JP2001110346A - コンタミネーション低減装置 - Google Patents
コンタミネーション低減装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、走査型電子顕微鏡の試料室に設け
て電子ビームで真空中に配置した試料を走査したときに
発生するコンタミネーションを低減するコンタミネーシ
ョン低減装置に関し、走査型電子顕微鏡において、試料
と対物レンズの下面との距離ＷＤの間にコールドトラッ
プ板を挿入するスペースがない数ｍｍ程度でも試料に対
するコンタミネーションの低減と、低加速電圧時の高分
解能の画像観察とを両立させることを目的とする。 【解決手段】 細く絞った電子ビームを照射して発生
した２次電子などを検出して画像を表示する対象の試料
と、電子ビームを細く絞って試料面上に照射させる対物
レンズと、対物レンズの下面と試料との距離ＷＤよりも
当該試料の上面からの距離Ｗに等しいあるいは大きい位
置に配置した平らな円のリング状あるいは平らな多角形
のリング状のコールドトラップ板と、コールドトラップ
板に接続して冷却する冷却器とを備えるように構成す
る。
て電子ビームで真空中に配置した試料を走査したときに
発生するコンタミネーションを低減するコンタミネーシ
ョン低減装置に関し、走査型電子顕微鏡において、試料
と対物レンズの下面との距離ＷＤの間にコールドトラッ
プ板を挿入するスペースがない数ｍｍ程度でも試料に対
するコンタミネーションの低減と、低加速電圧時の高分
解能の画像観察とを両立させることを目的とする。 【解決手段】 細く絞った電子ビームを照射して発生
した２次電子などを検出して画像を表示する対象の試料
と、電子ビームを細く絞って試料面上に照射させる対物
レンズと、対物レンズの下面と試料との距離ＷＤよりも
当該試料の上面からの距離Ｗに等しいあるいは大きい位
置に配置した平らな円のリング状あるいは平らな多角形
のリング状のコールドトラップ板と、コールドトラップ
板に接続して冷却する冷却器とを備えるように構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型電子顕微鏡
の試料室に設けて電子ビームで真空中に配置した試料を
走査したときに発生するコンタミネーションを低減する
コンタミネーション低減装置に関するものである。
の試料室に設けて電子ビームで真空中に配置した試料を
走査したときに発生するコンタミネーションを低減する
コンタミネーション低減装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、走査型電子顕微鏡を用いて細く絞
った電子ビームを真空中においた試料、例えばＩＣなど
を作成するウェハの面上を２次元的に走査し、そのとき
に発生する２次電子を収集し、画面上にウェハの拡大し
た２次電子像を表示し、線幅を測定したりなどすること
が行なわれている。
った電子ビームを真空中においた試料、例えばＩＣなど
を作成するウェハの面上を２次元的に走査し、そのとき
に発生する２次電子を収集し、画面上にウェハの拡大し
た２次電子像を表示し、線幅を測定したりなどすること
が行なわれている。
【０００３】この際、試料であるウェハの置かれた試料
室の真空中に存在するコンタミネーションの原因となる
物質（例えば有機物を含んだガス）が細く絞った電子ビ
ームで照射されてウェハの当該電子ビームで走査した位
置に分解などされて堆積し、いわゆるコンタミネーショ
ンが発生し、本来のＩＣの線幅と異なって測定された
り、２次電子像として観察されてしまう現象がある。
室の真空中に存在するコンタミネーションの原因となる
物質（例えば有機物を含んだガス）が細く絞った電子ビ
ームで照射されてウェハの当該電子ビームで走査した位
置に分解などされて堆積し、いわゆるコンタミネーショ
ンが発生し、本来のＩＣの線幅と異なって測定された
り、２次電子像として観察されてしまう現象がある。
【０００４】ウェハを２次電子像で観察中にコンタミネ
ーションが発生するために、通常は、図３に示すよう
に、ウェハなどの試料１４と、対物レンズ１２との間に
円盤状で中心に電子ビームを通過させる孔を開けたコー
ルドトラップ板１３を配置し、液体窒素で冷却して試料
１４上にコンタミネーションの原因となるガスを事前に
