JP2001176822A - 半導体ウェーハの分割方法 - Google Patents
半導体ウェーハの分割方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体ウェハの裏面の研削前に、ウェハの表
裏面を貫通しない浅い切削溝を表面に形成した後、その
表面に保護部材を貼着しその面を下にして研削装置に載
置し、ウェハの裏面を研削し切削溝を表出させて個体の
チップに分割する際に、切削溝に侵入した砥粒や相互の
磨擦によるチップの欠けや破損を防ぎ、さらにエッチン
グ剤によるチップの表面や側面の浸食を防止して半導体
チップの品質の向上を図る。 【解決手段】 半導体ウェハＷのストリートに切削溝１
８を形成し、ウェハの表面に保護部材２０を貼着し、表
面側を下にして研削装置のチャックテーブルに載置して
保持する。このウェハ裏面に研削装置に装着された研削
ホイールを構成する研削砥石を用いてウェハを所定厚さ
に研削し、形成された切削溝１８を露出させて個々のチ
ップに分割する。切削溝形成工程と保護部材貼着工程と
の間で形成された切削溝に干渉防止部材２２ａを充填す
る。
裏面を貫通しない浅い切削溝を表面に形成した後、その
表面に保護部材を貼着しその面を下にして研削装置に載
置し、ウェハの裏面を研削し切削溝を表出させて個体の
チップに分割する際に、切削溝に侵入した砥粒や相互の
磨擦によるチップの欠けや破損を防ぎ、さらにエッチン
グ剤によるチップの表面や側面の浸食を防止して半導体
チップの品質の向上を図る。 【解決手段】 半導体ウェハＷのストリートに切削溝１
８を形成し、ウェハの表面に保護部材２０を貼着し、表
面側を下にして研削装置のチャックテーブルに載置して
保持する。このウェハ裏面に研削装置に装着された研削
ホイールを構成する研削砥石を用いてウェハを所定厚さ
に研削し、形成された切削溝１８を露出させて個々のチ
ップに分割する。切削溝形成工程と保護部材貼着工程と
の間で形成された切削溝に干渉防止部材２２ａを充填す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
表面のストリートに予め切削溝を形成しておき、裏面を
研削して切削溝を表出させることにより個々のチップに
分割する半導体ウェーハの分割方法に関する。
表面のストリートに予め切削溝を形成しておき、裏面を
研削して切削溝を表出させることにより個々のチップに
分割する半導体ウェーハの分割方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ等の半導体チップは、各種の電子機
器に幅広く利用されているが、特に、携帯電話、ノート
ブック型パーソナルコンピュータ、スマートカード等の
ように小型化、薄型化、軽量化の要求が強い製品につい
ては、これらに利用される半導体チップにもより一層の
薄型化が求められている。そして、半導体チップの薄型
化が進むと、携帯電話等の機器の薄型化等が図られるば
かりでなく、半導体チップを複数積層することも可能と
なり、これによって個々のＩＣパッケージ等の集積度及
び機能の向上をも図ることが可能になる。
器に幅広く利用されているが、特に、携帯電話、ノート
ブック型パーソナルコンピュータ、スマートカード等の
ように小型化、薄型化、軽量化の要求が強い製品につい
ては、これらに利用される半導体チップにもより一層の
薄型化が求められている。そして、半導体チップの薄型
化が進むと、携帯電話等の機器の薄型化等が図られるば
かりでなく、半導体チップを複数積層することも可能と
なり、これによって個々のＩＣパッケージ等の集積度及
び機能の向上をも図ることが可能になる。
【０００３】通常、半導体チップは、裏面の研削により
所定の厚さとなった半導体ウェーハのストリートを切削
してダイシングすることにより形成されるが、半導体ウ
ェーハを薄型化した場合にもこの手法を用いると、ダイ
シング時に個々の半導体チップに欠け等が生じやすくな
る。従って、この手法を用いる場合には半導体ウェーハ
の薄型化に限界がある。
所定の厚さとなった半導体ウェーハのストリートを切削
してダイシングすることにより形成されるが、半導体ウ
ェーハを薄型化した場合にもこの手法を用いると、ダイ
シング時に個々の半導体チップに欠け等が生じやすくな
る。従って、この手法を用いる場合には半導体ウェーハ
の薄型化に限界がある。
【０００４】そこで、このような手法に代えて、半導体
ウェーハの裏面を研削する前に半導体ウェーハの表裏面
を貫通しない切削溝を表面に比較的浅く形成しておき、
その表面に保護部材を貼着してその表面を下にして研削
装置にセットし、半導体ウェーハの裏面を研削して切削
溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割す
る手法が開発され、実用化されつつある。
ウェーハの裏面を研削する前に半導体ウェーハの表裏面
を貫通しない切削溝を表面に比較的浅く形成しておき、
その表面に保護部材を貼着してその表面を下にして研削
装置にセットし、半導体ウェーハの裏面を研削して切削
溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割す
