JP2001102564A - 窒化物半導体装置 - Google Patents
窒化物半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高電子移動度トランジスタのヘテロ界面のピエ
ゾ電荷によるクーロン散乱を軽減して、チャネル層の本
来の高い電子移動度の実現を図る。 【解決手段】ｎ型不純物をドープした窒化アルミニウム
・ガリウムから成る電子供給層６と、ノンドープの窒化
ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るチャ
ネル層４とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造におい
て、上記電子供給層６と上記チャネル層４との間に、弾
性的な歪みを有しない、従って弾性歪みが小さくピエゾ
電荷の現れない窒化化合物半導体から成るスペーサ層５
を挿入する。
ゾ電荷によるクーロン散乱を軽減して、チャネル層の本
来の高い電子移動度の実現を図る。 【解決手段】ｎ型不純物をドープした窒化アルミニウム
・ガリウムから成る電子供給層６と、ノンドープの窒化
ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るチャ
ネル層４とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造におい
て、上記電子供給層６と上記チャネル層４との間に、弾
性的な歪みを有しない、従って弾性歪みが小さくピエゾ
電荷の現れない窒化化合物半導体から成るスペーサ層５
を挿入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系化
合物半導体を使用した窒化物半導体装置、特に高電子移
動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility
Transistor ）の如きヘテロ接合を有する窒化物半導体
装置に関するものである。
合物半導体を使用した窒化物半導体装置、特に高電子移
動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility
Transistor ）の如きヘテロ接合を有する窒化物半導体
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用い
た電界効果型トランジスタの従来例を示すものである。
図５に示した電界効果型トランジスタは、いわゆるＨＥ
ＭＴ構造のものであり、サファイア基板１の上にバッフ
ァ層２、チャネル層４、電子供給層６を順次積層した構
造のエピタキシャルウェハより作成される。
た電界効果型トランジスタの従来例を示すものである。
図５に示した電界効果型トランジスタは、いわゆるＨＥ
ＭＴ構造のものであり、サファイア基板１の上にバッフ
ァ層２、チャネル層４、電子供給層６を順次積層した構
造のエピタキシャルウェハより作成される。
【０００３】高電子移動度トランジスタは、２次元電子
ガス（２ＤＥＧ）を利用する素子であり、ヘテロ構造を
有した化合物半導体素子である。
ガス（２ＤＥＧ）を利用する素子であり、ヘテロ構造を
有した化合物半導体素子である。
【０００４】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した高
電子移動度トランジスタでは、電子供給層６であるｎ型
不純物をドープした層に窒化アルミニウム・ガリウム
（ＡｌＧａＮ）を、そしてチャネル層４となるノンドー
プ層に窒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＮ）または
窒化ガリウム（ＧａＮ）を使用した選択ドープ構造を用
いている。
電子移動度トランジスタでは、電子供給層６であるｎ型
不純物をドープした層に窒化アルミニウム・ガリウム
（ＡｌＧａＮ）を、そしてチャネル層４となるノンドー
プ層に窒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＮ）または
窒化ガリウム（ＧａＮ）を使用した選択ドープ構造を用
いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高電子移動度トランジスタには、次のような問題点があ
る。
高電子移動度トランジスタには、次のような問題点があ
る。
【０００６】電子供給層に使用される窒化アルミニウム
・ガリウムは、圧電係数が大きいため、ピエゾ効果の大
きな材料である。しかも、上記選択ドープ構造では、窒
化アルミニウム・ガリウムの格子定数が窒化ガリウムよ
り小さいために、大きな引張応力を内在することにな
り、ヘテロ界面には大きなピエゾ電荷が形成される。
・ガリウムは、圧電係数が大きいため、ピエゾ効果の大
きな材料である。しかも、上記選択ドープ構造では、窒
化アルミニウム・ガリウムの格子定数が窒化ガリウムよ
り小さいために、大きな引張応力を内在することにな
り、ヘテロ界面には大きなピエゾ電荷が形成される。
【０００７】一方、高電子移動度トランジスタでは、電
子供給層とチャネル層との間のヘテロ界面のチャネル層
側に蓄積する２次元電子ガスの濃度が高くなるように、
かつ、電子移動度が大きくなるようにする必要がある。
