JP2001168364A - 非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 - Google Patents
非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の特性を
改善し得る製造方法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板１上に順に積層される透明
電極２、シリコン系光電変換ユニット１１、および裏面
電極１２を含み、光電変換ユニット１１はプラズマＣＶ
Ｄで順に堆積されるｐ型非晶質層１１１、実質的にｉ型
の非晶質光電変換層１１２Ａ、実質的にｉ型の遷移層１
１２Ｂ、およびｎ型微結晶層１１３を含むシリコン系薄
膜光電変換装置の製造方法では、プラズマＣＶＤによっ
て光電変換層１１２Ａを堆積する間にシラン系原料ガス
に対する水素希釈ガスのガス混合比が５倍以下であり、
遷移層１１２Ｂを堆積する間のそのガス混合比は最低限
でも５倍より大きくて少なくともその遷移層の堆積の実
質的な終了時において５０倍以上であり、遷移層は５〜
３０ｎｍの範囲内の厚さに堆積される。
改善し得る製造方法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板１上に順に積層される透明
電極２、シリコン系光電変換ユニット１１、および裏面
電極１２を含み、光電変換ユニット１１はプラズマＣＶ
Ｄで順に堆積されるｐ型非晶質層１１１、実質的にｉ型
の非晶質光電変換層１１２Ａ、実質的にｉ型の遷移層１
１２Ｂ、およびｎ型微結晶層１１３を含むシリコン系薄
膜光電変換装置の製造方法では、プラズマＣＶＤによっ
て光電変換層１１２Ａを堆積する間にシラン系原料ガス
に対する水素希釈ガスのガス混合比が５倍以下であり、
遷移層１１２Ｂを堆積する間のそのガス混合比は最低限
でも５倍より大きくて少なくともその遷移層の堆積の実
質的な終了時において５０倍以上であり、遷移層は５〜
３０ｎｍの範囲内の厚さに堆積される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜光電変換装置の
製法に関し、特に、非晶質シリコン系光電変換層を含む
非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の性能を改善し得る
製法に関するものである。なお、本願明細書において、
「結晶質」と「微結晶」の用語は、薄膜光電変換装置の
技術分野で一般に用いられているように、部分的に非晶
質状態を含むものをも意味するものとする。
製法に関し、特に、非晶質シリコン系光電変換層を含む
非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の性能を改善し得る
製法に関するものである。なお、本願明細書において、
「結晶質」と「微結晶」の用語は、薄膜光電変換装置の
技術分野で一般に用いられているように、部分的に非晶
質状態を含むものをも意味するものとする。
【０００２】
【従来の技術】薄膜光電変換装置の代表的なものとし
て、非晶質シリコン系太陽電池がある。非晶質半導体光
電材料の膜は通常２００℃前後の低い成膜温度の下でプ
ラズマＣＶＤ法により形成され得るので、ガラス、ステ
ンレス、有機フィルム等の安価な基板がその成膜のため
に使用可能であり、低コストの光電変換装置を実現する
ための有力な材料として期待されている。しかしなが
ら、非晶質光電変換層を含む光電変換装置においてはそ
の光電変換効率が未だ十分ではなく、電力用太陽電池と
して実用化を進展させるためにはさらに性能改善を図る
ことが望まれる。
て、非晶質シリコン系太陽電池がある。非晶質半導体光
電材料の膜は通常２００℃前後の低い成膜温度の下でプ
ラズマＣＶＤ法により形成され得るので、ガラス、ステ
ンレス、有機フィルム等の安価な基板がその成膜のため
に使用可能であり、低コストの光電変換装置を実現する
ための有力な材料として期待されている。しかしなが
ら、非晶質光電変換層を含む光電変換装置においてはそ
の光電変換効率が未だ十分ではなく、電力用太陽電池と
して実用化を進展させるためにはさらに性能改善を図る
ことが望まれる。
【０００３】一般に非晶質シリコン系光電変換装置は、
実質的に真性半導体であるノンドープのｉ型非晶質光電
変換層をｐ型とｎ型の２つの導電型層でサンドイッチし
たｐｉｎ接合構造を有する光電変換ユニットを含んでい
る。なお、主要部として非晶質光電変換層を含む光電変
換ユニットまたは光電変換装置はそれに含まれる導電型
層が非晶質であるか結晶質であるかにかかわらず非晶質
光電変換ユニットまたは非晶質光電変換装置と呼ばれ
る。
実質的に真性半導体であるノンドープのｉ型非晶質光電
変換層をｐ型とｎ型の２つの導電型層でサンドイッチし
たｐｉｎ接合構造を有する光電変換ユニットを含んでい
る。なお、主要部として非晶質光電変換層を含む光電変
換ユニットまたは光電変換装置はそれに含まれる導電型
層が非晶質であるか結晶質であるかにかかわらず非晶質
光電変換ユニットまたは非晶質光電変換装置と呼ばれ
る。
【０００４】ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユニット
内に拡散電位を生じさせる役割を果たし、その拡散電位
の大きさによって光電変換装置の重要な特性である開放
端電圧の値も左右される。他方、これらの導電型層は光
電変換に直接寄与しない不活性な層であり、導電型層に
ドープされた不純物によって吸収される光は発電に寄与
しない損失となる。特に、光入射側の導電型層における
光損失は重大な問題であり、この導電型層としてできる
だけ光吸収ロスの少ない材料として一般にｐ型非晶質シ
リコンカーバイドのように広いエネルギバンドギャップ
を有する合金材料が用いられている。
内に拡散電位を生じさせる役割を果たし、その拡散電位
の大きさによって光電変換装置の重要な特性である開放
端電圧の値も左右される。他方、これらの導電型層は光
電変換に直接寄与しない不活性な層であり、導電型層に
ドープされた不純物によって吸収される光は発電に寄与
しない損失となる。特に、光入射側の導電型層における
光損失は重大な問題であり、この導電型層としてできる
だけ光吸収ロスの少ない材料として一般にｐ型非晶質シ
