JP2001176406A - 高周波プラズマディスプレーパネル - Google Patents
高周波プラズマディスプレーパネルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は隔壁の高さと高周波信号の周波数を
低くして、維持放電の効率を高めることができる高周波
プラズマディスプレーパネルを提供する。 【解決手段】 本発明の高周波プラズマディスプレーパ
ネルは、高周波放電のための電極を上下の基板を隔離す
るとともに、セルを区画する隔壁の中に形成させた。そ
の際、セルの形状を長方形とし、それらの電極が長方形
の長い方の両端に配置されるようにした。
低くして、維持放電の効率を高めることができる高周波
プラズマディスプレーパネルを提供する。 【解決手段】 本発明の高周波プラズマディスプレーパ
ネルは、高周波放電のための電極を上下の基板を隔離す
るとともに、セルを区画する隔壁の中に形成させた。そ
の際、セルの形状を長方形とし、それらの電極が長方形
の長い方の両端に配置されるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波プラズマディ
スプレーパネルに関し、特に、隔壁の高さと高周波信号
の周波数を低くして発光効率を増加させることができる
高周波プラズマディスプレーパネルに関する。
スプレーパネルに関し、特に、隔壁の高さと高周波信号
の周波数を低くして発光効率を増加させることができる
高周波プラズマディスプレーパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、平板ディスプレー装置として大型
パネルの製作が容易なプラズマディスプレーパネル（Ｐ
ＤＰという）が注目を浴びている。ＰＤＰはガス放電に
よって発生する紫外線が蛍光体を発光させ、蛍光体から
可視光線が発生するのを利用して画像を表示するもので
ある。最近では従来開発されていた交流面放電のＰＤＰ
に比べて放電効率及び輝度を画期的に向上させることが
できる高周波ＰＤＰに対する研究が活発に進行されてい
る。高周波ＰＤＰは、セルに数百ＭＨｚの高周波信号を
加え、それによって放電空間内の電子を振動運動させ、
その振動している電子が放電ガスを連続的にイオン化さ
せる。したがって、ガスはほとんど放電持続時間の間に
連続的に放電する。このような高周波放電はグロー放電
構造での陽光注と同一の物理的な特性を有する。
パネルの製作が容易なプラズマディスプレーパネル（Ｐ
ＤＰという）が注目を浴びている。ＰＤＰはガス放電に
よって発生する紫外線が蛍光体を発光させ、蛍光体から
可視光線が発生するのを利用して画像を表示するもので
ある。最近では従来開発されていた交流面放電のＰＤＰ
に比べて放電効率及び輝度を画期的に向上させることが
できる高周波ＰＤＰに対する研究が活発に進行されてい
る。高周波ＰＤＰは、セルに数百ＭＨｚの高周波信号を
加え、それによって放電空間内の電子を振動運動させ、
その振動している電子が放電ガスを連続的にイオン化さ
せる。したがって、ガスはほとんど放電持続時間の間に
連続的に放電する。このような高周波放電はグロー放電
構造での陽光注と同一の物理的な特性を有する。
【０００３】図１は前述した高周波放電を利用する通常
の高周波ＰＤＰの一つの放電セルの断面図を示してい
る。図１に示された放電セルは上部基板（１０）とこれ
に平行に配置された下部基板（１６）とで構成されてい
る。上部基板（１０）には高周波電極（１２）が紙面に
垂直方向に並べて配置され、それを覆うように、第１誘
電体（１４）が形成されている。一方、下部基板（１
６）にはデータ電極（１８）と走査電極（２２）が第２
誘電体（２０）で絶縁されて互いに直交するように形成
されている。走査電極（２２）は高周波電極（１２）の
対向電極ともなる電極であって、高周波電極（１２）と
平行に配置されている。この走査電極（２２）を覆うよ
うに第３誘電体（２４）と保護膜（２６）が順次積層さ
れている。第１ないし第３誘電体は電荷を蓄積するため
のものである。データ電極（１８）にはディスプレーさ
れるセルを選択するアドレス放電のためにデータ信号が
供給され、走査電極（２２）はそのアドレス放電のため
の走査信号を供給される。高周波電圧は高周波電極（１
２）と走査電極（２２）の間に印加される。
の高周波ＰＤＰの一つの放電セルの断面図を示してい
る。図１に示された放電セルは上部基板（１０）とこれ
に平行に配置された下部基板（１６）とで構成されてい
る。上部基板（１０）には高周波電極（１２）が紙面に
垂直方向に並べて配置され、それを覆うように、第１誘
電体（１４）が形成されている。一方、下部基板（１
６）にはデータ電極（１８）と走査電極（２２）が第２
誘電体（２０）で絶縁されて互いに直交するように形成
されている。走査電極（２２）は高周波電極（１２）の
対向電極ともなる電極であって、高周波電極（１２）と
平行に配置されている。この走査電極（２２）を覆うよ
うに第３誘電体（２４）と保護膜（２６）が順次積層さ
れている。第１ないし第３誘電体は電荷を蓄積するため
のものである。データ電極（１８）にはディスプレーさ
れるセルを選択するアドレス放電のためにデータ信号が
供給され、走査電極（２２）はそのアドレス放電のため
の走査信号を供給される。高周波電圧は高周波電極（１
２）と走査電極（２２）の間に印加される。
【０００４】これらの上部基板（１０）と下部基板（１
６）の間にはそれらの間に放電空間（３２）、すなわち
放電セルを形成させるための隔壁（２８）が形成され
る。このように隔壁（２８）によって上下基板との間に
形成された放電空間（３２）には放電ガスが充鎮され
る。隔壁（２８）はセル間の光学的な干渉を遮断する。
この場合、円滑な高周波放電のために高周波電極（１
２）と走査電極（２２）の距離を充分に確保しなければ
ならないので隔壁（２８）は交流面放電型のＰＤＰより
高く形成される。また、隔壁（２８）は放電セル単位に
放電空間を隔離するように四方が閉ざされた格子構造に
形成されることもある。これは高周波放電が高周波電極
（１２）と走査電極（２２）の間で対向放電として発生
するので既存の面放電とは異なりセル単位にプラズマを
隔離させるのが困難であるためである。隔壁（２８）の
表面には蛍光体（３０）が塗布されて高周波放電時に発
生される真空紫外線によって固有色の可視光を放出す
る。
６）の間にはそれらの間に放電空間（３２）、すなわち
放電セルを形成させるための隔壁（２８）が形成され
る。このように隔壁（２８）によって上下基板との間に
形成された放電空間（３２）には放電ガスが充鎮され
る。隔壁（２８）はセル間の光学的な干渉を遮断する。
この場合、円滑な高周波放電のために高周波電極（１
２）と走査電極（２２）の距離を充分に確保しなければ
ならないので隔壁（２８）は交流面放電型のＰＤＰより
高く形成される。また、隔壁（２８）は放電セル単位に
放電空間を隔離するように四方が閉ざされた格子構造に
形成されることもある。これは高周波放電が高周波電極
（１２）と走査電極（２２）の間で対向放電として発生
するので既存の面放電とは異なりセル単位にプラズマを
隔離させるのが困難であるためである。隔壁（２８）の
表面には蛍光体（３０）が塗布されて高周波放電時に発
生される真空紫外線によって固有色の可視光を放出す
る。
【０００５】このような構成を有する高周波ＰＤＰの放
電セルは、図２に示した駆動波形によって駆動される。
高周波電極（１２）には高周波信号（ＲＦＳ）が持続的
に供給される。放電空間（３２）に荷電粒子などが存在
しない場合、高周波電極（１２）に高周波信号（ＲＦ
Ｓ）が供給されても放電は発生しない。アドレス期間
（ＡＰ）にはデータ電極（１８）にデータ信号（ＤＳ）
が供給されると共に走査電極（２２）に走査信号（Ｓ
Ｓ）が供給されてアドレス放電が発生する。アドレス放
電によって発生した荷電粒子の中、相対的に移動度が高
い電子は、放電維持期間（ＳＰ）の間、高周波信号（Ｒ
ＦＳ）によって高周波電極（１２）と走査電極（２２）
の間で信号運動をする。振動運動をしている電子が放電
ガスを励起させて真空紫外線が発生させ、その真空紫外
線が蛍光体（３０）を発光させることによって可視光が
発生する。このような高周波放電が放電維持期間（Ｓ
Ｐ）の間、維持された後、消去期間（ＥＰ）でデータ電
極（１８）及び走査電極（２２）の中のいずれか一つの
電極に供給される消去信号（ＥＳ）によって中止する。
すなわち、消去信号（ＥＳ）が供給されると、振動運動
をしている電子がその電極側に引かれて消滅し、高周波
放電が中止する。