トラップしてコンタミネーションの発生を防止してい
る。
ーションが発生するために、通常は、図３に示すよう
に、ウェハなどの試料１４と、対物レンズ１２との間に
円盤状で中心に電子ビームを通過させる孔を開けたコー
ルドトラップ板１３を配置し、液体窒素で冷却して試料
１４上にコンタミネーションの原因となるガスを事前に
トラップしてコンタミネーションの発生を防止してい
る。
【０００５】この際、図３において、試料１４と対物レ
ンズ１２との間の距離は、ワーキングディスタンスＷＤ
と呼ばれ、当該ＷＤの値を小さくして対物レンズ１２の
焦点距離を小さくすると分解能を向上でき、可及的にＷ
Ｄを小さくすることが行われ、通常はＷＤ＝１０ｍｍ程
度とし、その間にコールドトラップ板１３を図示のよう
に挿入して冷却し、試料１４の電子ビーム照射位置に発
生するコンタミネーションを防止している。
ンズ１２との間の距離は、ワーキングディスタンスＷＤ
と呼ばれ、当該ＷＤの値を小さくして対物レンズ１２の
焦点距離を小さくすると分解能を向上でき、可及的にＷ
Ｄを小さくすることが行われ、通常はＷＤ＝１０ｍｍ程
度とし、その間にコールドトラップ板１３を図示のよう
に挿入して冷却し、試料１４の電子ビーム照射位置に発
生するコンタミネーションを防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
などの試料に電子ビームを照射するとダメージが発生す
る関係で可及的にダメージを小さくするために低加速電
圧の電子ビームをウェハに照射する必要があり、しかも
低加速電圧にするには通常、ウェハなどの試料にバイア
ス電圧として数ＫＶを印加する必要があり、既述した図
３のウェハなどの試料１４と対物レンズ１２の下面との
間にコールドトラップ板１３を挿入する構造では、試料
１４に数ＫＶのバイアス電圧を印加する関係で試料１４
と対物レンズ１２との距離（＝ＷＤ）を小さくすると試
料１４とコールドトラップ板１３との間の絶縁に十分な
距離が保持できなくなってしまい、結果として、ＷＤを
小さくできず、低加速電圧時の分解能が低下して目的と
する微細構造が観察できないという問題があった。特に
数百Ｖの低電圧の電子ビームでウェハを走査して微細構
造を高分解能で観察するには、通常数ｍｍ程度のＷＤに
するという極めて厳しい要求がある。
などの試料に電子ビームを照射するとダメージが発生す
る関係で可及的にダメージを小さくするために低加速電
圧の電子ビームをウェハに照射する必要があり、しかも
低加速電圧にするには通常、ウェハなどの試料にバイア
ス電圧として数ＫＶを印加する必要があり、既述した図
３のウェハなどの試料１４と対物レンズ１２の下面との
間にコールドトラップ板１３を挿入する構造では、試料
１４に数ＫＶのバイアス電圧を印加する関係で試料１４
と対物レンズ１２との距離（＝ＷＤ）を小さくすると試
料１４とコールドトラップ板１３との間の絶縁に十分な
距離が保持できなくなってしまい、結果として、ＷＤを
小さくできず、低加速電圧時の分解能が低下して目的と
する微細構造が観察できないという問題があった。特に
数百Ｖの低電圧の電子ビームでウェハを走査して微細構
造を高分解能で観察するには、通常数ｍｍ程度のＷＤに
するという極めて厳しい要求がある。
【０００７】本発明は、これらの問題を解決するため、
走査型電子顕微鏡において、試料と対物レンズの下面と
の距離ＷＤの間にコールドトラップ板を挿入するスペー
スがない数ｍｍ程度でも試料に対するコンタミネーショ
ンの低減と、低加速電圧時の高分解能の画像観察とを両
立させることを目的としている。
走査型電子顕微鏡において、試料と対物レンズの下面と
の距離ＷＤの間にコールドトラップ板を挿入するスペー
スがない数ｍｍ程度でも試料に対するコンタミネーショ
ンの低減と、低加速電圧時の高分解能の画像観察とを両
立させることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１を参照して課題を解
決するための手段を説明する。図１において、対物レン
ズ１ａ，１ｂは、電子ビームを細く絞って試料３を照射
するものである。
決するための手段を説明する。図１において、対物レン
ズ１ａ，１ｂは、電子ビームを細く絞って試料３を照射
するものである。
