JP2001177349A - ２個のｍｏｓトランジスタのゲート・ソース電圧間の差を補償する回路 - Google Patents
２個のｍｏｓトランジスタのゲート・ソース電圧間の差を補償する回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、処理や温度変化により生じた２個
の異なる形式のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース電
圧間の差の補償回路を得ることを目的とする。 【解決手段】 第１のトランジスタＭｐおよび第２のト
ランジスタＭｎとそれぞれ同じタイプで同じデバイス中
に形成されている第３のＭＯＳトランジスタＭｐ１およ
び第４のＭＯＳトランジスタＭｎ１と、第３および第４
のトランジスタＭｐ１、Ｍｎ１をバイアスする手段と、
第３および第４のトランジスタＭｐ１、Ｍｎ１のゲート
・ソース電圧間の差を測定する手段Ｍｐ４−Ｍｐ７と、
測定された差の関数である補償電流Ｉｏを発生する手段
Ｒ１と、補償電流Ｉｏを使用して第１のＭＯＳトランジ
スタＭｐと第２のＭＯＳトランジスタＭｎのバイアスを
変更する手段Ｓ１−Ｓ３、Ｒｏとを具備していることを
特徴とする。
の異なる形式のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース電
圧間の差の補償回路を得ることを目的とする。 【解決手段】 第１のトランジスタＭｐおよび第２のト
ランジスタＭｎとそれぞれ同じタイプで同じデバイス中
に形成されている第３のＭＯＳトランジスタＭｐ１およ
び第４のＭＯＳトランジスタＭｎ１と、第３および第４
のトランジスタＭｐ１、Ｍｎ１をバイアスする手段と、
第３および第４のトランジスタＭｐ１、Ｍｎ１のゲート
・ソース電圧間の差を測定する手段Ｍｐ４−Ｍｐ７と、
測定された差の関数である補償電流Ｉｏを発生する手段
Ｒ１と、補償電流Ｉｏを使用して第１のＭＯＳトランジ
スタＭｐと第２のＭＯＳトランジスタＭｎのバイアスを
変更する手段Ｓ１−Ｓ３、Ｒｏとを具備していることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路デバイス
の第１のＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ）と第２のＭＯＳト
ランジスタ（Ｍｎ）のゲート・ソース電圧（Ｖｇｓ）間
の差を補償する回路に関する。
の第１のＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ）と第２のＭＯＳト
ランジスタ（Ｍｎ）のゲート・ソース電圧（Ｖｇｓ）間
の差を補償する回路に関する。
【０００２】“ＭＯＳトランジスタ”とは、ＭＯＳ（金
属・酸化物・半導体）技術によって生成され、一般にア
ナログデジタル集積回路におけるデバイスの基本素子と
して使用されている電界効果トランジスタを定義してい
る。しかしながら、本発明は一般に異なったタイプの電
界効果トランジスタを使用する回路にも適応する。
属・酸化物・半導体）技術によって生成され、一般にア
ナログデジタル集積回路におけるデバイスの基本素子と
して使用されている電界効果トランジスタを定義してい
る。しかしながら、本発明は一般に異なったタイプの電
界効果トランジスタを使用する回路にも適応する。
【従来の技術】集積回路の素子の特性は、生成工程の多
様性のために設計特性に関して大なり小なり変わり易い
ことがよく知られている。同じ回路中に形成されている
異なったタイプまたは寸法のＭＯＳトランジスタは、プ
ロセスの変化に対して異なった応答をする可能性があ
る。多くの適用において、とくにアナログ回路では、Ｍ
ＯＳトランジスタのこの異なった性質のために、回路の
動作のバランスが崩れるか、あるいは設計段階で与えら
れた動作からの望ましくない偏差が生じる。
様性のために設計特性に関して大なり小なり変わり易い
ことがよく知られている。同じ回路中に形成されている
異なったタイプまたは寸法のＭＯＳトランジスタは、プ
ロセスの変化に対して異なった応答をする可能性があ
