JP2001151524A - 焼成炉におけるガラス基板支持機構 - Google Patents
焼成炉におけるガラス基板支持機構Info
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- JP2001151524A JP2001151524A JP33206499A JP33206499A JP2001151524A JP 2001151524 A JP2001151524 A JP 2001151524A JP 33206499 A JP33206499 A JP 33206499A JP 33206499 A JP33206499 A JP 33206499A JP 2001151524 A JP2001151524 A JP 2001151524A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
- C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
- C03B29/025—Glass sheets
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ガラス基板を一様に焼成することができる焼成
炉におけるガラス基板支持機構を提供する。 【解決手段】一定の温度に保たれ、内部にガラス基板を
入れて焼成するための焼成炉におけるガラス基板支持機
構６であって、ガラス基板Ｇを支持する支持部材７のガ
ラス基板Ｇへの接触面積を微小にした。
炉におけるガラス基板支持機構を提供する。 【解決手段】一定の温度に保たれ、内部にガラス基板を
入れて焼成するための焼成炉におけるガラス基板支持機
構６であって、ガラス基板Ｇを支持する支持部材７のガ
ラス基板Ｇへの接触面積を微小にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は焼成炉におけるガラ
ス基板支持機構に関するものである。
ス基板支持機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板を焼成する方法として
は、一般的に次の２通りの方法が知られている。
は、一般的に次の２通りの方法が知られている。
【０００３】（Ａ）枚葉式：一定の温度に保たれた炉内
で、ガラス基板を間隔を置いて多数収納可能な棚が上下
して枚葉でガラス基板を一定の時間焼成する方法。この
場合必要な焼成時間に応じて棚内で使用する段数を設定
し、ガラス基板をロボット等で炉内の棚に順番に投入
し、所定の時間経過すると再びロボット等で順番に取り
出す。
で、ガラス基板を間隔を置いて多数収納可能な棚が上下
して枚葉でガラス基板を一定の時間焼成する方法。この
場合必要な焼成時間に応じて棚内で使用する段数を設定
し、ガラス基板をロボット等で炉内の棚に順番に投入
し、所定の時間経過すると再びロボット等で順番に取り
出す。
【０００４】（Ｂ）バッチ式：ガラス基板を間隔を置い
て多数収納可能なカセットに複数枚のガラス基板を入
れ、まとめて炉に投入する方法。この場合、ガラス基板
をカセットに収納後、炉の扉を開けて人手やロボットで
カセットを炉に投入し、所定の時間経過後再びカセット
ごと取り出す。
て多数収納可能なカセットに複数枚のガラス基板を入
れ、まとめて炉に投入する方法。この場合、ガラス基板
をカセットに収納後、炉の扉を開けて人手やロボットで
カセットを炉に投入し、所定の時間経過後再びカセット
ごと取り出す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例では以下の様な問題があった。
例では以下の様な問題があった。
【０００６】いずれの方式においても炉内の雰囲気は一
様な温度になる様に制御されているが、ガラス基板を支
持している支持部材が固体の金属またはプラスチックか
らできているため、炉内の雰囲気（空気）により加熱さ
れる部分と、直接高温の支持部材に触れている部分の温
度分布が変わり、ガラス基板全面の一様な焼成が出来な
い。そのため、ある膜を付けたガラス基板を焼成する
と、支持部材の部分のみ膜厚が変わってしまいムラ等が
見えてしまうという問題があった。
様な温度になる様に制御されているが、ガラス基板を支
持している支持部材が固体の金属またはプラスチックか
らできているため、炉内の雰囲気（空気）により加熱さ
れる部分と、直接高温の支持部材に触れている部分の温
度分布が変わり、ガラス基板全面の一様な焼成が出来な
い。そのため、ある膜を付けたガラス基板を焼成する
と、支持部材の部分のみ膜厚が変わってしまいムラ等が
見えてしまうという問題があった。
【０００７】従って、本発明は上述した課題に鑑みてな
されたものであり、その目的は、ガラス基板を一様に焼
成することができる焼成炉におけるガラス基板支持機構
を提供することである。
されたものであり、その目的は、ガラス基板を一様に焼
成することができる焼成炉におけるガラス基板支持機構
を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するために、本発明に係わる焼成炉における
ガラス基板支持機構は、一定の温度に保たれ、内部にガ
