JP2001155996A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハ移載機に特殊機構の追加が必要でなく、
またウエハの処理プロセス性能への影響がなく、ウエハ
のボートでの落下または片落ちを防止できる半導体製造
装置を提供する。 【解決手段】ボート１のボート支柱４に設けられた溝部
５にウエハ飛び出し防止部（段差部６、突出板部７また
は突起部８）が設けられ、ウエハ飛び出し防止部は各ボ
ート支柱４の溝部５に外周部が支持されて載置されたウ
エハ２１の外周部の外側の位置で、隣り合ったボート支
柱４に設けられたウエハ飛び出し防止部の間隔Ｄａ、Ｄ
ｂまたはＤｃが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小
さくなる位置に設けられている。
またウエハの処理プロセス性能への影響がなく、ウエハ
のボートでの落下または片落ちを防止できる半導体製造
装置を提供する。 【解決手段】ボート１のボート支柱４に設けられた溝部
５にウエハ飛び出し防止部（段差部６、突出板部７また
は突起部８）が設けられ、ウエハ飛び出し防止部は各ボ
ート支柱４の溝部５に外周部が支持されて載置されたウ
エハ２１の外周部の外側の位置で、隣り合ったボート支
柱４に設けられたウエハ飛び出し防止部の間隔Ｄａ、Ｄ
ｂまたはＤｃが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小
さくなる位置に設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に半導体ウエハ（以下ウエハという）の熱処理
や成膜処理等の処理を行なう半導体製造装置に関する。
関し、特に半導体ウエハ（以下ウエハという）の熱処理
や成膜処理等の処理を行なう半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ウエハの熱処理や成膜処理等の
処理を行なう半導体製造装置（従来例１）は、図１の基
本構造を示す模式図で説明される。図１に示すように、
半導体製造装置は、ウエハを収納したキャリア２２の半
導体製造装置内外への供給・搬出部であるＩ／Ｏポート
１１、半導体製造装置内にてウエハを収納したキャリア
２２を保管するキャリアストッカ１２、ウエハを収納し
たキャリア２２のＩ／Ｏポート１１、キャリアストッカ
１２及びトランスファーステージ１３間の搬送を行うキ
ャリア移載機１４、キャリア２２を載置しキャリア２２
とウエハボート（以下ボートという）間のウエハ搬送時
のキャリア用ステージであるトランスファーステージ１
３、ウエハの熱処理や成膜処理等の処理を行なうためウ
エハを載置するボート１、トランスファーステージ１３
に載置されたキャリア２２とボート１間のウエハの搬送
を行うウエハ移載機１５、ボート１に載置されたウエハ
２１の熱処理や成膜処理等の処理を行う処理炉（図１で
は反応室となるプロセスチューブ１６のみ図示）、ウエ
ハ２１が載置されたボート１のウエハ移載位置とウエハ
処理位置（プロセスチューブ１６内）間の移動搬送を行
うボートエレベーター１７から構成されている。
処理を行なう半導体製造装置（従来例１）は、図１の基
本構造を示す模式図で説明される。図１に示すように、
半導体製造装置は、ウエハを収納したキャリア２２の半
導体製造装置内外への供給・搬出部であるＩ／Ｏポート
１１、半導体製造装置内にてウエハを収納したキャリア
２２を保管するキャリアストッカ１２、ウエハを収納し
たキャリア２２のＩ／Ｏポート１１、キャリアストッカ
１２及びトランスファーステージ１３間の搬送を行うキ
ャリア移載機１４、キャリア２２を載置しキャリア２２
とウエハボート（以下ボートという）間のウエハ搬送時
のキャリア用ステージであるトランスファーステージ１
３、ウエハの熱処理や成膜処理等の処理を行なうためウ
エハを載置するボート１、トランスファーステージ１３
に載置されたキャリア２２とボート１間のウエハの搬送
を行うウエハ移載機１５、ボート１に載置されたウエハ
２１の熱処理や成膜処理等の処理を行う処理炉（図１で
は反応室となるプロセスチューブ１６のみ図示）、ウエ
ハ２１が載置されたボート１のウエハ移載位置とウエハ
処理位置（プロセスチューブ１６内）間の移動搬送を行
うボートエレベーター１７から構成されている。
【０００３】ここで、ボート１はさらに構造を示す斜視
図である図２で説明される。図２に示すように、ボート
１は、縦型のウエハボートであり、２枚の並行な板であ
る底板２と頂板３と、これに垂直に接続された複数のボ
