JP2001142209A - ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
でき、かつ硬化後の皮膜特性として優れた機械特性、接
着性、吸水性を有する高感度のポジ型感光性樹脂を提供
する。 【解決手段】 一般式(1)で示されるポリアミド
(A)100重量部、感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部及び有機フィラー、無機フィラーまた
は顔料から選ばれる(C)成分からなり、下記式で示さ
れる(C)成分の含有量Fが2〜70wt%であるポジ
型感光性樹脂組成物である。 F={(C)成分/(ポリアミド+(C)成分)}×1
00 また、ポジ型感光性樹脂組成物にフェノール化合物
(D)1〜30重量部を含むポジ型感光性樹脂組成物で
ある。 【化25】
Description
率のパターンを得ることができ、かつフィラーを配合す
ることにより、良好な機械特性、接着特性、吸水特性を
有したアルカリ水溶液で現像可能な高感度のポジ型感光
性樹脂組成物に関するものである。
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械的特
性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年
半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの
薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行
等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向
上の要求があり、更に高性能のポリイミド樹脂が必要と
されるようになってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に
感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、例
えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式(3)等があ
る。
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−
メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平1−46862号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物より構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。
これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有
し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂として
の可能性も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像
メカニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカ
リ性水溶液に不溶であり、露光することによりジアゾキ
ノン化合物が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可
溶となる。この露光部と未露光部での溶解性の差を利用
し、未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。
く望まれている。低感度であると、ウェハー1枚あたり
の露光時間が長くなり、スループットが低下するからで
ある。そこで感光性樹脂の高感度化を目的として、例え
ばベース樹脂のポリベンゾオキサゾール樹脂の分子量を
小さくしただけでは、非露光部の現像時における膜減り
が大きくなり所望の膜厚を得ることが不可能となるだけ
でなく、そのパターン形状も悪くなるという問題が生じ
る。また熱により脱水閉環させた硬化膜の機械的特性も
著しく低下するという不具合も起こる。この様なことか
ら、上記特性を満足しながら高感度である感光性樹脂の
開発が望まれていた。
み、300mmウエハが使用されるようになってきた。
大きなウエハではSiウエハと感光性樹脂との線膨張係
数が異なるために、ウエハに反りが生じ、ウヘハを薄く
削る裏面研削の工程でウエハが割れる問題が起こってき
ている。したがって感光性樹脂の線膨張係数をシリコン
ウエハに近づけた低応力の感光性樹脂の開発が望まれて
いた。
溶液で現像が可能で、高解像度で高残膜率のパターンを
得ることができ、かつ硬化後の皮膜特性として優れた機
械特性、接着性、吸水性を有する高感度のポジ型感光性
樹脂を提供することを目的とする。またこれら皮膜によ
り高信頼性の半導体装置を提供することにある。
で示されるポリアミド(A)100重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物(B)1〜100重量部と有機フィラ
ー、無機フィラー(C)からなり、下記式で示される
(C)成分の含有量Fが2〜70wt%であるポジ型感
光性組成物である。 F={(C)成分/(ポリアミド+(C)成分)}×1
00(%)
示されるポリアミド(A)100重量部に対して、一般
式(2)で表されるフェノール化合物(D)1〜30重
量部を含むポジ型感光性組成物である。
造を有するビスアミノフェノールとYの構造を有するジ
カルボン酸からなり、このポリアミドを約300〜40
0℃で加熱すると閉環し、ポリベンゾオキサゾールとい
う耐熱性樹脂に変化する。本発明のポリアミド(1)の
Xは、例えば、
い。この中で特に高感度であるものとしては、
は、例えば、
い。これらの中で特に高感度のものとしては
のZは、例えば
い。
ーのような基板に対して、特に密着性が必要な場合に用
いるが、その使用割合bについては最大40モル%まで
使用することができる。40モル%を越えると樹脂の溶
解性が極めて低下し、スカムが発生し、パターン加工が
できない。なお、これらX、Y、Zの使用にあたって
は、それぞれ1種類であっても2種類以上の混合物であ
っても構わない。
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第2,772,972号、第2,797,21
3号、第3,669,658号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
いものとしては下記のものがある。
アミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に
対し、1〜100重量部で、配合量が1重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