電セルは、図２に示した駆動波形によって駆動される。
高周波電極（１２）には高周波信号（ＲＦＳ）が持続的
に供給される。放電空間（３２）に荷電粒子などが存在
しない場合、高周波電極（１２）に高周波信号（ＲＦ
Ｓ）が供給されても放電は発生しない。アドレス期間
（ＡＰ）にはデータ電極（１８）にデータ信号（ＤＳ）
が供給されると共に走査電極（２２）に走査信号（Ｓ
Ｓ）が供給されてアドレス放電が発生する。アドレス放
電によって発生した荷電粒子の中、相対的に移動度が高
い電子は、放電維持期間（ＳＰ）の間、高周波信号（Ｒ
ＦＳ）によって高周波電極（１２）と走査電極（２２）
の間で信号運動をする。振動運動をしている電子が放電
ガスを励起させて真空紫外線が発生させ、その真空紫外
線が蛍光体（３０）を発光させることによって可視光が
発生する。このような高周波放電が放電維持期間（Ｓ
Ｐ）の間、維持された後、消去期間（ＥＰ）でデータ電
極（１８）及び走査電極（２２）の中のいずれか一つの
電極に供給される消去信号（ＥＳ）によって中止する。
すなわち、消去信号（ＥＳ）が供給されると、振動運動
をしている電子がその電極側に引かれて消滅し、高周波
放電が中止する。
【０００６】このような放電メカニズムによって駆動さ
れる従来の高周波ＰＤＰは構造上に何かの問題点を持っ
ている。
れる従来の高周波ＰＤＰは構造上に何かの問題点を持っ
ている。
【０００７】その一つは、高周波放電が円滑に維持され
るためには高周波電極（１２）と走査電極（２２）の間
の距離、即ち隔壁（２８）の高さが充分に確保されなけ
ればならないということである。これは放電空間（３
２）内で振動している電子の振動幅が高周波信号（ＲＦ
Ｓ）の周波数によって左右されるためである。高周波信
号（ＲＦＳ）の周波数が低くなるほど電子の振動幅はよ
り大きくなる。これによって、高周波信号（ＲＦＳ）の
周波数が充分に高くない場合または高周波電極（１２）
と走査電極（２２）の間の間隔が充分に確保されない場
合、放電空間（３２）内の電子が上下の基板に衝突して
消滅され、それ以上放電が持続しなくなる。したがっ
て、放電効率を高めるためには高周波信号（ＲＦＳ）の
周波数を高くするか、高周波放電に利用される二電極
（１２、２２）の間の距離を充分に確保しなければなら
ない。例えば、高周波信号（ＲＦＳ）の周波数が２０Ｍ
Ｈｚである場合、高周波電極（１２）と走査電極（２
２）の間の距離が２ｍｍ程度でなければ最適の放電効率
が得られない。高周波信号（ＲＦＳ）の周波数を高める
ためには、当然高い周波数の高周波信号（ＲＦＳ）の処
理が可能な駆動回路と駆動方法が必要である。これは現
在の技術と費用の面から見ると適用するのが困難であ
る。したがって、高周波信号（ＲＦＳ）の周波数を低く
し、しかも所望の放電効率を得るためには、高周波電極
（１２）と走査電極（２２）間の距離を充分に確保しな
ければならない。その高周波電極（１２）と走査電極
（２２）の間の距離は図１に示された隔壁（２８）の高
さによって確保しなければならない。すなわち、隔壁
（２８）の高さを高く形成しなければならない。これは
かなり困難である。なぜなら、従来の隔壁を形成させる
一般的な方法であるスクリーンプリンティング方法、サ
ンドブラスティング方法などでは０.５ｍｍ以上の高い
隔壁を形成させるのが難しいためである。さらに、隔壁
（２８）の高さが１ｍｍ以上になると、隔壁（２８）の
内面に均一の蛍光体（３０）を塗布することが難しく、
むらが生じると蛍光体（３０）で発生した可視光の透過
度が減少するという問題が発生するためである。
るためには高周波電極（１２）と走査電極（２２）の間
の距離、即ち隔壁（２８）の高さが充分に確保されなけ
ればならないということである。これは放電空間（３
２）内で振動している電子の振動幅が高周波信号（ＲＦ
Ｓ）の周波数によって左右されるためである。高周波信
号（ＲＦＳ）の周波数が低くなるほど電子の振動幅はよ
り大きくなる。これによって、高周波信号（ＲＦＳ）の
周波数が充分に高くない場合または高周波電極（１２）
と走査電極（２２）の間の間隔が充分に確保されない場
合、放電空間（３２）内の電子が上下の基板に衝突して
消滅され、それ以上放電が持続しなくなる。したがっ
て、放電効率を高めるためには高周波信号（ＲＦＳ）の
周波数を高くするか、高周波放電に利用される二電極
（１２、２２）の間の距離を充分に確保しなければなら
ない。例えば、高周波信号（ＲＦＳ）の周波数が２０Ｍ
Ｈｚである場合、高周波電極（１２）と走査電極（２
２）の間の距離が２ｍｍ程度でなければ最適の放電効率
が得られない。高周波信号（ＲＦＳ）の周波数を高める
ためには、当然高い周波数の高周波信号（ＲＦＳ）の処
理が可能な駆動回路と駆動方法が必要である。これは現
在の技術と費用の面から見ると適用するのが困難であ
る。したがって、高周波信号（ＲＦＳ）の周波数を低く
し、しかも所望の放電効率を得るためには、高周波電極
（１２）と走査電極（２２）間の距離を充分に確保しな
ければならない。その高周波電極（１２）と走査電極
（２２）の間の距離は図１に示された隔壁（２８）の高
さによって確保しなければならない。すなわち、隔壁
（２８）の高さを高く形成しなければならない。これは
かなり困難である。なぜなら、従来の隔壁を形成させる
一般的な方法であるスクリーンプリンティング方法、サ
ンドブラスティング方法などでは０.５ｍｍ以上の高い
隔壁を形成させるのが難しいためである。さらに、隔壁
（２８）の高さが１ｍｍ以上になると、隔壁（２８）の
内面に均一の蛍光体（３０）を塗布することが難しく、
むらが生じると蛍光体（３０）で発生した可視光の透過
度が減少するという問題が発生するためである。
【０００８】次に、従来の高周波ＰＤＰは走査電極（２
２）がアドレス放電と高周波維持放電に共通に使用され
るので、駆動方法が複雑になるだけでなく、双方の放電
の間に電気的な干渉が起きるという点である。特に、走
査電極（２２）を通して走査信号（ＳＳ）を供給する交
流電圧源に高周波信号（ＲＦＳ）が影響を与え、アドレ
ス放電が影響を受けるためである。このような高周波信
号（ＲＦＳ）の影響を防止するために走査電極（１１）
及びデータ電極（１８）と交流電圧源の間にローパスフ
ィルターを設けているが、これは駆動回路をさらに複雑
にしている。
２）がアドレス放電と高周波維持放電に共通に使用され
るので、駆動方法が複雑になるだけでなく、双方の放電
の間に電気的な干渉が起きるという点である。特に、走
査電極（２２）を通して走査信号（ＳＳ）を供給する交
流電圧源に高周波信号（ＲＦＳ）が影響を与え、アドレ
ス放電が影響を受けるためである。このような高周波信
号（ＲＦＳ）の影響を防止するために走査電極（１１）
及びデータ電極（１８）と交流電圧源の間にローパスフ
ィルターを設けているが、これは駆動回路をさらに複雑
にしている。
【０００９】さらに、従来の高周波ＰＤＰではアドレス
放電に利用されるデータ電極（１８）上に第２と第３誘
電層（２０、２４）が形成され、結果としてそれらの厚
さがとても厚いということである。この厚い第２及び第
３誘電層（２０、２４）によってデータ電極（１８）か
ら放電空間に印加されるデータ電圧が低下するので、ア
ドレス駆動電圧を高くしなければならない。厚い第２及
び第３誘電層（２０、２４）による電圧低下量を減らす
ために第２誘電層（２０）の厚さを薄くしようとする
と、データ電極（１８）と走査電極（２２）の間の寄生
キャパシタンスが増加してリーク電流が増加する。した
がって、従来の高周波ＰＤＰでは第２及び第３誘電層
（２０、２４）の厚さを調節してアドレス放電特性を最
適にするのが困難であった。
放電に利用されるデータ電極（１８）上に第２と第３誘
電層（２０、２４）が形成され、結果としてそれらの厚
さがとても厚いということである。この厚い第２及び第
３誘電層（２０、２４）によってデータ電極（１８）か
ら放電空間に印加されるデータ電圧が低下するので、ア
ドレス駆動電圧を高くしなければならない。厚い第２及
び第３誘電層（２０、２４）による電圧低下量を減らす
ために第２誘電層（２０）の厚さを薄くしようとする
と、データ電極（１８）と走査電極（２２）の間の寄生
キャパシタンスが増加してリーク電流が増加する。した
がって、従来の高周波ＰＤＰでは第２及び第３誘電層
（２０、２４）の厚さを調節してアドレス放電特性を最
適にするのが困難であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、高周波信号の周波数を低くし、かつ隔壁の高さ
をも低くして、その上維持放電効率を高くすることがで