ート支柱４とから構成されている。また、各ボート支柱
４のボート内側面には所定間隔に複数の棚となる溝部５
が設けられている。そして、ウエハ２１は各ボート支柱
４の同一高さの溝部５に外周部が支持されて載置され
る。それゆえ、ウエハ移載機１５は上下方向にも移動し
てボート１へのウエハ２１の搬送を行なう。なお、ボー
ト１の各構成部材は、ウエハの汚染防止のため石英ガラ
ス、ＳｉＣ、シリコン等の材料で形成されている。
図である図２で説明される。図２に示すように、ボート
１は、縦型のウエハボートであり、２枚の並行な板であ
る底板２と頂板３と、これに垂直に接続された複数のボ
ート支柱４とから構成されている。また、各ボート支柱
４のボート内側面には所定間隔に複数の棚となる溝部５
が設けられている。そして、ウエハ２１は各ボート支柱
４の同一高さの溝部５に外周部が支持されて載置され
る。それゆえ、ウエハ移載機１５は上下方向にも移動し
てボート１へのウエハ２１の搬送を行なう。なお、ボー
ト１の各構成部材は、ウエハの汚染防止のため石英ガラ
ス、ＳｉＣ、シリコン等の材料で形成されている。
【０００４】そして、キャリア２２に収納されたウエハ
２１は、本半導体製造装置内に供給された後、ウエハ移
載機１５にてトランスファーステージ１３に載置された
キャリア２２から順次１枚ずつボート１に移載される。
ウエハ２１が載置されたボート１はプロセスチューブ１
６内にボートエレベーター１７により移動する。そし
て、プロセスチューブ１６内にてボート１に載置された
ウエハ２１の熱処理や成膜処理等の処理が行なわれる。
処理終了後、ウエハ２１が載置されたボート１はウエハ
処理位置（プロセスチューブ１６内）間からウエハ移載
位置にボートエレベーター１７により戻る（移動す
る）。そして、ボート１に載置されているウエハ２１
は、ウエハ移載機１５にて順次１枚ずつトランスファー
ステージ１３に載置されたキャリア２２に戻される（移
載される）。そして、キャリア２２に収納された処理済
のウエハ２１は、本半導体製造装置外に（次処理工程
に）搬出される。
２１は、本半導体製造装置内に供給された後、ウエハ移
載機１５にてトランスファーステージ１３に載置された
キャリア２２から順次１枚ずつボート１に移載される。
ウエハ２１が載置されたボート１はプロセスチューブ１
６内にボートエレベーター１７により移動する。そし
て、プロセスチューブ１６内にてボート１に載置された
ウエハ２１の熱処理や成膜処理等の処理が行なわれる。
処理終了後、ウエハ２１が載置されたボート１はウエハ
処理位置（プロセスチューブ１６内）間からウエハ移載
位置にボートエレベーター１７により戻る（移動す
る）。そして、ボート１に載置されているウエハ２１
は、ウエハ移載機１５にて順次１枚ずつトランスファー
ステージ１３に載置されたキャリア２２に戻される（移
載される）。そして、キャリア２２に収納された処理済
のウエハ２１は、本半導体製造装置外に（次処理工程
に）搬出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した一般的な半導
体製造装置において、ウエハ２１はキャリア２２からボ
ート１に移載されて処理が行われる。このとき、図５の
ウエハ２１のボート１での載置状態を示す断面図で示す
ように、ウエハ２１はボート１の複数のボート支柱４に
設けられた棚となる同一高さの溝部５上に、外周部が支
持されて水平状態に載置されている。このため、本半導
体製造装置のボートエレベータ１７、ウエハ移載機１
５、図示しないポンプ等の動作時の振動、及び周辺設置
装置、工場内自動搬送装置、工場用力装置等からの振動
により、ウエハ２１が位置ずれを生じる。
体製造装置において、ウエハ２１はキャリア２２からボ
ート１に移載されて処理が行われる。このとき、図５の
ウエハ２１のボート１での載置状態を示す断面図で示す
ように、ウエハ２１はボート１の複数のボート支柱４に
設けられた棚となる同一高さの溝部５上に、外周部が支
持されて水平状態に載置されている。このため、本半導
体製造装置のボートエレベータ１７、ウエハ移載機１
５、図示しないポンプ等の動作時の振動、及び周辺設置
装置、工場内自動搬送装置、工場用力装置等からの振動
により、ウエハ２１が位置ずれを生じる。
【０００６】このとき、図６のウエハ２１のボート１で
の載置状態を示す上視図で示すように、図６（ａ）に示
すウエハ２１が位置ずれを生じていない正常な位置での
載置状態に対し、図６（ｂ）に示すようにウエハ２１が
矢印の方向に位置ずれを生じこの位置ずれ量がボート支
柱４の溝部５の幅より大きくなるとＡ部の如くウエハ２
