JP2001147654A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JP2001147654A
JP2001147654A JP33211299A JP33211299A JP2001147654A JP 2001147654 A JP2001147654 A JP 2001147654A JP 33211299 A JP33211299 A JP 33211299A JP 33211299 A JP33211299 A JP 33211299A JP 2001147654 A JP2001147654 A JP 2001147654A
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JP
Japan
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insulating layer
electrode
thin film
movable electrode
incident light
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Pending
Application number
JP33211299A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Hirano
貴之 平野
Yoshito Fukumoto
吉人 福本
Takashi Kinoshita
隆 木下
Yasushi Goto
裕史 後藤
Koichi Miyata
浩一 宮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 極めて低い消費電力で静止画及び文字を表示
できると共に高いコントラストの動画を表示することが
でき、更に製造コスト及び歩留まりを向上させることが
できる表示装置を提供する。 【解決手段】 表示素子1は、強誘電体薄膜3と、その
裏面に形成された下部電極2と、強誘電体薄膜3の表面
上にアレイ状に形成され、光を反射する可動電極である
上部電極5と、下部電極2及び上部電極5に電荷を与え
る駆動手段とから構成されている。そして、駆動手段に
より両電極間に電圧を印加すると上部電極5が静電引力
により強誘電体薄膜3へ引き寄せられて第2位置をとる
か又は静電反発力により強誘電体薄膜3から離れた第1
位置をとるかして、入射光6を第1位置又は第2位置に
ある上部電極5により反射させて変調する。強誘電体薄
膜3は、静電気力を蓄積し、分極状態を保持するため、
表示素子1はメモリ性を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、文字又は画像を表
示する表示装置に関し、特に、低電圧及び低消費電力で
あり、製造コスト及び歩留まりの低減を図った表示装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】携帯情報機器及び家電電化製品等の表示
デバイスとして、薄型で軽量であり、更に低消費電力で
ある等の特長を有する液晶ディスプレイ(LCD(Liqu
id Crystal Display))が多く使用されている。LCD
はこのような優れた特性を持つ反面、原理的に、見る方
向によってコントラストが低下する視野角依存性を有す
る点、及び偏光板が必要で光の利用効率が悪い点等の問
題点がある。
【0003】これに対し、半導体微細加工技術を使用し
て微小なミラーを作成し、これを電気的に駆動すること
によって画像を表示する装置が提案されている(以下、
従来例1)。例えば、Digital Micromirror Device(D
MD)と称される素子は、半導体集積回路上に形成した
微小なミラーを静電気力により傾斜させて、駆動し、光
源からの光を反射投影するディスプレイ素子として製品
化されている((米)Texas Instruments社)。
【0004】また、グレイティングライトバルブ(Grat
ing Light Valve(GLV))素子と称される位相回折
格子デバイスは、光の回折を利用して光を変調すること
ができ、このデバイスもディスプレイ素子として開発さ
れている(U.S. Patent No5,311,360)。このデバイス
は、光を反射する電極を有し、この電極は、電圧を印加
すると上下に移動する可動電極と、電圧を印加しても移
動しない固定電極とからなるため、可動電極を移動させ
ることにより、可動電極と固定電極とにより反射される
光の光路差を変化させることができ、これにより光を回
折することができる。
【0005】このような微小ミラーを形成し、これを静
電気力で直接駆動することにより、光のロスが小さく、
小型で、高解像度、高コントラスト及び高速応答性等の
優れた特性を有するディスプレイを実現することができ
る。また、同様の光学変調素子として、特開平8−15
621号公報に記載の技術及び特開平7−90436号
公報に記載の形状記憶合金を使用したものがある。
【0006】また、ディスプレイ用途ではないが、同様
の中空電極(カンチレバー)を有する構造の素子では、
例えば電極間の絶縁層として窒化シリコン膜を利用した
