JP2001160745A - 負荷を電子的に接続するためのスイッチに対する制御装置 - Google Patents
負荷を電子的に接続するためのスイッチに対する制御装置Info
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- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 負荷を電子的に接続するためのスイッチに対
する制御装置において、１２Ｖに充電された蓄積コンデ
ンサの電位が４２Ｖ分上昇させられる公知の解決手段と
比較し、必要な構成素子を節約し、構成素子への負担を
軽減することである。 【解決手段】 スイッチは、動作電圧源と負荷の間に並
列に配置された１つもしくは複数の電界効果トランジス
タ（Ｔ３）を有し、該電界効果トランジスタのゲート電
圧を発生させるためにハーフブリッジ回路（ＨＢ）と電
荷ポンプ（Ｌ）が設けられており、該ハーフブリッジ回
路（ＨＢ）はクロック信号入力側端子（Ｅ１）を有し、
前記電荷ポンプ（Ｌ）は、４２Ｖの供給電圧に対して第
１の供給電圧端子（Ｋ１）を有するように制御装置を構
成する。
する制御装置において、１２Ｖに充電された蓄積コンデ
ンサの電位が４２Ｖ分上昇させられる公知の解決手段と
比較し、必要な構成素子を節約し、構成素子への負担を
軽減することである。 【解決手段】 スイッチは、動作電圧源と負荷の間に並
列に配置された１つもしくは複数の電界効果トランジス
タ（Ｔ３）を有し、該電界効果トランジスタのゲート電
圧を発生させるためにハーフブリッジ回路（ＨＢ）と電
荷ポンプ（Ｌ）が設けられており、該ハーフブリッジ回
路（ＨＢ）はクロック信号入力側端子（Ｅ１）を有し、
前記電荷ポンプ（Ｌ）は、４２Ｖの供給電圧に対して第
１の供給電圧端子（Ｋ１）を有するように制御装置を構
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、負荷を電子的に接
続するためのスイッチに対する制御装置に関する。
続するためのスイッチに対する制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＥ−Ａ１９５４８６１２から、２つの
端子を一時的に接続するための電子スイッチが公知であ
る。このスイッチは少なくとも２つの電気的に制御可能
な切換素子を有し、これらの素子は両端子間の線路に配
置されている。これらの電気的に制御可能な切換素子の
少なくとも１つは、電界効果トランジスタ、または、外
部接続または統合された過負荷遮断器を有する双方向性
構成素子である。
端子を一時的に接続するための電子スイッチが公知であ
る。このスイッチは少なくとも２つの電気的に制御可能
な切換素子を有し、これらの素子は両端子間の線路に配
置されている。これらの電気的に制御可能な切換素子の
少なくとも１つは、電界効果トランジスタ、または、外
部接続または統合された過負荷遮断器を有する双方向性
構成素子である。
【０００３】さらに、負荷を１２ボルト車載電源で電子
的にスイッチオンするためにリレーまたはいわゆるスマ
ートパワー構成素子（ＰＲＯＦＥＴ’ｓ）を使用するこ
とが既に公知である。これらの構成素子の電圧および電
流の使用領域は限られている。比較的高い動作電圧に対
しては、電子的に接続するには電力用半導体を用いない
限り不可能である。この電力用半導体には、ゲートを高
速に充電するゲートドライバ段が設けられている。
的にスイッチオンするためにリレーまたはいわゆるスマ
ートパワー構成素子（ＰＲＯＦＥＴ’ｓ）を使用するこ
とが既に公知である。これらの構成素子の電圧および電
流の使用領域は限られている。比較的高い動作電圧に対
しては、電子的に接続するには電力用半導体を用いない
限り不可能である。この電力用半導体には、ゲートを高
速に充電するゲートドライバ段が設けられている。
【０００４】ゲートドライバ段では、いわゆるハイサイ
ドスイッチが取り扱われる。このようなハイサイドスイ
ッチは負荷を接続するために設けられており、負荷の片
側はアース、例えば車体に接続されている。このスイッ
チ、有利にはＮチャネル出力ＭＯＳＦＥＴは、動作電圧
