JP2001177063A - 半導体装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタ - Google Patents
半導体装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗素子の抵抗値を温度によらず一定にする
と共に、回路構成を簡略化することのできる半導体装置
及び増幅回路並びにアクティブフィルタを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 ２次バイクワッドフィルタ回路１００
は、差動増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇ
ｍ５、ｇｍ６とバッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３とで構成され、トランスコンダクタンスアンプｇｍ
５は、抵抗１７、１８、ＲＸ１、ＲＹ１とトランジスタ
３１、３２、３３、３４と電流源ＩＳ３で構成される。
ここで、負の温度特性を持つ抵抗ＲＸ１と正の温度特性
を持つＲＹ１は直列に接続することで、トランスコンダ
クタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６のコンダクタンスを温度
によらず一定にすることが可能である。
と共に、回路構成を簡略化することのできる半導体装置
及び増幅回路並びにアクティブフィルタを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 ２次バイクワッドフィルタ回路１００
は、差動増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇ
ｍ５、ｇｍ６とバッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３とで構成され、トランスコンダクタンスアンプｇｍ
５は、抵抗１７、１８、ＲＸ１、ＲＹ１とトランジスタ
３１、３２、３３、３４と電流源ＩＳ３で構成される。
ここで、負の温度特性を持つ抵抗ＲＸ１と正の温度特性
を持つＲＹ１は直列に接続することで、トランスコンダ
クタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６のコンダクタンスを温度
によらず一定にすることが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び増幅
回路並びにアクティブフィルタに係り、特に異なる温度
特性を持つ複数の抵抗を有する回路が設けられた半導体
装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタに関する。
回路並びにアクティブフィルタに係り、特に異なる温度
特性を持つ複数の抵抗を有する回路が設けられた半導体
装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、公知のように、アクティブフィル
タ回路はＩＣ（ＩｎｔｅｇｒｅｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）
化される場合、外付け部品を削減するためトランスコン
ダクタンスアンプが使用される。このトランスコンダク
タンスアンプを有するアクティブフィルタ回路の周波数
特性はトランスコンダクタンスアンプ内の抵抗により変
化する。
タ回路はＩＣ（ＩｎｔｅｇｒｅｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）
化される場合、外付け部品を削減するためトランスコン
ダクタンスアンプが使用される。このトランスコンダク
タンスアンプを有するアクティブフィルタ回路の周波数
特性はトランスコンダクタンスアンプ内の抵抗により変
化する。
【０００３】図５に、従来のアクティブフィルタ回路の
一例である２次バイクワッドフィルタのブロック図を示
す。図５において、２次バイクワッドフィルタ回路１０
は、差動増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇ
ｍ１、ｇｍ２とバッファＢ１、Ｂ２と入力抵抗Ｒ１、帰
還抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４基準電圧源１１とで構成されて
いる。２次バイクワッドフィルタ回路１０は、入力信号
Ｖｉが差動増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプ
ｇｍ１、ｇｍ２とバッファＢ１、Ｂ２及び入力抵抗Ｒ
１、帰還抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４を介して出力電圧Ｖｏｕ
ｔを出力する。特に、差動増幅器Ａ１、帰還抵抗Ｒ１、
Ｒ２は反転増幅回路を構成する。
一例である２次バイクワッドフィルタのブロック図を示
す。図５において、２次バイクワッドフィルタ回路１０
は、差動増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇ
ｍ１、ｇｍ２とバッファＢ１、Ｂ２と入力抵抗Ｒ１、帰
還抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４基準電圧源１１とで構成されて
いる。２次バイクワッドフィルタ回路１０は、入力信号
Ｖｉが差動増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプ
ｇｍ１、ｇｍ２とバッファＢ１、Ｂ２及び入力抵抗Ｒ
１、帰還抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４を介して出力電圧Ｖｏｕ
ｔを出力する。特に、差動増幅器Ａ１、帰還抵抗Ｒ１、
Ｒ２は反転増幅回路を構成する。
【０００４】入力信号Ｖｉは抵抗Ｒ１を介して、差動増
幅器Ａ１の反転入力端子−に印加される。また、差動増
幅器Ａ１の非反転入力端子＋には、基準電圧１１から基
準電圧が印加される。差動増幅器Ａ１は、入力信号Ｖｉ
を反転増幅する。差動増幅器Ａ１の出力は、トランスコ
ンダクタンスアンプｇｍ１の非反転増幅端子＋に印加さ
れる。なお、抵抗Ｒ２は差動増幅器Ａ１の反転入力端子
に供給される。
幅器Ａ１の反転入力端子−に印加される。また、差動増
幅器Ａ１の非反転入力端子＋には、基準電圧１１から基
準電圧が印加される。差動増幅器Ａ１は、入力信号Ｖｉ
を反転増幅する。差動増幅器Ａ１の出力は、トランスコ
ンダクタンスアンプｇｍ１の非反転増幅端子＋に印加さ
れる。なお、抵抗Ｒ２は差動増幅器Ａ１の反転入力端子
に供給される。
【０００５】トランスコンダクタンスアンプｇｍ１は、
反転入力端子−に所定の電圧が印加され、入力信号に応
じた電流を出力する。トランスコンタクタンスアンプｇ
ｍ１の出力電流は、コンデンサＣ１に供給される。コン
デンサＣ１は、トランスコンダクタクタンスアンプｇｍ
１の出力電流により充放電される。コンデンサＣ１の充
放電電圧はバッファＢ１を介してトランスコンダクタン