ものがある(Apply.Phs.Lett.Vol.69,No.10,p1471(199
6):以下、従来例2)。窒化シリコンは絶縁体であり
ながら、膜中に真電荷を蓄える性質があり、これにより
短時間ながら上下電極の吸着状態を保持することができ
る。
【0007】一方、動画を表示する場合、一般に、点状
の画素を有し、あらゆる画像及び文字を表示することが
できる表示装置として、マトリックス型の表示装置があ
る(以下、従来例3)。このような表示装置は、通常、
画素の1つ1つを選択表示させるために、経時的に順次
画素を選択するような動作モードをとる。即ち、走査線
の数が増して画素数が増すほど画素1つに信号が送られ
る時間が短くなるため、メモリ性を持たない場合のデメ
リットとして、コントラストが低下するという問題点が
ある。これを防ぐために、例えばLCDの場合には画素
の1つ1つに制御トランジスタ(Thin TFT)を形成
することにより、高コントラスト化を図っている。前者
のようなマトリックス型は単純マトリックス方式とい
い、後者のようなマトリックスはアクティブマトリック
ス方式という。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
1のようなMEMS技術を利用したディスプレイは、通
常、電圧印加を停止した状態(OFF状態)では、表示
状態が維持されない。即ち、この種のディスプレイはメ
モリ性を有しないディスプレイであり、静止画像を表示
する場合でも、常に各画素に信号を書き続ける必要があ
る。このため、MEMS技術を利用したディスプレイに
おいては、消費電力が上記LCD等の他のディスプレイ
技術に対して高くなり、例えば携帯情報末端又はICカ
ード等用の低消費電力を要求される表示装置として実用
化されていない。
【0009】また、従来例2の技術においては、蓄積さ
れた電荷が時間と共に必ず放出されるため、この状態を
いつまでも保持することは不可能である。このため、例
えばこの技術をディスプレイ技術に応用したとしても、
完全なメモリ性を有していないため、コントラストの低
下及び高消費電力等の問題点がある。
【0010】更に、従来例3のように、LCD等の画素
の1つ1つに制御トランジスタを形成する技術は、上述
のDMD素子の各画素にトランジスタを形成したアクテ
ィブマトリックス型であり、更に、他のMEMS技術に
よるディスプレイでも各画素にトランジスタを形成する
ことにより同様に高コントラストを図ることができる
が、このように各画素にトランジスタを形成すると、製
造コストが増大すると共に、歩留まりの低下を生じると
いう問題点がある。
【0011】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、極めて低い消費電力で静止画及び文字を表
示できると共に高いコントラストの動画を表示すること
ができ、更に製造コスト及び歩留まりを向上させること
ができる表示装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る表示装置
は、分極状態を保持可能の絶縁層と、前記絶縁層の裏面
上に形成された固定電極と、前記絶縁層の表面上にアレ
イ状に複数個形成され光を反射する可動電極と、前記固
定電極及び可動電極に夫々正及び負又は負及び正の電荷
を選択的に与える駆動手段とを有し、前記可動電極はそ
の一端が前記絶縁層に固定され他端は前記絶縁層との静
電反発力により前記絶縁層から離れた第1位置と前記絶
縁層との静電引力により前記絶縁層に引き寄せられた第
2位置とをとるものであり、前記入射光を前記第1位置
又は第2位置にある可動電極により反射させることによ
り前記入射光を変調するものであることを特徴とする。
【0013】本発明に係る他の表示装置は、分極状態を
保持可能の絶縁層と、前記絶縁層の裏面上に形成された
固定電極と、前記絶縁層の表面上にアレイ状に複数個形
成され光を反射する可動電極と、前記固定電極及び可動
電極に夫々正及び負又は負及び正の電荷を選択的に与え
る駆動手段とを有し、前記可動電極は有色インク内に浸
漬され、その一端が前記絶縁層に固定され他端は前記絶
縁層との静電反発力により前記絶縁層から離れた第1位
置と前記絶縁層との静電引力により前記絶縁層に引き寄
せられた第2位置とをとるものであり、前記入射光を第
1位置にある可動電極により反射させるか又は前記可動
電極が第2位置にあって前記入射光を有色インクにより
吸収させることにより前記入射光を変調するものである
ことを特徴とする。
【0014】本発明に係る他の表示装置は、アレイ状に
複数個配置され光を反射する可動電極と、固定電極と、
前記各可動電極の裏面の一部と前記固定電極との間に設
けられ分極状態を保持可能の絶縁層と、前記固定電極及
び可動電極に夫々正及び負又は負及び正の電荷を選択的
に与える駆動手段と、を有し、前記可動電極は静電反発
力により前記絶縁層の側面から離隔した第1位置と静電
引力により前記絶縁層の側面に引き寄せられた第2位置
とをとるものであり、前記入射光を第1位置にある可動
電極により反射させるか否かにより前記入射光を変調す
るものであることを特徴とする。
【0015】またこの場合は、固定電極に光を吸収する
光吸収層を形成し、入射光を第1位置にある可動電極に