る。多くの適用において、とくにアナログ回路では、Ｍ
ＯＳトランジスタのこの異なった性質のために、回路の
動作のバランスが崩れるか、あるいは設計段階で与えら
れた動作からの望ましくない偏差が生じる。
【０００３】このような適用の一例は増幅器の入力段で
ある。図１に示されているように、このタイプの段はｎ
チャンネルトランジスタＭｎとｐチャンネルトランジス
タＭｐとを含んでおり、それらのソース電極は、接地符
号およびＶＤＤで示されている電源の端子に接続されて
おり、一方それらのゲート電極は、この例では、示され
ているように抵抗Ｒｏによってその段の入力ノードＮに
それぞれ接続された２個の同じ電流発生器Ｇｏを含む各
バイアス回路に接続されている。２個のトランジスタの
ドレイン電極は、その段の２個の出力を構成し、増幅器
の別の素子に接続されている（示されていない）。
ある。図１に示されているように、このタイプの段はｎ
チャンネルトランジスタＭｎとｐチャンネルトランジス
タＭｐとを含んでおり、それらのソース電極は、接地符
号およびＶＤＤで示されている電源の端子に接続されて
おり、一方それらのゲート電極は、この例では、示され
ているように抵抗Ｒｏによってその段の入力ノードＮに
それぞれ接続された２個の同じ電流発生器Ｇｏを含む各
バイアス回路に接続されている。２個のトランジスタの
ドレイン電極は、その段の２個の出力を構成し、増幅器
の別の素子に接続されている（示されていない）。
【発明が解決しようとする課題】段が入力ノードＮに供
給された入力信号に対する対称的な応答特性を有するこ
とを要求された場合、発生器Ｇｏは同じ電流を発生しな
ければならず、抵抗Ｒｏは同じ抵抗値を有しなければな
らず、また２個のトランジスタＭｎとＭｐのゲートとソ
ースとの間の電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐは、同じでな
ければならない。はじめの２つの条件は、十分な精度に
よって満たすことができるが、３番目の条件について
は、２個のトランジスタは構造が互いに異なっており、
したがって異なった特性曲線を有するため、一般にこの
条件を満足させることができない。さらに、２個のトラ
ンジスタは動作時の温度変化に対して異なった応答を行
う。
給された入力信号に対する対称的な応答特性を有するこ
とを要求された場合、発生器Ｇｏは同じ電流を発生しな
ければならず、抵抗Ｒｏは同じ抵抗値を有しなければな
らず、また２個のトランジスタＭｎとＭｐのゲートとソ
ースとの間の電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐは、同じでな
ければならない。はじめの２つの条件は、十分な精度に
よって満たすことができるが、３番目の条件について
は、２個のトランジスタは構造が互いに異なっており、
したがって異なった特性曲線を有するため、一般にこの
条件を満足させることができない。さらに、２個のトラ
ンジスタは動作時の温度変化に対して異なった応答を行
う。
【０００４】この例では、２個の相補型ＭＯＳトランジ
スタが検討されているが、両者が共にｎチャンネルトラ
ンジスタであるか、あるいは共にｐチャンネルトランジ
スタであるが、それらの寸法が異なっているか、あるい
はそれらを通る電流が異なるようにバイアスされている
ＭＯＳトランジスタ対の使用に関しても類似した問題が
発生する。
スタが検討されているが、両者が共にｎチャンネルトラ
ンジスタであるか、あるいは共にｐチャンネルトランジ
スタであるが、それらの寸法が異なっているか、あるい
はそれらを通る電流が異なるようにバイアスされている
ＭＯＳトランジスタ対の使用に関しても類似した問題が
発生する。
【０００５】本発明の目的は、生産プロセスの変化およ
び、または温度のような他のパラメータの変化のために
生じた、２個の異なったタイプのＭＯＳトランジスタの
ゲート・ソース電圧間の差を補償する回路を提供するこ
とである。
び、または温度のような他のパラメータの変化のために
生じた、２個の異なったタイプのＭＯＳトランジスタの
ゲート・ソース電圧間の差を補償する回路を提供するこ
とである。
