JP2001110667A - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベースフィルムから金属薄膜のセラミックシ
ート上への転写性を向上させて安定した電気的特性を有
するセラミック電子部品の製造方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 ベースフィルム１０上の第１の樹脂層１
１を介して金属薄膜１２を形成し、次にこの金属薄膜１
２上に内部電極２と同じパターンを有する第２の樹脂層
１３を形成し、次いでセラミックシート１６と金属薄膜
１２とをベースフィルム１０，１４ごと貼り合わせて内
部電極２となる金属薄膜１２をセラミックシート１６に
移行させて金属薄膜１２付きセラミックシート１６を
得、その後金属薄膜１２付きセラミックシート１６を積
層して積層体を作製し、焼成後外部電極を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば積層セラミッ
クコンデンサ等のセラミック電子部品の製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１はセラミック電子部品の一例とし
ての一般的な積層セラミックコンデンサの一部を破断し
て示す一部切欠斜視図である。図１１において、１はセ
ラミック誘電体層、２は内部電極、３は外部電極であ
り、内部電極２は各々外部電極３に接続されている。

【０００３】以下に従来の積層セラミックコンデンサの
製造方法について説明する。

【０００４】まずセラミック誘電体層１となるセラミッ
クシートをチタン酸バリウム等の誘電体材料と、ポリビ
ニルブチラール等のバインダ成分と、ベンジルブチルフ
タレート等の可塑剤成分と溶剤成分等とを混合してスラ
リー化した後、ドクターブレード法を用いてポリエチレ
ンテレフタレート（以下ＰＥＴとする）等のベースフィ
ルム上に形成する。

【０００５】次に離型層を形成したＰＥＴ等のベースフ
ィルム上に、所定のパターンの内部電極２となる金属薄
膜を薄膜形成法により複数形成する。

【０００６】次いでベースフィルム上に形成した金属薄
膜をセラミックシート上に熱転写して積み重ねて積層体
を形成する。この積層体を所望の大きさに切断した後焼
成し、両端面に外部電極３を設けることで積層セラミッ
クコンデンサとしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この方法によるとベー
スフィルム上に離型層を介して金属薄膜を形成したにも
かかわらずセラミックシート上に熱転写する際、金属薄
膜がセラミックシート上に完全に転写しないことがあ
る。

【０００８】この場合、内部電極２が非連続的な状態と
なり、十分な静電容量が得られなかったり、静電容量の
ばらつきが発生するといった問題点を有していた。

【０００９】そこで本発明はベースフィルムから金属薄
膜のセラミックシート上への転写性を向上させて、安定
した電気的特性を有するセラミック電子部品の製造方法
を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、支持体上
に第１の樹脂層を設ける第１工程と、次にこの第１の樹
脂層の上に薄膜形成法により金属薄膜を形成する第２工
程と、次いで前記金属薄膜上に所定のパターンを有する
第２の樹脂層を形成する第３の工程と、その後前記金属
薄膜とセラミックシートとを前記第２の樹脂層を介して
支持体ごと重ね合わせて加圧する第４工程と、次に前記
支持体を剥離する第５工程と、次いで前記セラミックシ
ートと前記金属薄膜とが交互に積層された積層体を作製
する第６工程と、その後前記積層体を焼成する第７工程
とを備え、前記金属薄膜の接着強度を前記第１の樹脂層
よりも前記第２の樹脂層の方を大きくしたものであり、
金属薄膜のベースフィルムからの離型性が従来よりも向
上するとともに所望の形状の金属薄膜をセラミックシー
トに転写させることができるため上記目的を達成するこ
とができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、支持体上に第１の樹脂層を設ける第１工程と、次に
この第１の樹脂層の上に薄膜形成法により金属薄膜を形
成する第２工程と、次いで前記金属薄膜上に所定のパタ
ーンを有する第２の樹脂層を形成する第３の工程と、そ
の後前記金属薄膜とセラミックシートとを前記第２の樹
脂層を介して支持体ごと重ね合わせて加圧する第４工程
と、次に前記支持体を剥離する第５工程と、次いで前記
セラミックシートと前記金属薄膜とが交互に積層された
積層体を作製する第６工程と、その後前記積層体を焼成
する第７工程とを備え、前記金属薄膜の接着強度を前記
第１の樹脂層よりも前記第２の樹脂層の方を大きくした
セラミック電子部品の製造方法であり、所望の形状の金
属薄膜をセラミックシートに容易に転写することができ
安定した電気的特性を有するセラミック電子部品を得る
ことができる。