ラス基板を入れて焼成するための焼成炉におけるガラス
基板支持機構であって、前記ガラス基板を支持する支持
部材の前記ガラス基板への接触面積を微小にしたことを
特徴としている。
目的を達成するために、本発明に係わる焼成炉における
ガラス基板支持機構は、一定の温度に保たれ、内部にガ
ラス基板を入れて焼成するための焼成炉におけるガラス
基板支持機構であって、前記ガラス基板を支持する支持
部材の前記ガラス基板への接触面積を微小にしたことを
特徴としている。
【０００９】また、この発明に係わる焼成炉におけるガ
ラス基板支持機構において、前記支持部材が多孔質材料
から形成されていることを特徴としている。
ラス基板支持機構において、前記支持部材が多孔質材料
から形成されていることを特徴としている。
【００１０】また、この発明に係わる焼成炉におけるガ
ラス基板支持機構において、前記支持部材が繊維状材料
から形成されていることを特徴としている。
ラス基板支持機構において、前記支持部材が繊維状材料
から形成されていることを特徴としている。
【００１１】また、この発明に係わる焼成炉におけるガ
ラス基板支持機構において、前記支持部材は、ガラス基
板を多数収納して前記焼成炉内を上下する棚に配置され
ていることを特徴としている。
ラス基板支持機構において、前記支持部材は、ガラス基
板を多数収納して前記焼成炉内を上下する棚に配置され
ていることを特徴としている。
【００１２】また、この発明に係わる焼成炉におけるガ
ラス基板支持機構において、前記支持部材は、ガラス基
板を多数収納して前記焼成炉に投入されるカセットに配
置されていることを特徴としている。
ラス基板支持機構において、前記支持部材は、ガラス基
板を多数収納して前記焼成炉に投入されるカセットに配
置されていることを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、添付図面を参照して詳細に説明する。
ついて、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】（第１の実施形態）この第１の実施形態
は、ガラス基板を枚葉式で処理する装置に関する。
は、ガラス基板を枚葉式で処理する装置に関する。
【００１５】図１は本発明の第１の実施形態に用いる焼
成炉を用いた生産システムの一例を示す図である。
成炉を用いた生産システムの一例を示す図である。
【００１６】図１において、１及び４はコンベア、２及
び３はロボット、５は焼成炉、Ｇはガラス基板で大きさ
３６０×４６５ｍｍ、厚みは０．７ｍｍである。コンベ
ア１により枚葉で上流から搬送されてきたガラス基板Ｇ
はコンベア１上の不図示の位置決め機構で位置決めさ
れ、ロボット２のハンドＨ１により吸着されて焼成炉５
に投入される。また、焼成済のガラス基板Ｇは、出口に
配置されたロボット３のハンドＨ２により吸着され、下
流のコンベア４上に排出され下流に搬送される。
び３はロボット、５は焼成炉、Ｇはガラス基板で大きさ
３６０×４６５ｍｍ、厚みは０．７ｍｍである。コンベ
ア１により枚葉で上流から搬送されてきたガラス基板Ｇ
はコンベア１上の不図示の位置決め機構で位置決めさ
れ、ロボット２のハンドＨ１により吸着されて焼成炉５
に投入される。また、焼成済のガラス基板Ｇは、出口に
配置されたロボット３のハンドＨ２により吸着され、下
流のコンベア４上に排出され下流に搬送される。
【００１７】図２は焼成炉５の側面図である。ここで図
１及び図２を用いて焼成炉５の構成について説明する。
１及び図２を用いて焼成炉５の構成について説明する。
【００１８】焼成炉５内は不図示のヒータによって一様
の温度、例えば２３０℃になる様に制御されている。焼
成炉５内にはボールネジ８と２本のガイド９によって上
下する箱型の棚６が配置されており、棚６の内側の左右
には、上下に一定ピッチでガラス基板Ｇの下を支えるガ
イド７が複数取り付けられている。１０はボールネジ８
を駆動するモータである。また、焼成炉５の筐体１１に
はガラス基板Ｇの流れ方向の前後にスリットＳが設けら
れており、このスリットＳを通ってロボット２がガラス
基板Ｇを焼成炉５に投入するとともにロボット３が焼成
炉５からガラス基板Ｇを取り出す。
の温度、例えば２３０℃になる様に制御されている。焼
成炉５内にはボールネジ８と２本のガイド９によって上
下する箱型の棚６が配置されており、棚６の内側の左右
には、上下に一定ピッチでガラス基板Ｇの下を支えるガ
イド７が複数取り付けられている。１０はボールネジ８
を駆動するモータである。また、焼成炉５の筐体１１に
はガラス基板Ｇの流れ方向の前後にスリットＳが設けら
れており、このスリットＳを通ってロボット２がガラス
基板Ｇを焼成炉５に投入するとともにロボット３が焼成
炉５からガラス基板Ｇを取り出す。
【００１９】次に図８〜図２６を用いて焼成炉５の実際
の動きを説明する。
の動きを説明する。
【００２０】図８〜図２６はガラス基板Ｇの投入手順と
その時の棚６の状況を順を追って示した図である。この
例では、棚６へのガラス基板Ｇの投入枚数は７枚として
あるが、言うまでもなくこの枚数は焼成時間に応じて可
変である。
その時の棚６の状況を順を追って示した図である。この
例では、棚６へのガラス基板Ｇの投入枚数は７枚として
あるが、言うまでもなくこの枚数は焼成時間に応じて可
