JP2015510273A - レーザアーキテクチャ - Google Patents

レーザアーキテクチャ Download PDF

Info

Publication number
JP2015510273A
JP2015510273A JP2014556795A JP2014556795A JP2015510273A JP 2015510273 A JP2015510273 A JP 2015510273A JP 2014556795 A JP2014556795 A JP 2014556795A JP 2014556795 A JP2014556795 A JP 2014556795A JP 2015510273 A JP2015510273 A JP 2015510273A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
architecture
vcsel
mirror
resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014556795A
Other languages
English (en)
Inventor
ヴァンルーウェン、ロバート
シュウ、ビン
ショーン、イハン
スラン、ジャン−フランソワ
ゴーシュ、チュニ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RealD Inc
Original Assignee
RealD Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RealD Inc filed Critical RealD Inc
Publication of JP2015510273A publication Critical patent/JP2015510273A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0604Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
    • H01S5/0605Self doubling, e.g. lasing and frequency doubling by the same active medium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/0813Configuration of resonator
    • H01S3/0815Configuration of resonator having 3 reflectors, e.g. V-shaped resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388Lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

本明細書では、VCSELシステム用アーキテクチャが開示される。(複数の)高パワーIR VCSEL素子を使用することによって、バルク状2逓倍部材を使用することで、連続波(CW)モード又はパルスモードのいずれにおいても、共振器内で、IR光を2逓倍し、可視光(赤色光、緑色光、青色光、又はUV光)を生成することができる。これらのVCSELの出力用の分布ブラッグ反射器(DBR)の反射率は、VCSEL型レーザのパワーではなく、共振器のパワーを増加させるように設計してもよい。共振器内でバルク状2逓倍部材の使用を可能にし、かつVCSELを直接的に2逓倍することにより、前記装置を安価で、単純で、高効率で、信頼性が高く、かつ製作公差及びアライメント公差が大幅に改善したものとすることができる。前記(複数の)VCSELからのIR光を2逓倍するために使用できる、多くの共振器のアーキテクチャがある。前記(複数の)VCSELは、単一の素子であってもよいし、高強度の素子を有するアレイであってもよい。

Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、2012年2月13日に出願され、発明の名称が「Laser architectures」である、米国特許仮出願第61/598,175号に関し、かつその優先権を主張するものであり、その全体が本明細書に参照により援用される。
(発明の分野)
概して、本開示は、レーザに関し、より具体的には、高パワー赤外線レーザ技術、並びに、高パワー可視レーザを作り出すために使用される、周波数2逓倍器、固体レーザ、垂直共振器面発光レーザ、及びダイオードを含む、構成部品に関する。
一般的に、赤色、緑色、青色及び紫外線(UV)レーザには、照明、医療、材料加工、溶接、及びディスプレイにおいて、多くの潜在的用途がある。これらの様々な市場/技術分野での使用のためにレーザを選択する場合に考慮され得るレーザのパラメータとして、費用、信頼性、効率、サイズ、及びパワーがある。これらのパラメータが若干異なった方法で評価される多くの異なる区分を有する市場の例として、ディスプレイがある。コンシューマ向けのディスプレイ市場では、費用、効率性、及びサイズが重要なパラメータとなるであろうし、一方で、プロフェッショナル向けのディスプレイ市場では、信頼性、高パワー及び費用が主要なパラメータとなるであろう。安価で、信頼性があり、高効率な緑色、赤色、又は青色の光源は、上記の全ての用途で重要である。プロフェッショナル向けのディスプレイ用途に適切な波長の、高パワーのダイレクト光源(垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)又は端面発光ダイオードなど)は、未だ存在していないため、このような緑色レーザ光源は、特に関連性が高い。
一般的に、フルカラーのディスプレイは、少なくとも赤色光源、緑色光源、及び青色光源を使用している。映画館で用いられるときには、これらの色を、特定の領域の中に納めて、映画産業によって設定された規格、より具体的には、デジタル・シネマ・イニシアティブ(Digital Cinema Initiative)に準拠する必要がある。映画に対して認められているおおよその色域は、赤色すなわち616〜650nm、緑色すなわち523〜545nm、及び青色すなわち455〜468nmと与えられている。しかしながら、コンシューマ向けのディスプレイ市場では、このような厳密な波長の要件がない。赤色及び青色ダイオードが利用可能となったことにより、バックライト用のレーザ及びコンシューマ向けのプロジェクタでの使用に対する関心が高まっている。ダイレクトレーザ光源は、費用効果があり、信頼性があり、かつ効率的な光源である。しかしながら、現在のところ、ディスプレイで必要とされる波長を有する、高パワーの、緑色のダイレクトレーザ光源は、存在しない。それ故、緑色は、重要なレーザ技術であり、当該技術分野では、高パワーで、効率的な緑色のダイレクト光源に対する需要がある。加えて、現在のところ、赤色レーザには、非常に厳密な冷却要件が必要とされ、かつその寿命は比較的限られたものとなっている。
本明細書では、VCSEL系レーザシステム用の新規なアーキテクチャ、並びに、それに関連して、VCSELシステムからの、生成された光を2逓倍して、赤色光、緑色光、又は青色光を生成する方法が開示される。高パワーIR VCSEL素子のアレイを用いる、有利な実施形態では、バルク(例えば、結晶)状の2逓倍部材を使用することで、連続波(CW)モード又はパルスモードのいずれにおいても、外部共振器内で、赤外(IR)光を2逓倍し、「可視」光(赤色光、緑色光、青色光、又はUV光)を生成できる。バルク状2逓倍部材の使用を可能にすることにより、かつVCSELの周波数を直接的に2逓倍することにより、前記装置を安価で、単純で、高効率で、信頼性が高く、かつ製作公差及びアライメント公差が大幅に改善したものとすることができる。更に、PPLN(周期的分極反転ニオブ酸リチウム)又は他の周期的分極反転材料を、周波数2逓倍器として使用した場合、高パワーアレイ素子を使用することで、短尺材料(0.2mm〜4mm)を使用することが可能になる。前記材料が長尺になるにつれ、アライメント、温度、及び波長に対して、より敏感になるため、この点は、重要である。開示される原理により、VCSEL型レーザからのIR光を2逓倍するために使用できる、多くの共振器のアーキテクチャが示され、(複数の)VCSELは単一の素子であってもよいし、高強度の素子を有するアレイであってもよい。
一実施形態では、垂直共振器面発光レーザシステム用のアーキテクチャは、少なくとも1つの垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)素子を備えてもよい。このような例示的なアーキテクチャは、VCSEL素子に隣接する共振器内に位置し、かつ、VCSEL素子から発せられる光を受光し、受光した光の周波数を実質的に2逓倍する、バルク状結晶2逓倍部材を、更に備えてもよい。また、このアーキテクチャの実施形態は、共振器からの2逓倍された光を出力する、出力カプラを備え、ディスプレイ照明において使用するために、可視光を出力してもよい。
他の実施形態では、垂直共振器面発光レーザシステム用のアーキテクチャは、赤外光を発する、少なくとも1つの垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)素子と、少なくとも1つのVCSEL素子と赤外光に対して高反射性であるミラーとの間に画定された共振器と、を備えてもよい。このような例示的なアーキテクチャは、共振器内に位置し、かつ、VCSEL素子から発せられる赤外光を受光し、受光した赤外光の周波数を実質的に2逓倍して、可視光を出力する、バルク状結晶2逓倍部材を、更に備えてもよい。
更なる他の実施形態では、垂直共振器面発光レーザシステム用アーキテクチャは、赤外光を発する、少なくとも1つの垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)素子と、VCSEL素子に隣接する共振器内に位置し、かつ、VCSEL素子から発せられる赤外光を受光し、受光した赤外光の周波数を実質的に2逓倍して、可視光を出力する、バルク状結晶2逓倍部材と、を備えてもよい。このような例示的なアーキテクチャは、少なくとも1つのVCSEL素子の反対側の、2逓倍部材の端部上のコーティングであって、赤外光に対して高反射性である、コーティングを、更に備えてもよい。加えて、このようなアーキテクチャは、ほぼブリュースター角に配向され、かつ2逓倍部材からの2逓倍された光を受光し、2逓倍された光を使用のために出力する出力カプラとして使用される、エタロン又はダイクロイックミラーを、更に備えてもよい。
例示のために、実施形態が添付の図面に示され、図面において、類似する参照符号は、同様の部分を示す。
従来のVCSEL系装置の一実施形態を示す模式図である。 本開示による、VCSELアレイシステム用アーキテクチャの一実施形態を示す模式図である。 本開示による、様々なVCSELアレイの配置を示す模式図である。 本開示による、単一のVCSEL素子の周波数2逓倍の一実施形態を示す模式図である。 本開示による、VCSEL系光源のアーキテクチャの一実施形態を示す模式図であり、この実施形態では、2逓倍部材を2回(それぞれの方向に一回ずつ)通過した後に、共振器からパワーを抽出することができる。 本開示による、少なくともマイクロレンズアレイを備える、VCSEL系光源のアーキテクチャの、他の実施形態を示す模式図である。 本開示による、共振器内4F系を用いた、VCSEL系光源のアーキテクチャの一実施形態を示す模式図である。 本開示による、出力カプラを用いて4F系を折り返す、VCSEL系光源のアーキテクチャの一実施形態を示す模式図である。