る手法が開発され、実用化されつつある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この手
法では、切削溝が表出するまで研削を行い、切削溝が表
出してからも更にチップが所望の厚さになるまで研削を
行うため、研削砥石を構成するダイヤモンド等の砥粒が
離脱して切削溝、即ち、隣り合うチップとチップとの間
に侵入することがあり、この場合には、かかる侵入した
砥粒がチップの外周部に欠けを生じさせ、ひいてはチッ
プを破損させることもあるという問題がある。
法では、切削溝が表出するまで研削を行い、切削溝が表
出してからも更にチップが所望の厚さになるまで研削を
行うため、研削砥石を構成するダイヤモンド等の砥粒が
離脱して切削溝、即ち、隣り合うチップとチップとの間
に侵入することがあり、この場合には、かかる侵入した
砥粒がチップの外周部に欠けを生じさせ、ひいてはチッ
プを破損させることもあるという問題がある。
【０００６】また、チップが所定の厚さまで研削された
後は、保護部材に貼着されたままの状態で次の工程に搬
送されるため、搬送の際に隣り合うチップ同士が擦れ合
って欠けが生じるという問題もある。
後は、保護部材に貼着されたままの状態で次の工程に搬
送されるため、搬送の際に隣り合うチップ同士が擦れ合
って欠けが生じるという問題もある。
【０００７】更に、チップを所定の厚さに研削した後に
は、研削面に生じた歪みを除去するために、研削面に化
学的にエッチング処理を施す場合があるが、この場合に
は、切削溝からエッチング剤が侵入してチップの側面ま
たは表面（回路面）を浸食し、チップの品質を低下させ
るという問題がある。
は、研削面に生じた歪みを除去するために、研削面に化
学的にエッチング処理を施す場合があるが、この場合に
は、切削溝からエッチング剤が侵入してチップの側面ま
たは表面（回路面）を浸食し、チップの品質を低下させ
るという問題がある。
【０００８】このように、半導体ウェーハの裏面を研削
する前に半導体ウェーハの表裏面を貫通しない切削溝を
表面に比較的浅く形成しておき、その表面に保護部材を
貼着してその面を下にして研削装置にセットし、半導体
ウェーハの裏面を研削して切削溝を表出させることによ
り個々の半導体チップに分割する場合においては、切削
溝に侵入した砥粒やチップ同士の擦れ合いによりチップ
に欠けや破損が生じるのを防止し、更にはエッチング剤
によりチップの側面や表面が浸食されるのを防止するこ
とにより、半導体チップの品質の向上を図ることに課題
を有している。
する前に半導体ウェーハの表裏面を貫通しない切削溝を
表面に比較的浅く形成しておき、その表面に保護部材を
貼着してその面を下にして研削装置にセットし、半導体
ウェーハの裏面を研削して切削溝を表出させることによ
り個々の半導体チップに分割する場合においては、切削
溝に侵入した砥粒やチップ同士の擦れ合いによりチップ
に欠けや破損が生じるのを防止し、更にはエッチング剤
によりチップの側面や表面が浸食されるのを防止するこ
とにより、半導体チップの品質の向上を図ることに課題
を有している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、ストリートによって区画
されて複数の回路領域が形成された半導体ウェーハを、
ストリートに沿って個々の回路領域毎のチップに分割す
る半導体ウェーハの分割方法であって、半導体ウェーハ
のストリートを切削してストリートに切削溝を形成する
切削溝形成工程と、切削溝が形成された半導体ウェーハ
の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護
部材が貼着された表面側を研削装置のチャックテーブル
に対面させて載置し、半導体ウェーハをチャックテーブ
ルに保持する保持工程と、チャックテーブルに保持され
た半導体ウェーハの裏面に、研削装置に装着された研削
ホイールを構成する研削砥石をあてがって半導体ウェー
ハを所定の厚さに研削し、切削溝形成工程において形成
された切削溝を表出させて個々のチップに分割する研削
工程とを含み、切削溝形成工程と保護部材貼着工程との
間においては、切削溝形成工程によって形成された切削
溝に干渉防止部材を充填する干渉防止部材充填工程が遂
行される半導体ウェーハの分割方法を提供する。
の具体的手段として本発明は、ストリートによって区画
されて複数の回路領域が形成された半導体ウェーハを、
ストリートに沿って個々の回路領域毎のチップに分割す
る半導体ウェーハの分割方法であって、半導体ウェーハ
のストリートを切削してストリートに切削溝を形成する
切削溝形成工程と、切削溝が形成された半導体ウェーハ
の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護
部材が貼着された表面側を研削装置のチャックテーブル
に対面させて載置し、半導体ウェーハをチャックテーブ
ルに保持する保持工程と、チャックテーブルに保持され
た半導体ウェーハの裏面に、研削装置に装着された研削
ホイールを構成する研削砥石をあてがって半導体ウェー
ハを所定の厚さに研削し、切削溝形成工程において形成