スアンプｇｍ２の非反転入力端子＋に供給される。
反転入力端子−に所定の電圧が印加され、入力信号に応
じた電流を出力する。トランスコンタクタンスアンプｇ
ｍ１の出力電流は、コンデンサＣ１に供給される。コン
デンサＣ１は、トランスコンダクタクタンスアンプｇｍ
１の出力電流により充放電される。コンデンサＣ１の充
放電電圧はバッファＢ１を介してトランスコンダクタン
スアンプｇｍ２の非反転入力端子＋に供給される。
【０００６】トランスコンダクタンスアンプｇｍ２も上
記と同様に、反転入力端子−に所定の電圧が印加され、
入力信号に応じた電流を出力する。トランスコンタクタ
ンスアンプｇｍ２の出力電流は、コンデンサＣ２に供給
される。コンデンサＣ２は、トランスコンダクタクタン
スアンプｇｍ２の出力電流により充放電される。コンデ
ンサＣ１の充放電電圧はバッファＢ２を介して出力電圧
Ｖｏｕｔが出力される。
記と同様に、反転入力端子−に所定の電圧が印加され、
入力信号に応じた電流を出力する。トランスコンタクタ
ンスアンプｇｍ２の出力電流は、コンデンサＣ２に供給
される。コンデンサＣ２は、トランスコンダクタクタン
スアンプｇｍ２の出力電流により充放電される。コンデ
ンサＣ１の充放電電圧はバッファＢ２を介して出力電圧
Ｖｏｕｔが出力される。
【０００７】このように、入力信号Ｖｉはトランジス
タ、抵抗、電流源を有するトランスコンダクタンスアン
プ等を介して出力電圧Ｖｏｕｔを出力することで、入力
信号を調節し、最適な出力信号を得る。上記２次バイク
ワッドフィルタ回路１０の詳細を以下に説明する。図６
は、従来の２次バイクワッドフィルタ回路の一例を示す
図である。
タ、抵抗、電流源を有するトランスコンダクタンスアン
プ等を介して出力電圧Ｖｏｕｔを出力することで、入力
信号を調節し、最適な出力信号を得る。上記２次バイク
ワッドフィルタ回路１０の詳細を以下に説明する。図６
は、従来の２次バイクワッドフィルタ回路の一例を示す
図である。
【０００８】図６において、２次バイクワッドフィルタ
回路１０は図５で示した構成と同様であり、差動増幅器
Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ１、ｇｍ２と
バッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とで
構成される。差動増幅器Ａ１は、電流源ＩＳ１、ＩＳ２
とトランジスタ２５〜３０とで構成されている。トラン
スコンダクタンスアンプｇｍ１は、抵抗１７、１８、Ｒ
５とトランジスタ３１、３２、３３、３４と電流源ＩＳ
３、ＩＳ３’で構成される。ここで、抵抗Ｒ５はトラン
ジスタ３３と電流源ＩＳ３との間とトランジスタ３４と
電流源ＩＳ３’との間に接続されている。このトランス
コンダクタンスアンプｇｍ１は、コンデンサＣ１に電流
を供給する。コンデンサＣ１の電圧はバッファＢ１を介
してトランスコンダクタンスアンプｇｍ２に印加され
る。
回路１０は図５で示した構成と同様であり、差動増幅器
Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ１、ｇｍ２と
バッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とで
構成される。差動増幅器Ａ１は、電流源ＩＳ１、ＩＳ２
とトランジスタ２５〜３０とで構成されている。トラン
スコンダクタンスアンプｇｍ１は、抵抗１７、１８、Ｒ
５とトランジスタ３１、３２、３３、３４と電流源ＩＳ
３、ＩＳ３’で構成される。ここで、抵抗Ｒ５はトラン
ジスタ３３と電流源ＩＳ３との間とトランジスタ３４と
電流源ＩＳ３’との間に接続されている。このトランス
コンダクタンスアンプｇｍ１は、コンデンサＣ１に電流
を供給する。コンデンサＣ１の電圧はバッファＢ１を介
してトランスコンダクタンスアンプｇｍ２に印加され
る。
【０００９】バッファＢ１は、トランジスタ３５と電流
源ＩＳ４と抵抗１９で構成されている。バッファＢ１と
接続されているトランスコンダクタンスアンプｇｍ２は
上記のトランスコンダクタンスアンプｇｍ１と同一構成
であり、抵抗Ｒ６、２０、２１とトランジスタ３６、３
７、３８、３９と電流源ＩＳ５、ＩＳ５’とで構成され
る。また、抵抗Ｒ６はトランジスタ３８と電流源ＩＳ５
との間とトランジスタ３９と電流源ＩＳ５’との間に接
続されている。このトランスコンダクタンスアンプｇｍ
２は、バッファＢ１の出力に応じてコンデンサＣ２に電
流を供給する。コンデンサＣ２の電圧はバッファＢ２に
供給される。バッファＢ２は、トランジスタ４０と電流
源ＩＳ６と抵抗２２で構成されている。バッファＢ２を
介してコンデンサの電圧が出力信号Ｖｏｕｔとして出力
される。
源ＩＳ４と抵抗１９で構成されている。バッファＢ１と
接続されているトランスコンダクタンスアンプｇｍ２は
上記のトランスコンダクタンスアンプｇｍ１と同一構成
であり、抵抗Ｒ６、２０、２１とトランジスタ３６、３
７、３８、３９と電流源ＩＳ５、ＩＳ５’とで構成され
る。また、抵抗Ｒ６はトランジスタ３８と電流源ＩＳ５
との間とトランジスタ３９と電流源ＩＳ５’との間に接
続されている。このトランスコンダクタンスアンプｇｍ
２は、バッファＢ１の出力に応じてコンデンサＣ２に電
流を供給する。コンデンサＣ２の電圧はバッファＢ２に
供給される。バッファＢ２は、トランジスタ４０と電流
源ＩＳ６と抵抗２２で構成されている。バッファＢ２を
介してコンデンサの電圧が出力信号Ｖｏｕｔとして出力
される。
【００１０】このような２次バイクワッドフィルタ回路
のトランスコンダクタンスアンプｇｍ１、ｇｍ２は抵抗
Ｒ５、Ｒ６の温度係数によって周波数特性が変化する。
図７は、２次バイクワッドフィルタ回路の周波数特性を
示す図である。図７において、縦軸は利得、横軸は周波
数を示す。図７には温度をパラメータとして３つの周波
数特性が示されている。周波数特性４１は回路上の温度
が７５℃の場合の周波数特性であり、周波数特性４２は
回路上の温度が２５℃の場合の周波数特性であり、周波
数特性４３は回路上の温度が−２５℃の場合の周波数特
性である。図７に示すように、ある特定の周波数を超え
た場合、温度特性の相違によって周波数特性も異なる。
よって温度の影響により、一定の周波数特性を得ること
ができない。
のトランスコンダクタンスアンプｇｍ１、ｇｍ２は抵抗
Ｒ５、Ｒ６の温度係数によって周波数特性が変化する。
図７は、２次バイクワッドフィルタ回路の周波数特性を
示す図である。図７において、縦軸は利得、横軸は周波
数を示す。図７には温度をパラメータとして３つの周波
数特性が示されている。周波数特性４１は回路上の温度
が７５℃の場合の周波数特性であり、周波数特性４２は
回路上の温度が２５℃の場合の周波数特性であり、周波
数特性４３は回路上の温度が−２５℃の場合の周波数特
性である。図７に示すように、ある特定の周波数を超え
た場合、温度特性の相違によって周波数特性も異なる。
よって温度の影響により、一定の周波数特性を得ること
ができない。
【００１１】そのため、周波数特性を一定にするために
図８に示す回路を使用していた。図８は、従来の２次バ
