JP2001131115A - １，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法 - Google Patents
１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、シス体とトランス体の混合
物である１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン
とアジピン酸を原料としてシス体濃度の高い１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を製
造する方法を提供することにある。 【解決手段】 シス体濃度が４０％〜８５％である１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジピン酸
とを原料とし、当該１，３−ビス（アミノメチル）シク
ロヘキサンとアジピン酸の仕込みモル比を１．２／１〜
１／１．２となるようにして、メタノール溶媒中で反応
させ、反応物を反応液から析出後、固液分離して回収す
ることを特徴とする、シス体濃度が９０％以上である
１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピ
ン酸塩の製造方法。
物である１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン
とアジピン酸を原料としてシス体濃度の高い１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を製
造する方法を提供することにある。 【解決手段】 シス体濃度が４０％〜８５％である１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジピン酸
とを原料とし、当該１，３−ビス（アミノメチル）シク
ロヘキサンとアジピン酸の仕込みモル比を１．２／１〜
１／１．２となるようにして、メタノール溶媒中で反応
させ、反応物を反応液から析出後、固液分離して回収す
ることを特徴とする、シス体濃度が９０％以上である
１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピ
ン酸塩の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリアミドなどの
原料として有用なシス体濃度が９０％以上の１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩、お
よびシス体濃度が９０％以上の１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンをを製造する方法に関する。
原料として有用なシス体濃度が９０％以上の１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩、お
よびシス体濃度が９０％以上の１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンをを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘ
キサンはポリアミドの原料として利用されている。特公
昭３５−６４８号公報において１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンを原料としたポリアミドは優れた
物理的及び化学的特性を有することが示されている。ま
た、特開昭４８−４８５４８号公報及び特公昭５０−３
７７１７号公報において、１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサンとアジピン酸との重縮合で得られる
ポリアミドはガスバリヤー性に優れたフィルムや高弾性
率の繊維として有用であり、特にシス体濃度が多い方が
結晶性が高く、物性が良好な製品が得られることが示さ
れている。
キサンはポリアミドの原料として利用されている。特公
昭３５−６４８号公報において１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンを原料としたポリアミドは優れた
物理的及び化学的特性を有することが示されている。ま
た、特開昭４８−４８５４８号公報及び特公昭５０−３
７７１７号公報において、１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサンとアジピン酸との重縮合で得られる
ポリアミドはガスバリヤー性に優れたフィルムや高弾性
率の繊維として有用であり、特にシス体濃度が多い方が
結晶性が高く、物性が良好な製品が得られることが示さ
れている。
【０００３】現在、１，３−ビス（アミノメチル）シク
ロヘキサンは商業的にはメタキシリレンジアミンの水素
添加によって製造されている。水素添加の際に生成する
シス体とトランス体の比率の制御方法は見いだされてい
ない。また、シス体とトランス体の分離方法については
有効な方法が見いだされていない。
ロヘキサンは商業的にはメタキシリレンジアミンの水素
添加によって製造されている。水素添加の際に生成する
シス体とトランス体の比率の制御方法は見いだされてい
ない。また、シス体とトランス体の分離方法については
有効な方法が見いだされていない。
【０００４】ポリアミドは通常ナイロン塩の水溶液を経
て合成される。ポリアミドの原料としては、ナイロン塩
の段階でシス体とトランス体の分離を行うことができ
る。井上らは，高分子論文集，第３６巻，３０５〜３１
０頁の論文において，１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサンとアジピン酸の塩を合成後，水−エタノー
ル混合溶媒に溶解させ、真空蒸発法により除々に塩を析
出させる方法でシス体とトランス体の１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の分離を行
っている。
て合成される。ポリアミドの原料としては、ナイロン塩
の段階でシス体とトランス体の分離を行うことができ
る。井上らは，高分子論文集，第３６巻，３０５〜３１
０頁の論文において，１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサンとアジピン酸の塩を合成後，水−エタノー
ル混合溶媒に溶解させ、真空蒸発法により除々に塩を析
出させる方法でシス体とトランス体の１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の分離を行
っている。
【０００５】しかし、この方法は、工程が多く複雑であ
る上、多くの熱エネルギーを必要とする。また、析出物
の異性体組成が順次変化していくためシス体が多い１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸
塩を大量に得ることができない。
る上、多くの熱エネルギーを必要とする。また、析出物
の異性体組成が順次変化していくためシス体が多い１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸
塩を大量に得ることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリアミド
などの原料となるシス体濃度が９０％以上の１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩、お
よびシス体濃度が９０％以上の１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンを簡便に製造する方法を提供しよ
うとするものである。
などの原料となるシス体濃度が９０％以上の１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩、お
よびシス体濃度が９０％以上の１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンを簡便に製造する方法を提供しよ
うとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意検討した結果、特定の溶媒中で１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸
塩を形成させ，析出した塩を固液分離することで、上記
の問題を解決し得ることを見いだし、本発明を完成する
に到った。
を達成するため鋭意検討した結果、特定の溶媒中で１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸
塩を形成させ，析出した塩を固液分離することで、上記
の問題を解決し得ることを見いだし、本発明を完成する
に到った。
【０００８】すなわち、本発明は、シス体濃度が４０〜
８５％であるシス体とトランス体の混合物からなる１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジピン酸
とを原料とする１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘ
キサン・アジピン酸塩の製造方法であって、当該混合
１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジピ
ン酸の仕込みモル比を１．２／１〜１／１．２となるよ
うにして、メタノール溶媒中でメタノール溶媒１００質
量部に対し当該原料が３〜１００質量部になるように仕
込んで反応させ、反応で生成した１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を反応液から析
出後、固液分離して回収することを特徴とする、シス体
濃度が９０％以上である１，３−ビス（アミノメチル）
シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法、及び
８５％であるシス体とトランス体の混合物からなる１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジピン酸
とを原料とする１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘ
キサン・アジピン酸塩の製造方法であって、当該混合
１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジピ
ン酸の仕込みモル比を１．２／１〜１／１．２となるよ
うにして、メタノール溶媒中でメタノール溶媒１００質
量部に対し当該原料が３〜１００質量部になるように仕
込んで反応させ、反応で生成した１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を反応液から析
出後、固液分離して回収することを特徴とする、シス体
濃度が９０％以上である１，３−ビス（アミノメチル）
シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法、及び
【０００９】シス体濃度が４０〜８５％であるシス体と
トランス体の混合物からなる１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサンとアジピン酸とを原料とする１，３
−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩
の製造方法であって、当該混合１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンとアジピン酸の仕込みモル比を
１．２／１〜１／１．２となるようにして、メタノール
溶媒中でメタノール溶媒１００質量部に対し当該原料が
３〜１００質量部になるように仕込んで反応させ、反応
で生成した１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ン・アジピン酸塩を反応液から析出後、固液分離して回
収後、更に固液分離して得られた１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩をアルコールと
水の混合溶媒中で再結晶させることを特徴とする、シス
体濃度が９０％以上である１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法に関する
発明である。
トランス体の混合物からなる１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサンとアジピン酸とを原料とする１，３
−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩
の製造方法であって、当該混合１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンとアジピン酸の仕込みモル比を
１．２／１〜１／１．２となるようにして、メタノール
溶媒中でメタノール溶媒１００質量部に対し当該原料が
３〜１００質量部になるように仕込んで反応させ、反応
で生成した１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ン・アジピン酸塩を反応液から析出後、固液分離して回
収後、更に固液分離して得られた１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩をアルコールと
水の混合溶媒中で再結晶させることを特徴とする、シス
体濃度が９０％以上である１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法に関する
発明である。
【００１０】本発明で使用するシス体とトランス体の混
合物である１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ンは，たとえばメタキシリレンジミンを水素添加して製
造されるが，その他の方法で製造したものを使用しても
よい。本発明で使用する１，３−ビス（アミノメチル）
シクロヘキサンのシス体濃度は、４０〜８５％、好まし
くは６０〜８５％である。シス体濃度が４０％以上であ
れば、シス体濃度が９０％以上である１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を得ること
が可能である。
合物である１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ンは，たとえばメタキシリレンジミンを水素添加して製
造されるが，その他の方法で製造したものを使用しても
よい。本発明で使用する１，３−ビス（アミノメチル）
シクロヘキサンのシス体濃度は、４０〜８５％、好まし
くは６０〜８５％である。シス体濃度が４０％以上であ
れば、シス体濃度が９０％以上である１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を得ること
が可能である。
【００１１】本発明で使用するメタノール溶媒には、メ
タノール以外の溶媒を２０質量％以下含んでいても良
い。メタノール以外の溶媒としては、メタノールと混合
し，１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンやア
ジピン酸と反応しない溶媒であることが必要である。メ
タノール以外の溶媒としては、例えば水、エタノール、
プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール、エチ
レングリコール、トルエン、キシレン、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルなどのセロソルブ類、エチレン
グリコールジメチルエーテルなどのグライム類、テトラ
ヒドロフラン、ジメチルエーテル、アセトニトリル、ジ
メチルスルホキシドなどが挙げられる。
タノール以外の溶媒を２０質量％以下含んでいても良
い。メタノール以外の溶媒としては、メタノールと混合
し，１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンやア
ジピン酸と反応しない溶媒であることが必要である。メ
タノール以外の溶媒としては、例えば水、エタノール、
プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール、エチ
レングリコール、トルエン、キシレン、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルなどのセロソルブ類、エチレン
グリコールジメチルエーテルなどのグライム類、テトラ
ヒドロフラン、ジメチルエーテル、アセトニトリル、ジ
メチルスルホキシドなどが挙げられる。
【００１２】メタノール溶媒中で１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる方
法としては、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキ
サンのメタノール溶液とアジピン酸のメタノール溶液と
を混合する方法、１，３−ビス（アミノメチル）シクロ
ヘキサンのメタノール溶液にアジピン酸を加える方法、
アジピン酸のメタノール溶液に１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンを加える方法が挙げられるが、こ
れらの方法に限定されない。
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる方
法としては、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキ
サンのメタノール溶液とアジピン酸のメタノール溶液と
を混合する方法、１，３−ビス（アミノメチル）シクロ
ヘキサンのメタノール溶液にアジピン酸を加える方法、
アジピン酸のメタノール溶液に１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンを加える方法が挙げられるが、こ
れらの方法に限定されない。
【００１３】本発明で１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる際に用いる混
合１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジ
ピン酸の仕込みモル比は１．２／１〜１／１．２であ
る。当該モル比範囲において、良好な反応収率を得るこ
とができる。
クロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる際に用いる混
合１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジ
ピン酸の仕込みモル比は１．２／１〜１／１．２であ
る。当該モル比範囲において、良好な反応収率を得るこ
とができる。
【００１４】本発明で１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる際に用いる混
合１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジ
ピン酸のは、メタノール溶媒１００質量部に対し３〜１
００質量部になるように仕込む必要がある。３質量部よ
り少ないと形成した１，３−ビス（アミノメチル）シク
ロヘキサン・アジピン酸塩の析出しないかあるいは仕込
量に対する析出量が非常に小さくなる。また、１００重
量部より多いと析出した１，３−ビス（アミノメチル）
シクロヘキサン・アジピン酸塩を固液分離することが困
難となる。
クロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる際に用いる混
合１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンとアジ
ピン酸のは、メタノール溶媒１００質量部に対し３〜１
００質量部になるように仕込む必要がある。３質量部よ
り少ないと形成した１，３−ビス（アミノメチル）シク
ロヘキサン・アジピン酸塩の析出しないかあるいは仕込
量に対する析出量が非常に小さくなる。また、１００重
量部より多いと析出した１，３−ビス（アミノメチル）
シクロヘキサン・アジピン酸塩を固液分離することが困
難となる。
【００１５】メタノール溶媒中で１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる際
の温度、および圧力は、任意の条件を選ぶことができ
る。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・ア
ジピン酸塩を生成させた後には、シス−１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩が析出
する条件にする必要がある。そのために、生成したシス
−１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジ
ピン酸塩が析出する条件で１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を形成させても良い
し、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・ア
ジピン酸塩を形成させた後、濃縮、冷却等の操作を行っ
てシス−１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン
・アジピン酸塩が析出する条件にしても良い。
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を形成させる際
の温度、および圧力は、任意の条件を選ぶことができ
る。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・ア
ジピン酸塩を生成させた後には、シス−１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩が析出
する条件にする必要がある。そのために、生成したシス
−１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジ
ピン酸塩が析出する条件で１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を形成させても良い
し、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・ア
ジピン酸塩を形成させた後、濃縮、冷却等の操作を行っ
てシス−１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン
・アジピン酸塩が析出する条件にしても良い。
【００１６】析出した１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサン・アジピン酸塩を固液分離する方法として
は既知の方法を用いることができる。具体的には濾過、
遠心分離などが挙げられる。
クロヘキサン・アジピン酸塩を固液分離する方法として
は既知の方法を用いることができる。具体的には濾過、
遠心分離などが挙げられる。
【００１７】以上の方法で得られた１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩は必要に応じ
て、他の方法で更にシス体含有率を上げることができ
る。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・ア
ジピン酸塩のシス体含有率を上げる方法としては、再結
晶、溶剤洗浄などが挙げられる。再結晶においては、溶
媒としてアルコールと水の混合溶媒を使用することが好
ましく、メタノールと水の混合溶媒を使用することが特
に好ましい。この場合、メタノール／水の混合比は７０
／３０〜９８／２（質量比）の範囲が好ましい。また、
溶剤洗浄においては、溶剤としてメタノールを使用する
ことが好ましい。
ノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩は必要に応じ
て、他の方法で更にシス体含有率を上げることができ
る。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・ア
ジピン酸塩のシス体含有率を上げる方法としては、再結
晶、溶剤洗浄などが挙げられる。再結晶においては、溶
媒としてアルコールと水の混合溶媒を使用することが好
ましく、メタノールと水の混合溶媒を使用することが特
に好ましい。この場合、メタノール／水の混合比は７０
／３０〜９８／２（質量比）の範囲が好ましい。また、
溶剤洗浄においては、溶剤としてメタノールを使用する
ことが好ましい。
【００１８】本発明の方法で得られたシス−１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩から
シス−１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを
製造するためには、シス−１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩と水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の強塩基性物質とを反応させるこ
とが必要である。具体的には、シス−１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の水溶液に
水酸化ナトリウムの水溶液を加えてシス−１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサンを遊離させた後、溶剤
抽出するなどの方法を用いられる。
ス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩から
シス−１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンを
製造するためには、シス−１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩と水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の強塩基性物質とを反応させるこ
とが必要である。具体的には、シス−１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の水溶液に
水酸化ナトリウムの水溶液を加えてシス−１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサンを遊離させた後、溶剤
抽出するなどの方法を用いられる。
【００１９】このようにして得られたシス−１，３−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサンは、ポリアミドの他
にエポキシ樹脂硬化剤やイソシアネートの原料として使
用することができる。
ス（アミノメチル）シクロヘキサンは、ポリアミドの他
にエポキシ樹脂硬化剤やイソシアネートの原料として使
用することができる。
【００２０】
【実施例】実施例１ アジピン酸１４６．１ｇをメタノール９００ｇに溶解さ
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得られた
スラリーを濾過し、濾滓を乾燥させた。１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩１９２
ｇを得た。そのシス体含有率は９１．４％であった。
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得られた
スラリーを濾過し、濾滓を乾燥させた。１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩１９２
ｇを得た。そのシス体含有率は９１．４％であった。
【００２１】実施例２ アジピン酸１４６．１ｇをメタノール９００ｇに溶解さ
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、得られたスラリー
を濾過した。濾滓にメタノール６００ｇを加え撹拌した
後、得られたスラリーを２５℃で濾過し、濾滓を乾燥さ
せた。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・
アジピン酸塩１７５ｇを得た。そのシス体含有率は９
６．５％であった。
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、得られたスラリー
を濾過した。濾滓にメタノール６００ｇを加え撹拌した
後、得られたスラリーを２５℃で濾過し、濾滓を乾燥さ
せた。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・
アジピン酸塩１７５ｇを得た。そのシス体含有率は９
６．５％であった。
【００２２】実施例３ アジピン酸１４６．１ｇをメタノール９００ｇに溶解さ
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得得られ
たスラリーを濾過した。濾滓にメタノール７２０ｇと水
８０ｇを加え、密閉状態で７０℃に加熱撹拌し、結晶を
溶解させた。その後、溶液を３０℃まで冷却し、結晶を
析出させた。 得られたスラリーを濾過した。この時得
られた濾液は、シス体７１．３％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を７．７質量
％含んでおり、実施例４で再利用した。得られた濾滓に
メタノール６００ｇを加え撹拌した後、得られたスラリ
ーを２５℃で濾過し、濾滓を乾燥させた。１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩１２６
ｇを得た。そのシス体含有率は９９．５％であった。
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得得られ
たスラリーを濾過した。濾滓にメタノール７２０ｇと水
８０ｇを加え、密閉状態で７０℃に加熱撹拌し、結晶を
溶解させた。その後、溶液を３０℃まで冷却し、結晶を
析出させた。 得られたスラリーを濾過した。この時得
られた濾液は、シス体７１．３％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を７．７質量
％含んでおり、実施例４で再利用した。得られた濾滓に
メタノール６００ｇを加え撹拌した後、得られたスラリ
ーを２５℃で濾過し、濾滓を乾燥させた。１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩１２６
ｇを得た。そのシス体含有率は９９．５％であった。
【００２３】実施例４ アジピン酸１４６．１ｇをメタノール９００ｇに溶解さ
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得得られ
たスラリーを濾過した。濾滓に実施例３の濾液８５０ｇ
を加え７０℃に加熱撹拌し、結晶を溶解させた。その
後、溶液を３０℃まで冷却し、結晶を析出させた。得ら
れたスラリーを濾過した。濾滓にメタノール６００ｇを
加え撹拌した後、得られたスラリーを濾過し、濾滓を乾
燥させた。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ン・アジピン酸塩１６２ｇを得た。そのシス体含有率は
９９．４％であった。
せた後、シス体濃度が７２．７％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得得られ
たスラリーを濾過した。濾滓に実施例３の濾液８５０ｇ
を加え７０℃に加熱撹拌し、結晶を溶解させた。その
後、溶液を３０℃まで冷却し、結晶を析出させた。得ら
れたスラリーを濾過した。濾滓にメタノール６００ｇを
加え撹拌した後、得られたスラリーを濾過し、濾滓を乾
燥させた。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ン・アジピン酸塩１６２ｇを得た。そのシス体含有率は
９９．４％であった。
【００２４】実施例５ アジピン酸１４６．１ｇをメタノール９００ｇに溶解さ
せた後、シス体濃度が６５．５％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得られた
スラリーを濾過した。濾滓にメタノール６００ｇを加え
撹拌した後、得られたスラリーを濾過し、濾滓を乾燥さ
せた。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・
アジピン酸塩１６８ｇを得た。そのシス体濃度は９４．
５％であった。
せた後、シス体濃度が６５．５％の１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一に
混合した。反応熱により５０℃となり，数分後結晶が析
出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得られた
スラリーを濾過した。濾滓にメタノール６００ｇを加え
撹拌した後、得られたスラリーを濾過し、濾滓を乾燥さ
せた。１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・
アジピン酸塩１６８ｇを得た。そのシス体濃度は９４．
５％であった。
【００２５】実施例６ 実施例５で得られた１，３−ビス（アミノメチル）シク
ロヘキサン・アジピン酸塩１００ｇを水１９０ｃｍ3 に
溶解させ、２０質量％水酸化ナトリウム水溶液１４５ｃ
ｍ3 を加え、遊離した１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサンをクロロホルムで抽出した。抽出は１回３
００ｃｍ3 で５回行った。得られた１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサンのクロロホルム溶液を硫酸ナ
トリウムを加えて脱水し、濾紙で濾過した後、エバポレ
ータを用いて５ｋＰａの圧力で６０℃に加熱しクロロホ
ルムを蒸発除去した。得られた１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンのシス体濃度は９４．５％であっ
た。
ロヘキサン・アジピン酸塩１００ｇを水１９０ｃｍ3 に
溶解させ、２０質量％水酸化ナトリウム水溶液１４５ｃ
ｍ3 を加え、遊離した１，３−ビス（アミノメチル）シ
クロヘキサンをクロロホルムで抽出した。抽出は１回３
００ｃｍ3 で５回行った。得られた１，３−ビス（アミ
ノメチル）シクロヘキサンのクロロホルム溶液を硫酸ナ
トリウムを加えて脱水し、濾紙で濾過した後、エバポレ
ータを用いて５ｋＰａの圧力で６０℃に加熱しクロロホ
ルムを蒸発除去した。得られた１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンのシス体濃度は９４．５％であっ
た。
【００２６】比較例１ アジピン酸１４６．１ｇをエタノール１０００ｇに溶解
させた後、シス体濃度が７３．７％の１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一
に混合した。反応熱により５０℃となり、数十秒後結晶
が析出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得得
られたスラリーを濾過した。１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩２８２ｇを得た。そ
のシス体含有率は７４．９％であった。
させた後、シス体濃度が７３．７％の１，３−ビス（ア
ミノメチル）シクロヘキサン１４２．２ｇを加え、均一
に混合した。反応熱により５０℃となり、数十秒後結晶
が析出し始めた。混合してから１時間後、２５℃で得得
られたスラリーを濾過した。１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩２８２ｇを得た。そ
のシス体含有率は７４．９％であった。
【００２７】
【発明の効果】本発明の方法を用いれば、簡便な工程で
効率よくシス体濃度が９０％以上である１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を製造
することができる。
効率よくシス体濃度が９０％以上である１，３−ビス
（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩を製造
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 209/88 Ｃ０７Ｃ 209/88 211/18 211/18
Claims (3)
- 【請求項１】 シス体濃度が４０〜８５％であるシス体
とトランス体の混合物からなる１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンとアジピン酸とを原料とする１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸
塩の製造方法であって、当該混合１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサンとアジピン酸の仕込みモル比を
１．２／１〜１／１．２となるようにして、メタノール
溶媒中でメタノール溶媒１００質量部に対し当該原料が
３〜１００質量部になるように仕込んで反応させ、反応
で生成した１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ン・アジピン酸塩を反応液から析出後、固液分離して回
収することを特徴とする、シス体濃度が９０％以上であ
る１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジ
ピン酸塩の製造方法。 - 【請求項２】 シス体濃度が４０〜８５％であるシス体
とトランス体の混合物からなる１，３−ビス（アミノメ
チル）シクロヘキサンとアジピン酸とを原料とする１，
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸
塩の製造方法であって、当該混合１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサンとアジピン酸の仕込みモル比を
１．２／１〜１／１．２となるようにして、メタノール
溶媒中でメタノール溶媒１００質量部に対し当該原料が
３〜１００質量部になるように仕込んで反応させ、反応
で生成した１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサ
ン・アジピン酸塩を反応液から析出後、固液分離して回
収後、更に固液分離して得られた１，３−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩をアルコールと
水の混合溶媒中で再結晶させることを特徴とする、シス
体濃度が９０％以上である１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の製造方法
で得た１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・
アジピン酸塩を塩基性物質と反応させることを特徴とす
るシス体濃度が９０％以上の１，３−ビス（アミノメチ
ル）シクロヘキサンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31497599A JP2001131115A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | １，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31497599A JP2001131115A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | １，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131115A true JP2001131115A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=18059928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31497599A Pending JP2001131115A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | １，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン・アジピン酸塩の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001131115A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013557A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 昭和電工株式会社 | アリルアミンの製造方法 |
| WO2015041262A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法 |
| CN114890903A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-12 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高顺式体含量1,3-环己烷二甲胺的制备方法 |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP31497599A patent/JP2001131115A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN105555754A (zh) * | 2013-09-17 | 2016-05-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 双(氨基甲基)环己烷的异构化方法 |
| JPWO2015041262A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-03-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ビス（アミノメチル）シクロヘキサンの異性化方法 |
| US9604905B2 (en) | 2013-09-17 | 2017-03-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Isomerization method for bis (aminomethyl) cyclohexane |
| CN105555754B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-10-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 双(氨基甲基)环己烷的异构化方法 |
| CN114890903A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-12 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高顺式体含量1,3-环己烷二甲胺的制备方法 |
| CN114890903B (zh) * | 2022-06-07 | 2023-07-14 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高顺式体含量1,3-环己烷二甲胺的制备方法 |
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