JP2001129386A - ガス処理装置およびそれに用いられる集合バルブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理ガスラインからの処理ガスの供給を停止
した際に、処理ガスラインからの処理ガス流出量を少な
くすることができるガス処理装置およびそれに用いられ
る集合バルブを提供すること。 【解決手段】 処理ガスを供給する処理ガスライン５９
ａと、この処理ガスライン５９ａと合流するとともに処
理ガスをキャリアするキャリアガスを供給するキャリア
ガスライン６２と、被処理基板Ｗが配置され、キャリア
ガスによってキャリアされた処理ガスが導入されるチャ
ンバー１１とによりガス処理装置１を構成し、キャリア
ガスライン６２と処理ガスライン５９ａとの合流点から
処理ガスライン５９ａの開閉バルブまでの距離および処
理ガスライン５９ａの径を、バルブを閉じた際に処理ガ
スラインから流出する処理ガス量が所定値以下になるよ
うに短くおよび細く設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ成膜等のガ
ス処理を行うガス処理装置およびそれに用いられる集合
バルブに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程においては、被処理体で
ある半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）に配線パ
ターンを形成するために、あるいは配線間のホールを埋
め込むために、Ｗ（タングステン）、ＷＳｉ（タングス
テンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナ
イトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属
あるいは金属化合物を堆積させて薄膜を形成している。

【０００３】これらの中で、ＷＳｉ膜には、処理ガスと
して例えばＷＦ_６（六フッ化タングステン）とＳｉＨ_４
（シラン）またはＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロルシラン）と
が用いられる。

【０００４】そして、ＷＳｉ膜を成膜する際には、上記
処理ガスをキャリアガスによりキャリアさせてチャンバ
ー内に導入し、チャンバー内のウエハを加熱することに
より処理ガスを反応させる。この際に、初期段階におい
てＷＦ_６の流量を厳密に制御して所望のニュークリエー
ション膜を形成することにより膜質の向上を図ってお
り、このため、流量を厳密に制御することが可能なニュ
ークリエーション膜用のＷＦ_６ガスラインと通常のＷＦ
_６ガスラインとを設けている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
ガスラインを切換えた際、従前のガスラインのバルブ下
流側部分にはＷＦ_６ガスが残存し、その残存量が多い場
合には、この残存ガスがキャリアガスによって吸い出さ
れ、チャンバー内には制御外の処理ガスが供給されるこ
ととなり、形成された膜が所要の膜質とならない場合が
生じる。

【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、処理ガスラインからの処理ガスの供給を停止
した際に、処理ガスラインからの処理ガス流出量を少な
くすることができるガス処理装置およびそれに用いられ
る集合バルブを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく検討を重ねた結果、処理ガスの供給を停止
した際における処理ガスラインから流出する処理ガスの
量は、キャリアガスラインと処理ガスラインとの合流点
から処理ガスラインの開閉バルブまでの距離および処理
ガスラインの径が小さいほど、すなわち処理ガスライン
の開閉バルブから上記合流点までの部分の容積が小さい
ほど少ないことを見出した。また、このように処理ガス
ラインの開閉バルブから上記合流点までの部分の容積を
小さくするためには、バルブ下流側のガス溜まりを小さ
くすることができる構造の集合バルブを用いることが有
効であることを見出した。

【０００８】本発明は、このような知見に基づいてなさ
れたものであって、処理ガスを供給する処理ガスライン
と、この処理ガスラインと合流するとともに処理ガスを
キャリアするキャリアガスを供給するキャリアガスライ
ンと、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキ
ャリアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを具備
し、チャンバー内で被処理基板に所定のガス処理を施す
ガス処理装置であって、前記キャリアガスラインと前記
処理ガスラインとの合流点から前記処理ガスラインの開
閉バルブまでの距離および前記処理ガスラインの径を、
前記開閉バルブを閉じた際に前記処理ガスラインから流
出する処理ガス量が所定値以下になるように短くおよび
細く設定することを特徴とするガス処理装置を提供する
ものである。

【０００９】また本発明は、処理ガスを供給する処理ガ
スラインと、この処理ガスラインと合流するとともに処
理ガスをキャリアするキャリアガスを供給するキャリア
ガスラインと、被処理基板が配置され、キャリアガスに
よってキャリアされた処理ガスが導入されるチャンバー
とを具備し、チャンバー内で被処理基板に所定のガス処
理を施すガス処理装置であって、前記処理ガスライン
は、複数のバルブが集合した集合バルブを有し、前記集
合バルブは、各バルブの弁体が処理ガスラインに直接作
用するように設けられていることを特徴とするガス処理
装置。

【００１０】さらに本発明は、所定の処理ガスをチャン
バー内に導入してチャンバー内で被処理基板に所定のガ
ス処理を施すガス処理装置におけるガスラインに用いら
れ、複数のバルブが集合した集合バルブであって、前記
各バルブの弁体がガスラインに直接作用するように設け
られていることを特徴とする集合バルブを提供するもの
である。

【００１１】さらにまた本発明は、所定の処理ガスをチ
ャンバー内に導入してチャンバー内で被処理基板に所定
のガス処理を施すガス処理装置における複数のガスライ
ンのそれぞれに用いられ、複数のバルブが集合した集合
バルブであって、前記各バルブの弁体がガスラインに直
接作用するように設けられ、かつ互いに一体に構成され
ていることを特徴とする集合バルブを提供するものであ
る。

【００１２】このような集合バルブは、前記バルブの弁
体はガス流路を有し、弁体を回転させて、前記ガス流路
をガスラインに対応させる、またはガスラインからずら
すことにより、バルブの開閉を行うように構成すること
ができる。

【００１３】また、上記集合バルブは、その中を通るガ
スラインはバルブに対応する位置において分離され、そ
の弁体作用部上流側から垂直上方に延びた部分と弁体作
用部下流側から垂直上方に延びた部分とを有し、弁体を
昇降させて、これら２つの部分をつなぐ、またはこれら
２つの部分の開口部を塞ぐことにより、バルブの開閉を
行うように構成することができる。

【００１４】さらに、上記集合バルブは、前記バルブの
弁体を降下させることにより、水平方向に延びるガスラ
インを塞ぎ、弁体を上昇させることによりガスラインを
開けて、バルブの開閉を行うように構成することができ
る。