イクワッドフィルタ回路の一例を示す図である。図８に
おいて、２次バイクワッドフィルタ回路は、差動増幅器
Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ３、ｇｍ４と
バッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とで
構成されている。図８の２次バイクワッドフィルタ回路
は、図６の２次バイクワッドフィルタ回路とトランスコ
ンダクタンスアンプの構成が異なり、この他の構成につ
いては同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
図８に示す回路を使用していた。図８は、従来の２次バ
イクワッドフィルタ回路の一例を示す図である。図８に
おいて、２次バイクワッドフィルタ回路は、差動増幅器
Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ３、ｇｍ４と
バッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とで
構成されている。図８の２次バイクワッドフィルタ回路
は、図６の２次バイクワッドフィルタ回路とトランスコ
ンダクタンスアンプの構成が異なり、この他の構成につ
いては同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
【００１２】トランスコンダクタンスアンプｇｍ３は、
電流源ＩＳ９、ＩＳ９’、ＩＸ１と抵抗Ｒ５、５２、５
３、５４とトランジスタ５５、５６、５７、５８、５
９、６０、６１、６２で構成されている。また、電流源
ＩＳ９、ＩＳ９’には電流ｉｓ９が、電流源ＩＸ１は電
流ｉｘ１が流れる。同様に、トランスコンダクタンスア
ンプｇｍ４は、電流源ＩＳ１２、ＩＳ１２’、ＩＸ２と
抵抗Ｒ６、６６、６７、６８とトランジスタ６９、７
０、７１、７２、７３、７４、７５、７６で構成されて
いる。また、電流源ＩＳ１２、ＩＳ１２’には電流ｉｓ
１２が、電流源ＩＸ２は電流ｉｘ２が流れる。
電流源ＩＳ９、ＩＳ９’、ＩＸ１と抵抗Ｒ５、５２、５
３、５４とトランジスタ５５、５６、５７、５８、５
９、６０、６１、６２で構成されている。また、電流源
ＩＳ９、ＩＳ９’には電流ｉｓ９が、電流源ＩＸ１は電
流ｉｘ１が流れる。同様に、トランスコンダクタンスア
ンプｇｍ４は、電流源ＩＳ１２、ＩＳ１２’、ＩＸ２と
抵抗Ｒ６、６６、６７、６８とトランジスタ６９、７
０、７１、７２、７３、７４、７５、７６で構成されて
いる。また、電流源ＩＳ１２、ＩＳ１２’には電流ｉｓ
１２が、電流源ＩＸ２は電流ｉｘ２が流れる。
【００１３】これらの差動増幅器Ａ１とトランスコンダ
クタンスアンプｇｍ３、ｇｍ４とコンデンサＣ１、Ｃ２
とバッファＢ１、Ｂ２とを有する２次バイクワッドフィ
ルタ回路の伝達関数は以下の式で表される。
クタンスアンプｇｍ３、ｇｍ４とコンデンサＣ１、Ｃ２
とバッファＢ１、Ｂ２とを有する２次バイクワッドフィ
ルタ回路の伝達関数は以下の式で表される。
【００１４】
【数１】
【００１５】上記の式（１）の中でＱはクォリティファ
クタ、ω０は共振角周波数であり、以下の式で表され
る。
クタ、ω０は共振角周波数であり、以下の式で表され
る。
【００１６】
【数２】
【００１７】ここで、上記の式（２）、（３）の中でト
ランスコンダクタンスアンプのコンダクタンスＧ３、Ｇ
４は以下の式で表す。
ランスコンダクタンスアンプのコンダクタンスＧ３、Ｇ
４は以下の式で表す。
【００１８】
【数３】
【００１９】上記の式（４）、（５）の中で、Ｔは絶対
温度、ｑは電荷、ｋはボルツマン定数である。上式よ
り、伝達関数の温度係数を０とするために、トランスコ
ンダクタンスアンプｇｍ３、ｇｍ４の温度係数が０とな
るように電流源の電流ｉｓ，ｉｘを設定する。
温度、ｑは電荷、ｋはボルツマン定数である。上式よ
り、伝達関数の温度係数を０とするために、トランスコ
ンダクタンスアンプｇｍ３、ｇｍ４の温度係数が０とな
るように電流源の電流ｉｓ，ｉｘを設定する。
【００２０】以上によりトランスコンダクタンスアンプ
ｇｍ３、ｇｍ４のコンダクタンスＧ３、Ｇ４を温度によ
らず一定にすることができ、よって、２次バイクワッド
フィルタ回路５０の周波数特性を温度によらず一定にで
きる。
ｇｍ３、ｇｍ４のコンダクタンスＧ３、Ｇ４を温度によ
らず一定にすることができ、よって、２次バイクワッド
フィルタ回路５０の周波数特性を温度によらず一定にで
きる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、フィル
タ回路の抵抗素子を含めてＩＣ化する場合、抵抗素子を
半導体素子で構成しなければならない。抵抗素子を半導
体素子で構成すると温度に応じて変動してしまう。抵抗
素子が温度に応じて変動するとフィルタ回路の周波数特
性が温度に応じて変動する等の問題点があった。
タ回路の抵抗素子を含めてＩＣ化する場合、抵抗素子を
半導体素子で構成しなければならない。抵抗素子を半導
体素子で構成すると温度に応じて変動してしまう。抵抗
素子が温度に応じて変動するとフィルタ回路の周波数特
性が温度に応じて変動する等の問題点があった。
【００２２】また、フィルタ回路の周波数特性を温度に
よらず一定にするためには図８に示すような回路構成に
する必要がある。即ち、温度によらずフィルタ回路の周
波数特性を一定にするためには、回路構成を複雑にしな
ければならなかった。よって、本発明は上記の問題点を
解決し、抵抗素子の抵抗値を温度によらず一定にすると
共に、回路構成を簡略化することのできる半導体装置及
び増幅回路並びにアクティブフィルタを提供することを
目的とする。
よらず一定にするためには図８に示すような回路構成に
する必要がある。即ち、温度によらずフィルタ回路の周
波数特性を一定にするためには、回路構成を複雑にしな
ければならなかった。よって、本発明は上記の問題点を
解決し、抵抗素子の抵抗値を温度によらず一定にすると
共に、回路構成を簡略化することのできる半導体装置及
び増幅回路並びにアクティブフィルタを提供することを
目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）が設けられた半導体装
置において、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）は、正の温度
特性を持つ正特性抵抗（ＲＸ１）と、負の温度特性を持
つ負特性抵抗（ＲＹ１）と組合せて構成されることを特
徴とする。
は、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）が設けられた半導体装
置において、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）は、正の温度
特性を持つ正特性抵抗（ＲＸ１）と、負の温度特性を持
つ負特性抵抗（ＲＹ１）と組合せて構成されることを特
徴とする。
【００２４】請求項１に記載の発明によれば、抵抗素子
（ＲＸ１、ＲＹ１）が、正の温度特性を持つ正特性抵抗
