JP2001102676A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 基板と、
前記基板の主面上にマウントされた半導体レーザ素子と、
を備えた光集積ユニットであって、
前記半導体レーザ素子は、
第1の波長のレーザ光を放出する第1のレーザ発振部と前記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を前放出する第2のレーザ発振部とをモノリシックに集積してなり、且つ前記第1の波長のレーザ光と前記第2のレーザ光を前記基板の前記主面に対して略平行な方向に出射するものとして構成され、
前記基板は、
前記第1及び第2のレーザ光を前記主面に対して略垂直上方に反射するように前記主面に対して傾斜したミラー面と、
前記第1のレーザ発振部に対応する第1のマウント部と前記第2のレーザ発振部に対応する第2のマウント部とを電気的に分離する手段と、
を有することを特徴とする光集積ユニット。 - 前記分離する手段は、前記基板の表面に形成されたpn接合であることを特徴とする請求項1記載の光集積ユニット。
- 前記分離する手段は、前記基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上において互いに分離して形成された一対の配線パターンであることを特徴とする請求項1記載の光集積ユニット。
- 前記半導体レーザ素子から放出される前記第1及び第2のレーザ光の一部が前記主面に遮られないように前記主面の一部が掘り下げられた凹部が設けられ、前記ミラー面は前記凹部の側壁に連続的に延在するものとして構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の光集積ユニット。
- 前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記半導体レーザ素子からみて前記ミラー面とは反対側に、前記半導体レーザ素子のレーザ出力をモニタするためのモニタ用受光素子としてのpn接合部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の光集積ユニット。
- 前記モニタ用受光素子としての前記pn接合部は、前記第1のレーザ発振部に対応して設けられた第1のモニタ用pn接合部と、前記第2のレーザ発振部に対応して設けられた第2のモニタ用pn接合部とを含むことを特徴とする請求項5記載の光集積ユニット。
- 前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第1の波長の反射光を検出する第1の検出用受光素子としての第1の検出用pn接合部と、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第2の波長の反射光を検出する第2の検出用受光素子としての第2の検出用pn接合部と、をさらに有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の光集積ユニット。
- 前記第1の検出用pn接合部は、ホログラム光学系により回折された前記第1の波長の反射光のプラス1次回折光を受光するように前記基板上に配置され、
前記第2の検出用pn接合部は、前記ホログラム光学系により回折された前記第2の波長の反射光のマイナス1次光を受光するように前記基板上に配置されたことを特徴とする請求項7記載の光集積ユニット。 - 前記ホログラム光学系は、少なくとも3つの異なる回折領域を有し、
前記第1の検出用pn接合部は、前記3つの異なる回折領域のそれぞれにより回折される3つのプラス1次光に対応して分割して設けられ、
前記第2の検出用pn接合部は、前記3つの異なる回折領域のそれぞれにより回折される3つのマイナス1次光に対応して分割して設けられたことを特徴とする請求項8記載の光集積ユニット。 - 前記ホログラム光学系をさらに備えたことを特徴とする請求項8または9に記載の光集積ユニット。
- 前記基板は、(100)面を主面とした単結晶シリコンからなり、
前記ミラー面は、(111)面により構成されていることを特徴する請求項1〜10のいずれか1つに記載の光集積ユニット。 - 前記第1の波長は、780nmを中心とし、
前記第2の波長は、635nm、650nm及び685nmのいずれかを中心とすることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の光集積ユニット。 - 光集積ユニットを備え、
前記光集積ユニットは、
基板と、
前記基板の主面上にマウントされた半導体レーザ素子と、
を有し、
前記半導体レーザ素子は、
第1の波長のレーザ光を放出する第1のレーザ発振部と前記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を前放出する第2のレーザ発振部とをモノリシックに集積してなり、且つ前記第1の波長のレーザ光と前記第2のレーザ光を前記基板の前記主面に対して略平行な方向に出射するものとして構成され、
前記基板は、
前記第1及び第2のレーザ光を前記主面に対して略垂直上方に反射するように前記主面に対して傾斜したミラー面と、
前記第1のレーザ発振部に対応する第1のマウント部と前記第2のレーザ発振部に対応する第2のマウント部とを電気的に分離する手段と、
前記光集積ユニットから放出される前記第1の波長のレーザ光または前記第2のレーザ光を集光して光記録媒体に照射し且つ前記光記録媒体から反射された反射光を前記光集積ユニットに導く光学系と、有することを特徴とする光ピックアップ。 - 前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第1の波長の反射光を検出する第1の検出用受光素子としての第1の検出用pn接合部と、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第2の波長の反射光を検出する第2の検出用受光素子としての第2の検出用pn接合部と、をさらに有することを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。
- 前記第1の検出用pn接合部は、ホログラム光学系により回折された前記第1の波長の反射光のプラス1次回折光を受光するように前記基板上に配置され、
前記第2の検出用pn接合部は、前記ホログラム光学系により回折された前記第2の波長の反射光のマイナス1次光を受光するように前記基板上に配置されたことを特徴とする請求項14に記載の光ピックアップ。 - 光集積ユニットを有する光ピックアップを備え、
前記光集積ユニットは、
基板と、
前記基板の主面上にマウントされた半導体レーザ素子と、
を有し、
前記半導体レーザ素子は、
第1の波長のレーザ光を放出する第1のレーザ発振部と前記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を前放出する第2のレーザ発振部とをモノリシックに集積してなり、且つ前記第1の波長のレーザ光と前記第2のレーザ光を前記基板の前記主面に対して略平行な方向に出射するものとして構成され、
前記基板は、
前記第1及び第2のレーザ光を前記主面に対して略垂直上方に反射するように前記主面に対して傾斜したミラー面と、
前記第1のレーザ発振部に対応する第1のマウント部と前記第2のレーザ発振部に対応する第2のマウント部とを電気的に分離する手段と、
前記光集積ユニットから放出される前記第1の波長のレーザ光または前記第2のレーザ光を集光して光記録媒体に照射し且つ前記光記録媒体から反射された反射光を前記光集積ユニットに導く光学系と、有することを特徴とする光記録媒体駆動装置。 - 前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第1の波長の反射光を検出する第1の検出用受光素子としての第1の検出用pn接合部と、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第2の波長の反射光を検出する第2の検出用受光素子としての第2の検出用pn接合部と、をさらに有することを特徴とする請求項16に記載の光記録媒体駆動装置。
- 前記第1の検出用pn接合部は、ホログラム光学系により回折された前記第1の波長の反射光のプラス1次回折光を受光するように前記基板上に配置され、
前記第2の検出用pn接合部は、前記ホログラム光学系により回折された前記第2の波長の反射光のマイナス1次光を受光するように前記基板上に配置されたことを特徴とする請求項17に記載の光記録媒体駆動装置。
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JP3689296B2 (ja) * | 2000-01-24 | 2005-08-31 | パイオニア株式会社 | 光ピックアップ装置 |