【００１５】さらにまた、上記集合バルブは、前記弁体
は他のガスラインからつながるガス流路を有し、かつ他
のラインからその中のガスラインへガスを流す他のガス
流路を有するように構成することができる。

【００１６】さらにまた、上記集合バルブは、その中に
２つのガスラインを有し、前記バルブの弁体は一方のラ
インから他方のラインにつなぐことが可能なガス流路を
有し、弁体を回転または昇降させて、ガス流路の切換を
行うように構成することができる。

【００１７】さらにまた、上記集合バルブは、隣接する
バルブの間を継手ブロックにより接続することができ
る。

【００１８】上記集合バルブは、さらにフィルターおよ
びマスフローコントローラの少なくとも一方が設けられ
ている構成とすることができる。この場合に、バルブと
フィルターとの間、または／およびバルブとマスフロー
コントローラとの間、または／およびフィルターとマス
フローコントローラとの間、または／およびバルブとバ
ルブとの間を継手ブロックにより接続することができ
る。

【００１９】さらにまた、複数のガスラインのそれぞれ
に用いられた集合バルブにおいて、前記複数のガスライ
ンのうち一のガスラインのバルブと、そのガスラインに
隣接する他のガスラインのバルブとをガス通流可能に構
成することができる。この場合に、前記２つのバルブの
間を継手ブロックで接続することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について具体的に説明する。図１は、本発明
の一実施形態に係るＣＶＤ装置を模式的に示す断面図で
あり、ＷＳｉ膜成膜用のものを示す。

【００２１】図１に示すように、ＣＶＤ装置１は、例え
ばアルミニウム等により円筒状に形成されたチャンバー
１１を有しており、その上に蓋体１２が設けられてい
る。このチャンバー１１内には、チャンバー１１の底部
から起立させた支持部材１３上に、保持部材１４を介し
てウエハＷを載置する載置台１５が設けられている。な
お、この支持部材１３の径方向内側は、熱線を反射する
ように形成されており、載置台１５は、厚さ２ｍｍ程度
の例えばカーボン素材、セラミックス等で形成されてい
る。

【００２２】この載置台１５の下方には、ウエハＷを載
置台１５から持ち上げるためのリフトピン１６が例えば
３本設けられており、このリフトピン１６は、保持部材
１７を介して押し上げ棒１８に支持されていて、この押
し上げ棒１８がアクチュエータ１９に連結している。こ
れにより、アクチュエータ１９が押し上げ棒１８を昇降
させると、押し上げ棒１８および保持部材１７を介して
リフトピン１６が昇降し、ウエハＷが昇降するようにな
っている。このリフトピン１６は、熱線を透過する材
料、例えば石英により形成されている。また、リフトピ
ン１６に一体的に支持部材２０が設けられており、この
支持部材２０にシールドリング２１が取り付けられてい
る。このシールドリング２１は、後述するハロゲンラン
プ２６の熱線が上方に照射されることを防止するととも
に、クリーニング時にクリーニングガスの流路を確保す
る機能を有している。載置台１５には、さらに、ウエハ
Ｗの加熱時にウエハＷの温度を計測するための熱電対２
２が埋設されており、この熱電対２２の保持部材２３が
支持部材１３に取付けられている。

【００２３】載置台１５の真下のチャンバー底部には、
石英等の熱線透過材料よりなる透過窓２４が気密に設け
られており、その下方には、透過窓２４を囲むように箱
状の加熱室２５が設けられている。この加熱室２５内に
は、例えば４個のハロゲンランプ２６が反射鏡をも兼ね
る回転台２７に取付けられており、この回転台２７は、
回転軸２８を介して加熱室２５の底部に設けられた回転
モータ２９により回転されるようになっている。したが
って、このハロゲンランプ２６から放出された熱線は、
透過窓２４を透過して載置台１５の下面を照射してこれ
を加熱し得るようになっている。この加熱室２５の側壁
には、この室内や透過窓２４を冷却するための冷却エア
を導入する冷却エア導入口３０およびこのエアを排出す
るための冷却エア排出口３１が設けられている。

【００２４】載置台１５の外周側には、多数の整流孔を
有するリング状の整流板３２が、環状に形成した支持コ
ラム３３の上端に設けられた水冷プレート３４に載置さ
れている。この水冷プレート３４の内周側には、上方の
処理ガスが下方に流れることを防止するためのリング状
の石英製またはアルミニウム製のアタッチメント３５が
設けられている。これら整流板３２、水冷プレート３４
およびアタッチメント３５の下側には、成膜処理時、処
理ガスと反応しない不活性ガス例えば窒素ガス等をバッ
クサイドガスとして供給し、これにより、処理ガスが載
置台１５の下側に回り込んで余分な成膜作用を及ぼすこ
とを防止している。

【００２５】また、チャンバー１１の底部の四隅には、
排気口３６が設けられており、この排気口３６には、図
示しない真空ポンプが接続されている。これにより、チ
ャンバー１１内は、例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０^−６Ｔ
ｏｒｒの真空度に維持し得るようになっている。

【００２６】チャンバー１１の天井部には、処理ガス等
を導入するためのシャワーヘッド４０が設けられてい
る。このシャワーヘッド４０は、蓋体１２に嵌合して形
成されたシャワーベース４１を有しており、このシャワ
ーベース４１の上部中央には、処理ガス等を通過させる
オリフィスプレート４２が設けられている。さらに、こ
のオリフィスプレート４２の下方に、２段の拡散プレー
ト４３，４４が設けられており、これら拡散プレート４
３，４４の下方に、シャワープレート４５が設けられて
いる。オリフィスプレート４２の上側にはガス導入部材
４６が配置されており、このガス導入部材４６にはガス
導入口４７が設けられている。このガス導入口４７には
チャンバー１１内へ処理ガス等を供給するガス供給シス
テム５０が接続されている。

【００２７】ガス供給システム５０は、図２に示すよう
に、ＷＦ_６ガスラインにパージガス（例えばＮ_２ガス）
を供給するパージガス供給源５１、ＷＦ_６ガス供給源５
２、クリーニングガス（例えばＣｌＦ_３ガス）を供給す
るクリーニングガス供給源５３、ＷＦ_６ガスをキャリア
するためのキャリアガス（例えばＡｒガス）を供給する
キャリアガス供給源５４、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガス供給源５
５、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスラインにパージガス（例えばＮ
_２ガス）を供給するパージガス供給源５６、ＳｉＨ_２Ｃ
ｌ_２ガスをキャリアするためのキャリアガス（例えばＡ
ｒガス）を供給するキャリアガス供給源５７を有してお
り、パージガス供給源５１にはパージガスライン５８
が、ＷＦ_６ガス供給源５２にはＷＦ_６ガスライン５９
が、クリーニングガス供給源５３にはクリーニングガス
ライン６１が、キャリアガス供給源５４にはキャリアガ
スライン６２が、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガス供給源５５にはＳ
ｉＨ_２Ｃｌ_２ガスライン６３が、パージガス供給源５６
にはパージガスライン６４が、キャリアガス供給源５７
にはキャリアガスライン６５がそれぞれ接続されてい
る。ＷＦ_６ガスライン５９には分岐ライン５９ａが接続
されている。また、キャリアガスライン６５には分岐ラ
イン６５ａが接続されている。

【００２８】パージガスライン５８には２つの集合バル
ブ６６ａ，６６ｂが設けられ、ＷＦ _６ガスライン５９に
は集合バルブ６７が設けられ、ＷＦ_６ガスライン５９か
ら分岐する分岐ライン５９ａには集合バルブ６８が設け
られ、クリーニングガスライン６１には集合バルブ６９
が設けられ、キャリアガスライン６２には集合バルブ７
０が設けられ、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスライン６３には集合
バルブ７１が設けられ、パージガスライン６４には２つ
の集合バルブ７２ａ，７２ｂが設けられ、キャリアガス
ライン６５には集合バルブ７３が設けられ、キャリアガ
スライン６５から分岐する分岐ライン６５ａには集合バ
ルブ７４が設けられている。

【００２９】各集合バルブは複数のバルブ等が一体的に
構成されたものである。そして、各集合バルブ同士も一
体的に構成され、省スペース構造となっている。

【００３０】パージガスライン５８に設けられた集合バ
ルブ６６ａは、上流側から順に、逆止バルブ７５、開閉
バルブ７６、および分岐部を有する分岐ブロック７７が
配列されており、集合バルブ６６ｂは、上流側から順
に、開閉バルブ７８、分岐部を有する分岐ブロック７
９、および開閉バルブ８０が配列されている。逆止バル
ブ７５および開閉バルブ７６の間、開閉バルブ７６と分
岐ブロック７７との間、開閉バルブ７８と分岐ブロック
７９との間、分岐ブロック７９と開閉バルブ８０との間
にはそれぞれ継手ブロックＴが設けられている。

【００３１】また、ＷＦ_６ガスライン５９に設けられた
集合バルブ６７は、上流側から順に、開閉バルブ８１、
三方バルブ８２、フィルター８３、マスフローコントロ
ーラ８４、三方バルブ８５、開閉バルブ８６が配列され
ている。三方バルブ８２とフィルター８３との間、フィ
ルター８３とマスフローコントローラ８４との間、マス
フローコントローラ８４と三方バルブ８５との間にはそ
れぞれ継手ブロックＴが設けられている。

【００３２】分岐ライン５９ａに設けられた集合バルブ
６８は、上流側から順に、開閉バルブ８７、三方バルブ
８８、フィルター８９、マスフローコントローラ９０、
三方バルブ９１，開閉バルブ９２が配列されている。三
方バルブ８８とフィルター８９との間、フィルター８９
とマスフローコントローラ９０との間、マスフローコン
トローラ９０と三方バルブ９１との間にはそれぞれ継手
ブロックＴが設けられている。

【００３３】クリーニングガスライン６１に設けられた
集合バルブ６９は、上流側から順に、開閉バルブ９３、
三方バルブ９４、フィルター９５、マスフローコントロ
ーラ９６、三方バルブ９７、開閉バルブ９８が配列され
ている。三方バルブ９４とフィルター９５との間、フィ
ルター９５とマスフローコントローラ９６との間、マス
フローコントローラ９６と三方バルブ９７との間にはそ
れぞれ継手ブロックＴが設けられている。

【００３４】キャリアガスライン６２に設けられた集合
バルブ７０は、上流側から順に、開閉バルブ９９、フィ
ルター１００、マスフローコントローラ１０１、開閉バ
ルブ１０２が配列されている。開閉バルブ９９とフィル
ター１００との間、フィルター１００とマスフローコン
トローラ１０１との間、マスフローコントローラ１０１
と開閉バルブ１０２との間にはそれぞれ継手ブロックＴ
が設けられている。

【００３５】ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスライン６３に設けられ
た集合バルブ７１は、上流側から順に、開閉バルブ１０
３、三方バルブ１０４、フィルター１０５、マスフロー
コントローラ１０６、三方バルブ１０７、開閉バルブ１
０８が配列されている。三方バルブ１０４とフィルター
１０５との間、フィルター１０５とマスフローコントロ
ーラ１０６との間、マスフローコントローラ１０６と三
方バルブ１０７との間にはそれぞれ継手ブロックＴが設
けられている。

【００３６】パージガスライン６４に設けられた集合バ
ルブ７２ａは、上流側から順に、逆止バルブ１０９、開
閉バルブ１１０、および分岐部を有する分岐ブロック１
１１が配列されており、集合バルブ７２ｂは、上流側か
ら順に、開閉バルブ１１２、分岐部を有する分岐ブロッ
ク１１３、および開閉バルブ１１４が配列されている。
逆止バルブ１０９および開閉バルブ１１０の間、開閉バ
ルブ１１０と分岐ブロック１１１との間、開閉ブロック
１１２と分岐ブロック１１３との間、分岐ブロック１１
３と開閉バルブ１１４との間にはそれぞれ継手ブロック
Ｔが設けられている。

【００３７】キャリアガスライン６５に設けられた集合
バルブ７３は、上流側から順に、開閉バルブ１１５、フ
ィルター１１６、マスフローコントローラ１１７、開閉
バルブ１１８が配列されている。開閉バルブ１１５とフ
ィルター１１６との間、フィルター１１６とマスフロー
コントローラ１１７との間、マスフローコントローラ１
１７と開閉バルブ１１８との間にはそれぞれ継手ブロッ
クＴが設けられている。

【００３８】キャリアガスライン６５から分岐した分岐
ライン６５ａは、上流側から順に、開閉バルブ１１９、
フィルター１２０、マスフローコントローラ１２１、開
閉バルブ１２２が配列されている。開閉バルブ１１９と
フィルター１２０との間、フィルター１２０とマスフロ
ーコントローラ１２１との間、マスフローコントローラ
１２１と開閉バルブ１２２との間にはそれぞれ継手ブロ
ックＴが設けられている。

【００３９】さらに、集合バルブ６６ａの分岐ブロック
７７と集合バルブ６７の三方バルブ８２との間、集合バ
ルブ６７の三方バルブ８２と集合バルブ６８の三方バル
ブ８８との間、集合バルブ６８の三方バルブ８８と集合
バルブ６９の三方バルブ９４との間、集合バルブ７１の
三方バルブ１０４と集合バルブ７２ａの分岐ブロック１
１１との間、集合バルブ６６ｂの分岐ブロック７９と集
合バルブ６７の三方バルブ８５との間、集合バルブ６７
の三方バルブ８５と集合バルブ６８の三方バルブ９１と
の間、集合バルブ６８の三方バルブ９１と集合バルブ６
９の三方バルブ９７との間、集合バルブ７１の三方バル
ブ１０７と集合バルブ７２ｂの分岐ブロック１１３との
間にもそれぞれ継手ブロックＴが設けられている。な
お、図２中、ＣＶは逆止バルブ、Ｖ１は開閉バルブ、Ｖ
２は三方バルブ、Ｆはフィルター、ＭＦＣはマスフロー
コントローラを示す。

【００４０】パージガスライン５８に通流されたパージ
ガスは、分岐ブロック７７から分岐し、それぞれ三方バ
ルブ８２、８８、および９４を介して、または、分岐ブ
ロック７９から分岐し、それぞれ三方バルブ８５、９
１、９７を介して、ＷＦ_６ガスライン５９、分岐ライン
５９ａ、およびクリーニングガスライン６１へ通流可能
となっている。また、パージガスライン６４に通流され
たパージガスは、分岐ブロック１１１から分岐し、三方
バルブ１０４を介して、または、分岐ブロック１１３か
ら分岐し、三方バルブ１０７を介して、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２
ガスライン６３へ通流可能となっている。

【００４１】ＷＦ_６ガスライン５９および分岐ライン５
９ａは、集合バルブの下流部分でキャリアガスライン６
２に合流するようになっている。また、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２
ガスライン６３は、集合バルブの下流部分でキャリアガ
スライン６５に合流するようになっている。そして、こ
れらキャリアガスライン６２，６５、およびクリーニン
グガスライン６１がチャンバー１１のガス導入口４７に
接続されている。

【００４２】次に、各ガスラインに設けられた集合バル
ブのうちＷＦ_６ガスライン５９に設けられた集合バルブ
６７を例にとってその構造について説明する。なお、集
合バルブ６８，６９，７０，７１，７３，７４について
も、多少の違いはあるが、ほぼ同様である。図３は、集
合バルブ６７を示す断面図である。この集合バルブ６７
は、上述したように、ＷＦ_６ガスライン５９の上流側か
ら、開閉バルブ８１、三方バルブ８２、フィルター８
３、マスフローコントローラ８４、三方バルブ８５、開
閉バルブ８６が一体的に配列されて構成されており、こ
れらはベースブロック１３０の上に取り付けられてい
る。開閉バルブ８１の弁体１３３および三方バルブ８２
の弁体１３４は共通のブロック１３１に収容され、ま
た、三方バルブ８５の弁体１３５および開閉バルブ８６
の弁体１３６は共通のブロック１３２に収容されてい
る。ＷＦ_６ガスライン５９は、これらブロック１３１お
よびブロック１３２を貫通して延びている。開閉バルブ
８１の弁体１３３、三方バルブ８２の弁体１３４、三方
バルブ８５の弁体１３５および開閉バルブ８６の弁体１
３６は、それぞれアクチュエーター１３８，１３９，１
４０，１４１により回転されてバルブ動作が行われるよ
うになっている。この際に、各バルブの弁体１３３，１
３４，１３５，１３６はガスライン５９に直接作用する
ようになっている。

【００４３】すなわち、開閉バルブ８１の弁体１３３に
は、図４に示すように、ガスライン５９に対応する位置
に貫通孔１３３ａが形成されており、図４の（ａ）に示
すように貫通孔１３３ａがガスライン５９に連続するよ
うにされることによりバルブ８１が開状態となり、弁体
１３３を回転させることにより図４の（ｂ）に示すよう
に貫通孔１３３ａがガスライン５９から外れた位置にさ
れることによりバルブ８１が閉状態となる。開閉バルブ
８６も同様に構成される。

【００４４】また、三方バルブ８２の弁体１３４には、
図５に示すように、ガスライン５９に対応する位置に貫
通孔１３４ａが形成されているとともに、パージガスラ
イン５８からのパージガスを導入可能な円周溝１３４ｂ
がその上部の外周に沿って形成され、この円周溝１３４
ｂから下方にガスライン５９の位置まで延びる垂直溝１
３４ｃが形成されている。そして、図５の（ａ）に示す
ように貫通孔１３４ａがガスライン５９に連続するよう
にされることにより、ガスライン５９がつながるととも
にパージガスの流路は閉じられた状態となる。この状態
から弁体１３４を回転させることにより図５の（ｂ）に
示すように貫通孔１３４ａがガスライン５９から外れた
位置にされるとともに、垂直溝１３４ｃがガスライン５
９につながると、ガスライン５９が閉じられた状態とな
るとともにパージガスは円周溝１３４ｂおよび垂直溝１
３４ｃを経てガスライン５９に流れるようになる。三方
バルブ８５も同様に構成される。

【００４５】上述したように、三方バルブ８２とフィル
ター８３との間、フィルター８３とマスフローコントロ
ーラ８４との間、マスフローコントローラ８４と三方バ
ルブ８５との間にはそれぞれ継手ブロックＴが設けられ
ている。図３に示すように、継手ブロックＴはボルトＢ
により三方バルブ８２およびフィルター８３等を接続す
るようになっている。

【００４６】また、図６に示すように隣接する集合バル
ブ６７および６８間での三方バルブ８２および８５の接
続も同様な構造の継手ブロックＴにより、ボルトを用い
て行われる。隣接する集合バルブの他の接続部分も同様
に継手ブロックＴにより行われる。

【００４７】このような継手ブロックＴは、図７の
（ａ）の側面図および（ｂ）の斜視図に示すように、そ
の両方の接続面において、それぞれ２つのコーナー部分
にボルトを挿入するための切欠部１７１を有しており、
それら切欠部１７１からボルト挿入孔１７２が水平に貫
通孔として形成されている。また、ガスライン５９を構
成するガス通流孔１７３が水平に貫通孔として形成され
ている。

【００４８】本実施形態においては、いずれの集合バル
ブも上述したように弁体がガスラインに直接作用するよ
うになっていることから構造がシンプルであり、その要
素同士、例えばバルブとフィルターとを接続する際に、
ガスラインを構成するガス通流孔を有するだけの簡易な
構造の継手ブロックＴを介在させるだけでよく、要素同
士の接続を極めて容易に行うことができる。

【００４９】なお、開閉バルブについては、図８に示す
ように、アクチュエーター１３８’で弁体１３３’を降
下させることにより、ガスライン５９の弁体作用部上流
側から垂直上方に延びた部分の上部開口部１４５ａと、
ガスライン５９の弁体作用部下流側から垂直上方に延び
た部分の上部開口部１４５ｂとを弁体１３３’により直
接閉じるようにすることもできる。

【００５０】また、図９に示すように、ガスライン５９
の途中にガスラインから下方に延びる凹所１４６を形成
し、アクチュエーター１３８''で弁体１３３''を降下さ
せることにより、弁体１３３''の先端部を凹所１４６に
嵌合させて、ガスライン５９を直接閉じるようにするこ
ともできる。

【００５１】以上のように構成されるＣＶＤ装置１によ
り、ウエハＷの表面にＷＳｉ膜を成膜する際には、ま
ず、チャンバー１１の側壁に設けられた図示しないゲー
トバルブを開いて搬送アームによりチャンバー１１内に
ウエハＷを搬入し、リフトピン１６を押し上げることに
よりウエハＷをリフトピン１６側に受け渡し、押し上げ
棒１８を降下させることによりリフトピン１６を押し下
げて、ウエハＷを載置台１５上に載置する。

【００５２】次いで、排気口３６から内部雰囲気を吸引
排気することによりチャンバー１１内を所定の真空度例
えば１３．３〜１０６４０Ｐａ（０．１〜８０Ｔｏｒ
ｒ）の範囲内の値に設定し、後述するようにしてガス供
給システム５０からシャワーヘッド４０を介してチャン
バー１１内に処理ガスであるＷＦ_６ガスおよびＳｉＨ_２
Ｃｌ_２ガスを導入し、これと同時に加熱室２５内のハロ
ゲンランプ２６を回転させながら点灯し、ハロゲンラン
プ２６からの熱線を載置台１５に照射する。これによ
り、所定の反応が生じてウエハＷ上にＷＳｉ膜が成膜さ
れる。

【００５３】次に、ガス供給システム５０による処理ガ
スの供給について詳細に説明する。上述したように、ガ
ス供給システム５０から処理ガスを供給する際には、キ
ャリアガス供給源５４からキャリアガスライン６２にキ
ャリアガス、例えばＡｒガスを流しつつ、まずＷＦ_６ガ
ス供給源５２から集合バルブ６８の高精度のマスフロー
コントローラ９０で厳密に流量を制御しつつ、ニューク
リエーションのためのＷＦ_６ガスをＷＦ_６ガスライン５
９から分岐する分岐ライン５９ａに流すとともに、キャ
リアガス供給源５７からキャリアガスライン６５にキャ
リアガス、例えばＡｒガスを流しつつ、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２
ガス供給源５５からもう一方の処理ガスであるＳｉＨ_２
Ｃｌ_２ガスをＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスライン６３に流す。分
岐ライン５９ａからのＷＦ_６ガスはキャリアガスライン
６２に合流してキャリアガスにキャリアされ、ＳｉＨ_２
Ｃｌ_２ガスライン６３からのＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスはキャ
リアガスライン６５に合流してキャリアガスにキャリア
され、いずれもシャワーヘッド４０を介してチャンバー
１１内に供給される。

【００５４】所定時間経過後、分岐ライン５９ａの集合
バルブ６８の各バルブが閉じられ、分岐ライン５９ａへ
のＷＦ_６ガスの供給が停止され、代わりにＷＦ_６ガスラ
イン５９の集合バルブ６７の各バルブが開かれ、ニュー
クリエーション時よりも多い流量のＷＦ_６ガスがＷＦ_６
ガスライン５９からキャリアガスライン６２に合流す
る。

【００５５】このようにして成膜用のガスをチャンバー
１１内に供給して成膜処理が終了した後、パージガス源
５１，５６から、パージガスとしてのＮ_２ガスを、ＷＦ
_６ガスライン５９、分岐ライン５９ａ、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２
ガスライン６３に流してこれらのガスをパージし、次い
で、クリーニングガス供給源５３からクリーニングガス
ライン６１を通ってクリーニングガスとしてのＣｌＦ_３
をチャンバー１１内に供給してクリーニングを行い、そ
の後、パージガス供給源５１からクリーニングガスライ
ン６１にパージガスを供給してクリーニングガスをパー
ジし、次の処理に備える。

【００５６】このような成膜処理において、前述のよう
にＷＦ_６ガスをニュークリエーション用の分岐ライン５
９ａからＷＦ_６ガスライン５９に切り換える際に、分岐
ライン５９ａの集合バルブ６８の下流側部分にはＷＦ_６
ガスが残存し、この残存ガスがキャリアガスによって吸
い出されるが、この吸い出される量は、キャリアガスラ
イン６２と分岐ライン５９ａとの合流点から分岐ライン
５９ａの最下流のバルブ（集合バルブ６８のバルブ９
２）までの距離および処理ガスラインである分岐ライン
５９ａの径が小さいほど、すなわち処理ガスラインであ
る分岐ライン５９ａの最下流のバルブ９２開閉バルブか
ら上記合流点までの部分の容積が小さいほど少ない。し
たがって、キャリアガスライン６２と処理ガスラインで
ある分岐ライン５９ａとの合流点から分岐ライン５９ａ
のバルブまでの距離および処理ガスラインの径を、でき
るだけ短くおよび細くし、バルブを閉じた際に処理ガス
ラインに残留する処理ガス量が、成膜に影響を及ぼさな
い所定値以下になるように設定する。

【００５７】以下、このような結論に至ったシミュレー
ション結果について説明する。図１０に示すような、処
理ガスラインとキャリアガスラインとの合流部分の構造
を用いてシミュレーションを行った。処理ガスライン２
００のバルブ２０２下流側の長さを１０ｃｍおよび２０
ｃｍに設定し、処理ガスライン２００およびキャリアガ
スライン２０１の管径をφ６ｍｍおよびφ１２ｍｍに設
定した。処理ガスはバルブ２０２により供給を遮断し、
処理ガスライン２００のバルブ２０２下流側の部分に処
理ガスが残存しているものとした。図１０の構造におい
て、処理ガスライン側のバルブ８３を閉じ、キャリアガ
スのみを流した場合に、処理ガスラインのバルブ直下部
分（図中点Ｂ）および２つのラインの合流点（図中点
Ａ）における一定時間経過後の処理ガス残存濃度を、キ
ャリアガス流量を０．００５，０．０５、０．２５，
０．５Ｌ／ｍｉｎとして、シミュレーションにより求め
た。なお、シミュレーションには汎用解析プログラムで
あるＦＬＵＥＮＴを用いた。

【００５８】その際に用いた解析チャートの例を図１
１，１２に示す。図１１は処理ガスライン２００のバル
ブ２０２から合流点までの長さ（以下ライン長という）
を変化させたものであり、（ａ）はライン長が１０ｃｍ
の場合、（ｂ）は２０ｃｍの場合である。また、図１２
は処理ガスライン２００の管径を変化させたものであ
り、（ａ）は管径がφ６ｍｍの場合、（ｂ）は管径がφ
１２ｍｍの場合である。実際のチャートはガス濃度が色
彩で示されており、濃度分布が明確に把握することがで
きるようになっている。

【００５９】このシミュレーション結果をまとめたもの
が図１３〜図１６である。図１３、図１４はキャリアガ
ス流量を変化させた際の処理ガス残存量をライン長１０
ｃｍと２０ｃｍとで対比して示すものであり、図１３は
点Ａにおける処理ガス残存濃度を示し、図１４は点Ｂに
おける処理ガス残存濃度を示す。また、図１５、図１６
はキャリアガス流量を変化させた際の処理ガス残存濃度
を管径φ６ｍｍとφ１２ｍｍとで対比して示すものであ
り、図１５は点Ａにおける処理ガス残存濃度を示し、図
１６は点Ｂにおける処理ガス残存濃度を示す。

【００６０】図１３および図１４から、キャリアガスの
流量にかかわらず、ライン長が長くなるとそれに比例し
て処理ガス残存量が多くなることがわかる。

【００６１】一方、図１５および図１６から、キャリア
ガスの流量にかかわらず、管径の大きいほうが処理ガス
の残存濃度が高いことがわかる。また、管径がφ６ｍｍ
の場合には処理ガスの残存濃度のキャリアガス流量依存
性が少なく、特にキャリアガスが０．１Ｌ／ｍｉｎ以上
ではキャリアガス流量依存性はほとんどないが、管径が
φ１２ｍｍではキャリアガスが少ない部分で処理ガスの
残存濃度のキャリアガス流量依存性が高いことがわか
る。

【００６２】以上のことから、（１）ライン長を短くす
るほど処理ガスラインのバルブを閉じた後の処理ガス残
存濃度を低く保つことができること、（２）管径を細く
するほど、処理ガスライン中の処理ガス残存濃度を低く
保つことができること、（３）管径がφ６ｍｍ以下にな
るとキャリアガス０．１Ｌ／ｍｉｎ以上で流量依存性が
なく、したがってキャリアガスの流量を最適化すること
が可能となることを導くことができる。

【００６３】上記（１）および（２）から、処理ガスラ
インの処理ガス残存濃度は、キャリアガスラインと処理
ガスラインとの合流点から処理ガスラインのバルブまで
の距離および処理ガスラインの径が小さいほど、すなわ
ち処理ガスラインのバルブから上記合流点までの部分の
容積が小さいほど少なくすることができるといえる。処
理ガスラインからキャリアガスに吸い出されて流出する
処理ガス流出量は、処理ガスラインの処理ガス残存濃度
が高い場合、すなわち処理ガス残存量が多い場合ほど多
くなるから、上記結果からキャリアガスラインと処理ガ
スラインとの合流点から処理ガスラインのバルブまでの
距離および処理ガスラインの径を、短くおよび細くする
ほど処理ガスの流出量を少なくすることができることが
導かれる。したがって、処理ガスラインを、バルブを閉
じた際に処理ガスラインから流出する処理ガス量が処理
に対して問題にならない所定値以下になるまで短くおよ
び細く設定すればよいことが導かれる。また、上記
（３）から処理ガス流出量のキャリアガス依存性をなく
するためには処理ガスラインの管径をφ６ｍｍ以下とす
ればよいことがわかる。

【００６４】また、上述のように処理ガスラインから流
出する処理ガスの量を少なくするためには、処理ガスラ
インの開閉バルブから上記合流点までの部分の容積を小
さくする必要があるが、そのために上述のように、処理
ガスラインに、複数のバルブが集合した集合バルブを設
け、その集合バルブを、各バルブの弁体が処理ガスライ
ンに直接作用するように構成する。

【００６５】従来用いられている集合バルブは、バルブ
本体の中までガス配管が延びており、その中でバルブの
ＯＮ／ＯＦＦを行うため、集合バルブ内での配管長さが
長いものとなり、バルブからキャリアガスラインと処理
ガスラインとの合流点までの距離も長くなってしまい、
結果として処理ガスラインの開閉バルブから上記合流点
までの部分の容積が大きくなってしまう。これに対し、
上述のように各バルブの弁体が処理ガスラインに直接作
用するように集合バルブを構成すれば、バルブからキャ
リアガスラインと処理ガスラインとの合流点までの距離
を極力短くして、処理ガスラインの開閉バルブから上記
合流点までの部分の容積を小さくすることができる。

【００６６】なお、上記ガス供給システム５０において
は、パージガスを処理ガスラインに流すためにガスの切
換を行う必要があるが、上記集合バルブを用いてパージ
ガスおよび処理ガスの２ラインの開閉および切換を行う
こともできる。その際に集合バルブに組み込まれたバル
ブの例を図１７および図１８に基づいて説明する。

【００６７】図１７に示すバルブ１５０は、弁体１５１
がアクチュエーター１５４により回転可能に構成されて
おり、ブロック１３１’にはガスライン１５２および１
５３の２ラインが形成されている。弁体１５１には、ガ
スライン１５２に対応する位置に貫通孔１５１ａが形成
されており、ガスライン１５３に対応する位置に貫通孔
１５１ｂが形成されている。また、弁体１５１の表面に
は、ガスライン１５２からガスライン１５３にガスを流
すことが可能な溝１５１ｃが形成されている。そして、
ガスライン１５２をパージガスとして使用し、ガスライ
ン１５３を処理ガスラインとして使用する場合には、図
１７の（ａ）の状態では、貫通孔１５１ａおよび１５１
ｂがそれぞれガスライン１５２および１５３に対応する
位置にあり、パージガスがガスライン１５２を流れ、処
理ガスがガスライン１５３を流れるが、図１７の（ｂ）
に示すように、溝１５１ｃをガスライン１５２とガスラ
イン１５３とをつなぐ位置にすると、パージガスをガス
ライン１５３に流すことができる。弁体をこれらの中間
位置にすることにより両方のガスの供給を停止すること
もできる。また、ガスライン１５３からガスライン１５
２にガスを流す必要がある場合には、弁体１５１をさら
に回転させて溝１５１ｃが逆につながるようにすればよ
い。

【００６８】図１８に示すバルブ１６０は、弁体１６１
がアクチュエーター１６４により昇降可能に構成されて
おり、ブロック１３１''にはガスライン１６２および１
６３の２ラインが形成されている。弁体１６１には、ガ
スライン１６２に対応可能な位置に貫通孔１６１ａが形
成されており、ガスライン１６３に対応可能な位置に貫
通孔１６１ｂが形成されている。また、弁体１６１の表
面には、ガスライン１６２からガスライン１６３にガス
を流すことが可能な溝１６１ｃが形成されている。そし
て、ガスライン１６２をパージガスとして使用し、ガス
ライン１６３を処理ガスラインとして使用する場合に
は、図１８の（ａ）の状態では、貫通孔１６１ａおよび
１６１ｂがそれぞれガスライン１６２および１６３に対
応する位置にあり、パージガスがガスライン１６２を流
れ、処理ガスが処理ガスライン１６３を流れるが、図１
８の（ｂ）に示すように、溝１６１ｃをガスライン１６
２とガスライン１６３とをつなぐ位置にすると、パージ
ガスを処理ガスライン１６３に流すことができる。弁体
をこれらの中間位置にすることにより両方のガスの供給
を停止することもできる。また、ガスライン１６３から
ガスライン１６２にガスを流す必要がある場合には、高
さの違う位置にガスライン１６３からガスライン１６２
に向かう溝をさらに形成すればよい。

【００６９】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態で
は本発明をＷＳｉのＣＶＤ成膜に規定したが、これに限
らず、他の材料、例えばＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ等のＣＶＤ成
膜に適用することができるし、また、ＣＶＤ以外の他の
ガス処理にも適用することができる。また、被処理基板
はウエハに限られるものではなく、他の基板であっても
よい。さらに、キャリアガスとしてはＡｒガスを例示し
たが、これに限らず他の不活性ガスであってもよいし、
ＮＨ_３、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ等の無機ガスや、気化または蒸発
した有機溶媒等の有機系ガスのように、処理ガスの一部
として機能するものであってもよい。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理ガスラインから流出する処理ガスの量は、キャリア
ガスラインと処理ガスラインとの合流点から処理ガスラ
インの開閉バルブまでの距離および処理ガスラインの径
が小さいほど、すなわち処理ガスラインの開閉バルブか
ら上記合流点までの部分の容積が小さいほど少なくする
ことができるという結果に基づき、キャリアガスライン
と処理ガスラインとの合流点から処理ガスラインの開閉
バルブまでの距離および処理ガスラインの径を、前記開
閉バルブを閉じた際に処理ガスラインから流出する処理
ガスが所定値以下になるように短くかつ細く設定するの
で、処理ガスラインからの処理ガスの供給を停止した際
に、処理ガスラインからの処理ガス流出量を確実に少な
くすることができる。また、処理ガスラインに、複数の
バルブが集合した集合バルブを設け、その集合バルブ
を、各バルブの弁体が処理ガスラインに直接作用するよ
うに構成することにより、処理ガスラインからの処理ガ
ス流出量を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装置を模式的
に示す断面図。

【図２】図１のＣＶＤ装置に用いたガス供給システムを
示す概略構成図。

【図３】ガス供給システムに用いた集合バルブの構造を
示す断面図。

【図４】上記集合バルブに適用されている開閉バルブの
構造および動作を説明するための断面図。

【図５】上記集合バルブに適用されている三方バルブの
構造および動作を説明するための断面図。

【図６】隣接する集合バルブ間での三方バルブを継手ブ
ロックにより接続した状態を説明するための断面図。

【図７】継手ブロックの構造を説明するための側面図お
よび斜視図。

【図８】上記集合バルブに適用されている開閉バルブの
他の例を示す断面図。

【図９】上記集合バルブに適用されている開閉バルブの
さらに他の例を示す断面図。

【図１０】本発明を導いたシミュレーションの条件を示
す模式図。

【図１１】シミュレーション結果を示すチャート。

【図１２】シミュレーション結果を示すチャート。

【図１３】シミュレーション結果に基づいて、キャリア
ガス流量を変化させた際の点Ａにおける処理ガス残存濃
度をライン長１０ｃｍと２０ｃｍとで対比して示すグラ
フ。

【図１４】シミュレーション結果に基づいて、キャリア
ガス流量を変化させた際の点Ｂにおける処理ガス残存濃
度をライン長１０ｃｍと２０ｃｍとで対比して示すグラ
フ。

【図１５】シミュレーション結果に基づいて、キャリア
ガス流量を変化させた際の点Ａにおける処理ガス残存濃
度を管径φ６ｍｍとφ１２ｍｍとで対比して示すグラ
フ。

【図１６】シミュレーション結果に基づいて、キャリア
ガス流量を変化させた際の点Ｂにおける処理ガス残存濃
度を管径φ６ｍｍとφ１２ｍｍとで対比して示すグラ
フ。

【図１７】２ラインの開閉および切換を行うことができ
る集合バルブに組み込まれたバルブの構造および動作を
説明するための断面図。

【図１８】２ラインの開閉および切換を行うことができ
る集合バルブに組み込まれたバルブの他の例の構造およ
び動作を説明するための断面図。

【符号の説明】

１１；チャンバー １５；載置台 ４０；シャワーヘッド ５０；ガス供給システム ５９；ＷＦ_６ガスライン（処理ガスライン） ５９ａ；分岐ライン（処理ガスライン） ６２，６５；キャリアガスライン ６６ａ，６６ｂ，６７，６８，６９，７０，７１，７２
ａ，７２ｂ，７３，７４；集合バルブ １３３，１３３’，１３３''，１３４，１５１，１６
１；弁体 Ｔ；継手ブロック Ｗ；半導体ウエハ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理ガスを供給する処理ガスラインと、
   この処理ガスラインと合流するとともに処理ガスをキャ
   リアするキャリアガスを供給するキャリアガスライン
   と、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャ
   リアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを具備
   し、チャンバー内で被処理基板に所定のガス処理を施す
   ガス処理装置であって、 前記キャリアガスラインと前記処理ガスラインとの合流
   点から前記処理ガスラインの開閉バルブまでの距離およ
   び前記処理ガスラインの径を、前記開閉バルブを閉じた
   際に前記処理ガスラインから流出する処理ガス量が所定
   値以下になるように短くおよび細く設定することを特徴
   とするガス処理装置。
2. 【請求項２】 処理ガスを供給する処理ガスラインと、
   この処理ガスラインと合流するとともに処理ガスをキャ
   リアするキャリアガスを供給するキャリアガスライン
   と、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャ
   リアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを具備
   し、チャンバー内で被処理基板に所定のガス処理を施す
   ガス処理装置であって、 前記処理ガスラインは、複数のバルブが集合した集合バ
   ルブを有し、 前記集合バルブは、各バルブの弁体が処理ガスラインに
   直接作用するように設けられていることを特徴とするガ
   ス処理装置。
3. 【請求項３】 所定の処理ガスをチャンバー内に導入し
   てチャンバー内で被処理基板に所定のガス処理を施すガ
   ス処理装置におけるガスラインに用いられ、複数のバル
   ブが集合した集合バルブであって、 前記各バルブの弁体がガスラインに直接作用するように
   設けられていることを特徴とする集合バルブ。
4. 【請求項４】 所定の処理ガスをチャンバー内に導入し
   てチャンバー内で被処理基板に所定のガス処理を施すガ
   ス処理装置における複数のガスラインのそれぞれに用い
   られ、複数のバルブが集合した集合バルブであって、 前記各バルブの弁体がガスラインに直接作用するように
   設けられ、かつ互いに一体に構成されていることを特徴
   とする集合バルブ。
5. 【請求項５】 前記バルブの弁体はガス流路を有し、弁
   体を回転させて、前記ガス流路をガスラインに対応させ
   る、またはガスラインからずらすことにより、バルブの
   開閉を行うことを特徴とする請求項３または請求項４に
   記載の集合バルブ。
6. 【請求項６】 その中を通るガスラインはバルブに対応
   する位置において分離され、その弁体作用部上流側から
   垂直上方に延びた部分と弁体作用部下流側から垂直上方
   に延びた部分とを有し、弁体を昇降させて、これら２つ
   の部分をつなぐ、またはこれら２つの部分の開口部を塞
   ぐことにより、バルブの開閉を行うことを特徴とする請
   求項３または請求項４に記載の集合バルブ。
7. 【請求項７】 前記バルブの弁体を降下させることによ
   り、水平方向に延びるガスラインを塞ぎ、弁体を上昇さ
   せることによりガスラインを開けて、バルブの開閉を行
   うことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の集
   合バルブ。
8. 【請求項８】 前記弁体は他のガスラインからつながる
   ガス流路を有し、かつ他のラインからその中のガスライ
   ンへガスを流す他のガス流路を有することを特徴とする
   請求項５に記載の集合バルブ。
9. 【請求項９】 その中に２つのガスラインを有し、前記
   バルブの弁体は一方のラインから他方のラインにつなぐ
   ことが可能なガス流路を有し、弁体を回転または昇降さ
   せて、ガス流路の切換を行うことを特徴とする請求項３
   または請求項４に記載の集合バルブ。
10. 【請求項１０】 隣接するバルブの間が継手ブロックに
    より接続されていることを特徴とする請求項３から請求
    項９のいずれか１項に記載の集合バルブ。
11. 【請求項１１】 さらにフィルターおよびマスフローコ
    ントローラの少なくとも一方が設けられていることを特
    徴とする請求項３から請求項１０のいずれか１項に記載
    の集合バルブ。
12. 【請求項１２】 バルブとフィルターとの間、または／
    およびバルブとマスフローコントローラとの間、または
    ／およびフィルターとマスフローコントローラとの間、
    または／およびバルブとバルブとの間が継手ブロックに
    より接続されていることを特徴とする請求項１１に記載
    の集合バルブ。
13. 【請求項１３】 前記複数のガスラインのうち一のガス
    ラインのバルブと、そのガスラインに隣接する他のガス
    ラインのバルブとがガス通流可能に構成されていること
    を特徴とする請求項４に記載の集合バルブ。
14. 【請求項１４】 前記２つのバルブの間が継手ブロック
    で接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の
    集合バルブ。