要により感光特性を高めるためにジヒドロキシピリジン
誘導体を加えることができる。ジヒドロキシピリジン誘
導体としては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジア
セチル−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒ
ドロピリジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6
−ジメチル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒ
ドロピリジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)
−2,6−ジメチル−3,5−カルボメトキシ−1,4
−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
は、有機フィラーまたは/及び無機フィラーである。無
機フィラーには顔料等も含まれる。有機フィラーとして
はエポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アクリル樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリエステル樹脂、テフロン樹脂である。無機フィ
ラーとしては、アルミナ、シリカ、マグネシア、フェラ
イトなどの金属酸化微粒子、あるいはタルク、マイカ、
カオリン、ゼオライトなどの珪酸塩類、硫酸バリウム、
炭酸カルシウム、フラーレンなどの微粒子を用いる。上
記フィラーは1種または2種以上を混合して使用する。
1μm以下の微粒子であり、さらに好ましくは0.1μ
m以下の微粒子である。平均粒径が1μmを越えると解
像度、感度の低下をまねき好ましくない。フィラーの添
加量は、感光性樹脂組成物の固形分重量に対し2wt%
以上70wt%以下であり、好ましくは50wt%以下
である。2wt%未満では添加効果がほとんどなく、7
0wt%を越えると硬化後の被膜形成ができなくなる。
る。前記フィラーと樹脂、感光剤と有機溶媒等を混合す
る際は、フィラーや顔料が樹脂組成物中に均一に分散す
ることが好ましい。分散は公知の方法で行うことがで
き、例えば、ボールミル、ロールミル、ダイヤモンドミ
ル等剪断力の強い分散装置を用いて、分散混合の良好な
感光性樹脂組成物を得ることができる。更に、分散混合
を良好に行うため、湿潤剤、分散剤、シランカップリン
グ剤、チタンカップリング剤、消泡剤等を添加するか、
あらかじめフィラーに疎水処理を実施することも可能で
ある。
は、更に一般式(2)で表わされるフェノール化合物を
含有させることが更に好ましい。
に添加する技術としては、例えば、特開平3−2002
51号公報、特開平3−200252号公報、特開平3
−200253号公報、特開平3−200254号公
報、特開平4−1650号公報、特開平4−1651号
公報、特開平4−11260号公報、特開平4−123
56号公報、特開平4−12357号公報に示されてい
る。しかし、これらに示されているようなフェノール化
合物は、本発明におけるポリアミドをベース樹脂とした
ポジ型感光性樹脂に用いても感度向上の効果は小さい。
わされるフェノール化合物を用いた場合、露光部におけ
る溶解速度が増し、感度が向上する。又分子量を小さく
し感度を上げた場合に見られるような未露光部の膜減り
も非常に小さい。又本発明においては、一般式(2)で
表わされるフェノール化合物を添加することによる新た
な特性として、封止樹脂との密着性が向上したポジ型感
光性樹脂組成物が得られるということを見い出した。
記のもの等を挙げることができるがこれらに限定されな
い。
好ましいものとしては、
混合物の形で全フェノール化合物(D)中に50重量%
以上含まれるものである。
は、ポリアミド(A)100重量部に対して1〜50重
量部が好ましい。添加量が1重量部未満だと感度向上の
効果が得られず、又添加量が50重量部を越えると残膜
率の低下が大きくなったり、又冷凍保存中において析出
が起こり実用性に欠ける。
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3
−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、60〜120℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、
ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミ
ン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第
3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶
液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコ
ール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加し
た水溶液を好適に使用することができる。現像方法とし
ては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能
である。次に、現像によって形成したレリーフパターン
をリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。
次に加熱処理を行い、オキサゾール環を形成し、耐熱性
に富む最終パターンを得る。
半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシ
ブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜等とし
ても有用である。本発明によるポジ型感光性樹脂組成物
を、半導体素子の上に、加熱、硬化後の厚みが1〜50
μmになるように塗布し、プリベーク、露光、現像、加
熱して樹脂組成物の層を形成する。半導体装置の製作に
は公知の方法を用いることができる。
る。 《実施例1》 *ポリアミドの合成 ジフェニルエーテル−4、4’−ジカルボン酸1モルと
1−ヒドロキシベンゾトリアゾール2モルとを反応させ
て得られたジカルボン酸誘導体492.5重量部(1モ
ル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン347.9重量部
(0.95モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾
燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコ
に入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000重量部を
加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃に
て12時間反応させた。次に、反応混合物をろ過した
後、反応混合物を水/メタノール=3/1の溶液に投
入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥
し、目的のポリアミド(A−1)を得た。
構造を有するジアゾキノン(B−1)25重量部、シリ
カ(C−1:平均粒径0.1μm、比表面積40m2/
g)100重量部をγ−ブチロラクトン250重量部に
溶解した後、1μmのテフロンフィルターで濾過し感光
性樹脂組成物を得た。
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて
120℃で4分乾燥し、膜厚約7μmの塗膜を得た。こ
の塗膜にg線ステッパー露光機NSR−1505G3A
(ニコン(株)製)によりレチクルを通して50mJ/c
m2から20mJ/cm2づつ増やして540mJ/cm
2まで露光を行った。次に2.38%のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液に40秒浸漬することに
よって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンス
した。その結果、露光量290mJ/cm2の照射した
部分よりパターンが成形されており、パターン底部にス
カムが無いことが確認できた(感度は290mJ/cm
2)。この時の残膜率(現像後の膜厚/現像前の膜厚)
は92.0と非常に高い値を示した。
2枚のシリコンウェハー上に塗布し、プリベークした
後、オーブン中30分/150℃、30分/250℃、
30分/350℃の順で加熱、樹脂を硬化させた。この
ときの硬化収縮率は5%であった。その後2%フッ化水
素水溶液に浸漬することによりシリコンウェハーから剥
離した硬化フィルムを、水で十分洗浄し乾燥を行った後
に熱機械分析(TMA)で線膨張係数を測定したところ
3.7x10-5(単位;1/℃)という低い値を得た。
またこの硬化フィルムの24時間純水中に浸漬し吸水率
を測定したところ0.2%であった。
の合成において、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを34.8重
量部(0.095モル)に減らし、替わりに、1,3−
ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン1.24重量部(0.005モル)
を加え、一般式(1)で示され、Xが下記式X−1、Y
が下記式Y−1で、ZがZ−1で、a=95、b=5か
らなるポリアミドを合成した。その他は実施例1と同様
の評価を行った。
ン化合物を、下記式B−2に替えて評価を行った。
性樹脂組成物にフェノール化合物(P−1)10重量部
添加して評価を行った。
化合物(P−1)の添加量を5重量部にして評価を行っ
た。
−1)をシリカ(C−2:平均粒径0.04μm、比表
面積50m2/g)にして評価を行った。
30重量部にして評価を行った。
添加しないで評価を行った。
添加量を400重量部に増やして評価を行った。
シリカの添加量を0.5重量部にして評価を行った。
評価結果をまとめて表1〜2に示す。
パターンを形成することができ、かつ硬化後の皮膜特性
として優れた機械特性、接着性、吸水性を有する高感度
のポジ型感光性樹脂を提供することが可能になった。
Claims (7)
- 【請求項1】 一般式(1)で示されるポリアミド
(A)100重量部、感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部及び有機フィラー、無機フィラーから
少なくとも1種選ばれる(C)成分からなり、下記式で
示される(C)成分の含有量Fが2〜70wt%である
ことを特徴とするポジ型感光性組成物。 F={(C)成分/(ポリアミド+(C)成分)}×1
00(%) 【化1】 - 【請求項2】 請求項1記載のポジ型感光性組成物が、
該一般式(1)で示されるポリアミド(A)100重量
部に対して、一般式(2)で表されるフェノール化合物
(D)1〜30重量部を含むことを特徴とするポジ型感
光性組成物。 【化2】 - 【請求項3】 一般式(1)のポリアミドにおけるX
が、下記より選ばれてなる請求項1又は2記載のポジ型
感光性組成物。 【化3】 - 【請求項4】 一般式(1)のポリアミドにおけるY
が、下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化4】 - 【請求項5】 該無機フィラーがシリカであることを特
徴とする請求項1、2、3又は4記載のポジ型感光性樹
脂組成物。 - 【請求項6】 該無機フィラーの粒径が、0.01から
1μmであることを特徴とする請求項1、2、3又は4
記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項7】 請求項1又は2記載のポジ型感光性樹脂
組成物を、半導体素子上に、加熱、硬化後の厚みが1〜
50μmになるように形成して製作された半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32440599A JP4250835B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32440599A JP4250835B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001142209A true JP2001142209A (ja) | 2001-05-25 |
JP4250835B2 JP4250835B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4250835B2 (ja) |
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1999
- 1999-11-15 JP JP32440599A patent/JP4250835B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR101015856B1 (ko) | 2008-10-24 | 2011-02-23 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
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---|---|
JP4250835B2 (ja) | 2009-04-08 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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