された切削溝を表出させて個々のチップに分割する研削
工程とを含み、切削溝形成工程と保護部材貼着工程との
間においては、切削溝形成工程によって形成された切削
溝に干渉防止部材を充填する干渉防止部材充填工程が遂
行される半導体ウェーハの分割方法を提供する。
【００１０】そしてこの半導体ウェーハの分割方法は、
干渉防止部材充填工程においては、半導体ウェーハに形
成されている切削溝に、干渉防止部材として硬化性液体
樹脂を進入させて切削溝を充填すること、干渉部材充填
工程においては、スピンコータを用い、半導体ウェーハ
の表面に硬化性液体樹脂を滴下して該導体ウェーハを高
速回転させることによって、切削溝に硬化性液体樹脂を
進入させること、保護部材の貼着面には干渉防止部材層
が形成されており、保護部材を半導体ウェーハの表面に
貼着する際に、干渉防止部材層を構成する干渉防止部材
が切削溝に進入し、保護部材貼着工程と切削溝埋設工程
とが同時に遂行されること、研削工程の後に、研削工程
によって分割された半導体ウェーハの表面に保護部材が
貼着されたままの状態で、半導体ウェーハの裏面に化学
的エッチング処理を施すエッチング工程を遂行すること
を付加的な要件とする。
干渉防止部材充填工程においては、半導体ウェーハに形
成されている切削溝に、干渉防止部材として硬化性液体
樹脂を進入させて切削溝を充填すること、干渉部材充填
工程においては、スピンコータを用い、半導体ウェーハ
の表面に硬化性液体樹脂を滴下して該導体ウェーハを高
速回転させることによって、切削溝に硬化性液体樹脂を
進入させること、保護部材の貼着面には干渉防止部材層
が形成されており、保護部材を半導体ウェーハの表面に
貼着する際に、干渉防止部材層を構成する干渉防止部材
が切削溝に進入し、保護部材貼着工程と切削溝埋設工程
とが同時に遂行されること、研削工程の後に、研削工程
によって分割された半導体ウェーハの表面に保護部材が
貼着されたままの状態で、半導体ウェーハの裏面に化学
的エッチング処理を施すエッチング工程を遂行すること
を付加的な要件とする。
【００１１】上記のように構成される半導体ウェーハの
分割方法によれば、裏面の研削前に切削溝に干渉防止部
材を充填するため、切削溝が表出するまで半導体ウェー
ハの裏面を切削し、更に、個々の半導体チップを所望の
厚さになるまで研削しても、研削砥石を構成する砥粒が
切削溝に侵入することがなくなり、砥粒の切削溝への侵
入に起因する半導体チップの欠けがなくなる。
分割方法によれば、裏面の研削前に切削溝に干渉防止部
材を充填するため、切削溝が表出するまで半導体ウェー
ハの裏面を切削し、更に、個々の半導体チップを所望の
厚さになるまで研削しても、研削砥石を構成する砥粒が
切削溝に侵入することがなくなり、砥粒の切削溝への侵
入に起因する半導体チップの欠けがなくなる。
【００１２】また、半導体チップが保護部材に貼着され
た状態で搬送しても、隣り合う半導体チップの間には干
渉防止部材が充填されているため、半導体チップ同士が
擦れ合うことに起因する欠けが生じなくなる。
た状態で搬送しても、隣り合う半導体チップの間には干
渉防止部材が充填されているため、半導体チップ同士が
擦れ合うことに起因する欠けが生じなくなる。
【００１３】更に、研削工程の後に研削面を化学的エッ
チング処理する場合には、切削溝に干渉防止部材が充填
された状態で化学的エッチング処理を行うことで、エッ
チング剤が切削溝に侵入することがないために半導体チ
ップの側面が浸食されることがなく、また、エッチング
剤が切削溝を通って表面に回り込むこともないために表
面が浸食されることもなく、エッチング剤が半導体チッ
プの研削面にのみ作用し、研削面のみが浸食されて歪み
を除去することができる。
チング処理する場合には、切削溝に干渉防止部材が充填
された状態で化学的エッチング処理を行うことで、エッ
チング剤が切削溝に侵入することがないために半導体チ
ップの側面が浸食されることがなく、また、エッチング
剤が切削溝を通って表面に回り込むこともないために表
面が浸食されることもなく、エッチング剤が半導体チッ
プの研削面にのみ作用し、研削面のみが浸食されて歪み
を除去することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して説明する。本発明においては、まず最初に、
図１に示す切削装置１０を用いて、半導体ウェーハの表
面のストリートに裏面まで貫通しない切削溝を形成す
る。
を参照して説明する。本発明においては、まず最初に、
図１に示す切削装置１０を用いて、半導体ウェーハの表
面のストリートに裏面まで貫通しない切削溝を形成す
る。
【００１５】半導体ウェーハＷに切削溝を形成する際
は、半導体ウェーハＷは図１に示す切削装置１０のカセ
ット１１に複数収容され、搬出入手段１２によって搬出
されてから第一の搬送手段１３によってチャックテーブ
ル１４に搬送され、表面を上にして保持される。
は、半導体ウェーハＷは図１に示す切削装置１０のカセ
ット１１に複数収容され、搬出入手段１２によって搬出
されてから第一の搬送手段１３によってチャックテーブ
ル１４に搬送され、表面を上にして保持される。
【００１６】半導体ウェーハＷを保持したチャックテー