（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性抵抗（ＲＹ
１）とを組合せて構成されることにより、抵抗素子（Ｒ
Ｘ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度によらず一定とすること
が可能となる。請求項２に記載の発明は、正特性抵抗
（ＲＸ１）は、イオン打込み抵抗又は拡散抵抗であり、
負特性抵抗（ＲＹ１）は、ポリシリコン抵抗であること
を特徴とする。
（ＲＸ１、ＲＹ１）が、正の温度特性を持つ正特性抵抗
（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性抵抗（ＲＹ
１）とを組合せて構成されることにより、抵抗素子（Ｒ
Ｘ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度によらず一定とすること
が可能となる。請求項２に記載の発明は、正特性抵抗
（ＲＸ１）は、イオン打込み抵抗又は拡散抵抗であり、
負特性抵抗（ＲＹ１）は、ポリシリコン抵抗であること
を特徴とする。
【００２５】請求項２に記載の発明によれば、正特性抵
抗（ＲＸ１）にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、
負特性抵抗（ＲＹ１）にポリシリコン抵抗を用いること
により、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度に
よらず一定にすることが可能となる。また、回路構成の
簡略化を図ることができる。請求項３に記載の発明は、
抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）を有する増幅回路におい
て、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）は、正の温度特性を持
つ正特性抵抗（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性
抵抗（ＲＹ１）とを組合せて構成されることを特徴とす
る。
抗（ＲＸ１）にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、
負特性抵抗（ＲＹ１）にポリシリコン抵抗を用いること
により、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度に
よらず一定にすることが可能となる。また、回路構成の
簡略化を図ることができる。請求項３に記載の発明は、
抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）を有する増幅回路におい
て、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）は、正の温度特性を持
つ正特性抵抗（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性
抵抗（ＲＹ１）とを組合せて構成されることを特徴とす
る。
【００２６】請求項３に記載の発明によれば、抵抗素子
（ＲＸ１、ＲＹ１）が、正の温度特性を持つ正特性抵抗
（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性抵抗（ＲＹ
１）とを組合せて構成されることにより、増幅回路の抵
抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度によらず一定
とし、周波数特性を一定にすることができる。請求項４
に記載の発明は、正特性抵抗（ＲＸ１）は、イオン打込
み抵抗又は拡散抵抗であり、負特性抵抗（ＲＹ１）は、
ポリシリコン抵抗であることを特徴とする。
（ＲＸ１、ＲＹ１）が、正の温度特性を持つ正特性抵抗
（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性抵抗（ＲＹ
１）とを組合せて構成されることにより、増幅回路の抵
抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度によらず一定
とし、周波数特性を一定にすることができる。請求項４
に記載の発明は、正特性抵抗（ＲＸ１）は、イオン打込
み抵抗又は拡散抵抗であり、負特性抵抗（ＲＹ１）は、
ポリシリコン抵抗であることを特徴とする。
【００２７】請求項４に記載の発明によれば、正特性抵
抗（ＲＸ１）にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、
負特性抵抗（ＲＹ１）にポリシリコン抵抗を用いること
により、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度に
よらず一定にすることが可能となる。また、構成回路の
簡略化を図ることができる。請求項５に記載の発明は、
抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）を有するアクティブフィル
タにおいて、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）は、正の温度
特性を持つ正特性抵抗（ＲＸ１）と、負の温度特性を持
つ負特性抵抗（ＲＹ１）とを組合せて構成されることを
特徴とする。
抗（ＲＸ１）にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、
負特性抵抗（ＲＹ１）にポリシリコン抵抗を用いること
により、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度に
よらず一定にすることが可能となる。また、構成回路の
簡略化を図ることができる。請求項５に記載の発明は、
抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）を有するアクティブフィル
タにおいて、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）は、正の温度
特性を持つ正特性抵抗（ＲＸ１）と、負の温度特性を持
つ負特性抵抗（ＲＹ１）とを組合せて構成されることを
特徴とする。
【００２８】請求項５に記載の発明によれば、抵抗素子
（ＲＸ１、ＲＹ１）が、正の温度特性を持つ正特性抵抗
（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性抵抗（ＲＹ
１）とを組合せて構成されることにより、抵抗値を温度
によらず一定にすることが可能となる。請求項６に記載
の発明は、正特性抵抗（ＲＸ１）は、イオン打込み抵抗
又は拡散抵抗であり、負特性抵抗（ＲＹ１）は、ポリシ
リコン抵抗であることを特徴とする。
（ＲＸ１、ＲＹ１）が、正の温度特性を持つ正特性抵抗
（ＲＸ１）と、負の温度特性を持つ負特性抵抗（ＲＹ
１）とを組合せて構成されることにより、抵抗値を温度
によらず一定にすることが可能となる。請求項６に記載
の発明は、正特性抵抗（ＲＸ１）は、イオン打込み抵抗
又は拡散抵抗であり、負特性抵抗（ＲＹ１）は、ポリシ