概ね、本開示によるVCSEL系光源の一実施形態は、(複数の)高パワーIR VCSEL素子が使用されてもよい、VCSELシステム用アーキテクチャの形態をとることができる。バルク状結晶2逓倍部材を使用することで、連続波モード又はパルスモードのいずれにおいても、外部共振器内で、IR光を2逓倍し、「可視」光(赤色光、緑色光、青色光、又はUV光)を生成することができる。これらのVCSELの出力用の分布ブラッグ反射器(DBR)の反射率は、VCSEL型レーザのパワーではなく、外部共振器のパワーを増加させるように設計してもよい。より短尺な、バルク状2逓倍部材又は周期的分極反転2逓倍部材のいずれかの使用を可能にすることにより、かつVCSELのパワーを直接的に2逓倍することにより、前記装置を安価で、単純で、より高効率で、信頼性が高く、かつ製作公差及びアライメント公差を大幅に向上させたものとすることができる。開示される原理による、(複数の)VCSELからのIR光を2逓倍するために使用できる、多くの共振器のアーキテクチャが示され、(複数の)VCSELは、単一の素子であってもよいし、高強度の素子を有するアレイであってもよい。このようなアレイは、各素子が高パワーであるよう設計され、かつ外部共振器のパワーが増加するように設計かつ作製される。実際には、商業的に実用性のあるものとするため、アレイが、共振器の外部へ対して、全体的なパワーを十分に生成することが求められる。必要とされる出力のワット数の例は、可視パワーで、3Wから、可能性としては数百ワットの範囲となる。
一般的に、緑色/青色/赤色レーザに対しては、複数の手法が存在する。光の波長が重要とされない、非常に低パワーな用途に対しては、およそ50〜100mWの範囲内のダイレクトダイオードを、適切な波長範囲内で使用することができる。例えば、これらのダイオードは、コンシューマ市場向けの、小型でモバイル型の、「ピコ」プロジェクタにおいて、関心がもたれている。しかしながら、高パワー用途に対しては、これらの光源は有用ではない。より高パワーな用途に対し、従来の手法では、固体レーザによって生成された赤外波長を、非線形結晶を用いて2逓倍したものが一般的に用いられている。典型的な例としては、結晶やドープガラスを使用した、ファイバーレーザや固体レーザ(例えば、YAGレーザなど)の2逓倍を挙げることができ、これらは、ランプ又はダイオードでポンピングされる。これらのレーザは、高パワーで、2逓倍できる高品質なIR光を生成できる。高強度かつ高品質であることは、IR光を効率的に2逓倍して可視光又はUV光を作り出す(例えば、1064nmを、532nm(緑色光)に2逓倍したり、1232nmを、616nm(赤色光)に2逓倍したりする)ために重要である。これらの2逓倍を行う現行の固体光源では、およそ数ワット〜数千ワットの範囲で、緑色波長の大きなパワーを生成できるが、固体光源は、高価で、複雑で、高効率とは言えず、かつ信頼性のあるものとすることが困難である。例えば、およそ5〜2000ワットの可視光が適切であるプロフェッショナル向けのディスプレイ用途では、一般に、およそ30,000時間以上が必要とされる。
生産が行われてきた緑色又は青色レーザの他の形態では、図1に示されたVCSELアレイの例示的な実施形態のような、VCSELアレイが使用されている。図1は、従来のVCSEL系装置100の一実施形態を示す模式図である。残念なことであるが、典型的に、VCSEL素子自体は、上に示したような好ましい用途で必要とされるような、適切なパワーを出力しない。例えば、VCSELの出力は、およそ150mW以下であり、VCSELアレイの例においては、例えば、およそ1〜10ナノメートルの範囲を超える波長分散を有している。それ故、典型的な低パワーVCSEL素子又はVCSELアレイは、従来のアーキテクチャによって、効率的に周波数2逓倍を行うことが困難な場合がある。しかしながら、VCSELを使用する利点は、VCSELが、非常に信頼性が高く、かつ高品質なIR光を生成する点である。
図1は、市販されている(Necsel/Ushio製)このようなVCSEL系装置100の図を示す。VCSEL装置100は、赤外VCSELアレイ110と、PPLN周波数2逓倍器120と、特殊な出力カプラ(この実施形態では、ボリューム・ブラッグ・グレーティング(volume Bragg grating)(VBG))130と、フォーカスレンズ140と、出力された光を搬送するマルチモードファイバー150と、を備える。VCSELアレイ110から照射された光は、最初にダイクロイックミラー160を通過する。第1の経路はダイクロックミラー160を通過して、光の周波数を2逓倍するために、周波数2逓倍器120を照射する。その後、その光は、ボリューム・ブラッグ・グレーティング(VBG)130(この実施形態では、出力カプラとして機能する)に移動する。共振器内の周波数の広がりを減少させて、長尺かつ非常に敏感な(しかし、効率的な)周期的分極反転2逓倍結晶120によって、低パワーな素子を2逓倍し得るようにする、従来のアーキテクチャでは、このタイプの出力カプラが、必要とされる。2逓倍器120が長尺(>4mm)であることにより、VBG 130を使用し、共振器内のIR周波数の広がりを狭め、周期的分極反転2逓倍器120に対して最良の周波数に固定することが必要となっている。長尺な周期的分極反転2逓倍器120及びVBG出力カプラ130は共に、非常に狭い波長、温度、及びアライメントの公差を有しており、それ故、レーザ全体の費用や信頼性に悪影響が及んでしまう。VBG 130は、限られた周波数のIR光を反射し、そのIR光が、2逓倍器120を通過して戻っていくことができるようにする。その後、2逓倍器120によって、そのIR光の一部が更に、2逓倍した周波数へと変換されてから、ダイクロイックミラー160によって反射され、その後、ミラー170によってフォーカスレンズ140へ向かって反射される。フォーカスレンズ140及びミラー170は、共振器の内側にあるものとは見なされていない。フォーカスレンズ140は、第1の経路及び第2の経路をマルチモードファイバー150へと収束させ、その後、収束された光は、画像を照射するために装置100から移動することができる。しかしながら、自由空間へのビーム出力が所望される場合もあるため、フォーカスレンズ140及びファイバー150は必須ではない。
2逓倍されている第1の経路上の光について具体的に述べると、周波数2逓倍器120は、上述したように、周期的分極反転ニオブ酸リチウム結晶(PPLN)であってもよい。ここで、光の周波数の2逓倍において、より効率的に行うために、バルク状2逓倍結晶ではなく、PPLNが用いられてもよい。VCSELビームの強度が低いことに起因して、PPLNが用いられてもよい。しかしながら、PPLNが長尺であることにより、いくつかの重大な懸念事項が発生し得る。第1に、PPLNは、バルク状の2逓倍結晶よりも高価である場合がある。第2に、PPLNは、良好な動作のために、アライメント、IR光の波長、及び温度において、非常に狭い公差を有する。それ故、結晶の長さに応じて、PPLNの温度を、およそ摂氏0.1度程度に、能動的に制御しなければならない。このような、厳格な温度の制御システムは高価であり、かつ信頼性という観点からは課題が残っている。
また、PPLNが効率的に2逓倍できる波長分散には、課題が多い。PPLNの長さに応じて、前記波長分散は、典型的に、0.1nm程度になり得る。この狭い公差により、アレイの全ての素子が効率的に2逓倍され得るように、典型的には、図1の従来のアーキテクチャで説明したような共振器内のVBGなどの、波長制御デバイスの使用が必要とされる。典型的には、適切な帯域幅の狭さのため、単純なエタロンを使用して、帯域幅を狭めることができないことが、示唆されるであろう。結果として、典型的には、作製の困難なボリューム・ブラッグ・グレーティングが、出力カプラ130として用いられる。大量生産においては、このボリュームグレーティングが、光学系の中で最も高価な素子となる場合がある。PPLNとVBGの両方が、同様に、狭い角度公差を有するため、構成全体の大量生産及び温度変化を伴う作業の実現を困難なものとしている。このように、この手法を使用して、数ワットの低パワー装置が生産されてきたが、高パワー用途向けのこのような装置の製造には、より多くの問題がある。
Princeton Optronics(Mercerville,New Jersey)では、独特な特性を有するVCSELを製造することが可能になっている。個々のVCSEL素子は、高パワー(例えば、およそ150mW超)を示し、非常に信頼性が高く(例えば、100,000時間超)、良好な光学品質を有しており、エネルギーの捕捉を改善させるために、VCSEL素子上に作製されたマイクロレンズを備えていてもよい。このVCSEL及び対応する特性については、米国特許第6,888,871号の「VCSEL and VCSEL Array Having Integrated Microlenses For Use In A Semiconductor Laser Pumped Solid State System」、及び「High Power VCSEL Mature Into Production」,Laser Focus World,April 2011,pp.61〜65に、概ね述べられており、これら両方の全体が、あらゆる目的のため、本明細書に参照により援用される。
(複数の)高パワーIR VCSEL素子を使用し、バルク状結晶2逓倍部材又は短尺な周期的分極反転結晶又は他の2逓倍部材を使用することで、連続波モード又はパルスモードのいずれにおいても、外部共振器内で、IR光を2逓倍し、「可視」光(赤色光、緑色光、青色光、又はUV光など)を生成できる。バルク状結晶(KTPなど)を使用することにより、大きな(場合によっては四角い)2次元VCSELアレイの全ての素子を、同一の大きな2逓倍結晶の中で同時に周波数を2逓倍することが可能となり、これにより非常に高い第二次高調波パワーがもたらされる。PPLNは、分極処理での制限に起因して、典型的には、500μm厚のウエハとして製造されるため、単一のPPLN結晶によって2逓倍できる、従来のVCSELアレイの寸法が制限され、第二次高調波パワーの全体的な低下を招いていた。開示される原理により、これらのVCSELの出力用の分布ブラッグ反射器の反射率は、VCSEL型レーザのパワーではなく、外部共振器のパワーを増加させるように設計してもよい。短尺な、又はバルク状の2逓倍部材の使用を可能にすることにより、かつVCSELからの光出力の周波数を直接的に2逓倍することにより、開示される原理により構築された装置を安価で、単純で、高効率で、信頼性が高く、かつ製作公差及びアライメント公差を大幅に向上させたものとすることができる。このような(複数の)高パワーVCSELからのIR光を2逓倍するために使用できる、多くの共振器のアーキテクチャが示される。前記(複数の)VCSELは、単一の素子であってもよいし、高強度の素子を有するアレイであってもよい。アレイは、各素子が高パワーであるよう設計され、かつ外部共振器のパワーが増加するように設計かつ作製されてよく、外部共振器は、開示される原理により、(複数の)VCSEL素子と、バルク状2逓倍部材の直後にある(更なる詳細は後述されるように用途に応じて)周波数依存型の高反射性/非反射性(HR/AR)構造体、又は高反射性/高反射性(HR/HR)構造体との間にあるように画定される。アレイは、波長の分散が、2逓倍部材で使用が認められている範囲に収まるように、作製され、適切に冷却されてもよい。
図2は、開示される原理による、VCSELアレイシステム200用アーキテクチャの一実施形態を示す模式図である。図2は、高パワー素子の2D VCSELアレイ210を使用して、可視光を生成する、アーキテクチャの一例を示している。加えて、図2は、共振器220内に配置されたバルク状2逓倍部材230を使用した、VCSELアレイ210からの、複数の、高パワーな、IRビームの、共振器220内での周波数2逓倍が示されている。共振器220からの2逓倍された光は、直接的に使用されてもよいし、又は図2に示すように、フォーカスレンズ240又はマイクロレンズアレイ250及びレンズ240の組み合わせ、又はこれらの任意の組み合わせを使用して、マルチモード光ファイバー260へと連結されてもよい。しかしながら、繰り返すが、このフォーカスレンズ240及びファイバー260は任意選択的なものである。
(複数の)高パワーVCSEL素子210の1D又は2Dのアレイは、IR光を生成し、共振器220内のビーム強度を改善するために、表面上に作製された、一体型のマイクロレンズ(図示せず)を有してもよい。2逓倍部材230は、非線形変換処理(周波数2逓倍又は第二次高調波発生などが挙げられるが、これらに限定されない)によって、可視光を生成してもよく、タイプI及び/又はタイプIIの位相整合を含んでもよい。2逓倍部材230のための典型的なバルク状2逓倍結晶の例としては、BBO(ホウ酸バリウム)、KDP(リン酸二水素カリウム)、KTP(チタンリン酸カリウム−図示されている)、ニオブ酸リチウム、LBO(三ホウ酸リチウム)、KNbO3(ニオブ酸カリウム)、などを挙げることができるが、これらに限定されない。加えて、結晶の他にも、他のタイプの2逓倍部材230が存在し、非線形ポリマー、有機材料などを使用することができるが、これらに限定されない。
2逓倍部材230の反対側に、IRミラー270が、備えられていてもよい。このIRミラー270は、IR波長に対して高反射性(HR)のコーティング及び/又は可視波長に対して非反射性(AR)のコーティングを有してもよい。これらのコーティングによって、2逓倍されなかった光(例えば、1064nm)は、IRミラー270から反射して2逓倍部材230の中へ、VCSELアレイ210へ向かって、戻っていくことになり、一方で、周波数が2逓倍された光(例えば、532nm)は、IRミラー270を通過し、装置200から出力される。この実施形態では、反射した光も2逓倍され、共振器の外へ反射されるように、IRミラー270が、共振器の一端を形成している。
VCSELアレイシステム200では、IR及び可視波長の例として、それぞれ1064nm及び532nmを用いてもよいが、他の多くの波長を生成することもできる。これらのレーザは、直接的に2逓倍することができるため、広範囲のIR波長を使用して、赤色からUV波長までの、又はおよそ700nm〜350nmの範囲の可視光を生成することができる。図2に示される実施形態では、開示される原理により、2逓倍器230が、VCSELアレイ210及びIRミラー270によって形成される共振器220の内側に配置されているため、共振器内での2逓倍であると見なされる。アレイ210上のVCSEL素子をパルス発振させた場合、パルスでの強度の増加のため、IRミラー270なしに、外部での2逓倍を行うことが可能となる。より具体的には、外部での2逓倍では、VCSELアレイ210は、それ自体がレーザを発し、外部の出力カプラ(例えば、ミラー270)が共振器220を形成するために存在しない。(あるいは、簡潔に表現するならば、共振器220は、VCSELアレイ210と2逓倍部材230の出力側又は遠位側との間に形成されている。)代わりに、VCSELアレイ210からの出力は、2逓倍部材230に直接的に連結されている。IRビームは、共振空洞220自体の内側にはないため、強度は低下し、それ故、パワーに依存する2逓倍が減少する。したがって、パルス発振したVCSELアレイからの出力は、連続モードよりもはるかに高くなるため、この周波数の2逓倍は、より実用的で効率的なものとなる。
他の実施形態では、IR光に対するHRコーティング及び可視光に対するARコーティングを備える、IRミラー270の代わりに、これらのコーティング(280)を、2逓倍部材230の表面上に直接作製することができる。コーティング280は、VCSELアレイ210から離れた側に作製されてもよい。これにより、素子の1つ(例えば、IRミラー270)を取り除くことができ、2逓倍部材230との整列の確度が高まる。AR及びHRコーティングに加えて、SiO2などの保護コーティング(図示せず)が、HR及びARコーティング280の外側及び/又は内側に位置していてもよい。保護コーティング及び/又は保護層は、分離したミラー素子であるIRミラー270、又は、(コーティング280が組み込まれている場合には、)2逓倍部材230のいずれに適用されてもよい。
また、2逓倍部材230は、両側にARコーティングを有してもよいし、ブリュースターカットになって(この場合、カット面は、ブリュースター角、又はほぼブリュースター角になっていてもよい角度を有する)、実質的に反射を最小にするようになっていてもよい。ブリュースターカットの2逓倍器もまた、共振器内パワーの偏光純度を改善し、それによって2逓倍効率を改善することができる。
図3は、開示される原理による、様々なVCSELアレイの配置の一実施形態300を示す模式図である。図3の上部のVCSELアレイ配置310では、およそ39,300マイクロメートルのアパーチャのVCSEL素子のパターンが示されている。図3の下部のVCSELアレイ配置320では、およそ105,200マイクロメートルのアパーチャのVCSELアレイのアレイが示されている。アパーチャを大きくして、パワー/強度を増大させることを目的に、VCSEL素子を、異なるサイズとしてもよいが、アパーチャは、光学品質が、効率的な2逓倍に適切となり得るように、十分な小ささに保たれる。典型的なVCSELのサイズは、およそ10μm〜1mmの範囲である。配列としては、図示されているような、又は様々なパターン(限定ではないが、縦列、横列など)が可能である。間隔はアレイを冷却するための必要性に応じて決定されてもよい。また、光の偏光を増加させるように、アレイを設計することも望ましい。
この種の用途のVCSELアレイの他の懸念事項としては、外部共振器内の波長の多様性(diversity)及びパワーが挙げられる。出力DBRは、VCSEL型レーザではなく、外部共振器のパワーを増加させるように設計されてもよい。VCSEL単体で典型的に用いられ得るものよりも低い反射率となってもよい。ある例では、より効率的にIR光を2逓倍するために、2逓倍結晶の中で、位相整合を行ってもよい。VCSELアレイの設計、パッケージング、はんだ付け、加工、選択は、アレイ全体の波長及びパワーの均一性を改善するために計画されてもよい。例えば、アレイ全体での温度の差異を最小にすることで、アレイ全体の波長及びパワーの均一性を改善することができる。アレイ面積を最小にし、ウエハの中央部から選択することで、均一性を改善することができる。波長において、十分に狭いスペクトル(例えば、3nm未満など)を達成することが困難な場合は、スペクトルを狭めるためにエタロンを使用してもよい。VBGほどではないものの、エタロンは周波数を狭める。加えて、エタロンは、より安価で、かつ温度及び波長の公差がより広い。また、エタロンは、ARコーティングされていても、可視光を反射するようコーティングされていても、又は、偏光を改善するためにブリュースター角に近い角度を付けられていてもよい。ディスプレイ用途向けには、スペックルを緩和するため、より広いスペクトルが望ましい場合がある。可視レーザなどの単一の装置が効率的に生成できるものよりも広いスペクトルの場合は、わずかに異なる波長で動作するように設計されてもよい、VCSELアレイを有した、2つ以上の装置を共に使用することもできる。
図4は、開示される原理による、単一のVCSEL 410の2逓倍の一実施形態400を示す模式図である。図4に示されているアーキテクチャは、同様に、VCSEL素子のアレイを2逓倍するために使用してもよい。更に、VCSEL装置410は、600nm〜1300nmの波長範囲の光を生成してもよい。この例示的なアーキテクチャでは、ブリュースター板440を用いて、VCSEL素子410によって生成されたIR光の偏光純度を改善する。ブリュースター板440は、両面をコーティングすることで、実質的に共振器420のIRパワーの損失を最小化してもよく、かつ2逓倍された光を取り出す手段を提供してもよい。ブリュースター板は、およそブリュースター角の、又はブリュースター角に近い角度を有するカット面を備えてもよい。ブリュースター板440によって偏光が取り除かれた光は、VCSEL素子又はVCSELアレイ410を出てから、2逓倍部材430(図4に示された実施形態では、KTP結晶として示されている)に入射する。
2逓倍部材430の長さは、材料が長尺になるほど、2逓倍効率が上がるが、角度、温度及び波長の公差が狭くなるという点において、トレードオフの関係にある。バルク状2逓倍器430の典型的な長さは、およそ1mmと30mmの範囲内であってよく、図示された実施形態では、例示的な共振器が、およそ19mmのときに、例示的に、5mmの長さとなっている。出力カプラ450は、この場合にも、それぞれ、非2逓倍波長及び2逓倍された波長に対するHRコーティング及びARコーティング460がされた高反射性の窓部であってもよい。この場合にも、代替的な実施形態では、これらのコーティング460を、VCSEL 410から離れた、少なくとも2逓倍部材430の外側表面上に組み込むことで、出力カプラ450を排除してもよい。
図5は、開示される原理により構築される、VCSEL系システム用アーキテクチャの一実施形態500を示す模式図であり、この実施形態では、共振器から両方向にパワーが抽出される。更に、図5には、共振器520から両方向にパワーを抽出することができる他のアーキテクチャが示されており、これにより、可視光の出力がほぼ倍増するか、又はおよそ80%の増加がもたらされる。
IR VCSELアレイ510は、IR波長に対するHRミラー540、又は折り返し出力カプラ、又はコーティングされたエタロンによって、およそ45度で、反射されてもよい。ビームウエストは、レンズ560によって2逓倍部材530の中へとリレーされてもよい。他のレンズ570が、2逓倍部材530の後で、この光を準再コリメートしてもよく、実質的にIR光及び可視光の両方を、ミラー550によって反射してもよい。図示されているように、その後、この光は2逓倍部材530へと戻り、再び2逓倍部材530を通過する。これによって、より多くの可視光を、生成し、その光を、ミラー550(IR波長に対しては、HRコーティングされ、かつ2逓倍された(可視)波長に対してはARコーティングされている)によって、共振器520から出射させることができる。
図6は、開示される原理によって構築された、VCSEL系システム用アーキテクチャの、他の実施形態600を示す模式図であり、この実施形態では、共振器内に少なくとも1つのマイクロレンズアレイを備えてもよい。具体的には、図6には、図5と類似するアーキテクチャが示されており、それ故、VCSEL素子又はVCSELアレイ610、並びに共振器620の中にHR/AR出力カプラ640及び2逓倍部材630の両方が備えられていてもよい。しかしながら、図6に示された実施形態では、図5に示されたような、収束レンズに代えて、マイクロレンズアレイ660a、660b(まとめて660とする)が、用いられている。概略的に述べれば、それぞれのIRビームは、あらかじめ選択された収束用マイクロレンズ660aを通過してから、2逓倍部材630及び他のマイクロレンズアレイ660bを通過してもよく、その後に、IR波長と2逓倍された波長の両方に対するHRミラー650によって、実質的に反射され、戻されてもよい。共振器内のレンズ(例えば、図5及び6に示されるような)を使用して、非線形結晶中のビーム直径及び発散を最適化することにより、開示される原理により構築されるアーキテクチャの第二次高調波発生の変換効率を、更に最適化することができる。この場合にも、この光は、上述したような、IR波長に対してはHRコーティングされ、かつ2逓倍された波長に対してはARコーティングされた、折り返し出力カプラ640によって、抽出される。