ブル１４は、Ｘ軸方向の移動によりアライメント手段１
５の直下に位置付けられて溝を形成すべきストリートが
検出され、更に同方向に移動しながら、高速回転する切
削ブレード１６を備えた切削手段１７が下降して切削ブ
レード１６が所定深さ切り込むことによって、前記検出
されたストリートに所定深さの切削溝が形成される。ま
た、切削手段１７がＹ軸方向に移動しながらチャックテ
ーブル１４がＸ軸方向に往復運動することによって、順
次ストリートに所定深さの切削溝が形成されていく。
ブル１４は、Ｘ軸方向の移動によりアライメント手段１
５の直下に位置付けられて溝を形成すべきストリートが
検出され、更に同方向に移動しながら、高速回転する切
削ブレード１６を備えた切削手段１７が下降して切削ブ
レード１６が所定深さ切り込むことによって、前記検出
されたストリートに所定深さの切削溝が形成される。ま
た、切削手段１７がＹ軸方向に移動しながらチャックテ
ーブル１４がＸ軸方向に往復運動することによって、順
次ストリートに所定深さの切削溝が形成されていく。
【００１７】そして更に、チャックテーブル１４が９０
度回転して上記と同様にストリートに切削溝を形成して
いくと、図２に示すように、半導体ウェーハＷの表面に
縦横に切削溝１８が形成される（切削溝形成工程）。
度回転して上記と同様にストリートに切削溝を形成して
いくと、図２に示すように、半導体ウェーハＷの表面に
縦横に切削溝１８が形成される（切削溝形成工程）。
【００１８】こうして半導体ウェーハＷの表面に切削溝
１８が形成されると、次にその切削溝１８に干渉防止部
材を充填する（干渉防止部材充填工程）。干渉防止部材
充填工程は、例えば、図３に示すように、保護部材２０
を半導体ウェーハＷの表面に貼着することによって行わ
れる。
１８が形成されると、次にその切削溝１８に干渉防止部
材を充填する（干渉防止部材充填工程）。干渉防止部材
充填工程は、例えば、図３に示すように、保護部材２０
を半導体ウェーハＷの表面に貼着することによって行わ
れる。
【００１９】この保護部材２０は、保護層２１と干渉防
止部材層２２とからなる部材であり、干渉防止部材層２
２は粘着性を有し、干渉防止部材層２２を半導体ウェー
ハＷの表面に貼着することにより、図４のように保護部
材２０と半導体ウェーハＷとが一体となる（保護部材貼
着工程）。
止部材層２２とからなる部材であり、干渉防止部材層２
２は粘着性を有し、干渉防止部材層２２を半導体ウェー
ハＷの表面に貼着することにより、図４のように保護部
材２０と半導体ウェーハＷとが一体となる（保護部材貼
着工程）。
【００２０】干渉防止部材層２２を構成する粘着剤は、
温度変化や化学的作用によって柔軟になる素材で構成さ
れ、加熱や化学反応により、若しくは溶剤を用いること
により柔軟になった状態で半導体ウェーハＷの表面に貼
り合わせ、更に圧力を加えることによって、図５に示す
ように、干渉防止部材２２ａが切削溝１８に進入して充
填される。
温度変化や化学的作用によって柔軟になる素材で構成さ
れ、加熱や化学反応により、若しくは溶剤を用いること
により柔軟になった状態で半導体ウェーハＷの表面に貼
り合わせ、更に圧力を加えることによって、図５に示す
ように、干渉防止部材２２ａが切削溝１８に進入して充
填される。
【００２１】そして、充填された干渉防止部材２２ａ
は、加熱をやめるか、化学的雰囲気を除去するか、また
は一定時間を経過することによって固化して切削溝１８
内に隙間なく充填される。このように、保護層２１と干
渉防止部材層２２とからなる保護部材２０を半導体ウェ
ーハＷに貼着する場合は、干渉防止部材充填工程と保護
部材貼着工程とが同時に遂行される。従って、生産性を
向上させることができる。
は、加熱をやめるか、化学的雰囲気を除去するか、また
は一定時間を経過することによって固化して切削溝１８
内に隙間なく充填される。このように、保護層２１と干
渉防止部材層２２とからなる保護部材２０を半導体ウェ
ーハＷに貼着する場合は、干渉防止部材充填工程と保護
部材貼着工程とが同時に遂行される。従って、生産性を
向上させることができる。
【００２２】なお、干渉防止部材充填工程は、図６に示
すスピンコータ３０を用いて行うこともできる。このス
ピンコータ３０は、回転駆動部３１とそれに連結された
保持部３２と滴下部３３とから概ね構成され、保持部３
２には表面に切削溝が形成された半導体ウェーハＷが表
面を上にして保持される。
すスピンコータ３０を用いて行うこともできる。このス
ピンコータ３０は、回転駆動部３１とそれに連結された
保持部３２と滴下部３３とから概ね構成され、保持部３
２には表面に切削溝が形成された半導体ウェーハＷが表
面を上にして保持される。
【００２３】そして、回転駆動部３１に駆動されて保持
部３２が高速回転し、滴下部３３から硬化性液体樹脂３
４を滴下させることによって半導体ウェーハＷの表面一
面に硬化性液体樹脂３４が行き渡り、図７に示すように
切削溝１８に充填される。また、切削溝１８に充填され
た硬化性液体樹脂３４は、時間の経過と共に硬化する。
このように、硬化性液体樹脂３４が干渉防止部材とな
る。
部３２が高速回転し、滴下部３３から硬化性液体樹脂３
４を滴下させることによって半導体ウェーハＷの表面一