きる高周波プラズマディスプレーパネルを提供すること
である。本発明の他の目的はアドレス放電と高周波維持
放電間の相互干渉を最小化させることができる高周波プ
ラズマディスプレーパネルを提供することにある。本発
明のさらに他の目的は最適化されたアドレス放電特性が
得られる高周波プラズマディスプレーパネルを提供する
ことにある。
目的は、高周波信号の周波数を低くし、かつ隔壁の高さ
をも低くして、その上維持放電効率を高くすることがで
きる高周波プラズマディスプレーパネルを提供すること
である。本発明の他の目的はアドレス放電と高周波維持
放電間の相互干渉を最小化させることができる高周波プ
ラズマディスプレーパネルを提供することにある。本発
明のさらに他の目的は最適化されたアドレス放電特性が
得られる高周波プラズマディスプレーパネルを提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による高周波プラ
ズマディスプレーパネルは多数の放電セルがマトリック
ス形態で配列された高周波プラズマディスプレーパネル
であって、放電セルそれぞれは第１及び第２基板と、第
１及び第２基板の中の少なくとも一つ以上に形成されて
アドレス放電を発生させる第１及び第２アドレス電極
と、第１及び第２基板の間に形成されて放電空間を形成
する隔壁と、互いに対向する隔壁内にそれぞれ形成され
て高周波維持放電を発生させる第１及び第２高周波電極
とを具備することを特徴とする。
ズマディスプレーパネルは多数の放電セルがマトリック
ス形態で配列された高周波プラズマディスプレーパネル
であって、放電セルそれぞれは第１及び第２基板と、第
１及び第２基板の中の少なくとも一つ以上に形成されて
アドレス放電を発生させる第１及び第２アドレス電極
と、第１及び第２基板の間に形成されて放電空間を形成
する隔壁と、互いに対向する隔壁内にそれぞれ形成され
て高周波維持放電を発生させる第１及び第２高周波電極
とを具備することを特徴とする。
【００１２】本発明による高周波ＰＤＰは、高周波放電
のための高周波電極と高周波バイアス電極とが放電セル
を形成させる上下基板を隔離する隔壁内にそれぞれ形成
されているので、高周波信号の周波数は放電セルの上下
基板の間の高さではなく、それと直交する横方向の幅又
は長さによって決定される。これによって、隔壁の高さ
を高周波信号の周波数に関係なく形成させることができ
るので、その高さは任意の高さに選定することができ、
可視光の透過率を高める最適な値とすることができる。
また、隔壁の高さを低くできるので、通常の隔壁形成方
法によって隔壁を形成させることができるようになり、
容易に形成することができる。
のための高周波電極と高周波バイアス電極とが放電セル
を形成させる上下基板を隔離する隔壁内にそれぞれ形成
されているので、高周波信号の周波数は放電セルの上下
基板の間の高さではなく、それと直交する横方向の幅又
は長さによって決定される。これによって、隔壁の高さ
を高周波信号の周波数に関係なく形成させることができ
るので、その高さは任意の高さに選定することができ、
可視光の透過率を高める最適な値とすることができる。
また、隔壁の高さを低くできるので、通常の隔壁形成方
法によって隔壁を形成させることができるようになり、
容易に形成することができる。
【００１３】さらに、本発明による高周波プラズマディ
スプレーパネルは、補助電極を利用してデータ電極を走
査電極と同一の高さに形成することによって、アドレス
駆動電圧を低くしている。したがって、放電の均一性を
向上させることができる。この場合、上部基板には可視
光を反射させる電極が形成されないので可視光透過率を
向上させることができる。また、走査電極とデータ電極
とを互いに異なる基板に形成させた場合には、誘電層の
厚さを容易に調節することができるのでアドレス放電効
率を向上させることができる。
スプレーパネルは、補助電極を利用してデータ電極を走
査電極と同一の高さに形成することによって、アドレス
駆動電圧を低くしている。したがって、放電の均一性を
向上させることができる。この場合、上部基板には可視
光を反射させる電極が形成されないので可視光透過率を
向上させることができる。また、走査電極とデータ電極
とを互いに異なる基板に形成させた場合には、誘電層の
厚さを容易に調節することができるのでアドレス放電効
率を向上させることができる。
【００１４】さらにに、本発明による高周波ＰＤＰは、
４電極の構造を有するのでアドレス放電と高周波維持放
電が互いに異なる電極によって独立的に行われる。これ
によって、アドレス放電のための低周波アドレス駆動信
号と高周波放電のための高周波維持信号間の電気的な相
互干渉を排除することができて、従来の低逆通過フィル
ターのような付加的な回路が必要なくなるので駆動回路
及び駆動方法がより単純になる。
４電極の構造を有するのでアドレス放電と高周波維持放
電が互いに異なる電極によって独立的に行われる。これ
によって、アドレス放電のための低周波アドレス駆動信
号と高周波放電のための高周波維持信号間の電気的な相
互干渉を排除することができて、従来の低逆通過フィル
ターのような付加的な回路が必要なくなるので駆動回路
及び駆動方法がより単純になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付し
た図３乃至図１１を参照してして詳細に説明する。図３
は本発明の第１実施形態による高周波ＰＤＰの放電セル
の構造を示した断面図であり、図４及び図５は図３に示
された放電セルがマトリックス形態で配列された高周波
ＰＤＰを図示した断面図及び平面図である。本実施形態
の高周波ＰＤＰは上下の基板（４０、４２）を隔離する
隔壁（５２）を個々の放電セル（６４）を区画するよう
に、格子状に形成されている。個々の放電セル（６４）
は図５に示すように、長方形とされ、図示の例ではＹ方
向がセルの長軸方向である。
た図３乃至図１１を参照してして詳細に説明する。図３
は本発明の第１実施形態による高周波ＰＤＰの放電セル
の構造を示した断面図であり、図４及び図５は図３に示
された放電セルがマトリックス形態で配列された高周波
ＰＤＰを図示した断面図及び平面図である。本実施形態
の高周波ＰＤＰは上下の基板（４０、４２）を隔離する
隔壁（５２）を個々の放電セル（６４）を区画するよう
に、格子状に形成されている。個々の放電セル（６４）
は図５に示すように、長方形とされ、図示の例ではＹ方
向がセルの長軸方向である。
【００１６】この放電セル（６４）は下部基板（４２）
に相互に直交するようにデータ電極（４４）と走査電極
（４８）とが形成されており、放電セル（６４）の長軸
方向（Ｙ）と直交する方向に延びている隔壁（５２）の
内に高周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）
とが形成されている。すなわち、セルの長軸方向の両側
で向き合うように高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）、すなわち第１、第２高周波電極が配置さ
れている。電極間の距離を稼ぐためである。上下の基板
（４０、４２）と隔壁（５２）によって区画された放電
空間（６２）には放電ガスが充鎮されている。このよう
な放電セル（６４）では図５に示したようにデータ電極
（４４）と走査電極（４８）が交差している。データ電
極（４４）にはアドレス放電のためのデータ信号を供給
し、走査電極（４８）にはアドレス放電のための走査信
号を供給する。すなわち、データ電極と走査電極が第１
及び第２アドレス電極を構成している。データ電極（４
４）と走査電極（４８）の間には相互の絶縁のための第
１誘電体（４６）が形成される。走査電極（４８）が形
成された第１誘電層（４６）上にはプラズマとの絶縁及
び電荷蓄積のための第２誘電層（５０）が形成される。
に相互に直交するようにデータ電極（４４）と走査電極
（４８）とが形成されており、放電セル（６４）の長軸
方向（Ｙ）と直交する方向に延びている隔壁（５２）の
内に高周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）
とが形成されている。すなわち、セルの長軸方向の両側
で向き合うように高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）、すなわち第１、第２高周波電極が配置さ
れている。電極間の距離を稼ぐためである。上下の基板
（４０、４２）と隔壁（５２）によって区画された放電
空間（６２）には放電ガスが充鎮されている。このよう