リコンカーバイドのように広いエネルギバンドギャップ
を有する合金材料が用いられている。
【０００５】ここで、ガラス板のような透明絶縁基板上
に薄膜光電変換装置が形成される場合、その基板は光電
変換装置の表面保護用のカバーガラスの役目を果たさせ
ることができるので、一般にガラス基板上にはｐ型層、
ｉ型光電変換層およびｎ型層の順に積層される。この場
合、ｎ型層は良好な導電性を有することが望まれる。そ
して、一般に結晶質半導体層は非晶質半導体層に比べて
導電性が良好なので、ｎ型層としては微結晶シリコン系
膜がしばしば利用される。
に薄膜光電変換装置が形成される場合、その基板は光電
変換装置の表面保護用のカバーガラスの役目を果たさせ
ることができるので、一般にガラス基板上にはｐ型層、
ｉ型光電変換層およびｎ型層の順に積層される。この場
合、ｎ型層は良好な導電性を有することが望まれる。そ
して、一般に結晶質半導体層は非晶質半導体層に比べて
導電性が良好なので、ｎ型層としては微結晶シリコン系
膜がしばしば利用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、実際にはｎ
型微結晶シリコン系膜を裏面側導電型層に利用した非晶
質シリコン系光電変換装置においても、期待されるほど
の光電変換効率の改善は得られていない。その理由とし
ては、本発明者の理解によれば、以下のような事情が考
えられる。ｎ型微結晶シリコン系膜を形成する際にその
下地となる層は、光電変換ユニットに含まれる層がｐｉ
ｎ接合を形成する順に堆積されるタイプの場合にはノン
ドープの非晶質シリコン系光電変換層となる。このよう
な非晶質下地層上にｎ型微結晶シリコン系膜を直接堆積
させようとしても、その微結晶化のために求められる厳
しいプラズマ条件のために下地層にダメージを与えた
り、不純物原子の相互拡散が生じて下地との界面の特性
を劣化させたり、さらにはｎ型層中で結晶粒が十分に成
長できないために微結晶膜として不完全なものしか形成
されないなどの問題が生じ得る。このようなことから、
上述の裏面側導電型層として望まれる条件を十分に満た
し得るｎ型微結晶シリコン系膜を形成することが容易で
ないのであると考えられる。
型微結晶シリコン系膜を裏面側導電型層に利用した非晶
質シリコン系光電変換装置においても、期待されるほど
の光電変換効率の改善は得られていない。その理由とし
ては、本発明者の理解によれば、以下のような事情が考
えられる。ｎ型微結晶シリコン系膜を形成する際にその
下地となる層は、光電変換ユニットに含まれる層がｐｉ
ｎ接合を形成する順に堆積されるタイプの場合にはノン
ドープの非晶質シリコン系光電変換層となる。このよう
な非晶質下地層上にｎ型微結晶シリコン系膜を直接堆積
させようとしても、その微結晶化のために求められる厳
しいプラズマ条件のために下地層にダメージを与えた
り、不純物原子の相互拡散が生じて下地との界面の特性
を劣化させたり、さらにはｎ型層中で結晶粒が十分に成
長できないために微結晶膜として不完全なものしか形成
されないなどの問題が生じ得る。このようなことから、
上述の裏面側導電型層として望まれる条件を十分に満た
し得るｎ型微結晶シリコン系膜を形成することが容易で
ないのであると考えられる。
【０００７】このような先行技術における課題に鑑み、
本発明は、高品質のｎ型微結晶シリコン系膜を形成する
ための技術を開発することを目的としており、ひいては
非晶質シリコン系光電変換装置の性能改善を目的として
いる。
本発明は、高品質のｎ型微結晶シリコン系膜を形成する
ための技術を開発することを目的としており、ひいては
非晶質シリコン系光電変換装置の性能改善を目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明絶
縁基板上に順に積層される透明電極、非晶質シリコン系
光電変換ユニット、および裏面電極を含み、光電変換ユ
ニットはプラズマＣＶＤで順に積層されるｐ型非晶質
層、実質的にｉ型の非晶質光電変換層、実質的にｉ型の
遷移層、およびｎ型微結晶層を含むシリコン系薄膜光電
変換装置の製造方法において、プラズマＣＶＤによって
光電変換層を堆積する間にシラン系原料ガスに対する水
素希釈ガスのガス混合比が５倍以下であり、遷移層を堆
積する間のそのガス混合比は最低限でも５倍より大きく
て少なくともその遷移層の堆積の実質的な終了時におい
ては５０倍以上であり、遷移層は５〜３０ｎｍの範囲内
の厚さに堆積されることを特徴としている。
縁基板上に順に積層される透明電極、非晶質シリコン系
光電変換ユニット、および裏面電極を含み、光電変換ユ
ニットはプラズマＣＶＤで順に積層されるｐ型非晶質
層、実質的にｉ型の非晶質光電変換層、実質的にｉ型の
遷移層、およびｎ型微結晶層を含むシリコン系薄膜光電
変換装置の製造方法において、プラズマＣＶＤによって
光電変換層を堆積する間にシラン系原料ガスに対する水
素希釈ガスのガス混合比が５倍以下であり、遷移層を堆
積する間のそのガス混合比は最低限でも５倍より大きく
て少なくともその遷移層の堆積の実質的な終了時におい
ては５０倍以上であり、遷移層は５〜３０ｎｍの範囲内
の厚さに堆積されることを特徴としている。
【０００９】なお、遷移層の堆積の間にガス混合比が連
続的または段階的に高められてもよい。また、ｎ型微結
晶層は、５〜１０ｎｍの範囲内の厚さに堆積されること
が好ましい。
続的または段階的に高められてもよい。また、ｎ型微結
晶層は、５〜１０ｎｍの範囲内の厚さに堆積されること
が好ましい。
【００１０】すなわち、本発明者が上述の先行技術にお
ける課題を解決すべく検討を重ねた結果、ノンドープの
非晶質シリコン系光電変換層を形成した後にｎ型微結晶
シリコン系膜を堆積させる場合には、これら両者の間に
結晶核生成のための遷移層を挿入することによって、良
質のｎ型微結晶シリコン系膜が１０ｎｍ以下の薄い膜厚
においても得られることが見出されたのである。
ける課題を解決すべく検討を重ねた結果、ノンドープの
非晶質シリコン系光電変換層を形成した後にｎ型微結晶
シリコン系膜を堆積させる場合には、これら両者の間に
結晶核生成のための遷移層を挿入することによって、良
質のｎ型微結晶シリコン系膜が１０ｎｍ以下の薄い膜厚