面に硬化性液体樹脂３４が行き渡り、図７に示すように
切削溝１８に充填される。また、切削溝１８に充填され
た硬化性液体樹脂３４は、時間の経過と共に硬化する。
このように、硬化性液体樹脂３４が干渉防止部材とな
る。
【００２４】上記のようにして切削溝１８に干渉防止部
材として硬化性液体樹脂３４が充填された後は、図８に
示すように、図３に示した保護部材２０とは異なり通常
の粘着面を有する保護部材４０を半導体ウェーハＷの表
面に貼着する（保護部材貼着工程）。このように、スピ
ンコータ３０を用いて硬化性液体樹脂３４を干渉防止部
材として切削溝１８に充填させる場合は、干渉防止部材
充填工程と保護部材貼着工程とが別工程で遂行される。
材として硬化性液体樹脂３４が充填された後は、図８に
示すように、図３に示した保護部材２０とは異なり通常
の粘着面を有する保護部材４０を半導体ウェーハＷの表
面に貼着する（保護部材貼着工程）。このように、スピ
ンコータ３０を用いて硬化性液体樹脂３４を干渉防止部
材として切削溝１８に充填させる場合は、干渉防止部材
充填工程と保護部材貼着工程とが別工程で遂行される。
【００２５】次に、図５に示したように切削溝１８に干
渉防止部材２２ａが充填され、保護部材２０が貼着され
た半導体ウェーハＷの裏面を、例えば図９に示す研削装
置５０を用いて研削する。
渉防止部材２２ａが充填され、保護部材２０が貼着され
た半導体ウェーハＷの裏面を、例えば図９に示す研削装
置５０を用いて研削する。
【００２６】図９の研削装置５０においては、基台５１
の端部から壁体５２が起立して設けられており、この壁
体５２の内側の面には一対のレール５３が垂直方向に配
設され、レール５３に沿ってスライド板５４が上下動す
るのに伴いスライド板５４に取り付けられた研削手段５
５が上下動するよう構成されている。また、基台５１上
に回転可能に配設されたターンテーブル５６には半導体
ウェーハを保持するチャックテーブル５７が設けられて
いる。
の端部から壁体５２が起立して設けられており、この壁
体５２の内側の面には一対のレール５３が垂直方向に配
設され、レール５３に沿ってスライド板５４が上下動す
るのに伴いスライド板５４に取り付けられた研削手段５
５が上下動するよう構成されている。また、基台５１上
に回転可能に配設されたターンテーブル５６には半導体
ウェーハを保持するチャックテーブル５７が設けられて
いる。
【００２７】また、研削手段５５においては、垂直方向
の軸芯を有するスピンドル５８の先端のマウンタ５９に
研削ホイール６０が装着されており、研削ホイール６０
の下部には研削砥石６１が円環状に固着されており、研
削砥石６１はスピンドル５８の回転に伴って回転する構
成となっている。
の軸芯を有するスピンドル５８の先端のマウンタ５９に
研削ホイール６０が装着されており、研削ホイール６０
の下部には研削砥石６１が円環状に固着されており、研
削砥石６１はスピンドル５８の回転に伴って回転する構
成となっている。
【００２８】研削装置５０を用いて半導体ウェーハＷの
裏面を研削する際は、表面をチャックテーブル５７に対
面させて半導体ウェーハＷを保持させる（保持工程）。
そしてチャックテーブル５７を研削手段５５の直下に位
置付け、スピンドル５８を回転させると共に研削手段５
５を下降させていく。スピンドル５８の高速回転に伴っ
て研削ホイール６０が高速回転し、高速回転する研削砥
石６１が半導体ウェーハに接触して押圧力が加えられる
ことにより、裏面が研削砥石６１によって研削される。
裏面を研削する際は、表面をチャックテーブル５７に対
面させて半導体ウェーハＷを保持させる（保持工程）。
そしてチャックテーブル５７を研削手段５５の直下に位
置付け、スピンドル５８を回転させると共に研削手段５
５を下降させていく。スピンドル５８の高速回転に伴っ
て研削ホイール６０が高速回転し、高速回転する研削砥
石６１が半導体ウェーハに接触して押圧力が加えられる
ことにより、裏面が研削砥石６１によって研削される。
【００２９】そして、裏面を所定量研削すると、図１０
に示すように、切削溝１８が表出して表裏面を貫通し、
この切削溝１８によって半導体ウェーハＷが個々の半導
体チップＣに分割される（研削工程）。
に示すように、切削溝１８が表出して表裏面を貫通し、
この切削溝１８によって半導体ウェーハＷが個々の半導
体チップＣに分割される（研削工程）。
【００３０】更に、個々の半導体チップＣを所望の厚さ
とするために研削を続ける。このとき切削溝１８は干渉
防止部材２２ａによって充填されているため、研削砥石
６１を構成する砥粒が離脱したとしても切削溝１８に侵
入することがない。従って、半導体チップＣの外周部に
欠けが生じることがない。
とするために研削を続ける。このとき切削溝１８は干渉
防止部材２２ａによって充填されているため、研削砥石
６１を構成する砥粒が離脱したとしても切削溝１８に侵
入することがない。従って、半導体チップＣの外周部に
欠けが生じることがない。
【００３１】半導体チップＣが所望の厚さになった後
は、保護部材２０に貼着されたままの状態で次のピック
アップ工程に搬送されるが、搬送過程においても切削溝
１８に干渉防止部材２２ａが充填されているため、搬送