加えて、図5及び6に関しては、HRミラー(550、650)を、2逓倍部材(530、630)の外側表面に配置してもよい。より具体的には、レンズ(560、660)(マクロレンズ又はマイクロレンズアレイのいずれであってもよい)の焦点面は、2逓倍部材(530、630)の外側表面付近又は外側表面に位置してもよく、この表面にあるミラーが、可視光及びIR光を実質的に反射し、2逓倍部材(530、630)、レンズ(560、660a)、及び出力カプラ(540、640)を通過して戻っていくようにしてもよい。これにより、追加の素子を使用することなく、共振器(520、620)を折り返すことができる。
図7は、VCSEL系システムにおいて、4F系共振器内を用いた、一実施形態700を示す模式図である。図7では、VCSELアレイ710を備える4F(2F、2F)系が使用されている様子が示され、像面及び物体面を有する2つのレンズ(715、725)が、およそ4つの焦点距離によって隔てられ、ビームウエスト(735として示されている位置)を、2逓倍部材(例えば、KTP)730の中へと、結像している。他の4F系及び出力カプラ750(IR波長に対してHRであり、かつ可視波長に対してARである)を使用して、このビームを実質的にコリメートし、再帰反射を生成してもよい。光学エタロン760は、VCSELアレイ710の波長範囲を小さくして、2逓倍効率を改善することができる。図示された実施形態では、Lは、VCSEL素子から出力ビームの焦点までの距離である。虚焦点を有するビームの発散の場合と同様に、Lは、正でも負でもよい。
図8は、図7に示された実施形態に似た4F系を有し、かつ出力カプラを用いて4F系を折り返す、VCSEL系システムの一実施形態を示す模式図800である。図8のシステムで示されているように、第1の4F系は、ビームウエスト(835で示されている位置)を、2逓倍部材830の反対側へ結像してもよく、その位置に、出力カプラ850、又は上述したような、2逓倍部材830上の同等のコーティングが、配置されてもよい。また、図5及び6に示されているように、第1のレンズ815とVCSELアレイ810との間に、図示されているブリュースター板840などの、出力カプラ840を用い、共振器820を、折り返してもよい。現行の出力カプラ850は、上述した実施形態で開示したような、IR波長及び可視波長の両方に対するHRミラーで置き換えてもよく、可視光は、折り返し出力カプラ840によって抽出され、これによって、共振器820から抽出される前に、IRビームが、2逓倍器830を、2回にわたって通過することから、より多くの可視パワーを抽出することができる。
パルス動作に対しては、可飽和吸収体、音響光学変調器、電気光学変調器などを、共振器820の中に配置し、パルス発信させたり、システム内の他の素子に同期発振させたりしてもよい。これらの素子のうち、任意のものを用いた場合のシステムにおいては、これらの素子は、共振器820内の準コリメート空間に備えられてもよい。図8のKTP 2逓倍部材830の右側に、パルス誘導素子の位置として可能性のある位置を、構成部品870として示すことができる。あるいは、VCSELアレイ810をパルス発振させ、パルスモードでレーザを作動させてもよい。
また、当業者なら理解できるように、本明細書で開示及び説明した様々なアーキテクチャ及び共振器要素の組み合わせを使用してもよい。
なお、本開示の実施形態は、種々の光学システム及び投影システムで使用されてもよいことに留意されたい。例示的な実施形態は、種々のプロジェクタ、投影システム、光学部品、コンピュータシステム、プロセッサ、自己内蔵型プロジェクタシステム、ビジュアルシステム及び/又はオーディオビジュアルシステム、並びに電気機器及び/又は光学機器を含んでよく、又はこれらと共に動作してもよい。本開示の態様は、光学機器及び電気機器、光学システム、ディスプレイシステム、プレゼンテーションシステム、又は任意の種類の光学システムを包含し得る任意の装置に関連する、多種多様な装置に使用できる。したがって、本開示の実施形態は、視覚的なかつ/又は光学的なプレゼンテーション、視覚的な周辺機器など、並びに、インターネット、イントラネット、ローカル・エリア・ネットワーク、広域ネットワークなどを含む、多数のコンピュータ環境において、使用される、光学システム、光学機器で用いることができる。
開示された実施形態の詳細に進む前に、本明細書で言及され、例示された実施形態は、他の構成をとることが可能であるため、これらの実施形態が、用途や創作において、示された特定の構成の詳細に限定されるものではないことを理解されたい。更に、実施形態の態様が、独自の固有の実施形態を規定するために様々な組み合わせ及び構成で述べられてもよい。また、本明細書で使用する用語は、説明の目的のためのものであって、限定するためのものではない。
本明細書で使用されるとき、「実質的に」及び「およそ(ほぼ)」という用語は、それに対応する用語及び/又は項目間の相対性に対して、業界で受け入れられる許容範囲を付与するものである。このような、業界で受け入れられる許容範囲は、1パーセント未満〜10パーセントの範囲であり、成分値、角度などが該当するが、これらに限定されない。このような、項目間の相対性は、1パーセント未満〜10パーセントの範囲である。
本明細書に開示される原理による、様々な実施形態が上述されてきたが、これらの実施形態は、ただ例示の目的のためにのみ示されたのであり、限定するために示されたのではないことに留意されたい。それ故、この開示の広さ及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても制限されてはならず、請求項のいずれか、及び本開示に由来するそれらの同等物に従ってのみ規定されるべきである。更に、上記有利な点及び特徴は、記載された実施形態で提供されるが、かかる公開される特許請求の範囲の用途を、上記有利な点の一部又は全部を達成する方法及び構造に、制限するものではない。
加えて、本明細書においてセクションの見出しは、米国特許規則§ 1.77の規定するところに従って、さもなくば、編成上の目印(organizational cue)として提供されるものである。これらの見出しは、本開示により公開されるであろう、任意の請求項において述べられる、(複数の)本発明を限定したり、特徴づけたりするものではない。具体的には、単に例示ではあるが、「技術分野」という見出しがあるが、いわゆる分野(field)を説明するためにこの見出しの下に選択された表現によって、特許請求の範囲が限定されることはない。更に、「背景技術」に記載された技術に関する記述が、特定の技術が、本開示における任意の(複数の)実施形態に対する先行技術であることの承認として、解釈されるべきではない。「発明の概要」についても、公開される請求項で述べられる(複数の)実施形態を特徴づけるものとして考慮されるべきでない。更に、本開示においては、単数形での「発明(invention)」に対するいずれの言及も、本開示における新規な点が1つのみである、ということを主張するために使用されるべきではない。複数の実施形態は、本開示により、公開される複数の請求項の限定に従って、述べられる場合がある。したがって、これらの請求項は、この(複数の)実施形態及びそれらの同等物を定義することによって、それらを保護している。全ての例において、これらの請求項の範囲は、本開示に照らして、固有の利点が考慮されるべきであり、本明細書に述べる見出しによって制約されてはならない。

Claims (44)

  1. 垂直共振器面発光レーザシステム用アーキテクチャであって、
    少なくとも1つの垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)素子と、
    前記VCSEL素子に隣接する共振器内に位置し、かつ、VCSEL素子から発せられる光を受光し、該受光した光の周波数を実質的に2逓倍する、2逓倍部材と、
    前記共振器から前記2逓倍された光を出力する出力カプラと、を備える、アーキテクチャ。
  2. 前記VCSEL素子から発せられる前記光は、赤外光を含み、前記2逓倍された光は、赤色光、緑色光、青色光、又は紫外光からなる群から選択される可視光を含む、請求項1に記載のアーキテクチャ。
  3. 前記少なくとも1つのVCSEL素子は、VCSEL素子の2次元アレイを含む、請求項2に記載のアーキテクチャ。
  4. 前記少なくとも1つのVCSEL素子の反対側の、前記共振器の端部に、ミラーを更に備え、前記ミラーは、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性である、請求項1から3の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  5. 前記少なくとも1つのVCSEL素子の反対側の、前記2逓倍部材の端部に、コーティングを更に備え、前記コーティングは、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性である、請求項1から4の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  6. 前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記2逓倍部材との間に位置し、かつ前記少なくとも1つのVCSEL素子によって生成された光の偏光純度を改善する、およそブリュースター角に近い角度を有するカット面を更に備える、請求項1から5の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  7. およそブリュースター角に近い角度を有する前記カット面は、前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記2逓倍部材との間に位置したブリュースター板を含み、前記ブリュースター板は、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性である、コーティングを備える、請求項6に記載のアーキテクチャ。
  8. およそブリュースター角に近い角度を有する前記カット面が、前記2逓倍部材に提供される、請求項6に記載のアーキテクチャ。
  9. 前記出力カプラは、前記少なくとも1つのVCSEL素子に隣接する前記共振器の端部に、角度付きのミラーを備え、前記角度付きのミラーは、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性であり、前記少なくとも1つのVCSEL素子から発せられる非可視光は、前記角度付きのミラーによって前記2逓倍部材の中へと反射され、かつ前記2逓倍部材から出射する可視光は、前記共振器の外へと前記角度付きのミラーを通過する、請求項1から8の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  10. 前記出力カプラ及び前記少なくとも1つのVCSEL素子の反対側の、前記共振器の端部に、第2のミラーを更に備え、前記第2のミラーは、非可視光と可視光の両方に対して高反射性であり、前記2逓倍部材から受光した前記光が、反射されて、前記2逓倍部材の中へと、前記出力カプラに向かって戻る、請求項9に記載のアーキテクチャ。
  11. 前記出力カプラと前記第2のミラーとの間の前記2逓倍部材の両端部に位置する収束レンズを更に備える、請求項10に記載のアーキテクチャ。
  12. 前記出力カプラと前記第2のミラーとの間の前記2逓倍部材の両端部に位置するマイクロレンズアレイを更に備える、請求項10または11に記載のアーキテクチャ。
  13. 前記少なくとも1つのVCSEL素子は、連続波モード又はパルスモードのいずれにおいても動作可能である、請求項1から12の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  14. 前記2逓倍部材は、周波数2逓倍又は第二次高調波発生などの非線形変換処理によって、前記光の周波数を2逓倍する、請求項1から13の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  15. 前記2逓倍された光は、フォーカスレンズ、1つ以上のマイクロレンズアレイ、又はこれらの組み合わせを使用して、マルチモード光ファイバーへと結合される、請求項1から14の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  16. 前記共振器内にあって、かつ前記少なくとも1つのVCSEL素子に近接している4Fレンズ系を更に備え、前記4Fレンズ系は、4つの焦点距離によって隔てられた、像面及び物体面を有する2つのレンズを備え、かつ前記少なくとも1つのVCSEL素子から発せられる光のビームウエストを、前記2逓倍部材の中へと結像するように構成されている、請求項1から15の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  17. 前記共振器内にあって、前記出力カプラに近接する第2の4Fレンズ系を更に備え、前記第2の4Fレンズ系は、前記2逓倍部材からの前記2逓倍された光を実質的にコリメートするように構成されている、請求項16に記載のアーキテクチャ。
  18. 前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記4Fレンズ系との間にエタロンを更に備え、前記エタロンは、前記少なくとも1つのVCSEL素子から発せられた光の波長範囲を小さくするように構成されている、請求項16または17に記載のアーキテクチャ。
  19. 前記2逓倍部材は、ホウ酸バリウム、リン酸二水素カリウム、チタンリン酸カリウム、ニオブ酸リチウム、三ホウ酸リチウム、及びニオブ酸カリウムからなる群から選択される結晶を含む、請求項1から18の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  20. 垂直共振器面発光レーザシステム用アーキテクチャであって、
    赤外光を発する、少なくとも1つの垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)素子と、
    前記少なくとも1つのVCSEL素子と、赤外光に対して高反射性である第1のミラーとの間に画定された共振器と、
    前記共振器内に位置し、かつ、前記VCSEL素子から発せられる赤外光を受光し、前記受光した赤外光の周波数を実質的に2逓倍して、可視光を出力する、2逓倍部材と、を備える、アーキテクチャ。
  21. ディスプレイ照明において使用するために、前記共振器からの前記可視光を受光する出力カプラを更に備える、請求項20に記載のアーキテクチャ。
  22. 前記第1のミラーは、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性であり、前記出力カプラは、前記共振器の外側で、前記第1のミラーに隣接して位置している、請求項21に記載のアーキテクチャ。
  23. 前記出力カプラは、前記少なくとも1つのVCSEL素子に隣接する前記共振器の端部に、角度付きの第2のミラーを備え、前記角度付きの第2のミラーは、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性であり、前記少なくとも1つのVCSEL素子から発せられる非可視光は、前記角度付きのミラーによって前記2逓倍部材の中へと反射され、かつ前記2逓倍部材から出射する可視光は、前記共振器の外へと前記角度付きの第2のミラーを通過する、請求項21または22に記載のアーキテクチャ。
  24. 前記第1のミラーは、非可視光と可視光の両方に対して高反射性であり、前記2逓倍部材から受光した光が、反射されて、前記2逓倍部材の中へと、前記角度付きの第2のミラーに向かって戻る、請求項23に記載のアーキテクチャ。
  25. 前記第1のミラーと前記角度付きの第2のミラーとの間の前記2逓倍部材の両端部に位置する収束レンズを更に備える、請求項24に記載のアーキテクチャ。
  26. 前記第1のミラーと前記角度付きの第2のミラーとの間の前記2逓倍部材の両端部に位置するマイクロレンズアレイを更に備える、請求項24に記載のアーキテクチャ。
  27. 前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記2逓倍部材との間に位置し、かつ前記少なくとも1つのVCSEL素子によって生成された光の偏光純度を改善する、およそブリュースター角に近い角度を有するカット面を更に備える、請求項20から26の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  28. およそブリュースター角に近い角度を有する前記カット面は、前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記2逓倍部材との間に位置したブリュースター板を含み、前記ブリュースター板は、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性である、コーティングを備える、請求項27に記載のアーキテクチャ。
  29. およそブリュースター角に近い角度を有する前記カット面が、前記2逓倍部材に提供される、請求項27に記載のアーキテクチャ。
  30. 前記VCSEL素子は、連続波モード又はパルスモードのいずれにおいても動作可能である、請求項20から29の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  31. 前記2逓倍部材は、周波数2逓倍又は第二次高調波発生などの非線形変換処理によって、前記光の周波数を2逓倍する、請求項20から30の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  32. 前記2逓倍された光は、フォーカスレンズ、1つ以上のマイクロレンズアレイ、又はこれらの組み合わせを使用して、マルチモード光ファイバーへと結合される、請求項20から31の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  33. 前記2逓倍部材は、ホウ酸バリウム、リン酸二水素カリウム、チタンリン酸カリウム、ニオブ酸リチウム、三ホウ酸リチウム、及びニオブ酸カリウムからなる群から選択される結晶を含む、請求項20から32の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  34. 前記少なくとも1つのVCSEL素子は、VCSEL素子の2次元アレイを含む、請求項20から33の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  35. 垂直共振器面発光レーザシステム用アーキテクチャであって、
    赤外光を発する、少なくとも1つの垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)素子と、
    前記VCSEL素子に隣接する共振器内に位置し、かつ、前記少なくとも1つのVCSEL素子から発せられる赤外光を受光し、前記受光した赤外光の周波数を実質的に2逓倍して、可視光を出力する、2逓倍部材と、
    前記少なくとも1つのVCSEL素子の反対側の、前記2逓倍部材の端部上のコーティングであって、赤外光に対して高反射性である、コーティングと、
    前記2逓倍部材からの前記2逓倍された光を受光する出力カプラと、を備える、アーキテクチャ。
  36. 前記出力カプラは、前記少なくとも1つのVCSEL素子の反対側にある前記共振器の端部を画定し、前記コーティングは、赤外光に対して高反射性であり、かつ可視光に対して非反射性である、請求項35に記載のアーキテクチャ。
  37. 前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記2逓倍部材との間に位置し、かつ前記少なくとも1つのVCSEL素子によって生成された光の偏光純度を改善する、およそブリュースター角に近い角度を有するカット面を更に備える、請求項35または36に記載のアーキテクチャ。
  38. およそブリュースター角に近い角度を有する前記カット面は、前記少なくとも1つのVCSEL素子と前記2逓倍部材との間に位置したブリュースター板を含み、前記ブリュースター板は、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性である、コーティングを備える、請求項37に記載のアーキテクチャ。
  39. およそブリュースター角に近い角度を有する前記カット面が、前記2逓倍部材に提供される、請求項37に記載のアーキテクチャ。
  40. 前記コーティングは、赤外光と可視光の両方に対して高反射性であり、前記出力カプラは、前記少なくとも1つのVCSEL素子に隣接する前記共振器の端部に、角度付きのミラーを備え、前記角度付きのミラーは、赤外スペクトルの非可視光に対しては高反射性であり、かつ可視スペクトルの光に対しては非反射性であり、前記少なくとも1つのVCSEL素子から発せられる非可視光は、前記角度付きのミラーによって前記2逓倍部材の中へと反射され、かつ前記2逓倍部材から出射する可視光は、前記共振器の外へと前記角度付きのミラーを通過する、請求項35から39の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  41. 前記少なくとも1つのVCSEL素子は、連続波モード又はパルスモードのいずれにおいても動作可能である、請求項35から40の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  42. 前記2逓倍部材は、周波数2逓倍又は第二次高調波発生などの非線形変換処理によって、前記光の周波数を2逓倍する、請求項35から41の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  43. 前記2逓倍部材は、ホウ酸バリウム、リン酸二水素カリウム、チタンリン酸カリウム、ニオブ酸リチウム、三ホウ酸リチウム、及びニオブ酸カリウムからなる群から選択される結晶を含む、請求項35から42の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
  44. 前記少なくとも1つのVCSEL素子は、VCSEL素子の2次元アレイを含む、請求項35から43の何れか1項に記載のアーキテクチャ。
JP2014556795A 2012-02-13 2013-02-11 レーザアーキテクチャ Pending JP2015510273A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261598175P 2012-02-13 2012-02-13
US61/598,175 2012-02-13
PCT/US2013/025648 WO2013122891A1 (en) 2012-02-13 2013-02-11 Laser architectures

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015510273A true JP2015510273A (ja) 2015-04-02

Family

ID=48945506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014556795A Pending JP2015510273A (ja) 2012-02-13 2013-02-11 レーザアーキテクチャ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20130208741A1 (ja)
EP (1) EP2815471A4 (ja)
JP (1) JP2015510273A (ja)
KR (1) KR20140129162A (ja)
CN (1) CN104115349A (ja)
BR (1) BR112014019466A8 (ja)
RU (1) RU2014137183A (ja)
WO (1) WO2013122891A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170302387A1 (en) * 2016-04-15 2017-10-19 Lattice Semiconductor Corporation Interconnect for micro form-factor photonic
JP7334439B2 (ja) * 2019-03-25 2023-08-29 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 垂直共振器面発光レーザ素子アレイチップ、発光装置、光学装置および情報処理装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04347824A (ja) * 1991-05-24 1992-12-03 Asahi Glass Co Ltd 高調波発生装置
JPH07318996A (ja) * 1994-03-28 1995-12-08 Matsushita Electron Corp 波長変換導波路型レーザ装置
JP2000250083A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光波長変換モジュール及び画像記録方法
JP2001102667A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー励起固体レーザー
JP2002280324A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Sony Corp レーザ装置
JP2003519812A (ja) * 1999-12-30 2003-06-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 非線形の光プロセスに基づいた白色光源
JP2005217428A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh 干渉フィルタを有する表面放出半導体レーザ
JP2006189587A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Nidek Co Ltd 医療用レーザ装置
JP2008177473A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Seiko Epson Corp レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置
JP2008538163A (ja) * 2005-03-30 2008-10-09 ノバラックス,インコーポレイティド 周波数安定化した垂直拡大キャビティ面発光レーザ
JP2009182353A (ja) * 2009-05-18 2009-08-13 Sony Corp レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP2009200284A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP2009212403A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Ihi Corp レーザ共振器
JP2010015058A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、波長変換素子、波長変換素子の製造方法、プロジェクタ、モニタ装置
JP2010061136A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Seiko Epson Corp レーザ光源装置の製造方法及びレーザ光源装置
JP2011119421A (ja) * 2009-12-03 2011-06-16 Panasonic Corp レーザ光源

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4907235A (en) * 1988-04-01 1990-03-06 Laserscope Intra-cavity beam relay for optical harmonic generation
US4841528A (en) * 1988-09-06 1989-06-20 California Institute Of Technology Frequency doubled, cavity dumped feedback laser
US5511085A (en) * 1994-09-02 1996-04-23 Light Solutions Corporation Passively stabilized intracavity doubling laser
US20060029120A1 (en) * 2000-03-06 2006-02-09 Novalux Inc. Coupled cavity high power semiconductor laser
US6832024B2 (en) * 2000-11-20 2004-12-14 David C. Gerstenberger Method and apparatus for fiber bragg grating production
WO2005036211A2 (en) * 2003-10-17 2005-04-21 Explay Ltd. Optical system and method for use in projection systems
KR20070116960A (ko) * 2005-03-30 2007-12-11 노바룩스 인코포레이티드 제조가능 수직 연장 공동 표면 발광 레이저 어레이
WO2007072410A2 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optimal colors for a laser pico-beamer
KR101100432B1 (ko) * 2005-12-23 2011-12-30 삼성전자주식회사 고효율 2차 조화파 생성 수직 외부 공진기형 면발광 레이저시스템
JP2008198980A (ja) * 2007-01-15 2008-08-28 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置
US7630125B2 (en) * 2007-12-11 2009-12-08 Young Optics Inc. Laser module

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04347824A (ja) * 1991-05-24 1992-12-03 Asahi Glass Co Ltd 高調波発生装置
JPH07318996A (ja) * 1994-03-28 1995-12-08 Matsushita Electron Corp 波長変換導波路型レーザ装置
JP2000250083A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光波長変換モジュール及び画像記録方法
JP2001102667A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー励起固体レーザー
JP2003519812A (ja) * 1999-12-30 2003-06-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 非線形の光プロセスに基づいた白色光源
JP2002280324A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Sony Corp レーザ装置
JP2005217428A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh 干渉フィルタを有する表面放出半導体レーザ
JP2006189587A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Nidek Co Ltd 医療用レーザ装置
JP2008538163A (ja) * 2005-03-30 2008-10-09 ノバラックス,インコーポレイティド 周波数安定化した垂直拡大キャビティ面発光レーザ
JP2008177473A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Seiko Epson Corp レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置
JP2009200284A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP2009212403A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Ihi Corp レーザ共振器
JP2010015058A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、波長変換素子、波長変換素子の製造方法、プロジェクタ、モニタ装置
JP2010061136A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Seiko Epson Corp レーザ光源装置の製造方法及びレーザ光源装置
JP2009182353A (ja) * 2009-05-18 2009-08-13 Sony Corp レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP2011119421A (ja) * 2009-12-03 2011-06-16 Panasonic Corp レーザ光源

Also Published As

Publication number Publication date
EP2815471A1 (en) 2014-12-24
WO2013122891A1 (en) 2013-08-22
BR112014019466A8 (pt) 2017-07-11
US20130208741A1 (en) 2013-08-15
EP2815471A4 (en) 2015-09-09
BR112014019466A2 (ja) 2017-06-20
CN104115349A (zh) 2014-10-22
KR20140129162A (ko) 2014-11-06
RU2014137183A (ru) 2016-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI465830B (zh) 視覺顯示用發光裝置
JP4232826B2 (ja) レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置
JP5214630B2 (ja) 波長変換レーザ
JP5295969B2 (ja) 波長変換レーザ装置およびこれを用いた画像表示装置
JP4636315B2 (ja) 1次元照明装置及び画像生成装置
JP2008508561A (ja) モード同期拡張キャビティ面発光半導体レーザの波長変換用装置、システム、および方法
US20170104308A1 (en) Solid-state laser device based on a twisted-mode cavity and a volume grating
EP2149179A1 (en) Light emitting array
CN110286542B (zh) 激光辐射三倍率产生的装置
TWI790390B (zh) 雷射光源及具有雷射光源之雷射投影器
Jensen et al. Power scaling of nonlinear frequency converted tapered diode lasers for biophotonics
JP2015510273A (ja) レーザアーキテクチャ
JP4930036B2 (ja) 外部共振型レーザ光源装置及びそれを用いたモニタ装置並びに画像表示装置
JP2009545139A (ja) コンパクトな多色光線源
JP2008177473A (ja) レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置
Essaian et al. State of the art of compact green lasers for mobile projectors
JP4862960B2 (ja) 波長変換レーザ装置および画像表示装置
JP2023528429A (ja) 光源システムおよびレーザ投影表示装置
KR20140140637A (ko) 레이저 아키텍처
Skoczowsky et al. Monolithic ring resonator with PPLN crystal for efficient cw SHG of 976 nm emitted by a diode laser
CN109560450A (zh) 二次谐波产生
JP2006186071A (ja) 光励起固体レーザ装置
JP2006302978A (ja) レーザ光発生装置および発生方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160405

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160704

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161220