized Rectangular Waveguides", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, vol. 16, no. 5, JPN6009007483, May 1968 (1968-05-01), US, pages 274 - 281, XP002206188, ISSN: 0001253638, DOI: 10.1109/TMTT.1968.1126671 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1096596A2 (en) 2001-05-02
US6960970B2 (en) 2005-11-01
CA2324570A1 (en) 2001-04-29
US6724281B2 (en) 2004-04-20
DE60038586T2 (de) 2009-06-25
EP1737064A1 (en) 2006-12-27
US6590477B1 (en) 2003-07-08
US20040160294A1 (en) 2004-08-19
EP1737064B1 (en) 2008-04-09
US20020021197A1 (en) 2002-02-21
ATE392023T1 (de) 2008-04-15
DE60038586D1 (de) 2008-05-21
EP1096596A3 (en) 2002-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001189610A (ja) 導波管およびバックプレーンシステム
US10749238B2 (en) Dielectric waveguide comprising a dielectric core surrounded by a dielectric cladding having a plurality of ribs that support the core within a conductive shield
US6535088B1 (en) Suspended transmission line and method
US7750765B2 (en) Compact via transmission line for printed circuit board and design method of the same
US3845426A (en) Dipole mode electromagnetic waveguides
CN102696145B (zh) 微带线和矩形波导间的微波转换设备
US20100182105A1 (en) Impedance-controlled coplanar waveguide system for the three-dimensional distribution of high-bandwidth signals
CN107205308B (zh) 印刷电路板、光模块、以及传输装置
CN104112891B (zh) 信号传输电缆和柔性印刷电路板
SE542733C2 (en) Antenna array based on one or more metamaterial structures
KR101927576B1 (ko) Em-터널이 내장된 구조를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제작 방법
US6622370B1 (en) Method for fabricating suspended transmission line
CN114284669A (zh) 使用微带电路和介质波导的芯片到芯片接口
JP2018101656A (ja) プリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置
TW201937997A (zh) 具有與電磁吸收材料耦合之短柱的印刷電路板
Shimabukuro et al. Attenuation measurement of very low loss dielectric waveguides by the cavity resonator method applicable in the millimeter/submillimeter wavelength range
US3573681A (en) Helical waveguide formed from dielectric ribbon having symmetrically disposed conductive strips on opposite sides
CN112186321A (zh) 加脊方同轴基片集成波导互连装置
JPH11136009A (ja) 高周波用フレキシブル線路
WO2020041968A1 (zh) 表面波转换耦合装置和表面波通信系统
US6552635B1 (en) Integrated broadside conductor for suspended transmission line and method
JP3843081B2 (ja) Nrdガイド変換器
JP2000077912A (ja) 誘電体導波管線路の接続構造
US11929536B2 (en) Filter cable
JP7077137B2 (ja) 伝送線路およびコネクタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071017

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090728