過程で隣り合う半導体チップ同士が接触することがな
い。
は、保護部材２０に貼着されたままの状態で次のピック
アップ工程に搬送されるが、搬送過程においても切削溝
１８に干渉防止部材２２ａが充填されているため、搬送
過程で隣り合う半導体チップ同士が接触することがな
い。
【００３２】また、ピックアップ工程において半導体チ
ップＣを１個ずつピックアップする際には、半導体チッ
プＣの側面は干渉防止部材２２ａとは接着されておら
ず、かつ干渉防止部材２２ａは保護部材２０と一体にな
っているため、半導体チップＣのみを容易に剥離するこ
とができる。
ップＣを１個ずつピックアップする際には、半導体チッ
プＣの側面は干渉防止部材２２ａとは接着されておら
ず、かつ干渉防止部材２２ａは保護部材２０と一体にな
っているため、半導体チップＣのみを容易に剥離するこ
とができる。
【００３３】研削工程において半導体ウェーハＷの研削
面に歪みが生じた場合には、表面に保護部材２０を貼着
したままの状態で研削面に化学的エッチングを施すこと
によりその歪みを除去する。このとき、表面に保護部材
２０が貼着されたままの状態であるため、切削溝１８に
は干渉防止部材２２ａが充填されている。従って、エッ
チング剤が切削溝１８に侵入することがないため半導体
チップＣの側面が浸食されることがなく、また、エッチ
ング剤が切削溝１８を通って表面に回り込むこともない
ため、表面が浸食されることもない。即ち、エッチング
剤が研削面にのみ作用し、研削面のみが浸食されて歪み
が除去され、半導体チップＣの品質を向上させることが
できる。
面に歪みが生じた場合には、表面に保護部材２０を貼着
したままの状態で研削面に化学的エッチングを施すこと
によりその歪みを除去する。このとき、表面に保護部材
２０が貼着されたままの状態であるため、切削溝１８に
は干渉防止部材２２ａが充填されている。従って、エッ
チング剤が切削溝１８に侵入することがないため半導体
チップＣの側面が浸食されることがなく、また、エッチ
ング剤が切削溝１８を通って表面に回り込むこともない
ため、表面が浸食されることもない。即ち、エッチング
剤が研削面にのみ作用し、研削面のみが浸食されて歪み
が除去され、半導体チップＣの品質を向上させることが
できる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの分割方法によれば、裏面の研削前に切削溝
に干渉防止部材が充填するため、切削溝が表出するまで
半導体ウェーハの裏面を切削し、更に、個々の半導体チ
ップを所望の厚さになるまで研削しても、研削砥石を構
成する砥粒が切削溝に侵入することがない。従って、そ
のような砥粒の侵入に起因する欠けがなくなり、半導体
チップの品質を向上させることができる。
体ウェーハの分割方法によれば、裏面の研削前に切削溝
に干渉防止部材が充填するため、切削溝が表出するまで
半導体ウェーハの裏面を切削し、更に、個々の半導体チ
ップを所望の厚さになるまで研削しても、研削砥石を構
成する砥粒が切削溝に侵入することがない。従って、そ
のような砥粒の侵入に起因する欠けがなくなり、半導体
チップの品質を向上させることができる。
【００３５】また、半導体チップが保護部材に貼着され
た状態で搬送しても、隣り合う半導体チップの間には干
渉防止部材が充填されているため、半導体チップ同士が
擦れ合うことに起因する欠けが生じなくなり、この点に
おいても半導体チップの品質の向上を図ることができ
る。
た状態で搬送しても、隣り合う半導体チップの間には干
渉防止部材が充填されているため、半導体チップ同士が
擦れ合うことに起因する欠けが生じなくなり、この点に
おいても半導体チップの品質の向上を図ることができ
る。
【００３６】更に、研削工程の後に研削面を化学的エッ
チング処理する場合には、切削溝に干渉防止部材が充填
された状態で化学的エッチング処理を行うことで、エッ
チング剤が切削溝に侵入することがないため半導体チッ
プの側面が浸食されることがなく、また、エッチング剤
が切削溝を通って表面に回り込むこともないため、表面
が浸食されることもない。従って、エッチング剤が半導
体チップの研削面にのみ作用し、研削面のみが浸食され
て歪みが除去され、更に半導体チップの品質を向上させ
ることができると共に、５０μｍ前後まで半導体チップ
を薄く研磨することができる。
チング処理する場合には、切削溝に干渉防止部材が充填
された状態で化学的エッチング処理を行うことで、エッ
チング剤が切削溝に侵入することがないため半導体チッ
プの側面が浸食されることがなく、また、エッチング剤
が切削溝を通って表面に回り込むこともないため、表面
が浸食されることもない。従って、エッチング剤が半導
体チップの研削面にのみ作用し、研削面のみが浸食され
て歪みが除去され、更に半導体チップの品質を向上させ
ることができると共に、５０μｍ前後まで半導体チップ
を薄く研磨することができる。
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの分割方法を構成
する切削溝形成工程に用いる切削装置の一例を示す斜視
図である。
する切削溝形成工程に用いる切削装置の一例を示す斜視
図である。