【００１２】請求項２に記載の発明は、第５工程後第６
工程前に金属薄膜に気体を吹き付ける工程を設けた請求
項１に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、セ
ラミックシートに付着した所定のパターン以外の余分な
金属薄膜を容易に除去することができる。

【００１３】請求項３に記載の発明は、セラミックシー
トは少なくともセラミック原料とバインダと可塑剤とを
含有したものであり、第２の樹脂層は前記セラミックシ
ート中に含まれるバインダと可塑剤とを含有したもので
ある請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法で
あり、より容易にセラミックシートに金属薄膜を転写す
ることができる。

【００１４】請求項４に記載の発明は、金属薄膜は第２
の樹脂層と同じかそれよりも小さいパターンで形成する
請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法であ
り、セラミックシートに所望の形状の金属薄膜を転写す
ることができる。

【００１５】請求項５に記載の発明は、第１の樹脂層は
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン
樹脂、フッ素樹脂の内少なくとも１種類以上を含有した
ものである請求項１に記載のセラミック電子部品の製造
方法であり、第１の樹脂層と金属薄膜との分離を容易に
行うことができる。

【００１６】請求項６に記載の発明は、支持体上に第１
の樹脂層を設ける第１工程と、次にこの第１の樹脂層の
上に薄膜形成法により金属薄膜を形成する第２工程と、
その後表面に所定のパターンを有する第２の樹脂層を形
成したセラミックシートと前記金属薄膜とを支持体ごと
重ね合わせて加圧する第３の工程と、次に前記支持体を
剥離する第４工程と、次いで前記セラミックシートと前
記金属薄膜とが交互に積層された積層体を作製する第５
工程と、その後前記積層体を焼成する第６工程とを備
え、前記金属薄膜の接着強度を前記第１の樹脂層よりも
前記第２の樹脂層の方を大きくしたセラミック電子部品
の製造方法であり、所望の形状の金属薄膜をセラミック
シートに容易に転写することができ安定した電気的特性
を有するセラミック電子部品を得ることができる。

【００１７】請求項７に記載の発明は、第４工程後第５
工程前に金属薄膜に気体を吹き付ける工程を設けた請求
項６に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、セ
ラミックシートに付着した所定のパターン以外の余分な
金属薄膜を容易に除去することができる。

【００１８】請求項８に記載の発明は、セラミックシー
トは少なくともセラミック原料とバインダと可塑剤とを
含有したものであり、第２の樹脂層は前記セラミックシ
ート中に含まれるバインダと可塑剤とを含有したもので
ある請求項６に記載のセラミック電子部品の製造方法で
あり、より容易にセラミックシートに金属薄膜を転写す
ることができる。

【００１９】請求項９に記載の発明は、金属薄膜を第２
の樹脂層と同じかそれよりも小さいパターンで形成する
請求項６に記載のセラミック電子部品の製造方法であ
り、セラミックシートに所望の形状の金属薄膜を転写す
ることができる。

【００２０】請求項１０に記載の発明は、第１の樹脂層
はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコ
ン樹脂、フッ素樹脂の内少なくとも１種類以上を含有し
たものである請求項６に記載のセラミック電子部品の製
造方法であり、第１の樹脂層と金属薄膜との分離を容易
に行うことができる。

【００２１】以下、本発明の一実施の形態について、積
層セラミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明
する。

【００２２】図１は本発明の実施の形態１における金属
薄膜の製造工程を説明するための断面図、図２は本発明
の実施の形態１におけるセラミックシートの作製工程を
説明するための断面図、図３は本発明の実施の形態１、
２におけるセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を
説明するための断面図、図４は本発明の実施の形態１〜
４におけるセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を
説明するための断面図、図５は本発明の実施の形態１〜
４における積層体の製造工程を説明するための断面図、
図６は本発明の実施の形態２における金属薄膜の製造工
程を説明するための断面図、図７は本発明の実施の形態
２、４におけるセラミックシートの製造工程を説明する
ための断面図、図８は本発明の実施の形態３における金
属薄膜の製造工程を説明するための断面図、図９は本発
明の実施の形態３、４におけるセラミックシートへの金
属薄膜の転写工程を説明するための断面図、図１０は本
発明の実施の形態４における金属薄膜の製造工程を説明
するための断面図であり、１０は支持体としてのベース
フィルム、１１は第１の樹脂層、１２は金属薄膜、１３
は第２の樹脂層、１４は支持体としてのベースフィル
ム、１５は第３の樹脂層、１６はセラミックシート、１
７はプレス板である。

【００２３】また図１１は一般的な積層セラミックコン
デンサの一部切欠斜視図であり、１はセラミック誘電体
層、２は内部電極層、３は外部電極である。

【００２４】（実施の形態１）まず、チタン酸バリウム
等の誘電体材料と、ポリビニルブチラール系のバインダ
成分と、可塑剤成分としてジブチルフタレート、溶剤成
分として酢酸ブチルを混合してスラリー化した後、ドク
ターブレード法を用いて図２に示すように第３の樹脂層
１５を形成したベースフィルム１４上に厚み８μｍのセ
ラミック誘電体層１となるセラミックシート１６を形成
する。この第３の樹脂層１５はベースフィルム１４から
セラミックシート１６の離型性を良くするために設けた
ものであり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹
脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂の内少なくとも１種類以
上を含有したものである。

【００２５】一方、図１に示すようにベースフィルム１
０のほぼ全面に形成した厚み０．１〜１．０μｍ程度の
第１の樹脂層１１の上に略全面に蒸着法またはスパッタ
法などの薄膜形成法で金属薄膜１２を作製する。この金
属薄膜１２はニッケルを用いて形成したものであり、そ
の厚みは均一で約１．０μｍである。第１の樹脂層１１
はベースフィルム１０から金属薄膜１２の離型姓を向上
させるために設けたものであり、アクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂の内
少なくとも１種類以上を含有したものである。次に内部
電極２と同じパターンを有する第２の樹脂層１３を金属
薄膜１２上に形成する。この第２の樹脂層１３は、セラ
ミックシート１６中に含有されるバインダ成分と可塑剤
成分とを含有したものであり、本実施の形態１において
はポリビニルブチラール系化合物とジブチルフタレート
とを含有させたものである。

【００２６】次に図３に示すようにセラミックシート１
６と金属薄膜１２とを第２の樹脂層１３を介してベース
フィルム１０，１４ごと貼り合わせて、表面が平面のプ
レス板１７で加熱することによりセラミックシート１６
及び第２の樹脂層１３中のバインダ成分を軟化させ、ま
た加圧することによりセラミックシート１６と金属薄膜
１２の接触面積を増大させ、両者の接着性を誘発すると
同時に第１の樹脂層１１から内部電極２となる第２の樹
脂層１３の形成された部分の金属薄膜１２をセラミック
シート１６に移行させる。

【００２７】次いで金属薄膜１２側のベースフィルム１
０を第２の樹脂層１３の形成されていない部分の金属薄
膜１２をベースフィルム１０側に残した状態で剥離し、
図４に示すような金属薄膜１２付きセラミックシート１
６を得る。

【００２８】次いでこの金属薄膜１２付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図５に示すようにセ
ラミックシート１６と金属薄膜１２とが交互に積層され
るようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚積
層して積層体ブロックを得る。

【００２９】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。

【００３０】次いで内部電極２の露出した両端部に銅の
外部電極３を形成し、図１１に示す積層セラミックコン
デンサとする。

【００３１】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１２の転写性及び
積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価を
行った。

【００３２】転写性については、第２の樹脂層１３の下
の金属薄膜１２が転写後のベースフィルム１０側に残留
する割合を第２の樹脂層１３の下に形成した金属薄膜１
２の全重量に対する割合で示している。

【００３３】なお比較のために、金属薄膜１２の表面に
第２の樹脂層１３を形成していない金属薄膜１２を用い
た従来の製造方法によるセラミックシート１６への金属
薄膜１２の転写性及び積層セラミックコンデンサの静電
容量も測定した。本実施の形態１及び比較例の転写性及
び静電容量の測定結果を（表１）に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】（表１）を見るとわかるように本実施の形
態１のように第２の樹脂層１３を設けた場合について
は、金属薄膜１２の転写性が改善されていることがわか
る。

【００３６】これは第１の樹脂層１１と金属薄膜１２の
接着強度よりも第２の樹脂層１３と金属薄膜１２との接
着強度の方が大きく、かつ第２の樹脂層１３とセラミッ
クシート１６との接着強度が大きいためベースフィルム
１０から第２の樹脂層１３及びこの下に設けた金属薄膜
１２を容易に離型させることができるためである。一
方、第２の樹脂層１３を設けなかった比較例について
は、金属薄膜１２の転写が不十分であるために十分な静
電容量が得られない。

【００３７】さらに図５に示すように第２の樹脂層１３
は金属薄膜１２と積層されるセラミックシート１６との
接着強度を向上させることができる。

【００３８】従って、金属薄膜１２上に第２の樹脂層１
３を形成し、セラミックシート１６上に転写することに
より内部電極２となる金属薄膜１２の転写性を従来より
も向上させることができる。その結果、金属薄膜１２の
転写不良による静電容量のばらつきや低下といった積層
セラミックコンデンサとしての致命的な不良を抑制する
ことができ、歩留まりの向上に対して絶大な効果があ
る。

【００３９】（実施の形態２）まず図７に示すように実
施の形態１と同様にして第３の樹脂層１５を形成したベ
ースフィルム１４上にセラミックシート１６を作製し、
この上に内部電極２と同じパターンを有する第２の樹脂
層１３を作製する。

【００４０】一方図６に示すように、実施の形態１と同
様にして第１の樹脂層１１を形成したベースフィルム１
０上に金属薄膜１２を形成する。

【００４１】次に図３に示すように、セラミックシート
１６と金属薄膜１３とを第２の樹脂層１３を介してベー
スフィルム１０，１４ごと貼り合わせて、表面が平面の
プレス板１７で加熱することによりセラミックシート１
６、第２の樹脂層１３中のバインダ成分を軟化させ、ま
た加圧することにより第２の樹脂層１３と金属薄膜１２
との接触面積を増大させ、両者の接着性を誘発すると同
時に第１の樹脂層１１から内部電極２となる第２の樹脂
層１３の形成された部分の金属薄膜１２をセラミックシ
ート１６側に移行させる。

【００４２】次いで金属薄膜１２側のベースフィルム１
０を第２の樹脂層１３の形成されていない部分の金属薄
膜１２をベースフィルム１０側に残した状態で剥離し、
図４に示すような金属薄膜１２付きセラミックシート１
６を得る。

【００４３】次いでこの金属薄膜１２付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図５に示すようにセ
ラミックシート１６と金属薄膜１２とが交互に積層され
るようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚積
層して積層体ブロックを得る。

【００４４】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１１に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００４５】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１２の転写性及び
積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価を
行った。

【００４６】転写性については、転写されるべき金属薄
膜１２のベースフィルム１０側に残留する割合で示して
いる。

【００４７】なお比較のために、第２の樹脂層１３を形
成していないセラミックシート１６を用いた従来の製造
方法によるセラミックシート１６への金属薄膜１２の転
写性及び積層セラミックコンデンサの静電容量も測定し
た。

【００４８】本実施の形態２及び比較例の転写性及び静
電容量の測定結果を（表２）に示す。

【００４９】

【表２】

【００５０】（表２）を見るとわかるように本実施の形
態２のように第２の樹脂層１３を設けた場合について
は、金属薄膜１２の転写性が改善されていることがわか
る。一方、第２の樹脂層１３を設けなかった比較例につ
いては、金属薄膜１２の転写が不十分であるために十分
な静電容量が得られない。

【００５１】従って、セラミックシート１６上に内部電
極２と同じパターンの第２の樹脂層１３を形成すること
により、内部電極２となる金属薄膜１２の転写性を従来
よりも向上させることができる。

【００５２】また、図５に示すように第２の樹脂層１３
を設けたため積層体ブロック形成時には第２の樹脂層１
３を介してセラミックシート１６と金属薄膜１２とが積
層されることとなる。この第２の樹脂層１３は金属薄膜
１２とセラミックシート１６の接着性を向上させる結合
剤の役割を果たすこととなる。

【００５３】従って実施の形態１よりもセラミックシー
ト１６と金属薄膜１２との接着性にすぐれた積層体ブロ
ックを得ることができるために、例えばデラミネーショ
ンやひび割れといった構造欠陥の発生を抑制することが
できる。

【００５４】以上のことから、金属薄膜１２の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【００５５】（実施の形態３）まず実施の形態１と同様
にして図２に示すように第３の樹脂層１５を形成したベ
ースフィルム１４上にセラミックシート１６を作製す
る。

【００５６】また、図８に示すように第１の樹脂層１１
を形成したベースフィルム１０上に内部電極２と同じパ
ターンの金属薄膜１２を薄膜形成法により作製する。次
にこの金属薄膜１２上に同じパターンで第２の樹脂層１
３を作製する。この第２の樹脂層１３は、セラミックシ
ート１６中に含有されるバインダ成分と可塑剤成分とを
含有したものであり、本実施の形態３においてはポリビ
ニルブチラール系化合物とジブチルフタレートとを含有
させたものである。

【００５７】次に図９に示すようにセラミックシート１
６と金属薄膜１２とを第２の樹脂層１３を介してベース
フィルム１０，１４ごと貼り合わせて、表面が平面のプ
レス板１７で加熱することによりセラミックシート１
６、第２の樹脂層１３中のバインダ成分を軟化させ、ま
た加圧することにより第２の樹脂層１３と金属薄膜１２
との接触面積を増大させ、両者の接着性を誘発すると同
時に第１の樹脂層１１から内部電極２となる部分の金属
薄膜１２だけをセラミックシート１６側に移行させる。

【００５８】次いで金属薄膜１２側のベースフィルム１
０を第２の樹脂層１３の形成されていない部分の金属薄
膜１２をベースフィルム１０に残した状態で剥離し、図
４に示すような金属薄膜１２付きセラミックシート１６
を得る。

【００５９】次いでこの金属薄膜１２付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図５に示すようにセ
ラミックシート１６と金属薄膜１２とが交互に積層され
るようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚積
層して積層体ブロックを得る。

【００６０】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１１に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００６１】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１２の転写性及び
積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価を
行った。

【００６２】転写性については、第１の樹脂層１１上の
金属薄膜１２が転写後のベースフィルム１０側に残留す
る割合を金属薄膜１２の全重量に対する割合で示してい
る。

【００６３】なお、比較のために表面に第２の樹脂層１
３を形成していない金属薄膜１２を用いる従来の製造方
法によるセラミックシート１６への金属薄膜１２の転写
性及び積層セラミックコンデンサの静電容量も測定し
た。

【００６４】本実施の形態３及び比較例の転写性及び静
電容量の測定結果を（表３）に示す。

【００６５】

【表３】

【００６６】（表３）を見るとわかるように本実施の形
態３のように第２の樹脂層１３を設けた場合について
は、金属薄膜１２の転写性が改善されていることがわか
る。一方、第２の樹脂層１３を設けなかった比較例につ
いては、金属薄膜１２の転写が不十分であるために十分
な静電容量が得られない。

【００６７】従って、金属薄膜１２上に第２の樹脂層１
３を設けることにより、内部電極２となる金属薄膜１２
の転写性を従来よりも向上させることができる。また図
５に示すように積層体ブロック形成時には第２の樹脂層
１３を介してセラミックシート１６と金属薄膜１２とが
積層されることとなる。この第２の樹脂層１３は金属薄
膜１２とセラミックシート１６の接着性を向上させる結
合剤の役割を果たすこととなる。

【００６８】その結果実施の形態１よりもセラミックシ
ート１６と金属薄膜１２との接着性に優れた積層体ブロ
ックを得ることができるために、例えばデラミネーショ
ンやヒビ割れといった構造欠陥の発生を抑制することが
できる。

【００６９】以上のことから、金属薄膜１２の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【００７０】（実施の形態４）実施の形態２と同様にし
て図７に示すように表面に第２の樹脂層１３を有するセ
ラミックシート１６を作製する。

【００７１】また、図１０に示すようにベースフィルム
１０上に実施の形態３と同様にして第１の樹脂層１１を
形成した上に内部電極２と同じパターンを有する金属薄
膜１２を形成する。

【００７２】次に図９に示すようにセラミックシート１
６と金属薄膜１２とを第２の樹脂層１３を介してベース
フィルム１０，１４ごと貼り合わせて、表面が平面のプ
レス板１７で加熱することによりセラミックシート１
６、第２の樹脂層１３中のバインダ成分を軟化させ、ま
た加圧することにより第２の樹脂層１３と金属薄膜１２
との接触面積を増大させ、両者の接着性を誘発すると同
時に第１の樹脂層１１から内部電極２となる金属薄膜１
２をセラミックシート１６側に移行させる。

【００７３】次いで金属薄膜１２側のベースフィルム１
０を剥離し、図４に示すような金属薄膜１２付きセラミ
ックシート１６を得る。

【００７４】次いでこの金属薄膜１２付きセラミックシ
ート１６を所定の形状に切断して、図５に示すようにセ
ラミックシート１６と金属薄膜１２とが交互に積層され
るようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚積
層して積層体ブロックを得る。

【００７５】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１１に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００７６】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１２の転写性及び
積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価を
行った。

【００７７】転写性については、第１の樹脂層１１上の
金属薄膜１２が転写後のベースフィルム１０側に残留す
る割合を形成した金属薄膜１２の全重量に対する割合で
示している。

【００７８】なお、比較のために第２の樹脂層１３を形
成していないセラミックシート１６を用いた従来の製造
方法によるセラミックシート１６への金属薄膜１２の転
写性及び積層セラミックコンデンサの静電容量も測定し
た。

【００７９】本実施の形態４及び比較例の転写性及び静
電容量の測定結果を（表４）に示す。

【００８０】

【表４】

【００８１】（表４）を見るとわかるように本実施の形
態４のように第２の樹脂層１３を設けた場合について
は、金属薄膜１２の転写性が改善されていることがわか
る。一方、第２の樹脂層１３を設けなかった比較例につ
いては、金属薄膜１２の転写が不十分であるために十分
な静電容量が得られない。

【００８２】従って、セラミックシート１６上に第２の
樹脂層１３を形成することにより内部電極２となる金属
薄膜１２の転写性を従来よりも向上させることができ
る。

【００８３】また、図６に示すように積層体ブロック形
成時には第２の樹脂層１３を介してセラミックシート１
６と金属薄膜１２とが積層されることとなる。この第２
の樹脂層１３は金属薄膜１２とセラミックシート１６の
接着性を向上させる結合剤の役割を果たすこととなる。

【００８４】その結果実施の形態１よりもセラミックシ
ート１６と金属薄膜１２との接着性に優れた積層体ブロ
ックを得ることができるために、例えばデラミネーショ
ンやヒビ割れといった構造欠陥の発生を抑制することが
できる。

【００８５】以上のことから、金属薄膜１２の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【００８６】以下本発明のポイントについて説明する。

【００８７】（１）第１及び第３の樹脂層１１，１５は
ベースフィルム１０，１４からセラミックシート１６及
び金属薄膜１２を剥離しやすくするために形成するもの
である。また、金属薄膜１２の形成時及び転写時の圧力
及び熱によって軟化したり、変質したりしないことが重
要である。第１及び第３の樹脂層１１，１５が軟化した
場合には、内部電極２となる金属薄膜１２のパターン精
度や積層精度が悪くなり良好な積層体を得ることができ
ない。従ってこのような性能を満足するためにアクリル
樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ッ素樹脂またはそれらの混合系樹脂を第１及び第３の樹
脂層１１，１５として用いることが有効である。アクリ
ル樹脂についてはエポキシ樹脂、メラミン樹脂と混合さ
せて用いることでさらに熱的安定性が向上し好ましい。
シリコン樹脂については熱的安定性に加えて、離型性の
経時変化が小さいといった特徴を有している。フッ素樹
脂については、上記樹脂の中で最も熱的に安定かつ金属
薄膜１２の離型性に優れている。また、逆に第１及び第
３の樹脂層１１，１５の軟化を防ぐために、金属薄膜１
２の形成時及び転写時の熱は第１及び第３の樹脂層１
１，１５の軟化点以下で行う必要がある。

【００８８】さらに、アクリル樹脂はセラミックシート
１６中のバインダ成分として用いることがある。この場
合は第１及び第３の樹脂層１１，１５はアクリル樹脂以
外の樹脂を用いて形成する必要がある。すなわち離型性
を向上させるためには、第１及び第３の樹脂層１１，１
５はセラミックシート１６に含まれる樹脂とは異なる樹
脂で相溶性に劣る樹脂を用いて形成する必要がある。

【００８９】また、第１及び第３の樹脂層１１，１５が
セラミックシート１６よりも小さい場合には金属薄膜１
２を転写するときにベースフィルム１０，１４とセラミ
ックシート１６が直接接触し、セラミックシート１６を
剥離させてしまうおそれが有る。このとき、焼結体の構
造欠陥となり、良品を得ることができなくなる。従って
第１及び第３の樹脂層１１，１５はセラミックシート１
６よりも大きくしておくことが、構造欠陥の発生を抑制
するために好ましい。

【００９０】（２）金属薄膜１２をセラミックシート１
６側に転写させる時に、加熱してセラミックシート１６
中に含まれるバインダ成分を十分に軟化させてセラミッ
クシート１６と金属薄膜１２との接着強度が向上するよ
うにする必要がある。従ってこの時の加熱温度はセラミ
ックシート１６中のバインダ成分の軟化温度以上とする
ことが好ましい。

【００９１】（３）第２の樹脂層１３は、形成しようと
する内部電極２と同じパターンを有するように形成する
ことにより、金属薄膜１２から内部電極２となる部分だ
けをセラミックシート１６側に転写することができる。

【００９２】また、精度よく内部電極２を形成するため
に、第２の樹脂層１３は第３の樹脂層１５と同じか相似
形でそれよりも小さく形成することが望ましい。

【００９３】（４）上記実施の形態においてはセラミッ
クシート１６側に金属薄膜１２を転写したが金属薄膜１
２側にセラミックシート１６を転写しても同様の効果が
得られるものである。

【００９４】（５）金属薄膜１２とセラミックシート１
６を貼り合わせてベースフィルム１０を除去したとき
に、余分な金属薄膜１２がセラミックシート１６に付着
した場合、金属薄膜１２を転写したセラミックシート１
６に気体を吹き付けることにより余分な金属薄膜１２を
容易に除去でき所望の形状の内部電極２を形成すること
ができる。

【００９５】（６）上記各実施の形態においてはセラミ
ックシート１６を誘電体材料とバインダ、可塑剤、溶剤
を混合してベースフィルム１４上に形成したが、例えば
誘電体材料とポリエチレンとを用いて作製したセラミッ
クシート１６についても同様の効果が得られる。

【００９６】なぜならば、このセラミックシート１６は
上記各実施の形態で示したようなセラミックシート１６
と比較すると空孔率が高いため第２の樹脂層１３を形成
するバインダ成分がセラミックシート１６の空孔に浸入
することによりセラミックシート１６と金属薄膜１２と
の接着強度を向上させることができるからである。

【００９７】また、このセラミックシート１６は上記各
実施の形態で示したようなセラミックシート１６と比較
すると強度が高いため、ベースフィルム１４上に形成す
る必要が無く、扱いが非常に容易である。

【００９８】（７）金属薄膜１２は、スパッタ法、蒸着
法、メッキ法などの薄膜形成法を単独であるいは組み合
わせて形成することが望ましい。ただし０．１〜１．０
μｍ程度の厚みの金属薄膜１２を形成しようとするとス
パッタ法よりも蒸着法で形成する方が効率良く形成する
ことができる。

【００９９】（８）また、高積層のセラミック電子部品
を作製する場合には、転写時の熱が積層体ブロック内部
に蓄積し、セラミックシート１６が伸びて精度良く積層
を行うことができなくなるおそれがある。従って、高積
層の積層体ブロックを作製する場合は、セラミックシー
ト１６が伸びないように適宜冷却しながら積層体ブロッ
クを作製することが好ましい。

【０１００】（９）上記各実施の形態においては積層セ
ラミックコンデンサについて説明したが、本発明は例え
ば積層チップバリスタや積層型のコイル、セラミック多
層基板等積層工程を有する一般的なセラミック電子部品
の製造方法についても同様の効果が得られる。

【０１０１】

【発明の効果】以上本発明によると、ベースフィルムか
ら金属薄膜のセラミックシート上への転写性を向上させ
ることができる。また、セラミックシートと金属薄膜と
の接着強度も向上させることができる。従って安定した
電気的特性を有するセラミック電子部品の製造方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における金属薄膜の製造
工程を説明するための断面図

【図２】本発明の実施の形態１におけるセラミックシー
トの作製工程を説明するための断面図

【図３】本発明の実施の形態１、２におけるセラミック
シートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図

【図４】本発明の実施の形態１〜４におけるセラミック
シートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図

【図５】本発明の実施の形態１〜４における積層体の製
造工程を説明するための断面図

【図６】本発明の実施の形態２における金属薄膜の製造
工程を説明するための断面図

【図７】本発明の実施の形態２、４におけるセラミック
シートの製造工程を説明するための断面図

【図８】本発明の実施の形態３における金属薄膜の製造
工程を説明するための断面図

【図９】本発明の実施の形態３、４におけるセラミック
シートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図

【図１０】本発明の実施の形態４における金属薄膜の製
造工程を説明するための断面図

【図１１】一般的な積層セラミックコンデンサの一部切
欠斜視図

【符号の説明】

１ セラミック誘電体層 ２ 内部電極 ３ 外部電極 １０ ベースフィルム １１ 第１の樹脂層 １２ 金属薄膜 １３ 第２の樹脂層 １４ ベースフィルム １５ 第３の樹脂層 １６ セラミックシート １７ プレス板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AF06 AH03 AH05 AH06 AH07 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AA01 AB03 BC32 BC33 BC38 EE05 EE23 EE37 EE39 FG06 FG26 FG27 FG54 GG10 GG11 JJ03 JJ12 JJ23 LL02 LL03 LL35 MM22 MM24

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に第１の樹脂層を設ける第１工
   程と、次にこの第１の樹脂層の上に薄膜形成法により金
   属薄膜を形成する第２工程と、次いで前記金属薄膜上に
   所定のパターンを有する第２の樹脂層を形成する第３の
   工程と、その後前記金属薄膜とセラミックシートとを前
   記第２の樹脂層を介して支持体ごと重ね合わせて加圧す
   る第４工程と、次に前記支持体を剥離する第５工程と、
   次いで前記セラミックシートと前記金属薄膜とが交互に
   積層された積層体を作製する第６工程と、その後前記積
   層体を焼成する第７工程とを備え、前記金属薄膜の接着
   強度を前記第１の樹脂層よりも前記第２の樹脂層の方を
   大きくしたセラミック電子部品の製造方法。
2. 【請求項２】 第５工程後第６工程前に金属薄膜に気体
   を吹き付ける工程を設けた請求項１に記載のセラミック
   電子部品の製造方法。
3. 【請求項３】 セラミックシートは少なくともセラミッ
   ク原料とバインダと可塑剤とを含有したものであり、第
   ２の樹脂層は前記セラミックシート中に含まれるバイン
   ダと可塑剤とを含有したものである請求項１に記載のセ
   ラミック電子部品の製造方法。
4. 【請求項４】 金属薄膜を第２の樹脂層と同じかそれよ
   りも小さいパターンで形成する請求項１に記載のセラミ
   ック電子部品の製造方法。
5. 【請求項５】 第１の樹脂層はアクリル樹脂、エポキシ
   樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂の内少
   なくとも１種類以上を含有したものである請求項１に記
   載のセラミック電子部品の製造方法。
6. 【請求項６】 支持体上に第１の樹脂層を設ける第１工
   程と、次にこの第１の樹脂層の上に薄膜形成法により金
   属薄膜を形成する第２工程と、その後表面に所定のパタ
   ーンを有する第２の樹脂層を形成したセラミックシート
   と前記金属薄膜とを支持体ごと重ね合わせて加圧する第
   ３工程と、次に前記支持体を剥離する第４工程と、次い
   で前記セラミックシートと前記金属薄膜とが交互に積層
   された積層体を作製する第５工程と、その後前記積層体
   を焼成する第６工程とを備え、前記金属薄膜の接着強度
   を前記第１の樹脂層よりも前記第２の樹脂層の方を大き
   くしたセラミック電子部品の製造方法。
7. 【請求項７】 第４工程後第５工程前に金属薄膜に気体
   を吹き付ける工程を設けた請求項６に記載のセラミック
   電子部品の製造方法。
8. 【請求項８】 セラミックシートは少なくともセラミッ
   ク原料とバインダと可塑剤とを含有したものであり、第
   ２の樹脂層は前記セラミックシート中に含まれるバイン
   ダと可塑剤とを含有したものである請求項６に記載のセ
   ラミック電子部品の製造方法。
9. 【請求項９】 金属薄膜を第２の樹脂層と同じかそれよ
   りも小さいパターンで形成する請求項６に記載のセラミ
   ック電子部品の製造方法。
10. 【請求項１０】 第１の樹脂層はアクリル樹脂、エポキ
    シ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂の内
    少なくとも１種類以上を含有したものである請求項６に
    記載のセラミック電子部品の製造方法。