【課題を解決するための手段】この目的は、集積回路デ
バイスの第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトラ
ンジスタのゲート・ソース電圧間の差を補償する回路に
おいて、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタ
とそれぞれ同じタイプのものであり、同じデバイス中に
形成されている第３のＭＯＳトランジスタおよび第４の
ＭＯＳトランジスタと、第３のトランジスタおよび第４
のトランジスタをバイアスする手段と、第３および第４
のトランジスタのゲート・ソース電圧間の差を測定する
手段と、測定された差の予め定められた関数である補償
電流Ｉｏを発生する手段と、補償電流Ｉｏを使用するこ
とにより第１のＭＯＳトランジスタおよび第２のＭＯＳ
トランジスタのバイアスを変更する手段とを具備してい
ることを特徴とする回路によって達成される。
バイスの第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトラ
ンジスタのゲート・ソース電圧間の差を補償する回路に
おいて、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタ
とそれぞれ同じタイプのものであり、同じデバイス中に
形成されている第３のＭＯＳトランジスタおよび第４の
ＭＯＳトランジスタと、第３のトランジスタおよび第４
のトランジスタをバイアスする手段と、第３および第４
のトランジスタのゲート・ソース電圧間の差を測定する
手段と、測定された差の予め定められた関数である補償
電流Ｉｏを発生する手段と、補償電流Ｉｏを使用するこ
とにより第１のＭＯＳトランジスタおよび第２のＭＯＳ
トランジスタのバイアスを変更する手段とを具備してい
ることを特徴とする回路によって達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、以下の非限定的な例に
よって示されている好ましい実施形態の詳細な説明およ
び添付図面からさらによく理解されるであろう。図２
は、電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐ間の差を補償する回路
が追加された図１の増幅器段を概略的に示している。以
下に説明するように、ブロック10によって表されている
補償回路はノードＮ中に注入される補償電流Ｉｏを発生
する。
よって示されている好ましい実施形態の詳細な説明およ
び添付図面からさらによく理解されるであろう。図２
は、電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐ間の差を補償する回路
が追加された図１の増幅器段を概略的に示している。以
下に説明するように、ブロック10によって表されている
補償回路はノードＮ中に注入される補償電流Ｉｏを発生
する。
【０００７】図３に認められるように、補償回路10は、
Ｍｐ１で示されたｐチャンネルトランジスタおよびＭｎ
１で示されたｎチャンネルトランジスタの２個のＭＯＳ
トランジスタを含み、これらは図２のトランジスタＭｐ
およびＭｎと同じタイプのものである。すなわち、これ
らは同じデバイス中に同じ処理段階により製造されたも
のである。この実施形態において、トランジスタＭｐ１
およびＭｎ１の寸法はそれぞれ図２のトランジスタＭｐ
およびＭｎと同じであるが、一般にそれらの寸法は異な
っていることが可能である。２個のトランジスタＭＰ１
およびＭｎ１のそれぞれは、そのゲートおよびドレイン
電極が互いに接続され、また、トランジスタＭＰ１およ
びＭｎ１はそれぞれ、定電流発生器によって電源端子間
に接続されている。この実施形態では、定電流発生器は
２個のｐチャンネルトランジスタＭｐ２およびＭｐ３に
よって構成されており、これらトランジスタのソース電
極は共に端子ＶＤＤに接続され、ゲート電極は共に定電
圧源の端子ＶＢ２に接続され、一方のドレイン電極がノ
ードＡ１でトランジスタＭｐ１のソース電極に接続さ
れ、他方のドレイン電極がノードＡ２でトランジスタＭ
ｎ１のドレイン電極に接続されている。トランジスタＭ