【図２】同切削溝形成工程によって表面に切削溝が形成
された半導体ウェーハを示す斜視図である。
された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図３】同半導体ウェーハ及びその半導体ウェーハに貼
着する保護部材を示す斜視図である。
着する保護部材を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る半導体ウェーハの分割方法を構成
する保護部材貼着工程において同半導体ウェーハに保護
部材を貼着した状態を示す斜視図である。
する保護部材貼着工程において同半導体ウェーハに保護
部材を貼着した状態を示す斜視図である。
【図５】同保護部材貼着工程と干渉防止部材充填工程と
によって切削溝に干渉防止部材が充填された状態を示す
断面図である。
によって切削溝に干渉防止部材が充填された状態を示す
断面図である。
【図６】本発明に係る半導体ウェーハの分割方法を構成
する干渉防止部材充填工程の第二の例において用いるス
ピンコータの一例を示す略示的斜視図である。
する干渉防止部材充填工程の第二の例において用いるス
ピンコータの一例を示す略示的斜視図である。
【図７】同スピンコータを用いて切削溝に干渉防止部材
を充填した半導体ウェーハを示す断面図である。
を充填した半導体ウェーハを示す断面図である。
【図８】同切削溝に干渉防止部材を充填した半導体ウェ
ーハに保護部材を貼着した状態を示す断面図である。
ーハに保護部材を貼着した状態を示す断面図である。
【図９】本発明に係る半導体ウェーハの分割方法を構成
する研削工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図であ
る。
する研削工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図であ
る。
【図１０】同研削工程により個々の半導体チップに分割
された半導体ウェーハを示す断面図である。
された半導体ウェーハを示す断面図である。
１０…切削装置 １１…カセット １２…搬出入手段 １３…第一の搬送手段 １４…チャックテーブル １５…アライメント手段 １６…切削ブレード １７…切削手段 １８…切削溝 ２０…保護部材 ２１…保護層 ２２…干渉防止部材層 ２２ａ…干渉防止部材 ３０…スピンコータ ３１…回転駆動部 ３２…保持部 ３３…滴下部 ３４…硬化性液体樹脂 ４０…保護部材 ５０…研削装置 ５１…基台 ５２…壁体 ５３…レール ５４…スライド板 ５５…研削手段 ５６…ターンテーブル ５７…チャックテーブル ５８…スピンドル ５９…マウンタ ６０…研削ホイール ６１…研削砥石
Claims (5)
- 【請求項１】 ストリートによって区画されて複数の回
路領域が形成された半導体ウェーハを、該ストリートに
沿って個々の回路領域毎のチップに分割する半導体ウェ
ーハの分割方法であって、 半導体ウェーハのストリートを切削して該ストリートに
切削溝を形成する切削溝形成工程と、 該切削溝が形成された該半導体ウェーハの表面に保護部
材を貼着する保護部材貼着工程と、 該保護部材が貼着された表面側を研削装置のチャックテ
ーブルに対面させて載置し、該半導体ウェーハをチャッ
クテーブルに保持する保持工程と、 該チャックテーブルに保持された半導体ウェーハの裏面
に、研削装置に装着された研削ホイールを構成する研削
砥石をあてがって該半導体ウェーハを所定の厚さに研削
し、該切削溝形成工程において形成された切削溝を表出
させて個々のチップに分割する研削工程とを含み、 該切削溝形成工程と該保護部材貼着工程との間において
は、該切削溝形成工程によって形成された切削溝に干渉
防止部材を充填する干渉防止部材充填工程が遂行される
半導体ウェーハの分割方法。 - 【請求項２】 干渉防止部材充填工程においては、半導
体ウェーハに形成されている切削溝に、干渉防止部材と
して硬化性液体樹脂を進入させて該切削溝を充填する請
求項１に記載の半導体ウェーハの分割方法。 - 【請求項３】 干渉部材充填工程においては、スピンコ
ータを用い、半導体ウェーハの表面に硬化性液体樹脂を
滴下して該半導体ウェーハを高速回転させることによっ
て、切削溝に該硬化性液体樹脂を進入させる請求項２に
記載の半導体ウェーハの分割方法。 - 【請求項４】 保護部材の貼着面には干渉防止部材層が
形成されており、該保護部材を半導体ウェーハの表面に
貼着する際に、該干渉防止部材層を構成する干渉防止部
材が切削溝に進入し、保護部材貼着工程と切削溝埋設工
程とが同時に遂行される請求項１に記載の半導体ウェー
ハの分割方法。 - 【請求項５】 研削工程の後に、該研削工程によって分
割された半導体ウェーハの表面に保護部材が貼着された
ままの状態で、該半導体ウェーハの裏面に化学的エッチ
ング処理を施すエッチング工程を遂行する請求項１乃至
４に記載の半導体ウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35810199A JP4681704B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35810199A JP4681704B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176822A true JP2001176822A (ja) | 2001-06-29 |
