JP2001102667A - 半導体レーザー励起固体レーザー - Google Patents
半導体レーザー励起固体レーザーInfo
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- JP2001102667A JP2001102667A JP27863199A JP27863199A JP2001102667A JP 2001102667 A JP2001102667 A JP 2001102667A JP 27863199 A JP27863199 A JP 27863199A JP 27863199 A JP27863199 A JP 27863199A JP 2001102667 A JP2001102667 A JP 2001102667A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザー励起固体レーザーにおいて横
モードが高次化することを防止し、部品点数増加による
コスト増や調整困難化の問題も回避する。 【解決手段】 少なくとも固体レーザー結晶14を含んだ
共振器と、固体レーザー結晶14を励起する半導体レーザ
ー11とを備えた半導体レーザー励起固体レーザーにおい
て、共振器内に配される光学部品の少なくとも１つ、例
えば固体レーザー結晶14の光通過面14ａを、共振器光軸
に直交する少なくとも１つの方向において、１／ｅ2 径
として規定される固体レーザービーム20の直径の1.5〜
７倍のサイズとする。
モードが高次化することを防止し、部品点数増加による
コスト増や調整困難化の問題も回避する。 【解決手段】 少なくとも固体レーザー結晶14を含んだ
共振器と、固体レーザー結晶14を励起する半導体レーザ
ー11とを備えた半導体レーザー励起固体レーザーにおい
て、共振器内に配される光学部品の少なくとも１つ、例
えば固体レーザー結晶14の光通過面14ａを、共振器光軸
に直交する少なくとも１つの方向において、１／ｅ2 径
として規定される固体レーザービーム20の直径の1.5〜
７倍のサイズとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザー励起
固体レーザーに関し、特に詳細には、横モードが高次化
することを防止した半導体レーザー励起固体レーザーに
関するものである。
固体レーザーに関し、特に詳細には、横モードが高次化
することを防止した半導体レーザー励起固体レーザーに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開平７−３０２９４６号に示さ
れるように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レ
ーザー結晶を半導体レーザー（レーザーダイオード）に
よってポンピングする半導体レーザー励起固体レーザー
が公知となっている。この半導体レーザー励起固体レー
ザーにおいては、上記特開平７−３０２９４６号にも示
されている通り、共振器内に光波長変換素子を配して、
発振した固体レーザービームを第２高調波等に波長変換
（短波長化）することも広く行なわれている。
れるように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レ
ーザー結晶を半導体レーザー（レーザーダイオード）に
よってポンピングする半導体レーザー励起固体レーザー
が公知となっている。この半導体レーザー励起固体レー
ザーにおいては、上記特開平７−３０２９４６号にも示
されている通り、共振器内に光波長変換素子を配して、
発振した固体レーザービームを第２高調波等に波長変換
（短波長化）することも広く行なわれている。
【０００３】ところで、上述のような半導体レーザー励
起固体レーザーにおいては、共振器内に配された光学部
品の欠陥や、その光通過面に付着した微小な異物等によ
り、横モードが高次化してしまう現象が認められる。こ
の現象を抑制するために、従来、例えば特開平１１−１
０３１１５号に示されるように、０次モード光の周囲部
の光路を遮断する遮光部品を設けたり、あるいは特開平
１１−１０９４２６号に示されるように共振器内にアパ
ーチャやスリットを挿入することが提案されている。
起固体レーザーにおいては、共振器内に配された光学部
品の欠陥や、その光通過面に付着した微小な異物等によ
り、横モードが高次化してしまう現象が認められる。こ
の現象を抑制するために、従来、例えば特開平１１−１
０３１１５号に示されるように、０次モード光の周囲部