より反射させるか又は可動電極が第2位置にあって前記
入射光を前記光吸収層により吸収させることにより前記
入射光を変調するものとしてもよい。
【0016】本発明に係る他の表示装置は、アレイ状に
複数個配置され光を反射する可動電極と、固定電極と、
前記各可動電極の裏面の一部と前記固定電極との間に設
けられ分極状態を保持可能の絶縁層と、前記固定電極及
び可動電極に夫々正及び負又は負及び正の電荷を選択的
に与える駆動手段と、を有し、前記可動電極は有色イン
クに浸漬され、静電反発力により前記絶縁層の側面から
離隔した第1位置と静電引力により前記絶縁層の側面に
引き寄せられた第2位置とをとるものであり、前記入射
光を第1位置にある可動電極により反射させるか又は前
記可動電極が第2位置にあって前記入射光を有色インク
により吸収させることにより前記入射光を変調するもの
であることを特徴とする。
【0017】本発明においては、両電極間に形成された
絶縁層はその一部又は全部を強誘電体等として、静電気
力によって分極した状態を保持する機能を有しているた
め、電圧の印加を止めても絶縁層の分極状態が保持され
るにより、可動電極は分極した絶縁層に引き寄せられた
第2位置又は反発された第1位置を維持することができ
る。従って、表示素子がメモリ性を有するため、低電圧
かつ低消費電力で高コントラストの反射型の表示装置を
低コストで得ることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る表示
装置について、添付の図面を参照して具体的に説明す
る。図1は、本発明の第1の実施例に係る表示装置の各
素子1を示す模式的断面図である。図1に示すように、
表示素子1は、基板(図示せず)上に、アレイ状に複数
個形成された固定電極である下部電極2と、この下部電
極2上に形成され分極状態を保持可能の絶縁層(強誘電
体薄膜3)と、その絶縁層上に一端は固定され、他端は
絶縁層と(エア)ギャップ4を介してアレイ状に形成さ
れた可動電極としての上部電極5と、下部電極2及び上
部電極5に正及び負又は負及び正の電荷を選択的に与え
る駆動手段(図示せず)と、により構成されている。な
お、下部電極2はアレイ状に形成された複数の個別電極
ではなく1個のベタ層であっても良い。
【0019】絶縁層は強誘電体からなる強誘電体薄膜3
であり、この強誘電体薄膜3としては、例えば、Pb
(Ti、Zr)O3(PZT:米国ヴァーニトロン社商
標)又はSrBiTaO3(SBT)等を使用すること
ができる。また、この絶縁層は、絶縁層全体が強誘電体
から形成されなくてもよく、例えば絶縁性を向上させる
等の目的により、他の誘電体と共に積層体として形成し
てもよい。
【0020】また、上部電極5は一端がその下層の強誘
電体薄膜3に固定され、他端は上下に可動の構造となっ
ており、この上部電極5と強誘電体薄膜3との間のギャ
ップ4は、強誘電体薄膜3に対して上部電極5の可動範
囲にあるように適当に調節されて形成されている。更
に、上部電極5の上面は光を反射するミラーとなってお
り、外部からの入射光6は反射光7として効率よく反射
される。そして、本実施例の表示装置は、このような表
示素子1がアレイ状に複数個形成されてディスプレイの
光変調部を構成する。
【0021】これらの上下の電極は、例えばスパッタリ
ング法等によって形成することができ、また、強誘電体
薄膜3は、例えばゾルゲル法等によって形成することが
できる。強誘電体薄膜3のその他の形成方法としては、
例えば、メッキ、印刷又は粉体焼結等がある。
【0022】また、上部電極5及び下部電極2には、駆
動手段としての制御装置(図示せず)から正及び負又は
負及び正の電荷が選択的に与えられる。
【0023】このように構成された第1の実施例の表示
装置においては、制御装置により下部電極2及び上部電
極5に選択的に電荷を与えることによって表示素子1の
可動電極である上部電極5が、分極状態を保持可能の強
誘電体薄膜3との静電引力により強誘電体薄膜3に引き
寄せられた第2位置と強誘電体薄膜3との静電反発力に
より強誘電体薄膜3から離れた第1位置と維持すること
ができ、入射光を第1位置又は第2位置にある上部電極
5により反射させることにより、入射光を変調すること
ができる。これにより、この表示素子1に選択的に電荷
を与えることにより、高いコントラストを有する表示装
置を得ることができる。
【0024】次に、この表示素子1の動作について更に
詳しく説明する。図2(a)乃至(d)は表示素子1の
動作を示す図であって、(a)は電極間に直流電圧を印
加する前の状態、(b)は電極間に直流電圧を印加した
状態、(c)は直流電圧の印加を停止した状態、(d)
は(b)とは逆の直流電圧を印加した状態を示す。図2
(a)に示すように、表示素子1の上部電極5の一端が
強誘電体薄膜3に固定され、他端は強誘電体薄膜3から
離れた第1位置にある。このとき、強誘電体薄膜3は分
極を生じていなくてもよいし、分極を生じていてもよ
い。
【0025】そして、図2(b)に示すように、この上
部電極5に正、下部電極2に負の電圧を印加すると、上
部電極5の可動部分が下部電極2との静電引力のために
強誘電体薄膜3に引き寄せられる。そして、上部電極5