子供給層とチャネル層との間のヘテロ界面のチャネル層
側に蓄積する２次元電子ガスの濃度が高くなるように、
かつ、電子移動度が大きくなるようにする必要がある。
【０００８】この点に関し、上記ピエゾ電荷の存在は、
その影響で、ヘテロ界面には高濃度の２次元電子ガスが
形成され、高電子移動度トランジスタのオン抵抗を低減
し、デバイスの特性向上に寄与するという利点をもたら
す。しかし、その反面、このピエゾ電荷は２次元電子ガ
スに近接して形成されるために、ピエゾ電荷によるクー
ロン散乱が非常に大きくなってしまい、電子移動度の低
下や高周波特性の劣化を生じさせてしまう。
その影響で、ヘテロ界面には高濃度の２次元電子ガスが
形成され、高電子移動度トランジスタのオン抵抗を低減
し、デバイスの特性向上に寄与するという利点をもたら
す。しかし、その反面、このピエゾ電荷は２次元電子ガ
スに近接して形成されるために、ピエゾ電荷によるクー
ロン散乱が非常に大きくなってしまい、電子移動度の低
下や高周波特性の劣化を生じさせてしまう。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ヘテロ界面のピエゾ電荷によるクーロン散乱を軽減
して、本来の高い電子移動度を実現し得る窒化物半導体
装置の構造を提供することにある。
し、ヘテロ界面のピエゾ電荷によるクーロン散乱を軽減
して、本来の高い電子移動度を実現し得る窒化物半導体
装置の構造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ｎ型不純物をドープした窒化アルミニウ
ム・ガリウムから成るｎ型層と、ノンドープの窒化ガリ
ウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンドー
プ層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、
上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪みを
有しない窒化化合物半導体層を挿入したことを特徴とす
るものである（請求項１）。
め、本発明は、ｎ型不純物をドープした窒化アルミニウ
ム・ガリウムから成るｎ型層と、ノンドープの窒化ガリ
ウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンドー
プ層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、
上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪みを
有しない窒化化合物半導体層を挿入したことを特徴とす
るものである（請求項１）。
【００１１】上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に挿
入する窒化化合物半導体層としては、窒化ガリウムに格
子定数が等しい化合物半導体を用いるのが好ましい（請
求項２）。これには例えば窒化アルミニウム・ガリウム
・インジウムがある（請求項３）。
入する窒化化合物半導体層としては、窒化ガリウムに格
子定数が等しい化合物半導体を用いるのが好ましい（請
求項２）。これには例えば窒化アルミニウム・ガリウム
・インジウムがある（請求項３）。
【００１２】上記ｎ型層とノンドープ層を電界効果型ト
ランジスタの電子供給層とチャネル層とした構成（請求
項４）にすることで、例えば高電子移動度トランジスタ
を得ることができる。
ランジスタの電子供給層とチャネル層とした構成（請求
項４）にすることで、例えば高電子移動度トランジスタ
を得ることができる。
【００１３】次に、本発明の作用について説明する。
【００１４】ヘテロ接合のピエゾ電荷は窒化アルミニウ
ム・ガリウム電子供給層のチャネル層側に出現する。こ
のため、２次元電子ガスはこのピエゾ電荷によって大き
なクーロン散乱を受け，本来の高い電子移動度が実現し
ない。
ム・ガリウム電子供給層のチャネル層側に出現する。こ
のため、２次元電子ガスはこのピエゾ電荷によって大き
なクーロン散乱を受け，本来の高い電子移動度が実現し
ない。
【００１５】ガリウム砒素（ＧａＡｓ）系高電子移動度
トランジスタなど、既存のトランジスタであれば、ピエ
ゾ効果は小さく無視できるために、従来では、電子供給
層のイオン化したドナーによるクーロン散乱だけを考慮
すればよかった。そのため、これを弱めるために、ヘテ
ロ界面に「スペーサ層」と呼ばれる電子供給層と電子親
和力が等しく、かつドナー不純物を含まない層を設ける
ことでチャネル層の移動度を増すことができた。
トランジスタなど、既存のトランジスタであれば、ピエ
ゾ効果は小さく無視できるために、従来では、電子供給
層のイオン化したドナーによるクーロン散乱だけを考慮
すればよかった。そのため、これを弱めるために、ヘテ
ロ界面に「スペーサ層」と呼ばれる電子供給層と電子親
和力が等しく、かつドナー不純物を含まない層を設ける
ことでチャネル層の移動度を増すことができた。
【００１６】しかしながら、窒化アルミニウム・ガリウ
ム（ＡｌＧａＮ）を電子供給層に使用する窒化ガリウム
（ＧａＮ）系高電子移動度トランジスタの場合には、弾
性歪みによるピエゾ電荷が問題となるので、従来のドナ
ー不純物を含まない層を設ける方法ではピエゾ効果は抑