リコン抵抗であることを特徴とする。
【００２９】請求項６に記載の発明によれば、正特性抵
抗（ＲＸ１）にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、
負特性抵抗（ＲＹ１）にポリシリコン抵抗を用いること
により、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度に
よらず一定にすることが可能となる。また、構成回路の
簡略化を図ることができる。尚、上記の括弧内の参照符
号は本発明の理解を容易にするために付したものであ
り、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではな
い。
抗（ＲＸ１）にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、
負特性抵抗（ＲＹ１）にポリシリコン抵抗を用いること
により、抵抗素子（ＲＸ１、ＲＹ１）の抵抗値を温度に
よらず一定にすることが可能となる。また、構成回路の
簡略化を図ることができる。尚、上記の括弧内の参照符
号は本発明の理解を容易にするために付したものであ
り、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではな
い。
【００３０】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一実施例である
２次バイクワッドフィルタのブロック図を示す。図１に
おいて、２次バイクワッドフィルタ回路１００は、差動
増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇ
ｍ６とバッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ
４、基準電圧源１１とで構成されている。２次バイクワ
ッドフィルタ回路１００では、入力信号Ｖｉが差動増幅
器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６
とバッファＢ１、Ｂ２及び抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４
を介して出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。特に、差動増幅
器Ａ１、帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２は反転増幅回路を構成す
る。
２次バイクワッドフィルタのブロック図を示す。図１に
おいて、２次バイクワッドフィルタ回路１００は、差動
増幅器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇ
ｍ６とバッファＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ
４、基準電圧源１１とで構成されている。２次バイクワ
ッドフィルタ回路１００では、入力信号Ｖｉが差動増幅
器Ａ１とトランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６
とバッファＢ１、Ｂ２及び抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４
を介して出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。特に、差動増幅
器Ａ１、帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２は反転増幅回路を構成す
る。
【００３１】入力信号Ｖｉは抵抗Ｒ１を介して、差動増
幅器Ａ１の反転入力端子−に印加される。また、差動増
幅器Ａ１の非反転入力端子＋には、基準電圧源１１から
基準電圧が印加される。差動増幅器Ａ１は、入力信号Ｖ
ｉを反転増幅させる。差動増幅器Ａ１からの出力は、ト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ５の非反転増幅端子＋
に印加される。
幅器Ａ１の反転入力端子−に印加される。また、差動増
幅器Ａ１の非反転入力端子＋には、基準電圧源１１から
基準電圧が印加される。差動増幅器Ａ１は、入力信号Ｖ
ｉを反転増幅させる。差動増幅器Ａ１からの出力は、ト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ５の非反転増幅端子＋
に印加される。
【００３２】トランスコンダクタンスアンプｇｍ５は、
反転入力端子−に所定の電圧が印加され、入力信号に応
じた電流を出力する。増幅された電流はコンデンサＣ３
に供給される。コンデンサＣ３は、トランスコンダクタ
クタンスアンプｇｍ５の出力電流により充放電される。
コンデンサＣ３の充放電電圧はバッファＢ１を介してト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ６の非反転入力端子＋
に供給される。
反転入力端子−に所定の電圧が印加され、入力信号に応
じた電流を出力する。増幅された電流はコンデンサＣ３
に供給される。コンデンサＣ３は、トランスコンダクタ
クタンスアンプｇｍ５の出力電流により充放電される。
コンデンサＣ３の充放電電圧はバッファＢ１を介してト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ６の非反転入力端子＋
に供給される。
【００３３】トランスコンダクタンスアンプｇｍ６も上
記と同様に、反転入力端子＋に所定の電圧が印加され、
入力信号の電流が増幅される。増幅された電流はコンデ
ンサＣ４に供給される。コンデンサＣ４は、トランスコ
ンダクタクタンスアンプｇｍ６から供給された電流によ
り充放電される。コンデンサＣ３の充放電電圧はバッフ
ァＢ２を介して出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。
記と同様に、反転入力端子＋に所定の電圧が印加され、
入力信号の電流が増幅される。増幅された電流はコンデ
ンサＣ４に供給される。コンデンサＣ４は、トランスコ
ンダクタクタンスアンプｇｍ６から供給された電流によ
り充放電される。コンデンサＣ３の充放電電圧はバッフ
ァＢ２を介して出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。
【００３４】このように、入力信号Ｖｉがトランジス
タ、抵抗、電流源を有するトランスコンダクタンスアン
プ等を介して出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。よって、
入力信号から余分な信号が除かれ、かつ、回路の温度特
性に影響されることなく最適な出力信号を得ることがで
きる。上記、２次バイクワッドフィルタ回路１００の詳
細を以下に説明する。
タ、抵抗、電流源を有するトランスコンダクタンスアン
プ等を介して出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。よって、