が完全に強誘電体薄膜3に接した第2位置まで引き寄せ
られた後、更に大きな大きな電圧を印加すると、印加し
た電圧全てが強誘電体薄膜3にかかるため、強誘電体薄
膜3は上面に負、下面に正の電荷が誘起され、一方向の
分極を有する状態になる。即ち、強誘電体薄膜3の上部
電極5と接する端面に負の面分極電荷が、強誘電体薄膜
3の下部電極2と接する端面に正の面分極電荷が現れ
る。
【0026】この状態において、図2(c)に示すよう
に、上部電極5及び下部電極2に対する電圧の印加を停
止する(電源をOFFにする)と、強誘電体薄膜3の上
部電極5と接する端面に生じた分極電荷により強誘電体
薄膜3と上部電極5との間には静電引力が生じているた
め、上部電極5は強誘電体薄膜3に引き寄せられた状態
を維持する。
【0027】その後、図2(d)に示すように、図2
(b)とは反対の電圧を印加する、即ち、上部電極5が
負、下部電極2が正となるように電圧を印加すると、強
誘電体薄膜3の分極電荷とは同種の電荷が電極上に現れ
る。これにより、可動な上部電極5と強誘電体薄膜3と
の間には静電反発力が働き、上部電極5が押し戻され、
上部電極5の強誘電体薄膜3との反発力及び自身の膜応
力のため、上部電極5は元の位置、即ち図2(a)に示
す第1位置に戻る。また、この状態において、電圧の印
加を停止すると、図2(a)に示すように、上部電極5
は第1位置を維持する。これは、強誘電体薄膜3に保持
された分極状態により誘起する電荷量は小さく、強誘電
体薄膜3と上部電極5との間の距離が引力が働くほどは
接近していないためである。
【0028】このように、ミラーである上部電極5は、
強誘電体薄膜3に吸着して第2位置をとるか又は反発し
て第1位置をとる上下運動をする可動電極である。そし
て、下部電極2と上部電極5との間の強誘電体薄膜3が
強誘電体であるため、電圧の印加を停止している間にお
いても、その分極状態を保持することができ、上部電極
5が強誘電体薄膜3に吸着されている状態又は反発され
ている状態である第2位置又は第1位置の状態を維持す
ることができる。即ち、本実施例の表示素子1がメモリ
性(不揮発性)を有していることを示す。そして、制御
装置により表示素子1の電極に選択的に電圧を印加して
上部電極5の位置を変動させることにより、高コントラ
ストでメモリ性を有する表示装置が得られる。
【0029】更に、上記のような動作は、印加電圧であ
る上部電極5の動作電圧が、強誘電体薄膜3の分極反転
電圧と比較して低い場合に実現されるが、分極反転電圧
は強誘電体薄膜3に固有の特性及びその膜厚に依存し、
上部電極5の動作電圧は上部電極5の膜厚並びにギャッ
プ4及び強誘電体薄膜3の厚さに強く依存する。つま
り、これらのパラメータを適当に調整することにより、
容易に上述の動作を実現することができる。例えば、各
層の厚みを画素の大きさ等によって最適化するために、
膜厚を、例えば数nm乃至数μmと変化させてもよい。
なお、その膜厚が厚くなるほど粉体焼成又はメッキ等の
方法で形成することが有効になると考えられるが、素子
を形成する電極又は絶縁層の膜厚及び特性は製造方法を
限定するものではない。
【0030】また、図2(a)の状態において、上下の
電極間に印加された電圧による電位差はギャップ4及び
絶縁層である強誘電体薄膜3に夫々分割される。しか
し、本発明においては、この絶縁層は強誘電体であるた
め、例えば石英(SiO2)等の通常の絶縁材料と比較
すると誘電率が2乃至3桁程度大きいため、実効的には
印加された電圧による電位差のほとんどがギャップ4に
かかる。このため、ミラーである上部電極5を駆動させ
る電界が実効的に大きくなり、従って、表示素子を低電
圧及び低消費電力で駆動することができる。
【0031】更に、上部電極5は一端が強誘電体薄膜3
に固定されたまま、他端は中空にある状態となるため、
反り等がないと共に上下運動に対して再現性を有するよ
うに機械的強度が必要である。このような特性を必要と
する上部電極5として、Si、その他の化合物又は金属
薄膜等を積層することにより信頼性を向上させることが
できる。
【0032】次に、本実施例の表示素子1の製造方法に
ついて説明する。先ず、シリコン基板上にポリシリコン
等により配線を形成し、その上に絶縁膜を形成する。そ
して、絶縁膜にコンタクト及びプラグを形成することに
より、作成する表示素子1の電極と電気的に接続し、表
示素子1の駆動手段とする。
【0033】次に、シリコン基板上に図1に示す表示素
子1を形成する。シリコン基板上に、例えばDCマグネ
トロンスパッタリング法により、Ir/Ti積層膜を2
00nm/100nm積層するする。そして、フォトリ
ソグラフィ技術によりパターンを形成し、Ar/Cl2
混合雰囲気中でプラズマエッチングすることにより、シ
リコン基板上のIr/Ti積層膜を分離し、アレイ状の
微小ミラーである下部電極2形成する。
【0034】その後、下部電極2上に強誘電薄膜3を形
成する。この強誘電体薄膜3として、例えばPZT薄膜
を使用する場合は、市販されているPZT溶液等を回転
塗布し、加熱温度が450℃で15分間の仮焼成を行
う。これを、所望の厚さになるまで数回繰り返し、例え
ば約300nmの膜厚とした後、例えば、加熱温度が6
00℃で15分間の本焼成を行い、PZTの強誘電体特
