JP2001127022A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 固定砥粒を用いて表面に凹凸が形成されたデバイスウエハを研磨する方法において、界面活性剤を供給しながら、及び／又は、固定砥粒のドレッシングを行いながら研磨することを特徴とする研磨方法。
2. 前記請求項１に記載の研磨方法において、前記デバイスウエハの研磨が進行して凸部が平坦化する前に、界面活性剤の供給を開始しつつ研磨を継続することを特徴とする研磨方法。
3. 前記請求項１に記載の研磨方法において、前記デバイスウエハを固定砥粒のドレッシングを行いながら研磨を行い、前記デバイスウエハの研磨が進行して、凸部が平坦化する前に、ドレッシングを停止して、研磨のみを継続することを特徴とする研磨方法。
4. 前記請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨方法において、反応促進に寄与する薬液を供給しながら研磨することを特徴とする研磨方法。
5. 前記請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨方法において、固定砥粒を用いて前記デバイスウェハの研磨を行った後に、該デバイスウェハの仕上げ研磨を行うことを特徴とする研磨方法。
6. 表面に凹凸が形成されたデバイスウエハを固定砥粒を用いて研磨する装置において、研磨を促進させる手段と、研磨を抑制させる手段とを備えたことを特徴とする研磨装置。
7. 前記研磨を促進させる手段は、研磨を行いながらドレッシングを行うドレッシング手段、又は研磨を促進させる薬液の供給手段であり、前記研磨を抑制させる手段は、界面活性剤を供給する手段であることを特徴とする請求項６記載の研磨装置。
8. 研磨対象であるウエハ（半径：Ｒｗ）と固定砥粒面（半径：Ｒｆ）の大きさが、
   ２Ｒｗ＞Ｒｆ＞Ｒｗ／２
   の関係にあり、前記ウエハと固定砥粒面とはそれぞれ自転することを特徴とする請求項６記載の研磨装置。
9. 表面に凹凸が形成されたデバイスウエハを固定砥粒を用いて研磨する装置において、研磨を促進させる手段と、研磨を抑制させる手段とを備え、研磨対象であるウエハ（半径：Ｒｗ）と固定砥粒面（半径：Ｒｆ）の大きさが、
   ２Ｒｗ＞Ｒｆ＞Ｒｗ／２
   の関係にあり、前記固定砥粒面の半径Ｒｆが前記ウエハの中心と前記固定砥粒面の中心との間の距離よりも大きく、前記ウエハと固定砥粒面とはそれぞれ自転することを特徴とする研磨装置。
10. 固定砥粒を用いた研磨がなされたデバイスウェハの仕上げ研磨を行う仕上げ研磨手段を備えたことを特徴とする請求項６又は９に記載の研磨装置。
11. 固定砥粒を用いて表面に凹凸が形成されたウエハを研磨する方法において、
    研磨中に前記固定砥粒の研磨面をドレッシングをすることにより遊離砥粒を生成しながら研磨する第１の研磨工程と、
    前記第１の工程の後、前記固定砥粒の研磨面をドレッシングを伴わない状態で研磨する第２の研磨工程により研磨するウエハの研磨方法。
12. 前記第２の研磨工程において、前記研磨面に界面活性剤を供給することを特徴とする請求項１１記載のウエハの研磨方法。
13. 固定砥粒を用いて表面に凹凸が形成されたウエハを研磨する方法において、
    界面活性剤を伴わない状態で前記固定砥粒により研磨する第１の研磨工程と、
    前記第１の工程の後、界面活性剤を供給しながら前記固定砥粒により研磨する第２の研磨工程により研磨するウエハの研磨方法。
14. 前記第１の研磨工程において、緩衝材を添加しながら研磨すること を特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載のウエハの研磨方法。
15. 前記第２の研磨工程の後に、研磨布により仕上げ研磨を行うことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載のウエハの研磨方法。
16. 前記仕上げ研磨は、前記研磨布にスラリを供給しながらウエハを研磨布に押圧して行うことを特徴とする請求項１５記載のウエハの研磨方法。