ｐ１の本体領域はそのソース電極に接続されている。
Ｍｐ１で示されたｐチャンネルトランジスタおよびＭｎ
１で示されたｎチャンネルトランジスタの２個のＭＯＳ
トランジスタを含み、これらは図２のトランジスタＭｐ
およびＭｎと同じタイプのものである。すなわち、これ
らは同じデバイス中に同じ処理段階により製造されたも
のである。この実施形態において、トランジスタＭｐ１
およびＭｎ１の寸法はそれぞれ図２のトランジスタＭｐ
およびＭｎと同じであるが、一般にそれらの寸法は異な
っていることが可能である。２個のトランジスタＭＰ１
およびＭｎ１のそれぞれは、そのゲートおよびドレイン
電極が互いに接続され、また、トランジスタＭＰ１およ
びＭｎ１はそれぞれ、定電流発生器によって電源端子間
に接続されている。この実施形態では、定電流発生器は
２個のｐチャンネルトランジスタＭｐ２およびＭｐ３に
よって構成されており、これらトランジスタのソース電
極は共に端子ＶＤＤに接続され、ゲート電極は共に定電
圧源の端子ＶＢ２に接続され、一方のドレイン電極がノ
ードＡ１でトランジスタＭｐ１のソース電極に接続さ
れ、他方のドレイン電極がノードＡ２でトランジスタＭ
ｎ１のドレイン電極に接続されている。トランジスタＭ
ｐ１の本体領域はそのソース電極に接続されている。
【０００８】各ノードＡ１およびＡ２は減結合段の入力
に接続され、減結合段の出力は抵抗Ｒ１によって互いに
接続されている。この実施形態において、減結合段は、
２個のＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭｐ４およびＭ
ｐ５から構成されており、それらのゲート電極はそれぞ
れノードＡ１およびＡ２に接続され、それらのソース電
極は各定電流発生器を介して端子ＶＤＤに接続され、そ
れらのドレイン電極は各電流ミラーＳｐ１およびＳｐ３
の入力分枝を介して接地点に接続されている。定電流発
生器は、２個のｐチャンネルトランジスタＭｐ６および
Ｍｐ７によってそれぞれ構成されており、これらトラン
ジスタのソース電極は共に端子ＶＤＤに接続され、それ
らのゲート電極は共に定電圧源端子ＶＢ１に接続され、
それらのドレイン電極はトランジスタＭｐ４およびＭｐ
５のソース電極にそれぞれ接続されている。ミラーＳｐ
１およびＳｐ３の出力分枝は、図３に示されているよう
に別の電流ミラーＳｐ２の入力および出力分枝とそれぞ
れ直列である。
に接続され、減結合段の出力は抵抗Ｒ１によって互いに
接続されている。この実施形態において、減結合段は、
２個のＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭｐ４およびＭ
ｐ５から構成されており、それらのゲート電極はそれぞ
れノードＡ１およびＡ２に接続され、それらのソース電
極は各定電流発生器を介して端子ＶＤＤに接続され、そ
れらのドレイン電極は各電流ミラーＳｐ１およびＳｐ３
の入力分枝を介して接地点に接続されている。定電流発
生器は、２個のｐチャンネルトランジスタＭｐ６および
Ｍｐ７によってそれぞれ構成されており、これらトラン
ジスタのソース電極は共に端子ＶＤＤに接続され、それ
らのゲート電極は共に定電圧源端子ＶＢ１に接続され、
それらのドレイン電極はトランジスタＭｐ４およびＭｐ
５のソース電極にそれぞれ接続されている。ミラーＳｐ
１およびＳｐ３の出力分枝は、図３に示されているよう
に別の電流ミラーＳｐ２の入力および出力分枝とそれぞ
れ直列である。
【０００９】トランジスタＭｐ２およびＭｐ３を含む回
路の組合せは、トランジスタＭｐ１およびＭｎ１をバイ
アスする機能を有し、減結合段Ｍｐ４およびＭｐ５なら
びに各電流発生器Ｍｐ６およびＭｐ７を含む回路の組合
せは、２個のトランジスタＭｐ１とＭｎ１のゲート・ソ
ース電圧ＶｇｓｐおよびＶｇｓｎ間の差を測定する機能
を有している。
路の組合せは、トランジスタＭｐ１およびＭｎ１をバイ
アスする機能を有し、減結合段Ｍｐ４およびＭｐ５なら
びに各電流発生器Ｍｐ６およびＭｐ７を含む回路の組合
せは、２個のトランジスタＭｐ１とＭｎ１のゲート・ソ
ース電圧ＶｇｓｐおよびＶｇｓｎ間の差を測定する機能