US6693033B2 (en) * | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
EP1160776A3 (en) * | 2000-05-31 | 2004-07-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up and information recording and reproducing apparatus |
JP3662519B2 (ja) | 2000-07-13 | 2005-06-22 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ |
JP2002074719A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 光学装置 |
US6847660B2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Short-wavelength laser module and method of producing the same |
JP3844290B2 (ja) | 2001-01-24 | 2006-11-08 | シャープ株式会社 | ホログラムレーザおよび光ピックアップ |
US7092345B2 (en) * | 2001-03-22 | 2006-08-15 | Ricoh Company, Ltd. | Optical module |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
US6639249B2 (en) * | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
US20030026310A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-06 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a lighting device |
US6673667B2 (en) * | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
KR20050008767A (ko) * | 2002-06-03 | 2005-01-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | 2파장 광소자 |
JP3800135B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光通信モジュール、光通信モジュールの製造方法および電子機器 |
JP2004127482A (ja) | 2002-08-07 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置 |
US7169619B2 (en) * | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
KR100492534B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-06-02 | 엘지전자 주식회사 | 광 발생기 모듈, 광 검출기 모듈, 그들을 결합한 광픽업장치 및 그들의 제조방법 |
US6806202B2 (en) | 2002-12-03 | 2004-10-19 | Motorola, Inc. | Method of removing silicon oxide from a surface of a substrate |
JP3803339B2 (ja) | 2003-01-10 | 2006-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
EP1544966B1 (en) | 2003-12-16 | 2006-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
KR100612838B1 (ko) * | 2004-02-07 | 2006-08-18 | 삼성전자주식회사 | 광학벤치, 이를 사용한 박형광픽업 및 그 제조방법 |
TWI273586B (en) * | 2004-06-11 | 2007-02-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical recording/reproducing system |
DE102004035494A1 (de) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Giesecke & Devrient Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Prüfung von Wertdokumenten |
US20060092642A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Hideki Nakata | Light emitting module, optical head, and optical disc recording and reproducing apparatus |
JP2007004900A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2007058902A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Funai Electric Co Ltd | 光ピックアップ |
US8050167B2 (en) * | 2009-03-04 | 2011-11-01 | Victor Company Of Japan, Limited | Optical device |
JP6217706B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置 |
JP6354704B2 (ja) * | 2015-08-25 | 2018-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置 |
JP2017069241A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 京セラ株式会社 | 半導体レーザ素子用パッケージおよび半導体レーザ装置 |
JP6631609B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2020-01-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60140775A (ja) | 1983-12-27 | 1985-07-25 | Nec Corp | 半導体素子用ステム |
JPS61153360A (ja) | 1984-12-26 | 1986-07-12 | 清水建設株式会社 | 氷蓄熱式岩盤内低温貯蔵庫 |
JP2892812B2 (ja) | 1990-10-19 | 1999-05-17 | 松下電子工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2892820B2 (ja) | 1990-11-26 | 1999-05-17 | 松下電子工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2776487B2 (ja) | 1992-01-28 | 1998-07-16 | シャープ株式会社 | 光学式情報記録再生装置 |
JPH1166590A (ja) | 1997-08-15 | 1999-03-09 | Toshiba Corp | 光集積ユニット、光ピックアップ装置およびdvdシステム |
JP3804231B2 (ja) | 1997-11-18 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 光学ピックアップ |
US6072579A (en) * | 1998-08-27 | 2000-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup apparatus having improved holographic optical element and photodetector |
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