JPS60140775A - 半導体素子用ステム - Google Patents
半導体素子用ステムInfo
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- JPS60140775A JPS60140775A JP58250120A JP25012083A JPS60140775A JP S60140775 A JPS60140775 A JP S60140775A JP 58250120 A JP58250120 A JP 58250120A JP 25012083 A JP25012083 A JP 25012083A JP S60140775 A JPS60140775 A JP S60140775A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- semiconductor laser
- laser chip
- end surface
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体素子用ステムに関し５％に半導体レーザ
チップ等の半導体素子を搭載する半導体素子用ステムに
関する。
チップ等の半導体素子を搭載する半導体素子用ステムに
関する。
（従来技術）
第１図は半導体レーザテップのレーザ出射光のステムマ
ウント部表面での反射状態の概念を示す側面図である。
ウント部表面での反射状態の概念を示す側面図である。
一般に半導体レーザチップ１全ステムに搭載する際には
、ステムマウント部２０表面におｈてレーザ出射光３が
反射するので遠視野像の乱れを生じる。これを防Ｉヒす
るためには、破線図示のように半導体Ｖ−ザテップｌを
ステムマウンド部２の端面よジθ〜２０μｍ程度突出さ
せることが多匹。また半導体レーザを光学系に容易に結
合させるためには、半導体レーザテップｌのステムマウ
ント部２への搭載位置を極めて高精度に調整しなければ
ならない。
、ステムマウント部２０表面におｈてレーザ出射光３が
反射するので遠視野像の乱れを生じる。これを防Ｉヒす
るためには、破線図示のように半導体Ｖ−ザテップｌを
ステムマウンド部２の端面よジθ〜２０μｍ程度突出さ
せることが多匹。また半導体レーザを光学系に容易に結
合させるためには、半導体レーザテップｌのステムマウ
ント部２への搭載位置を極めて高精度に調整しなければ
ならない。
第２図は半導体Ｖ−ザチップの搭載位置精度を説明する
ための平面図である。同図において、半導体Ｖ−ザチッ
プｌのステムマウント部２に対するＸ方向（幅）のずれ
１ Ｚ方向（奥行＠）のずれ。
ための平面図である。同図において、半導体Ｖ−ザチッ
プｌのステムマウント部２に対するＸ方向（幅）のずれ
１ Ｚ方向（奥行＠）のずれ。
θ方向（仮想中心軸ンのずれ全そｎぞれΔＸ、Δ２、Δ
０とすれば、各要求精度はΔＸ≦３０μｍ。
０とすれば、各要求精度はΔＸ≦３０μｍ。
Δ２≦３０μｍ、Δ０≦２°である。
次に第３図は従来の半導体素子用ステムにおけるステム
マウント部の一例を示す斜視図である。
マウント部の一例を示す斜視図である。
同図において、上記要求精度金満たすためにステムマウ
ント部の端面２２には表面２１に半導体ン−ザチップｌ
（第１図に図示）全搭載するときの目印となるマーカ２
３を入ｎている。しかしながら本例では該マーカ２３に
よりＸ方向の精度は容易に実現できるが、Ｚ方向および
θ方向の精度全実現することは困難であるという欠点が
あった。
ント部の端面２２には表面２１に半導体ン−ザチップｌ
（第１図に図示）全搭載するときの目印となるマーカ２
３を入ｎている。しかしながら本例では該マーカ２３に
よりＸ方向の精度は容易に実現できるが、Ｚ方向および
θ方向の精度全実現することは困難であるという欠点が
あった。
（発明の目的）
本発明の目的は、ステムマウント部の端面に四部を設け
ることにより上記欠点を除去し、半導体レーザテップ全
容易に高精度で搭載できるようにした半導体素子用ステ
ム全提供することにある。
ることにより上記欠点を除去し、半導体レーザテップ全
容易に高精度で搭載できるようにした半導体素子用ステ
ム全提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、半導体素子全搭載するマウント部の端
面に幅および奥行き長がそれぞれ前記半導体素子の幅お
よび奥行き長よりも小さい凹部を有することを特徴とす
る半導体素子用ステムが得られる。
面に幅および奥行き長がそれぞれ前記半導体素子の幅お
よび奥行き長よりも小さい凹部を有することを特徴とす
る半導体素子用ステムが得られる。
（実施例う
次に第４図および第５図を参照して本発明について説明
する。
する。
第４図は本発明の半導体素子用ステムの一実施例におけ
るステムマウント部を示す斜視図および第５図は第４図
における半導体素子用ステムの使用例を示す平面図であ
る。同図において、ステムマウンド部４は端面４２の半
導体レーザテップｌ全搭載すべき位置に四部４３ｆｒ、
有し、該凹部４３のＸ方向のｍ１Ｊ（＝ｔＯＯμｍ）、
Ｚ方向の奥行き長Ｄ（＝１０μｍ）はそれぞれ半導体レ
ーザチラー１ｘＯ幅、奥行き長より小さくなっている。
るステムマウント部を示す斜視図および第５図は第４図
における半導体素子用ステムの使用例を示す平面図であ
る。同図において、ステムマウンド部４は端面４２の半
導体レーザテップｌ全搭載すべき位置に四部４３ｆｒ、
有し、該凹部４３のＸ方向のｍ１Ｊ（＝ｔＯＯμｍ）、
Ｚ方向の奥行き長Ｄ（＝１０μｍ）はそれぞれ半導体レ
ーザチラー１ｘＯ幅、奥行き長より小さくなっている。
ステムマウンド部４の表面４１に半導体レーザチップト
搭載する際は、半導体レーザナツプｌの端面１１がステ
ムマウンド部４の端面４２に合致するようにする。この
とき半導体レーザテップｌが前記四部４３に落ち込むこ
とはなく、またレーザ出射光が前記表面４１で反射する
こともない。
搭載する際は、半導体レーザナツプｌの端面１１がステ
ムマウンド部４の端面４２に合致するようにする。この
とき半導体レーザテップｌが前記四部４３に落ち込むこ
とはなく、またレーザ出射光が前記表面４１で反射する
こともない。
従って本実施例によれば、Ｘ方向のずれΔＸ（第２図に
図示）は四部４３を基準とするので前述の従来例と同等
の高精度が実現され、またＺ方向および０方向の精度も
前記端面１１と端面４２とを合致させる作業、すなわち
直線と直線とを合致させる作業を行えばよ＾ので極めて
容易に高めることができる。
図示）は四部４３を基準とするので前述の従来例と同等
の高精度が実現され、またＺ方向および０方向の精度も