入力信号から余分な信号が除かれ、かつ、回路の温度特
性に影響されることなく最適な出力信号を得ることがで
きる。上記、２次バイクワッドフィルタ回路１００の詳
細を以下に説明する。
【００３５】図２は、本発明の一実施例の２次バイクワ
ッドフィルタ回路を示す図である。図２において、２次
バイクワッドフィルタ回路１００は、差動増幅器Ａ１と
トランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６とバッフ
ァＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とで構成さ
れ、各構成の内部の回路が詳細に示されている。差動増
幅器Ａ１は、電流源ＩＳ１、ＩＳ２とトランジスタ２５
〜３０とで構成されている。トランスコンダクタンスア
ンプｇｍ５は、抵抗１７、１８、ＲＸ１、ＲＹ１とトラ
ンジスタ３１、３２、３３、３４と電流源ＩＳ３、ＩＳ
３で構成される。ここで、抵抗ＲＸ１、ＲＹ１は直列に
接続され、この２つの抵抗は、トランジスタ３３と電流
源ＩＳ３との間とトランジスタ３４と電流源ＩＳ３’と
の間に接続されている。このトランスコンダクタンスア
ンプｇｍ５は、接続されたコンデンサＣ３に電流を供給
する。コンデンサＣ３の電圧はバッファＢ１を介してト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ６に供給される。
ッドフィルタ回路を示す図である。図２において、２次
バイクワッドフィルタ回路１００は、差動増幅器Ａ１と
トランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６とバッフ
ァＢ１、Ｂ２と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とで構成さ
れ、各構成の内部の回路が詳細に示されている。差動増
幅器Ａ１は、電流源ＩＳ１、ＩＳ２とトランジスタ２５
〜３０とで構成されている。トランスコンダクタンスア
ンプｇｍ５は、抵抗１７、１８、ＲＸ１、ＲＹ１とトラ
ンジスタ３１、３２、３３、３４と電流源ＩＳ３、ＩＳ
３で構成される。ここで、抵抗ＲＸ１、ＲＹ１は直列に
接続され、この２つの抵抗は、トランジスタ３３と電流
源ＩＳ３との間とトランジスタ３４と電流源ＩＳ３’と
の間に接続されている。このトランスコンダクタンスア
ンプｇｍ５は、接続されたコンデンサＣ３に電流を供給
する。コンデンサＣ３の電圧はバッファＢ１を介してト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ６に供給される。
【００３６】バッファＢ１は、トランジスタ３５と電流
源ＩＳ４と抵抗１９で構成されている。バッファＢ１と
接続されているトランスコンダクタンスアンプｇｍ６は
上記のトランスコンダクタンスアンプｇｍ５と同一構成
であり、抵抗２０、２１、ＲＸ２、ＲＹ２とトランジス
タ３６、３７、３８、３９と電流源ＩＳ５、ＩＳ５’と
で構成される。また、抵抗ＲＸ２、ＲＹ２は直列に接続
され、この２つの抵抗は、トランジスタ３８と電流源Ｉ
Ｓ５との間とトランジスタ３９と電流源ＩＳ５’との間
に接続されている。このトランスコンダクタンスアンプ
ｇｍ６は、接続されたコンデンサＣ４に電流を供給す
る。
源ＩＳ４と抵抗１９で構成されている。バッファＢ１と
接続されているトランスコンダクタンスアンプｇｍ６は
上記のトランスコンダクタンスアンプｇｍ５と同一構成
であり、抵抗２０、２１、ＲＸ２、ＲＹ２とトランジス
タ３６、３７、３８、３９と電流源ＩＳ５、ＩＳ５’と
で構成される。また、抵抗ＲＸ２、ＲＹ２は直列に接続
され、この２つの抵抗は、トランジスタ３８と電流源Ｉ
Ｓ５との間とトランジスタ３９と電流源ＩＳ５’との間
に接続されている。このトランスコンダクタンスアンプ
ｇｍ６は、接続されたコンデンサＣ４に電流を供給す
る。
【００３７】これらの差動増幅器Ａ１とトランスコンダ
クタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６とコンデンサＣ３，Ｃ４
とバッファＢ１、Ｂ２を有する２次バイクワッドフィル
タ回路の伝達関数は以下の式で表される。
クタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６とコンデンサＣ３，Ｃ４
とバッファＢ１、Ｂ２を有する２次バイクワッドフィル
タ回路の伝達関数は以下の式で表される。
【００３８】
【数４】
【００３９】上記の式（６）の中でＱはクォリティファ
クタ、ω０は共振角周波数であり、以下の式で表され
る。
クタ、ω０は共振角周波数であり、以下の式で表され
る。
【００４０】
【数５】
【００４１】ここで、上記の式（７）、（８）の中でト
ランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６のコンダク
タンスＧ５，Ｇ６は以下の式で表される。
ランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６のコンダク
タンスＧ５，Ｇ６は以下の式で表される。
【００４２】
【数６】
【００４３】上式より、伝達関数の温度特性は、トラン
スコンダクタンスアンプｇｍの温度特性である。つま
り、トランスコンダクタンスアンプｇｍの回路上の抵抗
ＲＸ、ＲＹの温度特性によりトランスコンタクタンスア
ンプｇｍの温度特性が決定される。抵抗ＲＸ、ＲＹの各
々が正と負の温度特性を有することにより、トランスコ
ンダクタンスアンプｇｍの出力を温度によらず一定にす
ることができる。また、上記の式（８）に示されるω０
の温度特性を抑えるため、コンデンサＣ３、Ｃ４には温
度係数が０の容量を使用する。
スコンダクタンスアンプｇｍの温度特性である。つま
り、トランスコンダクタンスアンプｇｍの回路上の抵抗
ＲＸ、ＲＹの温度特性によりトランスコンタクタンスア
ンプｇｍの温度特性が決定される。抵抗ＲＸ、ＲＹの各
々が正と負の温度特性を有することにより、トランスコ
ンダクタンスアンプｇｍの出力を温度によらず一定にす
ることができる。また、上記の式（８）に示されるω０
の温度特性を抑えるため、コンデンサＣ３、Ｃ４には温
度係数が０の容量を使用する。
【００４４】このようにして求められた周波数特性は、
トランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６の温度係
数により一定にすることが可能となる。図３は、抵抗の
温度特性の関係を示す図である。図３において、縦軸を
抵抗、横軸を温度として抵抗の温度特性が示されてい
る。ここでは、図２に示すトランスコンダクタンスアン
プｇｍ５、ｇｍ６の各回路内の抵抗ＲＸと抵抗ＲＹの温
度特性が示されている。ＩＣに内蔵する抵抗には、イオ
ン打込み抵抗、拡散抵抗、ポリシリコン抵抗等が存在す
る。一般的に、イオン打込み抵抗、拡散抵抗は正の温度
係数を有し、ポリシリコン抵抗は負の温度係数を有す
る。抵抗ＲＸは、イオン打込み抵抗、拡散抵抗を用い、
抵抗ＲＹは、ポリシリコン抵抗を用いている。負の温度
係数を持つ抵抗ＲＹの温度特性８０は、図３のように温