変である。
【００２１】まず、棚６にガラス基板Ｇが何も無い状態
から一定のタクトで順次ガラス基板Ｇがロボット２によ
り棚６に投入される（図８〜図１４）。焼成炉５は常時
一定の高温（本実施形態では２３０℃）に保持されてい
るので、ガラス基板は焼成炉５の内部に投入された時点
から焼成開始される。そのため、最後のガラス基板（本
実施形態では７枚目）が投入された時点で、１枚目に投
入したガラス基板の焼成が終了するように、ロボット２
の動作タクトタイムに応じて棚６の基板収納枚数を設定
しておく。ガラス基板Ｇが７枚投入されると棚６は１枚
目に投入されたガラス基板Ｇ（既に焼成が終了してい
る）がロボット３で取り出せる様に、スリットＳの位置
に１枚目のガラス基板Ｇが来る様に下降する（図１
５）。棚６が所定の位置まで下降するとロボット３が焼
成の終わった１枚目のガラス基板Ｇを取り出し（図１
６）、続いてロボット２が同じ段に新しいガラス基板Ｇ
を投入する（図１７）。その後は棚６が１段ずつ上昇し
順次焼成の終わったガラス基板Ｇと新しいガラス基板Ｇ
を交換し（図１８〜図２６）、再び図１４と同じ状況に
なり以後はこの繰り返しを続ける。
から一定のタクトで順次ガラス基板Ｇがロボット２によ
り棚６に投入される（図８〜図１４）。焼成炉５は常時
一定の高温（本実施形態では２３０℃）に保持されてい
るので、ガラス基板は焼成炉５の内部に投入された時点
から焼成開始される。そのため、最後のガラス基板（本
実施形態では７枚目）が投入された時点で、１枚目に投
入したガラス基板の焼成が終了するように、ロボット２
の動作タクトタイムに応じて棚６の基板収納枚数を設定
しておく。ガラス基板Ｇが７枚投入されると棚６は１枚
目に投入されたガラス基板Ｇ（既に焼成が終了してい
る）がロボット３で取り出せる様に、スリットＳの位置
に１枚目のガラス基板Ｇが来る様に下降する（図１
５）。棚６が所定の位置まで下降するとロボット３が焼
成の終わった１枚目のガラス基板Ｇを取り出し（図１
６）、続いてロボット２が同じ段に新しいガラス基板Ｇ
を投入する（図１７）。その後は棚６が１段ずつ上昇し
順次焼成の終わったガラス基板Ｇと新しいガラス基板Ｇ
を交換し（図１８〜図２６）、再び図１４と同じ状況に
なり以後はこの繰り返しを続ける。
【００２２】図３は棚６内のガラス基板Ｇの支持状態の
拡大平面図である。図４は棚６内のガラス基板Ｇの支持
状態の拡大側面図である。
拡大平面図である。図４は棚６内のガラス基板Ｇの支持
状態の拡大側面図である。
【００２３】図３及び図４において、ガラス基板Ｇは棚
６に固定された４本の例えば多孔質プラスチックまたは
硬質スポンジ等の多孔質ガイド、または繊維状の網目ガ
イド７により下方から支持されている。ガイド７が多孔
質状及び網目状であることにより、ガラス基板Ｇを棚６
に投入した際、ガラス基板Ｇのガイド７に触れる部分の
面積を微小にすることができる。これによりガイド７が
触れるガラス基板の部分も炉内の雰囲気とほぼ同じ条件
で加熱することが可能となり、ガラス基板Ｇのガイド７
に触れる部分の温度が他の部分と比べて高くなる、ある
いは低くなるということが無く、ガラス基板Ｇの全面が
一様に加熱される。
６に固定された４本の例えば多孔質プラスチックまたは
硬質スポンジ等の多孔質ガイド、または繊維状の網目ガ
イド７により下方から支持されている。ガイド７が多孔
質状及び網目状であることにより、ガラス基板Ｇを棚６
に投入した際、ガラス基板Ｇのガイド７に触れる部分の
面積を微小にすることができる。これによりガイド７が
触れるガラス基板の部分も炉内の雰囲気とほぼ同じ条件
で加熱することが可能となり、ガラス基板Ｇのガイド７
に触れる部分の温度が他の部分と比べて高くなる、ある
いは低くなるということが無く、ガラス基板Ｇの全面が
一様に加熱される。
【００２４】（第２の実施形態）この第２の実施形態
は、ガラス基板をバッチ式で処理する装置に関する。
は、ガラス基板をバッチ式で処理する装置に関する。
【００２５】図５はガラス基板Ｇを収納してバッチ式炉
１５に投入される耐熱カセット１２の側面図、図６は耐
熱カセット１２の正面図、図７はバッチ式炉１５の側面
図である。
１５に投入される耐熱カセット１２の側面図、図６は耐
熱カセット１２の正面図、図７はバッチ式炉１５の側面
図である。
【００２６】図５乃至図７において、耐熱カセット１２
の内側の左右には、上下に一定ピッチでガラス基板Ｇの
下を支えるガイド７が複数取り付けられている。ガラス
基板Ｇが収納された耐熱カセットは人手によって、取手
１３を持ってバッチ式炉１５まで運ばれ、扉１４を開け
て炉内に投入される。ガラス基板Ｇは第１の実施形態と
同様に耐熱カセット１２に固定された４本の例えば多孔
質プラスチックまたは硬質スポンジ等の多孔質ガイド７
または繊維状の網目ガイド７により下方から支持されて
いる（第１の実施形態の図４、図５と同様）。
の内側の左右には、上下に一定ピッチでガラス基板Ｇの
下を支えるガイド７が複数取り付けられている。ガラス
基板Ｇが収納された耐熱カセットは人手によって、取手
１３を持ってバッチ式炉１５まで運ばれ、扉１４を開け
て炉内に投入される。ガラス基板Ｇは第１の実施形態と
同様に耐熱カセット１２に固定された４本の例えば多孔
