JP2001115296A - 電子デバイス製造のための流体デリバリー系 - Google Patents
電子デバイス製造のための流体デリバリー系Info
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子デバイス製造のための流体デリバリー系
を提供する。 【解決手段】 １以上の開口を有する物品をメタライズ
する方法であって、少なくとも１つのメタライゼーショ
ン溶液を、物品の表面に対して９０°より小さい角度で
前記溶液をスプレーすることにより物品の表面にデリバ
リーすることを含む前記方法が開示される。
を提供する。 【解決手段】 １以上の開口を有する物品をメタライズ
する方法であって、少なくとも１つのメタライゼーショ
ン溶液を、物品の表面に対して９０°より小さい角度で
前記溶液をスプレーすることにより物品の表面にデリバ
リーすることを含む前記方法が開示される。
Description
【０００１】本発明は電子デバイスの製造に関し、より
詳細には、スルーホール、ベリードバイア（ｂｕｒｉｅ
ｄ ｖｉａｓ）、ブラインドバイア（ｂｌｉｎｄ ｖｉ
ａｓ）等の開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有するプリント
回路板およびその他のパッケージングデバイスの製造に
関する。本発明の方法は種々のメタライゼーション（ｍ
ｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）およびその他の溶液を、プ
リント回路板基体のようなデバイス基体にデリバリーす
る（ｄｅｌｉｖｅｒ）ことを含み、さらにより詳細に
は、デバイス基体がコンベアを有する装置を通過してい
る間に、種々の溶液をデリバリーすることを含む。
詳細には、スルーホール、ベリードバイア（ｂｕｒｉｅ
ｄ ｖｉａｓ）、ブラインドバイア（ｂｌｉｎｄ ｖｉ
ａｓ）等の開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有するプリント
回路板およびその他のパッケージングデバイスの製造に
関する。本発明の方法は種々のメタライゼーション（ｍ
ｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）およびその他の溶液を、プ
リント回路板基体のようなデバイス基体にデリバリーす
る（ｄｅｌｉｖｅｒ）ことを含み、さらにより詳細に
は、デバイス基体がコンベアを有する装置を通過してい
る間に、種々の溶液をデリバリーすることを含む。
【０００２】回路板およびその他の電子パッケージング
デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐａｃｋａｇｉｎｇ
ｄｅｖｉｃｅ）の製造、特に、スルーホール、ベリード
バイアおよびブラインドバイアを有する両面並びに多層
プリント回路板の製造においては、スルーホールおよび
バイアがめっき触媒と接触させられることにより触媒化
され、メタライズされ、ボードの層の間に電気的接続を
提供するという一連の工程を行うのは通常の方法であ
る。多層ボードは公知であり、概して、２以上の回路層
を含み、各回路層は、概して樹脂／プレプレグ複合体で
ある誘電体物質の１以上の層によって他の層と隔離され
ている。回路層は銅クラッドラミネート（ｃｌａｄ ｌ
ａｍｉｎａｔｅ）から形成されている。次いで、プリン
ト回路板は、公知の技術、例えば、プリントおよびエッ
チングで回路トレースを画定し提供することにより、銅
層上に形成される。ここで参照されるように、用語「多
層（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ）」プリント回路板は、両面
ボードおよび２以上の回路層を有するボードの両方を含
むものである。
デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐａｃｋａｇｉｎｇ
ｄｅｖｉｃｅ）の製造、特に、スルーホール、ベリード
バイアおよびブラインドバイアを有する両面並びに多層
プリント回路板の製造においては、スルーホールおよび
バイアがめっき触媒と接触させられることにより触媒化
され、メタライズされ、ボードの層の間に電気的接続を
提供するという一連の工程を行うのは通常の方法であ
る。多層ボードは公知であり、概して、２以上の回路層
を含み、各回路層は、概して樹脂／プレプレグ複合体で
ある誘電体物質の１以上の層によって他の層と隔離され
ている。回路層は銅クラッドラミネート（ｃｌａｄ ｌ
ａｍｉｎａｔｅ）から形成されている。次いで、プリン
ト回路板は、公知の技術、例えば、プリントおよびエッ
チングで回路トレースを画定し提供することにより、銅
層上に形成される。ここで参照されるように、用語「多
層（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ）」プリント回路板は、両面
ボードおよび２以上の回路層を有するボードの両方を含
むものである。
【０００３】多層ボードの伝統的な製法の１つは、その
表面上に配置された回路パターンを有する隔離された内
層（ｉｎｎｅｒｌａｙｅｒ）の作成を含む。光感受性物
質が銅クラッド内層物質の銅表面上にコートされ、画像
形成され、現像され、エッチングされ、光感受性コーテ
ィングによって保護された銅クラッド中に導電体パター
ンを形成する。エッチングの後、光感受性コーティング
は、銅からストリップされ、ベース物質の表面上に回路
パターンを残す。内層の形成に続き、典型的には、誘電
体プレプレグ（部分的に硬化された物質、典型的には、
Ｂ−ステージエポキシ樹脂で含浸されたガラスクロスを
含む層）によって互いに隔離された、多層スタックが内
層、グラウンドプレーン層（ｇｒｏｕｎｄ ｐｌａｎｅ
ｌａｙｅｒ）、パワープレーン層（ｐｏｗｅｒ ｐｌ
ａｎｅ ｌａｙｅｒ）などのレイアップ（ｌａｙ ｕ
ｐ）を製造することにより形成される。スタックはラミ
ネートされ、Ｂ−ステージ樹脂を完全に硬化する。
表面上に配置された回路パターンを有する隔離された内
層（ｉｎｎｅｒｌａｙｅｒ）の作成を含む。光感受性物
質が銅クラッド内層物質の銅表面上にコートされ、画像
形成され、現像され、エッチングされ、光感受性コーテ
ィングによって保護された銅クラッド中に導電体パター
ンを形成する。エッチングの後、光感受性コーティング
は、銅からストリップされ、ベース物質の表面上に回路
パターンを残す。内層の形成に続き、典型的には、誘電
体プレプレグ（部分的に硬化された物質、典型的には、
Ｂ−ステージエポキシ樹脂で含浸されたガラスクロスを
含む層）によって互いに隔離された、多層スタックが内
層、グラウンドプレーン層（ｇｒｏｕｎｄ ｐｌａｎｅ
ｌａｙｅｒ）、パワープレーン層（ｐｏｗｅｒ ｐｌ
ａｎｅ ｌａｙｅｒ）などのレイアップ（ｌａｙ ｕ
ｐ）を製造することにより形成される。スタックはラミ
ネートされ、Ｂ−ステージ樹脂を完全に硬化する。
【０００４】多層板内で回路層を電気的に接続するため
に、スルーホール、ベリードバイアおよびブラインドバ
イアの形の開口が形成される。これらの開口は、通常、
ドリル、または他の手段、例えば、レーザーもしくはプ
ラズマ処理によって加工される。Ｃｌｙｄｅ Ｆ．Ｃｏ
ｏｍｂｓ，Ｊｒ．，Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ
Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，ｐ
ｐ．１２．５−１２．８（１９８８）を参照。ベリード
バイアは、内層の両側を連結する、めっきされたスルー
ホールである。ブラインドバイアは典型的には、スタッ
クの一方の表面を通り、スタックに届き、スタック内で
止まる。プリント回路板および他の電子パッケージング
デバイスの製造を通じて、様々な溶液がデバイス基体に
アプライされる。よって、電気的接続を提供するため
に、例えば、開口のドリルに続いて、および金属めっき
前に、ボードは典型的には、スルーホールおよび他の開
口の表面粗化および樹脂デスメア（ｄｅｓｍｅａｒ）を
必要とする。粗化およびデスメア処理は、引き続いて、
開口表面上に堆積される金属の、向上された結合強度お
よび電気的特性を促進させる。粗化およびデスメアを達
成するために、種々の溶液が基体にアプライされる。
に、スルーホール、ベリードバイアおよびブラインドバ
イアの形の開口が形成される。これらの開口は、通常、
ドリル、または他の手段、例えば、レーザーもしくはプ
ラズマ処理によって加工される。Ｃｌｙｄｅ Ｆ．Ｃｏ
ｏｍｂｓ，Ｊｒ．，Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ
Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，ｐ
ｐ．１２．５−１２．８（１９８８）を参照。ベリード
バイアは、内層の両側を連結する、めっきされたスルー
ホールである。ブラインドバイアは典型的には、スタッ
クの一方の表面を通り、スタックに届き、スタック内で
止まる。プリント回路板および他の電子パッケージング