の光路を遮断する遮光部品を設けたり、あるいは特開平
１１−１０９４２６号に示されるように共振器内にアパ
ーチャやスリットを挿入することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の遮光部
品、アパーチャあるいはスリットを設けると、当然なが
らレーザーの部品点数が増えるので、それによってレー
ザーのコストが高くついたり、さらには調整が困難にな
るという問題が生じる。
品、アパーチャあるいはスリットを設けると、当然なが
らレーザーの部品点数が増えるので、それによってレー
ザーのコストが高くついたり、さらには調整が困難にな
るという問題が生じる。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、横モードが高次化することを防止可能で、しか
も部品点数増加によるコスト増や調整困難化の問題も回
避できる半導体レーザー励起固体レーザーを提供するこ
とを目的とする。
であり、横モードが高次化することを防止可能で、しか
も部品点数増加によるコスト増や調整困難化の問題も回
避できる半導体レーザー励起固体レーザーを提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザー励起固体レーザーは、少なくとも固体レーザー結晶
を含んだ共振器と、固体レーザー結晶を励起する半導体
レーザーとを備えた半導体レーザー励起固体レーザーに
おいて、共振器内に配される光学部品の少なくとも１つ
の光通過面が、共振器光軸に直交する少なくとも１つの
方向において、１／ｅ2 径として規定される固体レーザ
ービーム直径（該光通過面における直径）の1.5〜７倍
のサイズとされていることを特徴とするものである。
ザー励起固体レーザーは、少なくとも固体レーザー結晶
を含んだ共振器と、固体レーザー結晶を励起する半導体
レーザーとを備えた半導体レーザー励起固体レーザーに
おいて、共振器内に配される光学部品の少なくとも１つ
の光通過面が、共振器光軸に直交する少なくとも１つの
方向において、１／ｅ2 径として規定される固体レーザ
ービーム直径（該光通過面における直径）の1.5〜７倍
のサイズとされていることを特徴とするものである。
【０００７】なお１／ｅ2 径とは、ビーム強度が、ビー
ム中心強度の１／ｅ2 以上となっている範囲のビーム直
径である。
ム中心強度の１／ｅ2 以上となっている範囲のビーム直
径である。
【０００８】また上述の光学部品は、例えば固体レーザ
ー結晶であることが望ましい。また、固体レーザービー
ムを波長変換する非線形光学結晶が共振器内に配される
場合は、その非線形光学結晶であってもよい。
ー結晶であることが望ましい。また、固体レーザービー
ムを波長変換する非線形光学結晶が共振器内に配される
場合は、その非線形光学結晶であってもよい。
【０００９】
【発明の効果】固体レーザー結晶を含んだ共振器におい
ては、共振器内をジグザグに複数回往復する高次の横モ
ードが存在する。この高次モードは、励起体積が大きい
ほど発振しやすくなっている。また、０次横モード光よ
りも外側の光路を通る高次モードも存在する。したがっ
て、この０次横モード光の外側の光路を遮断してやれ
ば、この高次モードの発振を抑制することができる。
ては、共振器内をジグザグに複数回往復する高次の横モ
ードが存在する。この高次モードは、励起体積が大きい
ほど発振しやすくなっている。また、０次横モード光よ
りも外側の光路を通る高次モードも存在する。したがっ
て、この０次横モード光の外側の光路を遮断してやれ
ば、この高次モードの発振を抑制することができる。
【００１０】上述した通り本発明の半導体レーザー励起
固体レーザーでは、共振器内に配された光学部品の少な
くとも１つの光通過面が、共振器光軸に直交する少なく
とも１つの方向において、固体レーザービーム直径の1.
5〜７倍のサイズとされていることにより、０次横モー
ド光の外側の光路を遮断したのと同様の効果が得られ
る。すなわち、光学部品の光通過面のサイズを上記のよ
うに設定しておくと、ジグザグに複数回往復する光がこ
の光学部品の外側を通ったり、あるいはこの光学部品の
エッジ部分をかすめるようになって損失が大きくなり、
発振不可能となる。それにより本発明の半導体レーザー
励起固体レーザーにおいては、高次モードの発振が確実
に抑制される。
固体レーザーでは、共振器内に配された光学部品の少な
くとも１つの光通過面が、共振器光軸に直交する少なく
とも１つの方向において、固体レーザービーム直径の1.