前記端面１１と端面４２とを合致させる作業、すなわち
直線と直線とを合致させる作業を行えばよ＾ので極めて
容易に高めることができる。
（発明の効果）
以上の説明により明らかなように本発明の半導体素子用
ステムによれば、マウント部端面の凹部を基準として半
導体素子全搭載するので、搭載位置精度を容易に大幅に
高めることができるという効果が生じる。
ステムによれば、マウント部端面の凹部を基準として半
導体素子全搭載するので、搭載位置精度を容易に大幅に
高めることができるという効果が生じる。
第１図は半導体レーザチップのレーザ出射光のステムマ
ウント部表面での反射状態の概念金示す側面図、第２図
は半導体レーザチップの搭載位置精度を説明するための
平面図、第３図は従来の半導体素子用ステムにおけるス
テムマウント部の一例を示す斜視図、第４図は本発明の
半導体素子用ステムの一実施例におけるステムマウント
部ヲ示す斜視図および第５図は第４図における半導体素
子用ステムの使用例を示す平面図である。 図において、ｌ・・・・・・半導体レーザチップ、２゜
４・・・・−・ステムマウント部、３・・・・・・レー
ザ出射光。 １１、 ２２． ４２・・・・・・端面、２１．４１・
・・・・・表面。 ２３・・・・・・マーカ、４３・・・中門部。 ％ｔ 拐 享２０ 第４Ｖ グ２ 半夕圀
ウント部表面での反射状態の概念金示す側面図、第２図
は半導体レーザチップの搭載位置精度を説明するための
平面図、第３図は従来の半導体素子用ステムにおけるス
テムマウント部の一例を示す斜視図、第４図は本発明の
半導体素子用ステムの一実施例におけるステムマウント
部ヲ示す斜視図および第５図は第４図における半導体素
子用ステムの使用例を示す平面図である。 図において、ｌ・・・・・・半導体レーザチップ、２゜
４・・・・−・ステムマウント部、３・・・・・・レー
ザ出射光。 １１、 ２２． ４２・・・・・・端面、２１．４１・
・・・・・表面。 ２３・・・・・・マーカ、４３・・・中門部。 ％ｔ 拐 享２０ 第４Ｖ グ２ 半夕圀
Claims (1)
- 半導体素子を搭載するマウント部の端面に幅および奥行
き長がそれぞれ前記半導体素子の幅および奥行き長より
も小さい凹部を有することを特徴とする半導体素子用ス
テム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250120A JPS60140775A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体素子用ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250120A JPS60140775A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体素子用ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140775A true JPS60140775A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17203115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250120A Pending JPS60140775A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体素子用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140775A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0579440A2 (en) * | 1992-07-15 | 1994-01-19 | AT&T Corp. | Method of making an assembly including patterned film submount with self-aligned electronic device |
| EP0595502A1 (en) * | 1992-10-14 | 1994-05-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position |
| US6693871B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrated unit, optical pickup, and optical recording medium drive device |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58250120A patent/JPS60140775A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0579440A2 (en) * | 1992-07-15 | 1994-01-19 | AT&T Corp. | Method of making an assembly including patterned film submount with self-aligned electronic device |
| EP0579440A3 (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-09 | AT&T Corp. | Method of making an assembly including patterned film submount with self-aligned electronic device |
| EP0595502A1 (en) * | 1992-10-14 | 1994-05-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position |
| US5404368A (en) * | 1992-10-14 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position |
| US6693871B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrated unit, optical pickup, and optical recording medium drive device |
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