な放電セル（６４）では図５に示したようにデータ電極
（４４）と走査電極（４８）が交差している。データ電
極（４４）にはアドレス放電のためのデータ信号を供給
し、走査電極（４８）にはアドレス放電のための走査信
号を供給する。すなわち、データ電極と走査電極が第１
及び第２アドレス電極を構成している。データ電極（４
４）と走査電極（４８）の間には相互の絶縁のための第
１誘電体（４６）が形成される。走査電極（４８）が形
成された第１誘電層（４６）上にはプラズマとの絶縁及
び電荷蓄積のための第２誘電層（５０）が形成される。
【００１７】第２誘電層（５０）上にそれぞれの放電セ
ルを区画し隣接した放電セルの間の電気的、光学的な相
互干渉を防ぐ隔壁（５６）が格子形態で形成されてい
る。放電セル（６４）の長軸方向（Ｙ）で向かい合って
いる隔壁（５６）の内部には高周波電極（５４）と高周
波バイアス電極（５６）がそれぞれ形成される。高周波
電極（５４）には高周波信号を供給して、高周波バイア
ス電極（５６）は高周波信号の基準になるバイアス電圧
を供給して高周波維持放電を発生させる。このような高
周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）それぞ
れは図４に示されたように隣接した二との放電セルに供
給される。また、高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）は図５に示されたように隔壁（５２）毎に
交互に形成される。蛍光体（６０）は放電区間（６２）
に露出された隔壁（５６）及び上部基板（４０）の表面
に塗布されてガス放電で発生した紫外線によって発光し
て可視光を発生する。蛍光体（６０）の塗布面積が従来
の高周波ＰＤＰより増加して発光効率が向上する。ここ
で、上部基板（４０）上の蛍光体（６０）は透過される
可視光を干渉しない光透過型を利用する。放電空間（６
２）に露出された第２誘電層（５０）の上には放電時に
スパタリングから第２誘電層（５０）を保護すると共に
二次電子発生効率を高めるための保護膜（５８）がさら
に形成される。
ルを区画し隣接した放電セルの間の電気的、光学的な相
互干渉を防ぐ隔壁（５６）が格子形態で形成されてい
る。放電セル（６４）の長軸方向（Ｙ）で向かい合って
いる隔壁（５６）の内部には高周波電極（５４）と高周
波バイアス電極（５６）がそれぞれ形成される。高周波
電極（５４）には高周波信号を供給して、高周波バイア
ス電極（５６）は高周波信号の基準になるバイアス電圧
を供給して高周波維持放電を発生させる。このような高
周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）それぞ
れは図４に示されたように隣接した二との放電セルに供
給される。また、高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）は図５に示されたように隔壁（５２）毎に
交互に形成される。蛍光体（６０）は放電区間（６２）
に露出された隔壁（５６）及び上部基板（４０）の表面
に塗布されてガス放電で発生した紫外線によって発光し
て可視光を発生する。蛍光体（６０）の塗布面積が従来
の高周波ＰＤＰより増加して発光効率が向上する。ここ
で、上部基板（４０）上の蛍光体（６０）は透過される
可視光を干渉しない光透過型を利用する。放電空間（６
２）に露出された第２誘電層（５０）の上には放電時に
スパタリングから第２誘電層（５０）を保護すると共に
二次電子発生効率を高めるための保護膜（５８）がさら
に形成される。
【００１８】このような放電セル（６４）で高周波電極
（５４）と高周波バイアス電極（５６）は隔壁（５２）
の内部にそれぞれ形成されることによって二電極（５
４、５６）の距離は放電セルの平面的な大きさによって
決定される。特に、高周波電極（５４）と高周波バイア
ス電極（５６）とをより広い間隔を維持させるために図
５に図示されたように放電セル（６４）の長軸方向
（Ｙ）と直交する方向に並んだ隔壁（５２）に形成され
る。ＶＧＡレベルのＰＤＰの場合、放電セル（６４）の
長軸方向（Ｙ）の長さと短軸方向（Ｘ）の長さはそれぞ
れ１.２ｍｍと０.４ｍｍ程度に設定される。長軸方向の
端部で向き合っているので、この場合、高周波電極（５
４）と高周波バイアス電極（５６）との間隔は約１ｍｍ
程度になる。したがって、高周波信号の周波数は４０Ｍ
Ｈｚ程度と比較的に低く設定することができる。そし
て、ＸＧＡレベルのＰＤＰの場合、放電セル（６４）の
サイズがＶＧＡレベルに比べて半分の大きさと小さく設
定される。この場合、高周波電極（５４）と高周波バイ
アス電極（５６）との間隔はＶＧＡレベルに比べて半分
の水準に減少するので高周波信号の周波数は８０ＭＨｚ
程度に設定することが好ましい。このように、本発明の
高周波ＰＤＰでは高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）との間隔が隔壁（５２）の高さとは関係な
いので、隔壁（５２）は通常の隔壁形成方法で容易に形
成することができる程度に低く設定できる。通常、ＰＤ
Ｐに適合した隔壁（５２）の高さは０.４ｍｍまたはそ
の半分の程度に比較的に低く設定することが好ましい。
０.４ｍｍは先の例では短軸方向の長さである。このよ
うに、低い隔壁（５２）とすることによって従来の高周
波ＰＤＰとは異なり、隔壁（５２）の内面に蛍光体（６
０）を均一に塗布させることができ、かつ可視光の透過
度を向上させることができる。
（５４）と高周波バイアス電極（５６）は隔壁（５２）
の内部にそれぞれ形成されることによって二電極（５
４、５６）の距離は放電セルの平面的な大きさによって
決定される。特に、高周波電極（５４）と高周波バイア
ス電極（５６）とをより広い間隔を維持させるために図
５に図示されたように放電セル（６４）の長軸方向
（Ｙ）と直交する方向に並んだ隔壁（５２）に形成され
る。ＶＧＡレベルのＰＤＰの場合、放電セル（６４）の
長軸方向（Ｙ）の長さと短軸方向（Ｘ）の長さはそれぞ
れ１.２ｍｍと０.４ｍｍ程度に設定される。長軸方向の
端部で向き合っているので、この場合、高周波電極（５
４）と高周波バイアス電極（５６）との間隔は約１ｍｍ
程度になる。したがって、高周波信号の周波数は４０Ｍ
Ｈｚ程度と比較的に低く設定することができる。そし
て、ＸＧＡレベルのＰＤＰの場合、放電セル（６４）の
サイズがＶＧＡレベルに比べて半分の大きさと小さく設
定される。この場合、高周波電極（５４）と高周波バイ
アス電極（５６）との間隔はＶＧＡレベルに比べて半分
の水準に減少するので高周波信号の周波数は８０ＭＨｚ
程度に設定することが好ましい。このように、本発明の
高周波ＰＤＰでは高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）との間隔が隔壁（５２）の高さとは関係な
いので、隔壁（５２）は通常の隔壁形成方法で容易に形
成することができる程度に低く設定できる。通常、ＰＤ
Ｐに適合した隔壁（５２）の高さは０.４ｍｍまたはそ
の半分の程度に比較的に低く設定することが好ましい。
０.４ｍｍは先の例では短軸方向の長さである。このよ
うに、低い隔壁（５２）とすることによって従来の高周
波ＰＤＰとは異なり、隔壁（５２）の内面に蛍光体（６
０）を均一に塗布させることができ、かつ可視光の透過
度を向上させることができる。
【００１９】以下、このような隔壁（５２）のほぼ中間
の高さに高周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５
６）を形成する方法について説明する。先ず、第２誘電
層（５０）上にスクリーンプリンティング方法、サンド
ブラスティング方法などのような隔壁形成方法で最終的
な隔壁の高さの中間程度の高さまで第１隔壁層（５２
Ａ）を形成する。その次、放電セルの長さの方向に対向
された第１隔壁層（５２Ａ）上に高周波電極（５４）と
高周波バイアス電極（５６）をそれぞれ形成する。電極
形成方法としてはスパタリング方法かスクリーンプリン
ティング方法などを利用することができる。高周波電極
（５４）と高周波バイアス電極（５６）が形成された第
１隔壁層（５２Ａ）上にスクリーンプリンティング方法
などを利用して第２隔壁層（５２Ｂ）を形成して最終の
高さを有する隔壁（５２）を完成する。
の高さに高周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５
６）を形成する方法について説明する。先ず、第２誘電
層（５０）上にスクリーンプリンティング方法、サンド