を有している。
【００１０】接地電位に関するノードＡ１およびＡ２の
電圧、すなわち電圧ＶｇｓｐおよびＶｇｓｎは、抵抗Ｒ
１の端子において減結合段により実質的に不変のまま再
生されるので、電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐ間の差に比
例した電流Ｉｄがこの抵抗を通って流れる。
電圧、すなわち電圧ＶｇｓｐおよびＶｇｓｎは、抵抗Ｒ
１の端子において減結合段により実質的に不変のまま再
生されるので、電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐ間の差に比
例した電流Ｉｄがこの抵抗を通って流れる。
【００１１】全てのミラーが１に等しい利得を有してい
ると仮定すると、図３において破線で示されているよう
に、ミラーＳｐ２およびＳｐ３の出力分枝と接地端子と
の間の接続ノード間に接続された負荷ＲＬに対して電流
Ｉｏ＝２Ｉｄが供給される。これは、抵抗Ｒ１を通過し
た電流はＩｄ＝（Ｖｇｓｎ−Ｖｇｓｐ）／Ｒ１であり、
Ｒ１が抵抗Ｒ１の抵抗値であり、トランジスタＭＰ４お
よびＭｐ５を通過した電流Ｉｐ４およびＩｐ５はそれぞ
れ互いに２Ｉｄ異なっており、ミラーＳｐ２の入力およ
び出力分枝における電流はＩｐ４に等しく、ミラーＳｐ
３の出力分枝における電流はＩｐ５に等しいことに注目
すると容易に確認できる。このようにして得られた電流
を、抵抗Ｒ１と同じ抵抗値を有する２個の抵抗Ｒｏが補
償電圧発生器として使用されている図２の回路のノード
Ｎに注入することにより、電圧が２個のトランジスタＭ
ｎおよびＭｐの電圧Ｖｇｓに対して加算またはこれから
減算されて２個のトランジスタのドレイン電流を互いに
等しくする。換言すれば、これは２個のトランジスタの
Ｖｇｓ間の全ての差を補償する。
ると仮定すると、図３において破線で示されているよう
に、ミラーＳｐ２およびＳｐ３の出力分枝と接地端子と
の間の接続ノード間に接続された負荷ＲＬに対して電流
Ｉｏ＝２Ｉｄが供給される。これは、抵抗Ｒ１を通過し
た電流はＩｄ＝（Ｖｇｓｎ−Ｖｇｓｐ）／Ｒ１であり、
Ｒ１が抵抗Ｒ１の抵抗値であり、トランジスタＭＰ４お
よびＭｐ５を通過した電流Ｉｐ４およびＩｐ５はそれぞ
れ互いに２Ｉｄ異なっており、ミラーＳｐ２の入力およ
び出力分枝における電流はＩｐ４に等しく、ミラーＳｐ
３の出力分枝における電流はＩｐ５に等しいことに注目
すると容易に確認できる。このようにして得られた電流
を、抵抗Ｒ１と同じ抵抗値を有する２個の抵抗Ｒｏが補
償電圧発生器として使用されている図２の回路のノード
Ｎに注入することにより、電圧が２個のトランジスタＭ
ｎおよびＭｐの電圧Ｖｇｓに対して加算またはこれから
減算されて２個のトランジスタのドレイン電流を互いに
等しくする。換言すれば、これは２個のトランジスタの
Ｖｇｓ間の全ての差を補償する。
【００１２】トランジスタＭｐ１およびＭｎ１が補償さ
れるべきトランジスタＭｐおよびＭｎと同じではなく、
たとえば寸法が異なっている場合には、補償されるべき
トランジスタの寸法と補償回路10のトランジスタＭｎ１
およびＭｐ１の寸法との間の比率に依存した比例係数に
より、電流および電流ミラーの電流比もまた考慮して、
抵抗Ｒ１の抵抗値に比例した抵抗値を有する抵抗Ｒｏを
選択し、所望の補償を行う必要があることは明らかであ
る。
れるべきトランジスタＭｐおよびＭｎと同じではなく、
たとえば寸法が異なっている場合には、補償されるべき
トランジスタの寸法と補償回路10のトランジスタＭｎ１
およびＭｐ１の寸法との間の比率に依存した比例係数に
より、電流および電流ミラーの電流比もまた考慮して、
抵抗Ｒ１の抵抗値に比例した抵抗値を有する抵抗Ｒｏを
選択し、所望の補償を行う必要があることは明らかであ
る。
【００１３】同じ回路10により、あるいはこれに類似し
た回路により、図２に示されている回路構成以外の構成
でｎチャンネルおよびｐチャンネルトランジスタのゲー
ト・ソース電圧を補償することもできる。たとえば、図
４のａおよびｂに示されているように、トランジスタＭ
ｎ´およびＭｐ´は、それらのゲート電極がそれらのド