においても得られることが見出されたのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１の模式的な断面図を参照し
て、本発明の１つの実施の形態によるシリコン系薄膜光
電変換装置の製造方法について説明する。この光電変換
装置の絶縁性透明基板１には、有機フィルム、または低
融点の安価なガラス等が用いられ得る。
て、本発明の１つの実施の形態によるシリコン系薄膜光
電変換装置の製造方法について説明する。この光電変換
装置の絶縁性透明基板１には、有機フィルム、または低
融点の安価なガラス等が用いられ得る。
【００１２】透明基板１上の前面電極２は、たとえば蒸
着法やスパッタ法によって、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 およびＺ
ｎＯから選択された少なくとも１以上の酸化物からなる
層を含む透明導電性薄膜で形成され得る。
着法やスパッタ法によって、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 およびＺ
ｎＯから選択された少なくとも１以上の酸化物からなる
層を含む透明導電性薄膜で形成され得る。
【００１３】前面電極２上には、非晶質シリコン系光電
変換ユニット１１が形成される。光電変換ユニット１１
に含まれるすべての半導体層が、３００℃以下の下地温
度の下にプラズマＣＶＤ法によって堆積される。プラズ
マＣＶＤ法としては、通常広く用いられているＲＦプラ
ズマＣＶＤ法が用いられ得る。
変換ユニット１１が形成される。光電変換ユニット１１
に含まれるすべての半導体層が、３００℃以下の下地温
度の下にプラズマＣＶＤ法によって堆積される。プラズ
マＣＶＤ法としては、通常広く用いられているＲＦプラ
ズマＣＶＤ法が用いられ得る。
【００１４】プラズマＣＶＤ法において、まず、光電変
換ユニット１１に含まれるｐ型層１１１が堆積される。
このｐ型層１１１としては、たとえば導電型決定不純物
原子であるボロンがドープされたｐ型シリコン系薄膜な
どが用いられ得る。しかし、ｐ型層１１１に関するこれ
らの条件は限定的なものではなく、不純物原子として
は、アルミニウム等でもよい。また、ｐ型層１１１の材
料としては、非晶質シリコンの他に非晶質シリコンカー
バイド等の合金材料を用いることもできる。
換ユニット１１に含まれるｐ型層１１１が堆積される。
このｐ型層１１１としては、たとえば導電型決定不純物
原子であるボロンがドープされたｐ型シリコン系薄膜な
どが用いられ得る。しかし、ｐ型層１１１に関するこれ
らの条件は限定的なものではなく、不純物原子として
は、アルミニウム等でもよい。また、ｐ型層１１１の材
料としては、非晶質シリコンの他に非晶質シリコンカー
バイド等の合金材料を用いることもできる。
【００１５】ｐ型層１１１上には、光電変換層１１２Ａ
として、実質的に真性半導体（ｉ型）の非晶質シリコ
ン、またはその合金材料である非晶質シリコンカーバイ
ドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの層が堆積され
る。非晶質光電変換層１１２Ａの厚さは、好ましくは１
００〜６００ｎｍの範囲内に設定される。
として、実質的に真性半導体（ｉ型）の非晶質シリコ
ン、またはその合金材料である非晶質シリコンカーバイ
ドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの層が堆積され
る。非晶質光電変換層１１２Ａの厚さは、好ましくは１
００〜６００ｎｍの範囲内に設定される。
【００１６】非晶質シリコン系光電変換層１１２Ａ上に
は、本発明における重要な特徴部分である遷移層１１２
Ｂが形成される。この遷移層１１２Ｂは、実質的に真性
半導体（ｉ型）のノンドープシリコン遷移層であり、そ
の厚さは５〜３０ｎｍの範囲内に設定される。ノンドー
プシリコン遷移層１１２ＢをプラズマＣＶＤ法で形成す
る際の原料ガスとしては、モノシランやジシラン等の水
素化シラン系ガスに加えて水素ガスが混合されて用いら
れる。このとき、シラン系ガスに対する水素ガスの流量
比は最低限でも５倍より大きくて、５０倍以上であるこ
とが好ましい。また、ノンドープシリコン遷移層１１２
Ｂの堆積時における下地温度は１００〜２５０℃の範囲
内にあることが好ましい。
は、本発明における重要な特徴部分である遷移層１１２
Ｂが形成される。この遷移層１１２Ｂは、実質的に真性
半導体（ｉ型）のノンドープシリコン遷移層であり、そ
の厚さは５〜３０ｎｍの範囲内に設定される。ノンドー
プシリコン遷移層１１２ＢをプラズマＣＶＤ法で形成す
る際の原料ガスとしては、モノシランやジシラン等の水
素化シラン系ガスに加えて水素ガスが混合されて用いら
れる。このとき、シラン系ガスに対する水素ガスの流量
比は最低限でも５倍より大きくて、５０倍以上であるこ
とが好ましい。また、ノンドープシリコン遷移層１１２
Ｂの堆積時における下地温度は１００〜２５０℃の範囲
内にあることが好ましい。
【００１７】ノンドープシリコン遷移層１１２Ｂ上に
は、ｎ型の微結晶シリコン系薄膜１１３が堆積され、そ
の厚さは５〜１０ｎｍの範囲内に設定される。ｎ型層１
１３としては、たとえば導電型決定不純物原子であるリ
ンがドープされたｎ型微結晶シリコン系薄膜などが用い
られ得る。しかし、ｎ型層１１３に関するこれらの条件
は限定的なものではなく、不純物原子としては窒素など
でもよい。また、ｎ型層１１３の材料としては、微結晶
シリコンの他に微結晶シリコンゲルマニウムなどの合金
材料を用いてもよい。
は、ｎ型の微結晶シリコン系薄膜１１３が堆積され、そ
の厚さは５〜１０ｎｍの範囲内に設定される。ｎ型層１
１３としては、たとえば導電型決定不純物原子であるリ
ンがドープされたｎ型微結晶シリコン系薄膜などが用い
られ得る。しかし、ｎ型層１１３に関するこれらの条件
は限定的なものではなく、不純物原子としては窒素など
でもよい。また、ｎ型層１１３の材料としては、微結晶
シリコンの他に微結晶シリコンゲルマニウムなどの合金
材料を用いてもよい。
【００１８】微結晶シリコン系ｎ型層１１３をプラズマ
ＣＶＤ法で形成する際の原料ガスとしては、モノシラン
やジシラン等の水素化シラン系ガスに対して、たとえば
リンドープの場合にはホスフィンが添加され、それに加
えて水素ガスが混合される。このとき、シラン系ガスに
対する水素ガスの流量比は６０倍以上であることが好ま