【０００９】コールドトラップ２ａ，２ｂは、試料３と
の距離Ｗが、試料３と対物レンズ１ａ，１ｂの下面との
距離ＷＤに等しいあるいは大きい位置に配置したリング
状の板であって、図示外の冷却器によって冷却されるも
のである。
の距離Ｗが、試料３と対物レンズ１ａ，１ｂの下面との
距離ＷＤに等しいあるいは大きい位置に配置したリング
状の板であって、図示外の冷却器によって冷却されるも
のである。
【００１０】試料３は、ウェハなどの試料であって、電
子ビームを照射して走査しその時に発生した２次電子な
どを検出して画像を表示する対象の試料である。次に、
動作を説明する。
子ビームを照射して走査しその時に発生した２次電子な
どを検出して画像を表示する対象の試料である。次に、
動作を説明する。
【００１１】対物レンズ１ａ，１ｂの下面と試料３との
距離ＷＤと、当該試料３の上面からの距離Ｗとが等しい
あるいは大きい位置に平らな円のリング状あるいは平ら
な多角形のリング状のコールドトラップ板２ａ，２ｂを
配置し、このコールドトラップ２ａ，２ｂと図示外の冷
却器を接続して冷却し、試料３に電子ビームで走査した
ときに発生するコンタミネーションの量を低減するよう
にしている。
距離ＷＤと、当該試料３の上面からの距離Ｗとが等しい
あるいは大きい位置に平らな円のリング状あるいは平ら
な多角形のリング状のコールドトラップ板２ａ，２ｂを
配置し、このコールドトラップ２ａ，２ｂと図示外の冷
却器を接続して冷却し、試料３に電子ビームで走査した
ときに発生するコンタミネーションの量を低減するよう
にしている。
【００１２】この際、対物レンズ１ａ，１ｂの下面と試
料３との距離ＷＤが試料３に印加したバイアス電圧に耐
えられる可及的に小さい距離とするようにしている。ま
た、図示外の冷却器として、図２を用いて説明するサー
モモジュールを使用し、冷却するようにしている。
料３との距離ＷＤが試料３に印加したバイアス電圧に耐
えられる可及的に小さい距離とするようにしている。ま
た、図示外の冷却器として、図２を用いて説明するサー
モモジュールを使用し、冷却するようにしている。
【００１３】また、冷却器であるサーモモジュールに逆
方向に電流を供給してコールドトラップ板２ａ，２ｂを
加熱してベイクアウトするようにしている。従って、走
査型電子顕微鏡において、試料３と対物レンズ１ａ，１
ｂの下面との距離ＷＤの間にコールドトラップ板２ａ，
２ｂを挿入するスペースがない数ｍｍ程度でも試料３に
対するコンタミネーションの低減と、低加速電圧時の高
分解能の画像観察とを両立させることが可能となる。
方向に電流を供給してコールドトラップ板２ａ，２ｂを
加熱してベイクアウトするようにしている。従って、走
査型電子顕微鏡において、試料３と対物レンズ１ａ，１
ｂの下面との距離ＷＤの間にコールドトラップ板２ａ，
２ｂを挿入するスペースがない数ｍｍ程度でも試料３に
対するコンタミネーションの低減と、低加速電圧時の高
分解能の画像観察とを両立させることが可能となる。
【００１４】
【実施例】次に、図１および図２を用いて本発明の実施
の形態および動作を順次詳細に説明する。
の形態および動作を順次詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の１実施例構造図を示す。
図１の（ａ）は、コーンタイプの対物レンズの場合の構
造図を示す。図１の（ａ）において、対物レンズ１ａ
は、図示外の走査型電子顕微鏡を構成する電子銃から放
射され、集束レンズによって集束された電子ビームにつ
いて、細く絞って試料３を照射するものである。この細
く絞った電子ビームを試料３上に照射した状態で、図示
外の偏向系により電子ビームをＸ方向およびＹ方向にそ
れぞれ偏向して結果として試料３上を面走査し、このと
きに発生した例えば２次電子を検出し、表示装置上に同
期して輝度変調することでいわゆる試料３の２次電子像
を表示する。このコーンタイプの対物レンズ１ａは、下
方向に凸状となっており、試料３と対物レンズ１ａの下
面の中心近傍との距離が図示のようにＷＤである。
図１の（ａ）は、コーンタイプの対物レンズの場合の構
造図を示す。図１の（ａ）において、対物レンズ１ａ
は、図示外の走査型電子顕微鏡を構成する電子銃から放
射され、集束レンズによって集束された電子ビームにつ