5〜７倍のサイズとされていることにより、０次横モー
ド光の外側の光路を遮断したのと同様の効果が得られ
る。すなわち、光学部品の光通過面のサイズを上記のよ
うに設定しておくと、ジグザグに複数回往復する光がこ
の光学部品の外側を通ったり、あるいはこの光学部品の
エッジ部分をかすめるようになって損失が大きくなり、
発振不可能となる。それにより本発明の半導体レーザー
励起固体レーザーにおいては、高次モードの発振が確実
に抑制される。
【００１１】この効果が顕著に得られるのは、上記光学
部品の光通過面のサイズが固体レーザービーム直径の７
倍以下になっている場合である。具体的に、本発明者の
実験によると、この光通過面のサイズが固体レーザービ
ーム直径の７倍を超えて7.5倍となっている場合、半導
体レーザー励起固体レーザー個体間のレーザービームの
ビーム拡がり角のばらつきは15％p-p（ピーク・トゥ・
ピーク）であったのに対し、その光通過面のサイズを固
体レーザービーム直径の７倍にした場合、上記ばらつき
は３％p-pに抑えられた。このばらつきが低いのは、横
モードが高次化していないからと考えられる。
部品の光通過面のサイズが固体レーザービーム直径の７
倍以下になっている場合である。具体的に、本発明者の
実験によると、この光通過面のサイズが固体レーザービ
ーム直径の７倍を超えて7.5倍となっている場合、半導
体レーザー励起固体レーザー個体間のレーザービームの
ビーム拡がり角のばらつきは15％p-p（ピーク・トゥ・
ピーク）であったのに対し、その光通過面のサイズを固
体レーザービーム直径の７倍にした場合、上記ばらつき
は３％p-pに抑えられた。このばらつきが低いのは、横
モードが高次化していないからと考えられる。
【００１２】なお、上記光学部品の光通過面のサイズ
を、固体レーザービーム直径の1.5倍よりも小さくする
と、０次横モード光自身の裾部のケラレにより、出力が
大きく低下してしまう。具体的に、上記光学部品の光通
過面のサイズが、固体レーザービーム直径の1.5倍以上
であれば、上記ケラレによる損失は事実上無視できる１
％程度に抑えることができる。上記光学部品の光通過面
のサイズが固体レーザービーム直径の1.5倍未満である
と、共振器内に貯えられる固体レーザービームのパワー
が、該サイズが固体レーザービーム直径の３倍以上の場
合と比べて１／２未満になってしまい、また特に波長変
換を行なう場合は波長変換波の出力が１／４未満になっ
てしまうので、実用には不適となる。
を、固体レーザービーム直径の1.5倍よりも小さくする
と、０次横モード光自身の裾部のケラレにより、出力が
大きく低下してしまう。具体的に、上記光学部品の光通
過面のサイズが、固体レーザービーム直径の1.5倍以上
であれば、上記ケラレによる損失は事実上無視できる１
％程度に抑えることができる。上記光学部品の光通過面
のサイズが固体レーザービーム直径の1.5倍未満である
と、共振器内に貯えられる固体レーザービームのパワー
が、該サイズが固体レーザービーム直径の３倍以上の場
合と比べて１／２未満になってしまい、また特に波長変
換を行なう場合は波長変換波の出力が１／４未満になっ
てしまうので、実用には不適となる。
【００１３】そして本発明の半導体レーザー励起固体レ
ーザーは、横モードが高次化することを抑制するために
新たな部品を必要とするものではないから、部品点数増
加によるコスト増や調整困難化の問題も回避できる。
ーザーは、横モードが高次化することを抑制するために
新たな部品を必要とするものではないから、部品点数増
加によるコスト増や調整困難化の問題も回避できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
による半導体レーザー励起固体レーザーの側面形状を示
すものである。この半導体レーザー励起固体レーザー
は、励起光としてのレーザービーム10を発する半導体レ
ーザー11と、発散光である上記レーザービーム10を集光
する集光レンズ13と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープされ
た固体レーザー結晶であるＹＶＯ4 結晶（以下、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶と称する）14と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
14の前方側（図中右方側）に配された共振器ミラー15
と、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14と共振器ミラー15との間に配
された光波長変換素子16、ブリュースター板17およびエ
タロン18とを有している。
施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
による半導体レーザー励起固体レーザーの側面形状を示
すものである。この半導体レーザー励起固体レーザー
は、励起光としてのレーザービーム10を発する半導体レ
ーザー11と、発散光である上記レーザービーム10を集光
する集光レンズ13と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープされ
た固体レーザー結晶であるＹＶＯ4 結晶（以下、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶と称する）14と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
14の前方側（図中右方側）に配された共振器ミラー15
と、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14と共振器ミラー15との間に配
された光波長変換素子16、ブリュースター板17およびエ
タロン18とを有している。
【００１５】光波長変換素子16は、非線形光学材料であ
る、ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメ
イン反転構造が設けられてなるものである。ブリュース
ター板17は偏光制御素子として作用し、またエタロン18
は発振波長を単一化させる波長選択素子として作用す
る。
る、ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメ
イン反転構造が設けられてなるものである。ブリュース
ター板17は偏光制御素子として作用し、またエタロン18
は発振波長を単一化させる波長選択素子として作用す
る。
【００１６】半導体レーザー11は、波長 809ｎｍのレー
ザービーム10を発するものが用いられている。Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14は、上記レーザービーム10によってネオジ
ウムイオンが励起されることにより、波長1064ｎｍの光
を発する。そしてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14の後方端面14ａ
と共振器ミラー15のミラー面15ａとで構成される共振器
によりレーザー発振が引き起こされて、波長1064ｎｍの
固体レーザービーム20が得られる。このレーザービーム
20は光波長変換素子16に入射して、波長が１／２すなわ
ち 532ｎｍの第２高調波21に変換される。
ザービーム10を発するものが用いられている。Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14は、上記レーザービーム10によってネオジ
ウムイオンが励起されることにより、波長1064ｎｍの光
を発する。そしてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14の後方端面14ａ
と共振器ミラー15のミラー面15ａとで構成される共振器
によりレーザー発振が引き起こされて、波長1064ｎｍの
固体レーザービーム20が得られる。このレーザービーム
20は光波長変換素子16に入射して、波長が１／２すなわ
ち 532ｎｍの第２高調波21に変換される。
【００１７】共振器ミラー15のミラー面15ａには、励起
光であるレーザービーム10および固体レーザービーム20
は高反射率で反射し、第２高調波21は透過させるコート
が施されており、したがってこの共振器ミラー15からは
ほぼ第２高調波21のみが出射する。
光であるレーザービーム10および固体レーザービーム20
は高反射率で反射し、第２高調波21は透過させるコート
が施されており、したがってこの共振器ミラー15からは
ほぼ第２高調波21のみが出射する。
【００１８】なお本例において、共振器ミラー15は曲率
半径が50ｍｍの凹面鏡であり、そのミラー面15ａとＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶14の後方端面14ａとの間の距離つまり
共振器長（図１中のＬ寸法）は、約10ｍｍとされてい
る。
半径が50ｍｍの凹面鏡であり、そのミラー面15ａとＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶14の後方端面14ａとの間の距離つまり
共振器長（図１中のＬ寸法）は、約10ｍｍとされてい
る。
【００１９】ここで図２に示すように、Ｎｄ：ＹＶＯ4
結晶14は直方体状に加工されたものであり、その１つの
光通過面である後方端面14ａのサイズは0.5ｍｍ×0.5ｍ
ｍである。またＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14は、後方端面14ａ
が共振器光軸に対して垂直となる向きに配されている。
結晶14は直方体状に加工されたものであり、その１つの
光通過面である後方端面14ａのサイズは0.5ｍｍ×0.5ｍ
ｍである。またＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14は、後方端面14ａ
が共振器光軸に対して垂直となる向きに配されている。
【００２０】そしてこの後方端面14ａの位置において、
固体レーザービーム20の直径（１／ｅ2 径）は160μｍ
である。したがって本実施形態の場合、共振器光軸に直
交するｘ方向およびｙ方向において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結
晶14の後方端面14ａのサイズは、それぞれ固体レーザー
ビーム20の直径の1.5〜７倍の範囲に含まれる約3.1倍と
なっている。そこで、この半導体レーザー励起固体レー
ザーにおいては、横モードが高次化することが確実に防
止される。その理由は、先に詳しく説明した通りであ
る。
固体レーザービーム20の直径（１／ｅ2 径）は160μｍ
である。したがって本実施形態の場合、共振器光軸に直
交するｘ方向およびｙ方向において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結
晶14の後方端面14ａのサイズは、それぞれ固体レーザー
ビーム20の直径の1.5〜７倍の範囲に含まれる約3.1倍と
なっている。そこで、この半導体レーザー励起固体レー
ザーにおいては、横モードが高次化することが確実に防
止される。その理由は、先に詳しく説明した通りであ
る。