| JP4681704B2 JP4681704B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=18457553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35810199A Expired - Lifetime JP4681704B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4681704B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011119578A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 貼着装置 |
| US8753959B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-06-17 | Henkel IP & Holding GmbH | Coating adhesives onto dicing before grinding and micro-fabricated wafers |
| US9281182B2 (en) | 2011-02-01 | 2016-03-08 | Henkel IP & Holding GmbH | Pre-cut wafer applied underfill film |
| US9362105B2 (en) | 2011-02-01 | 2016-06-07 | Henkel IP & Holding GmbH | Pre-cut wafer applied underfill film on dicing tape |
| US9607896B2 (en) | 2011-07-01 | 2017-03-28 | Henkel IP & Holding GmbH | Use of repellent material to protect fabrication regions in semi conductor assembly |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279654A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5478081A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Toshiba Corp | Production of semiconductor element |
| JPS6438209A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Nec Corp | Preparation of semiconductor device |
| JPH07106285A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造方法 |
| JPH09213661A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35810199A patent/JP4681704B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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| US9082840B2 (en) | 2010-06-08 | 2015-07-14 | Henkel IP & Holding GmbH | Coating adhesives onto dicing before grinding and micro-fabricated wafers |
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| US9362105B2 (en) | 2011-02-01 | 2016-06-07 | Henkel IP & Holding GmbH | Pre-cut wafer applied underfill film on dicing tape |
| US9607896B2 (en) | 2011-07-01 | 2017-03-28 | Henkel IP & Holding GmbH | Use of repellent material to protect fabrication regions in semi conductor assembly |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4681704B2 (ja) | 2011-05-11 |
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