度が高くなるにつれて抵抗値が下がる特性を持つ。正の
温度係数を持つ抵抗ＲＸの温度特性８１は、温度が高く
なるにつれて抵抗値が上がる特性を持つ。このような正
・負の温度係数を持つ抵抗を直列に接続することにより
トランスコンダクタンスアンプｇｍの温度係数を０に近
づけることが可能となる。
トランスコンダクタンスアンプｇｍ５、ｇｍ６の温度係
数により一定にすることが可能となる。図３は、抵抗の
温度特性の関係を示す図である。図３において、縦軸を
抵抗、横軸を温度として抵抗の温度特性が示されてい
る。ここでは、図２に示すトランスコンダクタンスアン
プｇｍ５、ｇｍ６の各回路内の抵抗ＲＸと抵抗ＲＹの温
度特性が示されている。ＩＣに内蔵する抵抗には、イオ
ン打込み抵抗、拡散抵抗、ポリシリコン抵抗等が存在す
る。一般的に、イオン打込み抵抗、拡散抵抗は正の温度
係数を有し、ポリシリコン抵抗は負の温度係数を有す
る。抵抗ＲＸは、イオン打込み抵抗、拡散抵抗を用い、
抵抗ＲＹは、ポリシリコン抵抗を用いている。負の温度
係数を持つ抵抗ＲＹの温度特性８０は、図３のように温
度が高くなるにつれて抵抗値が下がる特性を持つ。正の
温度係数を持つ抵抗ＲＸの温度特性８１は、温度が高く
なるにつれて抵抗値が上がる特性を持つ。このような正
・負の温度係数を持つ抵抗を直列に接続することにより
トランスコンダクタンスアンプｇｍの温度係数を０に近
づけることが可能となる。
【００４５】上記のように、正・負の温度係数を持つ抵
抗を用いることで、周波数特性の変動をなくすことがで
きる。図４は、本発明の周波数特性を示す図である。図
４において、縦軸を利得、横軸を周波数として周波数特
性が示されている。図３と同様に、温度の異なる状態で
の周波数特性を示している。図４に示すように、正・負
の抵抗を用いることで温度特性による伝達関数のズレが
発生せず、一定の周波数特性を得ることができる。
抗を用いることで、周波数特性の変動をなくすことがで
きる。図４は、本発明の周波数特性を示す図である。図
４において、縦軸を利得、横軸を周波数として周波数特
性が示されている。図３と同様に、温度の異なる状態で
の周波数特性を示している。図４に示すように、正・負
の抵抗を用いることで温度特性による伝達関数のズレが
発生せず、一定の周波数特性を得ることができる。
【００４６】尚、本発明は上記２次バイクワッドフィル
タ回路のトランスコンダクタンスアンプに限らず、温度
特性及び周波数特性を調整するために、他の回路に対し
ても適応可能である。また、正・負の温度係数を持つ一
対の抵抗の組合せだけでなく、それぞれ複数の抵抗を組
合せて温度特性を調節することが可能である。
タ回路のトランスコンダクタンスアンプに限らず、温度
特性及び周波数特性を調整するために、他の回路に対し
ても適応可能である。また、正・負の温度係数を持つ一
対の抵抗の組合せだけでなく、それぞれ複数の抵抗を組
合せて温度特性を調節することが可能である。
【００４７】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、抵抗素子
が、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負の温度特性を
持つ負特性抵抗とを有することにより、抵抗素子の温度
特性を温度によらず一定にすることが可能となる。ま
た、正特性抵抗にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用
い、負特性抵抗にポリシリコン抵抗を用いることによ
り、抵抗素子の温度特性を温度によらず一定にすること
が可能となり、機能性の向上を図ることができる。
が、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負の温度特性を
持つ負特性抵抗とを有することにより、抵抗素子の温度
特性を温度によらず一定にすることが可能となる。ま
た、正特性抵抗にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用
い、負特性抵抗にポリシリコン抵抗を用いることによ
り、抵抗素子の温度特性を温度によらず一定にすること
が可能となり、機能性の向上を図ることができる。
【００４８】また、本発明の増幅回路によれば、抵抗素
子が、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負の温度特性
を持つ負特性抵抗とを有することにより、抵抗素子の温
度特性を一定にすることが可能となる。また、正特性抵
抗にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、負特性抵抗
にポリシリコン抵抗を用いることにより、抵抗素子の温
度特性を温度によらず一定にすることができる。よっ
て、周波数特性を一定に保つことが可能となる。それと
共に、他の複雑な回路を利用する必要が無いため、回路
の簡素化を図ることができる。
子が、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負の温度特性
を持つ負特性抵抗とを有することにより、抵抗素子の温
度特性を一定にすることが可能となる。また、正特性抵
抗にイオン打込み抵抗又は拡散抵抗を用い、負特性抵抗
にポリシリコン抵抗を用いることにより、抵抗素子の温
度特性を温度によらず一定にすることができる。よっ
て、周波数特性を一定に保つことが可能となる。それと
共に、他の複雑な回路を利用する必要が無いため、回路
の簡素化を図ることができる。
【００４９】また、本発明のアクティブフィルタによれ
ば、抵抗素子が、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負
の温度特性を持つ負特性抵抗とを有することにより、抵
抗素子の温度特性を温度によらず一定にすることが可能
となる。また、正特性抵抗にイオン打込み抵抗又は拡散
抵抗を用い、負特性抵抗にポリシリコン抵抗を用いるこ
とにより、抵抗素子の温度特性を温度によらず一定にす
ることが可能となると共に、他の複雑な回路を利用する
必要が無いため、回路の簡素化を図ることができる。
ば、抵抗素子が、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負
の温度特性を持つ負特性抵抗とを有することにより、抵
抗素子の温度特性を温度によらず一定にすることが可能
となる。また、正特性抵抗にイオン打込み抵抗又は拡散
抵抗を用い、負特性抵抗にポリシリコン抵抗を用いるこ
とにより、抵抗素子の温度特性を温度によらず一定にす
ることが可能となると共に、他の複雑な回路を利用する
必要が無いため、回路の簡素化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例である２次バイクワッドフィ
ルタのブロック図を示す。
ルタのブロック図を示す。
【図２】本発明の一実施例の２次バイクワッドフィルタ
回路を示す図である。
回路を示す図である。
【図３】抵抗の温度特性の関係を示す図である。
【図４】本発明の周波数特性を示す図である。
【図５】従来のアクティブフィルタ回路の一例である２