ブラスティング方法などのような隔壁形成方法で最終的
な隔壁の高さの中間程度の高さまで第１隔壁層（５２
Ａ）を形成する。その次、放電セルの長さの方向に対向
された第１隔壁層（５２Ａ）上に高周波電極（５４）と
高周波バイアス電極（５６）をそれぞれ形成する。電極
形成方法としてはスパタリング方法かスクリーンプリン
ティング方法などを利用することができる。高周波電極
（５４）と高周波バイアス電極（５６）が形成された第
１隔壁層（５２Ａ）上にスクリーンプリンティング方法
などを利用して第２隔壁層（５２Ｂ）を形成して最終の
高さを有する隔壁（５２）を完成する。
【００２０】次に、このような高周波ＰＤＰの放電セル
（６４）の駆動方法について説明する。高周波電極（５
４）には図２に示したように高周波信号（ＲＦＳ）が供
給される。高周波バイアス電極（５６）にはその高周波
信号（ＲＦＳ）のバイアス電圧が供給される。データ電
極（４４）と走査電極（４８）には図２に示したように
データ信号（ＤＳ）と走査信号（ＳＳ）が供給される。
このようなデータ信号（ＤＳ）と走査信号（ＳＳ）によ
ってアドレス放電が発生する。アドレス放電によって生
成された荷電粒子の中、相対的に移動度が高い電子は高
周波信号（ＲＦＳ）によって高周波電極（５４）と高周
波バイアス電極（５６）の間で振動しながら維持放電を
発生させる。振動している電子は放電ガスを連続的に励
起させ真空紫外線を発生させ、その真空紫外線が蛍光体
（６０）を発光させて可視光を発生する。このような高
周波維持放電時の放電セル（６４）の長軸方向（Ｙ）に
振動する電子によってプラズマもまた放電セル（６４）
の長軸方向（Ｙ）に形成される。これにつれて、放電ガ
スで発生した真空紫外線が隔壁（５２）に塗布された蛍
光体（６０）に効果的に到達し、発光効率が向上する。
このような高周波の維持放電は図２に図されたようにデ
ータ電極（４４）か走査電極（４８）に供給される消去
信号（ＥＳ）によって電子が消滅されることで中止す
る。このように、本発明の第１実施形態による高周波Ｐ
ＤＰは、データ電極（４４）とスキャン電極（４８）間
にアドレス放電が発生する一方、高周波電極（５４）と
高周波バイアス電極（５６）間に高周波の維持放電が発
生するので、４電極の構造を有する。すなわち、アドレ
ス放電と高周波二次放電が互いに異なる電極によって発
生するので双方の放電の電気的な相互干渉を最小化でき
る。
（６４）の駆動方法について説明する。高周波電極（５
４）には図２に示したように高周波信号（ＲＦＳ）が供
給される。高周波バイアス電極（５６）にはその高周波
信号（ＲＦＳ）のバイアス電圧が供給される。データ電
極（４４）と走査電極（４８）には図２に示したように
データ信号（ＤＳ）と走査信号（ＳＳ）が供給される。
このようなデータ信号（ＤＳ）と走査信号（ＳＳ）によ
ってアドレス放電が発生する。アドレス放電によって生
成された荷電粒子の中、相対的に移動度が高い電子は高
周波信号（ＲＦＳ）によって高周波電極（５４）と高周
波バイアス電極（５６）の間で振動しながら維持放電を
発生させる。振動している電子は放電ガスを連続的に励
起させ真空紫外線を発生させ、その真空紫外線が蛍光体
（６０）を発光させて可視光を発生する。このような高
周波維持放電時の放電セル（６４）の長軸方向（Ｙ）に
振動する電子によってプラズマもまた放電セル（６４）
の長軸方向（Ｙ）に形成される。これにつれて、放電ガ
スで発生した真空紫外線が隔壁（５２）に塗布された蛍
光体（６０）に効果的に到達し、発光効率が向上する。
このような高周波の維持放電は図２に図されたようにデ
ータ電極（４４）か走査電極（４８）に供給される消去
信号（ＥＳ）によって電子が消滅されることで中止す
る。このように、本発明の第１実施形態による高周波Ｐ
ＤＰは、データ電極（４４）とスキャン電極（４８）間
にアドレス放電が発生する一方、高周波電極（５４）と
高周波バイアス電極（５６）間に高周波の維持放電が発
生するので、４電極の構造を有する。すなわち、アドレ
ス放電と高周波二次放電が互いに異なる電極によって発
生するので双方の放電の電気的な相互干渉を最小化でき
る。
【００２１】図６は本発明の第２実施形態による高周波
ＰＤＰの放電セルを図示した断面図であり、図７及び図
８は図６に図示された放電セルがマトリックス形態で配
列された高周波ＰＤＰを図示した断面図及び平面図であ
る。
ＰＤＰの放電セルを図示した断面図であり、図７及び図
８は図６に図示された放電セルがマトリックス形態で配
列された高周波ＰＤＰを図示した断面図及び平面図であ
る。
【００２２】図６に示された放電セル（６６）は、図３
に示された放電セル（６６）と比較してデータ電極（４
４）に走査電極（４８）と同一の高さの補助電極（６
８）を設けたという点を除いて格別の差異はない。高周
波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）は放電セ
ル（６６）の長軸方向（Ｙ）で向かい合っている隔壁
（５２）の内部にそれぞれ形成されて隣接した二つの放
電セルに共有される。補助電極（６８）はデータ電極
（４４）と走査電極（４８）の交差部に近接して走査電
極（４８）と同一の高さとなるように並んで形成させ
る。
に示された放電セル（６６）と比較してデータ電極（４
４）に走査電極（４８）と同一の高さの補助電極（６
８）を設けたという点を除いて格別の差異はない。高周
波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）は放電セ
ル（６６）の長軸方向（Ｙ）で向かい合っている隔壁
（５２）の内部にそれぞれ形成されて隣接した二つの放
電セルに共有される。補助電極（６８）はデータ電極
（４４）と走査電極（４８）の交差部に近接して走査電
極（４８）と同一の高さとなるように並んで形成させ
る。
【００２３】これによって、走査電極（４８）と補助電
極（６８）を含むデータ電極（４４）は同一の厚さの第
２誘電層（５０）を通してアドレス駆動電圧を放電空間
（６２）に供給するので放電の均一性が向上する。同時
に、データ電極（４４）を通して補助電極（６８）に供
給されたアドレス駆動電圧の大部分が放電空間に加えら
れる。これは補助電極（６８）上の第２誘電層（５０）
の厚さが図１に図示された従来のデータ電極（１８）上
の誘電層（２０、２４）の厚さより薄くて誘電層による
電圧低下量が減少するためである。この結果、本発明の
第２実施形態による高周波ＰＤＰではアドレス駆動電圧
を従来より低くすることができるようになる。この場
合、アドレス放電フィールドが補助電極（６８）と走査
電極（４８）の間の領域だけで集中的に形成されるので
隣接した放電セル間のクローストークが防止される。こ
のようなアドレス放電の次に続く高周波の維持放電は前
述したように放電セル（６６）の長軸方向（Ｙ）の両端
で向き合っている高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）の間で発生する。このように、本発明の第
２実施形態による高周波ＰＤＰでもアドレス放電と高周
波の維持放電が互いに異なる電極によって発生するので
双方の放電管の電気的な相互干渉を最小とすることがで
きる。
極（６８）を含むデータ電極（４４）は同一の厚さの第
２誘電層（５０）を通してアドレス駆動電圧を放電空間
（６２）に供給するので放電の均一性が向上する。同時
に、データ電極（４４）を通して補助電極（６８）に供
給されたアドレス駆動電圧の大部分が放電空間に加えら
れる。これは補助電極（６８）上の第２誘電層（５０）
の厚さが図１に図示された従来のデータ電極（１８）上
の誘電層（２０、２４）の厚さより薄くて誘電層による
電圧低下量が減少するためである。この結果、本発明の
第２実施形態による高周波ＰＤＰではアドレス駆動電圧
を従来より低くすることができるようになる。この場
合、アドレス放電フィールドが補助電極（６８）と走査
電極（４８）の間の領域だけで集中的に形成されるので
隣接した放電セル間のクローストークが防止される。こ
のようなアドレス放電の次に続く高周波の維持放電は前
述したように放電セル（６６）の長軸方向（Ｙ）の両端
で向き合っている高周波電極（５４）と高周波バイアス
電極（５６）の間で発生する。このように、本発明の第
２実施形態による高周波ＰＤＰでもアドレス放電と高周
波の維持放電が互いに異なる電極によって発生するので
双方の放電管の電気的な相互干渉を最小とすることがで
きる。
【００２４】補助電極（６８）はデータ電極（４４）上
に電極物質をスクリーンプリンティング方によって走査