いて、細く絞って試料３を照射するものである。この細
く絞った電子ビームを試料３上に照射した状態で、図示
外の偏向系により電子ビームをＸ方向およびＹ方向にそ
れぞれ偏向して結果として試料３上を面走査し、このと
きに発生した例えば２次電子を検出し、表示装置上に同
期して輝度変調することでいわゆる試料３の２次電子像
を表示する。このコーンタイプの対物レンズ１ａは、下
方向に凸状となっており、試料３と対物レンズ１ａの下
面の中心近傍との距離が図示のようにＷＤである。
【００１６】コールドトラップ板２ａは、試料３の上面
との距離Ｗ（Ｗ≧ＷＤ）がＷＤと等しいあるいは大きい
位置に配置したものであって、平らな円のリング状、あ
るいは平らな多角形のリング状の形状を持つものであ
り、銅などの熱伝導性が良好でかつ表面がさびないよう
な処理（例えば金メッキなどの処理）を施したものであ
る。ここでは、対物レンズ１ａが下に凸であるため、Ｗ
≧ＷＤとなる位置が図示のように、対物レンズ１ａの外
周よりも若干内側（光軸側）に入った位置に配置してい
る。ここで、距離Ｗは、低加速電圧の電子ビームでダメ
ージを少なくして試料３を照射し画像を表示させるとき
に、試料３に数ＫＶのバイアス電圧を印加しても放電な
どしなくて安定に観察できる距離である。
との距離Ｗ（Ｗ≧ＷＤ）がＷＤと等しいあるいは大きい
位置に配置したものであって、平らな円のリング状、あ
るいは平らな多角形のリング状の形状を持つものであ
り、銅などの熱伝導性が良好でかつ表面がさびないよう
な処理（例えば金メッキなどの処理）を施したものであ
る。ここでは、対物レンズ１ａが下に凸であるため、Ｗ
≧ＷＤとなる位置が図示のように、対物レンズ１ａの外
周よりも若干内側（光軸側）に入った位置に配置してい
る。ここで、距離Ｗは、低加速電圧の電子ビームでダメ
ージを少なくして試料３を照射し画像を表示させるとき
に、試料３に数ＫＶのバイアス電圧を印加しても放電な
どしなくて安定に観察できる距離である。
【００１７】試料３は、電子ビームを照射して画像を表
示する対象の試料であって、例えばウェハである。試料
３に低加速電圧の電子ビームを照射する場合には、図示
のように数ＫＶのバイアス電圧を印加するので、試料３
と対物レンズ１ａとの距離ＷＤは当該試料３に印加した
バイアス電圧が放電などしなく安定に像を観察できる可
及的に小さい距離にする。同様に、試料３とコールドト
ラップ板２ａとの距離Ｗは、観察時に放電などしなくて
安定に観察するために十分な距離をとる（ここでは、Ｗ
≧ＷＤ）。
示する対象の試料であって、例えばウェハである。試料
３に低加速電圧の電子ビームを照射する場合には、図示
のように数ＫＶのバイアス電圧を印加するので、試料３
と対物レンズ１ａとの距離ＷＤは当該試料３に印加した
バイアス電圧が放電などしなく安定に像を観察できる可
及的に小さい距離にする。同様に、試料３とコールドト
ラップ板２ａとの距離Ｗは、観察時に放電などしなくて
安定に観察するために十分な距離をとる（ここでは、Ｗ
≧ＷＤ）。
【００１８】以上のように、コーンタイプの対物レンズ
１ａの場合には、試料３と対物レンズ１ａの中心近傍の
距離ＷＤを、試料３にバイアス電圧を印加したときには
放電しなくて安定に像を観察できる可及的に小さい距離
（バイアス電圧を印加しないときは可及的に小さい距
離）として低加速かつ高分解能とすると共に、コールド
トラップ板２ａを試料３と当該コールドトラップ板２ａ
との距離ＷがＷ≧ＷＤとなる可及的に光軸中心となるよ
うに配置することが可能となる。
１ａの場合には、試料３と対物レンズ１ａの中心近傍の
距離ＷＤを、試料３にバイアス電圧を印加したときには
放電しなくて安定に像を観察できる可及的に小さい距離
（バイアス電圧を印加しないときは可及的に小さい距
離）として低加速かつ高分解能とすると共に、コールド
トラップ板２ａを試料３と当該コールドトラップ板２ａ
との距離ＷがＷ≧ＷＤとなる可及的に光軸中心となるよ
うに配置することが可能となる。
【００１９】図１の（ｂ）は、平坦タイプの対物レンズ
の場合の構造図を示す。この平坦タイプの対物レンズ１
ｂの場合には、試料３と対物レンズ１ｂの平坦な下面と
の距離ＷＤを、試料３にバイアス電圧を印加したときに
放電しなくて安定に像を観察できる可及的に小さい距離
（バイアス電圧を印加しないときは可及的に小さい距
離）として低加速かつ高分解能とすると共に、試料３と
コールドトラップ板２ｂとの距離ＷがＷ≧ＷＤとなる対
物レンズ１ｂの外周の位置に配置する。対物レンズ１
ｂ、コールドトラップ板２ｂは、上述した対物レンズ１
ａ、コールドトラップ板２ａと同じ構造および作用を行
なうので、説明を省略する。
の場合の構造図を示す。この平坦タイプの対物レンズ１
ｂの場合には、試料３と対物レンズ１ｂの平坦な下面と
の距離ＷＤを、試料３にバイアス電圧を印加したときに
放電しなくて安定に像を観察できる可及的に小さい距離
（バイアス電圧を印加しないときは可及的に小さい距
離）として低加速かつ高分解能とすると共に、試料３と
コールドトラップ板２ｂとの距離ＷがＷ≧ＷＤとなる対
物レンズ１ｂの外周の位置に配置する。対物レンズ１
ｂ、コールドトラップ板２ｂは、上述した対物レンズ１
ａ、コールドトラップ板２ａと同じ構造および作用を行
なうので、説明を省略する。
【００２０】図２は、本発明の冷却器構造図を示す。こ
れは、既述した図１のコールドトラップ板２ａ，２ｂに
接続して冷却する冷却器の例を示す。図２において、ヒ
ートシンク４は、大気中に熱を放熱する放熱フィンを接
続したものである。
れは、既述した図１のコールドトラップ板２ａ，２ｂに
接続して冷却する冷却器の例を示す。図２において、ヒ
ートシンク４は、大気中に熱を放熱する放熱フィンを接
続したものである。
【００２１】フランジ５は、ヒートシンク４を壁７（例
えば試料室の壁）に固定、および大気と真空中とを分離
するためのものである。Ｏリング６は、フランジ５につ
いて大気と真空中とをシールするものである。
えば試料室の壁）に固定、および大気と真空中とを分離
するためのものである。Ｏリング６は、フランジ５につ
いて大気と真空中とをシールするものである。
【００２２】壁７は、フランジ５を取り付ける壁であっ
て、例えば試料室の壁である。サーモモジュール８は、
電流を流して一方の面を冷却し他方の面を加熱するよう
に、熱を移動させるものであって、半導体素子で作成さ
れたものである。サーモモジュールをスタック状に積み
上げことで、冷却温度を大幅に下げることが可能となる
（例えば−４０℃から−５０℃程度、あるいは更に低
温）。
て、例えば試料室の壁である。サーモモジュール８は、
電流を流して一方の面を冷却し他方の面を加熱するよう
に、熱を移動させるものであって、半導体素子で作成さ
れたものである。サーモモジュールをスタック状に積み
上げことで、冷却温度を大幅に下げることが可能となる
（例えば−４０℃から−５０℃程度、あるいは更に低
温）。
【００２３】冷却面８ａは、サーモモジュール８に電流
を流したときに冷却される面である。放熱面８ｂは、サ
ーモモジュール８に電流を流したときに放熱される面で
ある。
を流したときに冷却される面である。放熱面８ｂは、サ
ーモモジュール８に電流を流したときに放熱される面で
ある。
【００２４】熱伝導板９は、サーモモジュール８の冷却
面８ａに接続して図１のコールドトラップ板２ａ，２ｂ
に接続して冷却するためのものである。ボルトネジ１０
は、断熱ブッシュ１１を介して熱伝導板９をサーモモジ
ュール８の冷却面８ａに接触させて熱伝導を良好にする
と共に熱伝導板９を固定するものである。
面８ａに接続して図１のコールドトラップ板２ａ，２ｂ
に接続して冷却するためのものである。ボルトネジ１０
は、断熱ブッシュ１１を介して熱伝導板９をサーモモジ
ュール８の冷却面８ａに接触させて熱伝導を良好にする
と共に熱伝導板９を固定するものである。
【００２５】断熱ブッシュ１１は、ボルトネジ１０と熱
伝導板９とを熱断熱して当該熱伝導板９を固定するため
のものである。以上の図示のような構造を持たせ、電流
をサーモモジュール８に流すことにより冷却面８ａを冷
却してこれに接する熱伝導板９を冷却し、更に当該熱伝
導板９に接続された図１のコールドトラップ板２ａ，２
ｂを低温に冷却（例えばサーモモジュール８を２段スタ
ックにして−４０℃から−５０℃に冷却、更にスタック
段数を増やして冷却温度を低温にできる）することが可
能となる。また、逆方向の電流をサーモモジュール８に
流すことにより冷却の代わりに加熱してコールドトラッ
プ板２ａ，２ｂの温度を上昇させて当該コールドトラッ
プ板２ａ，２ｂのベークアウトを行い、トラップ効果を