性を発現する結晶状態にする。
【0035】次に、強誘電体薄膜3に一端を固定し、他
端が中空にあって可動な上部電極5を形成するため、先
ず、フォトレジストにより強誘電体薄膜3上に犠牲層を
形成する。そして、この犠牲層の上に上部電極5を形成
する。上述したように、上部電極5は最終的には中空に
切り離されるため、上部電極5としては反り等がなく、
また機械的強度の高いものが好ましい。従って、例えば
膜厚が200nmのIr単層膜等をスパッタリング法等
にて形成するが、この際の投入電力を最適化することに
よりミラーである上部電極5の反りが観測されないよう
にする。そして、フォトリソグラフィ技術によりパター
ンを形成し、Ar/Cl2混合雰囲気中にてプラズマエ
ッチングすることにより、上部電極5として、アレイ状
の微小ミラーパターンを形成する。
【0036】その後、上部電極5の一端を中空に分離す
るため、フォトレジストである犠牲層を剥離液で除去し
て乾燥させる。なお、乾燥する際には、表面張力の小さ
なハロイドロフルオロエーテル溶液等を使用することに
より、上部電極5が強誘電体薄膜3に張り付くことを防
止することができる。最後に、例えば加熱温度が600
℃で15分間の熱処理をすることにより、エッチング等
により絶縁性が劣化したPZTの特性を回復する。
【0037】このようにして、強誘電体薄膜3と、アレ
イ状に形成されて強誘電体薄膜3に一端が固定され、他
端が中空にあって、可動な上部電極5と、を有する表示
素子1を形成することができ、これにより高コントラス
ト及び高精細な反射型の表示装置を得ることができる。
更に、駆動手段としては、表示素子を構成する電極に選
択的に電圧を印加するための配線を形成すればよく、従
来のように表示素子にトランジスタ等の駆動装置を夫々
設ける必要がないため製造工程が簡略化し、歩留まりを
向上させることができる。
【0038】図3は、本実施例に係る表示装置により文
字を表示した様子を示す模式図である。上述の方法によ
り基板上にアレイ状に表示素子1を形成し、それらの表
示素子1に選択的に電圧を印加することによりMの文字
を表示した。
【0039】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図4は本実施例に係る表示装置の各素子10を示
す模式的断面図である。なお、図4に示す第2の実施例
において、図1に示す第1の実施例と同一の構成要素に
は、同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0040】図4に示すように、表示素子10は、基板
(図示せず)上にアレイ状に複数個形成された下部電極
2と、その上に形成され分極状態を保持可能の絶縁層
と、絶縁層上にアレイ状であって、一端を絶縁層上に固
定し、他端は絶縁層との間にギャップ11を介して形成
された可動電極としての上部電極5と、これらの電極に
電圧を印加する駆動手段(図示せず)とから構成されて
いる。絶縁層は強誘電体からなる強誘電体薄膜3であ
る。また、上部電極5の上面に、白色の薄膜(図示せ
ず)が形成されており、この薄膜により、上部電極5に
入射する入射光を効率よく乱反射する。このような白色
の薄膜は、例えば、基板温度を100℃以上とし、アル
ミニウムをその膜厚が例えば1μm程度になるようにス
パッタリング成膜することにより形成することができ
る。また、白色薄膜の形成された上部電極5の上面には
ガラス板12が形成されており、強誘電体薄膜3とガラ
ス板12との間のギャップ11には液体の有色インク1
3が充填され、ガラス板12により有色インク13が封
止され、上部電極5が有色インク13内に浸漬された状
態となっている。
【0041】このように構成された第2の実施例の表示
装置においては、入射光は上部電極5の上面に形成され
た薄膜による反射と、有色インク13による吸収とによ
りコントラストをとることができる。従って、適当なイ
ンクを選定することにより、高いコントラストが得ら
れ、更に、入射光は有色インク13に吸収され発色する
ため、有色インク13の色を変えることによりフルカラ
ーの表示装置を得ることができる。また、上部電極5が
ミラーであって、そのミラーのみでは、反射光が一定の
角度に反射されるために見る角度によってコントラスト
が異なる視野角依存性を有する場合があるが、本実施例
においては上部電極5上に光を効率よく乱反射する薄膜
を形成することにより、視野角に依存せず、更に高いコ
ントラストを得ることができる。
【0042】次に、この表示装置の動作について説明す
る。表示素子10において、一端が強誘電体薄膜3に固
定され、他端は強誘電体薄膜3から離れた位置である第
1位置にある上部電極5に正、下部電極2に負の直流電
圧を印加すると、第1位置の上部電極5の可動部分が静
電引力のために下部電極2に引き寄せられる。上部電極
5が強誘電体薄膜3に引き寄せられ、上部電極5全体が
有色インク13内に浸漬すると、入射光はギャップ11
に充填されている有色インク13により吸収され、色を
発するようになる。そして、上部電極5が下部電極2に
引き寄せられ、完全に強誘電体薄膜3に接する第2位置
まで引き寄せられた後、更に大きな電圧を印加すると、
印加した電圧全てが強誘電体薄膜3にかかるため、強誘