しい。また、微結晶シリコン系ｎ型層１１３を形成する
際における下地温度は１００〜２５０℃の範囲内に設定
されることが好ましい。
ＣＶＤ法で形成する際の原料ガスとしては、モノシラン
やジシラン等の水素化シラン系ガスに対して、たとえば
リンドープの場合にはホスフィンが添加され、それに加
えて水素ガスが混合される。このとき、シラン系ガスに
対する水素ガスの流量比は６０倍以上であることが好ま
しい。また、微結晶シリコン系ｎ型層１１３を形成する
際における下地温度は１００〜２５０℃の範囲内に設定
されることが好ましい。
【００１９】光電変換ユニット１１上には、裏面電極１
２として、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等から選択された
少なくとも１以上の層からなる透明導電性酸化膜１２１
が形成され、さらにこの上にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｐｔ等から選択された少なくとも１以上の金属またはこ
れらの合金の層を含む金属膜１２２がスパッタ法または
蒸着法により形成され、これによって図１に示されてい
るような光電変換装置が完成する。
２として、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等から選択された
少なくとも１以上の層からなる透明導電性酸化膜１２１
が形成され、さらにこの上にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｐｔ等から選択された少なくとも１以上の金属またはこ
れらの合金の層を含む金属膜１２２がスパッタ法または
蒸着法により形成され、これによって図１に示されてい
るような光電変換装置が完成する。
【００２０】
【実施例】以下において、本発明のいくつかの実施例に
よるシリコン系薄膜光電変換装置としての薄膜太陽電池
の製法が、比較例による太陽電池の製法とともに説明さ
れる。
よるシリコン系薄膜光電変換装置としての薄膜太陽電池
の製法が、比較例による太陽電池の製法とともに説明さ
れる。
【００２１】（実施例１）図１を参照して説明された実
施の形態に対応して、実施例１としての非晶質シリコン
系薄膜太陽電池が作製された。まず、ガラス基板１上の
前面電極２として、厚さ８００ｎｍＳｎＯ2膜が熱ＣＶ
Ｄ法にて形成された。前面電極２上には、ボロンドープ
された厚さ１０ｎｍのｐ型非晶質シリコンカーバイド層
１１１、ノンドープで厚さ３３５ｎｍのｉ型非晶質シリ
コン光電変換層１１２Ａ、光電変換層の働きを兼ねるも
のであってノンドープで厚さ１５ｎｍのシリコン遷移層
１１２Ｂ、および厚さ７．５ｎｍのｎ型微結晶シリコン
層１１３がそれぞれプラズマＣＶＤ法によって順次に堆
積され、これによってｐｉｎ光電変換ユニット１１が形
成された。光電変換ユニット１１上には、裏面電極１２
として、厚さ９０ｎｍの透明導電性ＺｎＯ膜１２１がス
パッタ法にて堆積されるとともに、その上に厚さ３００
ｎｍのＡｇ膜１２２が蒸着法にて形成された。
施の形態に対応して、実施例１としての非晶質シリコン
系薄膜太陽電池が作製された。まず、ガラス基板１上の
前面電極２として、厚さ８００ｎｍＳｎＯ2膜が熱ＣＶ
Ｄ法にて形成された。前面電極２上には、ボロンドープ
された厚さ１０ｎｍのｐ型非晶質シリコンカーバイド層
１１１、ノンドープで厚さ３３５ｎｍのｉ型非晶質シリ
コン光電変換層１１２Ａ、光電変換層の働きを兼ねるも
のであってノンドープで厚さ１５ｎｍのシリコン遷移層
１１２Ｂ、および厚さ７．５ｎｍのｎ型微結晶シリコン
層１１３がそれぞれプラズマＣＶＤ法によって順次に堆
積され、これによってｐｉｎ光電変換ユニット１１が形
成された。光電変換ユニット１１上には、裏面電極１２
として、厚さ９０ｎｍの透明導電性ＺｎＯ膜１２１がス
パッタ法にて堆積されるとともに、その上に厚さ３００
ｎｍのＡｇ膜１２２が蒸着法にて形成された。
【００２２】光電変換特性に重大な影響を及ぼすノンド
ープのｉ型非晶質シリコン光電変換層１１２Ａは、以下
に示す条件にて堆積された。すなわち、プラズマＣＶＤ
反応室に導入される原料ガスとしてシランのみが用いら
れ、反応室の圧力は６７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）に設定
された。また、ＲＦパワー密度は１５ｍＷ／ｃｍ2で成
膜温度は２００℃であった。
ープのｉ型非晶質シリコン光電変換層１１２Ａは、以下
に示す条件にて堆積された。すなわち、プラズマＣＶＤ
反応室に導入される原料ガスとしてシランのみが用いら
れ、反応室の圧力は６７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）に設定
された。また、ＲＦパワー密度は１５ｍＷ／ｃｍ2で成
膜温度は２００℃であった。
【００２３】ノンドープのシリコン遷移層１１２Ｂの堆
積条件としては、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される
原料ガスとしてシランと水素が用いられ、シランに対す
る水素の流量比が６０倍にされたことのみにおいて光電
変換層１１２Ａの場合と異なっていた。
積条件としては、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される
原料ガスとしてシランと水素が用いられ、シランに対す
る水素の流量比が６０倍にされたことのみにおいて光電
変換層１１２Ａの場合と異なっていた。
【００２４】他方、遷移層１１２Ｂ上に堆積されるｎ型
微結晶シリコン層１１３は、以下に示す条件にて形成さ
れた。すなわち、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される
原料ガスとしてシラン、ホスフィン、および水素が用い
られ、それらのガスの流量比はシランに対してホスフィ
ンが０．０１倍であり、水素が８０倍に設定された。ま
た、反応室内圧力は１３３Ｐａ、ＲＦパワー密度は７５
ｍＷ／ｃｍ2 、そして成膜温度は２００℃に設定され
た。
微結晶シリコン層１１３は、以下に示す条件にて形成さ
れた。すなわち、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される