デバイスの製造を通じて、様々な溶液がデバイス基体に
アプライされる。よって、電気的接続を提供するため
に、例えば、開口のドリルに続いて、および金属めっき
前に、ボードは典型的には、スルーホールおよび他の開
口の表面粗化および樹脂デスメア（ｄｅｓｍｅａｒ）を
必要とする。粗化およびデスメア処理は、引き続いて、
開口表面上に堆積される金属の、向上された結合強度お
よび電気的特性を促進させる。粗化およびデスメアを達
成するために、種々の溶液が基体にアプライされる。
【０００５】次いで、回路板基体が金属めっきの準備が
できた後は、多くの工程の間に一連の溶液が適用され、
該工程は；（１）ボード表面を触媒組成物溶液で処理
し、ボードが触媒的に無電解めっき堆積を受容可能とな
るようにし；（２）触媒を有する表面を無電解めっき液
と接触させることにより、触媒を有する表面上に金属の
無電解堆積をし；（３）めっき金属を無電解金属コーテ
ィング上に電着させることを含み、該無電解金属堆積物
は電着を可能にする導電表面として働く。Ｃ．Ｒ．Ｓｈ
ｉｐｌｅｙ，Ｊｒ．，Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ，ｖｏｌ．７１，ｐｐ．
９２−９９（１９８４）；およびＭｅｔａｌ Ｆｉｎｉ
ｓｈｉｎｇ Ｇｕｉｄｅｂｏｏｋ ａｎｄ Ｄｉｒｅｃ
ｔｏｒｙ，ｖｏｌ．８６，Ｍｅｔａｌｓ ａｎｄ Ｐｌ
ａｓｔｉｃｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．に
より出版（１９８８）を参照。
できた後は、多くの工程の間に一連の溶液が適用され、
該工程は；（１）ボード表面を触媒組成物溶液で処理
し、ボードが触媒的に無電解めっき堆積を受容可能とな
るようにし；（２）触媒を有する表面を無電解めっき液
と接触させることにより、触媒を有する表面上に金属の
無電解堆積をし；（３）めっき金属を無電解金属コーテ
ィング上に電着させることを含み、該無電解金属堆積物
は電着を可能にする導電表面として働く。Ｃ．Ｒ．Ｓｈ
ｉｐｌｅｙ，Ｊｒ．，Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ，ｖｏｌ．７１，ｐｐ．
９２−９９（１９８４）；およびＭｅｔａｌ Ｆｉｎｉ
ｓｈｉｎｇ Ｇｕｉｄｅｂｏｏｋ ａｎｄ Ｄｉｒｅｃ
ｔｏｒｙ，ｖｏｌ．８６，Ｍｅｔａｌｓ ａｎｄ Ｐｌ
ａｓｔｉｃｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．に
より出版（１９８８）を参照。
【０００６】無電解金属堆積を受容可能にする物品表面
を製造するのに有用な触媒溶液は公知であり、米国特許
第３０１１９２０号を含む、多くの刊行物に開示されて
おり、そのような触媒溶液に関する記載は本発明におい
て参照される。典型的には、これらの溶液はパラジウム
金属を含む。しばしば、これらの溶液は、パラジウムお
よびスズ化合物を含む、真溶液またはコロイド溶液であ
る。無電解めっきプロセスの使用を避けるための方法も
使用されている。例えば、「直接」（すなわち、初期の
無電解堆積物がない）めっき法が使用されており、該方
法は一般に触媒溶液の適用、およびそれに続く、触媒を
有する表面の直接の電解めっきを含む。米国特許第３０
９９６０８号、第４８９５７３９号、４９１９７６８
号、第４９５２２８６号、第５１０８７８６号および第
５０７１５１７号を参照。
を製造するのに有用な触媒溶液は公知であり、米国特許
第３０１１９２０号を含む、多くの刊行物に開示されて
おり、そのような触媒溶液に関する記載は本発明におい
て参照される。典型的には、これらの溶液はパラジウム
金属を含む。しばしば、これらの溶液は、パラジウムお
よびスズ化合物を含む、真溶液またはコロイド溶液であ
る。無電解めっきプロセスの使用を避けるための方法も
使用されている。例えば、「直接」（すなわち、初期の
無電解堆積物がない）めっき法が使用されており、該方
法は一般に触媒溶液の適用、およびそれに続く、触媒を
有する表面の直接の電解めっきを含む。米国特許第３０
９９６０８号、第４８９５７３９号、４９１９７６８
号、第４９５２２８６号、第５１０８７８６号および第
５０７１５１７号を参照。
【０００７】無電解か、または「直接めっき」であるか
に拘わらず、メタライゼーションプロセスが使用され、
電子デバイス基体のコンベアで運ばれる処理（ｃｏｎｖ
ｅｙｏｒｉｚｅｄ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）が、典型的
には、水平または垂直のプロセス装置を用いて行われ
る。すなわち、デバイス基体は、コンベアを有する輸送
システム上で、製造加工ラインを通って輸送される。垂
直の加工は、概して、水平の経路内で回路板基体をコン
ベアで運ぶこと、および化学的処理のためにボードを処
理タンクまたはチャンバーに垂直に降ろすことを含む。
そのような垂直のプロセスは典型的には、ろ過ポンプを
通って達成される無視できるような溶液の動きと共に、
溶液交換の主要な手段としてパネル振動（ｐａｎｅｌ
ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ）を使用する。
に拘わらず、メタライゼーションプロセスが使用され、
電子デバイス基体のコンベアで運ばれる処理（ｃｏｎｖ
ｅｙｏｒｉｚｅｄ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）が、典型的
には、水平または垂直のプロセス装置を用いて行われ
る。すなわち、デバイス基体は、コンベアを有する輸送
システム上で、製造加工ラインを通って輸送される。垂
直の加工は、概して、水平の経路内で回路板基体をコン
ベアで運ぶこと、および化学的処理のためにボードを処
理タンクまたはチャンバーに垂直に降ろすことを含む。
そのような垂直のプロセスは典型的には、ろ過ポンプを
通って達成される無視できるような溶液の動きと共に、
溶液交換の主要な手段としてパネル振動（ｐａｎｅｌ
ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ）を使用する。
【０００８】水平の加工は概して、水平の経路内で、一
連の処理タンクまたはチャンバーを通って、回路板基体
をコンベアで運ぶことを含む。さらに、タンク内では、
多くの異なる流体デリバリー装置（ｆｌｕｉｄ ｄｅｌ
ｉｖｅｒｙ ｄｅｖｉｃｅｓ）の任意の１つが使用され
ることができる。近年、水平技術は垂直技術をこえる利
点を有していることが認められたので、産業界は垂直技
術から離れ、水平技術を志向している。コンベアを有す
る装置のスタイルに拘わらず、スルーホール、バイアま
たは他の開口を有する物品においては、スルーホールお
よびバイアの全体にわたり、適当な溶液の動きを提供す
ることが必要である。これは水平プロセス装置において
特に問題となる。
連の処理タンクまたはチャンバーを通って、回路板基体
をコンベアで運ぶことを含む。さらに、タンク内では、
多くの異なる流体デリバリー装置（ｆｌｕｉｄ ｄｅｌ
ｉｖｅｒｙ ｄｅｖｉｃｅｓ）の任意の１つが使用され
ることができる。近年、水平技術は垂直技術をこえる利
点を有していることが認められたので、産業界は垂直技
術から離れ、水平技術を志向している。コンベアを有す
る装置のスタイルに拘わらず、スルーホール、バイアま
たは他の開口を有する物品においては、スルーホールお
よびバイアの全体にわたり、適当な溶液の動きを提供す
ることが必要である。これは水平プロセス装置において
特に問題となる。
【０００９】発明者らは、スルーホール、ベリードバイ
アおよびブラインドバイアのような開口を有する、プリ
ント回路板および他の電子パッケージングデバイスのよ
うな物品を効果的に製造する新規な方法を見出した。本
発明の方法は、めっきされたスルーホールおよびバイア
の収率を向上させ、有効にメタライズされることができ
るバイアのサイズの範囲（バイアの深さおよびアスペク
ト比に基づく）を拡大することができる。より詳細に
は、本発明の第１の態様においては、発明者らは、デバ
イス基体表面に対して、９０°より小さい角度、さら
に、特に、７０または６０°より小さいを角度での溶液
のデリバリーが、物品の改良されたメタライゼーション
（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、特に、例えば、ブラ
インドバイア、スルーホールなどの壁のような、開口の
壁の改良されたメタライゼーションを生じさせることを
見出した。最も好ましくは、約４５°のデリバリー角度
であり、この角度は、結果として、物品の表面と平行な
流体のフローを生じさせることが見出された。理論に拘
束されるのは望まないが、ボード表面に平行なフローを
提供することにより、マイクロ乱流（ｍｉｃｒｏ−ｔｕ
ｒｂｕｌｅｎｃｅ）がバイア内で形成されるものと信じ
られている。マイクロ乱流は、バイアの外へ空気を引き
出すように働き、それにより、ボイドおよびバブルを除
去し、バイアのカバレッジ（ｃｏｖｅｒａｇｅ）を改良
する。
アおよびブラインドバイアのような開口を有する、プリ
ント回路板および他の電子パッケージングデバイスのよ
うな物品を効果的に製造する新規な方法を見出した。本
発明の方法は、めっきされたスルーホールおよびバイア
の収率を向上させ、有効にメタライズされることができ
るバイアのサイズの範囲（バイアの深さおよびアスペク
ト比に基づく）を拡大することができる。より詳細に
は、本発明の第１の態様においては、発明者らは、デバ
イス基体表面に対して、９０°より小さい角度、さら
に、特に、７０または６０°より小さいを角度での溶液
のデリバリーが、物品の改良されたメタライゼーション
（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、特に、例えば、ブラ
インドバイア、スルーホールなどの壁のような、開口の
壁の改良されたメタライゼーションを生じさせることを
見出した。最も好ましくは、約４５°のデリバリー角度
であり、この角度は、結果として、物品の表面と平行な
流体のフローを生じさせることが見出された。理論に拘
束されるのは望まないが、ボード表面に平行なフローを
提供することにより、マイクロ乱流（ｍｉｃｒｏ−ｔｕ
ｒｂｕｌｅｎｃｅ）がバイア内で形成されるものと信じ
られている。マイクロ乱流は、バイアの外へ空気を引き
出すように働き、それにより、ボイドおよびバブルを除
去し、バイアのカバレッジ（ｃｏｖｅｒａｇｅ）を改良
する。
【００１０】本発明においては、物品と「平行」なフロ
ーとは、実質的に物品の表面に沿って流れることをいう
ものと理解される。特に、水平のコンベアを有する装置
に対して、「平行」なフローは、実質的に物品の動きに
沿って、同じ方法または反対の方向で、伸びるものと理
解される。好ましくは、本発明の方法は、膨潤／コンデ
ィショニング（ｓｗｅｌｌ／ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎ
ｇ）、エッチング、中和、コンディショニング、エッチ
ング、活性化、触媒化、アクセレレーション（ａｃｃｅ
ｌｅｒａｔｉｏｎ）、無電解めっき、クリーニング、エ
ッチングおよび電解めっきを含むデバイス基体のメタラ
イゼーションの、全てのまたは実質的に全ての流体適用
工程において使用されることができる。
ーとは、実質的に物品の表面に沿って流れることをいう
ものと理解される。特に、水平のコンベアを有する装置
に対して、「平行」なフローは、実質的に物品の動きに
沿って、同じ方法または反対の方向で、伸びるものと理
解される。好ましくは、本発明の方法は、膨潤／コンデ
ィショニング（ｓｗｅｌｌ／ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎ
ｇ）、エッチング、中和、コンディショニング、エッチ
ング、活性化、触媒化、アクセレレーション（ａｃｃｅ
ｌｅｒａｔｉｏｎ）、無電解めっき、クリーニング、エ
ッチングおよび電解めっきを含むデバイス基体のメタラ
イゼーションの、全てのまたは実質的に全ての流体適用
工程において使用されることができる。
【００１１】本発明の第２の態様においては、水平のプ
ロセス装置を使用し、物品が部分的に流体で処理される
場合には、物品は実質的に転倒され、または裏返され、
次いで、流体処理が継続されるか、または完了されて、
実質的に、バイアおよびスルーホールの様な開口を有す
る物品、特に電子パッケージングデバイス基体の改良さ
れたメタライゼーションが達成されることを見出した。
理論に拘束されるのは望まないが、物品を裏返し、物品
の下方からの処理を完了することにより、ガスバブルお
よび細片（ｄｅｂｒｉｓ）がバイアおよびスルーホール
から放出され、それによりカバレッジが改良されるもの
と信じられている。本発明は本発明のメタライゼーショ
ン方法から製造される堆積物を有する、例えば、プリン
ト回路板、マルチチップモジュール、半導体集積回路等
のような電子パッケージングデバイスを含む、工業物品
を含む。本発明は、無電解めっき系、直接めっき系、デ
スメア系および電解めっき系を含む。本発明の他の態様
は後述する。
ロセス装置を使用し、物品が部分的に流体で処理される
場合には、物品は実質的に転倒され、または裏返され、
次いで、流体処理が継続されるか、または完了されて、
実質的に、バイアおよびスルーホールの様な開口を有す
る物品、特に電子パッケージングデバイス基体の改良さ
れたメタライゼーションが達成されることを見出した。
理論に拘束されるのは望まないが、物品を裏返し、物品
の下方からの処理を完了することにより、ガスバブルお
よび細片（ｄｅｂｒｉｓ）がバイアおよびスルーホール
から放出され、それによりカバレッジが改良されるもの
と信じられている。本発明は本発明のメタライゼーショ
ン方法から製造される堆積物を有する、例えば、プリン
ト回路板、マルチチップモジュール、半導体集積回路等
のような電子パッケージングデバイスを含む、工業物品
を含む。本発明は、無電解めっき系、直接めっき系、デ
スメア系および電解めっき系を含む。本発明の他の態様
は後述する。
【００１２】上述のように、本発明のメタライゼーショ
ン方法は、種々の物品、特に、ブラインドバイア、ベリ
ードバイアおよびスルーホールを有する物品の製造に特
に有効である。特に、物品を水平に処理タンクまたはチ
ャンバーを通過させることに加えて、メタライゼーショ
ン溶液が物品表面に対して垂直でない角度でデリバリー
される場合には、物品を、水平のコンベアを有する動き
の装置に通過させることにより、物品のメタライゼーシ
ョンが改良される。さらに、改良されたメタライゼーシ
ョンは水平のコンベアを有するプロセスにおいて、部分
的に上から物品を処理し、物品を裏返し、次いで物品の
下から処理を完了することにより達成されることが見出
された。
ン方法は、種々の物品、特に、ブラインドバイア、ベリ
ードバイアおよびスルーホールを有する物品の製造に特
に有効である。特に、物品を水平に処理タンクまたはチ
ャンバーを通過させることに加えて、メタライゼーショ
ン溶液が物品表面に対して垂直でない角度でデリバリー
される場合には、物品を、水平のコンベアを有する動き
の装置に通過させることにより、物品のメタライゼーシ
ョンが改良される。さらに、改良されたメタライゼーシ
ョンは水平のコンベアを有するプロセスにおいて、部分
的に上から物品を処理し、物品を裏返し、次いで物品の
下から処理を完了することにより達成されることが見出
された。
【００１３】プリント回路板および他の電子パッケージ
ングデバイスのような物品の処理は公知である。一般的
には、Ｃｌｙｄｅ Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ，Ｊｒ．，Ｐｒｉ
ｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，第３
版、ｐｐ．１２．５−１２．８（１９８８）参照。例え
ば、多層プリント回路板の製造においては、第１の工程
は、概して、逐次的な多層ボード製造プロセスにおいて
スルーホールを、ドリルすること、パンチすること、フ
ォトイメージングすることによる、または任意の公知の
他の方法による、スルーホールおよびブラインドバイア
の形成を含む。次に、物品は標準的なデスメアプロセス
を通過させられ、そこでは、スルーホールおよびブライ
ンドバイアが硫酸およびクロム酸のような溶液によって
デスメアされ、続いて、クロム酸または過マンガン酸塩
のような溶液で、プラズマエッチングまたはエッチバッ
ク（ｅｔｃｈｂａｃｋ）され、続いて、ガラスエッチン
グされる。その後、物品は、触媒化を経て、標準の無電
解前処理ラインに通される。その後、触媒を有する表面
上への金属の無電解堆積が行われる。別法では、物品は
標準の直接めっきプロセス、パネルめっきプロセス、ま
たはパターンめっきプロセスを通して加工される。金属
堆積に続いて、金属堆積物は任意に、めっき金属を金属
コーティング上に電気堆積させることによって増加させ
られる。
ングデバイスのような物品の処理は公知である。一般的
には、Ｃｌｙｄｅ Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ，Ｊｒ．，Ｐｒｉ
ｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，第３
版、ｐｐ．１２．５−１２．８（１９８８）参照。例え
ば、多層プリント回路板の製造においては、第１の工程
は、概して、逐次的な多層ボード製造プロセスにおいて
スルーホールを、ドリルすること、パンチすること、フ
ォトイメージングすることによる、または任意の公知の
他の方法による、スルーホールおよびブラインドバイア
の形成を含む。次に、物品は標準的なデスメアプロセス
を通過させられ、そこでは、スルーホールおよびブライ
ンドバイアが硫酸およびクロム酸のような溶液によって
デスメアされ、続いて、クロム酸または過マンガン酸塩
のような溶液で、プラズマエッチングまたはエッチバッ
ク（ｅｔｃｈｂａｃｋ）され、続いて、ガラスエッチン
グされる。その後、物品は、触媒化を経て、標準の無電
解前処理ラインに通される。その後、触媒を有する表面
上への金属の無電解堆積が行われる。別法では、物品は
標準の直接めっきプロセス、パネルめっきプロセス、ま
たはパターンめっきプロセスを通して加工される。金属
堆積に続いて、金属堆積物は任意に、めっき金属を金属
コーティング上に電気堆積させることによって増加させ
られる。
【００１４】本発明に従った、好ましい方法は、以下に
示す標準のデスメアプロセスを含む：
示す標準のデスメアプロセスを含む：
【００１５】
【表１】
【００１６】使用されるデスメアおよびエッチバック加
工シークエンス、並びに化学薬品は公知であり、本発明
の方法に適する。追加の加工工程が上述の処理工程と組
み合わせて使用されることができる。プロセスは特定の
処理溶液を物品の表面にデリバリーする任意の多くのス
プレーノズル、流体ウエッジ（ｗｅｄｇｅ）または他の
流体デリバリー装置によって、全体においてまたは部分
的に達成されることができる。
工シークエンス、並びに化学薬品は公知であり、本発明
の方法に適する。追加の加工工程が上述の処理工程と組
み合わせて使用されることができる。プロセスは特定の
処理溶液を物品の表面にデリバリーする任意の多くのス
プレーノズル、流体ウエッジ（ｗｅｄｇｅ）または他の
流体デリバリー装置によって、全体においてまたは部分
的に達成されることができる。
【００１７】例えば、溶媒膨潤コンディショナーとして
は、水性配合物または極性有機溶媒配合物、または水と
混和性有機溶媒の組み合わせの溶液が使用されることが
できる。概して、処理されるべき有機誘電層の処理を容
易にするために、配合物中に有機溶媒を含むことが好ま
しい。膨潤組成物において使用するのに好適な有機溶媒
は水と混和可能なものであり、例えば、エーテル、アル
コール、アミド等を含み、例えば、ジエチレングリコー
ルのようなグリコール；ブチルエーテルのようなエーテ
ル；Ｎ−メチルピロリジノンのようなダイポーラー非プ
ロトン性溶媒（ｄｉｐｏｌａｒ ａｐｒｏｔｉｃ ｓｏ
ｌｖｅｎｔ）等が挙げられる。溶媒膨潤溶液は任意に塩
基性成分を含むことができる。塩基性成分は強塩基であ
ることができ、これが標準的なアプローチであるが、ま
たは弱塩基であることができる。アルカリ成分が膨潤組
成物（ｓｗｅｌｌｅｒ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）中に
含まれる場合には、比較的弱い塩基が好ましい。弱塩基
は好適なｐＨレベルを維持し、結果としてイオン性の汚
染をより低くすることが認められている。例えば、溶媒
膨潤組成物において使用するための好適な塩基として
は、例えば、Ｎａ２ＣＯ３またはＮａＨＣＯ３のような
炭酸塩；トリエタノールアミンおよびモノエタノールア
ミンのような有機塩基；テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドのような置換アンモニウム化合物；等が挙げら
れる。さらに、あまり好ましくはないが、エッチング組
成物が低いｐＨである場合には、膨潤用組成物は強塩基
（例えば、ＫＯＨまたはＮａＯＨ）を含む。
は、水性配合物または極性有機溶媒配合物、または水と
混和性有機溶媒の組み合わせの溶液が使用されることが
できる。概して、処理されるべき有機誘電層の処理を容
易にするために、配合物中に有機溶媒を含むことが好ま
しい。膨潤組成物において使用するのに好適な有機溶媒
は水と混和可能なものであり、例えば、エーテル、アル
コール、アミド等を含み、例えば、ジエチレングリコー
ルのようなグリコール；ブチルエーテルのようなエーテ
ル；Ｎ−メチルピロリジノンのようなダイポーラー非プ
ロトン性溶媒（ｄｉｐｏｌａｒ ａｐｒｏｔｉｃ ｓｏ
ｌｖｅｎｔ）等が挙げられる。溶媒膨潤溶液は任意に塩
基性成分を含むことができる。塩基性成分は強塩基であ
ることができ、これが標準的なアプローチであるが、ま
たは弱塩基であることができる。アルカリ成分が膨潤組
成物（ｓｗｅｌｌｅｒ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）中に
含まれる場合には、比較的弱い塩基が好ましい。弱塩基
は好適なｐＨレベルを維持し、結果としてイオン性の汚
染をより低くすることが認められている。例えば、溶媒
膨潤組成物において使用するための好適な塩基として
は、例えば、Ｎａ２ＣＯ３またはＮａＨＣＯ３のような
炭酸塩；トリエタノールアミンおよびモノエタノールア
ミンのような有機塩基；テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドのような置換アンモニウム化合物；等が挙げら
れる。さらに、あまり好ましくはないが、エッチング組
成物が低いｐＨである場合には、膨潤用組成物は強塩基
（例えば、ＫＯＨまたはＮａＯＨ）を含む。
【００１８】溶媒膨潤コンディショナーは典型的には、
例えば、少なくとも約１００°Ｆ、１２０°Ｆまたは１
４０°Ｆのような高温で使用され、より典型的には、約
１６０°Ｆより高い温度で使用される。溶媒膨潤コンデ
ィショナーの適用において必要とされる時間は、例え
ば、１分〜１０分以上で変化することができる。特に時
間および温度として好ましいものは、実施例１で示され
るように、約５分で、約１６５°Ｆである。溶媒膨潤処
理後、デバイスはエッチング溶液で処理され、開口形成
の間に生じ得る樹脂スメアを除去し、その後のめっきの
ために開口をコンディショニングする。好ましいエッチ
ング溶液は水性過マンガン酸塩溶液である。しかし、硫
酸、クロム酸およびプラズマエッチング法も使用される
ことができる。エッチング組成物は少なくとも約１２０
°Ｆまたは１４０°Ｆ、より典型的には、約１６０°Ｆ
の高温で、少なくとも約１分および１０分まで、並びに
１０分以上で、好適に適用される。本発明の実施におい
て、特に好ましいのは、実施例１に示されるように、約
１７０°Ｆの温度で、約７分間適用される過マンガン酸
塩エッチング溶液である。
例えば、少なくとも約１００°Ｆ、１２０°Ｆまたは１
４０°Ｆのような高温で使用され、より典型的には、約
１６０°Ｆより高い温度で使用される。溶媒膨潤コンデ
ィショナーの適用において必要とされる時間は、例え
ば、１分〜１０分以上で変化することができる。特に時
間および温度として好ましいものは、実施例１で示され
るように、約５分で、約１６５°Ｆである。溶媒膨潤処
理後、デバイスはエッチング溶液で処理され、開口形成
の間に生じ得る樹脂スメアを除去し、その後のめっきの
ために開口をコンディショニングする。好ましいエッチ
ング溶液は水性過マンガン酸塩溶液である。しかし、硫
酸、クロム酸およびプラズマエッチング法も使用される
ことができる。エッチング組成物は少なくとも約１２０
°Ｆまたは１４０°Ｆ、より典型的には、約１６０°Ｆ
の高温で、少なくとも約１分および１０分まで、並びに
１０分以上で、好適に適用される。本発明の実施におい
て、特に好ましいのは、実施例１に示されるように、約
１７０°Ｆの温度で、約７分間適用される過マンガン酸
塩エッチング溶液である。
【００１９】エッチングに次いで、典型的には、洗い出
しリンス（ｄｒａｇ ｏｕｔ ｒｉｎｓｅ）および冷水
リンスで洗い出し、デバイスから残留物質を完全に除去
する。次いで、スルーホールおよびバイアはポストエッ
チング中和工程を通過することができ、該工程は典型的
には、硫酸のような強酸で処理し、その前のエッチング
工程からの、デバイス上に存在するマンガン種を還元お
よび除去することを含む。この工程において鍵となる材
料は、二酸化マンガンを可溶化させる還元剤である。典
型的な溶液は、硫酸溶液中で使用される過酸化水素（還
元剤）および硝酸ヒドロキシルアミンまたは硫酸ヒドロ
キシルアミンのような酸安定性還元剤である。中和用組
成物は少なくとも約５０°Ｆまたは６０°Ｆ、より典型
的には少なくとも約７０°Ｆの高温で、少なくとも約１
分および１０分まで、並びに１０分以上で、好適に適用
される。本発明の実施における温度および時間として特
に好ましいものは、約７５°Ｆで約３分である。
しリンス（ｄｒａｇ ｏｕｔ ｒｉｎｓｅ）および冷水
リンスで洗い出し、デバイスから残留物質を完全に除去
する。次いで、スルーホールおよびバイアはポストエッ
チング中和工程を通過することができ、該工程は典型的
には、硫酸のような強酸で処理し、その前のエッチング
工程からの、デバイス上に存在するマンガン種を還元お
よび除去することを含む。この工程において鍵となる材
料は、二酸化マンガンを可溶化させる還元剤である。典
型的な溶液は、硫酸溶液中で使用される過酸化水素（還
元剤）および硝酸ヒドロキシルアミンまたは硫酸ヒドロ
キシルアミンのような酸安定性還元剤である。中和用組
成物は少なくとも約５０°Ｆまたは６０°Ｆ、より典型
的には少なくとも約７０°Ｆの高温で、少なくとも約１
分および１０分まで、並びに１０分以上で、好適に適用
される。本発明の実施における温度および時間として特
に好ましいものは、約７５°Ｆで約３分である。
【００２０】その後、触媒化を経て、標準的な無電解前
処理ラインが行われる。本発明に従った、好ましい無電
解前処理ラインは、好ましくは、物品をスズ−パラジウ
ム触媒で処理し、物品の表面を無電解金属堆積に対して
触媒的に受容可能にすることを含む工程のシークエンス
を含む。そのような方法は概して次の通りである。
処理ラインが行われる。本発明に従った、好ましい無電
解前処理ラインは、好ましくは、物品をスズ−パラジウ
ム触媒で処理し、物品の表面を無電解金属堆積に対して
触媒的に受容可能にすることを含む工程のシークエンス
を含む。そのような方法は概して次の通りである。
【００２１】
【表２】
【００２２】無電解前処理加工シークエンスおよび使用
される化学薬品は公知であり、本発明の実施に適する。
追加の加工工程が上述の処理工程と組み合わせて使用さ
れることができる。物品を各処理タンクまたはチャンバ
ーを通過させることに加え、プロセスは任意の多くのス
プレーノズル、流体ウエッジ、または特定の処理溶液を
チャンバー内で物品の表面にデリバリーする他の流体デ
リバリー装置によって、全体的または部分的に達成され
ることができる。概して、デスメアプロセスに続いて、
ホール壁（ｈｏｌｅ ｗａｌｌ）コンディショナーの適
用と共に、無電解前処理プロセスが始まる。従来のホー
ル壁コンディショナーはアルカリ溶液であり、該溶液は
少なくとも約１００°Ｆ、より典型的には少なくとも約
１２０°Ｆの高温で、少なくとも１分および１０分ま
で、並びに１０分以上で適用される。好ましくは、本発
明の実施においては、実施例１で設定されるように、約
５分の時間および約１２０°Ｆの温度が使用される。
される化学薬品は公知であり、本発明の実施に適する。
追加の加工工程が上述の処理工程と組み合わせて使用さ
れることができる。物品を各処理タンクまたはチャンバ
ーを通過させることに加え、プロセスは任意の多くのス
プレーノズル、流体ウエッジ、または特定の処理溶液を
チャンバー内で物品の表面にデリバリーする他の流体デ
リバリー装置によって、全体的または部分的に達成され
ることができる。概して、デスメアプロセスに続いて、
ホール壁（ｈｏｌｅ ｗａｌｌ）コンディショナーの適
用と共に、無電解前処理プロセスが始まる。従来のホー
ル壁コンディショナーはアルカリ溶液であり、該溶液は
少なくとも約１００°Ｆ、より典型的には少なくとも約
１２０°Ｆの高温で、少なくとも１分および１０分ま
で、並びに１０分以上で適用される。好ましくは、本発
明の実施においては、実施例１で設定されるように、約
５分の時間および約１２０°Ｆの温度が使用される。
【００２３】冷水リンスの後、好ましくは、エッチング
工程が行われ、余分な物質を物品表面から除去する。典
型的なエッチング溶液としては、過硫酸塩および硫酸−
過酸化水素溶液が挙げられる。本発明において最も好ま
しいものは、約７０°Ｆの温度で、約１分間適用される
ペルオキシスルフェートの溶液である。冷水リンスに続
いて、好ましくは、触媒化の前に、触媒化のためのプレ
ディップが使用され、前の工程からの物質の導入（ｄｒ
ａｇ−ｉｎ）を妨げ、それにより、触媒溶液の汚染を防
止する。典型的には、プレディップ溶液は、触媒金属を
有しない以外は触媒溶液と同様の組成を有し、例えば、
ハロゲンイオンおよびスズ（ＩＩ）の酸性水溶液であ
る。任意の従来のプレディップ溶液が本発明に従って、
約７５°Ｆの温度で、約１分間使用される。
工程が行われ、余分な物質を物品表面から除去する。典
型的なエッチング溶液としては、過硫酸塩および硫酸−
過酸化水素溶液が挙げられる。本発明において最も好ま
しいものは、約７０°Ｆの温度で、約１分間適用される
ペルオキシスルフェートの溶液である。冷水リンスに続
いて、好ましくは、触媒化の前に、触媒化のためのプレ
ディップが使用され、前の工程からの物質の導入（ｄｒ
ａｇ−ｉｎ）を妨げ、それにより、触媒溶液の汚染を防
止する。典型的には、プレディップ溶液は、触媒金属を
有しない以外は触媒溶液と同様の組成を有し、例えば、
ハロゲンイオンおよびスズ（ＩＩ）の酸性水溶液であ
る。任意の従来のプレディップ溶液が本発明に従って、
約７５°Ｆの温度で、約１分間使用される。
【００２４】次いで、触媒化は任意の公知の触媒溶液で
行われる。典型的には、触媒溶液は、酸性溶液中のスズ
（ＩＩ）による、パラジウムのような触媒金属の還元に
よって生ずる生成物を含む。本発明に役立ついくつかの
触媒が米国特許第３０１１９２０号；第３５３２５１８
号；第３６７２９３８号；および第３８７４８８２号に
開示され、これら触媒に関する記載は本明細書において
参照される。最も好ましくは、本発明においては、約１
０５°Ｆの高温で、約５分間スズ−パラジウム触媒が使
用される。上述の実施に続いて、デバイスはさらに、触
媒を有する表面上に、金属を無電解堆積することによっ
て加工される。使用される無電解プロセスおよび溶液は
公知であり、本発明に好適である。典型的には、無電解
銅溶液が使用される。無電解堆積に続いて、めっき金属
は、無電解金属堆積物上に、引き続き電気堆積（ｅｌｅ
ｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔ）されることができる。プロセ
スにおいて使用される電気堆積法および物質は公知であ
り、本発明に適用できる。
行われる。典型的には、触媒溶液は、酸性溶液中のスズ
（ＩＩ）による、パラジウムのような触媒金属の還元に
よって生ずる生成物を含む。本発明に役立ついくつかの
触媒が米国特許第３０１１９２０号；第３５３２５１８
号；第３６７２９３８号；および第３８７４８８２号に
開示され、これら触媒に関する記載は本明細書において
参照される。最も好ましくは、本発明においては、約１
０５°Ｆの高温で、約５分間スズ−パラジウム触媒が使
用される。上述の実施に続いて、デバイスはさらに、触
媒を有する表面上に、金属を無電解堆積することによっ
て加工される。使用される無電解プロセスおよび溶液は
公知であり、本発明に好適である。典型的には、無電解
銅溶液が使用される。無電解堆積に続いて、めっき金属
は、無電解金属堆積物上に、引き続き電気堆積（ｅｌｅ
ｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔ）されることができる。プロセ
スにおいて使用される電気堆積法および物質は公知であ
り、本発明に適用できる。
【００２５】本明細書において参照する、本発明の好ま
しいプロセスを示す図は、両面プリント回路板の形で製
造されるデバイスである。図は、プリント回路板基体の
処理を描くが、他の広範囲の種々の電子デバイス基体が
本発明に従って処理されることができることが了解され
る。例えば、「ＭＩＤ」基体、すなわち、立体配線基板
（ｍｏｌｄｅｄ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｄｅｖｉ
ｃｅ）基体が本発明に従って、プリント回路板の処理に
ついて本明細書で開示されるのと同じ方法で処理される
ことができる。コンピューターハウジングおよび他の電
子デバイスで使用されるような電子シールディング（ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）デバイスが
本発明に従って処理されることもできる。本発明の処理
方法はＫＧＤマイクロエレクトロニックウエハーテスタ
ーの製造に使用されることができ、電子デバイスのため
のタブトップ（ｔａｂ ｔｏｐｓ）を構築できる。概し
て、本発明の方法および組成物はプラスチックアプリケ
ーション上への、非常に様々なめっきのために使用され
ることができ、特に電子デバイスの製造に有用である。
しいプロセスを示す図は、両面プリント回路板の形で製
造されるデバイスである。図は、プリント回路板基体の
処理を描くが、他の広範囲の種々の電子デバイス基体が
本発明に従って処理されることができることが了解され
る。例えば、「ＭＩＤ」基体、すなわち、立体配線基板
（ｍｏｌｄｅｄ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｄｅｖｉ
ｃｅ）基体が本発明に従って、プリント回路板の処理に
ついて本明細書で開示されるのと同じ方法で処理される
ことができる。コンピューターハウジングおよび他の電
子デバイスで使用されるような電子シールディング（ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）デバイスが
本発明に従って処理されることもできる。本発明の処理
方法はＫＧＤマイクロエレクトロニックウエハーテスタ
ーの製造に使用されることができ、電子デバイスのため
のタブトップ（ｔａｂ ｔｏｐｓ）を構築できる。概し
て、本発明の方法および組成物はプラスチックアプリケ
ーション上への、非常に様々なめっきのために使用され
ることができ、特に電子デバイスの製造に有用である。
【００２６】図１に示されるように、水平の処理ライン
は好ましくは、本発明の上述の工程を実行するのに使用
される。プロセスはコントロールステーション（ｃｏｎ
ｔｒｏｌ ｓｔａｔｉｏｎ）１において、オペレータに
よって操作される。コントロールステーション１は、水
平のシステムを通る物品の移動を制御するために使用さ
れる。溶液温度および組成、並びにコンベアのスピード
のようなパラメータもコントロールステーション１から
制御されることができる。図面に示される水平の処理装
置は好ましくはモジュール（ｍｏｄｕｌａｒ）である。
よって、ラインに沿って特定の工程を導入しまたは除去
することにより、および修理を必要とするモジュールを
除去または置き換えることによりラインを改変すること
ができる。
は好ましくは、本発明の上述の工程を実行するのに使用
される。プロセスはコントロールステーション（ｃｏｎ
ｔｒｏｌ ｓｔａｔｉｏｎ）１において、オペレータに
よって操作される。コントロールステーション１は、水
平のシステムを通る物品の移動を制御するために使用さ
れる。溶液温度および組成、並びにコンベアのスピード
のようなパラメータもコントロールステーション１から
制御されることができる。図面に示される水平の処理装
置は好ましくはモジュール（ｍｏｄｕｌａｒ）である。
よって、ラインに沿って特定の工程を導入しまたは除去
することにより、および修理を必要とするモジュールを
除去または置き換えることによりラインを改変すること
ができる。
【００２７】シークエンスラインの始まりはフィードス
テーション２であり、物品は手動でまたは自動でライン
に供給される。物品はコンベア上に供給され、該コンベ
アは各物品をシークエンスラインに沿って運ぶ。コンベ
アデザインは一般に使用される任意のデザインであるこ
とができる。好ましくは、水平のコンベアデザインが使
用される。例えば、図１に示されるように、コンベアは
剛直なコアを有するローラー４、並びにしなやかなおよ
び／または弾力があるゴム様物質のシート３を含むこと
ができ、該ゴム様物質上を物品がシークエンスラインを
通って動く。本発明に従って、物品８は、スプレーバ
ー、スプレーノズル、スロット付きスプレーおよび流体
ウエッジのような流体デリバリー装置７を備えた一連の
チャンバー５を通過する。好ましくは、各チャンバー５
内には少なくとも１つの流体モジュール６がある。各流
体モジュール６には、流体モジュール６に沿って配置さ
れた複数の流体デリバリー装置７が備えられている。各
チャンバー５内で、メタライゼーションプロセスの特定
の工程が行われる。よって、例えば、第１のチャンバー
５においては、物品のコンディショニングが行われ、第
２のチャンバー５においてはエッチングが行われること
等ができる。よって、第１のチャンバー５はコンディシ
ョニング溶液を含み、流体デリバリー装置７はコンディ
ショニング溶液を物品表面にデリバリーし；第２のチャ
ンバー５はエッチング溶液を含み、流体デリバリー装置
７はエッチング溶液を物品表面にデリバリーする。図２
に示されるのは、チャンバー５内での流体モジュール６
および流体デリバリー装置７の配置の例である。
テーション２であり、物品は手動でまたは自動でライン
に供給される。物品はコンベア上に供給され、該コンベ
アは各物品をシークエンスラインに沿って運ぶ。コンベ
アデザインは一般に使用される任意のデザインであるこ
とができる。好ましくは、水平のコンベアデザインが使
用される。例えば、図１に示されるように、コンベアは
剛直なコアを有するローラー４、並びにしなやかなおよ
び／または弾力があるゴム様物質のシート３を含むこと
ができ、該ゴム様物質上を物品がシークエンスラインを
通って動く。本発明に従って、物品８は、スプレーバ
ー、スプレーノズル、スロット付きスプレーおよび流体
ウエッジのような流体デリバリー装置７を備えた一連の
チャンバー５を通過する。好ましくは、各チャンバー５
内には少なくとも１つの流体モジュール６がある。各流
体モジュール６には、流体モジュール６に沿って配置さ
れた複数の流体デリバリー装置７が備えられている。各
チャンバー５内で、メタライゼーションプロセスの特定
の工程が行われる。よって、例えば、第１のチャンバー
５においては、物品のコンディショニングが行われ、第
２のチャンバー５においてはエッチングが行われること
等ができる。よって、第１のチャンバー５はコンディシ
ョニング溶液を含み、流体デリバリー装置７はコンディ
ショニング溶液を物品表面にデリバリーし；第２のチャ
ンバー５はエッチング溶液を含み、流体デリバリー装置
７はエッチング溶液を物品表面にデリバリーする。図２
に示されるのは、チャンバー５内での流体モジュール６
および流体デリバリー装置７の配置の例である。
【００２８】流体モジュール６および流体デリバリー装
置７は、種々の流体デリバリー圧力に調節可能である。
最も好ましくは、流体は約０．２〜０．８バール（ｂａ
ｒ）の範囲の圧力でデリバリーされる。各チャンバー５
は各プロセス工程に望まれる温度範囲に調節可能であ
る。特定の時間の間、物質を物品にデリバリーするのに
は、従来のコンベア輸送する方法が使用されることがで
きる。例えば、チャンバー５のサイズおよび流体モジュ
ール６の数は、好適な時間の間、各プロセス溶液をデリ
バリーするために調節可能である。好ましい一態様にお
いては、流体モジュール６および流体デリバリー装置７
は、物品の表面に対して９０°より小さな角度である物
質のフローが生じるように構成される。例えば、ボード
に対して４５°以上の角度で配向された一連の流体デリ
バリー装置７を使用すると、優れた結果が達成される。
角度は、チャンバー５を通過するボードの移動方向と同
じ向きでも、反対向きでも良い。フローは衝突する（ｉ
ｍｐｉｎｇｉｎｇ）フローおよび平行のフローの両方の
組み合わせを達成するように配置されることもできる。
最も好ましくは、生じるフローが物品に対し平行のもの
である。ボードの移動方向と同じ向きにまたは反対向き
に、約４５°のフロー角度が、平行のフローをもたら
し、優れた結果を導くことが見出された。平行のフロー
がバイア内にマイクロ乱流を生じさせるものと考えられ
る。マイクロ乱流はバイアの空気を引き出し、それによ
りボイドおよびバブルを除去し、バイアのカバレッジを
改良する。
置７は、種々の流体デリバリー圧力に調節可能である。
最も好ましくは、流体は約０．２〜０．８バール（ｂａ
ｒ）の範囲の圧力でデリバリーされる。各チャンバー５
は各プロセス工程に望まれる温度範囲に調節可能であ
る。特定の時間の間、物質を物品にデリバリーするのに
は、従来のコンベア輸送する方法が使用されることがで
きる。例えば、チャンバー５のサイズおよび流体モジュ
ール６の数は、好適な時間の間、各プロセス溶液をデリ
バリーするために調節可能である。好ましい一態様にお
いては、流体モジュール６および流体デリバリー装置７
は、物品の表面に対して９０°より小さな角度である物
質のフローが生じるように構成される。例えば、ボード
に対して４５°以上の角度で配向された一連の流体デリ
バリー装置７を使用すると、優れた結果が達成される。
角度は、チャンバー５を通過するボードの移動方向と同
じ向きでも、反対向きでも良い。フローは衝突する（ｉ
ｍｐｉｎｇｉｎｇ）フローおよび平行のフローの両方の
組み合わせを達成するように配置されることもできる。
最も好ましくは、生じるフローが物品に対し平行のもの
である。ボードの移動方向と同じ向きにまたは反対向き
に、約４５°のフロー角度が、平行のフローをもたら
し、優れた結果を導くことが見出された。平行のフロー
がバイア内にマイクロ乱流を生じさせるものと考えられ
る。マイクロ乱流はバイアの空気を引き出し、それによ
りボイドおよびバブルを除去し、バイアのカバレッジを
改良する。
【００２９】図５に示されるのは、バイア９およびスル
ーホール１１を有するプリント回路板８のような、物品
８の表面上に平行のフローでメタライゼーション溶液を
デリバリーする、他のタイプのデリバリー装置である。
装置は、メタライゼーション溶液で満たされた少なくと
も１つの溶液パイプ１２を含む。フレックスフラップ
（ｆｌｅｘ ｆｌａｐ）１３は溶液パイプ１２から伸
び、メタライゼーション溶液を物品８の表面に対して平
行に、物品８に向けるのを助ける。この方法は、デスメ
ア、溶媒膨潤、エッチング、中和、コンディショニン
グ、プレディップ、活性化／触媒化、アクセレレーショ
ン、無電解めっき、クリーニングおよび電解めっきをは
じめとするメタライゼーションの全ての工程において使
用することができる。しかし、任意の数の工程がこのス
プレー技術を用いて行われ、同時に、他の工程が溶液浴
中に浸すことにより行われることができる。しかし、最
も好ましいのは、このスプレー技術を全ての工程で使用
することであり、それにより、ブラインドバイアおよび
スルーホールのカバレッジを顕著に改良する。
ーホール１１を有するプリント回路板８のような、物品
８の表面上に平行のフローでメタライゼーション溶液を
デリバリーする、他のタイプのデリバリー装置である。
装置は、メタライゼーション溶液で満たされた少なくと
も１つの溶液パイプ１２を含む。フレックスフラップ
（ｆｌｅｘ ｆｌａｐ）１３は溶液パイプ１２から伸
び、メタライゼーション溶液を物品８の表面に対して平
行に、物品８に向けるのを助ける。この方法は、デスメ
ア、溶媒膨潤、エッチング、中和、コンディショニン
グ、プレディップ、活性化／触媒化、アクセレレーショ
ン、無電解めっき、クリーニングおよび電解めっきをは
じめとするメタライゼーションの全ての工程において使
用することができる。しかし、任意の数の工程がこのス
プレー技術を用いて行われ、同時に、他の工程が溶液浴
中に浸すことにより行われることができる。しかし、最
も好ましいのは、このスプレー技術を全ての工程で使用
することであり、それにより、ブラインドバイアおよび
スルーホールのカバレッジを顕著に改良する。
【００３０】実施例２で示されるような試験において
は、ボイドを有するホールの数は流体デリバリー装置７
のタイプおよび配向の相関として記録された。回路板に
対して９０°で流体デリバリー装置７を配向した場合
は、ボイドを有するホールの数は６７％〜６％の範囲で
あった。流体デリバリー装置７が回路板に対して４５°
で配向される場合には、ボイドを有するホールの数は常
に０であった。
は、ボイドを有するホールの数は流体デリバリー装置７
のタイプおよび配向の相関として記録された。回路板に
対して９０°で流体デリバリー装置７を配向した場合
は、ボイドを有するホールの数は６７％〜６％の範囲で
あった。流体デリバリー装置７が回路板に対して４５°
で配向される場合には、ボイドを有するホールの数は常
に０であった。
【００３１】他の好ましい態様においては、物品はチャ
ンバー５に入り、物品の上に配置された流体デリバリー
装置７によって部分的に処理される。物品は次いで、上
下を裏返され、物品の下に配置された流体デリバリー装
置７によって処理が完了する。そのような態様において
は、１以上のメタライゼーション溶液が、例えば、図３
に示されるような、各流体モジュール６の間にある、物
品を裏返すフリッピング装置（ｆｌｉｐｐｉｎｇ ｄｅ
ｖｉｃｅ）１０で、少なくとも２つの流体モジュール６
に分けられる。物品の両側が処理される場合には、例え
ば、図４で示されるような、第１のモジュール６は物質
を物品の上方からデリバリーし、第２のモジュール６は
下方から物質をデリバリーし、第３のモジュール６は上
方から物質をデリバリーし、さらに第４のモジュールは
下方から物質をデリバリーするように、位置のずれた４
つの流体モジュール６が存在することができる。このタ
イプの配置においては、物品の上面は第１のモジュール
６によってスプレーされ、物品は、第１と第２のモジュ
ール６の間にあるフリッピング装置１０によって裏返さ
れ、物品の上面は第２のモジュール６によって下からス
プレーされ、物品の下面は第３のモジュール６によって
上方からスプレーされ、物品は第３と第４のモジュール
６の間にあるフリッピング装置１０によって裏返され、
最後に、物品の下面が第４のモジュール６によって下方
からスプレーされる。このタイプのフリッピング法によ
ると、ガスのバブルおよび細片がバイアから放出され、
それにより、カバレッジが改良されると考えられる。
ンバー５に入り、物品の上に配置された流体デリバリー
装置７によって部分的に処理される。物品は次いで、上
下を裏返され、物品の下に配置された流体デリバリー装
置７によって処理が完了する。そのような態様において
は、１以上のメタライゼーション溶液が、例えば、図３
に示されるような、各流体モジュール６の間にある、物
品を裏返すフリッピング装置（ｆｌｉｐｐｉｎｇ ｄｅ
ｖｉｃｅ）１０で、少なくとも２つの流体モジュール６
に分けられる。物品の両側が処理される場合には、例え
ば、図４で示されるような、第１のモジュール６は物質
を物品の上方からデリバリーし、第２のモジュール６は
下方から物質をデリバリーし、第３のモジュール６は上
方から物質をデリバリーし、さらに第４のモジュールは
下方から物質をデリバリーするように、位置のずれた４
つの流体モジュール６が存在することができる。このタ
イプの配置においては、物品の上面は第１のモジュール
６によってスプレーされ、物品は、第１と第２のモジュ
ール６の間にあるフリッピング装置１０によって裏返さ
れ、物品の上面は第２のモジュール６によって下からス
プレーされ、物品の下面は第３のモジュール６によって
上方からスプレーされ、物品は第３と第４のモジュール
６の間にあるフリッピング装置１０によって裏返され、
最後に、物品の下面が第４のモジュール６によって下方
からスプレーされる。このタイプのフリッピング法によ
ると、ガスのバブルおよび細片がバイアから放出され、
それにより、カバレッジが改良されると考えられる。
【００３２】ボードを裏返すのに使用されるフリッピン
グ装置１０は、ボード表面上の如何なる機能的特徴も妨
げない様に、端から１インチ以下の端部だけでボードに
触れるような任意の方法で構成される。フリッピング装
置１０はボードの表面を損傷しないような任意の方法で
構成される。さらに、ボードを裏返す総時間は表面また
はバイアの乾燥を避けるために最小化される。水または
メタライゼーション溶液のスプレーを使用して、ボード
を乾燥しないようにするのが望ましい。そのような、ボ
ードを裏返す方法は、流体モジュール６および流体デリ
バリー装置７が、物品に対して特定の角度でデリバリー
されるような物質のフローを提供するように配置され
る、上述の方法と組み合わせて使用されることができ、
それによりさらにメタライゼーション方法の結果を改善
する。次の非限定的な実施例は本発明の例示である。
グ装置１０は、ボード表面上の如何なる機能的特徴も妨
げない様に、端から１インチ以下の端部だけでボードに
触れるような任意の方法で構成される。フリッピング装
置１０はボードの表面を損傷しないような任意の方法で
構成される。さらに、ボードを裏返す総時間は表面また
はバイアの乾燥を避けるために最小化される。水または
メタライゼーション溶液のスプレーを使用して、ボード
を乾燥しないようにするのが望ましい。そのような、ボ
ードを裏返す方法は、流体モジュール６および流体デリ
バリー装置７が、物品に対して特定の角度でデリバリー
されるような物質のフローを提供するように配置され
る、上述の方法と組み合わせて使用されることができ、
それによりさらにメタライゼーション方法の結果を改善
する。次の非限定的な実施例は本発明の例示である。
【００３３】実施例１ プリント回路板の一般的なメタライゼーション方法 この実施例においては、プリント回路板試験片は、深さ
および直径を変化させた一連のブラインドバイアを有
し、デスメア、無電解および電解めっきプロセスを通さ
れた。電解めっき後、外表面が画像形成され、エッチン
グされ、最終結果として、表面（層１）と第１の内層
（層２）とが結合された一連のデイジーチェーン回路
（ｄａｉｓｙ ｃｈａｉｎ ｃｕｒｃｕｉｔｓ）とし
た。ボードは完成したものと考えられる。このボードの
デザインは、バイアが導電体物質、この場合は銅、でめ
っきされさえすれば、層１と層２の間の電気的結合が形
成されることができるようなものである。ボードは次の
ような、標準的な垂直デスメアプロセスで加工された。
および直径を変化させた一連のブラインドバイアを有
し、デスメア、無電解および電解めっきプロセスを通さ
れた。電解めっき後、外表面が画像形成され、エッチン
グされ、最終結果として、表面（層１）と第１の内層
（層２）とが結合された一連のデイジーチェーン回路
（ｄａｉｓｙ ｃｈａｉｎ ｃｕｒｃｕｉｔｓ）とし
た。ボードは完成したものと考えられる。このボードの
デザインは、バイアが導電体物質、この場合は銅、でめ
っきされさえすれば、層１と層２の間の電気的結合が形
成されることができるようなものである。ボードは次の
ような、標準的な垂直デスメアプロセスで加工された。
【００３４】
【表３】
【００３５】次いで、ボードは、触媒化を経て、標準的
な垂直無電解銅前処理ラインを通して加工された。
な垂直無電解銅前処理ラインを通して加工された。
【００３６】
【表４】
【００３７】パネルは、次いで、上述のような方法に従
って、水平の無電解銅浴を通して加工された。
って、水平の無電解銅浴を通して加工された。
【００３８】実施例２ 特定のフロー角度でのプリント回路板のメタライゼーシ
ョン この実施例においては、実施例１で示された、一般的方
法の工程および物質が使用された。第１のトライアル
（トライアルＡ）においては、ボードは、水平のモジュ
ールを通って動く間に、ボードに対して９０°で配向さ
せられたサブマージ（ｓｕｂｍｅｒｇｅｄ）スプレーモ
ジュールを用いて処理された。第２のトライアル（トラ
イアルＢ）においては、ボードは、ボードのフローの方
向と順方向に４５°の角度で配向されたサブマージスプ
レーモジュールを用いて処理された。第３のトライアル
（トライアルＣ）においては、ボードは、ボードのフロ
ーの方向の反対方向に対して４５°の角度で配向された
サブマージスプレーモジュールを用いて処理された。こ
れらのボードは、次いで、電解めっきされ、画像形成さ
れ、回路は上層ハット（ｔｏｐ ｌａｙｅｒ ｈａｔ）
にエッチングされ、デイジーチェーン形状を完成させ
た。次いで、開放および閉鎖された回路の数が測定さ
れ；開放回路は不合格であり、閉鎖回路は良好な結合で
合格とした。
ョン この実施例においては、実施例１で示された、一般的方
法の工程および物質が使用された。第１のトライアル
（トライアルＡ）においては、ボードは、水平のモジュ
ールを通って動く間に、ボードに対して９０°で配向さ
せられたサブマージ（ｓｕｂｍｅｒｇｅｄ）スプレーモ
ジュールを用いて処理された。第２のトライアル（トラ
イアルＢ）においては、ボードは、ボードのフローの方
向と順方向に４５°の角度で配向されたサブマージスプ
レーモジュールを用いて処理された。第３のトライアル
（トライアルＣ）においては、ボードは、ボードのフロ
ーの方向の反対方向に対して４５°の角度で配向された
サブマージスプレーモジュールを用いて処理された。こ
れらのボードは、次いで、電解めっきされ、画像形成さ
れ、回路は上層ハット（ｔｏｐ ｌａｙｅｒ ｈａｔ）
にエッチングされ、デイジーチェーン形状を完成させ
た。次いで、開放および閉鎖された回路の数が測定さ
れ；開放回路は不合格であり、閉鎖回路は良好な結合で
合格とした。
【００３９】
【表５】
【００４０】この結果は、物品に対して９０°より小さ
い角度で流体をポンプデリバリーする方法を使用するこ
とは、衝突するフロー（すなわち、物品と９０°の角度
で）の使用よりも、より深いバイアの製造が可能となる
ことを示す。本発明の上述の記述は、単にその例示であ
り、本発明の範囲からはずれることなしにバリエーショ
ンおよび改変が有効であり得るものと理解される。
い角度で流体をポンプデリバリーする方法を使用するこ
とは、衝突するフロー（すなわち、物品と９０°の角度
で）の使用よりも、より深いバイアの製造が可能となる
ことを示す。本発明の上述の記述は、単にその例示であ
り、本発明の範囲からはずれることなしにバリエーショ
ンおよび改変が有効であり得るものと理解される。
【図１】 図１は本発明に従った水平の処理シークエン
スを示す。
スを示す。
【図２】 図２は本発明に従ったメタライゼーション溶
液のデリバリー装置の１つの配置を示す。
液のデリバリー装置の１つの配置を示す。
【図３】 図３は本発明に従ったメタライゼーション溶
液のデリバリー装置の他の配置を示す。
液のデリバリー装置の他の配置を示す。
【図４】 図４は本発明に従ったメタライゼーション溶
液のデリバリー装置の他の配置を示す。
液のデリバリー装置の他の配置を示す。
【図５】 図５は本発明に従ったメタライゼーション溶
液のデリバリー装置の他のタイプを示す。
液のデリバリー装置の他のタイプを示す。
１ コントロールステーション ２ フィードステーション ３ ゴム様物質 ４ ローラー ５ チャンバー ６ 流体モジュール ７ 流体デリバリー装置 ８ 物品 ９ バイア １０ フリッピング装置 １１ スルーホール １２ 溶液パイプ １３ フレックスフラップ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｑ 3/18 3/18 Ｌ Ｎ 3/26 3/26 Ａ 3/46 3/46 Ｙ (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ (72)発明者 ジョン・ジェイ・ブレードン アメリカ合衆国マサチューセッツ州01752, マルボロ，プレザント・ストリート・145 (72)発明者 デービッド・オーグルズビー アメリカ合衆国マサチューセッツ州01752, マルボロ，レイクショア・ドライブ・57 (72)発明者 イナ・シニッツカヤ アメリカ合衆国マサチューセッツ州01776, サッドベリー，ピークハム・ロード・250
Claims (16)
- 【請求項１】 １以上の開口を有する物品をメタライズ
する方法であって、少なくとも１つのメタライゼーショ
ン溶液を、物品の表面に対して９０°より小さい角度で
前記溶液をスプレーすることにより物品の表面にデリバ
リーすることを含む前記方法。 - 【請求項２】 溶液デリバリーの間、物品がコンベアを
有する装置を通って動く請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 物品が水平のコンベアを有する装置を通
って動く請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 物品が１以上のブラインドバイアを有す
るプリント回路板である請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 少なくとも１つのメタライゼーション溶
液が、デスメア溶液、溶媒膨潤溶液、エッチング溶液、
中和溶液、コンディショニング溶液、プレディップ溶
液、触媒化溶液、無電解めっき溶液、クリーニング溶
液、および電解めっき溶液からなる群から選択される１
以上である請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 少なくとも１つのメタライゼーション溶
液が、物品の表面に対して１０〜７０°の角度でデリバ
リーされる請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 少なくとも１つのメタライゼーション溶
液が、物品の表面に対して３０〜６０°の角度でデリバ
リーされる請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 少なくとも１つのメタライゼーション溶
液が、物品の表面に対して３０〜４５°の角度でデリバ
リーされる請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 少なくとも１つのメタライゼーション溶
液が、物品の表面に対して約４５°の角度でデリバリー
される請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 溶液が物品の表面に平行にデリバリー
される請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 スプレーが層流である請求項１記載の
方法。 - 【請求項１２】 溶液が複数のスプレーノズルによりデ
リバリーされる請求項１記載の方法。 - 【請求項１３】 溶液が複数の流体ウエッジによりデリ
バリーされる請求項１記載の方法。 - 【請求項１４】 １以上の開口を有する物品をメタライ
ズする方法であって；少なくとも１つのメタライゼーシ
ョン溶液を、物品の上方に配置された流体デリバリー装
置で、物品の上表面にデリバリーし；物品を裏返し；さ
らに少なくとも１つのメタライゼーション溶液を物品の
下方に配置された流体デリバリー装置で、物品の裏返さ
れた前記上表面にデリバリーすることを含む前記方法。 - 【請求項１５】 少なくとも１つのメタライゼーション
溶液がデスメア溶液、溶媒膨潤溶液、エッチング溶液、
中和溶液、コンディショニング溶液、プレディップ溶
液、触媒化溶液、無電解めっき溶液、クリーニング溶
液、および電解めっき溶液からなる群から選択される１
以上である請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 少なくとも１つのメタライゼーション
溶液が、物品の表面に対して９０°より小さい角度でデ
リバリーされる請求項１４記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/387,472 US6265020B1 (en) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | Fluid delivery systems for electronic device manufacture |
| US09/387472 | 1999-09-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001115296A true JP2001115296A (ja) | 2001-04-24 |
Family
ID=23530016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000265177A Pending JP2001115296A (ja) | 1999-09-01 | 2000-09-01 | 電子デバイス製造のための流体デリバリー系 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6265020B1 (ja) |
| EP (1) | EP1083245A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001115296A (ja) |
| KR (1) | KR20010030099A (ja) |
| TW (1) | TW498110B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005175497A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Hoellmueller Maschinenbau Gmbh | 連続設備で平坦な材料を接触せずに搬送および処理する方法および装置 |
| JP2005175496A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Hoellmueller Maschinenbau Gmbh | 連続設備で平坦な材料を処理する方法および装置 |
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