レイン電極に接続され、それらのドレイン電極と各電源
端子Ｖｄｄと接地端子との間に接続されている発生器Ｇ
ｎおよびＧｐによってそれぞれバイアスされてもよい。
補償電流Ｉｏは、各トランジスタＭｎ´、Ｍｐ´のドレ
イン電極中に抵抗Ｒｏ´を介して注入される。トランジ
スタＭｎ´およびＭｐ´がそれぞれトランジスタＭｎ１
およびＭｐ１と同じである場合、抵抗Ｒ１と同じ抵抗値
を有する抵抗Ｒｏ´を使用することによって補償が行わ
れる。そうでない場合には、補償されるべきトランジス
タＭｎ´およびＭｐ´の寸法と補償回路10のトランジス
タＭｎ１およびＭｐ１の寸法との間の比率に依存した比
例係数で、その抵抗値が抵抗Ｒ１の抵抗値に比例するよ
うに選択される。補償された電圧ＶｎおよびＶｐは、ト
ランジスタＭｎ´およびＭｐ´それぞれのゲート・ソー
ス電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐの和と、抵抗Ｒｏ´にお
ける電圧降下とによって与えられる。
た回路により、図２に示されている回路構成以外の構成
でｎチャンネルおよびｐチャンネルトランジスタのゲー
ト・ソース電圧を補償することもできる。たとえば、図
４のａおよびｂに示されているように、トランジスタＭ
ｎ´およびＭｐ´は、それらのゲート電極がそれらのド
レイン電極に接続され、それらのドレイン電極と各電源
端子Ｖｄｄと接地端子との間に接続されている発生器Ｇ
ｎおよびＧｐによってそれぞれバイアスされてもよい。
補償電流Ｉｏは、各トランジスタＭｎ´、Ｍｐ´のドレ
イン電極中に抵抗Ｒｏ´を介して注入される。トランジ
スタＭｎ´およびＭｐ´がそれぞれトランジスタＭｎ１
およびＭｐ１と同じである場合、抵抗Ｒ１と同じ抵抗値
を有する抵抗Ｒｏ´を使用することによって補償が行わ
れる。そうでない場合には、補償されるべきトランジス
タＭｎ´およびＭｐ´の寸法と補償回路10のトランジス
タＭｎ１およびＭｐ１の寸法との間の比率に依存した比
例係数で、その抵抗値が抵抗Ｒ１の抵抗値に比例するよ
うに選択される。補償された電圧ＶｎおよびＶｐは、ト
ランジスタＭｎ´およびＭｐ´それぞれのゲート・ソー
ス電圧ＶｇｓｎおよびＶｇｓｐの和と、抵抗Ｒｏ´にお
ける電圧降下とによって与えられる。
【００１４】図４のａおよびｂに示されているように、
補償されるべきトランジスタが分離回路に属している場
合には、ミラーＳｐ２およびＳｐ３は図５に示されてい
るように２個の別々の出力分枝を有していなければなら
ない。さらに、補償されるべきトランジスタが３個以上
ある場合、ミラーＳｐ２およびＳｐ３が互いに独立して
補償されるべきトランジスタと同じ個数の出力分枝を有
するように、これらのミラーＳｐ２およびＳｐ３を修正
する必要があることは明らかである。
補償されるべきトランジスタが分離回路に属している場
合には、ミラーＳｐ２およびＳｐ３は図５に示されてい
るように２個の別々の出力分枝を有していなければなら
ない。さらに、補償されるべきトランジスタが３個以上
ある場合、ミラーＳｐ２およびＳｐ３が互いに独立して
補償されるべきトランジスタと同じ個数の出力分枝を有
するように、これらのミラーＳｐ２およびＳｐ３を修正
する必要があることは明らかである。
【００１５】以上、本発明の１実施形態だけを説明およ
び図示したが、本発明の技術的範囲内において多数の変
形を行うことができることは明らかである。たとえば、
抵抗の代りに、線形ゾーンにバイアスされたＭＯＳトラ
ンジスタのような別の素子が補償電流発生器として使用
されてもよい。
び図示したが、本発明の技術的範囲内において多数の変
形を行うことができることは明らかである。たとえば、
抵抗の代りに、線形ゾーンにバイアスされたＭＯＳトラ
ンジスタのような別の素子が補償電流発生器として使用
されてもよい。
【図１】増幅器の入力段の簡単化した回路図。
【図２】図１のものに類似しているが、本発明による回
路を付加することによって修正された回路図。
路を付加することによって修正された回路図。
【図３】本発明による回路の回路図。
【図４】本発明による回路の２つの可能な適用を示す回
路図。
路図。