１の外周部がボート支柱４の溝部５上から外れてしま
い、ウエハ２１が落下または片落ちしてしまう。そして
このため、ウエハ２１の破損が生じたり、またはウエハ
移載機１５でのウエハ２１の搬送時に搬送ミスが生じる
という問題が有る。
の載置状態を示す上視図で示すように、図６（ａ）に示
すウエハ２１が位置ずれを生じていない正常な位置での
載置状態に対し、図６（ｂ）に示すようにウエハ２１が
矢印の方向に位置ずれを生じこの位置ずれ量がボート支
柱４の溝部５の幅より大きくなるとＡ部の如くウエハ２
１の外周部がボート支柱４の溝部５上から外れてしま
い、ウエハ２１が落下または片落ちしてしまう。そして
このため、ウエハ２１の破損が生じたり、またはウエハ
移載機１５でのウエハ２１の搬送時に搬送ミスが生じる
という問題が有る。
【０００７】そこでこの問題を解決するために、例えば
図７のウエハ２１のボート１での載置状態を示す断面図
で示すボート１（従来例２）が示されている。この場
合、図面上の左側のボート支柱４に設けられた溝部５ａ
の位置より中央側のボート支柱４に設けられた溝部５ａ
の位置を高位置に設けることにより、ウエハ２１を水平
より傾斜起立させて載置することが開示されている。
図７のウエハ２１のボート１での載置状態を示す断面図
で示すボート１（従来例２）が示されている。この場
合、図面上の左側のボート支柱４に設けられた溝部５ａ
の位置より中央側のボート支柱４に設けられた溝部５ａ
の位置を高位置に設けることにより、ウエハ２１を水平
より傾斜起立させて載置することが開示されている。
【０００８】この従来例２は、ウエハ２１をボート１に
水平より傾斜起立させて載置することによりウエハ２１
の落下を防止する点において効果を奏している。
水平より傾斜起立させて載置することによりウエハ２１
の落下を防止する点において効果を奏している。
【０００９】しかしながら、この従来例２ではボート１
に対してウエハ２１を傾斜させて載置させるため、ウエ
ハ移載機１５にウエハの姿勢変換機構、さらなるチャッ
ク機構等の特殊機構の追加が必要である。また、ボート
１のボート支柱４に設けられた溝部５ａの上下のピッチ
の拡大等が必要である。そして、作業上もウエハ移載機
１５での搬送マージンが少い、ウエハ移載機１５のボー
ト１でのウエハ載置位置のティーチングおよびそのティ
ーチング位置の確認が難しい等の問題もある。そしてま
た、ウエハ２１の処理プロセス性能面でも、ウエハ２１
がプロセスチューブ１６内で傾斜しているためプロセス
チューブ１６内の温度分布のばらつきにより例えば成膜
処理の場合ウエハ面内の膜厚均一性が悪化する等の問題
が生じる。
に対してウエハ２１を傾斜させて載置させるため、ウエ
ハ移載機１５にウエハの姿勢変換機構、さらなるチャッ
ク機構等の特殊機構の追加が必要である。また、ボート
１のボート支柱４に設けられた溝部５ａの上下のピッチ
の拡大等が必要である。そして、作業上もウエハ移載機
１５での搬送マージンが少い、ウエハ移載機１５のボー
ト１でのウエハ載置位置のティーチングおよびそのティ
ーチング位置の確認が難しい等の問題もある。そしてま
た、ウエハ２１の処理プロセス性能面でも、ウエハ２１
がプロセスチューブ１６内で傾斜しているためプロセス
チューブ１６内の温度分布のばらつきにより例えば成膜
処理の場合ウエハ面内の膜厚均一性が悪化する等の問題
が生じる。
【００１０】従って、本発明の目的は、ウエハ移載機に
特殊機構の追加が必要でなく、またウエハの処理プロセ
ス性能への影響がなく、ウエハのボートでの落下または
片落ちを防止できる半導体製造装置を提供することにあ
る。
特殊機構の追加が必要でなく、またウエハの処理プロセ
ス性能への影響がなく、ウエハのボートでの落下または
片落ちを防止できる半導体製造装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体ウエハを収納したキャリアを搬送するキャリ
ア移載手段と、前記半導体ウエハを載置するウエハボー
トと、前記キャリアと前記ウエハボート間の前記半導体
ウエハの搬送を行なうウエハ移載手段と、前記ウエハボ
ートに載置された前記半導体ウエハを処理するウエハ処
理手段とを有する半導体製造装置において、前記ウエハ
ボートは、２枚の並行な板である底板と頂板と、前記底
板及び頂板に垂直に接続された複数のボート支柱とから
なり、前記各ボート支柱の内側面に所定間隔に前記半導
体ウエハが載置される棚となる複数の溝部が設けられ、
前記溝部にウエハ飛び出し防止部が設けられていること
を特徴とする。