原料ガスとしてシラン、ホスフィン、および水素が用い
られ、それらのガスの流量比はシランに対してホスフィ
ンが０．０１倍であり、水素が８０倍に設定された。ま
た、反応室内圧力は１３３Ｐａ、ＲＦパワー密度は７５
ｍＷ／ｃｍ2 、そして成膜温度は２００℃に設定され
た。
【００２５】このような実施例１の太陽電池に入射光３
としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量で照
射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．８
７７Ｖ、短絡電流密度が１７．１ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因
子が７５．０％、そして変換効率が１１．２％であっ
た。
としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量で照
射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．８
７７Ｖ、短絡電流密度が１７．１ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因
子が７５．０％、そして変換効率が１１．２％であっ
た。
【００２６】（比較例１）非晶質シリコン光電変換層１
１２Ａを３５０ｎｍの厚さに成膜した後に遷移層１１２
Ｂを省略してｎ型微結晶シリコン層１１３が形成された
ことを除いて、実施例１と同様の条件で非晶質シリコン
系太陽電池が比較例１として作製された。この比較例１
の太陽電池に入射光３としてＡＭ１．５の光を１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2の光量で照射したときの出力特性において
は、開放端電圧が０．８２９Ｖ、短絡電流密度が１６．
６ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子が６７．５％、そして変換効
率が９．３％であった。
１２Ａを３５０ｎｍの厚さに成膜した後に遷移層１１２
Ｂを省略してｎ型微結晶シリコン層１１３が形成された
ことを除いて、実施例１と同様の条件で非晶質シリコン
系太陽電池が比較例１として作製された。この比較例１
の太陽電池に入射光３としてＡＭ１．５の光を１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2の光量で照射したときの出力特性において
は、開放端電圧が０．８２９Ｖ、短絡電流密度が１６．
６ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子が６７．５％、そして変換効
率が９．３％であった。
【００２７】（比較例２）ｎ型微結晶シリコン層１１３
の厚さを増大させて３０ｎｍにしたことを除いて、比較
例１と同様の条件で非晶質シリコン系太陽電池が比較例
２として作製された。この比較例２の太陽電池に入射光
３としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量で
照射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．
８８９Ｖ、短絡電流密度が１６．１ｍＡ／ｃｍ2 、曲線
因子が６９．０％、そして変換効率が９．９％であっ
た。
の厚さを増大させて３０ｎｍにしたことを除いて、比較
例１と同様の条件で非晶質シリコン系太陽電池が比較例
２として作製された。この比較例２の太陽電池に入射光
３としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量で
照射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．
８８９Ｖ、短絡電流密度が１６．１ｍＡ／ｃｍ2 、曲線
因子が６９．０％、そして変換効率が９．９％であっ
た。
【００２８】（実施例１と比較例１および２との比較）
実施例１と比較例１および２との比較から明らかなよう
に、ノンドープシリコン遷移層１１２Ｂをｉ型非晶質シ
リコン光電変換層１１２Ａとｎ型微結晶シリコン層１１
３との間の介在層として設けることによって、太陽電池
の光電変換効率が明らかに向上することがわかる。この
ことは、以下のように理解することができる。
実施例１と比較例１および２との比較から明らかなよう
に、ノンドープシリコン遷移層１１２Ｂをｉ型非晶質シ
リコン光電変換層１１２Ａとｎ型微結晶シリコン層１１
３との間の介在層として設けることによって、太陽電池
の光電変換効率が明らかに向上することがわかる。この
ことは、以下のように理解することができる。
【００２９】先行技術においては、非晶質シリコン層上
に直接ｎ型微結晶シリコン層を形成しようとする場合、
そのｎ型層中で容易に微結晶化が起こらないので、十分
に微結晶化させるためにはｎ型層の厚さを大きくする必
要があった。したがって、比較例１ではｎ型層が薄いた
めに十分に微結晶化することができなくてｎ型層として
能力不足になり、その結果として太陽電池特性における
曲線因子が低くなっていると考えられる。また、比較例
２のようにｎ型層が厚い場合には、遷移層１１２Ｂがな
くてもそのｎ型層の微結晶化が進んで開放端電圧が比較
的高くなっているが、厚いｎ型層における光吸収ロスと
厚さ方向の抵抗値の増大が顕著になるために短絡電流密
度が低下している。
に直接ｎ型微結晶シリコン層を形成しようとする場合、
そのｎ型層中で容易に微結晶化が起こらないので、十分
に微結晶化させるためにはｎ型層の厚さを大きくする必
要があった。したがって、比較例１ではｎ型層が薄いた
めに十分に微結晶化することができなくてｎ型層として
能力不足になり、その結果として太陽電池特性における
曲線因子が低くなっていると考えられる。また、比較例
２のようにｎ型層が厚い場合には、遷移層１１２Ｂがな
くてもそのｎ型層の微結晶化が進んで開放端電圧が比較
的高くなっているが、厚いｎ型層における光吸収ロスと
厚さ方向の抵抗値の増大が顕著になるために短絡電流密
度が低下している。
【００３０】他方、実施例１のように薄いノンドープシ
リコン遷移層１１２Ｂが形成される場合には、図１に示
されているｎ型層１１３との界面１Ｓの近傍で、この遷
