JP2001135931A - Build-up multilayer board and manufacturing method thereof - Google Patents

Build-up multilayer board and manufacturing method thereof

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JP2001135931A
JP2001135931A JP31484599A JP31484599A JP2001135931A JP 2001135931 A JP2001135931 A JP 2001135931A JP 31484599 A JP31484599 A JP 31484599A JP 31484599 A JP31484599 A JP 31484599A JP 2001135931 A JP2001135931 A JP 2001135931A
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JP
Japan
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insulating layer
build
wiring layer
layer
resin
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JP31484599A
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Norihiro Nishida
典弘 西田
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a build-up multilayer board whose surface is flat with enhanced bonding strength between an insulating layer and a wiring layer. SOLUTION: An epoxy resin 7 is applied by spin coater, roll coater, and the like on a surface of a board (6) formed by semi-additive method or subtractive method (7). A quantity of application is then adjusted to a depth of an indentation on an insulating layer 5 of the board. After drying the resin 7, exposure and development are performed to remove the resin other than the indentation (8). Thus, it is possible to form a board with a flat surface by semi- additive method or subtractive method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はビルドアップ多層
基板およびその製造方法に関し、特に基板を平坦に構成
することができるビルドアップ多層基板およびその製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a build-up multilayer substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a build-up multilayer substrate capable of flattening a substrate and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のICチップの高性能化・小型化に
伴い、ICチップを搭載する基板の配線密度の高密度化
が重要な技術的課題となっている。現在、実用化されて
いる高密度実装基板の一例としてビルドアップ多層基板
がある。このビルドアップ多層基板は、サブトラクティ
ブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいず
れかの方法で製造されている。
2. Description of the Related Art With the recent increase in performance and miniaturization of IC chips, increasing the wiring density of a substrate on which the IC chip is mounted has become an important technical problem. At present, there is a build-up multilayer board as an example of a high-density mounting board that has been put into practical use. This build-up multilayer substrate is manufactured by any of a subtractive method, a semi-additive method, and a full-additive method.

【0003】サブトラクティブ法では、図3に示すよう
に、(1)感光性の絶縁層11の表面を粗化して絶縁層
11の表面にめっき触媒を付与した後、(2)無電解銅
めっき、電解銅めっきにより銅めっき被膜12を形成す
る。この後、(3)銅めっき被膜12上に液状の感光性
樹脂を塗布して乾燥させ、もしくはドライフィルムなど
の感光性フィルムをラミネートし、これを露光現像処理
してエッチングレジスト13のパターンを形成する。
In the subtractive method, as shown in FIG. 3, (1) roughening the surface of the photosensitive insulating layer 11 to apply a plating catalyst to the surface of the insulating layer 11, and (2) electroless copper plating Then, a copper plating film 12 is formed by electrolytic copper plating. Thereafter, (3) a liquid photosensitive resin is applied on the copper plating film 12 and dried, or a photosensitive film such as a dry film is laminated, and this is exposed and developed to form a pattern of the etching resist 13. I do.

【0004】この後、(4)銅めっき被膜12のうちの
エッチングレジスト13のパターンから露出する部分を
エッチングして配線層14を形成した後、(5)エッチ
ングレジスト13を剥離除去して、配線層14を表面処
理する。この後、(6)配線層14および絶縁層11上
に液状の感光性樹脂を塗布して熱硬化させて次の層の絶
縁層15を形成するとともに、これを露光現像処理して
ビアホール16を形成する。以後、上述した各工程を必
要な積層数となるまで繰返してビルドアップ多層基板を
形成する。
Thereafter, (4) the wiring layer 14 is formed by etching a portion of the copper plating film 12 which is exposed from the pattern of the etching resist 13, and (5) the etching resist 13 is peeled and removed. The layer 14 is surface-treated. After that, (6) a liquid photosensitive resin is applied on the wiring layer 14 and the insulating layer 11 and thermally cured to form the next insulating layer 15, which is exposed and developed to form the via hole 16. Form. Thereafter, the above-described steps are repeated until the required number of layers is reached, thereby forming a build-up multilayer substrate.