止することができず、効果がない。つまり、電子供給層
と同じ窒化アルミニウム・ガリウムをスペーサ層に使用
しても、この層も弾性的に歪んでいるため、ピエゾ電荷
が発生してしまい、クーロン散乱を軽減する役に立たな
い。
ム（ＡｌＧａＮ）を電子供給層に使用する窒化ガリウム
（ＧａＮ）系高電子移動度トランジスタの場合には、弾
性歪みによるピエゾ電荷が問題となるので、従来のドナ
ー不純物を含まない層を設ける方法ではピエゾ効果は抑
止することができず、効果がない。つまり、電子供給層
と同じ窒化アルミニウム・ガリウムをスペーサ層に使用
しても、この層も弾性的に歪んでいるため、ピエゾ電荷
が発生してしまい、クーロン散乱を軽減する役に立たな
い。
【００１７】０そこで本発明では、ヘテロ接合をなす上
記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に、スペーサ層とし
て、弾性的な歪みを有しない窒化化合物半導体層、つま
り弾性歪みが小さくピエゾ電荷の現れない層を挿入し使
用する。このような窒化化合物半導体は窒化ガリウムに
格子定数が等しい化合物半導体であり、例えば窒化アル
ミニウム・ガリウム・インジウムがある。即ち、スペー
サ層の窒化アルミニウム・ガリウムにインジウムを添加
すると、スペーサ層の格子定数が大きくなり、窒化ガリ
ウムと格子整合させることができ、ピエゾ電荷の発生を
抑止することができる。このため、窒化アルミニウム・
ガリウム・インジウムに本来のスペーサとしての働きを
させることができる。
記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に、スペーサ層とし
て、弾性的な歪みを有しない窒化化合物半導体層、つま
り弾性歪みが小さくピエゾ電荷の現れない層を挿入し使
用する。このような窒化化合物半導体は窒化ガリウムに
格子定数が等しい化合物半導体であり、例えば窒化アル
ミニウム・ガリウム・インジウムがある。即ち、スペー
サ層の窒化アルミニウム・ガリウムにインジウムを添加
すると、スペーサ層の格子定数が大きくなり、窒化ガリ
ウムと格子整合させることができ、ピエゾ電荷の発生を
抑止することができる。このため、窒化アルミニウム・
ガリウム・インジウムに本来のスペーサとしての働きを
させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１９】図１は、本発明の窒化物半導体装置例とし
ての高電子移動度トランジスタの作成に用いたエピタキ
シャルウェハの断面構造を模式的に示したものである。
ての高電子移動度トランジスタの作成に用いたエピタキ
シャルウェハの断面構造を模式的に示したものである。
【００２０】サファイア基板（又は炭化珪素基板）１上
にＧａＮバッファ層２及びアンドープＧａＮ層３を設
け、その上に膜厚１０nmのアンドープＩｎＧａＮチャネ
ル層４を設け、さらにその上に膜厚２nmのアンドープ
（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x ＩｎxＮスペーサ層５を介し
て、膜厚３０nmのｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ電子供給層６
を設けている。この構造は、アンドープＩｎＧａＮチャ
ネル層４とｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ電子供給層６との間
に、アンドープ（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx Ｎスペ
ーサ層５を設けている点に特色がある。
にＧａＮバッファ層２及びアンドープＧａＮ層３を設
け、その上に膜厚１０nmのアンドープＩｎＧａＮチャネ
ル層４を設け、さらにその上に膜厚２nmのアンドープ
（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x ＩｎxＮスペーサ層５を介し
て、膜厚３０nmのｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ電子供給層６
を設けている。この構造は、アンドープＩｎＧａＮチャ
ネル層４とｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ電子供給層６との間
に、アンドープ（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx Ｎスペ
ーサ層５を設けている点に特色がある。
【００２１】減圧有機金属気相成長法により、図１に示
す上記断面構造のエピタキシャルウェハを作製した。II
I 族原料にはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニ
ウム、トリメチルインジウムを、また窒素原料にはアン
モニアを使用し、キャリアガスには水素、窒素を使用し
た。
す上記断面構造のエピタキシャルウェハを作製した。II
I 族原料にはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニ
ウム、トリメチルインジウムを、また窒素原料にはアン
モニアを使用し、キャリアガスには水素、窒素を使用し
た。
【００２２】このエピタキシャル構造の電気特性をvan
der Pauw法によるＨａｌｌ測定にて評価した。
der Pauw法によるＨａｌｌ測定にて評価した。
【００２３】図２は、２次元電子ガスの移動度とスペー
サ層５の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-xＩｎx ＮのＩｎ組成
ｘとの相関を示した図である。
サ層５の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-xＩｎx ＮのＩｎ組成
ｘとの相関を示した図である。
【００２４】スペーサ層５に使う窒化アルミニウム・ガ
リウム・インジウムのインジウム量、つまり（Ａｌ0.25
Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘを変えて、電子移
動度μ（cm2 ／Ｖｓ）を測定したところ、図２に示すよ
うにインジウムＩｎを添加するにしたがって大きく変化
した。
リウム・インジウムのインジウム量、つまり（Ａｌ0.25
Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘを変えて、電子移
動度μ（cm2 ／Ｖｓ）を測定したところ、図２に示すよ
うにインジウムＩｎを添加するにしたがって大きく変化
した。
【００２５】一方、シートキャリア濃度の変化を図３に
示す。図３は、２次元電子ガスのシートキャリア濃度Ｎ
ｓ（×１０13cm-2）とスペーサ層５の（Ａｌ0.25Ｇａ
0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘとの相関を示した図で
ある。
示す。図３は、２次元電子ガスのシートキャリア濃度Ｎ
ｓ（×１０13cm-2）とスペーサ層５の（Ａｌ0.25Ｇａ
0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘとの相関を示した図で
ある。
【００２６】図３に示すように、インジウム組成が１０
％（Ｉｎ組成ｘ＝０．１０）を越えると、シートキャリ
ア濃度Ｎｓが大きく減少し始める。このため、電子移動
度μの変化も考慮に入れると、インジウム組成５％（ｘ
＝０．０５）がこの構造では最適であると分かる。この
例ではインジウム添加前のアルミニウムの組成が２５％
であった。
％（Ｉｎ組成ｘ＝０．１０）を越えると、シートキャリ
ア濃度Ｎｓが大きく減少し始める。このため、電子移動
度μの変化も考慮に入れると、インジウム組成５％（ｘ
＝０．０５）がこの構造では最適であると分かる。この
例ではインジウム添加前のアルミニウムの組成が２５％
であった。
【００２７】次に、このアルミニウム組成（ｘ＝０．０
５）の時の格子定数のインジウム組成依存性を調べたと
ころ、図４に示す通りであった。この図４は、スペーサ
層５の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘ
と格子定数ａ（nm）の関係を示している。
５）の時の格子定数のインジウム組成依存性を調べたと
ころ、図４に示す通りであった。この図４は、スペーサ
層５の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘ
と格子定数ａ（nm）の関係を示している。
【００２８】図４において、点線はＧａＮの格子定数の
位置を示している。実線は、スペーサ層５の格子定数ａ
が、その（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成
ｘの変化と共に変化する様子を示している。この２つの
ラインの交点が、スペーサ層５の格子定数ａがＧａＮの
格子定数と一致した所になる。即ち、図４中に矢印で示
すように、インジウム組成が５．１％の時、スペーサ層
５がほぼ窒化ガリウムと格子整合する。
位置を示している。実線は、スペーサ層５の格子定数ａ
が、その（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成
ｘの変化と共に変化する様子を示している。この２つの
ラインの交点が、スペーサ層５の格子定数ａがＧａＮの
格子定数と一致した所になる。即ち、図４中に矢印で示
すように、インジウム組成が５．１％の時、スペーサ層
５がほぼ窒化ガリウムと格子整合する。
【００２９】したがって、このような格子整合をさせる
には、スペーサ層５の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx
ＮのＩｎ組成ｘを調整して、ｘ＝０．０５（インジウム
組成５．１％）とすればよい。このインジウム組成５．
１％の点は、図３で説明したように、２次元電子ガスの
シートキャリア濃度Ｎｓとスペーサ層５のＩｎ組成ｘと
の相関関係が最適な所でもある。
には、スペーサ層５の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx
ＮのＩｎ組成ｘを調整して、ｘ＝０．０５（インジウム
組成５．１％）とすればよい。このインジウム組成５．
１％の点は、図３で説明したように、２次元電子ガスの
シートキャリア濃度Ｎｓとスペーサ層５のＩｎ組成ｘと
の相関関係が最適な所でもある。
【００３０】このようにスペーサをほぼ窒化ガリウムと
格子整合させることにより、ヘテロ接合におけるピエゾ
電荷が減少して、クーロン散乱が軽減され、本来の高い
電子移動度が実現される。
格子整合させることにより、ヘテロ接合におけるピエゾ
電荷が減少して、クーロン散乱が軽減され、本来の高い
電子移動度が実現される。
【００３１】上記実施形態で述べた窒化物系高電子移動
度トランジスタは、１０〜１００GHz の高周波帯域で高
効率高出力が期待できるため、これからの超高速無線Ｌ
ＡＮ用、ワイヤレスＣＡＴＶ用の高効率パワートランジ
スタとして利用の拡大が期待される。
度トランジスタは、１０〜１００GHz の高周波帯域で高
効率高出力が期待できるため、これからの超高速無線Ｌ
ＡＮ用、ワイヤレスＣＡＴＶ用の高効率パワートランジ
スタとして利用の拡大が期待される。
【００３２】従来この周波数帯域のパワートランジスタ
は、効率、パワー密度ともに不足しており、そのために
仮に製作しても効率、パワー密度の不足分を、素子を並
列化、大型化することでカバーせざるを得ず、高価にな
る、放熱が問題になるなど、といった課題が多い。本実
施形態で述べた窒化物系高電子移動度トランジスタ素子
が実用化されることで、これら課題が解決され、コンパ
クトで低価格かつ高効率な素子が実現できる。
は、効率、パワー密度ともに不足しており、そのために
仮に製作しても効率、パワー密度の不足分を、素子を並
列化、大型化することでカバーせざるを得ず、高価にな
る、放熱が問題になるなど、といった課題が多い。本実
施形態で述べた窒化物系高電子移動度トランジスタ素子
が実用化されることで、これら課題が解決され、コンパ
クトで低価格かつ高効率な素子が実現できる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜４記載
の発明によれば、ｎ型不純物をドープした窒化アルミニ
ウム・ガリウムから成るｎ型層と、ノンドープの窒化ガ
リウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンド
ープ層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造におい
て、上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪
みを有しない窒化化合物半導体層を挿入したので、これ
がピエゾ電荷の現れないスペーサ層を挿入したことと等
価的に作用し、クーロン散乱を軽減して、チャネル層の
本来の高い電子移動度を実現することができる。
の発明によれば、ｎ型不純物をドープした窒化アルミニ
ウム・ガリウムから成るｎ型層と、ノンドープの窒化ガ
リウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンド
ープ層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造におい
て、上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪
みを有しない窒化化合物半導体層を挿入したので、これ
がピエゾ電荷の現れないスペーサ層を挿入したことと等
価的に作用し、クーロン散乱を軽減して、チャネル層の
本来の高い電子移動度を実現することができる。
【図１】本発明の窒化物半導体装置用エピタキシャルウ
ェハの断面構造を模式的に示した図である。
ェハの断面構造を模式的に示した図である。
【図２】２次元電子ガスの移動度とスペーサ層の（Ａｌ
0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘとの相関を示
した図である。
0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘとの相関を示
した図である。
【図３】２次元電子ガスのシートキャリア濃度とスペー
サ層の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘ
との相関を示した図である。
サ層の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx ＮのＩｎ組成ｘ
との相関を示した図である。
【図４】スペーサ層の（Ａｌ0.25Ｇａ0.75）1-x Ｉｎx
ＮのＩｎ組成ｘと格子定数の関係を示した図である。
ＮのＩｎ組成ｘと格子定数の関係を示した図である。
【図５】従来の窒化物半導体装置用エピタキシャルウェ
ハの断面構造を模式的に示した図である。
ハの断面構造を模式的に示した図である。
１ サファイア基板 ２ バッファ層 ３ アンドープＧａＮ層 ４ チャネル層 ５ スペーサ層 ６ 電子供給層
Claims (4)
- 【請求項１】ｎ型不純物をドープした窒化アルミニウム
・ガリウムから成るｎ型層と、ノンドープの窒化ガリウ
ムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンドープ
層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、上
記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪みを有
しない窒化化合物半導体層を挿入したことを特徴とする
窒化物半導体装置。 - 【請求項２】請求項１記載の窒化物半導体装置におい