【００２１】具体的に、上記Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14に代
えて光通過面のサイズが３ｍｍ×３ｍｍであるＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶を用い、その他の構成は上記実施形態と同様
とした比較例においては、０次横モードと高次横モード
とが混じって発振していたのが確認された。それに対し
て上記実施形態の半導体レーザー励起固体レーザーで
は、安定した０次横モード発振状態が得られた。
えて光通過面のサイズが３ｍｍ×３ｍｍであるＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶を用い、その他の構成は上記実施形態と同様
とした比較例においては、０次横モードと高次横モード
とが混じって発振していたのが確認された。それに対し
て上記実施形態の半導体レーザー励起固体レーザーで
は、安定した０次横モード発振状態が得られた。
【００２２】以上、固体レーザー結晶であるＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶の光通過面を、共振器光軸に直交する少なくと
も１つの方向において、固体レーザービーム直径の1.5
〜７倍のサイズとした実施形態について説明したが、本
発明においてこのように光通過面のサイズを規定する光
学部品は固体レーザー結晶に限られるものではなく、図
１の構成においては光波長変換素子16の光通過面のサイ
ズを上述のように規定しても、固体レーザービームの横
モードが高次化することを防止できる。そのような例と
して、次に本発明の第２実施形態を説明する。
Ｏ4 結晶の光通過面を、共振器光軸に直交する少なくと
も１つの方向において、固体レーザービーム直径の1.5
〜７倍のサイズとした実施形態について説明したが、本
発明においてこのように光通過面のサイズを規定する光
学部品は固体レーザー結晶に限られるものではなく、図
１の構成においては光波長変換素子16の光通過面のサイ
ズを上述のように規定しても、固体レーザービームの横
モードが高次化することを防止できる。そのような例と
して、次に本発明の第２実施形態を説明する。
【００２３】この第２実施形態の半導体レーザー励起固
体レーザーは、図１に示した第１実施形態と比べると、
光波長変換素子16に代えて図３に示す光波長変換素子30
が用いられた点が異なり、その他の点は基本的に第１実
施形態と同様に形成されたものである。光波長変換素子
30は、非線形光学材料である、ＭｇＯがドープされたＬ
ｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメイン反転構造が設けられてな
るものである。
体レーザーは、図１に示した第１実施形態と比べると、
光波長変換素子16に代えて図３に示す光波長変換素子30
が用いられた点が異なり、その他の点は基本的に第１実
施形態と同様に形成されたものである。光波長変換素子
30は、非線形光学材料である、ＭｇＯがドープされたＬ
ｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメイン反転構造が設けられてな
るものである。
【００２４】図３に示される通り光波長変換素子30は、
その１つの光通過面である後方端面30ａのサイズが1.8
ｍｍ×0.5ｍｍのものである。そしてこの場合も、後方
端面30ａの位置において、固体レーザービーム20の直径
（１／ｅ2 径）は160μｍである。
その１つの光通過面である後方端面30ａのサイズが1.8
ｍｍ×0.5ｍｍのものである。そしてこの場合も、後方
端面30ａの位置において、固体レーザービーム20の直径
（１／ｅ2 径）は160μｍである。
【００２５】したがって本実施形態の場合、共振器光軸
に直交するｙ方向つまり結晶厚み方向において、光波長
変換素子30の後方端面30ａのサイズは、固体レーザービ
ーム20の直径の1.5〜７倍の範囲に含まれる約3.1倍とな
っている。そこで、この半導体レーザー励起固体レーザ
ーにおいては、光波長変換素子30の厚み方向において、
横モードが高次化することが防止される。
に直交するｙ方向つまり結晶厚み方向において、光波長
変換素子30の後方端面30ａのサイズは、固体レーザービ
ーム20の直径の1.5〜７倍の範囲に含まれる約3.1倍とな
っている。そこで、この半導体レーザー励起固体レーザ
ーにおいては、光波長変換素子30の厚み方向において、
横モードが高次化することが防止される。
【００２６】なお、上記光波長変換素子30を切断して、
その後方端面30ａの幅方向つまりｘ方向のサイズを、固
体レーザービーム20の直径の1.5〜７倍の範囲に含まれ
る値（最大で約1.1ｍｍ）にすれば、光波長変換素子30
の幅方向において横モードが高次化することも防止でき
る。さらに光波長変換素子30を、非線形光学材料であ
る、ＺｎＯがドープされたＬｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメ
イン反転構造が設けられてなるものとしても、同様の効
果を得ることができる。
その後方端面30ａの幅方向つまりｘ方向のサイズを、固
体レーザービーム20の直径の1.5〜７倍の範囲に含まれ
る値（最大で約1.1ｍｍ）にすれば、光波長変換素子30
の幅方向において横モードが高次化することも防止でき
る。さらに光波長変換素子30を、非線形光学材料であ
る、ＺｎＯがドープされたＬｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメ
イン反転構造が設けられてなるものとしても、同様の効