【0005】また、セミアディティブ法では、図4に示
すように、(1)感光性の絶縁層21の表面を粗化して
絶縁層21の表面にめっき触媒を付与した後、(2)無
電解銅めっきにより銅めっき被膜22を形成する。この
後、(3)銅めっき被膜22上に液状の感光性樹脂を塗
布して乾燥、もしくはドライフィルムなどの感光性フィ
ルムをラミネートし、これを露光現像処理してめっきレ
ジスト23のパターンを形成する。
In the semi-additive method, as shown in FIG. 4, after (1) the surface of the photosensitive insulating layer 21 is roughened and a plating catalyst is applied to the surface of the insulating layer 21, (2) electroless A copper plating film 22 is formed by copper plating. Thereafter, (3) a liquid photosensitive resin is applied on the copper plating film 22 and dried, or a photosensitive film such as a dry film is laminated, and this is exposed and developed to form a pattern of the plating resist 23. .

【0006】この後、(4)銅めっき被膜22のうちの
めっきレジスト23のパターンから露出する部分に電解
銅めっきを施して配線層24を形成する。この後、
(5)めっきレジスト23を剥離し、銅めっき被膜22
のうちの配線層24で覆われていない部分をエッチング
して取除く。この後、(6)配線層24を表面処理し、
配線層24および絶縁層21上に液状の感光性樹脂を塗
布して熱硬化させて次の層の絶縁層27を形成するとと
もに、これを露光現像処理してビアホール26を形成す
る。以後、上述した各工程を必要な積層数となるまで繰
返してビルドアップ多層基板を形成する。
Thereafter, (4) electrolytic copper plating is applied to a portion of the copper plating film 22 exposed from the pattern of the plating resist 23 to form a wiring layer 24. After this,
(5) The plating resist 23 is peeled off, and the copper plating film 22 is removed.
Of the wiring layer 24 is removed by etching. Thereafter, (6) the wiring layer 24 is surface-treated,
A liquid photosensitive resin is applied on the wiring layer 24 and the insulating layer 21 and thermally cured to form the next insulating layer 27, which is exposed and developed to form a via hole 26. Thereafter, the above-described steps are repeated until the required number of layers is reached, thereby forming a build-up multilayer substrate.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、一般に
ビルドアップ多層基板は、サブトラクティブ法、セミア
ディティブ法、またはフルアディティブ法のいずれかの
方法で製造されている。
As described above, generally, a build-up multilayer substrate is manufactured by any of a subtractive method, a semi-additive method, and a full-additive method.

【0008】フルアディティブ法では、基板表面を平坦
にすること(基板表面の平坦性)の点で優れているが、
配線層の側面粗化処理を行なうことができないため、配
線層と絶縁層との界面において接着性が弱いという問題
がある。すなわちフルアディティブ法では、配線層を表
面処理する際に、配線層の側面がめっきレジストで覆わ
れた状態となっているため、配線層の側面は表面処理さ
れない。このため、配線層と絶縁層との接着強度がサブ
トラクティブ法、セミアディティブ法と比較して弱く、
配線層と絶縁層との間において剥離が発生しやすいとい
う欠点がある。
The full additive method is excellent in flattening the substrate surface (flatness of the substrate surface).
Since the side surface roughening treatment of the wiring layer cannot be performed, there is a problem that adhesion is weak at the interface between the wiring layer and the insulating layer. That is, in the full additive method, when the wiring layer is subjected to the surface treatment, the side surface of the wiring layer is covered with the plating resist, and thus the side surface of the wiring layer is not subjected to the surface treatment. Therefore, the adhesive strength between the wiring layer and the insulating layer is weaker than the subtractive method and the semi-additive method,
There is a disadvantage that separation easily occurs between the wiring layer and the insulating layer.

【0009】一方、セミアディティブ法またはサブトラ
クティブ法を採用した場合には、配線層側面の粗化処理
ができるため、絶縁層と配線層との間の接着性を向上さ
せることができる。しかしながら、配線層の上に、絶縁
層を形成するための樹脂を塗布(またはラミネート)す
る必要があるため、配線層の厚みにより平坦性が悪くな
るという問題がある。
On the other hand, when the semi-additive method or the subtractive method is employed, since the side surface of the wiring layer can be roughened, the adhesiveness between the insulating layer and the wiring layer can be improved. However, since it is necessary to apply (or laminate) a resin for forming an insulating layer on the wiring layer, there is a problem that the thickness of the wiring layer deteriorates flatness.

【0010】また、絶縁層表面の凹部を印刷により埋め
ることはできるが、配線が微細である基板に対しては、
印刷マスクを作成することができないという問題があ
る。また、凹部を印刷により埋めることとすると、複雑
な配線パターンに対応しにくいという問題がある。
[0010] In addition, the concave portion on the surface of the insulating layer can be filled by printing, but for a substrate having fine wiring,
There is a problem that a print mask cannot be created. Further, if the recess is filled by printing, there is a problem that it is difficult to cope with a complicated wiring pattern.

【0011】そこでこの発明は、絶縁層と配線層の界面
の接着性が高く、かつ平坦性に優れたビルドアップ多層
基板およびその製造方法を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a build-up multilayer substrate having high adhesion at the interface between an insulating layer and a wiring layer and excellent flatness, and a method for manufacturing the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
この発明のある局面に従うと、ビルドアップ多層基板の
製造方法は、配線層の上部および側面の表面処理を行な
い、配線層の上に密着する絶縁層を形成する工程と、絶
縁層上に樹脂を塗布し、露光および現像を行なうことで
絶縁層の表面の凹部を埋める工程とを含む。
According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a build-up multilayer substrate, comprising: performing a surface treatment on an upper portion and a side surface of a wiring layer; Forming an insulating layer to be formed, and applying a resin on the insulating layer, and performing exposure and development to fill a concave portion on the surface of the insulating layer.

【0013】この発明の他の局面に従うと、ビルドアッ
プ多層基板は、その上部および側面に対して表面処理が
行なわれた配線層と、配線層上に密着する第1の絶縁層
と、露光および現像を行なうことで第1の絶縁層の表面
の凹部内に形成される第2の絶縁層とを備える。
According to another aspect of the present invention, a build-up multilayer substrate includes a wiring layer having its upper surface and side surfaces subjected to surface treatment, a first insulating layer which is in close contact with the wiring layer, and a light exposure and exposure method. A second insulating layer formed in the concave portion on the surface of the first insulating layer by performing development.

【0014】これらの発明に従うと、配線層の上部およ
び側面に対し表面処理が行なわれるため、配線層と絶縁
層の界面の接着性を高くすることができる。また、露光
および現像を行なうことで絶縁層の表面の凹部が埋めら
れるため、平坦性の優れたビルドアップ多層基板を製造
することが可能となる。
According to these inventions, the surface treatment is performed on the upper and side surfaces of the wiring layer, so that the adhesiveness at the interface between the wiring layer and the insulating layer can be enhanced. In addition, by performing exposure and development, the concave portions on the surface of the insulating layer are filled, so that a build-up multilayer substrate having excellent flatness can be manufactured.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下に、本実施の形態におけるビ
ルドアップ多層基板およびその製造方法について説明す
る。本実施の形態においては、ビルドアップ多層基板の
製造方法としてセミアディティブ法またはサブトラクテ
ィブ法を採用している。そして、配線層の上部および側
面を表面処理するとともに、配線層の上に位置する絶縁
層の凹部を、樹脂を塗布し、露光および現像を行なうこ
とにより埋めて平坦化するものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a build-up multilayer substrate and a method of manufacturing the same according to the present embodiment will be described. In the present embodiment, a semi-additive method or a subtractive method is employed as a method for manufacturing a build-up multilayer substrate. Then, the upper surface and the side surface of the wiring layer are subjected to surface treatment, and the concave portion of the insulating layer located on the wiring layer is filled and flattened by applying a resin and performing exposure and development.

【0016】配線層上に形成された絶縁層が、配線層の
表面処理された表面および側面の両方に密着することに
より、配線層と絶縁層との間の接着強度が高まる。これ
により、配線層と絶縁層との剥離が防止される。
The adhesive strength between the wiring layer and the insulating layer is increased by the insulating layer formed on the wiring layer being in close contact with both the surface-treated surface and the side surface of the wiring layer. This prevents separation between the wiring layer and the insulating layer.

【0017】また、配線層の上に形成される絶縁層にお
いては、配線層の厚みにより凹部が発生するが、樹脂を
塗布、露光および現像することによりその凹部を埋めて
基板を平坦化することができる。これにより、セミアデ
ィティブ法およびサブトラクティブ法で問題となる基板
の平坦性の問題を解決することができる。
In the insulating layer formed on the wiring layer, a recess is formed due to the thickness of the wiring layer. However, it is necessary to fill the recess by applying, exposing and developing a resin to flatten the substrate. Can be. Thereby, the problem of the flatness of the substrate, which is a problem in the semi-additive method and the subtractive method, can be solved.

【0018】図1および図2は、本実施の形態における
ビルドアップ多層基板の製造方法を説明するための断面
図である。これらの図においては、ビルドアップ多層基
板の製造方法としてセミアディティブ法をベースに用い
ている。
FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a build-up multilayer substrate according to the present embodiment. In these figures, a semi-additive method is used as a method for manufacturing a build-up multilayer substrate.

【0019】コア基板としては、たとえばガラスエポキ
シ基板、金属基板などを用いることができる。コア基板
の所定位置にはスルーホールが加工により形成されてい
る。この基板のスルーホールを印刷により埋込み、研磨
して表面を平坦化した後に使用する。次に、このコア基
板表面を表面粗化処理する。
As the core substrate, for example, a glass epoxy substrate, a metal substrate, or the like can be used. Through holes are formed at predetermined positions of the core substrate by processing. The through holes of this substrate are embedded by printing and polished to use after flattening the surface. Next, the surface of the core substrate is subjected to a surface roughening treatment.

【0020】次に、図1および図2を参照して以下のよ
うな工程でビルドアップ多層基板は製造される。
Next, referring to FIGS. 1 and 2, a build-up multilayer substrate is manufactured by the following steps.

【0021】(1) コア基板上に液状のエポキシ系の
樹脂をスピンコータ、ロールコータなどで塗布し、これ
を乾燥させて感光性樹脂層を形成した後、露光現像処理
して、ビアホールを形成する。この後、感光性樹脂層の
表面を処理して粗化し、絶縁層1を形成する。
(1) A liquid epoxy-based resin is applied on a core substrate by a spin coater, a roll coater, or the like, and dried to form a photosensitive resin layer, and then exposed and developed to form a via hole. . After that, the surface of the photosensitive resin layer is treated and roughened to form the insulating layer 1.

【0022】(2) 続いて粗化した絶縁層1の表面
に、化学銅めっき2を施す。 (3) さらにドライフィルム3などで配線パターンを
形成する。
(2) Subsequently, chemical copper plating 2 is applied to the roughened surface of the insulating layer 1. (3) Further, a wiring pattern is formed with a dry film 3 or the like.

【0023】(4) さらに、化学銅めっき2を電極と
して、電気銅めっき4を施し、配線を形成する。
(4) Further, using the chemical copper plating 2 as an electrode, an electrolytic copper plating 4 is applied to form a wiring.

【0024】(5) 次にドライフィルム3を剥がし、
さらにエッチングにより化学銅めっきのみを除去し、形
成された配線層4の表面および側面を表面粗化する。
(5) Next, the dry film 3 is peeled off,
Further, only the chemical copper plating is removed by etching, and the surface and side surfaces of the formed wiring layer 4 are roughened.

【0025】(6) この後、(1)と同様に液状のエ
ポキシ系の樹脂をスピンコータ、ロールコータなどで塗
布し、これを乾燥させて絶縁層5とし、露光現像処理し
てビアホール6を形成する。
(6) After that, a liquid epoxy resin is applied by a spin coater, a roll coater or the like in the same manner as in (1), and dried to form an insulating layer 5, and exposed and developed to form a via hole 6. I do.

【0026】(7) さらに、エポキシ系の樹脂7をス
ピンコータ、ロールコータなどで塗布する。このときの
塗布量は絶縁層5の窪み(凹部)の深さに合せて調整す
る。塗布後、樹脂を乾燥させ、新たな絶縁層とする。
(7) Further, an epoxy resin 7 is applied by a spin coater, a roll coater or the like. The application amount at this time is adjusted according to the depth of the depression (recess) of the insulating layer 5. After the application, the resin is dried to form a new insulating layer.

【0027】(8) 次に露光および現像を行ない、凹
部以外の樹脂を取り去る。その後、表面粗化を実施す
る。これにより絶縁層5の表面の凹部が絶縁物質8で埋
められる。
(8) Next, exposure and development are performed, and the resin other than the concave portions is removed. After that, the surface is roughened. Thereby, the concave portions on the surface of the insulating layer 5 are filled with the insulating material 8.

【0028】その後、ビルドアップ多層基板が必要な積
層数となるまで、上記(2)〜(8)の工程を繰返し行
なう。
Thereafter, the above steps (2) to (8) are repeated until the required number of build-up multilayer substrates is stacked.

【0029】このように、本実施の形態においてはビル
ドアップ多層基板が形成されるときに、絶縁層の凹部が
他の絶縁層で埋められる。これにより、従来のセミアデ
ィティブ法では防ぐことができなかった絶縁層の表面の
平坦性を確保することかできた。さらに、サブトラクテ
ィブ法またはセミアディティブ法でしか実施できなかっ
た配線の表面粗化による絶縁層および配線層の密着性を
高めることができた。
As described above, in the present embodiment, when the build-up multilayer substrate is formed, the concave portion of the insulating layer is filled with another insulating layer. Thereby, the flatness of the surface of the insulating layer, which could not be prevented by the conventional semi-additive method, could be secured. Further, the adhesion between the insulating layer and the wiring layer due to the surface roughening of the wiring, which could be performed only by the subtractive method or the semi-additive method, could be improved.

【0030】なお、上記実施の形態においてはセミアデ
ィティブ法を例に挙げて説明したが、たとえば図3の
(6)に示される工程の後に図2の(7)および(8)
で示される工程を行なうことにより、本発明をサブトラ
クティブ法においても実施することが可能となる。
In the above embodiment, the semi-additive method has been described as an example. However, for example, after the step shown in FIG. 3 (6), the steps (7) and (8) in FIG.
By carrying out the steps indicated by, it is possible to implement the present invention also in a subtractive method.

【0031】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
The embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態の1つにおけるビルドア
ップ多層基板の製造工程を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process of a build-up multilayer substrate according to one of the embodiments of the present invention.

【図2】 図1に続く図である。FIG. 2 is a view following FIG. 1;

【図3】 サブトラクティブ法を説明するための図であ
る。
FIG. 3 is a diagram for explaining a subtractive method.

【図4】 セミアディティブ法を説明するための図であ
る。
FIG. 4 is a diagram for explaining a semi-additive method.

【符号の説明】 1 絶縁層、2 化学銅めっき、3 ドライフィルム、
4 電気銅めっき、5,7,8 樹脂(絶縁層)、6
ビアホール。
[Description of Signs] 1 Insulating layer, 2 Chemical copper plating, 3 Dry film,
4 Copper electroplating, 5, 7, 8 Resin (insulating layer), 6
Via hole.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E314 AA27 AA32 BB13 CC02 CC03 DD02 DD06 DD07 DD08 FF04 FF05 FF17 GG11 GG26 5E346 AA12 AA43 CC08 CC32 DD03 DD23 DD44 EE38 EE39 FF07 FF13 FF23 GG18 GG22 HH07 HH31  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E314 AA27 AA32 BB13 CC02 CC03 DD02 DD06 DD07 DD08 FF04 FF05 FF17 GG11 GG26 5E346 AA12 AA43 CC08 CC32 DD03 DD23 DD44 EE38 EE39 FF07 FF13 FF23 GG18 GG22 HH07H31H31

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ビルドアップ多層基板の製造方法であっ
て、 配線層の上部および側面の表面処理を行ない、前記配線
層の上に密着する絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層上に樹脂を塗布し、露光および現像を行なう
ことで前記絶縁層の表面の凹部を埋める工程とを含む、
ビルドアップ多層基板の製造方法。
1. A method for manufacturing a build-up multilayer substrate, comprising: performing a surface treatment on an upper portion and a side surface of a wiring layer to form an insulating layer which is in close contact with the wiring layer; And filling the recesses on the surface of the insulating layer by performing exposure and development,
A method for manufacturing a build-up multilayer substrate.
【請求項2】 その上部および側面に対して表面処理が
行なわれた配線層と、 前記配線層上に密着する第1の絶縁層と、 露光および現像を行なうことで前記第1の絶縁層の表面
の凹部内に形成される第2の絶縁層とを備えた、ビルド
アップ多層基板。
2. A wiring layer having its upper surface and side surfaces subjected to surface treatment, a first insulating layer which is in close contact with the wiring layer, and a first insulating layer formed by performing exposure and development. A build-up multilayer substrate, comprising: a second insulating layer formed in a concave portion on a surface.
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