移層１１２Ｂに結晶核が発生する。界面１Ｓにおける遷
移層１１２Ｂ中のこれらの結晶核はｎ型層１１３中の微
結晶成長の種となり得るので、ｎ型層１１３はその膜厚
が薄くても容易に微結晶化され、その結果として高い開
放端電圧が得られる。また、遷移層１１２Ｂはその膜厚
が薄いので核発生層も薄くて、その大半がノンドープ非
晶質層であるので光電変換に直接寄与し得る活性層とな
り、この遷移層１１２Ｂにおける光吸収ロスが少ないこ
とから短絡電流密度も高い値が得られている。
リコン遷移層１１２Ｂが形成される場合には、図１に示
されているｎ型層１１３との界面１Ｓの近傍で、この遷
移層１１２Ｂに結晶核が発生する。界面１Ｓにおける遷
移層１１２Ｂ中のこれらの結晶核はｎ型層１１３中の微
結晶成長の種となり得るので、ｎ型層１１３はその膜厚
が薄くても容易に微結晶化され、その結果として高い開
放端電圧が得られる。また、遷移層１１２Ｂはその膜厚
が薄いので核発生層も薄くて、その大半がノンドープ非
晶質層であるので光電変換に直接寄与し得る活性層とな
り、この遷移層１１２Ｂにおける光吸収ロスが少ないこ
とから短絡電流密度も高い値が得られている。
【００３１】（実施例２と３および比較例３）実施例２
と３および比較例３による非晶質シリコン系薄膜太陽電
池は実施例１と同様に作製されたものであり、シリコン
遷移層１１２Ｂの膜厚が種々に変化させられたことのみ
において異なっている。なお、光電変換層１１２Ａと遷
移層１１２Ｂの合計厚さは、３５０ｎｍに維持された。
これらの実施例２と３および比較例３の太陽電池に入射
光としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量で
照射したときの出力特性である開放端電圧（Ｖｏｃ）、
短絡電流密度（Ｊｓｃ）、曲線因子（Ｆ．Ｆ．）、およ
び変換効率（Ｅｆｆｉ．）として、表１に示されている
ような結果が得られた。なお、表１においては、実施例
１と比較例１の結果も併記されている。
と３および比較例３による非晶質シリコン系薄膜太陽電
池は実施例１と同様に作製されたものであり、シリコン
遷移層１１２Ｂの膜厚が種々に変化させられたことのみ
において異なっている。なお、光電変換層１１２Ａと遷
移層１１２Ｂの合計厚さは、３５０ｎｍに維持された。
これらの実施例２と３および比較例３の太陽電池に入射
光としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量で
照射したときの出力特性である開放端電圧（Ｖｏｃ）、
短絡電流密度（Ｊｓｃ）、曲線因子（Ｆ．Ｆ．）、およ
び変換効率（Ｅｆｆｉ．）として、表１に示されている
ような結果が得られた。なお、表１においては、実施例
１と比較例１の結果も併記されている。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１からわかるように、比較例３のように
遷移層１１２Ｂの膜厚が大きすぎる場合には、その中に
おいて界面１Ｓ近傍で微結晶化が生じ、非晶質領域と微
結晶領域とが局所的に混在した中途半端な構造を有する
膜となるので、光電変換によって発生したキャリアの輸
送特性が悪化し、光電変換活性層としての機能が低下し
てしまう。その結果、太陽電池としての光電変換効率は
実施例１〜３に比べてかえって低下している。以上のよ
うな表１の検討結果からわかるように、遷移層１１２Ｂ
の膜厚は５〜３０ｎｍの範囲内に設定されることが好ま
しい。
遷移層１１２Ｂの膜厚が大きすぎる場合には、その中に
おいて界面１Ｓ近傍で微結晶化が生じ、非晶質領域と微
結晶領域とが局所的に混在した中途半端な構造を有する
膜となるので、光電変換によって発生したキャリアの輸
送特性が悪化し、光電変換活性層としての機能が低下し
てしまう。その結果、太陽電池としての光電変換効率は
実施例１〜３に比べてかえって低下している。以上のよ
うな表１の検討結果からわかるように、遷移層１１２Ｂ
の膜厚は５〜３０ｎｍの範囲内に設定されることが好ま
しい。
【００３４】（実施例４と５および比較例４）実施例４
と５および比較例４による非晶質シリコン系薄膜太陽電
池は実施例１と同様に作製されたものであり、ｎ型層１
１３の厚さが種々に変化させられたことのみにおいて異
なっている。表２においては、表１の場合と同様に、実
施例４と５および比較例４による太陽電池の光電変換特
性が示されており、実施例１と比較例２の太陽電池の光
電変換特性も併記されている。
と５および比較例４による非晶質シリコン系薄膜太陽電
池は実施例１と同様に作製されたものであり、ｎ型層１
１３の厚さが種々に変化させられたことのみにおいて異
なっている。表２においては、表１の場合と同様に、実
施例４と５および比較例４による太陽電池の光電変換特
性が示されており、実施例１と比較例２の太陽電池の光
電変換特性も併記されている。
【００３５】
【表２】
【００３６】表２において、比較例４のようにｎ型層１
１３の膜厚が薄くて３ｎｍである場合には、ｎ型層とし
て十分に機能しないので、太陽電池としての変換効率が
低くなっている。他方、比較例２のようにｎ型層１１３
の膜厚が３０ｎｍで大きすぎる場合には、ｎ型層による
光吸収ロスと抵抗値が大きいために短絡電流密度が低下
している。このような表２における検討結果からわかる
ように、ｎ型層１１３の膜厚は、５〜１０ｎｍの範囲内
に設定されることが好ましい。
１３の膜厚が薄くて３ｎｍである場合には、ｎ型層とし
て十分に機能しないので、太陽電池としての変換効率が
低くなっている。他方、比較例２のようにｎ型層１１３
の膜厚が３０ｎｍで大きすぎる場合には、ｎ型層による
光吸収ロスと抵抗値が大きいために短絡電流密度が低下
している。このような表２における検討結果からわかる
ように、ｎ型層１１３の膜厚は、５〜１０ｎｍの範囲内
に設定されることが好ましい。
【００３７】（実施例６〜９および比較例５と６）実施
例６〜９および比較例５と６による非晶質シリコン系薄
膜太陽電池は実施例１と同様に作製されたものであり、
光電変換層１１２Ａと遷移層１１２Ｂの堆積の際におけ
るシランに対する水素の流量比が種々に変えられたこと
のみにおいて異なっている。表３においては、これらの
実施例６〜９および比較例５と６による太陽電池の光電
変換特性が示されており、実施例１の太陽電池の光電変