は、半導体ウエハを収納したキャリアを搬送するキャリ
ア移載手段と、前記半導体ウエハを載置するウエハボー
トと、前記キャリアと前記ウエハボート間の前記半導体
ウエハの搬送を行なうウエハ移載手段と、前記ウエハボ
ートに載置された前記半導体ウエハを処理するウエハ処
理手段とを有する半導体製造装置において、前記ウエハ
ボートは、２枚の並行な板である底板と頂板と、前記底
板及び頂板に垂直に接続された複数のボート支柱とから
なり、前記各ボート支柱の内側面に所定間隔に前記半導
体ウエハが載置される棚となる複数の溝部が設けられ、
前記溝部にウエハ飛び出し防止部が設けられていること
を特徴とする。
【００１２】また、前記ボート支柱に設けられた溝部に
設けられたウエハ飛び出し防止部は、前記各ボート支柱
の溝部に外周部が支持されて載置された前記半導体ウエ
ハの外周部の外側の位置で、隣り合った前記ボート支柱
に設けられたウエハ飛び出し防止部の間隔が載置された
前記半導体ウエハの直径より小さくなる位置に設けられ
ている。
設けられたウエハ飛び出し防止部は、前記各ボート支柱
の溝部に外周部が支持されて載置された前記半導体ウエ
ハの外周部の外側の位置で、隣り合った前記ボート支柱
に設けられたウエハ飛び出し防止部の間隔が載置された
前記半導体ウエハの直径より小さくなる位置に設けられ
ている。
【００１３】また、前記溝部に設けられたウエハ飛び出
し防止部は、前記溝部上に設けられた段差部である。ま
たは、前記溝部上に設けられ載置された前記半導体ウエ
ハの外周に沿って突出して設けられた突出板部である。
そしてまたは、前記溝部上に設けられた突起部である。
し防止部は、前記溝部上に設けられた段差部である。ま
たは、前記溝部上に設けられ載置された前記半導体ウエ
ハの外周に沿って突出して設けられた突出板部である。
そしてまたは、前記溝部上に設けられた突起部である。
【００１４】また、前記溝部上に設けられたウエハ飛び
出し防止部の高さは、載置された前記半導体ウエハの厚
さと同程度である。
出し防止部の高さは、載置された前記半導体ウエハの厚
さと同程度である。
【００１５】この様な本発明によれば、ウエハボートの
ボート支柱に設けられた溝部にウエハ飛び出し防止部が
設けられ、ウエハ飛び出し防止部は各ボート支柱の溝部
に外周部が支持されて載置された半導体ウエハの外周部
の外側の位置で、隣り合ったボート支柱に設けられたウ
エハ飛び出し防止部の間隔が載置された半導体ウエハの
直径より小さくなる位置に設けられている。
ボート支柱に設けられた溝部にウエハ飛び出し防止部が
設けられ、ウエハ飛び出し防止部は各ボート支柱の溝部
に外周部が支持されて載置された半導体ウエハの外周部
の外側の位置で、隣り合ったボート支柱に設けられたウ
エハ飛び出し防止部の間隔が載置された半導体ウエハの
直径より小さくなる位置に設けられている。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実
施形態の半導体製造装置の基本構造を示す模式図であ
る。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実
施形態の半導体製造装置の基本構造を示す模式図であ
る。
【００１７】図１に示すように、本実施形態の半導体製
造装置は、ウエハを収納したキャリア２２の半導体製造
装置内外への供給・搬出部であるＩ／Ｏポート１１、半
導体製造装置内にてウエハを収納したキャリア２２を保
管するキャリアストッカ１２、ウエハを収納したキャリ
ア２２のＩ／Ｏポート１１、キャリアストッカ１２及び
トランスファーステージ１３間の搬送を行うキャリア移
載機１４、キャリア２２を載置しキャリア２２とボート
間のウエハ搬送時のキャリア用ステージであるトランス
ファーステージ１３、ウエハの熱処理や成膜処理等の処
理を行なうためウエハを載置するボート１、トランスフ
ァーステージ１３に載置されたキャリア２２とボート１
間のウエハの搬送を行うウエハ移載機１５、ボート１に
載置されたウエハ２１の熱処理や成膜処理等の処理を行
う処理炉（図１では反応室となるプロセスチューブ１６
のみ図示）、ウエハ２１が載置されたボート１のウエハ
移載位置とウエハ処理位置（プロセスチューブ１６内）
間の移動搬送を行うボートエレベーター１７から構成さ
れている。
造装置は、ウエハを収納したキャリア２２の半導体製造
装置内外への供給・搬出部であるＩ／Ｏポート１１、半
導体製造装置内にてウエハを収納したキャリア２２を保
管するキャリアストッカ１２、ウエハを収納したキャリ
ア２２のＩ／Ｏポート１１、キャリアストッカ１２及び
トランスファーステージ１３間の搬送を行うキャリア移
載機１４、キャリア２２を載置しキャリア２２とボート
間のウエハ搬送時のキャリア用ステージであるトランス
ファーステージ１３、ウエハの熱処理や成膜処理等の処
理を行なうためウエハを載置するボート１、トランスフ
ァーステージ１３に載置されたキャリア２２とボート１
間のウエハの搬送を行うウエハ移載機１５、ボート１に
載置されたウエハ２１の熱処理や成膜処理等の処理を行
う処理炉（図１では反応室となるプロセスチューブ１６
のみ図示）、ウエハ２１が載置されたボート１のウエハ
移載位置とウエハ処理位置（プロセスチューブ１６内）
間の移動搬送を行うボートエレベーター１７から構成さ
れている。
【００１８】ここで、ボート１はさらに構造を示す斜視
図である図２、図２の部分拡大図であるボート支柱４の
構造を示す斜視図である図３およびウエハ２１のボート
１での載置状態を示す上視図である図４で説明される。
図である図２、図２の部分拡大図であるボート支柱４の
構造を示す斜視図である図３およびウエハ２１のボート
１での載置状態を示す上視図である図４で説明される。
【００１９】まず図２に示すように、ボート１は、縦型
のウエハボートであり、２枚の並行な板である底板２と
頂板３と、これに垂直に接続された複数のボート支柱４
とから構成されている。また、各ボート支柱４のボート
内側面には所定間隔に複数の棚となる溝部５が設けられ
ている。そして、ウエハ２１は各ボート支柱４の同一高
さの溝部５に外周部が支持されて載置される。
のウエハボートであり、２枚の並行な板である底板２と
頂板３と、これに垂直に接続された複数のボート支柱４
とから構成されている。また、各ボート支柱４のボート
内側面には所定間隔に複数の棚となる溝部５が設けられ
ている。そして、ウエハ２１は各ボート支柱４の同一高
さの溝部５に外周部が支持されて載置される。
【００２０】そして、本発明の実施形態の半導体製造装
置は、図３に示すように、ボート支柱４に設けられた溝
部５にウエハ飛び出し防止部である、図３（ａ）に示す
ウエハ飛び出し防止用の段差部６、図３（ｂ）に示すウ
エハ飛び出し防止用の突出板部７または図３（ｃ）に示
すウエハ飛び出し防止用の突起部８が設けられている。
置は、図３に示すように、ボート支柱４に設けられた溝
部５にウエハ飛び出し防止部である、図３（ａ）に示す
ウエハ飛び出し防止用の段差部６、図３（ｂ）に示すウ
エハ飛び出し防止用の突出板部７または図３（ｃ）に示
すウエハ飛び出し防止用の突起部８が設けられている。
【００２１】そして、ボート支柱４に設けられた溝部５
に設けられたウエハ飛び出し防止用の段差部６は、図４
（ａ）に示すように、各ボート支柱４の溝部５に外周部
が支持されて載置されたウエハ２１の外周部の外側の位
置で、隣り合ったボート支柱４に設けられた段差部６の
間隔Ｄａが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小さく
なる位置に設けられている。そしてまた、溝部５に設け
られた段差部６の高さは載置されたウエハ２１の厚さと
同程度が好ましい。
に設けられたウエハ飛び出し防止用の段差部６は、図４
（ａ）に示すように、各ボート支柱４の溝部５に外周部
が支持されて載置されたウエハ２１の外周部の外側の位
置で、隣り合ったボート支柱４に設けられた段差部６の
間隔Ｄａが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小さく
なる位置に設けられている。そしてまた、溝部５に設け
られた段差部６の高さは載置されたウエハ２１の厚さと
同程度が好ましい。
【００２２】そして、ボート支柱４に設けられた溝部５
に設けられたウエハ飛び出し防止用の突出板部７は、図
４（ｂ）に示すように、各ボート支柱４の溝部５に外周
部が支持されて載置されたウエハ２１の外周部の外側の
位置で、隣り合ったボート支柱４に設けられた突出板部
７の間隔Ｄｂが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小
さくなる位置に設けられている。ここで、溝部５に設け
られた突出板部７の形状は特に問わないが、ウエハ２１
の外周形状に沿った形状が好ましい。そしてまた、溝部
５に設けられた突出板部７の高さは載置されたウエハ２
１の厚さと同程度が好ましい。
に設けられたウエハ飛び出し防止用の突出板部７は、図
４（ｂ）に示すように、各ボート支柱４の溝部５に外周
部が支持されて載置されたウエハ２１の外周部の外側の
位置で、隣り合ったボート支柱４に設けられた突出板部
７の間隔Ｄｂが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小
さくなる位置に設けられている。ここで、溝部５に設け
られた突出板部７の形状は特に問わないが、ウエハ２１
の外周形状に沿った形状が好ましい。そしてまた、溝部
５に設けられた突出板部７の高さは載置されたウエハ２
１の厚さと同程度が好ましい。
【００２３】そしてまた、ボート支柱４に設けられた溝
部５に設けられたウエハ飛び出し防止用の突起部８は、
図４（ｃ）に示すように、各ボート支柱４の溝部５に外
周部が支持されて載置されたウエハ２１の外周部の外側
の位置で、隣り合ったボート支柱４に設けられた突起部
８の間隔Ｄｃが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小
さくなる位置に設けられている。ここで、溝部５に設け
られた突起部８の形状は特に問わないが、半球状または
柱状の形状が好ましい。そしてまた、溝部５に設けられ
た突起部８の高さは載置されたウエハ２１の厚さと同程
度が好ましい。
部５に設けられたウエハ飛び出し防止用の突起部８は、
図４（ｃ）に示すように、各ボート支柱４の溝部５に外
周部が支持されて載置されたウエハ２１の外周部の外側
の位置で、隣り合ったボート支柱４に設けられた突起部
８の間隔Ｄｃが載置されたウエハ２１の直径Ｄｗより小
さくなる位置に設けられている。ここで、溝部５に設け
られた突起部８の形状は特に問わないが、半球状または
柱状の形状が好ましい。そしてまた、溝部５に設けられ
た突起部８の高さは載置されたウエハ２１の厚さと同程
度が好ましい。
【００２４】それゆえ、ウエハ移載機１５は上下方向に
も移動してボート１へのウエハ２１の搬送を行ない、ボ
ート支柱４に設けられた溝部５に設けられたウエハ飛び
出し防止用の段差部６、突出板部７または突起部８をウ
エハ２１が接触せずに跨ぐように搬送する。
も移動してボート１へのウエハ２１の搬送を行ない、ボ
ート支柱４に設けられた溝部５に設けられたウエハ飛び
出し防止用の段差部６、突出板部７または突起部８をウ
エハ２１が接触せずに跨ぐように搬送する。
【００２５】なお、ボート１の各構成部材は、ボート支
柱４に設けられた溝部５に設けられたウエハ飛び出し防
止用の段差部６、突出板部７または突起部８を含め、ウ
エハの汚染防止のため石英ガラス、ＳｉＣ、シリコン等
の材料で形成されている。
柱４に設けられた溝部５に設けられたウエハ飛び出し防
止用の段差部６、突出板部７または突起部８を含め、ウ
エハの汚染防止のため石英ガラス、ＳｉＣ、シリコン等
の材料で形成されている。
【００２６】そして、キャリア２２に収納されたウエハ
２１は、本半導体製造装置内に供給された後、ウエハ移
載機１５にてトランスファーステージ１３に載置された
キャリア２２から順次１枚ずつボート１に移載される。
ウエハ２１が載置されたボート１はプロセスチューブ１
６内にボートエレベーター１７により移動する。そし
て、プロセスチューブ１６内にてボート１に載置された
ウエハ２１の熱処理や成膜処理等の処理が行なわれる。
処理終了後、ウエハ２１が載置されたボート１はウエハ
処理位置（プロセスチューブ１６内）間からウエハ移載
位置にボートエレベーター１７により戻る（移動す
る）。そして、ボート１に載置されているウエハ２１
は、ウエハ移載機１５にて順次１枚ずつトランスファー
ステージ１３に載置されたキャリア２２に戻される（移
載される）。そして、キャリア２２に収納された処理済
のウエハ２１は、本半導体製造装置外に（次処理工程
に）搬出される。
２１は、本半導体製造装置内に供給された後、ウエハ移
載機１５にてトランスファーステージ１３に載置された
キャリア２２から順次１枚ずつボート１に移載される。
ウエハ２１が載置されたボート１はプロセスチューブ１
６内にボートエレベーター１７により移動する。そし
て、プロセスチューブ１６内にてボート１に載置された
ウエハ２１の熱処理や成膜処理等の処理が行なわれる。
処理終了後、ウエハ２１が載置されたボート１はウエハ
処理位置（プロセスチューブ１６内）間からウエハ移載
位置にボートエレベーター１７により戻る（移動す
る）。そして、ボート１に載置されているウエハ２１
は、ウエハ移載機１５にて順次１枚ずつトランスファー
ステージ１３に載置されたキャリア２２に戻される（移
載される）。そして、キャリア２２に収納された処理済
のウエハ２１は、本半導体製造装置外に（次処理工程
に）搬出される。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ボ
ートのボート支柱に設けられた溝部にウエハ飛び出し防
止部（段差部、突出板部または突起部）が設けられ、ウ
エハ飛び出し防止部は各ボート支柱の溝部に外周部が支
持されて載置されたウエハの外周部の外側の位置で、隣
り合ったボート支柱に設けられたウエハ飛び出し防止部
の間隔が載置されたウエハの直径より小さくなる位置に
設けられているので、ウエハが位置ずれを生じてもウエ
ハ飛び出し防止部にウエハの外側面（外周）が接触しそ
れ以上ウエハの位置ずれは生じず、ウエハの外周部がボ
ート支柱の溝部上から外れることはなく、ウエハのボー
トでの落下または片落ちを防止できるという効果が得ら
れる。また、ウエハ移載機によるウエハのボートへの移
載方法に変更はないためウエハ移載機に特殊機構の追加
は必要でなく、そしてまたボートでのウエハの載置状態
に変更はないためウエハの処理プロセス性能への影響も
ないという効果も得られる。
ートのボート支柱に設けられた溝部にウエハ飛び出し防
止部（段差部、突出板部または突起部）が設けられ、ウ
エハ飛び出し防止部は各ボート支柱の溝部に外周部が支
持されて載置されたウエハの外周部の外側の位置で、隣
り合ったボート支柱に設けられたウエハ飛び出し防止部
の間隔が載置されたウエハの直径より小さくなる位置に
設けられているので、ウエハが位置ずれを生じてもウエ
ハ飛び出し防止部にウエハの外側面（外周）が接触しそ
れ以上ウエハの位置ずれは生じず、ウエハの外周部がボ
ート支柱の溝部上から外れることはなく、ウエハのボー
トでの落下または片落ちを防止できるという効果が得ら
れる。また、ウエハ移載機によるウエハのボートへの移
載方法に変更はないためウエハ移載機に特殊機構の追加
は必要でなく、そしてまたボートでのウエハの載置状態
に変更はないためウエハの処理プロセス性能への影響も
ないという効果も得られる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体製造装置の基本構
造を示す模式図であり、従来技術を説明する模式図であ
る。
造を示す模式図であり、従来技術を説明する模式図であ
る。
【図２】本発明の一実施形態の半導体製造装置のボート
の構造を示す斜視図であり、従来技術を説明する斜視図
である。
の構造を示す斜視図であり、従来技術を説明する斜視図
である。
【図３】図２の部分拡大図である本発明の一実施形態の
半導体製造装置のボートのボート支柱の構造を示す斜視
図である。
半導体製造装置のボートのボート支柱の構造を示す斜視
図である。
【図４】図３と共に、本発明の一実施形態の半導体製造
装置のウエハのボートでの載置状態を示す上視図であ
る。
装置のウエハのボートでの載置状態を示す上視図であ
る。
【図５】従来技術の半導体製造装置のウエハのボートで
の載置状態を示す断面図である。
の載置状態を示す断面図である。
【図６】図５と共に、従来技術の半導体製造装置のウエ
ハのボートでの載置状態を示す上視図である。
ハのボートでの載置状態を示す上視図である。
【図７】他の従来技術を説明する断面図である。
１ ボート ２ 底板 ３ 頂板 ４ ボート支柱 ５，５ａ 溝部 ６ 段差部 ７ 突出板部 ８ 突起部 １１ Ｉ／Ｏポート １２ キャリアストッカ １３ トランスファーステージ １４ キャリア移載機 １５ ウエハ移載機 １６ プロセスチューブ（処理炉） １７ ボートエレベータ ２１ ウエハ ２２ キャリア
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウエハを収納したキャリアを搬送
するキャリア移載手段と、前記半導体ウエハを載置する
ウエハボートと、前記キャリアと前記ウエハボート間の
前記半導体ウエハの搬送を行なうウエハ移載手段と、前
記ウエハボートに載置された前記半導体ウエハを処理す
るウエハ処理手段とを有する半導体製造装置において、
前記ウエハボートは、２枚の並行な板である底板と頂板
と、前記底板及び頂板に垂直に接続された複数のボート
支柱とからなり、前記各ボート支柱の内側面に所定間隔
に前記半導体ウエハが載置される棚となる複数の溝部が
設けられ、前記溝部にウエハ飛び出し防止部が設けられ
ていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記ボート支柱に設けられた溝部に設け
られたウエハ飛び出し防止部は、前記各ボート支柱の溝
部に外周部が支持されて載置された前記半導体ウエハの
外周部の外側の位置で、隣り合った前記ボート支柱に設
けられたウエハ飛び出し防止部の間隔が載置された前記