果を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザー励
起固体レーザーを示す概略側面図
起固体レーザーを示す概略側面図
【図２】図１の半導体レーザー励起固体レーザーに用い
られた固体レーザー結晶を示す斜視図
られた固体レーザー結晶を示す斜視図
【図３】本発明の第２実施形態の半導体レーザー励起固
体レーザーに用いられた固体レーザー結晶を示す斜視図
体レーザーに用いられた固体レーザー結晶を示す斜視図
10 レーザービーム（励起光） 11 半導体レーザー 13 集光レンズ 14 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 14ａ Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の光通過面 15 共振器ミラー 16 光波長変換素子 17 ブリュースター板 18 エタロン 20 レーザービーム（固体レーザービーム） 21 第２高調波 30 光波長変換素子 30ａ 光波長変換素子の光通過面
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも固体レーザー結晶を含んだ共
振器と、前記固体レーザー結晶を励起する半導体レーザ
ーとを備えた半導体レーザー励起固体レーザーにおい
て、 前記共振器内に配された光学部品の少なくとも１つの光
通過面が、共振器光軸に直交する少なくとも１つの方向
において、１／ｅ2 径として規定される固体レーザービ
ーム直径の1.5〜７倍のサイズとされていることを特徴
とする半導体レーザー励起固体レーザー。 - 【請求項２】 前記共振器内に、固体レーザービームを
波長変換する非線形光学結晶が配されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザー励起固体レーザ
ー。 - 【請求項３】 前記光学部品が固体レーザー結晶である
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ
ー励起固体レーザー。 - 【請求項４】 前記光学部品が前記非線形光学結晶であ
ることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザー励起
固体レーザー。 - 【請求項５】 前記非線形光学結晶が周期ドメイン反転
構造を有するものであることを特徴とする請求項３また
は４記載の半導体レーザー励起固体レーザー。 - 【請求項６】 前記周期ドメイン反転構造を有する非線
形光学結晶が、ＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたＬ
ｉＮｂＯ3 結晶であることを特徴とする請求項５記載の
半導体レーザー励起固体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27863199A JP2001102667A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 半導体レーザー励起固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27863199A JP2001102667A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 半導体レーザー励起固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102667A true JP2001102667A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17599976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27863199A Withdrawn JP2001102667A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 半導体レーザー励起固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001102667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015510273A (ja) * | 2012-02-13 | 2015-04-02 | リアルディー インコーポレイテッド | レーザアーキテクチャ |
| JP2018005034A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置及び波長変換素子 |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP27863199A patent/JP2001102667A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015510273A (ja) * | 2012-02-13 | 2015-04-02 | リアルディー インコーポレイテッド | レーザアーキテクチャ |
| JP2018005034A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置及び波長変換素子 |
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|---|---|---|---|
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