換特性も併記されている。
例６〜９および比較例５と６による非晶質シリコン系薄
膜太陽電池は実施例１と同様に作製されたものであり、
光電変換層１１２Ａと遷移層１１２Ｂの堆積の際におけ
るシランに対する水素の流量比が種々に変えられたこと
のみにおいて異なっている。表３においては、これらの
実施例６〜９および比較例５と６による太陽電池の光電
変換特性が示されており、実施例１の太陽電池の光電変
換特性も併記されている。
【００３８】
【表３】
【００３９】表３からわかるように、比較例５のように
遷移層１１２Ｂの堆積の間にシランに対する水素の流量
比が５０倍に満たない３０倍の場合には、十分な光電変
換特性が得られない。これは、水素希釈率が低いために
遷移層１１２Ｂが界面１Ｓ近傍においても十分な結晶核
を生じることができず、そのためにｎ型層１１３の微結
晶化が不十分になったためであると考えられる。他方、
比較例６におけるように、光電変換層１１２Ａの堆積の
間にシランに対する水素の流量比が５倍を超えて２０倍
であった場合には、光電変換層１１２Ａ自体が完全な非
晶質にならずに結晶核が混在した膜になったと考えられ
る。そのために、光電変換層１１２Ａ内の不均一性によ
って光電変換機能が低下するとともに、キャリアのスム
ースな流れが阻害されて光電変換効率が顕著に低下した
ものと考えられる。
遷移層１１２Ｂの堆積の間にシランに対する水素の流量
比が５０倍に満たない３０倍の場合には、十分な光電変
換特性が得られない。これは、水素希釈率が低いために
遷移層１１２Ｂが界面１Ｓ近傍においても十分な結晶核
を生じることができず、そのためにｎ型層１１３の微結
晶化が不十分になったためであると考えられる。他方、
比較例６におけるように、光電変換層１１２Ａの堆積の
間にシランに対する水素の流量比が５倍を超えて２０倍
であった場合には、光電変換層１１２Ａ自体が完全な非
晶質にならずに結晶核が混在した膜になったと考えられ
る。そのために、光電変換層１１２Ａ内の不均一性によ
って光電変換機能が低下するとともに、キャリアのスム
ースな流れが阻害されて光電変換効率が顕著に低下した
ものと考えられる。
【００４０】（実施例１０）以下に言及される成膜条件
を除いて実施例１の場合と同様の条件で、実施例１０の
非晶質シリコン系薄膜太陽電池が作製された。
を除いて実施例１の場合と同様の条件で、実施例１０の
非晶質シリコン系薄膜太陽電池が作製された。
【００４１】ノンドープｉ型非晶質シリコン光電変換層
１１２Ａは、３２０ｎｍの厚さに堆積された。ノンドー
プのシリコン遷移層１１２Ｂは、その中間の膜厚２０ｎ
ｍまではシランに対する水素の流量比が１０倍の下で堆
積され、その後の最終膜厚３０ｎｍまではシランに対す
る水素の流量比が６０倍の下で堆積された。
１１２Ａは、３２０ｎｍの厚さに堆積された。ノンドー
プのシリコン遷移層１１２Ｂは、その中間の膜厚２０ｎ
ｍまではシランに対する水素の流量比が１０倍の下で堆
積され、その後の最終膜厚３０ｎｍまではシランに対す
る水素の流量比が６０倍の下で堆積された。
【００４２】このような実施例１０の太陽電池に入射光
３としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で
照射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．
８８９Ｖ、短絡電流密度が１７．３ｍＡ／ｃｍ2、曲線
因子が７４．６％、そして変換効率が１１．５％であっ
た。
３としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で
照射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．
８８９Ｖ、短絡電流密度が１７．３ｍＡ／ｃｍ2、曲線
因子が７４．６％、そして変換効率が１１．５％であっ
た。
【００４３】（実施例１１）以下に言及される成膜条件
を除いて、実施例１の場合と同様の条件で実施例１１に
よる非晶質シリコン太陽電池が作製された。
を除いて、実施例１の場合と同様の条件で実施例１１に
よる非晶質シリコン太陽電池が作製された。
【００４４】非晶質シリコン光電変換層１１２Ａは、３
２０ｎｍの厚さに堆積された。遷移層１１２Ｂは、初め
の１５ｎｍの厚さまではシランに対する水素ガスの流量
比が１０倍の下で堆積され、その後の２５ｎｍの中間厚
さまではシランに対する水素の流量比が２０倍の下で堆
積され、さらにその後の最終膜厚３０ｎｍまではシラン
に対する水素の流量比が６０倍の下で堆積された。
２０ｎｍの厚さに堆積された。遷移層１１２Ｂは、初め
の１５ｎｍの厚さまではシランに対する水素ガスの流量
比が１０倍の下で堆積され、その後の２５ｎｍの中間厚
さまではシランに対する水素の流量比が２０倍の下で堆
積され、さらにその後の最終膜厚３０ｎｍまではシラン
に対する水素の流量比が６０倍の下で堆積された。
【００４５】この実施例１１の太陽電池に入射光３とし
てＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で照射し
たときの出力特性においては、開放端電圧が０．９０１
Ｖ、短絡電流密度が１７．２ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子が
７５．０％、そして変換効率が１１．６％であった。
てＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で照射し
たときの出力特性においては、開放端電圧が０．９０１
Ｖ、短絡電流密度が１７．２ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子が
７５．０％、そして変換効率が１１．６％であった。
【００４６】以上のような実施例１０および１１と実施
例１との比較からわかるように、遷移層１１２Ｂの堆積
の間にシランに対する水素の混合比を段階的に高めるこ
とによって光電変換効率がさらに改善されることがわか
る。なお、遷移層１１２Ｂの堆積の間にシランに対する
水素の混合比が連続的に高められてもよいことは、言う
までもない。
例１との比較からわかるように、遷移層１１２Ｂの堆積
の間にシランに対する水素の混合比を段階的に高めるこ