次バイクワッドフィルタのブロック図を示す。
次バイクワッドフィルタのブロック図を示す。
【図６】従来の２次バイクワッドフィルタ回路一例を示
す図である。
す図である。
【図７】従来の周波数特性を示す図である。
【図８】従来の２次バイクワッドフィルタ回路の一例を
示す図である。
示す図である。
１０、５０、１００ ２次バイクワッドフィルタ回路 １１、１２、１３ 電源電圧 Ｒ１〜Ｒ６、１７〜２２、５２〜５４、６６〜６８、Ｒ
Ｘ１、ＲＸ２、ＲＹ１、 ＲＹ２ 抵抗 ２５〜４０ トランジスタ Ａ１ 増幅器 Ｂ１、Ｂ２ バッファ Ｃ１〜Ｃ４ コンデンサ ｇｍ１〜ｇｍ６ トランスコンダクタンスアンプ ＩＳ１〜ＩＳ８ 電流源
Ｘ１、ＲＸ２、ＲＹ１、 ＲＹ２ 抵抗 ２５〜４０ トランジスタ Ａ１ 増幅器 Ｂ１、Ｂ２ バッファ Ｃ１〜Ｃ４ コンデンサ ｇｍ１〜ｇｍ６ トランスコンダクタンスアンプ ＩＳ１〜ＩＳ８ 電流源
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F038 AR01 AR09 AR23 AR28 BB05 DF01 EZ12 EZ13 5J090 AA01 AA12 CA02 CN01 FA08 FA17 FN10 FN12 HA01 HA25 HN16 KA02 KA41 MA13 MN04 SA13 TA01 TA02 5J098 AA02 AA11 AA14 AB03 AB12 AB13 AD06 CA02 CB10
Claims (6)
- 【請求項１】 抵抗素子が設けられた半導体装置におい
て、 前記抵抗素子は、正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負
の温度特性を持つ負特性抵抗とを組合せて構成されるこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記正特性抵抗は、イオン打込み抵抗又
は拡散抵抗であり、 前記負特性抵抗は、ポリシリコン抵抗であることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 抵抗素子を有する増幅回路において、 前記抵抗素子は正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負の
温度特性を持つ負特性抵抗とを組合せて構成されること
を特徴とする増幅回路。 - 【請求項４】 前記正特性抵抗は、イオン打込み抵抗又
は拡散抵抗であり、 前記負特性抵抗は、ポリシリコン抵抗であることを特徴
とする請求項３記載の増幅回路。 - 【請求項５】 抵抗素子を有するアクティブフィルタに
おいて、 前記抵抗素子は正の温度特性を持つ正特性抵抗と、負の
温度特性を持つ負特性抵抗とを組合せて構成されること
を特徴とするアクティブフィルタ。 - 【請求項６】 前記正特性抵抗は、イオン打込み抵抗又
は拡散抵抗であり、 前記負特性抵抗は、ポリシリコン抵抗であることを特徴
とする請求項５記載のアクティブフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35812299A JP2001177063A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35812299A JP2001177063A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001177063A true JP2001177063A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18457665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35812299A Pending JP2001177063A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体装置及び増幅回路並びにアクティブフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001177063A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004347368A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線モニタ |
| JP2005286021A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置 |
| US7075364B2 (en) * | 2004-08-17 | 2006-07-11 | Qualcomm Incorporated | Active-RC filter with compensation to reduce Q enhancement |
| JP2006302546A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 組合せ抵抗体、組合せ抵抗体を用いた増幅回路、荷電粒子線装置、及び、組合せ抵抗体の製造方法 |
| WO2018105101A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 株式会社デンソー | 無線受信機および無線受信方法 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35812299A patent/JP2001177063A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004347368A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線モニタ |
| JP4540301B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | 放射線モニタ |
| JP2005286021A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置 |
| US7075364B2 (en) * | 2004-08-17 | 2006-07-11 | Qualcomm Incorporated | Active-RC filter with compensation to reduce Q enhancement |
| JP2006302546A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 組合せ抵抗体、組合せ抵抗体を用いた増幅回路、荷電粒子線装置、及び、組合せ抵抗体の製造方法 |
| WO2018105101A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 株式会社デンソー | 無線受信機および無線受信方法 |
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