電極（４８）が形成される高さまで堆積させる方法で形
成することができる。これとは異なり、補助電極（６
８）は、データ電極（４４）上に形成された第１誘電層
（４６）をパタニングしてホールを形成した後、そのホ
ールに電極物質を入れ込む方法でも形成することができ
る。
に電極物質をスクリーンプリンティング方によって走査
電極（４８）が形成される高さまで堆積させる方法で形
成することができる。これとは異なり、補助電極（６
８）は、データ電極（４４）上に形成された第１誘電層
（４６）をパタニングしてホールを形成した後、そのホ
ールに電極物質を入れ込む方法でも形成することができ
る。
【００２５】図９は本発明の第３実施形態による高周波
ＰＤＰの放電セルを図示した断面図であり、図１０及び
図１１は、放電セルがマトリックス形態で配列された高
周波ＰＤＰを図示した断面図及び平面図である。図９に
図示された放電セル（７０）は図３に示した放電セル
（６４）と比べると、データ電極（７２）と誘電層（７
６）及び保護膜（７７）が上部基板（４０）に形成され
て蛍光体（８２）の塗布位置を部分的に変えたこと以外
格別の差異はない。高周波電極（５４）と高周波バイア
ス電極（５６）は放電セル（７０）同様に隔壁（５２）
の内部にそれぞれ形成されて隣接した二放電セルに共有
される。データ電極（７２）は上部基板（４０）に透明
電極物質で形成される。データ電極（７２）が形成され
た上部基板（４０）にはさらに第１誘電層（７６）と第
１保護膜（７７）が順次的に積層される。走査電極（７
４）は下部基板（４２）上にデータ電極（７２）と直交
する方向に形成される。走査電極（７４）が形成された
下部基板（４２）上には第２誘電層（８０）及び第２保
護膜（７８）が順次的に積層される。ここで、誘電層
（７６、８０）及び二次電子発生率の増大のための第１
及び第２保護膜（７７、７８）はデータ電極（７２）と
走査電極（７４）にそれぞれ覆うように形成される。第
２保護膜（７８）は全面に形成させずに図示のように、
走査電極（７４）の上側に部分的に形成される。蛍光体
（８２）は放電空間（６２）に露出された隔壁（５２）
の内面と第２保護膜（７８）が形成されない第２誘電層
（８０）上に塗布される。
ＰＤＰの放電セルを図示した断面図であり、図１０及び
図１１は、放電セルがマトリックス形態で配列された高
周波ＰＤＰを図示した断面図及び平面図である。図９に
図示された放電セル（７０）は図３に示した放電セル
（６４）と比べると、データ電極（７２）と誘電層（７
６）及び保護膜（７７）が上部基板（４０）に形成され
て蛍光体（８２）の塗布位置を部分的に変えたこと以外
格別の差異はない。高周波電極（５４）と高周波バイア
ス電極（５６）は放電セル（７０）同様に隔壁（５２）
の内部にそれぞれ形成されて隣接した二放電セルに共有
される。データ電極（７２）は上部基板（４０）に透明
電極物質で形成される。データ電極（７２）が形成され
た上部基板（４０）にはさらに第１誘電層（７６）と第
１保護膜（７７）が順次的に積層される。走査電極（７
４）は下部基板（４２）上にデータ電極（７２）と直交
する方向に形成される。走査電極（７４）が形成された
下部基板（４２）上には第２誘電層（８０）及び第２保
護膜（７８）が順次的に積層される。ここで、誘電層
（７６、８０）及び二次電子発生率の増大のための第１
及び第２保護膜（７７、７８）はデータ電極（７２）と
走査電極（７４）にそれぞれ覆うように形成される。第
２保護膜（７８）は全面に形成させずに図示のように、
走査電極（７４）の上側に部分的に形成される。蛍光体
（８２）は放電空間（６２）に露出された隔壁（５２）
の内面と第２保護膜（７８）が形成されない第２誘電層
（８０）上に塗布される。
【００２６】このような放電セル（７０）の第１及び第
２誘電層（７６、８０）は同一の厚さに設定される。し
たがって、データ電極（７２）及び走査電極（７４）は
同一の厚さの第１及び第２誘電層（７６、８０）それぞ
れを通してアドレス駆動電圧を放電空間（６２）に供給
するのでアドレス放電の均一性が向上する。共に、デー
タ電極（７２）上には一つの誘電層（７６）が形成され
るので、図１に示された従来のもののようにデータ電極
（１８）上に二つの誘電層（２０、２４）が形成された
誘電層による電圧低下に比べるてその低下量は減少す
る。この結果、本発明の第３実施形態による高周波ＰＤ
Ｐはアドレス駆動電圧を従来より低くすることができ
る。一方、隔壁（５２）の高さが高いとデータ電極（７
２）と走査電極（７４）間の距離が増加して、アドレス
駆動電圧が増加していたが、隔壁（５２）の高さが極端
に低いと荷電粒子などの損失率が大きくなって放電効率
が減少するので隔壁（５２）は適当な高さに形成する。
アドレス放電およびそれに続く高周波の維持放電は前述
したように放電セル（７０）の長い方向で向き合ってい
る高周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）の
間で発生する。このように、本発明の第３実施形態によ
る高周波ＰＤＰでも低周波のアドレス放電と高周波の維
持放電が互いに異なる電極によって発生するので双方の
放電間の電気的な相互干渉を最小とすることができる。
２誘電層（７６、８０）は同一の厚さに設定される。し
たがって、データ電極（７２）及び走査電極（７４）は
同一の厚さの第１及び第２誘電層（７６、８０）それぞ
れを通してアドレス駆動電圧を放電空間（６２）に供給
するのでアドレス放電の均一性が向上する。共に、デー
タ電極（７２）上には一つの誘電層（７６）が形成され
るので、図１に示された従来のもののようにデータ電極
（１８）上に二つの誘電層（２０、２４）が形成された
誘電層による電圧低下に比べるてその低下量は減少す
る。この結果、本発明の第３実施形態による高周波ＰＤ
Ｐはアドレス駆動電圧を従来より低くすることができ
る。一方、隔壁（５２）の高さが高いとデータ電極（７
２）と走査電極（７４）間の距離が増加して、アドレス
駆動電圧が増加していたが、隔壁（５２）の高さが極端
に低いと荷電粒子などの損失率が大きくなって放電効率
が減少するので隔壁（５２）は適当な高さに形成する。
アドレス放電およびそれに続く高周波の維持放電は前述
したように放電セル（７０）の長い方向で向き合ってい
る高周波電極（５４）と高周波バイアス電極（５６）の
間で発生する。このように、本発明の第３実施形態によ
る高周波ＰＤＰでも低周波のアドレス放電と高周波の維
持放電が互いに異なる電極によって発生するので双方の
放電間の電気的な相互干渉を最小とすることができる。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明による高周波Ｐ
ＤＰは、高周波放電のための高周波電極と高周波バイア
ス電極を放電セルの長軸方向で向き合うように隔壁の内
にそれぞれ形成されたので高周波信号の周波数は放電セ
ルの長軸方向の長さによって決定される。したがって、
隔壁の高さが高周波信号の周波数と関係なくなるので、
任意に設定することができ、可視光の透過率を最も高く
する高さに選定することができる。その場合、当然かな
り低いので、隔壁を従来から用いられてきた通常の隔壁
形成方法によって容易に形成することができる。
ＤＰは、高周波放電のための高周波電極と高周波バイア
ス電極を放電セルの長軸方向で向き合うように隔壁の内
にそれぞれ形成されたので高周波信号の周波数は放電セ
ルの長軸方向の長さによって決定される。したがって、
隔壁の高さが高周波信号の周波数と関係なくなるので、
任意に設定することができ、可視光の透過率を最も高く
する高さに選定することができる。その場合、当然かな
り低いので、隔壁を従来から用いられてきた通常の隔壁
形成方法によって容易に形成することができる。
【００２８】また、データ電極と走査電極をともに下部
電極に設け、かつ補助電極を利用してデータ電極を走査
電極と同一の高さに形成するようにすると、アドレス駆
動電圧を低くすることができ、同時に放電均一性を向上
させることができる。この場合、高周波放電のための電
極が側壁にあり、上部基板には可視光を反射させる電極
が一切形成されないので可視光の透過率を向上させるこ
とができる。
電極に設け、かつ補助電極を利用してデータ電極を走査
電極と同一の高さに形成するようにすると、アドレス駆
動電圧を低くすることができ、同時に放電均一性を向上
させることができる。この場合、高周波放電のための電
極が側壁にあり、上部基板には可視光を反射させる電極
が一切形成されないので可視光の透過率を向上させるこ
とができる。
【００２９】さらに、高周波放電のための電極を側壁に
設け、走査電極とデータ電極が互いに異なる基板に形成
させた場合には、誘電層の厚さを容易に調節することが
できるのでアドレス放電効率を向上させることができる
ようになる。
設け、走査電極とデータ電極が互いに異なる基板に形成
させた場合には、誘電層の厚さを容易に調節することが
できるのでアドレス放電効率を向上させることができる
ようになる。
【００３０】さらに、本発明による高周波ＰＤＰは４電
極の構造を有し、アドレス放電と高周波の維持放電が互
いに異なる電極によって独立的に起きるので、アドレス
放電のための低周波アドレス駆動信号と高周波放電のた
めの高周波の維持信号間の電気的な相互干渉を最小にす
ることができ、従来の低逆通過フィルターのような付加
的な回路が必要なくなるので駆動回路及び駆動方法がよ
り単純化される。
極の構造を有し、アドレス放電と高周波の維持放電が互
いに異なる電極によって独立的に起きるので、アドレス
放電のための低周波アドレス駆動信号と高周波放電のた
めの高周波の維持信号間の電気的な相互干渉を最小にす
ることができ、従来の低逆通過フィルターのような付加
的な回路が必要なくなるので駆動回路及び駆動方法がよ
り単純化される。
【００３１】さらに、蛍光体を隔壁の側面だけではなく
上部基板または下部基板にも形成させると塗布面積を増
加させることができ、可視光の放出量を増大させること
ができる。
上部基板または下部基板にも形成させると塗布面積を増
加させることができ、可視光の放出量を増大させること
ができる。
【図１】 従来の高周波プラズマディスプレーパネルの
放電セルを図示した断面図である。
放電セルを図示した断面図である。
【図２】 図１に図示された放電セルを駆動するための
駆動波形図である。
駆動波形図である。
【図３】 図３は本発明の第１実施形態による高周波プ
ラズマディスプレーパネルの放電セルを図示した断面図
である。
ラズマディスプレーパネルの放電セルを図示した断面図
である。
【図４】 図３に図示された放電セルがマトリックス形
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
断面図である。
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
断面図である。
【図５】 図３に図示された放電セルがマトリックス形
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
平面図である。
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
平面図である。
【図６】 本発明の第２実施形態による高周波プラズマ
ディスプレーパネルの放電セルを図示した断面図であ
る。
ディスプレーパネルの放電セルを図示した断面図であ
る。
【図７】 図６に図示された放電セルがマトリックス形
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
平面図である。
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
平面図である。
【図８】 図７に図示された放電セルがマトリックス形
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
平面図である。
態で配列されたプラズマディスプレーパネルを図示した
平面図である。
【図９】 本発明の第３実施形態による高周波プラズマ
ディスプレーパネルの放電セルを図示した断面図であ
る。
ディスプレーパネルの放電セルを図示した断面図であ
る。
【図１０】 図９に図示された放電セルがマトリックス
形態で配列されたプラズマディスプレーパネルの断面図
である。
形態で配列されたプラズマディスプレーパネルの断面図
である。
【図１１】 図９に図示された放電セルがマトリックス
形態で配列されたプラズマディスプレーパネルの断面図
である。
形態で配列されたプラズマディスプレーパネルの断面図
である。
１０、４０：上部基板 １２、５４：高
周波電極 １４：第１誘電体 １６、４２：下
部基板 １８、４４、７２：データ電極 ２０：第２誘電
体 ２２、４８、７４：走査電極 ２６：保護膜 ２８、５２、５６：隔壁 ３０、６０、８
２：蛍光体 ３２、６２：放電空間 ４６：第１誘電
層 ５０：第２誘電層 ５６：高周波バ
イアス電極 ５８、７７：保護膜 ６４、７０：放
電セル ６８：補助電極
周波電極 １４：第１誘電体 １６、４２：下
部基板 １８、４４、７２：データ電極 ２０：第２誘電
体 ２２、４８、７４：走査電極 ２６：保護膜 ２８、５２、５６：隔壁 ３０、６０、８
２：蛍光体 ３２、６２：放電空間 ４６：第１誘電
層 ５０：第２誘電層 ５６：高周波バ
イアス電極 ５８、７７：保護膜 ６４、７０：放
電セル ６８：補助電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユン・ホー・ヨ 大韓民国・キョンギ−ド・コヤン−シ・イ ルサン−ク・ジュユブ−ドン・ムーンチョ ン ヴィレッジ・（番地なし）・ウーソン アパートメント・107−202 (72)発明者 ミュン・ホー・パク 大韓民国・ソウル・カンナム−ク・ドゴク −ドン・964・ヒュンダイ グリーン ア パートメント・1310
Claims (12)
- 【請求項１】 多数の放電セルがマトリックス形態で配
列された高周波プラズマディスプレーパネルにおいて、
前記放電セルそれぞれが第１及び第２基板と、第１及び
第２基板の中の少なくとも一方に形成されてアドレス放
電を発生させる第１及び第２アドレス電極と、前記第１
及び第２基板の間に形成されて放電空間を形成させる隔
壁と、互いに対向する隔壁内にそれぞれ形成されて高周
波維持放電を発生させる第１及び第２高周波電極とを具
備することを特徴とする高周波プラズマディスプレーパ
ネル。 - 【請求項２】 前記第１及び第２高周波電極は前記放電
セルの長軸方向に対向する隔壁内にそれぞれ形成された
ことを特徴とする請求項１記載の高周波プラズマディス
プレーパネル。 - 【請求項３】 前記第１及び第２高周波電極は前記隔壁
を挟んで隣接している放電セルに共有されることを特徴
とする請求項１記載の高周波プラズマディスプレーパネ
ル。 - 【請求項４】 前記第１及び第２高周波電極は隔壁ごと
に第１高周波電極と第２高周波電極とを交互に配置され
たことを特徴とする請求項１記載の高周波プラズマディ
スプレーパネル。 - 【請求項５】 前記第１及び第２アドレス電極は前記第
１基板上に互いに絶縁されて直交して配置されたことを
特徴とする請求項１記載の高周波プラズマディスプレー
パネル。 - 【請求項６】 前記第２アドレス電極は前記第１アドレ
ス電極より上側に位置して、前記第１アドレス電極は前
記第２アドレス電極と同一の高さとなる補助電極を追加
で具備することを特徴とする請求項５記載の高周波プラ
ズマディスプレーパネル。 - 【請求項７】 前記補助電極は前記放電セルごとに独立
して設けられ、かつ前記第２アドレス電極と平行に形成
されることを特徴とする請求項６記載の高周波プラズマ
ディスプレーパネル。 - 【請求項８】 前記隔壁の側面と前記第２基板の表面に
塗布された蛍光体と、前記第１及び第２アドレス電極の
間に形成された第１誘電層と、前記第２アドレス電極が
形成された第１誘電層上に形成された第２誘電層と、前
記第２誘電層上に部分的に形成された保護膜とをさらに
具備することを特徴とする請求項７記載の高周波プラズ
マディスプレーパネル。 - 【請求項９】 前記隔壁は四方が閉ざされた構造で形成
されたことを特徴とする請求項１記載の高周波プラズマ
ディスプレーパネル。 - 【請求項１０】 前記第１及び第２アドレス電極は前記
第１及び第２基板それぞれに互いに直交するように配置
されたことを特徴とする請求項１記載の高周波プラズマ
ディスプレー表示パネル。 - 【請求項１１】 前記第１アドレス電極が形成された第
１基板上に形成された第１誘電層と、前記第２アドレス
電極が形成された第２基板上に形成された第２誘電層
と、前記第１及び第２誘電層上に前記第１及び第２アド
レス電極と重なるようにそれぞれ形成された第１及び第
２保護膜と、前記第１及び第２基板の少なくとも一方と
前記隔壁の側面に塗布された蛍光体とをさらに具備する
ことを特徴とする請求項１記載の高周波プラズマディス
プレーパネル。 - 【請求項１２】 前記第１及び第２アドレス電極は前記
アドレス放電のために低周波数の常用交流パルスが供給
され、前記第１及び第２高周波電極と独立的に駆動され
ることを特徴とする請求項１記載の高周波プラズマディ
スプレーパネル。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990051213A KR100312509B1 (ko) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR1019990051211A KR100312508B1 (ko) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR1999-51211 | 1999-11-18 | ||
| KR1999-51213 | 1999-11-18 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176406A true JP2001176406A (ja) | 2001-06-29 |
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ID=26636331
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000352257A Expired - Fee Related JP3523184B2 (ja) | 1999-11-18 | 2000-11-20 | 高周波プラズマディスプレーパネル |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3523184B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241379A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-26 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ、並びにプラズマディスプレイ部材の製造方法 |
| CN1327471C (zh) * | 2003-09-04 | 2007-07-18 | 三星Sdi株式会社 | 等离子体显示面板 |
| KR100769618B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2007-10-23 | 학교법인 인하학원 | 격벽내장형 전극을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 |
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| KR100578936B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동방법 |
| KR100627317B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2006-09-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4248590B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2009-04-02 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | 放電型表示装置 |
| KR20060113137A (ko) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| US20080158099A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Lg Electronics Inc. | Plasma display apparatus and driving method thereof |
| KR102351508B1 (ko) * | 2015-04-28 | 2022-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3115884B2 (ja) | 1990-07-18 | 2000-12-11 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその駆動方法 |
| JPH04277442A (ja) | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JPH06267430A (ja) | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Noritake Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JPH06310040A (ja) | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Noritake Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| SG64844A1 (en) * | 1994-07-21 | 1999-05-25 | Sony Corp | Plasma-addressed display device |
| JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| JP3739163B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2006-01-25 | 三菱電機株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP3603215B2 (ja) | 1997-05-01 | 2004-12-22 | 株式会社ティーティーティー | 放電表示装置 |
| JP3943650B2 (ja) | 1997-05-09 | 2007-07-11 | 株式会社日立製作所 | 表示用放電管 |
| DE69826977T2 (de) * | 1997-08-14 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Gasentladungstafel und lichterzeugende gasvorrichtung |
| KR100263857B1 (ko) * | 1998-03-31 | 2000-08-16 | 김순택 | 플라즈마 표시 장치 |
| US6271810B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel using radio frequency and method and apparatus for driving the same |
| JP2000089202A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Sony Corp | プラズマアドレス表示装置 |
-
2000
- 2000-11-17 US US09/714,429 patent/US6624799B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-20 JP JP2000352257A patent/JP3523184B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2004241379A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-26 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ、並びにプラズマディスプレイ部材の製造方法 |
| KR100769618B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2007-10-23 | 학교법인 인하학원 | 격벽내장형 전극을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 |
| CN1327471C (zh) * | 2003-09-04 | 2007-07-18 | 三星Sdi株式会社 | 等离子体显示面板 |
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