半導体ウエハの直径より小さくなる位置に設けられてい
る請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記溝部に設けられたウエハ飛び出し防
止部は、前記溝部上に設けられた段差部である請求項１
または２記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記溝部に設けられたウエハ飛び出し防
止部は、前記溝部上に設けられ載置された前記半導体ウ
エハの外周に沿って突出して設けられた突出板部である
請求項１または２記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記溝部に設けられたウエハ飛び出し防
止部は、前記溝部上に設けられた突起部である請求項１
または２記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記溝部上に設けられたウエハ飛び出し
防止部の高さは、載置された前記半導体ウエハの厚さと
同程度である請求項３，４または５記載の半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33290899A JP3323168B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33290899A JP3323168B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001155996A true JP2001155996A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3323168B2 JP3323168B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=18260158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33290899A Expired - Fee Related JP3323168B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3323168B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060403A (ja) * | 2013-09-24 | 2014-04-03 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 基板保持具及びウェーハ支持方法 |
| CN113345822A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-09-03 | 江苏天芯微半导体设备有限公司 | 批处理用晶圆支撑架和加载互锁真空室 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018067582A (ja) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-24 JP JP33290899A patent/JP3323168B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060403A (ja) * | 2013-09-24 | 2014-04-03 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 基板保持具及びウェーハ支持方法 |
| CN113345822A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-09-03 | 江苏天芯微半导体设备有限公司 | 批处理用晶圆支撑架和加载互锁真空室 |
| CN113345822B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-12-01 | 江苏天芯微半导体设备有限公司 | 批处理用晶圆支撑架和加载互锁真空室 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3323168B2 (ja) | 2002-09-09 |
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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