再生することが簡易な操作で可能となる。また、ヒート
シンク４には、放熱板を接続して熱を大気中に放熱した
が、これにかぎられず、水冷にして冷却してもよい。ま
た、熱伝導板９は、金属の熱伝導で接続されたコールド
トラップ板２ａ，２ｂを冷却しているが、ヒートパイプ
を用いて気体の蒸発、凝固のときに発生する蒸発熱を利
用してコールドトラップ板２ａ，２ｂを冷却するように
してもよい。
伝導板９とを熱断熱して当該熱伝導板９を固定するため
のものである。以上の図示のような構造を持たせ、電流
をサーモモジュール８に流すことにより冷却面８ａを冷
却してこれに接する熱伝導板９を冷却し、更に当該熱伝
導板９に接続された図１のコールドトラップ板２ａ，２
ｂを低温に冷却（例えばサーモモジュール８を２段スタ
ックにして−４０℃から−５０℃に冷却、更にスタック
段数を増やして冷却温度を低温にできる）することが可
能となる。また、逆方向の電流をサーモモジュール８に
流すことにより冷却の代わりに加熱してコールドトラッ
プ板２ａ，２ｂの温度を上昇させて当該コールドトラッ
プ板２ａ，２ｂのベークアウトを行い、トラップ効果を
再生することが簡易な操作で可能となる。また、ヒート
シンク４には、放熱板を接続して熱を大気中に放熱した
が、これにかぎられず、水冷にして冷却してもよい。ま
た、熱伝導板９は、金属の熱伝導で接続されたコールド
トラップ板２ａ，２ｂを冷却しているが、ヒートパイプ
を用いて気体の蒸発、凝固のときに発生する蒸発熱を利
用してコールドトラップ板２ａ，２ｂを冷却するように
してもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
対物レンズの下面と試料との距離ＷＤが試料の上面から
の距離Ｗと等しいあるいは大きい位置に平らな円のリン
グ状あるいは平らな多角形のリング状のコールドトラッ
プ板を配置する構成を採用しているため、試料と対物レ
ンズの下面との距離ＷＤの間にコールドトラップ板を挿
入するスペースがない数ｍｍ程度でも試料に対するコン
タミネーションの低減と、低加速電圧時などの高分解能
の画像観察とを両立させることが可能となる。
対物レンズの下面と試料との距離ＷＤが試料の上面から
の距離Ｗと等しいあるいは大きい位置に平らな円のリン
グ状あるいは平らな多角形のリング状のコールドトラッ
プ板を配置する構成を採用しているため、試料と対物レ
ンズの下面との距離ＷＤの間にコールドトラップ板を挿
入するスペースがない数ｍｍ程度でも試料に対するコン
タミネーションの低減と、低加速電圧時などの高分解能
の画像観察とを両立させることが可能となる。
【図１】本発明の１実施例構造図である。
【図２】本発明の冷却器構造図である。
【図３】従来技術の説明図である。
１ａ，１ｂ：対物レンズ ２ａ，２ｂ：コールドトラップ板 ３：対物レンズ ８：サーモモジュール ９：熱伝導板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 糸洌 長賢 東京都新宿区新宿２丁目２番１号 株式会 社ホロン内 Ｆターム(参考） 5C033 KK09 MM07
Claims (4)
- 【請求項１】走査型電子顕微鏡の試料室に設けて電子ビ
ームで真空中に配置した試料を走査したときに発生する
コンタミネーションを低減するコンタミネーション低減
装置において、 細く絞った電子ビームを照射して発生した２次電子など
を検出して画像を表示する対象の試料と、 電子ビームを細く絞って上記試料面上に照射させる対物
レンズと、 上記対物レンズの下面と試料との距離ＷＤよりも当該試
料の上面からの距離Ｗに等しいあるいは大きい位置に配
置した平らな円のリング状あるいは平らな多角形のリン
グ状のコールドトラップ板と、 上記コールドトラップ板に接続して冷却する冷却器とを
備えたことを特徴とするコンタミネーション低減装置。 - 【請求項２】上記対物レンズの下面と試料との距離ＷＤ
が当該試料に印加したバイアス電圧に耐えられる可及的
に小さい距離としたことを特徴とする請求項１記載のコ
ンタミネーション低減装置。 - 【請求項３】上記冷却器として、サーモモジュールを使
用したことを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載
のコンタミネーション低減装置。 - 【請求項４】請求項３のサーモモジュールに逆方向に電
流を供給して上記コールドトラップ板を加熱してベイク
アウトすることを特徴とするコンタミネーション低減装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28353899A JP2001110346A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | コンタミネーション低減装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28353899A JP2001110346A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | コンタミネーション低減装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110346A true JP2001110346A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17666839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28353899A Pending JP2001110346A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | コンタミネーション低減装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110346A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009245907A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2014212091A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
| JP2019212465A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 真空装置 |
| US11458513B2 (en) | 2017-06-21 | 2022-10-04 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus and cleaning method |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28353899A patent/JP2001110346A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009245907A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2014212091A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
| US11458513B2 (en) | 2017-06-21 | 2022-10-04 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus and cleaning method |
| DE112017007496B4 (de) | 2017-06-21 | 2022-12-08 | Hitachi High-Tech Corporation | Strahlvorrichtung für geladene teilchen und reinigungsverfahren |
| JP2019212465A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 真空装置 |
| JP7163073B2 (ja) | 2018-06-04 | 2022-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 真空装置 |
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