電体薄膜3は一方向の分極を有する状態になる。この状
態において、電圧の印加を停止しても、強誘電体薄膜3
の分極電荷により、強誘電体薄膜3と上部電極5との間
には引力が生じているため、上部電極5は強誘電体薄膜
3に引き寄せられた状態を維持することができる。
【0043】次に、印加する電圧の極性を変えると、上
部電極5は、上部電極5に現れた電荷に対する強誘電体
薄膜3の分極電荷による反発力により押し戻される。こ
うして、元の位置である第1位置に戻り、上方からの入
射光は上部電極5上に形成された薄膜により乱反射され
る。
【0044】このようにして、電圧を印加することによ
り上部電極5がその下に形成されている絶縁層に引き寄
せられ第2位置をとるか又は反発して第1位置をとるか
により、入射光を上部電極5上に形成された薄膜によっ
て反射させるか又はギャップ11の有色インク13によ
り吸収させるかにより、高いコントラストを有するフル
カラーの表示装置が得られる。そして、この表示素子1
0は絶縁層が強誘電体より形成されているため、電圧の
印加を停止しても、絶縁層が分極したままの状態とな
り、第1の実施例と同様、メモリ性を有している。この
ような表示素子10をアレイ状に形成してディスプレイ
とすると、メモリ性を有し低電圧かつ低消費電力である
フルカラーの表示装置を得ることができ、表示素子駆動
のためにトランジスタ等を形成する必要がないため、製
造コストを低減し、歩留まりを向上させることができ
る。
【0045】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。図5は本実施例に係る表示装置の各素子14を示
す模式図であって、(a)は電極間に直流電圧を印加す
る前の状態、(b)は電極間に直流電圧を印加した状態
を示す図である。なお、図5示す第3の実施例におい
て、図1に示す第1の実施例と同一の構成要素には同一
の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0046】図5(a)に示すように、表示素子14
は、基板(図示せず)上に、アレイ状に複数個配置され
光を反射する可動電極である上部電極5と、固定電極で
ある下部電極2と、上部電極2の裏面の一部と下部電極
2との間に設けられた強誘電体薄膜15a及び絶縁体薄
膜15bの積層体からなる絶縁層15と、上部電極5及
び下部電極2に電荷を与える駆動手段(図示せず)とか
ら構成されている。下部電極2は強誘電体薄膜15aの
コーナー部に接して折れ曲がり、一部が絶縁層15の側
面に接する構造となっており、その上面には光を吸収す
るための光吸収層(図示せず)として例えばカーボン膜
等が成膜されている。なお、下部電極2の垂直部分は絶
縁体薄膜15bまで延びていてもよい。また、上部電極
5は、一端が絶縁体薄膜15b上に固定され、他端が下
部電極との間にギャップ4を介して中空にある可動な電
極であり、上部電極5上には入射光の反射を高効率にす
るために、アルミニウム等からなる白色の薄膜16が設
けられている。
【0047】このように構成された第3の実施例の表示
装置においては、上部電極5が絶縁層15から隔離した
第1位置にあるときは上部電極5により入射光を反射さ
せ、上部電極5が絶縁層15の側面に引き寄せられた第
2位置にあるときは下部電極2により入射光を吸収させ
ることができ、また、絶縁層15は強誘電体薄膜15a
を有しているため、静電気力を保持し、電圧印加停止後
の電極の位置を維持することができるため、メモリ性を
有する。
【0048】次に、この表示素子14の動作について説
明する。図5(a)に示すように、表示素子14の駆動
前においては、上部電極5は固定されていない端が絶縁
層15の側面から離隔した位置である第1位置にあり、
入射光6は、この第1位置にある上部電極5の上面の白
色薄膜16により効率よく反射される。
【0049】この表示素子14の両電極間に電圧を印加
すると、図5(b)に示すように、可動な上部電極5が
下部電極2に引き寄せられる。本実施例においては、上
部電極5が固定されている絶縁層15は下部電極2と上
部電極5との間に部分的に形成されており、また、下部
電極2は絶縁層15のコーナー部に接して折れ曲がるよ
うに形成されている。従って、電圧が印加されると、強
誘電体薄膜15aの側面に形成されている下部電極2に
上部電極5が引き寄せられるため、上部電極5は固定さ
れている絶縁体薄膜15bのコーナー部で垂直方向に折
れ曲がり、絶縁層15の側面に接する第2位置をとる。
これにより、入射光6はギャップ4を通過して、その下
の下部電極2に入射する。このとき、下部電極2の上面
には光吸収層が形成されているので、入射光6は吸収さ
れる。そして、電圧印加により分極された絶縁層15
は、電圧の印加を止めた後でもその分極状態を保持する
ため、静電引力により上部電極5は絶縁層15に引き寄
せられたままの状態を維持することができる。その後、
両電極間にこれとは逆の電圧を印加することにより、上
部電極5に現れる電荷と絶縁層15の上部電極5と接す
る端面にある分極電荷との反発力により、上部電極5は
第1位置に戻る。
【0050】このように、上部電極5が両電極間に電圧
を印加して下部電極2が形成されている絶縁層15の側
面に引き寄せられ垂直方向に折れ曲がった第2位置をと
ると、入射光6は下部電極2の上面のカーボン膜に吸収
され、また、これとは逆の電圧を印加すると、上部電極
5が静電反発力により絶縁層15の側面とは離隔した第
1位置に戻ることにより、入射光6は上部電極5上に形
成された白色薄膜16によって反射される。これによ
り、薄膜及び下部電極上面の光吸収層の色又は材質等を
適当に変えることにより、例えば白黒等の高いコントラ
ストを得ることができる。そして、本実施例において
も、絶縁層に強誘電体を使用しているため、第1及び第
2の実施例と同様のメモリ効果を有している。
【0051】次に、本発明の第4の実施例を説明する。
本実施例に係る表示素子は、基板上に、アレイ状に複数
個配置され光を反射する可動な上部電極と、固定電極で
ある下部電極と、上部電極の裏面の一部と下部電極との
間に設けられた強誘電体からなる絶縁層と、上部電極及
び下部電極に電荷を与える駆動手段(図示せず)とから
構成されている。下部電極は絶縁層が形成されているコ
ーナー部において、折れ曲がり絶縁層の側面に接してい
る。上部電極は、一端が絶縁層上に固定され、他端がギ
ャップを介して形成された可動電極である。また、上部
電極上にはガラス板等が形成され、これにより上部電極
と下部電極との間のギャップに有色インクが封入されて
おり、上部電極は、この有色インク内に浸漬されてい
る。更に、、上部電極の上面上には入射光の反射を効率
よくするために、アルミニウム等からなる白色の薄膜が
設けられている。
【0052】この表示装置の両電極間に直流電圧を印加
すると、絶縁層から離隔した第1位置から、静電引力に
より上部電極が下部電極に引き寄せられる。下部電極は
絶縁層のコーナー部に接して折れ曲がって形成されてい
るため、上部電極は絶縁層の側面に引き寄せられた第2
位置をとる。上部電極が第2位置にあると入射光は有色
インクの充填されたギャップに入射する。このように、
第2の実施例と同様に、上部電極が第1位置にあるとき
はその上部電極により入射光を反射させ、上部電極が第
2位置にあるときは、入射光を有色インクに吸収させて
色を発色することにより光を変調する。また、絶縁層は
強誘電体であるため、電圧が印加されて分極すると、電
圧の印加を停止してもその分極状態を保持し、これによ
り上部電極は電圧の印加を止めても第1位置又は第2位
置を維持することができる。
【0053】このように構成された第4の実施例に係る
表示装置においては、第1乃至第3の実施例と同様にメ
モリ性を有し、第1位置にある上部電極により光を反射
するか、又は、上部電極が第2位置にあって、入射光を
有色インクにより吸収し発色させるかしてフルカラーで
高コントラストであると共に低電圧及び低消費電力の表
示装置を得ることができ、更に、製造コストを低減し、
歩留まりの向上を図ることができる。
【0054】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明によれば、
固定電極上に分極状態が保持可能の絶縁層を介して、一
端が絶縁層上に固定され他端が絶縁層側に接する第1位
置及び他端が絶縁層から離れた第2位置をとる可動電極
を形成することにより、両電極間に電圧を印加すると静
電引力又は静電反発力により可動電極が上下運動する。
これにより、入射光を第1位置にある可動電極により反
射させるか否かにより、入射光を変調することができ
る。そして、表示素子の絶縁層が強誘電体からなり、電
圧の印加を停止した後も分極状態を保持するため、可動
電極も第1位置又は第2位置を維持することができ、こ
の表示素子をアレイ状に形成し、両電極に選択的に電荷
を与えることにより、メモリ性を有し、低電圧及び低消
費電力であると共に高コントラストの表示装置を得るこ
とができる。更に、この表示装置は各表示素子にトラン
ジスタ等の駆動装置を形成する必要がなく製造工程が容
易であるため、製造コストを低減し、歩留まりを向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る表示素子を示す模
式的断面図である。
【図2】(a)乃至(d)は本発明の第1の実施例に係
る表示素子1の動作を示す図であって、(a)は電極間
に電圧を印加する前の状態、(b)は電極間に直流電圧
を印加した状態、(c)は電圧の印加を停止した状態、
(d)は(b)とは逆の直流電圧を印加した状態を示
す。
【図3】本発明の第2の実施例に係る表示素子により文
字を表示した様子を示す模式図である。
【図4】本発明の第3の実施例に係る表示素子を示す模
式的断面図である。
【図5】本発明の第4の実施例に係る表示素子を示す模
式的断面図である。
【符号の説明】
1、10、14;表示素子 2;下部電極 3、15a;強誘電体薄膜 4、11;ギャップ 5;上部電極 6;入射光 7;反射光 12;ガラス板 13;有色インク 15;絶縁層 15b;絶縁体薄膜 16;薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木下 隆 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 後藤 裕史 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 宮田 浩一 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 Fターム(参考) 2H092 HA05 HA06 HA07 MA05 MA10 MA13 MA19 MA23 NA25 PA01 5C080 AA18 BB05 DD26 EE25 EE28 FF01 FF09 GG02 JJ01 JJ06 5C094 AA06 AA13 AA15 AA22 AA24 BA09 BA84 CA19 CA24 CA25 EA04 ED11

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 分極状態を保持可能の絶縁層と、前記絶
    縁層の裏面上に形成された固定電極と、前記絶縁層の表
    面上にアレイ状に複数個形成され光を反射する可動電極
    と、前記固定電極及び可動電極に夫々正及び負又は負及
    び正の電荷を選択的に与える駆動手段とを有し、前記可
    動電極はその一端が前記絶縁層に固定され他端は前記絶
    縁層との静電反発力により前記絶縁層から離れた第1位
    置と前記絶縁層との静電引力により前記絶縁層に引き寄
    せられた第2位置とをとるものであり、前記入射光を前
    記第1位置又は第2位置にある可動電極により反射させ
    ることにより前記入射光を変調するものであることを特
    徴とする表示装置。
  2. 【請求項2】 分極状態を保持可能の絶縁層と、前記絶
    縁層の裏面上に形成された固定電極と、前記絶縁層の表
    面上にアレイ状に複数個形成され光を反射する可動電極
    と、前記固定電極及び可動電極に夫々正及び負又は負及
    び正の電荷を選択的に与える駆動手段とを有し、前記可
    動電極は有色インク内に浸漬され、その一端が前記絶縁
    層に固定され他端は前記絶縁層との静電反発力により前
    記絶縁層から離れた第1位置と前記絶縁層との静電引力
    により前記絶縁層に引き寄せられた第2位置とをとるも
    のであり、前記入射光を第1位置にある可動電極により
    反射させるか又は前記可動電極が第2位置にあって前記
    入射光を有色インクにより吸収させることにより前記入
    射光を変調するものであることを特徴とする表示装置。
  3. 【請求項3】 アレイ状に複数個配置され光を反射する
    可動電極と、固定電極と、前記各可動電極の裏面の一部
    と前記固定電極との間に設けられ分極状態を保持可能の
    絶縁層と、前記固定電極及び可動電極に夫々正及び負又
    は負及び正の電荷を選択的に与える駆動手段と、を有
    し、前記可動電極は静電反発力により前記絶縁層の側面
    から離隔した第1位置と静電引力により前記絶縁層の側
    面に引き寄せられた第2位置とをとるものであり、前記
    入射光を第1位置にある可動電極により反射させるか否
    かにより前記入射光を変調するものであることを特徴と
    する表示装置。
  4. 【請求項4】 前記固定電極に光を吸収する光吸収層を
    形成し、入射光を第1位置にある可動電極により反射さ
    せるか又は可動電極が第2位置にあって前記入射光を前
    記光吸収層により吸収させることにより前記入射光を変
    調するものであることを特徴とする請求項3に記載の表
    示装置。
  5. 【請求項5】 アレイ状に複数個配置され光を反射する
    可動電極と、固定電極と、前記各可動電極の裏面の一部
    と前記固定電極との間に設けられ分極状態を保持可能の
    絶縁層と、前記固定電極及び可動電極に夫々正及び負又
    は負及び正の電荷を選択的に与える駆動手段と、を有
    し、前記可動電極は有色インクに浸漬され、静電反発力
    により前記絶縁層の側面から離隔した第1位置と静電引
    力により前記絶縁層の側面に引き寄せられた第2位置と
    をとるものであり、前記入射光を第1位置にある可動電
    極により反射させるか又は前記可動電極が第2位置にあ
    って前記入射光を有色インクにより吸収させることによ
    り前記入射光を変調するものであることを特徴とする表
    示装置。
  6. 【請求項6】 前記絶縁層の少なくとも一部は強誘電体
    からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1
    項に記載の表示装置。
  7. 【請求項7】 反射型のディスプレイの光変調部に使用
    されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項
    に記載の表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7957048B2 (en) 2006-08-07 2011-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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