質プラスチックまたは硬質スポンジ等の多孔質ガイド７
または繊維状の網目ガイド７により下方から支持されて
いる（第１の実施形態の図４、図５と同様）。
【００２７】バッチ炉１５は耐熱カセット１２を投入
後、不図示のヒータにより一様の温度（例えば２３０
℃）になる様に制御されている。ガイド７が多孔質状及
び網目状であることにより、ガラス基板Ｇを耐熱カセッ
ト１２に収納してバッチ炉１５に投入した際、ガラス基
板Ｇのガイド７に触れる部分の面積を微小にすることが
できる。これにより、ガラス基板Ｇのガイド７が触れる
部分も炉内の雰囲気とほほ同じ条件で加熱することが可
能となり、ガラス基板Ｇのガイド７に触れる部分の温度
が他の部分と比べて高くなる、あるいは低くなるという
ことが無く、ガラス基板Ｇの全面が一様に加熱される。
後、不図示のヒータにより一様の温度（例えば２３０
℃）になる様に制御されている。ガイド７が多孔質状及
び網目状であることにより、ガラス基板Ｇを耐熱カセッ
ト１２に収納してバッチ炉１５に投入した際、ガラス基
板Ｇのガイド７に触れる部分の面積を微小にすることが
できる。これにより、ガラス基板Ｇのガイド７が触れる
部分も炉内の雰囲気とほほ同じ条件で加熱することが可
能となり、ガラス基板Ｇのガイド７に触れる部分の温度
が他の部分と比べて高くなる、あるいは低くなるという
ことが無く、ガラス基板Ｇの全面が一様に加熱される。
【００２８】以上説明した様に、上記の実施形態におい
ては、ガラス基板の支持部材を、蓄熱しやすい固体か
ら、内部に炉内の雰囲気を取り込める多孔質プラスチッ
クまたは硬質スポンジ等の多孔質部材または繊維状の網
目部材に変更することにより、ガラス基板に触れる部分
の面積を微小にすることができる。
ては、ガラス基板の支持部材を、蓄熱しやすい固体か
ら、内部に炉内の雰囲気を取り込める多孔質プラスチッ
クまたは硬質スポンジ等の多孔質部材または繊維状の網
目部材に変更することにより、ガラス基板に触れる部分
の面積を微小にすることができる。
【００２９】これにより、支持部材が触れる部分も炉内
の雰囲気とほぼ同じ条件で加熱することが可能となり、
ガラス基板内の温度分布ムラを無くし、全面一様な焼成
ひいては全面一様なムラの無い膜形成が可能となる。
の雰囲気とほぼ同じ条件で加熱することが可能となり、
ガラス基板内の温度分布ムラを無くし、全面一様な焼成
ひいては全面一様なムラの無い膜形成が可能となる。
【００３０】また、支持部材を小さくするだけでは基板
保持の安定性が悪くなるという問題も解決できる。
保持の安定性が悪くなるという問題も解決できる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガラス基板を一様に焼成することが可能となる。
ガラス基板を一様に焼成することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態に用いる焼成炉を用い
た生産システムの一例を示す図である。
た生産システムの一例を示す図である。
【図２】焼成炉の側面図である。
【図３】棚内のガラス基板の支持状態の拡大平面図であ
る。
る。
【図４】棚内のガラス基板の支持状態の拡大側面図であ
る。
る。
【図５】ガラス基板を収納してバッチ式炉に投入される
耐熱カセットの側面図である。
耐熱カセットの側面図である。
【図６】耐熱カセットの正面図である。
【図７】バッチ式炉の側面図である。
【図８】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を順
を追って示した図である。
を追って示した図である。
【図９】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を順
を追って示した図である。
を追って示した図である。
【図１０】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１１】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１２】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１３】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１４】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１５】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１６】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１７】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１８】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図１９】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２０】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２１】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２２】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２３】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２４】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２５】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