【図５】図３の本発明による回路の変形を示す回路図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イェーズス・ギュイネア イタリア国、24041 ブレムバーテ（ベル ガモ）、ビア・アルニーキ、２
Claims (5)
- 【請求項１】 集積回路デバイスの第１のＭＯＳトラン
ジスタ（Ｍｐ）と第２のＭＯＳトランジスタ（Ｍｎ）の
ゲート・ソース電圧間の差を補償する回路において、 第１のトランジスタ（Ｍｐ）および第２のトランジスタ
（Ｍｎ）とそれぞれ同じタイプのものであり、同じデバ
イス中に形成されている第３のＭＯＳトランジスタ（Ｍ
ｐ１）および第４のＭＯＳトランジスタ（Ｍｎ１）と、 第３のトランジスタ（Ｍｐ１）および第４のトランジス
タ（Ｍｎ１）をバイアスする手段（ＶＤＤ、Ｍｐ２、Ｍ
ｐ３）と、 第３および第４のトランジスタ（Ｍｐ１、Ｍｎ１）のゲ
ート・ソース電圧間の差を測定する手段（Ｍｐ４−Ｍｐ
７）と、 測定された差の予め定められた関数である補償電流（Ｉ
ｏ）を発生する手段（Ｒ１）と、 補償電流（Ｉｏ）を使用することにより第１のＭＯＳト
ランジスタ（Ｍｐ）および第２のＭＯＳトランジスタ
（Ｍｎ）のバイアスを変更する手段（Ｓ１−Ｓ３、Ｒ
ｏ）とを具備していることを特徴とする回路。 - 【請求項２】 第３のトランジスタ（Ｍｐ１）および第
４のトランジスタ（Ｍｎ１）をバイアスする手段は、前
記第３のトランジスタ（Ｍｐ１）および前記第４のトラ
ンジスタ（Ｍｎ１）とそれぞれ直列に接続された第１の
電流発生器（Ｍｐ２）および第２の電流発生器（Ｍｐ
３）を含んでおり、差測定手段は、第１の減結合段（Ｍ
ｐ４）および第２の減結合段（Ｍｐ５）を含んでおり、
それらの各入力（Ａ１、Ａ２）が第３のＭＯＳトランジ
スタ（Ｍｐ１）と第４のＭＯＳトランジスタ（Ｍｎ１）
のソースおよびドレイン電極に接続され、各出力が補償
電流（Ｉｏ）を発生する手段（Ｒ１）に接続されている
請求項１記載の回路。 - 【請求項３】 バイアスを変更する手段は、第１の電流
ミラー（Ｓｐ１）、第２の電流ミラー（Ｓｐ２）および
第３の電流ミラー（Ｓｐ３）、ならびに補償電圧を発生
する手段（Ｒｏ、Ｒｏ´）を含んでおり、第１の電流ミ
ラー（Ｓｐ１）は、減結合段の一方（Ｍｐ４）に接続さ
れた入力分枝と、第２の電流ミラー（Ｓｐ２）の入力分
枝と直列の出力分枝とを有し、第３の電流ミラー（Ｓｐ
３）は、減結合段の他方（Ｍｐ５）に接続された入力分
枝と、第２の電流ミラー（Ｓｐ２）の出力分枝と直列の
出力分枝とを有し、補償電圧を発生する手段（Ｒｏ、Ｒ
ｏ´）は、第３のミラー（Ｓｐ３）の出力分枝と第１お
よび第２のＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ、Ｍｎ）のそれぞ
れの予め定められた電極との間に接続されている請求項
２記載の回路。 - 【請求項４】 第１および第２のＭＯＳトランジスタ
は、増幅器の入力段のｐチャンネルＭＯＳトランジスタ
（Ｍｐ）およびｎチャンネルＭＯＳトランジスタ（Ｍ
ｎ）であり、第３および第４のＭＯＳトランジスタは、
ｐチャンネルＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ１）およびｎチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ（Ｍｎ１）であり、補償電
圧を発生する手段は２個の抵抗（Ｒｏ）を含んでおり、
前記予め定められた電極はゲート電極である請求項３記
載の回路。 - 【請求項５】 第１および第２のＭＯＳトランジスタ
は、ｐチャンネルＭＯＳトランジスタ（Ｍｐ´）および
ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ（Ｍｎ´）であり、こ
れらの各トランジスタのゲート電極とドレイン電極は互
いに接続されており、補償電圧を発生する手段は２個の
抵抗（Ｒｏ´）を含んでおり、予め定められた電極はド
レイン電極である請求項３記載の回路。
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