て、上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に挿入する窒
化化合物半導体層として、窒化ガリウムに格子定数が等
しい化合物半導体を用いたことを特徴とする窒化物半導
体装置。 - 【請求項３】請求項２記載の窒化物半導体装置におい
て、上記ｎ型層と上記ノンドープ層との間に挿入する窒
化化合物半導体層として、窒化アルミニウム・ガリウム
・インジウムを用いたことを特徴とする窒化物半導体装
置。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の窒化物半導体装
置において、上記ｎ型層とノンドープ層を電界効果型ト
ランジスタの電子供給層とチャネル層としたことを特徴
とする窒化物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27542999A JP3723018B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 窒化物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27542999A JP3723018B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 窒化物半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102564A true JP2001102564A (ja) | 2001-04-13 |
| JP3723018B2 JP3723018B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=17555404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27542999A Expired - Fee Related JP3723018B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 窒化物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3723018B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314123A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| KR100815422B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2008-03-20 | 주식회사 엘지이아이 | 이종구조 전계효과 트랜지스터 제조방법 |
| JP2011082552A (ja) * | 2010-12-08 | 2011-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体積層構造 |
| JP2013141036A (ja) * | 2013-04-22 | 2013-07-18 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体積層構造 |
| CN106505102A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-03-15 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 | 高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法 |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27542999A patent/JP3723018B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002314123A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
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| CN106505102A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-03-15 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 | 高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法 |
| CN106505102B (zh) * | 2016-12-12 | 2024-05-03 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 | 高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3723018B2 (ja) | 2005-12-07 |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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