と負荷の間に配置されている。スイッチオンするために
このスイッチはゲート電圧を必要とし、ゲート電圧は、
例えば＋１２Ｖの供給電圧を介して印加されている。こ
のゲート電圧は、電荷ポンプと発振器を使用することに
よって発生させることができる。
ドスイッチが取り扱われる。このようなハイサイドスイ
ッチは負荷を接続するために設けられており、負荷の片
側はアース、例えば車体に接続されている。このスイッ
チ、有利にはＮチャネル出力ＭＯＳＦＥＴは、動作電圧
と負荷の間に配置されている。スイッチオンするために
このスイッチはゲート電圧を必要とし、ゲート電圧は、
例えば＋１２Ｖの供給電圧を介して印加されている。こ
のゲート電圧は、電荷ポンプと発振器を使用することに
よって発生させることができる。
【０００５】さらに、１２ボルト領域に対してはグライ
ナッヘル原理に基づいた電荷ポンプが公知である。これ
は２倍もしくは３倍の電圧により動作し、この電圧は、
ダイオードとコンデンサの組み合わせをカスケード接続
することによって達成される。原理的制限から、入力側
電圧の整数倍のみ調節可能である。しかし入力側電圧は
ダイオードの順方向電圧分は減少する。
ナッヘル原理に基づいた電荷ポンプが公知である。これ
は２倍もしくは３倍の電圧により動作し、この電圧は、
ダイオードとコンデンサの組み合わせをカスケード接続
することによって達成される。原理的制限から、入力側
電圧の整数倍のみ調節可能である。しかし入力側電圧は
ダイオードの順方向電圧分は減少する。
【０００６】さらに、ブートストラップ方式に基づいて
動作する電荷ポンプが既に公知である。
動作する電荷ポンプが既に公知である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、１２
Ｖに充電された蓄積コンデンサの電位が４２Ｖ分上昇さ
せられる公知の解決手段と比較し、必要な構成素子を節
約し、構成素子への負担を軽減することである。
Ｖに充電された蓄積コンデンサの電位が４２Ｖ分上昇さ
せられる公知の解決手段と比較し、必要な構成素子を節
約し、構成素子への負担を軽減することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題は、負荷を電子
的に接続するためのスイッチに対する制御装置であっ
て、該スイッチは、動作電圧源と負荷の間に並列に配置
された１つもしくは複数の電界効果トランジスタを有
し、該電界効果トランジスタのゲート電圧を発生させる
ためにハーフブリッジ回路と電荷ポンプが設けられてお
り、前記ハーフブリッジ回路はクロック信号入力側端子
を有し、前記電荷ポンプは、４２Ｖの供給電圧に対して
第１の供給電圧端子を有することを特徴とする本発明に
よる制御装置を用いることによって解決される。
的に接続するためのスイッチに対する制御装置であっ
て、該スイッチは、動作電圧源と負荷の間に並列に配置
された１つもしくは複数の電界効果トランジスタを有
し、該電界効果トランジスタのゲート電圧を発生させる
ためにハーフブリッジ回路と電荷ポンプが設けられてお
り、前記ハーフブリッジ回路はクロック信号入力側端子
を有し、前記電荷ポンプは、４２Ｖの供給電圧に対して
第１の供給電圧端子を有することを特徴とする本発明に
よる制御装置を用いることによって解決される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による制御装置を実現する
ために必要な構成素子は、１２Ｖに適したスイッチング
トランジスタ、５４Ｖに適したダイオードそして４２Ｖ
用に設計されたコンデンサである。つまり、例えば公知
の解決手段と比較して高電圧用トランジスタの必要性は
なくなり、この高電圧用トランジスタを比較的少ない数
の比較的安価な小信号用トランジスタに置き換えること
ができる。
ために必要な構成素子は、１２Ｖに適したスイッチング
トランジスタ、５４Ｖに適したダイオードそして４２Ｖ
用に設計されたコンデンサである。つまり、例えば公知
の解決手段と比較して高電圧用トランジスタの必要性は
なくなり、この高電圧用トランジスタを比較的少ない数
の比較的安価な小信号用トランジスタに置き換えること
ができる。
【００１０】回路保護のために半導体ダイオードを付加