とによって光電変換効率がさらに改善されることがわか
る。なお、遷移層１１２Ｂの堆積の間にシランに対する
水素の混合比が連続的に高められてもよいことは、言う
までもない。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、非晶質シリコン系光電変換層を含む光電変換装置の
高性能化に大きく貢献することができる。
ば、非晶質シリコン系光電変換層を含む光電変換装置の
高性能化に大きく貢献することができる。
【図１】本発明の１つの実施の形態による非晶質シリコ
ン系薄膜光電変換装置を説明するための模式的な断面図
である。
ン系薄膜光電変換装置を説明するための模式的な断面図
である。
１ ガラス等の基板、２ ＳｎＯ2等の透明電極、３
入射光、１２ 裏面電極、１１ 非晶質シリコン系薄膜
光電変換ユニット、１１１ ｐ型非晶質シリコン系層、
１１２Ａ ノンドープ非晶質シリコン系薄膜光電変換
層、１１２Ｂ ノンドープシリコン系遷移層、１１３
ｎ型微結晶シリコン系層、１Ｓ 遷移層とｎ型層との界
面、１２１ ＺｎＯ等の透明導電性酸化膜、１２２ Ａ
ｇ等の金属膜。
入射光、１２ 裏面電極、１１ 非晶質シリコン系薄膜
光電変換ユニット、１１１ ｐ型非晶質シリコン系層、
１１２Ａ ノンドープ非晶質シリコン系薄膜光電変換
層、１１２Ｂ ノンドープシリコン系遷移層、１１３
ｎ型微結晶シリコン系層、１Ｓ 遷移層とｎ型層との界
面、１２１ ＺｎＯ等の透明導電性酸化膜、１２２ Ａ
ｇ等の金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA08 AB01 AB03 AB04 AB06 AC01 AD05 AD06 AE19 AF07 BB16 CA13 CB10 DA53 EE12 GB19 5F051 AA04 AA05 CA07 CA15 DA04 GA03
Claims (3)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に順に積層される透明電
極、非晶質シリコン系光電変換ユニット、および裏面電
極を含み、前記光電変換ユニットはプラズマＣＶＤで順
に堆積されるｐ型非晶質層、実質的にｉ型の非晶質光電
変換層、実質的にｉ型の遷移層、およびｎ型微結晶層を
含む非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であ
って、 前記プラズマＣＶＤにおいて、前記光電変換層を堆積す
る間にシラン系原料ガスに対する水素希釈ガスのガス混
合比が５倍以下であり、 前記遷移層を堆積する間の前記混合ガス比は最低限でも
５倍より大きくて、少なくともその遷移層の堆積の実質
的な終了時においては５０倍以上であり、 前記遷移層は５〜３０ｎｍの範囲内の厚さに堆積される
ことを特徴とする非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記遷移層の堆積速度は前記光電変換層
の堆積速度と実質的に同一に維持されることを特徴とす
る請求項１に記載の非晶質シリコン系薄膜光電変換装置
の製造方法。 - 【請求項３】 前記ｎ型微結晶層が５〜１０ｎｍの範囲
内の厚さに堆積されることを特徴とする請求項１または
２に記載の非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35327799A JP2001168364A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35327799A JP2001168364A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168364A true JP2001168364A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18429752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35327799A Withdrawn JP2001168364A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168364A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741144B2 (en) | 2007-11-02 | 2010-06-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment between deposition processes |
| WO2013161668A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2015185593A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-12-13 JP JP35327799A patent/JP2001168364A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741144B2 (en) | 2007-11-02 | 2010-06-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment between deposition processes |
| WO2013161668A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP5726377B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-05-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JPWO2013161668A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-12-24 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2015185593A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |