JP2001131066A - アポトーシス増強剤 - Google Patents

アポトーシス増強剤

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JP2001131066A
JP2001131066A JP2000240026A JP2000240026A JP2001131066A JP 2001131066 A JP2001131066 A JP 2001131066A JP 2000240026 A JP2000240026 A JP 2000240026A JP 2000240026 A JP2000240026 A JP 2000240026A JP 2001131066 A JP2001131066 A JP 2001131066A
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aromatic hydrocarbon
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JP2000240026A
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Keiko Sekine
啓子 関根
Hideji Fujii
秀二 藤井
Fuminori Abe
史紀 安部
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Nippon Kayaku Co Ltd
Original Assignee
Nippon Kayaku Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】新たな副作用の少ない臨床適用可能なアポトー
シス増強剤の提供 【解決手段】 アミノペプチダーゼ阻害活性を有し、好
ましくは一般式(1)で表わされるウベニメクス誘導体
またはその薬理学上許容される塩を有効成分とするアポ
トーシス増強剤。 【化1】 〔式中、Rは水酸基、置換基を有してもよい低級アルキ
ル基、置換基を有してもよい低級アルコキシ基、アミノ
基、置換基を有してもよいモノまたはジ低級アルキルア
ミノ基もしくはこれらのジ低級アルキルが環形成した
(環内に酸素原子が含まれてもよい)アミノ基、置換基
を有してもよい芳香族炭化水素低級アルキルアミノ基、
置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有し
てもよい芳香族炭化水素低級アルキル基、置換基を有し
てもよい芳香族炭化水素低級アルコキシ基、置換基を有
してもよい芳香族炭化水素オキシ基、置換基を有しても
よい芳香族炭化水素アシル低級アルコキシ基または置換
基を有してもよい低級脂環式炭化水素オキシ基等を示
す。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品として特に
腫瘍や自己免疫疾患などアポトーシスの異常に伴う疾患
の治療に併用して使用されるものであり、アポトーシス
誘導剤によるDNA断片化を伴うアポトーシスを増強す
る作用を有するアミノペプチダーゼ阻害剤、好ましくは
ウベニメクス誘導体を有効成分とするアポトーシス増強
剤に関する。
【0002】
【従来の技術】アポトーシスは個体発生の過程、組織の
形成、ホメオスタシスの維持、生体の防御などに深く関
わり、生命の維持に重要な役割をしている。しかし、遺
伝子により制御されたアポトーシスの過程が何らかの原
因で障害を受けるとアポトーシスが過剰に誘発されたり
あるいは強度に抑制されたりして、様々な臓器の機能障
害を引き起こし、病気となる。アポトーシスが過剰に誘
発された場合の疾患として臓器形成不全、エイズウイル
スによる免疫不全症等が知られている。逆にアポトーシ
スが抑制された疾患としては癌、自己免疫疾患等が知ら
れている。(例えば、細胞工学別冊;アポトーシス実験
プロトコール、26〜30頁、秀潤社、1994年発行
及びLancet、341巻、1251〜1254、1
993年)
【0003】癌、自己免疫疾患等の治療にはこれまで数
多くのものが開発され、治療に大きな成果を上げてき
た。しかしながら、これらの薬剤は癌細胞、異常増殖免
疫担当細胞、異常滑膜細胞等が正常細胞よりも代謝回転
や増殖が速いことに基づいたものであり、細胞増殖に必
須の核酸合成やタンパク合成阻害、あるいは細胞分裂に
必須であるチューブリンの脱重合を阻害するものであっ
た。このため、正常細胞でも増殖の盛んな造血臓器、粘
膜、肝臓、腎臓、毛根などに毒性を示し、投与された患
者に貧血、嘔吐、肝障害、腎障害、脱毛等の甚だしい苦
痛を与える。しかも、これらは一般に有効量と最大耐容
量の幅が狭いので、投与量には細心の注意を払わねばな
らない。
【0004】そこで、癌、自己免疫疾患等の原因が、本
来であればアポトーシスという生体の防御機構により除
去されるべき異常細胞が何らかの機構によりその防御機
構を免れた細胞であることに着目して、異常細胞にアポ
トーシスを誘導して疾患を治療するという試みが近年盛
んになされている。この治療法は今までの対処療法と異
なり、根本的な全く新しい概念の治療として期待されて
いる。具体的には、TNF-α(Tumor necr
osis factor)、Fasリガンド、抗Fas
モノクロナル抗体、TRAIL(TNF-relate
d apoptosis―induced ligan
d)等が挙げられる。特に、米原らにより開発された抗
Fasモノクロナル抗体(ヒト化HFE7A、最新医
学、54巻、917―924頁、1999年)は、現在
までに問題とされていた肝毒性がなく、またヒトに投与
可能であり、新たな自己免疫疾患の治療薬として期待さ
れている。また、TRAILも多種の腫瘍で高い抗腫瘍
効果が前臨床試験で得られたことが示されている(ネイ
チャーメディシン、5巻、157〜163頁、1999
年)。
【0005】一方で、異常増殖細胞はアポトーシスとい
う生体の防御機構に対して耐性になった結果発生した細
胞であり、これらの細胞はアポトーシス誘導剤に対し、
感受性が低下していることが多い。このため、疾患を治
癒するには高い投与量を要し、その結果、異常細胞のみ
ならず、正常細胞にもアポトーシスを誘導してしまうよ
うな副作用が懸念された。そこで、アポトーシス誘導剤
の効果を増強し、しかも単剤では毒性の低い薬剤の開発
が望まれていた。
【0006】アミノペプチダーゼは蛋白質あるいはペプ
チドのN末端のアミノ酸を切断する酵素であり、細胞
膜、細胞質、細胞内小器官に存在し、蛋白質の成熟、非
ホルモン及びホルモンペプチドの分解、蛋白質の安定性
の決定に不可欠であると考えられている。
【0007】アミノペプチダーゼの阻害剤としては、ウ
ベニメクス、アクチノニン、アマスタチン、アルファメ
ニン等が挙げられる。ウベニメクス、N-〔2S,3
R)-3-アミノ-2-ヒドロキシ-4-フェニルブチリル〕
-L-ロイシンは放線菌ストレプトミセス オリボレティ
クリから産生され免疫賦活作用を有する低毒性の制癌剤
として知られている(例えば、特公昭60-9487号
公報)。ウベニメクス・低級アルキルエステル誘導体に
ついてはアミノペプチダーゼB阻害活性を有すことから
抗炎症作用を示すことが示唆されている(特開昭52-
116435号公報)。ウベニメクス・ベンジルオキシ
誘導体についてはアミノペプチダーゼ阻害作用や免疫増
強活性を有することが示唆されている(特公昭63-2
5579号公報)。アクチノニンは放線菌ストレプトミ
セス ロゼオプルラタスから産生される免疫賦活作用を
有する化合物として知られている(特開昭61-158
40)。アクチノニン誘導体はアンジオテンシン変換酵
素等のペプチド分解酵素を阻害して、高血圧症や心不全
症に有効であることが示唆されている(特開平05-2
39021)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、今まで
の対処療法と異なる、根本的な全く新しい概念の治療と
して期待されているアポトーシス誘導剤の効果を増強
し、かつアポトーシス誘導剤による副作用を最小限にす
るために少ない投与量でも治療効果を奏することのでき
る臨床的に投与可能な新たな薬剤が望まれている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、アポトー
シス誘導剤の効果を増強する薬剤を用いれば、上記の課
題が解決されると考え、そのような薬剤を鋭意検索して
きたところ、アミノペプチダーゼ阻害剤がアポトーシス
誘導剤の効果を高めることを見出したことにより、本発
明に到達した。
【0010】すなわち、本発明は次の(1)〜(19)
に関するものである。 (1).アミノペプチダーゼ阻害活性を有する化合物を
有効成分とするアポトーシス増強剤 (2).アミノペプチダーゼ阻害活性を有する化合物が
一般式(1)
【0011】
【化2】
【0012】〔式中、Rは水酸基、置換基を有してもよ
い低級アルキル基、置換基を有してもよい低級アルコキ
シ基、アミノ基、置換基を有してもよいモノまたはジ低
級アルキルアミノ基もしくはこれらのジ低級アルキルが
環形成した(環内に酸素原子が含まれてもよい)アミノ
基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素低級アルキル
アミノ基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置
換基を有してもよい芳香族炭化水素低級アルキル基、置
換基を有してもよい芳香族炭化水素低級アルコキシ基、
置換基を有してもよい芳香族炭化水素オキシ基、置換基
を有してもよい芳香族炭化水素アシル低級アルコキシ基
または置換基を有してもよい低級脂環式炭化水素オキシ
基等を示す。〕で表わされるウベニメクス誘導体、アク
チノニン又はそれら薬理学上許容される塩である1項記
載のアポトーシス増強剤。
【0013】(3).一般式(1)においてRが水酸
基、低級アルコキシ基、低級シクロアルキル置換低級ア
ルコキシ基、アミノ基、モノまたはジ低級アルキルアミ
ノ基、もしくはこれらのジ低級アルキルが環形成した
(環内に酸素原子が含まれてもよい)アミノ基、芳香族
炭化水素低級アルキルアミノ基、芳香族炭化水素アルコ
キシ基、芳香族炭化水素アシル低級アルコキシ基または
低級アルキル置換低級脂環式炭化水素オキシ基である、
2項記載のアポトーシス増強剤。 (4).一般式(1)においてRが水酸基、C1〜C1
4アルコキシ基、C3〜C8シクロアルキル置換C1〜
C6アルコキシ基、アミノ基、モノまたはジ低級アルキ
ルアミノ基、モルフォリノ基、ピロリジノ基、ピペリジ
ノ基、フェニルC1〜C6アルキルアミノ基、フェニル
C1〜C6アルコキシ基、ベンゾイルC1〜C6アルコ
キシ基、C1〜C10アルキル置換C3〜C8シクロア
ルキルオキシ基である、2項記載のアポトーシス増強
剤。 (5).一般式(1)においてRが水酸基、C1〜C1
0アルコキシ基、シクロヘキシルC1〜C6アルコキシ
基、ベンジルオキシ基、フェナシルオキシ基、シクロヘ
キサノール基、メントール基、α−テルピネオール基、
ボルネオール基である、2項記載のアポトーシス増強
剤。
【0014】(6).アポトーシス誘導能を有するサイ
トカイン、これらの産生を誘導する遺伝子ベクター及び
免疫増強剤から選択された少なくとも1つのアポトーシ
ス誘導剤と併用するための、1〜5項いずれかに記載の
アポトーシス増強剤。 (7).TNFレセプタースーパーファミリーを介した
作用機序を有する化合物から選ばれる少なくとも1個の
アポトーシス誘導剤と併用するための1〜5項いずれか
に記載のアポトーシス増強剤。
【0015】(8).アポトーシス誘導剤がTNF-
α、Fas リガンド、抗Fasモノクロナル抗体、T
RAIL及びこれらの産生を誘導するような遺伝子ベク
ターからなる群から選択される少なくとも1個である、
7項記載のアポトーシス増強剤。 (9).アポトーシス誘導剤がインターフェロン-γ、
インターロイキン-12、これらの産生を誘導するよう
な遺伝子ベクター及び免疫増強剤からなる群から選択さ
れる少なくとも1個である、7項記載のアポトーシス増
強剤。
【0016】(10).1〜9項いずれかに記載のアポ
トーシス増強剤を有効成分とする抗腫瘍効果増強剤。 (11).抗腫瘍効果増強剤が固形癌治療増強剤であ
る、10項に記載の抗腫瘍効果増強剤。
【0017】(12).1〜9項いずれかに記載のアポ
トーシス増強剤を有効成分とする自己免疫疾患治療増強
剤。 (13).アポトーシス誘導能を有するサイトカイン
類、これらの産生を誘導するような遺伝子ベクター及び
免疫増強剤からなる群から選択される少なくともの1個
の化合物と1〜5項いずれかに記載のアポトーシス増強
剤を併用して用いるアポトーシス誘導剤。
【0018】(14).TNFレセプタースーパーファ
ミリーを介した作用機序を有する化合物と1〜5項いず
れかに記載のアポトーシス増強剤を併用して用いるアポ
トーシス誘導剤。 (15).TNFレセプタースーパーファミリーを介し
た作用機序を有する化合物がTNF-α、Fasリガン
ド、抗Fasモノクロナル抗体、TRAIL及びこれら
の産生を誘導するような遺伝子ベクターからなる群から
選択される少なくとも1個である、14項に記載のアポ
トーシス誘導剤。
【0019】(16).TNFレセプタースーパーファ
ミリーを介した作用機序を有する化合物が、TNFスー
パーファミリーのレセプターやそのリガンドを増強する
作用を有するインターフェロン-γ、インターロイキン-
12及びこれらの産生を誘導するような遺伝子ベクター
及び免疫増強剤からなる群の少なくとも1個の化合物で
ある、14項に記載のアポトーシス誘導剤。 (17).アポトーシス誘導剤が抗腫瘍効果を及ぼすこ
とを特徴とする、13〜16項いずれかに記載のアポト
ーシス誘導剤。
【0020】(18).アポトーシス誘導剤が固形癌治
療効果を及ぼすことを特徴とする、13〜16項いずれ
かに記載のアポトーシス誘導剤。 (19).アポトーシス誘導剤が自己免疫疾患治療効果
を及ぼすことを特徴とする、13〜16項いずれか記載
のアポトーシス誘導剤。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明において、アポトーシス誘
導剤とは、アポトーシスを誘導能を有するサイトカイン
類、これらの産生を誘導するような遺伝子ベクター又は
免疫増強剤などを示す。例えばTNFレセプタースーパ
ーファミリーを介した作用機序を有する化合物であり、
具体的にはTNF-α、Fasリガンド、抗Fasモノ
クロナル抗体、TRAIL、更にはこれらの産生を誘導
するような遺伝子ベクター等が挙げられる。更には、T
NFレセプタースパーファミリーやそのリガンドを増強
する作用を有するインターフェロン-γ、インターロイ
キン-12、又はこれらの産生を誘導するような遺伝子
ベクター又は免疫増強剤も含まれる。
【0022】上述した、遺伝子ベクターとはTNFレセ
プタースーパーファミリーを介した作用機序を有する化
合物をコードする遺伝子を組み込んだベクターを意味す
る。遺伝子導入の方法としては、レトロウイルスベクタ
ー、アデノウイルスベクター、AAV(adeno-a
ssociated virus)ベクター、ヘルペス
ウイルスベクター、HIVウイルスベクター等のウイル
スベクターやリン脂質を水に懸濁したときに生ずる脂質
からなる小胞の中に遺伝子を包埋するリポソーム法や数
μm程度の金属粒子に目的の遺伝子を付着させて、この
粒子を高速で直接細胞内に射入させるパーティクル銃等
が挙げられる(実験医学増刊;遺伝子治療の最前線、1
780〜1786頁、羊土社、1994年)。
【0023】上述した、TNFレセプタースーパーファ
ミリーやそのリガンドを増強する作用を有する免疫増強
剤とは、免疫担当細胞を活性化して細胞性免疫や液性免
疫を増強させうる化合物であり、具体的にはBCG、ピ
シバニル、クレスチン、レンチナン、レバミダゾール等
が挙げられる。
【0024】本発明において、アポトーシス増強剤とは
生体に存在する又は外来から投与されたアポトーシス誘
導剤の効果を増強させる物質を示し、アミノペプチダー
ゼ阻害剤、特に一般式(1)で表されるウベニメクス誘
導体及びアクチノニンは、アミノペプチダーゼ阻害を起
こすことにより、アポトーシスシグナルで誘起されるプ
ロテオリシスに何らかの影響を及ぼし、アポトーシス誘
導を増強することが考えられる。
【0025】本発明において、一般式(1)におけるR
として示される低級アルキル基とは、C1〜C14、好
ましくはC1〜C10の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基
を意味し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec
-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル
基、ネオヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、テトラ
デカニル基、トリフルオロメチル基等である。アルキル
基は、置換されていても良く、置換基としては水酸基、
ハロゲン(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、スルフォニ
ル基、ニトロ基、C3〜C8シクロアルキル基、芳香環
基などが挙げられる。
【0026】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる低級アルコキシ基とは、C1〜C14、好ましくは
C1〜C10の直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基を意味
し、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、
sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオ
キシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ
基、ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘ
キシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ
基、テトラデカニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基
等である。アルコキシ基は、置換されていても良く、置
換基としては水酸基、ハロゲン(フッ素、塩素、臭素、
ヨウ素)、スルフォニル基、ニトロ基、C3〜C8シク
ロアルキル基、芳香族基などが挙げられる。置換基とし
ては、C3〜C8シクロアルキル基が好ましく、この場
合の置換された低級アルコキシ基としては、例えばシク
ロヘキシルメトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基、シ
クロペンチルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基な
どの、C3〜C8シクロアルキル置換C1〜C6アルコ
キシ基が挙げられる。
【0027】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れるモノまたはジ置換低級アミノ基もしくはこれらのジ
低級アルキルが環形成した(環内に酸素原子が含まれて
もよい)アミノ基とは、C1〜C14好ましくはC1〜
C10の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基が1又は2個置
換したものか、又はこれらのアルキル基が環状を形成し
たもの(環内に酸素原子が含まれてもよい)を示す。具
体的にはメチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルア
ミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、
ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルフォリノ基等であ
る。アミノアルキル基は、置換されていても良く、置換
基としては水酸基、ハロゲン(フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素)、スルフォニル基、ニトロ基などが挙げられる。
【0028】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい芳香族炭化水素低級アルキル
アミノ基とは、フェニル、ビフェニル、ナフチル基に上
記のC1〜C14好ましくはC1〜C10の直鎖又は分
岐鎖状のアルキルアミノ基が結合したものを示す。置換
基も上記と同様のものが挙げられる。本発明ではフェニ
ルメチルアミノ基、フェニルエチルアミノ基、フェニル
イソプロピルアミノ基等のフェニルC1〜C6アルキル
アミノ基が好ましい。
【0029】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい芳香族炭化水素基とは、具体
的にはフェニル、ビフェニル、ナフチル基であり、芳香
環にはアルキル基、水酸基、ハロゲン(フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素)、アミノ基、ニトロ基、スルホン酸基等
の置換基を有してもよい。
【0030】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい芳香族炭化水素低級アルキル
基とは、フェニル、ビフェニル、ナフチル基に上記のC
1〜C14、好ましくはC1〜C10の直鎖又は分岐鎖
状のアルキル基が結合したものを示す。具体的にはベン
ジル基、ビフェニルメチル基、ナフチルメチル基、2−
フェニルエチル基、2−ビフェニルエチル基、2−ナフ
チルエチル基、3−フェニルプロピル基、3−ビフェニ
ルプロピル基、3−ナフチルプロピル基等が挙げられ
る。芳香環にはアルキル基、水酸基、ハロゲン(フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素)、アミノ基、ニトロ基、スル
ホン酸基等の置換基を有してもよい。
【0031】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよいアリールアルコキシ基とは、
フェニル、ビフェニル、ナフチル基に上記のC1 〜C
14の直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基、好ましくはC
1〜C5の低級アルキル基が結合したものを示す。具体
的にはベンジルオキシ基、ビフェニルメトキシ基、ナフ
チルメトキシ基、2―フェニルエトキシ基、2―ビフェ
ニルエトシ基、2―ナフチルエトシ基、3―フェニルプ
ロポキシ基、3―ビフェニルプロポキシ基、3―ナフチ
ルプロポキシ基等が挙げられる。芳香環にはアルキル
基、水酸基、ハロゲン(フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素)、アミノ基、ニトロ基、スルホン酸基等の置換基を
有してもよい。本発明においては、特にベンジルオキシ
基が好ましい。
【0032】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい芳香族炭化水素低級アルコキ
シ基とは、フェニル、ビフェニル、ナフチル基に上記の
C1〜C14、好ましくはC1〜C10の直鎖又は分岐
鎖状のアルコキシ基が結合したものを示す。具体的には
ベンジルオキシ基、ビフェニルメトキシ基、ナフチルメ
トキシ基、2−フェニルエトキシ基、2−ビフェニルエ
トシ基、2−ナフチルエトシ基、3−フェニルプロポキ
シ基、3−ビフェニルプロポキシ基、3−ナフチルプロ
ポキシ基等が挙げられる。芳香環にはアルキル基、水酸
基、ハロゲン(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、アミノ
基、ニトロ基、スルホン酸基等の置換基を有してもよ
い。本発明においては、特にベンジルオキシ基が好まし
い。
【0033】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい芳香族炭化水素オキシ基と
は、具体的にはフェノキシ、ビフェニルオキシ、ナフチ
ルオキシ基であり、芳香環にはアルキル基、水酸基、ハ
ロゲン(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、アミノ基、ニ
トロ基、スルホン酸基等の置換基を有してもよい。
【0034】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい芳香族炭化水素アシル低級ア
ルコキシ基とは、フェナシル(ベンゾイルメトキシ)、
ビフェニルアシル、ナフチルアシル基に上記のC1〜C
14、好ましくはC1〜C10の直鎖又は分岐鎖状のア
ルコキシ基が結合したものを示す。具体的にはフェナシ
ルオキシ基、ビフェニルアシルオキシ基、ナフチルアシ
ルオキシ基、フェナシルメトキシ(ベンゾイルエトキ
シ)基、ビフェニルアシルメトキシ基、ナフチルアシル
メトキシ基、2−フェナシルエトキシ(2−ベンゾイル
プロポキシ)基、2−ビフェニルアシルエトシ基、2−
ナフチルアシルエトシ基、3−フェニルアシルプロポキ
シ(3−ベンゾイルブトキシ)基、3−ビフェニルアシ
ルプロポキシ基、3−ナフチルアシルプロポキシ基等が
挙げられる。芳香環にはアルキル基、水酸基、ハロゲン
(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、アミノ基、ニトロ
基、スルホン酸基等の置換基を有してもよい。本発明に
おいては、特にフェナシルオキシ基が好ましい。
【0035】また、一般式(1)におけるRとして示さ
れる置換基を有してもよい低級脂環式炭化水素オキシ基
とは、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘキセ
ン、シクロペンテン等のC3〜C8の不飽和結合を有し
てもよいシクロアルキル環に水酸基が結合したものを示
す。これらアルキル基は置換基を有してもよく、置換基
としてはC1〜C8の低級アルキル基、ハロゲン(フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素)が挙げられる。特に本発明で
は、具体的にはシクロヘキサノール基、メントール基、
ボルネオール基、α−テルピネオール基等が好ましい。
【0036】本発明のウベニメクス誘導体は酸と塩を形
成し、薬理学上許容されるものであれば、いずれも使用
することができる。酸との塩としては、例えば塩酸、硫
酸、リン酸などとの塩が使用される。
【0037】一般式(1)で示される化合物及びその塩
としては例えば次のものが挙げられる。N−〔(2S,
3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブ
チリル〕−L−ロイシン及びその許容される塩、N−
〔(2S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチリル〕−L−ロイシン−メチルエステル及
びその許容される塩、N−〔(2S,3R)−3−アミ
ノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−ロ
イシン−エチルエステル及びその許容される塩、N−
〔(2S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチリル〕−L−ロイシン−tert−ブチルエス
テル及びその許容される塩、N−〔(2S,3R)−3
−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−
L−ロイシン−オクチルエステル及びその許容される
塩、
【0038】N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−ロイシン−
シクロヘキシルエステル及びその許容される塩、N−
〔(2S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチリル〕−L−ロイシン−シクロヘキシルメ
チルエステル及びその許容される塩、N−〔(2S,3
R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチ
リル〕−L−ロイシン−L−(−)−メンチルエステル
及びその許容される塩、
【0039】N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−ロイシン−
ベンジルエステル及びその許容される塩、N−〔(2
S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニ
ルブチリル〕−L−ロイシン−フェニルエチルエステル
及びその許容される塩、N−〔(2S,3R)−3−ア
ミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−
ロイシン−フェニルプロピルエステル及びその許容され
る塩、
【0040】N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−ロイシン−
フェナシルアシルエステル及びその許容される塩、N−
〔(2S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチリル〕−L−ロイシン−フェナシルメチル
エステル及びその許容される塩、N−〔(2S,3R)
−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチリ
ル〕−L−ロイシン−フェナシルエチルエステル及びそ
の許容される塩、
【0041】N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−ロイシニル
−アミド及びその許容される塩及びその許容される塩、
N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−
4−フェニルブチリル〕−L−ロイシニル−メチルアミ
ド及びその許容される塩。N−〔(2S,3R)−3−
アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L
−ロイシニル−モルフォリノアミド及びその許容される
塩。N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−ヒドロキ
シ−4−フェニルブチリル〕−L−ロイシニル−ピロリ
ジノアミド及びその許容される塩。N−〔(2S,3
R)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチ
リル〕−L−ロイシニル−ピペリジノアミド及びその許
容される塩。N−〔(2S,3R)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−フェニルブチリル〕−L−ロイシニル
−(S)−1−フェニルエチルアミド及びその許容され
る塩。
【0042】本発明で使用するウベニメクス誘導体は、
いずれも公知の文献又は通常の化学的合成方法を用いて
得ることができる。ウベニメクスエステル誘導体は特開
昭52―116435号公報の記載に従い、得ることが
できるほか、例えばエステル体は種々のアルコールと脱
水縮合反応を行うことによって作成することができる。
アシルアルコキシ体は種々のアシルブロミド(例えばフ
ェナシルブロミド)と縮合反応を行うことによって作成
することができる。アミド体はウベニメクスのハロゲノ
体もしくはエステル体を各種アミンで処理することによ
り合成することができる。一方アルキル体はウベニメク
スのエステル体をリチウムやマグネシウムと共にハロゲ
ノ化アルキル体と反応させること等によって合成でき
る。更にロイシンに上記反応を行った後、(2S,3
R)―3アミノ―2―ヒドロキシ―4―フェニルブチリ
ックアシッドのアミノ基保護体と縮合させ、最後に脱保
護を行うことによっても作成することが可能である。ア
クチノニンについては特開平61−15840に記載し
た方法により、製造して得ることができる。
【0043】また、本発明の一般式(1)で表されるウ
ベニメクス誘導体は各々上記した公知技術の常法の製造
法により合成できる。具体的には後記する実施例に示し
た通りである。
【0044】本発明において、ウベニメクス誘導体、ア
クチノニン又はその塩をアポトーシス増強剤又は抗癌剤
として使用するには、単独又は賦形剤あるいは担体と混
合して注射剤、経口剤又は坐剤などとして投与される。
賦形剤及び担体としては薬剤学的に許容されるものが選
ばれ、その種類及び組成は投与経路や投与方法により、
適宜決めることができる。
【0045】賦形剤もしくは担体としては、例えば液状
担体として水、アルコールもしくは大豆油、ピーナツ
油、ゴム油、ミネラル油等の動植物油、又は合成油が用
いられる。固体担体としてマルトース、シュクロースな
どの糖類、アミノ酸類ヒドロキシプロピルセルロースな
どセルロース誘導体、バレイショ澱粉などの澱粉類、ス
テアリン酸マグネシウムなどの有機酸塩などが使用され
る。注射剤の場合一般に生理食塩水、各種緩衝液、グル
コース、イノシトール、マンニトール等の糖類溶液、エ
チレングリコール、ポリエチレングリコール等のグリコ
ール類が望ましい。また、イノシトール、マンニトー
ル、グルコース、マンノース、マルトース、シュクロー
ス等の糖類、フェニルアラニン等のアミノ酸類の賦形剤
と共に凍結乾燥剤とし、それを投与時に注射用の適当な
溶剤、例えば滅菌水、生理食塩水、ブドウ糖液、電解質
溶液、アミノ酸等の静脈投与用液体に溶解して投与する
こともできる。
【0046】製剤中におけるウベニメクス誘導体、アク
チノニン又はその塩の含量は製剤により種々異なるが、
通常0.01〜100重量%好ましくは0.02〜90
重量%である。経口投与する場合には、前記固体担体も
しくは液状担体とともに錠剤、カプセル剤、粉剤、顆粒
剤、液剤、ドライシロップ剤等の形態で用いられる。カ
プセル、錠剤、顆粒、粉剤の場合は一般にウベニメクス
誘導体又はその塩の含量は約0.02〜90重量%好ま
しくは0.3〜20重量%であり、残部は担体である。
投与量は、患者の年齢、体重、症状、治療目的等により
決定されるが、治療量は一般に非経口投与で1〜300
mg/成人・日、経口投与で5〜500mg/成人・日
である。また、本発明のアポトーシス誘導剤との併用に
おいて、アポトーシス誘導剤の投与量は、上述のTNF
レセプタースーパーファミリーを介した作用機序の化合
物によって選択され、更に患者の年齢、体重、症状等に
より決定されるが、通常1〜200μg/m2の範囲で
用いられる。これら、アポトーシス誘導剤と増強剤の投
与は、誘導剤を投与してから増強剤を投与するのを原則
とするが治療経過をみて交互に追加投与することが好ま
しい。
【0047】
【実施例】次に、実施例として本願発明による薬理実験
例、化合物の製造例及び製剤例を示すが本願ではこれら
に限定されるものではない。
【0048】実験例1 ウベニメクス誘導体及びアクチノニンのアミノペプチダ
ーゼ阻害作用 方法 U937細胞を回収し、低調の緩衝液で細胞を破壊し、
細胞質画分を得た。ローリー法によりタンパク量を定量
し、5μg/20μlに調製した。アミノペプチダーゼ
の基質として、合成基質であるアラニン―MCA、ロイ
シン―MCA、メチオニン―MCAを用いた。MCAは
メチルクマリルアミドを示す。細胞質画分20μlに生
理食塩水で希釈したウベニメクス誘導体あるいはアクチ
ノニン10μlを添加し80μMに調製した合成基質2
0μlを加え37℃で反応させた。アミノペプチダーゼ
様酵素により分解され遊離したAMC(アミノメチルク
マリン)を螢光光度計により経時的(0、15分)に測
定し、1分あたりの酵素活性を算出した。生理食塩水の
み添加したものをコントロールとし、薬剤による酵素活
性阻害率(%)は次式より求めた。 %=(1―薬剤添加酵素活性/コントロール酵素活性)
×100 更に被験薬の50%阻害濃度(IC50値)をLitc
h Field法により算出した。結果を表1に示し
た。これらウベニメクス誘導体及びアクチノニンはアミ
ノペプチダーゼ活性において強い阻害活性を示した。し
かし、ウベニメクス光学異性体は阻害活性を示さなかっ
た。
【0049】
【表1】
【0050】実験例2 アミノペプチダーゼ阻害剤の抗Fas抗体、TNF―
α、IFN―γによる増殖抑制能の増強作用 方法 EBC―1細胞(ヒト扁平上皮肺癌;JCRB細胞バン
ク JCRB0820)を10%FCSを含むイーグル
MEM培地に1.0×105mlに調製し、96穴平底
プレートに0.1mlづつ播いた。37℃、5%CO2
下で一晩培養した後に培地で希釈したアミノペプチダー
ゼ阻害剤(ウベニネクス、ウベニメクスメチルエステ
ル、アクチノニン)あるいはウベニメクス光学異性体を
添加し、同時に抗Fas抗体(CH―11;医学生物学
研究所)、TNF―α(国際試薬)あるいはIFN―γ
(国際試薬)を添加し、一方コントロールには培地を添
加し、3日間培養した。培養終了後に細胞をメチレンブ
ルーで染色し、660nmの吸光度を測定し、各濃度の
細胞増殖率を求めた。実験はn=3で行い、グラフには
その平均値とS.D.を示した。結果を図1から図9に
示した。
【0051】アミノペプチダーゼ阻害剤、(ウベニネク
ス、ウベニメクスメチルエステル、アクチノニン)ウベ
ニメクス光学異性体、及びIFN―γ単独では、EBC
―1細胞の増殖を殆ど抑制しなかった。抗Fas抗体、
TNF―α単独では、最高用量では約50〜20%の増
殖抑制が認められたが、低用量では殆ど作用が認められ
なかった。一方、抗Fas抗体、TNF―αあるいはI
FN―γにアミノペプチダーゼ阻害剤(ウベニネクス、
ウベニメクスメチルエステル、アクチノニン)を併用さ
せた時、単独では認められなかった強い増殖抑制が各ア
ミノペプチダーゼ阻害剤の用量に依存して認められ、そ
の効果は相乗的であった。更に、ウベニメクスメチルエ
ステルの場合はウベニメクスよりも強い相乗作用を有し
ていた。一方、アミノペプチダーゼ阻害活性を有しない
ウベニメクス光学異性体では、このような相乗的な効果
は認められなかった。
【0052】実験例3 ウベニメクス誘導体の抗Fas抗体、TNF―αによる
アポトーシス誘導能の増強作用 アポトーシス誘導能の指標であるDNA断片化について
以下の方法により検出して解析した(Biochemi
cal and Biophysical Resea
rch communications、209巻、9
07―915頁、1995年)。 実験方法 EBC―1細胞を10%FCSを含むイーグルMEM培
地に4.0×105/mlに調製し、6cmディッシュ
に2.5mlづつ播いた。37℃、5%CO2下で一晩
培養した後に培地で希釈したウベニメクス誘導体を添加
し、同時に抗Fas抗体、TNF―αを添加し、一方コ
ントロールには培地を添加し、24時間培養した。培養
終了後、1.0×106個の細胞を回収し、DNA断片
化検出法(アガロース電気泳動法)により解析を行っ
た。結果を図10示した。
【0053】ウベニメクス、ウベニメクスメチルエステ
ル単独では、EBC―1細胞のDNA断片化は認められ
なかった。また、抗Fas抗体、TNF―α単独では、
若干の断片化が検出された。一方、抗Fas抗体、TN
F―αにウベニメクスあるいはウベニメクスメチルエス
テルを併用させた時、単独では認められなかった強いD
NA断片化が認められた。
【0054】次に本発明で使用する化合物の製造例を示
す。なお製造例はこれらに限定されるものではない。 製造例1 ウベニメクスシクロヘキシルメチルエステル/塩酸塩 ベスタチン(25mg)を、1.4-ジオキサン(1ml)、4N-塩
酸/ジオキサン(0.5ml)に懸濁後、4-シクロヘキシル
メタノール(160mg)を加え室温にて1日攪拌した。反応液
にヘキサン(10ml)を加えた後、析出した沈殿をヘキサン
にて洗浄し、真空乾燥を施すことによって目的物(30mg)
を得た。 Ms(FAB,positive,m/z);405[M+H]+,809[2M+H]+
【0055】製造例2 ウベニメクス−L−(−)−メンチルエステル/塩酸塩 ベスタチン(20mg)を、1.4-ジオキサン(1ml)、4N-塩
酸/ジオキサン(0.5ml)に懸濁後、L-(-)メントール
(140mg)を加え50度にて2日攪拌した。反応液にヘキサン
(10ml)を加えた後、析出した沈殿をヘキサンにて洗浄し
た。得られた沈殿物を酢酸エチルにて抽出し、飽和重曹
水及び飽和食塩水で洗浄後酢酸エチルを留去した。残査
に1.4-ジオキサン(0.5ml)、4N-塩酸/ジオキサン
(0.1ml)を加えた後、凍結乾燥処理を施すことによ
って目的物(5.5mg)を得た。 Ms(FAB,positive,m/z);447[M+H]+,894[2M+H]+
【0056】製造例3 ウベニメクスモルフォリノアミド/トリフルオロ酢酸塩 Bocベスタチン(20mg)及びモルフォリン(6.4mg)
を、DMF(1ml)に溶解後、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾール (10mg)、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノ
プロピル)−カルボジイミド塩酸塩(18.8mg)を加え室温
にて1日攪拌した。反応液を酢酸エチルにて抽出し、
水、飽和重曹水及び飽和食塩水の順で洗浄後酢酸エチル
を留去した。残査にトリフルオロ酢酸(1ml)を加え室
温にて1時間放置した後、反応液に1.4-ジオキサン(2m
l)を加え、凍結乾燥処理を施すことによって目的物(1
8.6mg)を得た。 Ms(FAB,positive,m/z);378[M+H]+
【0057】製造例4 ウベニメクスピロリジノアミド/トリフルオロ酢酸塩 Bocベスタチン(20mg)及びピロリジン(5.2mg)を、D
MF(1ml)に溶解後、1−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル (10mg)、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピ
ル)−カルボジイミド塩酸塩(18.8mg)を加え室温にて1日
攪拌した。反応液を酢酸エチルにて抽出し、水、飽和重
曹水及び飽和食塩水の順で洗浄後酢酸エチルを留去し
た。残査にトリフルオロ酢酸(1ml)を加え室温にて1時
間放置した後、反応液に1.4-ジオキサン(2ml)を加
え、凍結乾燥処理を施すことによって目的物(16.7mg)を
得た。 Ms(FAB,positive,m/z);362[M+H]+
【0058】製造例5 ウベニメクスピロリジノアミド/トリフルオロ酢酸塩 Bocベスタチン(20mg)及びS−(−)−1−フェニルエチ
ルアミン(8.9mg)を、DMF(1ml)に溶解後、1−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール (10mg)、1−エチル−3−(3
−ジメチルアミノプロピル)−カルボジイミド塩酸塩(1
8.8mg)を加え室温にて1日攪拌した。反応液を酢酸エチ
ルにて抽出し、水、飽和重曹水及び飽和食塩水の順で洗
浄後酢酸エチルを留去した。残査にトリフルオロ酢酸
(1ml)を加え室温にて1時間放置した後、反応液に1.4-
ジオキサン(2ml)を加え、凍結乾燥処理を施すこと
によって目的物(20.1mg)を得た。 Ms(FAB,positive,m/z);412[M+H]+
【0059】次に本発明の製剤例を示す。なお製剤例は
これらに限定されるものではない。 製剤例1 ウベニメクスメチルエステル 20部 バレイショ澱粉 77部 結晶乳糖 100部 ステアリン酸マグネシウム 8部 以上を混合し、3号カプセル1カプセル当り、約220
mg当り充填し、カプセル剤とした。
【0060】製剤例2 錠剤 ウベニメクスメチルエステル30重量部、結晶乳糖12
0部、結晶セルロース147部及びステアリン酸マグネ
シウム3部をV型混合機で混合した後、打錠し、1錠3
00mgの錠剤を得た。
【0061】
【発明の効果】本発明により、アミノペプチダーゼ阻害
剤は抗Fas抗体やTNF―αに代表されるアポトーシ
ス誘導剤の効果を増強し、癌、自己免疫疾患等のアポト
ーシスの異常が原因である疾患において、有用であるこ
とが判明した。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウベニメクス(0(対照)、0.4、2,10
μg/ml)の抗Fas抗体(0,0.1,1,10n
g/ml)によるEBC−1細胞増殖抑制能の増強作用
を図1に示した。
【図2】ウベニメクス(0(対照)、0.4、2、10
μg/ml)のTNF−α(0、0.01、0.1、1
ng/ml)によるEBC−1細胞増殖抑制能の増強作
用を図2に示した。
【図3】ウベニメクス(0(対照)、0.4、2、10
μg/ml)のINF−γ(0、0.01,0.1、1
ng/ml)によるEBC−1細胞増殖抑制能の増強作
用を図3に示した。
【図4】ウベニメクスメチルエステル(0(対照)、
0.4、2、10μg/ml)の抗Fas抗体(0、
0.1,1、10ng/ml)によるEBC−1細胞増
殖抑制能の増強作用を図4に示した。
【図5】ウベニメクスメチルエステル(0(対照)、
0.4、2、10μg/ml)のTNF−α(0、0.
01、0.1、1ng/ml)によるEBC−1細胞増
殖抑制能の増強作用を図5に示した。
【図6】ウベニメクスメチルエステル(0(対照)、
0.4、2、10μg/ml)のINF−γ(0、0.
01、0.1、1ng/ml)によるEBC−1細胞増
殖抑制能の増強作用を図6に示した。
【図7】アクチノニン(0(対照)、0.08、0.
4、2、10μg/ml)の抗Fas抗体(0、0.
1、1、10ng/ml)によるEBC−1細胞増殖抑
制能の増強作用を図7に示した。
【図8】アクチノニン(0(対照)、0.08、0.
4、2、10μg/ml)のTNF−α(0、0.0
1、0.1、1ng/ml)によるEBC−1細胞増殖
抑制能の増強作用を図8に示した。
【図9】アクチノニン(0(対照)、0.08、0.
4、2、10μg/ml)のIFN−γ(0、0.1、
1、10ng/ml)によるEBC−1細胞増殖抑制能
の増強作用を図9に示した。
【図10】ウベニメクス誘導体(ウベニメクス、ウベニ
メクスメチルエステル)の抗Fas抗体、TNF−αに
よるEBC−1細胞を用いてのDNA断片化(アポトー
シス誘導能)の増強作用を図10に示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) A61K 48/00 A61P 37/00 A61P 35/00 43/00 105 37/00 111 43/00 105 A61K 37/02 111 37/66 G Fターム(参考) 4C084 AA02 AA13 AA19 BA01 BA10 BA13 BA23 BA44 CA59 DA01 DA12 DA24 NA05 NA14 ZB011 ZB012 ZB092 ZB211 ZB212 ZB261 ZB262 ZC202 ZC412 ZC751 4C085 AA14 CC23 EE03 4C206 AA01 AA02 GA09 KA01 MA01 MA02 MA04 ZB01 ZB21 ZB26 ZC75

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アミノペプチダーゼ阻害活性を有する化合
    物を有効成分とするアポトーシス増強剤。
  2. 【請求項2】アミノペプチダーゼ阻害活性を有する化合
    物が一般式(1) 【化1】 〔式中、Rは水酸基、置換基を有してもよい低級アルキ
    ル基、置換基を有してもよい低級アルコキシ基、アミノ
    基、置換基を有してもよいモノまたはジ低級アルキルア
    ミノ基もしくはこれらのジ低級アルキルが環形成した
    (環内に酸素原子が含まれてもよい)アミノ基、置換基
    を有してもよい芳香族炭化水素低級アルキルアミノ基、
    置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有し
    てもよい芳香族炭化水素低級アルキル基、置換基を有し
    てもよい芳香族炭化水素低級アルコキシ基、置換基を有
    してもよい芳香族炭化水素オキシ基、置換基を有しても
    よい芳香族炭化水素アシル低級アルコキシ基または置換
    基を有してもよい低級脂環式炭化水素オキシ基等を示
    す。〕で表わされるウベニメクス誘導体、アクチノニン
    又はそれらの薬理学上許容される塩である請求項1記載
    のアポトーシス増強剤。
  3. 【請求項3】一般式(1)においてRが水酸基、低級ア
    ルコキシ基、低級シクロアルキル置換低級アルコキシ
    基、アミノ基、モノまたはジ低級アルキルアミノ基、も
    しくはこれらのジ低級アルキルが環形成した(環内に酸
    素原子が含まれてもよい)アミノ基、芳香族炭化水素低
    級アルキルアミノ基、芳香族炭化水素アルコキシ基、芳
    香族炭化水素アシル低級アルコキシ基または低級アルキ
    ル置換低級脂環式炭化水素オキシ基である、請求項2記
    載のアポトーシス増強剤。
  4. 【請求項4】一般式(1)においてRが水酸基、C1〜
    C14アルコキシ基、C3〜C8シクロアルキル置換C
    1〜C6アルコキシ基、アミノ基、モノまたはジ低級ア
    ルキルアミノ基、モルフォリノ基、ピロリジノ基、ピペ
    リジノ基、フェニルC1〜C6アルキルアミノ基、フェ
    ニルC1〜C6アルコキシ基、ベンゾイルC1〜C6ア
    ルコキシ基、C1〜C10アルキル置換C3〜C8シク
    ロアルキルオキシ基である請求項2記載のアポトーシス
    増強剤。
  5. 【請求項5】一般式(1)においてRが水酸基、C1〜
    C10アルコキシ基、シクロヘキシルC1〜C6アルコ
    キシ基、ベンジルオキシ基、フェナシルオキシ基、シク
    ロヘキサノール基、メントール基、α−テルピネオール
    基、ボルネオール基である請求項2記載のアポトーシス
    増強剤。
  6. 【請求項6】アポトーシス誘導能を有するサイトカイ
    ン、これらの産生を誘導する遺伝子ベクター及び免疫増
    強剤から選択された少なくとも1つのアポトーシス誘導
    剤と併用するための、請求項1〜5いずれかに記載のア
    ポトーシス増強剤。
  7. 【請求項7】 TNFレセプタースーパーファミリーを
    介した作用機序を有する化合物から選ばれる少なくとも
    1個のアポトーシス誘導剤と併用するための、請求項1
    〜5いずれかに記載のアポトーシス増強剤。
  8. 【請求項8】アポトーシス誘導剤がTNF-α、Fas
    リガンド、抗Fasモノクロナル抗体、TRAIL及
    びこれらの産生を誘導するような遺伝子ベクターからな
    る群から選択される少なくとも1個である、請求項7記
    載のアポトーシス増強剤。
  9. 【請求項9】アポトーシス誘導剤がインターフェロン-
    γ、インターロイキン-12、これらの産生を誘導する
    ような遺伝子ベクター及び免疫増強剤からなる群から選
    択される少なくとも1個である、請求項7記載のアポト
    ーシス増強剤。
  10. 【請求項10】請求項1〜9いずれかに記載のアポトー
    シス増強剤を有効成分とする抗腫瘍効果増強剤。
  11. 【請求項11】抗腫瘍効果増強剤が固形癌治療増強剤で
    ある、請求項10に記載の抗腫瘍効果増強剤。
  12. 【請求項12】請求項1〜9いずれかに記載のアポトー
    シス増強剤を有効成分とする自己免疫疾患治療増強剤。
  13. 【請求項13】アポトーシス誘導能を有するサイトカイ
    ン類、これらの産生を誘導するような遺伝子ベクター及
    び免疫増強剤からなる群から選択される少なくとも1個
    の化合物と請求項1〜5いずれかに記載のアポトーシス
    増強剤を併用して用いるアポトーシス誘導剤。
  14. 【請求項14】TNFレセプタースーパーファミリーを
    介した作用機序を有する化合物と請求項1〜5いずれか
    に記載のアポトーシス増強剤を併用して用いるアポトー
    シス誘導剤。
  15. 【請求項15】TNFレセプタースーパーファミリーを
    介した作用機序を有する化合物がTNF-α、Fasリ
    ガンド、抗Fasモノクロナル抗体、TRAIL又はこ
    れらの産生を誘導するような遺伝子ベクターからなる群
    から選択される少なくとも1個である、請求項14に記
    載のアポトーシス誘導剤。
  16. 【請求項16】TNFレセプタースーパーファミリーを
    介した作用機序を有する化合物が、TNFスーパーファ
    ミリーのレセプターやそのリガンドを増強する作用を有
    するインターフェロン-γ、インターロイキン-12及び
    これらの産生を誘導するような遺伝子ベクター及び免疫
    増強剤からなる群の少なくとも1個の化合物である、請
    求項14に記載のアポトーシス誘導剤。
  17. 【請求項17】アポトーシス誘導剤が抗腫瘍効果を及ぼ
    すことを特徴とする、請求項13〜16いずれかに記載
    のアポトーシス誘導剤。
  18. 【請求項18】アポトーシス誘導剤が固形癌治療効果を
    及ぼすことを特徴とする、請求項13〜16いずれかに
    記載のアポトーシス誘導剤。
  19. 【請求項19】アポトーシス誘導剤が自己免疫疾患治療
    効果を及ぼすことを特徴とする、請求項13〜16いず
    れか記載のアポトーシス誘導剤。
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