的に使用する必要もない。
的に使用する必要もない。
【００１１】
【実施例】図１は、負荷を電子的に接続するためのスイ
ッチに対する本発明による制御装置の実施例を示してい
る。負荷Ｖに前記スイッチを介して自動車の車載電源か
ら４２Ｖの供給電圧が供給されなければならない。供給
電圧は接続端子Ｋ４に供給される。
ッチに対する本発明による制御装置の実施例を示してい
る。負荷Ｖに前記スイッチを介して自動車の車載電源か
ら４２Ｖの供給電圧が供給されなければならない。供給
電圧は接続端子Ｋ４に供給される。
【００１２】入力側スイッチは１つまたは複数の電界効
果トランジスタＴ３を有し、これら電界効果トランジス
タのドレイン−ソース区間は、接続端子Ｋ４と負荷Ｖの
間に配置されている。図１に示されている実施例ではこ
のような電界効果トランジスタが設けられている。電界
効果トランジスタのドレイン端子は接続端子Ｋ４と接続
されており、ソース端子は負荷Ｖと接続されている。
果トランジスタＴ３を有し、これら電界効果トランジス
タのドレイン−ソース区間は、接続端子Ｋ４と負荷Ｖの
間に配置されている。図１に示されている実施例ではこ
のような電界効果トランジスタが設けられている。電界
効果トランジスタのドレイン端子は接続端子Ｋ４と接続
されており、ソース端子は負荷Ｖと接続されている。
【００１３】電界効果トランジスタＴ３を導通接続もし
くは導電接続し、その導通動作を維持するために、十分
大きい電圧がゲート端子Ｇにおいて必要である。この大
きな電圧は制御装置を使用することによって発生させら
れ、この制御装置は、ハーフブリッジ回路ＨＢと電荷ポ
ンプＬを有する。
くは導電接続し、その導通動作を維持するために、十分
大きい電圧がゲート端子Ｇにおいて必要である。この大
きな電圧は制御装置を使用することによって発生させら
れ、この制御装置は、ハーフブリッジ回路ＨＢと電荷ポ
ンプＬを有する。
【００１４】ハーフブリッジ回路ＨＢの制御はクロック
信号ＣＫによって行われ、このクロック信号は入力側端
子Ｅ１に供給される。
信号ＣＫによって行われ、このクロック信号は入力側端
子Ｅ１に供給される。
【００１５】クロック信号ＣＫは、有利には１００ｋＨ
ｚのオーダーの周波数の矩形信号である。
ｚのオーダーの周波数の矩形信号である。
【００１６】クロック信号ＣＫは、２つの電界効果トラ
ンジスタＴ１とＴ２を制御するために使用され、これら
の電界効果トランジスタは交互に導通および遮断する。
ンジスタＴ１とＴ２を制御するために使用され、これら
の電界効果トランジスタは交互に導通および遮断する。
【００１７】１２Ｖの供給電圧が印加されている第２の
供給電圧端子Ｋ２は、電界効果トランジスタＴ１のソー
ス電極と接続されており、電界効果トランジスタＴ１は
ハーフブリッジのハイサイドスイッチである。ハーフブ
リッジのローサイドスイッチを形成する電界効果トラン
ジスタＴ２のソース端子はアース電位に置かれている。
両電界効果トランジスタＴ１とＴ２のドレイン端子は互
いに接続されており、回路点Ｐ１を形成する。電界効果
トランジスタＴ１とＴ２が交互に導通することによっ
て、回路点Ｐ１に跳躍的な電位が発生する。
供給電圧端子Ｋ２は、電界効果トランジスタＴ１のソー
ス電極と接続されており、電界効果トランジスタＴ１は
ハーフブリッジのハイサイドスイッチである。ハーフブ
リッジのローサイドスイッチを形成する電界効果トラン
ジスタＴ２のソース端子はアース電位に置かれている。
両電界効果トランジスタＴ１とＴ２のドレイン端子は互
いに接続されており、回路点Ｐ１を形成する。電界効果
トランジスタＴ１とＴ２が交互に導通することによっ
て、回路点Ｐ１に跳躍的な電位が発生する。
【００１８】トランジスタＴ２が導通する場合、ハーフ
ブリッジの出力側Ｐ１はトランジスタＴ２のドレイン−
ソース区間を介してアース電位に置かれている。これに
より、電荷ポンプＬの充電コンデンサＣ１はダイオード
Ｄ１を介して、接続端子Ｋ１に供給される４２Ｖの供給
電圧に充電することができる。
ブリッジの出力側Ｐ１はトランジスタＴ２のドレイン−
ソース区間を介してアース電位に置かれている。これに
より、電荷ポンプＬの充電コンデンサＣ１はダイオード
Ｄ１を介して、接続端子Ｋ１に供給される４２Ｖの供給
電圧に充電することができる。
【００１９】トランジスタＴ１が導通する場合、ハーフ
ブリッジの出力側Ｐ１にトランジスタＴ１のソース−ド
レイン区間を介して、入力側端子Ｋ２に存在する１２Ｖ
の第２供給電圧が供給される。これにより、ダイオード
Ｄ１は遮断され、充電コンデンサＣ１は電荷を、今は導
通するダイオードＤ２を介して蓄積コンデンサＣ２に伝
達する。
ブリッジの出力側Ｐ１にトランジスタＴ１のソース−ド
レイン区間を介して、入力側端子Ｋ２に存在する１２Ｖ
の第２供給電圧が供給される。これにより、ダイオード
Ｄ１は遮断され、充電コンデンサＣ１は電荷を、今は導
通するダイオードＤ２を介して蓄積コンデンサＣ２に伝
達する。
【００２０】トランジスタＴ２が次に導通接続される
と、ハーフブリッジの出力側Ｐ１は新たにトランジスタ
Ｔ２を介してアース電位に置かれる。これにより、充電
コンデンサＣ１は再びＤ１を介して、接続端子Ｋ１に存
在する４２Ｖの供給電圧に充電される。このときダイオ
ードＤ２は遮断される。
と、ハーフブリッジの出力側Ｐ１は新たにトランジスタ
Ｔ２を介してアース電位に置かれる。これにより、充電
コンデンサＣ１は再びＤ１を介して、接続端子Ｋ１に存
在する４２Ｖの供給電圧に充電される。このときダイオ
ードＤ２は遮断される。
【００２１】その後トランジスタＴ２が遮断状態、そし
てトランジスタＴ１が導通状態にされる新たに、充電コ
ンデンサＣ１に蓄えられた電荷の蓄積コンデンサＣ２へ
の伝達が行われる。
てトランジスタＴ１が導通状態にされる新たに、充電コ
ンデンサＣ１に蓄えられた電荷の蓄積コンデンサＣ２へ
の伝達が行われる。
【００２２】蓄積コンデンサＣ２は、電界効果トランジ
スタＴ３のゲートＧと直接接続されている。この結果、
前記のポンピング経過によってトランジスタＴ３のゲー
ト端子における電圧もしくは電位は、Ｔ３が導通状態に
なり、且つそれを維持できるまで上昇される。
スタＴ３のゲートＧと直接接続されている。この結果、
前記のポンピング経過によってトランジスタＴ３のゲー
ト端子における電圧もしくは電位は、Ｔ３が導通状態に
なり、且つそれを維持できるまで上昇される。
【００２３】Ｔ３が導通状態の時、接続端子Ｋ４に供給
される４２Ｖの供給電圧が自動車の車載電源から負荷Ｖ
に到達する。この負荷Ｖは電界効果トランジスタＴ３の
ソース端子Ｓと接続されている。
される４２Ｖの供給電圧が自動車の車載電源から負荷Ｖ
に到達する。この負荷Ｖは電界効果トランジスタＴ３の
ソース端子Ｓと接続されている。
【００２４】公知の電荷ポンプとは異なり、充電コンデ
ンサＣ１はトランジスタＴ２が導通状態の場合ダイオー
ドＤ１を介して４２Ｖの供給電圧によって充電される。
ただしダイオードＤ１の順方向電圧は差し引かれる。こ
の電圧は、トランジスタＴ２が遮断されているとき蓄積
コンデンサＣ２へ伝達される。引き続いて、電荷ポンプ
によって蓄積コンデンサＣ２における電圧レベルがさら
に１２Ｖ分だけ高められ、その結果、電界効果トランジ
スタＴ３のゲートに印加される電圧Ｕ2は、アースに対
して４２Ｖ＋１２Ｖ＝５４Ｖになる。
ンサＣ１はトランジスタＴ２が導通状態の場合ダイオー
ドＤ１を介して４２Ｖの供給電圧によって充電される。
ただしダイオードＤ１の順方向電圧は差し引かれる。こ
の電圧は、トランジスタＴ２が遮断されているとき蓄積
コンデンサＣ２へ伝達される。引き続いて、電荷ポンプ
によって蓄積コンデンサＣ２における電圧レベルがさら
に１２Ｖ分だけ高められ、その結果、電界効果トランジ
スタＴ３のゲートに印加される電圧Ｕ2は、アースに対
して４２Ｖ＋１２Ｖ＝５４Ｖになる。
【００２５】Ｔ３のソース端子に、Ｔ３が導通状態の時
４２Ｖの供給電圧が印加されるから、Ｔ３のドレイン電
極とソース電極の間の電位差は、Ｔ３を導通状態に維持
するのに十分な大きさである。
４２Ｖの供給電圧が印加されるから、Ｔ３のドレイン電
極とソース電極の間の電位差は、Ｔ３を導通状態に維持
するのに十分な大きさである。
【００２６】入力側端子Ｅ１に印加されているクロック
信号ＣＫは、図示されていないプロセッサによって供給
することができる。さらに、前記のクロック信号を、帰
還結合された反転型シュミットトリガを使用することで
発生させることができる。図２に示されているように、
帰還接続されたＮＡＮＤシュミットトリガをクロック信
号ＣＫの発生のために用いると、クロック信号の発生を
作動信号もしくはイネーブル信号を入力することによっ
て開始できる。図２に示されたクロック信号発生の実施
例では、前記イネーブル信号はＮＡＮＤゲートの第１入
力側に供給される。このゲートは出力側に前記クロック
信号ＣＫを供給し、このクロック信号はさらに抵抗Ｒｔ
を介してＮＡＮＤゲートの第２入力側に帰還供給されて
いる。ＮＡＮＤゲートの第２入力側はさらにコンデンサ
Ｃｔを介してアースに接続されている。
信号ＣＫは、図示されていないプロセッサによって供給
することができる。さらに、前記のクロック信号を、帰
還結合された反転型シュミットトリガを使用することで
発生させることができる。図２に示されているように、
帰還接続されたＮＡＮＤシュミットトリガをクロック信
号ＣＫの発生のために用いると、クロック信号の発生を
作動信号もしくはイネーブル信号を入力することによっ
て開始できる。図２に示されたクロック信号発生の実施
例では、前記イネーブル信号はＮＡＮＤゲートの第１入
力側に供給される。このゲートは出力側に前記クロック
信号ＣＫを供給し、このクロック信号はさらに抵抗Ｒｔ
を介してＮＡＮＤゲートの第２入力側に帰還供給されて
いる。ＮＡＮＤゲートの第２入力側はさらにコンデンサ
Ｃｔを介してアースに接続されている。
【００２７】上に図１と関連して説明された実施例で
は、ダイオードＤ１とＤ２を介して流れる充電電流と放
電電流が大きいため、電流制限抵抗をダイオードに接続
すると有利である。
は、ダイオードＤ１とＤ２を介して流れる充電電流と放
電電流が大きいため、電流制限抵抗をダイオードに接続
すると有利である。
【００２８】択一的に、ハーフブリッジの出力側Ｐ１で
発生した電圧Ｕsに対して連続的な信号、例えば三角
形、台形、鋸歯形または正弦波形の信号を用いることも
可能である。このことは付加的に演算増幅器を使用する
必要があるが、しかし、充電抵抗を節約し、ダイオード
Ｄ１とＤ２への負荷を軽減できるという利点もある。
発生した電圧Ｕsに対して連続的な信号、例えば三角
形、台形、鋸歯形または正弦波形の信号を用いることも
可能である。このことは付加的に演算増幅器を使用する
必要があるが、しかし、充電抵抗を節約し、ダイオード
Ｄ１とＤ２への負荷を軽減できるという利点もある。
【図１】本発明による制御装置の実施例を示す回路図で
ある。
ある。
【図２】図１の入力側端子Ｅ１に供給されるクロック信
号を発生させるための回路図である。
号を発生させるための回路図である。
ＣＫ クロック信号 Ｌ 電荷ポンプ Ｖ 負荷 Ｃ１ 充電コンデンサ Ｃ２ 蓄積コンデンサ
Claims (15)
- 【請求項１】 負荷を電子的に接続するためのスイッチ
に対する制御装置において、 該スイッチは、動作電圧源と負荷の間に直列に配置され
た１つまたは複数の電界効果トランジスタ（Ｔ３）を有
し、 該電界効果トランジスタのゲート電圧を発生させるため
にハーフブリッジ回路（ＨＢ）と電荷ポンプ（Ｌ）が設
けられており、 前記ハーフブリッジ回路（ＨＢ）はクロック信号入力側
端子（Ｅ１）を有し、 前記電荷ポンプ（Ｌ）は、４２Ｖの供給電圧に対する第
１の供給電圧端子（Ｋ１）を有する、ことを特徴とする
制御装置。 - 【請求項２】 前記第１供給電圧端子（Ｋ１）は、第１
ダイオード（Ｄ１）を介して充電コンデンサ（Ｃ１）の
第１端子（Ｐ２）と接続されている、請求項１記載の制
御装置。 - 【請求項３】 前記充電コンデンサ（Ｃ１）の第２端子
は、前記ハーフブリッジ回路（ＨＢ）の出力側（Ｐ１）
と接続されている、請求項２記載の制御装置。 - 【請求項４】 前記充電コンデンサ（Ｃ１）の第１端子
（Ｐ２）は、第２ダイオード（Ｄ２）を介して前記蓄積
コンデンサ（Ｃ２）の第１端子（Ｐ３）と接続されてい
る、請求項２または３記載の制御装置。 - 【請求項５】 前記蓄積コンデンサ（Ｃ２）の第１端子
（Ｐ３）は、電界効果トランジスタ（Ｔ３）のゲート端
子（Ｇ）と接続されている、請求項４記載の制御装置。 - 【請求項６】 前記蓄積コンデンサ（Ｃ２）の第２端子
は、第１供給電圧端子（Ｋ１）と接続されている、請求
項４または５記載の制御装置。 - 【請求項７】前記クロック信号入力側端子（Ｅ１）は、
ハーフブリッジ回路（ＨＢ）の２つの電界効果トランジ
スタ（Ｔ１、Ｔ２）のゲート電極と接続されており、 前記電界効果トランジスタの一方（Ｔ１）はハイサイド
スイッチであり、 他方の電界効果トランジスタ（Ｔ２）はローサイドスイ
ッチであり、 前記ハーフブリッジ回路（ＨＢ）の出力側（Ｐ１）は両
電界効果トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）の間に設けられて
いる、請求項１〜６のいずれか１項記載の制御装置。 - 【請求項８】 前記ハイサイドスイッチ（Ｔ１）は、１
２Ｖの第２供給電圧に対する第２供給電圧端子（Ｋ２）
と接続されており、 該第２供給電圧は、前記ハイサイドスイッチ（Ｔ１）が
導通する場合、ハーフブリッジ回路の出力側（Ｐ１）で
測定可能である、請求項７記載の制御装置。 - 【請求項９】 前記クロック信号入力側端子（Ｅ１）
は、プロセッサの出力側端子と接続されている、請求項
１〜８のいずれか１項記載の制御装置。 - 【請求項１０】 クロック信号入力側端子（Ｅ１）は、
クロック発振器の出力側端子と接続されている、請求項
１〜８のいずれか１項記載の制御装置。 - 【請求項１１】 クロック発振器はシュミットトリガで
ある、請求項１０記載の制御装置。 - 【請求項１２】 クロック発振器は、帰還結合されたＮ
ＡＮＤシュミットトリガであり、 該ＮＡＮＤシュミットトリガは、作動信号に対する入力
側を有する、請求項１１記載の制御装置。 - 【請求項１３】 前記ハーフブリッジ回路（ＨＢ）の出
力側（Ｐ１）で、矩形、三角形、台形、鋸歯形または正
弦波形の出力信号が取り出される、請求項１〜１２のい
ずれか一項記載の制御装置。 - 【請求項１４】 クロック信号（ＣＫ）は、１００ｋＨ
ｚの大きさの周波数を有する、請求項１〜１３のいずれ
か一項記載の制御装置。 - 【請求項１５】 電界効果トランジスタ（Ｔ３）のドレ
イン端子（Ｄ）は、第３供給電圧端子（Ｋ４）と接続さ
れており、 該第３供給電圧端子を介して、電界効果トランジスタは
４２Ｖの供給電圧に接続されている、請求項１〜１４の
いずれか一項記載の制御装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19950023.1 | 1999-10-09 | ||
| DE19950023A DE19950023A1 (de) | 1999-10-09 | 1999-10-09 | Ansteuervorrichtung für einen Schalter zum elektronischen Schalten eines Verbrauchers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160745A true JP2001160745A (ja) | 2001-06-12 |
Family
ID=7925960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000309160A Withdrawn JP2001160745A (ja) | 1999-10-09 | 2000-10-10 | 負荷を電子的に接続するためのスイッチに対する制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001160745A (ja) |
| DE (1) | DE19950023A1 (ja) |
| FR (1) | FR2799591B1 (ja) |
| GB (1) | GB2356504B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012167673A1 (zh) * | 2011-06-08 | 2012-12-13 | 湖南三一智能控制设备有限公司 | 一种电源电路 |
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