JP2002083546A - プラズマディスプレイ装置とその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイ装置とその製造方法Info
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- JP2002083546A JP2002083546A JP2000272829A JP2000272829A JP2002083546A JP 2002083546 A JP2002083546 A JP 2002083546A JP 2000272829 A JP2000272829 A JP 2000272829A JP 2000272829 A JP2000272829 A JP 2000272829A JP 2002083546 A JP2002083546 A JP 2002083546A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイ装置において、書き込
み放電を高速で安定に行うことができるようにすること
を目的とする。 【解決手段】 プラズマディスプレイ装置において、一
対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、複数の走査
電極および維持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成
するとともに、前記誘電体層の上に保護膜としてのＭｇ
Ｏ膜２３を形成し、かつ前記保護膜としてのＭｇＯ膜２
３の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対して５〜５
０度の角度をもった形状とした。これにより、保護膜の
構成粒子の入射角度を最適にすることにより、高速書き
込み時の黒欠陥問題を解決することができる。
み放電を高速で安定に行うことができるようにすること
を目的とする。 【解決手段】 プラズマディスプレイ装置において、一
対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、複数の走査
電極および維持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成
するとともに、前記誘電体層の上に保護膜としてのＭｇ
Ｏ膜２３を形成し、かつ前記保護膜としてのＭｇＯ膜２
３の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対して５〜５
０度の角度をもった形状とした。これにより、保護膜の
構成粒子の入射角度を最適にすることにより、高速書き
込み時の黒欠陥問題を解決することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビなどの画像
表示用のプラズマディスプレイ装置とその製造方法に関
するものである。
表示用のプラズマディスプレイ装置とその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイ装置は、視
認性に優れた表示パネル（薄型表示デバイス）として注
目されており、高精細化および大画面化が進められてい
る。このプラズマディスプレイ装置には、大別して、駆
動的にはＡＣ型とＤＣ型があり、放電形式では面放電型
と対向放電型の２種類があるが、高精細化、大画面化お
よび製造の簡便性から、現状では、ＡＣ型で面放電型の
プラズマディスプレイ装置が工業上の主流を占めるよう
になってきている。
認性に優れた表示パネル（薄型表示デバイス）として注
目されており、高精細化および大画面化が進められてい
る。このプラズマディスプレイ装置には、大別して、駆
動的にはＡＣ型とＤＣ型があり、放電形式では面放電型
と対向放電型の２種類があるが、高精細化、大画面化お
よび製造の簡便性から、現状では、ＡＣ型で面放電型の
プラズマディスプレイ装置が工業上の主流を占めるよう
になってきている。
【０００３】このＡＣ型のプラズマディスプレイ装置に
おけるパネル構造の一例を図７に示している。
おけるパネル構造の一例を図７に示している。
【０００４】図７に示すように、ガラス基板などの透明
な前面側の基板１上には、走査電極２と維持電極３とで
対をなすストライプ状の表示電極が複数対形成され、そ
して基板１上の隣り合う表示電極間には遮光層（図示せ
ず）が配置形成されている。この走査電極２および維持
電極３は、それぞれ透明電極２ａ、３ａおよびこの透明
電極２ａ、３ａに電気的に接続された母線２ｂ、３ｂと
から構成されている。前記透明電極２ａ、３ａはインジ
ウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ(ＳｎＯ2）等で形
成され、母線２ｂ、３ｂは、クロム−銅−クロム(Ｃｒ
−Ｃｕ−Ｃｒ）の積層体または銀（Ａｇ）等で形成され
る。なお、透明電極２ａ、３ａがなく、母線２ｂ、３ｂ
のみで表示電極を構成する場合もある。また、前記前面
側の基板１には、前記複数対の電極群を覆うように硼珪
酸ガラス等からなる誘電体層４が形成され、その誘電体
層４上にはＭｇＯのような耐イオンスパッタ性に優れ、
高い２次電子放出係数を有する材料からなる保護膜５が
形成されている。
な前面側の基板１上には、走査電極２と維持電極３とで
対をなすストライプ状の表示電極が複数対形成され、そ
して基板１上の隣り合う表示電極間には遮光層（図示せ
ず）が配置形成されている。この走査電極２および維持
電極３は、それぞれ透明電極２ａ、３ａおよびこの透明
電極２ａ、３ａに電気的に接続された母線２ｂ、３ｂと
から構成されている。前記透明電極２ａ、３ａはインジ
ウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ(ＳｎＯ2）等で形
成され、母線２ｂ、３ｂは、クロム−銅−クロム(Ｃｒ
−Ｃｕ−Ｃｒ）の積層体または銀（Ａｇ）等で形成され
る。なお、透明電極２ａ、３ａがなく、母線２ｂ、３ｂ
のみで表示電極を構成する場合もある。また、前記前面
側の基板１には、前記複数対の電極群を覆うように硼珪
酸ガラス等からなる誘電体層４が形成され、その誘電体
層４上にはＭｇＯのような耐イオンスパッタ性に優れ、
高い２次電子放出係数を有する材料からなる保護膜５が
形成されている。
【０００５】また、前記前面側の基板１に対向配置され
る背面側の基板６上には、走査電極２及び維持電極３の
表示電極と直交する方向に、複数のストライプ状で前記
母線２ｂ、３ｂと同様に、クロム−銅−クロム（Ｃｒ−
Ｃｕ−Ｃｒ）の積層体または銀（Ａｇ）等からなるデー
タ電極７が形成されている。このデータ電極７間には、
データ電極７と平行にストライプ状の複数の隔壁８が配
置され、この隔壁８の側面にかけてデータ電極７を覆う
ように蛍光体層９が設けられている。
る背面側の基板６上には、走査電極２及び維持電極３の
表示電極と直交する方向に、複数のストライプ状で前記
母線２ｂ、３ｂと同様に、クロム−銅−クロム（Ｃｒ−
Ｃｕ−Ｃｒ）の積層体または銀（Ａｇ）等からなるデー
タ電極７が形成されている。このデータ電極７間には、
データ電極７と平行にストライプ状の複数の隔壁８が配
置され、この隔壁８の側面にかけてデータ電極７を覆う
ように蛍光体層９が設けられている。
【０００６】これらの基板１と基板６とは、走査電極２
および維持電極３とデータ電極７とが直交するように、
微小な放電空間を挟んで対向配置されるとともに、周囲
が封止され、そして前記放電空間には、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノンのうちの一種または混合ガスが
放電ガスとして封入されている。また、放電空間は、隔
壁８によって複数の区画に仕切ることにより、表示電極
とデータ電極７との交点が位置する複数の放電セル１０
が設けられ、その各放電セル１０には、赤色、緑色及び
青色となるように蛍光体層９が一色ずつ順次配置されて
いる。
および維持電極３とデータ電極７とが直交するように、
微小な放電空間を挟んで対向配置されるとともに、周囲
が封止され、そして前記放電空間には、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノンのうちの一種または混合ガスが
放電ガスとして封入されている。また、放電空間は、隔
壁８によって複数の区画に仕切ることにより、表示電極
とデータ電極７との交点が位置する複数の放電セル１０
が設けられ、その各放電セル１０には、赤色、緑色及び
青色となるように蛍光体層９が一色ずつ順次配置されて
いる。
【０００７】図８に、各電極に印加する駆動波形の一例
を示す。
を示す。
【０００８】まず、初期化動作において、走査電極２ま
たは維持電極３に放電開始電圧を超える高い電圧を印加
して、全放電セルにて放電が起こり壁電荷の形成・消滅
が起こる。この初期化動作により、全放電セルの壁電圧
をほぼ同じ状態にする。次に、書き込み動作において、
データ電極７に正の書き込みパルス電圧を、走査電極２
には負の走査パルス電圧を印加すると放電空間内で書き
込み放電が起こり、走査電極２上の保護膜５の表面に正
の電荷が蓄積される。この後、維持動作の最初におい
て、走査電極２にさらに正の電圧を印加し、維持電極３
に負の維持パルス電圧を印加すると、走査電極２上の保
護膜５表面の正の電荷により維持放電が起動する。その
後、走査電極２と維持電極３に正の維持パルス電圧を交
互に印加することで、維持動作が持続される。この維持
放電の停止は、維持電極３に正の消去パルス電圧を印加
することにより行う。
たは維持電極３に放電開始電圧を超える高い電圧を印加
して、全放電セルにて放電が起こり壁電荷の形成・消滅
が起こる。この初期化動作により、全放電セルの壁電圧
をほぼ同じ状態にする。次に、書き込み動作において、
データ電極７に正の書き込みパルス電圧を、走査電極２
には負の走査パルス電圧を印加すると放電空間内で書き
込み放電が起こり、走査電極２上の保護膜５の表面に正
の電荷が蓄積される。この後、維持動作の最初におい
て、走査電極２にさらに正の電圧を印加し、維持電極３
に負の維持パルス電圧を印加すると、走査電極２上の保
護膜５表面の正の電荷により維持放電が起動する。その
後、走査電極２と維持電極３に正の維持パルス電圧を交
互に印加することで、維持動作が持続される。この維持
放電の停止は、維持電極３に正の消去パルス電圧を印加
することにより行う。
【０００９】このようなＡＣ型のプラズマディスプレイ
装置の保護膜の材料としては、電子ビーム蒸着などで形
成された酸化マグネシウム(ＭｇＯ)膜が用いられてお
り、所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成さ
れたＭｇＯ膜は誘電体層よりも２次電子放出係数(γ)が
高いため、放電開始電圧を下げることができる。また、
結晶性が高く緻密な膜であるので、走査電極または維持
電極上に形成された誘電体層が放電中にイオンの衝突を
受けてスパッタされ消耗することを、ＭｇＯ膜によって
防止することができる。このことが、保護膜層と呼ばれ
る所以である。
装置の保護膜の材料としては、電子ビーム蒸着などで形
成された酸化マグネシウム(ＭｇＯ)膜が用いられてお
り、所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成さ
れたＭｇＯ膜は誘電体層よりも２次電子放出係数(γ)が
高いため、放電開始電圧を下げることができる。また、
結晶性が高く緻密な膜であるので、走査電極または維持
電極上に形成された誘電体層が放電中にイオンの衝突を
受けてスパッタされ消耗することを、ＭｇＯ膜によって
防止することができる。このことが、保護膜層と呼ばれ
る所以である。
【００１０】従来、前記保護膜層であるＭｇＯ膜の形成
方法として、電子ビーム蒸着法が用いられる。図９
（ａ）、（ｂ）にその装置構成を示しており、成膜室に
おいて、水平に配置されたＭｇＯ単結晶のターゲット１
１に対して、電子ビームを磁場などで偏向することで照
射して、ＭｇＯを加熱し蒸発させる。この時の蒸発粒子
の分布はコサイン（ｃｏｓ）分布になると知られてい
る。前記ターゲット材料に対向してガラス基板１２を平
行となるように真上に配置して、ＭｇＯ膜を形成する。
方法として、電子ビーム蒸着法が用いられる。図９
（ａ）、（ｂ）にその装置構成を示しており、成膜室に
おいて、水平に配置されたＭｇＯ単結晶のターゲット１
１に対して、電子ビームを磁場などで偏向することで照
射して、ＭｇＯを加熱し蒸発させる。この時の蒸発粒子
の分布はコサイン（ｃｏｓ）分布になると知られてい
る。前記ターゲット材料に対向してガラス基板１２を平
行となるように真上に配置して、ＭｇＯ膜を形成する。
【００１１】実際の量産性を考慮した場合、基板通過方
式にする。このような従来例として、例えば特開平１０
−１７６２６２号公報がある。基板通過方式を採用する
場合、図９のように、ターゲット１１からガラス基板１
２へ入射する粒子が角度θ０、θ１が、通過の開始時と
終了時で同じとなるよう、すなわち対称(θ０＝θ１)と
なるように蒸着遮蔽部材１３ａ、１３ｂが設けられてい
る。この蒸着遮蔽部材１３ａ、１３ｂは、入射角が３５
度より大きくならないようにするために設けられてい
る。なお、図９（ｂ）のようにターゲット１１の数はガ
ラス基板１２の大きさに応じて、基板搬送方向と直交す
る方向に１つないし複数配置している。この図では４つ
のターゲット１１を配置している。
式にする。このような従来例として、例えば特開平１０
−１７６２６２号公報がある。基板通過方式を採用する
場合、図９のように、ターゲット１１からガラス基板１
２へ入射する粒子が角度θ０、θ１が、通過の開始時と
終了時で同じとなるよう、すなわち対称(θ０＝θ１)と
なるように蒸着遮蔽部材１３ａ、１３ｂが設けられてい
る。この蒸着遮蔽部材１３ａ、１３ｂは、入射角が３５
度より大きくならないようにするために設けられてい
る。なお、図９（ｂ）のようにターゲット１１の数はガ
ラス基板１２の大きさに応じて、基板搬送方向と直交す
る方向に１つないし複数配置している。この図では４つ
のターゲット１１を配置している。
【００１２】このような従来の方法で形成した保護膜層
の基板搬送方向の断面図を図１０に示す。この図１０で
は、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測した断面を模式的に示
している。
の基板搬送方向の断面図を図１０に示す。この図１０で
は、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測した断面を模式的に示
している。
【００１３】図９を用いて、成膜過程を説明すると、ま
ず、−θ０度で入射する構成粒子がガラス基板１２につ
きはじめ、ガラス基板１２が動くとともに、入射角が−
θ０度から０度、そしてθ１度へと連続的に変化しなが
ら、ＭｇＯ膜１４が形成されていく。これに伴い、ガラ
ス基板１２に形成されるＭｇＯ膜１４の結晶カラムの成
長方向も連続的に角度を変え、図１０のように「弓な
り」状の形状になる。
ず、−θ０度で入射する構成粒子がガラス基板１２につ
きはじめ、ガラス基板１２が動くとともに、入射角が−
θ０度から０度、そしてθ１度へと連続的に変化しなが
ら、ＭｇＯ膜１４が形成されていく。これに伴い、ガラ
ス基板１２に形成されるＭｇＯ膜１４の結晶カラムの成
長方向も連続的に角度を変え、図１０のように「弓な
り」状の形状になる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな断面形状を持つ保護膜を用いると、高精細のパネル
において書き込み動作に利用できる時間が短くなる。す
なわち、高速書き込みを行うときに、所定の時間内に書
き込み放電が終了せず、黒欠陥(ちらつき)となり、表示
品質が低下するという問題が発生することがわかった。
この黒欠陥のレベルは、書き込み電圧のパルス幅のみな
らず、書き込み電圧の電圧値・傾斜などに依存し、この
黒欠陥の原因を調べると、保護膜である酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）の膜質が原因であることがわかった。すな
わち、ＭｇＯ膜の膜質の違いにより、ＭｇＯ膜の放電特
性が決まるのである。
うな断面形状を持つ保護膜を用いると、高精細のパネル
において書き込み動作に利用できる時間が短くなる。す
なわち、高速書き込みを行うときに、所定の時間内に書
き込み放電が終了せず、黒欠陥(ちらつき)となり、表示
品質が低下するという問題が発生することがわかった。
この黒欠陥のレベルは、書き込み電圧のパルス幅のみな
らず、書き込み電圧の電圧値・傾斜などに依存し、この
黒欠陥の原因を調べると、保護膜である酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）の膜質が原因であることがわかった。すな
わち、ＭｇＯ膜の膜質の違いにより、ＭｇＯ膜の放電特
性が決まるのである。
【００１５】本発明はこのような課題を解決するもの
で、書き込み放電を高速で安定に行うことができるよう
にすることを目的とする。
で、書き込み放電を高速で安定に行うことができるよう
にすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明においては、少なくとも前面側が透明な
一対の基板を基板間に放電空間が形成されるように対向
配置するとともに前記放電空間を複数に仕切るための隔
壁を少なくとも一方の基板に配置し、かつ前記隔壁によ
り仕切られた放電空間で放電が発生するように基板に電
極群を配置するとともに放電により発光する蛍光体層を
設けたパネル本体を有するプラズマディスプレイ装置に
おいて、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、
複数の走査電極および維持電極とその表面を覆う誘電体
層とを形成するとともに、前記誘電体層の上に保護膜を
形成し、かつ前記保護膜の結晶カラムの断面形状を、膜
厚方向に対して５〜５０度の角度をもった形状としたも
のである。
るために本発明においては、少なくとも前面側が透明な
一対の基板を基板間に放電空間が形成されるように対向
配置するとともに前記放電空間を複数に仕切るための隔
壁を少なくとも一方の基板に配置し、かつ前記隔壁によ
り仕切られた放電空間で放電が発生するように基板に電
極群を配置するとともに放電により発光する蛍光体層を
設けたパネル本体を有するプラズマディスプレイ装置に
おいて、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、
複数の走査電極および維持電極とその表面を覆う誘電体
層とを形成するとともに、前記誘電体層の上に保護膜を
形成し、かつ前記保護膜の結晶カラムの断面形状を、膜
厚方向に対して５〜５０度の角度をもった形状としたも
のである。
【００１７】すなわち、本発明者らは、膜質に影響を及
ぼすと考えられる保護膜の成膜条件（成膜条件として
は、基板温度、酸素の供給量、成膜圧力、成膜レート、
構成粒子の入射角度である）と放電特性の関係を調べた
結果、成膜粒子の入射角度が最も放電特性に影響を及ぼ
すことを確認したことに基づくもので、構成粒子の入射
角度を最適にすることにより、高速書き込み時の黒欠陥
問題を解決することができる。
ぼすと考えられる保護膜の成膜条件（成膜条件として
は、基板温度、酸素の供給量、成膜圧力、成膜レート、
構成粒子の入射角度である）と放電特性の関係を調べた
結果、成膜粒子の入射角度が最も放電特性に影響を及ぼ
すことを確認したことに基づくもので、構成粒子の入射
角度を最適にすることにより、高速書き込み時の黒欠陥
問題を解決することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくとも前面側が透明な一対の基板を基板間に放
電空間が形成されるように対向配置するとともに前記放
電空間を複数に仕切るための隔壁を少なくとも一方の基
板に配置し、かつ前記隔壁により仕切られた放電空間で
放電が発生するように基板に電極群を配置するとともに
放電により発光する蛍光体層を設けたパネル本体を有す
るプラズマディスプレイ装置において、一対の基板のう
ち少なくとも一方の基板上に、複数の走査電極および維
持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成するととも
に、前記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ前記保護
膜の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対して５〜５
０度の角度をもった形状としたことを特徴とするプラズ
マディスプレイ装置である。
は、少なくとも前面側が透明な一対の基板を基板間に放
電空間が形成されるように対向配置するとともに前記放
電空間を複数に仕切るための隔壁を少なくとも一方の基
板に配置し、かつ前記隔壁により仕切られた放電空間で
放電が発生するように基板に電極群を配置するとともに
放電により発光する蛍光体層を設けたパネル本体を有す
るプラズマディスプレイ装置において、一対の基板のう
ち少なくとも一方の基板上に、複数の走査電極および維
持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成するととも
に、前記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ前記保護
膜の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対して５〜５
０度の角度をもった形状としたことを特徴とするプラズ
マディスプレイ装置である。
【００１９】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
少なくとも前面側が透明な一対の基板を基板間に放電空
間が形成されるように対向配置するとともに前記放電空
間を複数に仕切るための隔壁を少なくとも一方の基板に
配置し、かつ前記隔壁により仕切られた放電空間で放電
が発生するように基板に電極群を配置するとともに放電
により発光する蛍光体層を設けたパネル本体を有するプ
ラズマディスプレイ装置において、一対の基板のうち少
なくとも一方の基板上に、複数の走査電極および維持電
極とその表面を覆う誘電体層とを形成するとともに、前
記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ前記保護膜の結
晶カラムの断面形状を、膜厚方向に連続的に角度を変え
ながら５〜５０度の角度をもった形状としたことを特徴
とするプラズマディスプレイ装置である。
少なくとも前面側が透明な一対の基板を基板間に放電空
間が形成されるように対向配置するとともに前記放電空
間を複数に仕切るための隔壁を少なくとも一方の基板に
配置し、かつ前記隔壁により仕切られた放電空間で放電
が発生するように基板に電極群を配置するとともに放電
により発光する蛍光体層を設けたパネル本体を有するプ
ラズマディスプレイ装置において、一対の基板のうち少
なくとも一方の基板上に、複数の走査電極および維持電
極とその表面を覆う誘電体層とを形成するとともに、前
記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ前記保護膜の結
晶カラムの断面形状を、膜厚方向に連続的に角度を変え
ながら５〜５０度の角度をもった形状としたことを特徴
とするプラズマディスプレイ装置である。
【００２０】また、請求項３に記載の発明では、請求項
２に記載の発明において、保護膜の結晶カラムの断面形
状が、膜厚方向に連続的に角度を変えながら５〜５０度
の角度をもっており、かつ表面側の角度の方が大きいこ
とを特徴とするものである。
２に記載の発明において、保護膜の結晶カラムの断面形
状が、膜厚方向に連続的に角度を変えながら５〜５０度
の角度をもっており、かつ表面側の角度の方が大きいこ
とを特徴とするものである。
【００２１】さらに、請求項４に記載の発明では、請求
項２に記載の発明において、保護膜の結晶カラムの断面
形状が、全膜厚の表面側３分の２において、膜厚方向に
連続的に角度を変えながら５〜５０度の角度をもってい
ることを特徴とするものである。
項２に記載の発明において、保護膜の結晶カラムの断面
形状が、全膜厚の表面側３分の２において、膜厚方向に
連続的に角度を変えながら５〜５０度の角度をもってい
ることを特徴とするものである。
【００２２】また、請求項５に記載のプラズマディスプ
レイ装置の製造方法においては、保護膜を真空蒸着法に
より形成し、その保護膜の結晶カラムの断面形状の角度
を制御するために、１枚以上の入射角度制御板を用い
て、入射角度を制御することを特徴とするものである。
レイ装置の製造方法においては、保護膜を真空蒸着法に
より形成し、その保護膜の結晶カラムの断面形状の角度
を制御するために、１枚以上の入射角度制御板を用い
て、入射角度を制御することを特徴とするものである。
【００２３】そして、本発明においては、入射角制御板
が、蒸着室内の真空を維持しながら、装置外から制御可
能な可動式の入射角制御板であり、さらに１枚以上の可
動式の入射角度制御板が各々独立に制御可能なものであ
ることを特徴とするものである。
が、蒸着室内の真空を維持しながら、装置外から制御可
能な可動式の入射角制御板であり、さらに１枚以上の可
動式の入射角度制御板が各々独立に制御可能なものであ
ることを特徴とするものである。
【００２４】以下、本発明の一実施の形態について、説
明する。
明する。
【００２５】本発明者らは、黒欠陥を定量的に取り扱う
ために、所定の電圧パルスを印加してから放電が起こる
までの放電遅れを評価した。放電遅れの評価方法として
は、「ラウエプロット」と呼ばれるものを用いた（詳細
は、電気学会技術報告書第６８８号「プラズマディスプ
レイ内の放電基礎特性」Ｐ．６８参照）。
ために、所定の電圧パルスを印加してから放電が起こる
までの放電遅れを評価した。放電遅れの評価方法として
は、「ラウエプロット」と呼ばれるものを用いた（詳細
は、電気学会技術報告書第６８８号「プラズマディスプ
レイ内の放電基礎特性」Ｐ．６８参照）。
【００２６】簡単に説明すると、放電空間に一定電圧を
印加して時間ｔ経過した後に放電にいたらない確率をＱ
とする。縦軸がｌｏｇＱ、横軸が時間ｔとなるようにプ
ロット（ラウエプロット）すると、この傾きから統計遅
れｔｓが求められる。
印加して時間ｔ経過した後に放電にいたらない確率をＱ
とする。縦軸がｌｏｇＱ、横軸が時間ｔとなるようにプ
ロット（ラウエプロット）すると、この傾きから統計遅
れｔｓが求められる。
【００２７】また、放電にいたらない確率Ｑが１以下に
なる時間から形成遅れｔｆが求められる。
なる時間から形成遅れｔｆが求められる。
【００２８】ここで、統計遅れｔｓは電圧が加えられて
から放電を完成させる初期電子が現れてくるまでの遅れ
時間、形成遅れｔｆはその電子が現れてから放電破壊に
至るまでに必要な時間を意味する。
から放電を完成させる初期電子が現れてくるまでの遅れ
時間、形成遅れｔｆはその電子が現れてから放電破壊に
至るまでに必要な時間を意味する。
【００２９】この検討により本発明者らは、統計遅れｔ
ｓと前記黒欠陥レベルに強い相関があることを見出し
た。すなわち、統計遅れｔｓを用いることで、黒欠陥を
定量的に評価することができ、統計遅れが小さいほど、
黒欠陥レベルは良いことを見出した。
ｓと前記黒欠陥レベルに強い相関があることを見出し
た。すなわち、統計遅れｔｓを用いることで、黒欠陥を
定量的に評価することができ、統計遅れが小さいほど、
黒欠陥レベルは良いことを見出した。
【００３０】また、本発明者らは、ターゲットから基板
への構成粒子の入射角度と放電特性の関係を調べる実験
を行った。
への構成粒子の入射角度と放電特性の関係を調べる実験
を行った。
【００３１】実験条件としては、基板温度２００度、酸
素導入後の蒸着圧力が１×１０-3（Ｐａ）、蒸着レート
は１０Å／ｓ、膜厚は６０００Åである。
素導入後の蒸着圧力が１×１０-3（Ｐａ）、蒸着レート
は１０Å／ｓ、膜厚は６０００Åである。
【００３２】図１にターゲットから基板への構成粒子の
入射角度に対する放電遅れと放電開始電圧の関係を示
す。本実験では、基板は静止状態であるため、膜の断面
形状としては、膜厚方向に全体がほぼ同じ角度で傾いて
いる。また、本実験は小型のサンプル破片を用いて評価
した。
入射角度に対する放電遅れと放電開始電圧の関係を示
す。本実験では、基板は静止状態であるため、膜の断面
形状としては、膜厚方向に全体がほぼ同じ角度で傾いて
いる。また、本実験は小型のサンプル破片を用いて評価
した。
【００３３】この図１から、入射角度が３０度から４０
度付近で最も放電遅れが小さく、放電開始電圧が低いこ
とがわかる。また、入射角が０度付近が特に放電特性が
悪い。
度付近で最も放電遅れが小さく、放電開始電圧が低いこ
とがわかる。また、入射角が０度付近が特に放電特性が
悪い。
【００３４】この結果から明らかなように、ターゲット
からの構成粒子の入射角が５〜５０度にすることによ
り、放電特性の良いＭｇＯ膜を得ることができる。
からの構成粒子の入射角が５〜５０度にすることによ
り、放電特性の良いＭｇＯ膜を得ることができる。
【００３５】以下に本発明に係る断面形状を持つ保護膜
の形成方法の実施例を示す。
の形成方法の実施例を示す。
【００３６】ターゲット材料としてＭｇＯを用いた基板
通過方式の電子ビーム蒸着法で説明する。
通過方式の電子ビーム蒸着法で説明する。
【００３７】なお、以下の説明では、ターゲット材料に
対してガラス基板を平行になるように真上に配置してい
るが、必ずしも平行になるようにガラス基板を配置する
必要はない。
対してガラス基板を平行になるように真上に配置してい
るが、必ずしも平行になるようにガラス基板を配置する
必要はない。
【００３８】図２に第１の実施例を示す。成膜室におい
て、水平に配置されたＭｇＯのターゲット２１に対し
て、電子ビームを磁場などで偏向することで照射して、
ＭｇＯを加熱し蒸発させる。
て、水平に配置されたＭｇＯのターゲット２１に対し
て、電子ビームを磁場などで偏向することで照射して、
ＭｇＯを加熱し蒸発させる。
【００３９】前記ターゲット２１に対向してガラス基板
１２を平行となるように真上に配置して、ＭｇＯ膜を形
成する。
１２を平行となるように真上に配置して、ＭｇＯ膜を形
成する。
【００４０】本発明では、ターゲット２１からガラス基
板１２へ入射する粒子の角度が５〜５０度となるよう
に、入射角制御板２２ａ、２２ｂを設け、入射角度はそ
れぞれθ１０とθ１１になるように制御している。本実
施例では、入射角度はθ１１の方がθ１０よりも大きく
なるように入射角制御板２２ａ、２２ｂを配置してい
る。実際には、θ１０＝６度、θ１１＝４０度となるよ
うに入射角を制限して蒸着を行い、パネルを作成して評
価を行った。
板１２へ入射する粒子の角度が５〜５０度となるよう
に、入射角制御板２２ａ、２２ｂを設け、入射角度はそ
れぞれθ１０とθ１１になるように制御している。本実
施例では、入射角度はθ１１の方がθ１０よりも大きく
なるように入射角制御板２２ａ、２２ｂを配置してい
る。実際には、θ１０＝６度、θ１１＝４０度となるよ
うに入射角を制限して蒸着を行い、パネルを作成して評
価を行った。
【００４１】実験条件としては、基板温度２００度、酸
素導入後の蒸着圧力が２×１０-3(Ｐａ)、蒸着レートは
２０Å／ｓ、膜厚は６０００Åである。
素導入後の蒸着圧力が２×１０-3(Ｐａ)、蒸着レートは
２０Å／ｓ、膜厚は６０００Åである。
【００４２】その結果を表１に示す。また、その時の断
面形状の模式図を図３に示しており、２３はＭｇＯ膜で
ある。
面形状の模式図を図３に示しており、２３はＭｇＯ膜で
ある。
【００４３】比較例として、従来例である図１０のθ０
＝θ１が３０度となる条件でもパネルを作成し、評価を
行った。他の実験条件は、本実施例と同じである。
＝θ１が３０度となる条件でもパネルを作成し、評価を
行った。他の実験条件は、本実施例と同じである。
【００４４】この結果より、本発明によれば、放電の統
計遅れが小さくなり、放電特性がよくなることがわか
る。そして、この結果、高速書き込み時に問題であった
黒欠陥は発生しなくなった。
計遅れが小さくなり、放電特性がよくなることがわか
る。そして、この結果、高速書き込み時に問題であった
黒欠陥は発生しなくなった。
【００４５】なお、本発明において、入射角制御板２２
ａ、２２ｂは、蒸着室内の真空を維持しながら、装置外
から制御可能な可動式の入射角制御板としたり、さらに
１枚以上の可動式の入射角度制御板を各々独立に制御可
能なものとしてもよい。
ａ、２２ｂは、蒸着室内の真空を維持しながら、装置外
から制御可能な可動式の入射角制御板としたり、さらに
１枚以上の可動式の入射角度制御板を各々独立に制御可
能なものとしてもよい。
【００４６】図４に第２の実施例を示しており、この例
では成膜室内の構成は第１の実施例とほとんど同じ構成
としているが、入射角制御板２２ａ、２２ｂにより入射
角度をそれぞれθ１２、θ１３としている。また、本実
施例では、θ１２の方がθ１３よりも入射角が大きくな
っている。
では成膜室内の構成は第１の実施例とほとんど同じ構成
としているが、入射角制御板２２ａ、２２ｂにより入射
角度をそれぞれθ１２、θ１３としている。また、本実
施例では、θ１２の方がθ１３よりも入射角が大きくな
っている。
【００４７】そして、実際には、θ１２＝３０度、θ１
３＝１０度となるように入射角を制限して蒸着を行い、
パネルを作成して評価を行った。
３＝１０度となるように入射角を制限して蒸着を行い、
パネルを作成して評価を行った。
【００４８】その結果を表１に示す。また、その時の断
面形状の模式図を図５に示す。入射角度以外の条件は、
第１の実施例と同じである。
面形状の模式図を図５に示す。入射角度以外の条件は、
第１の実施例と同じである。
【００４９】この結果より、放電の統計遅れが小さくな
り、放電特性がよくなることがわかる。その結果、高速
書き込み時に問題であった黒欠陥もほとんど発生しなく
なった。また、本実施例は従来例よりは放電特性が良い
が、第１の実施例ほどは良くなかった。これは、より表
面に近い層の結晶カラムの傾きが、第１の実施例では３
０〜４０度であるのに対し、本実施例では１０〜２０度
であることが原因と考えられる。すなわち、図１の結果
から３０〜４０度の入射角が最も放電特性が良いためと
考えられる。
り、放電特性がよくなることがわかる。その結果、高速
書き込み時に問題であった黒欠陥もほとんど発生しなく
なった。また、本実施例は従来例よりは放電特性が良い
が、第１の実施例ほどは良くなかった。これは、より表
面に近い層の結晶カラムの傾きが、第１の実施例では３
０〜４０度であるのに対し、本実施例では１０〜２０度
であることが原因と考えられる。すなわち、図１の結果
から３０〜４０度の入射角が最も放電特性が良いためと
考えられる。
【００５０】図６に第３の実施例を示している。前記第
１、第２の実施例では、入射角制御板により遮蔽される
部分が多く、比較的蒸着効率が悪くなってしまう。そこ
で、本実施例では、入射角が５度以下となる部分も構成
粒子が入射するようにしている。入射角制御板２２ａ、
２２ｂにより入射角がそれぞれθ１４、θ１５となり、
入射角が５度以下の部分も含まれるが、入射角θ１５を
θ１４よりも大きくし、全膜厚の表面側３分の２におい
て結晶カラムが傾くように入射角を設定している。実際
には、θ１４＝８度、θ１５＝４０度になるように入射
角を制限して蒸着を行い、パネルを作成して評価を行っ
た。他の蒸着条件は第１の実施例と同じである。その結
果を表１に示す。
１、第２の実施例では、入射角制御板により遮蔽される
部分が多く、比較的蒸着効率が悪くなってしまう。そこ
で、本実施例では、入射角が５度以下となる部分も構成
粒子が入射するようにしている。入射角制御板２２ａ、
２２ｂにより入射角がそれぞれθ１４、θ１５となり、
入射角が５度以下の部分も含まれるが、入射角θ１５を
θ１４よりも大きくし、全膜厚の表面側３分の２におい
て結晶カラムが傾くように入射角を設定している。実際
には、θ１４＝８度、θ１５＝４０度になるように入射
角を制限して蒸着を行い、パネルを作成して評価を行っ
た。他の蒸着条件は第１の実施例と同じである。その結
果を表１に示す。
【００５１】この結果から、第１の実施例ほどではない
が、従来例よりも放電特性がよくなることがわかる。そ
の結果、高速書き込み時に問題であった黒欠陥もほぼ発
生しなくなった。
が、従来例よりも放電特性がよくなることがわかる。そ
の結果、高速書き込み時に問題であった黒欠陥もほぼ発
生しなくなった。
【００５２】
【表１】
【００５３】ここで、以上の実施例では、入射角制御板
を実験ごとに真空を一度やぶって交換したが、可動式の
入射角制御板にすれば、真空をやぶることなく、条件を
変更することが可能となる。また、入射角度を制御する
ことにより結晶カラム形状を制御し、その結果として放
電特性を制御できる。
を実験ごとに真空を一度やぶって交換したが、可動式の
入射角制御板にすれば、真空をやぶることなく、条件を
変更することが可能となる。また、入射角度を制御する
ことにより結晶カラム形状を制御し、その結果として放
電特性を制御できる。
【００５４】以上の実施例から明らかなように、本発明
により、放電特性が最良であるＭｇＯ膜の成膜、放電特
性は最良ではないが蒸着効率を高めた成膜などを要求さ
れるパネルの放電特性に合わせて、蒸着装置を停止する
ことなく、自由に選択蒸着することが可能となる。な
お、保護膜の材料としてＭｇＯの例を示したが、酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）な
どのＭｇＯ以外の材料を用いることもできる。
により、放電特性が最良であるＭｇＯ膜の成膜、放電特
性は最良ではないが蒸着効率を高めた成膜などを要求さ
れるパネルの放電特性に合わせて、蒸着装置を停止する
ことなく、自由に選択蒸着することが可能となる。な
お、保護膜の材料としてＭｇＯの例を示したが、酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）な
どのＭｇＯ以外の材料を用いることもできる。
【００５５】また、保護膜をスパッタリングまたはＣＶ
Ｄなどによって形成してもよい。
Ｄなどによって形成してもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一対の基
板のうち少なくとも一方の基板上に、複数の走査電極お
よび維持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成すると
ともに、前記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ前記
保護膜の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対して５
〜５０度の角度をもった形状とすることにより、高速な
書き込み動作が可能で放電開始電圧の低いパネルを実現
することができる。
板のうち少なくとも一方の基板上に、複数の走査電極お
よび維持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成すると
ともに、前記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ前記
保護膜の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対して５
〜５０度の角度をもった形状とすることにより、高速な
書き込み動作が可能で放電開始電圧の低いパネルを実現
することができる。
【図１】本発明のプラズマディスプレイ装置において、
ターゲットからの構成粒子の入射角度に対する放電遅れ
と放電開始電圧の関係を示す関係図
ターゲットからの構成粒子の入射角度に対する放電遅れ
と放電開始電圧の関係を示す関係図
【図２】本発明の第１の実施例による製造方法を実施し
ている状態を示す説明図
ている状態を示す説明図
【図３】本発明の第１の実施例において、保護膜の断面
形状を示す説明図
形状を示す説明図
【図４】本発明の第２の実施例による製造方法を実施し
ている状態を示す説明図
ている状態を示す説明図
【図５】本発明の第２の実施例において、保護膜の断面
形状を示す説明図
形状を示す説明図
【図６】本発明の第３の実施例による製造方法を実施し
ている状態を示す説明図
ている状態を示す説明図
【図７】一般的なプラズマディスプレイ装置を一部を切
り欠いて示す斜視図
り欠いて示す斜視図
【図８】同プラズマディスプレイ装置における動作を説
明するための駆動波形図
明するための駆動波形図
【図９】（ａ）、（ｂ）は従来の保護膜の形成方法を示
す説明図
す説明図
【図１０】従来の保護膜の断面形状を示す説明図
１、６ 基板 ２ 走査電極 ３ 維持電極 ４ 誘電体層 ５ 保護膜 ７ データ電極 ８ 隔壁 ９ 蛍光体層 １０ 放電セル １２ ガラス基板 ２１ ターゲット ２２ａ、２２ｂ 入射角制御板 ２３ ＭｇＯ膜
フロントページの続き (72)発明者 小寺 宏一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA10 5C040 FA01 GB03 GB14 GE01 GE09 JA07 MA26 5C058 AA11 AB01 AB06 BA04 BA35 5C094 AA21 BA31 CA19 CA24 DA13 EB02 FB02 FB16
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも前面側が透明な一対の基板を
基板間に放電空間が形成されるように対向配置するとと
もに前記放電空間を複数に仕切るための隔壁を少なくと
も一方の基板に配置し、かつ前記隔壁により仕切られた
放電空間で放電が発生するように基板に電極群を配置す
るとともに放電により発光する蛍光体層を設けたパネル
本体を有するプラズマディスプレイ装置において、一対
の基板のうち少なくとも一方の基板上に、複数の走査電
極および維持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成す
るとともに、前記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ
前記保護膜の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に対し
て５〜５０度の角度をもった形状としたことを特徴とす
るプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項２】 少なくとも前面側が透明な一対の基板を
基板間に放電空間が形成されるように対向配置するとと
もに前記放電空間を複数に仕切るための隔壁を少なくと
も一方の基板に配置し、かつ前記隔壁により仕切られた
放電空間で放電が発生するように基板に電極群を配置す
るとともに放電により発光する蛍光体層を設けたパネル
本体を有するプラズマディスプレイ装置において、一対
の基板のうち少なくとも一方の基板上に、複数の走査電
極および維持電極とその表面を覆う誘電体層とを形成す
るとともに、前記誘電体層の上に保護膜を形成し、かつ
前記保護膜の結晶カラムの断面形状を、膜厚方向に連続
的に角度を変えながら５〜５０度の角度をもった形状と
したことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項３】 保護膜の結晶カラムの断面形状が、膜厚
方向に連続的に角度を変えながら５〜５０度の角度をも
っており、かつ表面側の角度の方が大きいことを特徴と
する請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項４】 保護膜の結晶カラムの断面形状が、全膜
厚の表面側３分の２において、膜厚方向に連続的に角度
を変えながら５〜５０度の角度をもっていることを特徴
とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項５】 保護膜を真空蒸着法により形成し、その
保護膜の結晶カラムの断面形状の角度を制御するため
に、１枚以上の入射角度制御板を用いて、入射角度を制
御することを特徴とする請求項１または２に記載のプラ
ズマディスプレイ装置の製造方法。 - 【請求項６】 入射角制御板が、蒸着室内の真空を維持
しながら、装置外から制御可能な可動式の入射角制御板
であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディ
スプレイ装置の製造方法。 - 【請求項７】 １枚以上の可動式の入射角度制御板が各
々独立に制御可能なものであることを特徴とする請求項
６に記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000272829A JP4626035B2 (ja) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | プラズマディスプレイ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000272829A JP4626035B2 (ja) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | プラズマディスプレイ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083546A true JP2002083546A (ja) | 2002-03-22 |
| JP4626035B2 JP4626035B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=18758882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000272829A Expired - Fee Related JP4626035B2 (ja) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | プラズマディスプレイ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4626035B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100615245B1 (ko) | 2004-08-20 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 보호막 및 그 제조방법 |
| CN100454475C (zh) * | 2005-03-31 | 2009-01-21 | 西安交通大学 | 具有角度控制的等离子体显示屏介质保护膜形成装置 |
| WO2009113171A1 (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09143678A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸着装置 |
| JPH10176262A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着装置 |
| JPH11176325A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネルの保護層及び保護層形成方法 |
| JPH11335820A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-07 | Fujitsu Ltd | 蒸着方法及び蒸着装置 |
| JP2001118518A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2002033054A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出性薄膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネルならびにこれらの製造方法 |
-
2000
- 2000-09-08 JP JP2000272829A patent/JP4626035B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09143678A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸着装置 |
| JPH10176262A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着装置 |
| JPH11176325A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネルの保護層及び保護層形成方法 |
| JPH11335820A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-07 | Fujitsu Ltd | 蒸着方法及び蒸着装置 |
| JP2001118518A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2002033054A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出性薄膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネルならびにこれらの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100615245B1 (ko) | 2004-08-20 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 보호막 및 그 제조방법 |
| CN100454475C (zh) * | 2005-03-31 | 2009-01-21 | 西安交通大学 | 具有角度控制的等离子体显示屏介质保护膜形成装置 |
| WO2009113171A1 (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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|---|---|
| JP4626035B2 (ja) | 2011-02-02 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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