【図２６】ガラス基板の投入手順とその時の棚の状況を
順を追って示した図である。
順を追って示した図である。
１，４ コンベア ２，３ ロボット ５ 焼成炉 ６ 棚 ７ ガイド ８ ボールネジ ９ ガイド １０ モータ １１ 筐体 １２ 耐熱カセット １３ 取手 １４ 扉 １５ バッチ式炉
Claims (5)
- 【請求項１】 一定の温度に保たれ、内部にガラス基板
を入れて焼成するための焼成炉におけるガラス基板支持
機構であって、 前記ガラス基板を支持する支持部材の前記ガラス基板へ
の接触面積を微小にしたことを特徴とする焼成炉におけ
るガラス基板支持機構。 - 【請求項２】 前記支持部材が多孔質材料から形成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の焼成炉におけ
るガラス基板支持機構。 - 【請求項３】 前記支持部材が繊維状材料から形成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の焼成炉におけ
るガラス基板支持機構。 - 【請求項４】 前記支持部材は、ガラス基板を多数収納
して前記焼成炉内を上下する棚に配置されていることを
特徴とする請求項１に記載の焼成炉におけるガラス基板
支持機構。 - 【請求項５】 前記支持部材は、ガラス基板を多数収納
して前記焼成炉に投入されるカセットに配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の焼成炉におけるガラ
ス基板支持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33206499A JP2001151524A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 焼成炉におけるガラス基板支持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33206499A JP2001151524A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 焼成炉におけるガラス基板支持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001151524A true JP2001151524A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18250753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33206499A Withdrawn JP2001151524A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 焼成炉におけるガラス基板支持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001151524A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011043182A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device |
| KR101479302B1 (ko) * | 2008-07-02 | 2015-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 소성 장치 |
-
1999
- 1999-11-22 JP JP33206499A patent/JP2001151524A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101479302B1 (ko) * | 2008-07-02 | 2015-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 소성 장치 |
| US9052145B2 (en) | 2008-07-02 | 2015-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate firing device |
| WO2011043182A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device |
| US8268642B2 (en) | 2009-10-05 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |