JP2001094424A - A/d変換器 - Google Patents

A/d変換器

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JP2001094424A
JP2001094424A JP24158399A JP24158399A JP2001094424A JP 2001094424 A JP2001094424 A JP 2001094424A JP 24158399 A JP24158399 A JP 24158399A JP 24158399 A JP24158399 A JP 24158399A JP 2001094424 A JP2001094424 A JP 2001094424A
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仲 哲 余
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西 直 之 濱
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力や回路規模を増大することなく、コ
ンパレータのオフセットを低減可能なA/D変換器を提
供する。 【解決手段】 本発明のA/D変換器は、アナログ入力
電圧Vinを基準電圧と比較する複数のコンパレータ1
と、各コンパレータ1の出力に基づいてアナログ入力電
圧Vinに応じたデジタル信号を生成するデジタル・デコ
ーダ2とを備えている。コンパレータ1は、プリアンプ
3と、プリアンプ3の後段に接続された多入力差動増幅
部4aとを有する。多入力差動増幅部4aは、隣接する
3つのプリアンプ3から出力された差動信号それぞれを
平均化して、最終的な差動信号を出力する。これによ
り、各プリアンプ3のオフセットを相殺でき、高精度に
A/D変換を行うことができる。また、抵抗を用いずに
平均化処理を行うため、コストアップにならず、消費電
力も抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ異なる電
圧レベルの基準電圧が設定された複数のコンパレータの
それぞれにて、基準電圧とアナログ入力電圧とを比較
し、その比較結果に基づいて、アナログ入力電圧をデジ
タル信号に変換するフラッシュ型のA/D(analog-to-d
igital)変換器に関する。
【0002】
【従来の技術】フラッシュ型のA/D変換器(以下、フ
ラッシュADCと呼ぶ)は、高速にA/D変換を行える
ため、高速性が要求される分野で幅広く利用されてい
る。
【0003】図7は従来のフラッシュADCの基本構成
を示すブロック図である。同図に示すように、従来のフ
ラッシュADCは、複数の高速コンパレータ1と、これ
らコンパレータ1の出力に基づいてデジタル出力値を生
成するデジタル・デコーダ2とを備えている。複数のコ
ンパレータ1は互いに並列に接続され、各コンパレータ
1には、それぞれ異なる電圧レベルの基準電圧が設定さ
れている。
【0004】各コンパレータ1は、アナログ入力電圧V
inと基準電圧Vrefとを比較し、両電圧の差電圧をデジ
タル出力値レベルにまで増幅して出力する。デジタル・
デコーダ2は、各コンパレータ1の出力に基づいて、ア
ナログ入力電圧Vinに応じたデジタル出力値を出力す
る。
【0005】A/D変換器は、ある電圧範囲内のアナロ
グ入力電圧Vinを同一のデジタル出力値に割り当てる。
デジタル出力値のビット数が増えるほど、各デジタル出
力値に対応するアナログ入力電圧Vinの電圧幅(ステッ
プ幅)は小さくなり、アナログ入力電圧Vinの変化をよ
り忠実に再現することができる。
【0006】理想的には、個々のステップ幅にばらつき
がないのが望ましい。すなわち、均一な階段特性(線形
特性)を備えるA/D変換器が理想的である。
【0007】A/D変換器の分解能は通常、デジタル出
力値のビット数で表される。nビットの分解能をもつA
/D変換器の場合、2n種類のデジタル値を有する。n
ビットのユニポート型線形ADCの先頭ステップ幅(最
大電圧に対応するステップ幅)と最終ステップ幅(最小
電圧に対応するステップ幅)は、他のステップ幅の半分
の幅を有する。このタイプのA/D変換器のアナログ入
力変化電圧Vi,tranは、以下の(1)式で表される。
【0008】
【数1】 (1)式において、LSBはステップ幅を表し、1LS
Bは(2)式で表される。
【0009】 1LSB=FSR/(2n−1) …(2) (2)式において、FSRは、A/D変換器のフル入力
電圧幅である。
【0010】実際のA/D変換器は非線形エラーを有す
るため、理想的なA/D変換特性をもつA/D変換器を
実現するのは困難である。非線形エラーには、INL
(積分誤差:Integral Non-Linear)エラーとDNL(微分
誤差:Differential Non-Linear)がある。これらINL
とDNLにより、実際のA/D変換器が理想的なものと
比べてどの程度の誤差を含むのかを知ることができる。
INLはアナログ入力変化点の誤差の積算値、すなわ
ち、理論値と実測値の差の積算値であり、DNLは1L
SBのステップ幅の誤差である。
【0011】nビットのフラッシュADCは、少なくと
も2n−1個のコンパレータ1を必要とする。各コンパ
レータ1の非理想特性(例えば、オフセット)により、
ADCの出力に誤差が生じる。
【0012】図7のコンパレータ1を実際に実装する場
合は、多段のカスケード接続された増幅器やラッチド・
コンパレータ1が用いられる。ラッチド・コンパレータ
1は通常、比較的大きなオフセットを有する。このオフ
セットにより、各コンパレータ1にマッチングミスが起
きたり、コンパレータ1のクロック動作やラッチ動作に
異常が生じる。
【0013】このようなコンパレータ1のオフセットを
低減するために、所定のゲインを与えるプリアンプを有
するフラッシュADCが広く用いられている。
【0014】図8はプリアンプを有するフラッシュAD
Cの概略構成を示すブロック図である。同図のコンパレ
ータ1は、プリアンプ3と、プリアンプ3の後段に接続
された差動増幅部4とを有する。プリアンプ3は、ラッ
チ付きでも、ラッチなしでも、どちらでもよい。同図の
各コンパレータ1のオフセット総量は、プリアンプ3の
オフセットにほぼ依存する。したがって、高性能のコン
パレータ1を作製するには、プリアンプ3のオフセット
を小さくする必要がある。
【0015】カスケード接続されたプリアンプ3のアナ
ログ入力ポートにおけるオフセット総量は、以下の
(3)式で表される。
【0016】 Voff,in=Voff,pre+Voff,cmp/Gpre +Vdigi/(Gpre×Gcmp) …(3) (3)式において、Voff,inは入力参照オフセット、V
off,preはプリアンプ3のオフセット、Voff,cmpはコン
パレータ1のオフセット、Gpreはプリアンプ3のゲイ
ン、Vdigiはデジタル出力値の電圧レベル、Gcmpはコ
ンパレータ1のゲインである。
【0017】(3)式より、プリアンプ3のオフセット
がコンパレータ1の全オフセット総量の大部分を占める
ことがわかる。
【0018】上述したINLおよびDNLの定義によれ
ば、A/D変換器の非線形性とコンパレータ1のオフセ
ットとの間には、以下の(4)式および(5)式の関係
が成り立つ。
【0019】INL=max(Voff,in) …(4) DNL=max(Voff,in−V'off,in) …(5) (4)式より、INLは、入力参照オフセットの最大値
である。また、(5)式より、DNLは、隣接するコン
パレータ1の入力参照オフセットの最大差分である。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】プリアンプ3のオフセ
ットを低減するための方策として、以下のが提案さ
れている(Kevin Kattmann and Jeff Barrow, "A Techni
que for reducing Differential Non-Linearity Errors
in Flash A/D converters" ISSCC Digest of Techinic
al Papers, pp.170-171, Feb., 1991、かつ、Klaas Bul
t, Aaron Buchwald and Joe Laskowki, "A 170mW 10b 5
0M sample/s CMOS ADC in 1mm2", ISSCC Digest of Tec
hnical Papers, pp136-137, Feb., 1997)。
【0021】異なる2つのプリアンプ3同士のオフセ
ット誤差は、素子サイズに依存するため、素子サイズを
最適化することによりオフセットを減らすことができ
る。一般的な傾向として、素子サイズが大きいほど、オ
フセットは小さくなる。したがって、素子サイズを最適
化することで、コンパレータ1の性能は設計通りにな
る。
【0022】しかしながら、最適化しようとして素子サ
イズを大きくすると、フラッシュADCの入力ポート部
分の素子形成面積が大きくなり、フラッシュADCの前
段に接続されるバッファリング・ドライバの負荷駆動力
を増強する必要が生じ、消費電力の増加や回路規模の増
大を招いてしまう。
【0023】コンパレータ1内のプリアンプ3の出力
端子同士を、図9に示すように抵抗ネットワーク21を
介して互いに接続することにより、個々のプリアンプ3
の出力電圧を平均化してオフセットを減らすことができ
る。抵抗ネットワーク21により、プリアンプ3のオフ
セットが平均化されてINLが改善される。また、隣接
するコンパレータ1同士の相関度が高くなるため、DN
Lも改善される。
【0024】しかしながら、図9の回路の場合、抵抗ネ
ットワーク21を新たに設けなければならず、コスト高
になる。また、抵抗ネットワーク21を構成する各抵抗
をパターンにより形成すると、フラッシュADC全体の
形成面積が大きくなり、小型化が困難になる。さらに、
抵抗ネットワーク21には常に電流が流れるため、フラ
ッシュADCの消費電力が増える。また、抵抗ネットワ
ーク21を接続することにより、プリアンプ3の出力レ
ベルが下がるため、プリアンプ3の前段のドライバの負
荷駆動力を増強しなければならなくなる。
【0025】このように、高速度が要求される分野で
は、広帯域の回路でプリアンプ3を構成する必要がある
が、高ゲインのアンプを要求する従来の自動ゼロ技術だ
けでは、消費電力や回路規模が増大するおそれがあり、
コストアップが避けられない。
【0026】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、消費電力や回路規模を増大す
ることなく、コンパレータのオフセットを低減すること
ができるA/D変換器を提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1の発明は、それぞれ異なる電圧レベル
の基準電圧が設定され、該基準電圧とアナログ入力電圧
とを比較して両電圧の差電圧に応じた信号を出力する複
数の比較器と、これら比較器の出力に基づいて、前記ア
ナログ入力電圧に対応するデジタル信号を生成するデジ
タル信号生成器と、を備えたA/D変換器において、前
記複数の比較器のそれぞれは、自己の基準電圧とアナロ
グ入力電圧との差電圧に応じた第1の信号を出力する第
1の比較信号出力部と、自己の前記第1の比較信号出力
部から出力された前記第1の信号と、自己の基準電圧に
近接した基準電圧が設定された他の前記比較器内の前記
第1の比較信号出力部から出力された前記第1の信号と
の間で平均化処理を行った結果に基づいて、自己の基準
電圧とアナログ入力電圧との差電圧に応じた第2の信号
を出力する第2の比較信号出力部と、を備え、前記第2
の比較信号出力部は、インピーダンス素子を用いること
なく、前記平均化処理を行い、前記デジタル信号生成器
は、前記第2の信号に基づいて前記アナログ入力電圧に
対応するデジタル信号を生成する。
【0028】請求項1の発明では、複数の第1の比較信
号出力部の出力を、インピーダンス素子を用いることな
く平均化し、その結果に基づいてA/D変換を行う。平
均化を行うことで、第1の比較信号出力部それぞれのオ
フセットを相殺でき、A/D変換の精度が向上する。
【0029】請求項2の発明では、複数の第1の比較信
号出力部から出力された第1の信号を同じ比率で平均化
するか、あるいは、異なる比率で重み付けして平均化す
る。
【0030】請求項3の発明では、自己を中心としてそ
の前後の第1の差動信号出力部から出力された差動信号
に基づいて平均化処理を行うため、回路構成を複雑にす
ることなく、オフセット誤差をなくすことができる。
【0031】請求項4の発明では、差動トランジスタ対
に流れる電流により平均化処理を行うため、回路構成を
簡略化することができる。
【0032】請求項5の発明では、最大基準電圧と最小
基準電圧に対応する各第2の比較信号出力部でも、他の
第2の比較信号出力部と同様に平均化処理を行えるよう
に、第1および第2のダミー信号出力回路を設ける。
【0033】請求項6の発明では、第1および第2のダ
ミー信号出力回路に設定される基準電圧を、他の第1の
比較信号出力部に設定される基準電圧を用いて生成す
る。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るA/D変換器
について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0035】図1は本発明に係るA/D変換器の一実施
形態の概略構成を示すブロック図、図2は図1の特性を
示す図である。図1はフラッシュADC(Flash Analog
Digital Converter)の構成を示している。図1のフラッ
シュADCは、アナログ入力電圧Vinを基準電圧と比較
する複数のコンパレータ(比較器)1と、各コンパレー
タ1の出力に基づいてアナログ入力電圧Vinに応じたデ
ジタル信号を生成するデジタル・デコーダ(デジタル信
号生成器)2とを備えている。
【0036】コンパレータ1は、プリアンプ(第1の比
較信号出力部)3と、プリアンプ3の後段に接続された
多入力差動増幅部(第2の比較信号出力部)4aとを有
する。本実施形態は、多入力差動増幅部4aを設けた点
に特徴がある。
【0037】プリアンプ3は、アナログ入力電圧Vin
基準電圧との差電圧に応じた差動信号を出力する。多入
力差動増幅部4aは、隣接する複数のプリアンプ3(図
1では隣接する3つのプリアンプ3)から出力された差
動信号を重み付けした結果に基づいて、最終的な差動信
号を出力する。デジタル・デコーダ2は、多入力差動増
幅部4aから出力された差動信号に基づいてデジタル信
号を生成する。
【0038】アナログ入力電圧Vinがプリアンプ3の線
形動作範囲内の電圧レベルであれば、多入力差動増幅部
4aには、隣接する複数のプリアンプ3の出力電圧を平
均化した電圧に応じた電流が流れる。また、アナログ入
力電圧Vinがプリアンプ3の線形動作範囲外の電圧レベ
ルであれば、図2に示すように、多入力差動増幅部4a
を流れる電流はクリップされる。
【0039】なお、多入力差動増幅部4aで複数のプリ
アンプ3の出力電圧を平均化する手法として、複数のプ
リアンプ3の出力電圧の単純な平均を取る手法の他に、
各プリアンプ3の出力電圧を重み付けして平均化する手
法がある。本明細書では、これら両方を併せて平均化と
呼ぶ。
【0040】図1の場合、多入力差動増幅部4aにそれ
ぞれ3つのプリアンプ3を接続しているため、図1のi
番目のプリアンプ3のオフセット電圧は、31/2倍に減
少する。一般に、多入力差動増幅部4aにN個のプリア
ンプ3を接続して平均化処理を行うと、プリアンプ3の
オフセット(とINL)は、N1/2倍に減少する。
【0041】また、多入力差動増幅部4aを設けて平均
化処理を行うことにより、2つのプリアンプ3の出力電
圧の相関度が高くなり、DNLが改善される。
【0042】図1のように、プリアンプ3の出力電圧を
平均化した場合のi番目と(i-1)番目のコンパレータ1
の出力電圧Vi,avg,Vi-1,avgは、それぞれ(6)式お
よび(7)式で表される。
【0043】 Vi,avg=(Vi-1+Vi+Vi+1)/3 …(6) Vi-1,avg=(Vi-2+Vi-1+Vi)/3 …(7) (6)式および(7)式に示す平均化電圧Vi,avg,V
i-1,avgの差電圧δVは、(8)式のようになる。
【0044】 δV=Vi,avg−Vi-1,avg=(Vi+1−Vi-2)/3 …(8) 一方、プリアンプ3の出力電圧を平均化しない場合のi
番目と(i-1)番目のコンパレータ1の出力電圧Vi,avg
i-1,avgの差電圧δVは、(9)式のようになる。
【0045】 δV'=Vi,avg−Vi-1,avg=Vi−Vi-1 …(9) (8)式と(9)式を比較すると、プリアンプ3の出力
電圧を平均化することにより、DNLが3倍も改善され
ることがわかる。
【0046】図1では隣接する3つのプリアンプ3の出
力電圧を平均化する例を説明したが、平均化するプリア
ンプ3の数は3つに限定されない。例えば、N個のプリ
アンプ3の出力電圧を平均化すると、DNLはN倍改善
される。
【0047】図9に示した従来例のように、プリアンプ
3の出力端子間に抵抗ネットワーク21を接続して出力
電圧を平均化しても、プリアンプ3のオフセットを減ら
すことができるが、抵抗ネットワーク21を追加すると
コストアップと消費電力の増加を招く。一方、本実施形
態の場合、図9の二入力差動増幅部を図1の多入力差動
増幅部4aに置き換えるだけでプリアンプ3の出力電圧
を平均化できるため、抵抗21が不要であり、消費電力
や回路規模の増大を抑制できる。
【0048】図3(a)は図8や図9の二入力差動増幅
部4の典型的な回路図である。同図に示すように、二入
力差動増幅部4は、差動トランジスタ対11と、定電流
源12と、負荷回路13とを有する。プリアンプ3から
出力された差動出力電圧は、差動トランジスタ対11の
ゲート端子に入力される。差動トランジスタ対11のド
レイン−ソース端子間には、プリアンプ3からの差動出
力電圧に応じた電流が流れる。
【0049】一方、図3(b)は図1の多入力差動増幅
部4aの詳細構成を示す回路図である。同図に示すよう
に、多入力差動増幅部4aの内部には、各プリアンプ3
に対応して、複数の差動トランジスタ対11と定電流源
12とが設けられている。各差動トランジスタ対11の
ドレイン端子を互いに接続することにより、平均化処理
が行われる。
【0050】図3(b)の各差動トランジスタ対11の
素子サイズを図3(a)の差動トランジスタ対11の素
子サイズの1/Nにすれば、二入力差動増幅部4とほぼ
同一の回路規模で多入力差動増幅部4aを形成でき、か
つ、多入力差動増幅部4aに流れる電流量を二入力差動
増幅部4とほぼ同じにすることができ、オフセットも略
等しくなる。
【0051】また、図3(b)の各定電流源12に流れ
る電流を調整することにより、多入力差動増幅部4aに
入力される各プリアンプ3の出力電圧を重み付けして平
均化処理を行うことができる。
【0052】次に、図1に示すA/D変換器の動作を説
明する。各コンパレータ1内のプリアンプ3にはそれぞ
れ異なる基準電圧が設定され、各プリアンプ3は、基準
電圧とアナログ入力電圧Vinとの差電圧に応じた差動電
圧を出力する。
【0053】i番目の多入力差動増幅部4aには、(i-
1)番目、i番目、および(i+1)番目の各プリアンプ3の
差動出力電圧がそれぞれ入力される。アナログ入力電圧
inがi番目のプリアンプ3の基準電圧に近い電圧であ
れば、(i-1)番目と(i+1)番目のプリアンプ3は線形に動
作する。この場合のi番目のコンパレータ1の差動出力
電流Ii,cmpは(10)式で表される。
【0054】 Ii,cmp=Gi-1×(Vin−Vi-1,ref)×gmi,i-1 +Gi×(Vin−Vi,ref)×gmi,i +Gi+1×(Vin−Vi+1,ref)×gmi,i+1 …(10) 図7や図8のように平均化しない場合の二入力差動増幅
部4の出力電流は(11)式で表される。
【0055】 I'i,cmp=Gi×(Vin−Vi,ref)×gm'i,i …(11) (10)式および(11)式において、Giはi番目の
プリアンプ3の電圧ゲイン、Vinはアナログ入力電圧V
in、Vi,refはi番目のプリアンプ3に接続された基準
電圧、gmiは図3(a)に示す個々の差動トランジス
タ対11のトランスコンダクタンス、gm'i,iは図3
(a)に示す差動トランジスタ対11のトランスコンダ
クタンスである。
【0056】各素子の特性が完全にマッチングしてい
て、プリアンプ3が線形動作するような理想的なケース
の場合、以下の(12)〜(14)式が成り立つ。
【0057】 Gi-1=Gi=Gi+1 …(12) [(Vin−Vi-1,ref)−(Vin−Vi,ref)] =[(Vin−Vi,ref)−(Vin−Vi+1,ref)] …(13) gmi,i-1=gmi,i=gmi,i+1=3×gm'i,i …(14) (10)〜(14)式より、(15)式の関係が得られ
る。
【0058】Ii,cmp=I'i,cmp …(15) すなわち、図1の多入力差動増幅部4aに流れる電流
と、図8の二入力差動増幅部4に流れる電流とは等しく
なる。
【0059】一方、各素子にマッチングミスがある場合
について検討する。図8のようにプリアンプ3の差動出
力電圧を平均化しない場合には、各プリアンプ3のオフ
セットは、ガウス分布をもつ独立ランダム分散として取
り扱うことができる。i番目のプリアンプ3の出力電圧
をVoi=Gi×(Vin−Vi,ref)とし、その分散をσ 2
voiとすると、(11)式より、I'i,cmpの分散σ2
i',cmpは(16)式のようになる。
【0060】 σ2 i',cmp=(σ2 voi+V2 oi)×(σ2 gm'i,i+gm'2 i,i) −V2 oi×gm'2 i,i …(16) (16)式において、σ2 gm'i,iはgm'i,iの分散であ
る。図1と(14)式から、トランスコンダクタンスg
m'i,iは、gmi,i-1、gmi,i、およびgmi,i+ 1の線
形結合である。したがって、(16)式は(17)式の
ようになる。
【0061】 σ2 i',cmp=(σ2 voi+V2 oi)×[(σ2 gmi,i-1+σ2 gmi,i+σ2 gmi,i+1) +32gm2 i,i]−V2 oi×32gm2 i,i …(17 ) 図1の各プリアンプ3のトランスコンダクタンスの分散
を、σ2 gmi,i-1=σ2 g mi,i=σ2 gmi,i+1と仮定すると、
(17)式は(18)式のようになる。
【0062】 σ2 i',cmp=9×(σ2 voi×gm2 i,i)+3×(σ2 gmi,i×V2 oi) +3×(σ2 voi×σ2 gmi,i) …(18) (i-1)番目、i番目および(i+1)番目のプリアンプ3の出
力電圧をそれぞれ、(19)〜(21)式のように仮定
すると、(22)式が得られる。
【0063】 Gi-1×(Vin−Vi-1,ref)=Voi-1 …(19) Gi×(Vin−Vi,ref)=Voi …(20) Gi+1×(Vin−Vi+1,ref)=Voi+1 …(21) σ2 i,cmp=(σ2 voi-1+V2 oi-1)×(σ2 gmi,i-1+gm2 i,i-1) −V2 oi-1×gm2 i,i-1 +(σ2 voi+V2 oi)×(σ2 gmi,i+gm2 i,i)−V2 oi×gm2 i,i +(σ2 voi+1+V2 oi+1)×(σ2 gmi,i-1+gm2 i,i+1) −V2 oi+1×gm2 i,i+1 …(22) (13)式より、(23)式および(24)式が成り立
つ。
【0064】 (Voi+1−Voi)=(Voi−Voi-1)=σ …(23) σ2 voi-1=σ2 voi=σ2 voi+1 …(24) (23)式および(24)式より、(22)式は(2
5)式のようになる。
【0065】 σ2 i,cmp=3×(σ2 voi×gm2 i,i)+3×(σ2 gmi,i×V2 oi) +3×(σ2 voi×σ2 gmi,i1)+2×(σ2 gmi,i×δ2) …(25) (18)式と(25)式の右辺第1項を比較すると、プ
リアンプ3のばらつきを示す分散、すなわち標準偏差σ
voiは、3分の1になる。また、プリアンプ3のオフセ
ットは31/2倍になる。
【0066】一方、(18)式と(25)式の右辺第2
項および第3項に示すコンパレータ1に依存するトラン
スコンダクタンスのばらつきは、(18)式と(25)
式の双方で同じである。このことは、(25)式におい
て、プリアンプ3のオフセットが平均化されたことを示
している。
【0067】(25)式の右辺第4項は、平均化後の付
加的なエラーである。このエラーは、1LSBの幅とプ
リアンプ3のゲインに依存する。(25)式の第1項と
第4項を比較すると、δはσvoiに近く、σgmi,iはgm
i,iのおよそ数%である。このことは、付加的なエラー
は、本実施形態においてはそれほど重要ではないことを
示している。
【0068】このように、図3(b)と同構成の多入力
差動増幅部4aにN個のプリアンプ3を接続すると、各
プリアンプ3のオフセットを1/N1/2倍に減らすこと
ができる。
【0069】DNLは、隣接した2つの変化量における
偏差である。平均化前後の回路の差電流を比較すること
により、平均化処理により、DNLがどの程度改善され
たかを把握することができる。
【0070】まず、図8に示すように平均化しないA/
D変換器について検討する。(11)式より、i番目の
コンパレータ1の出力電流I'i,cmpは、(26)式のよ
うになる。
【0071】 I'i,cmp=Gi×(Vin−Vi,ref)×gm'i,i =Voi×gm'i,i …(26) 同様に、i+1番目のコンパレータ1の出力電流I'
i+1,cmpは、(27)式のようになる。
【0072】 I'i+1,cmp=Gi+1×(Vin−Vi+1,ref)×gm'i,i =Voi×gm'i+1,i+1 …(27) また、差電流δI'は、(28)式のようになる。
【0073】 δI'=Voi+1×gm'i+1,i+1−Voi×gm'i,i =3×gmi,i×(Voi+1−Voi) …(28) また、分散σ2δi'は、(29)式のようになる。
【0074】 σ2δi'=(3×σ2 gmi,i+32×gm2 i,i) ×[(2×σ2 voi)+σ2]−32×gm2 i,i×σ2 =18×gm2 i,i×σ2 voi+6×σ2 gmi,i×σ2 voi +3×σ2 gmi,i×δ2 …(29) 同様に、図8の場合、(10)式より、i番目と(i+1)
番目のコンパレータ1の出力はそれぞれ、(30)式お
よび(31)式のようになる。
【0075】 Ii,cmp=Voi-1×gmi,i-1+Voi×gmi,i +Voi+1×gmi,i+1 …(30) Ii+1,cmp=Voi×gmi+1,i-1+Voi+1×gmi+1,i +Voi+2×gmi+2,i+1 …(31) (30)式と(31)式より、差電流δIは(32)式
のようになる。
【0076】 δI=gmi,i×(Voi-1−Voi+2) …(32) また、差電流δIの分散は、(33)式のようになる。
【0077】 σ2δ=(σ2 gmi,i+gm2 i,i)×[(2×σ2 voi)+32×δ2] −gm2 i,i×32×δ2 =2×gm2 i,i×σ2 voi+2×σ2 gmi,i×σ2 voi+9×σ2 gmi,i×δ2 …(33) (29)式と(33)式を比較すると、プリアンプ3に
依存する出力のばらつき(右辺第1項)は9分の1に減
少し、第2項は3分の1に減少し、第3項は3倍に増加
する。また、1LSBの幅とプリアンプ3のゲインに依
存する付加的なエラーが生じる。上述したように、第1
項を比較する限りは、この付加的なエラーは比較的小さ
い。
【0078】このように、本実施形態のA/D変換器で
は、DNLを3分の1に減らすことができる。また、隣
接するN個のプリアンプ3の差動出力電圧が多入力差動
増幅部4aに入力される場合には、DNLをN分の1に
減らすことができる。
【0079】図1のようにA/D変換器を構成すると、
最も電圧値の高い基準電圧(最大基準電圧)に対応する
多入力差動増幅部4aと、最も電圧値の低い基準電圧
(最小基準電圧)に対応する多入力差動増幅部4aに
は、図4に示すようにダミーのプリアンプ3a,3b
(第1および第2のダミー信号出力部)が接続される。
【0080】図5(a)および図5(b)はそれぞれ、
図4に示すダミーのプリアンプ3a,3bの詳細構成を
示す回路図である。図4に示すプリアンプ3bの出力電
圧Voは、(34)式で表される。
【0081】 Vo=−RL×gm×(Vin−V0,ref) …(34) (34)式において、gmはソース端子が互いに接続さ
れた差動トランジスタ対11のトランスコンダクタンス
である。また、基準電圧V2,ref、V1,ref、V 0,ref
間には(35)式の関係が成り立つ。
【0082】 V2,ref−V1,ref=V1,ref−V0,ref=1LSB …(35) したがって、(34)式中の(Vin−V0,ref)は、
(36)式で表される。
【0083】 Vin−V0,ref=Vin−(2×V1,ref−V2,ref) =(Vin−V1,ref)+(V2,ref−V1,ref) …(36) (36)式を(34)式に代入することにより、(3
7)式が得られる。
【0084】 Vo=−RL×[gm×(Vin−V1,ref)+gm×(V2,ref−V1,ref) …(37 ) (37)式より、プリアンプ3は図4のような回路で実
現可能である。
【0085】このように、アナログ入力電圧Vinの電圧
範囲内の基準電圧のみを用いてダミーのプリアンプ3を
構成することができる。すなわち、アナログ入力電圧V
inの電圧範囲外の基準電圧V0,refを、(37)式に示
すように、アナログ入力電圧Vinの電圧範囲内の基準電
圧V1,refやV2,refで代用することができる。
【0086】同様に、ダミーのプリアンプ3aについて
も、アナログ入力電圧Vinの電圧範囲該の基準電圧V
N+1,refを、アナログ入力電圧Vinの電圧範囲内の基準
電圧VN ,refやVN-1,refで代用することができる。
【0087】図1では、隣接する3つのプリアンプ3の
出力電圧を用いて平均化処理を行っているが、平均化処
理のために組み合わされるプリアンプ3の個数は、プリ
アンプ3の線形動作範囲や1LSBの幅に依存し、3個
に限定されない。
【0088】本実施形態のような平均化処理を行うと、
結果的には図9と同様の効果が得られるが、抵抗が不要
であるため、コストアップになることがなく、消費電力
も少なくて済む。また、抵抗が不要になることで、高周
波動作を妨げる寄生容量による影響も受けにくくなる。
さらに、回路規模の増大も抑制できる。
【0089】上述した実施形態では、プリアンプ3から
差動信号を出力する例を説明したが、図6に示すよう
に、各プリアンプ4aから単一の差電圧信号を出力して
もよい。この場合、多入力差動増幅部4aの差動入力端
子の片側は、アナロググランドに接続すればよい。これ
により、多入力差動増幅部4aは、図1と同様の平均化
処理を行うことができる。
【0090】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、複数の第1の比較信号出力部の出力を、インピー
ダンス素子を用いることなく平均化した結果に基づいて
A/D変換を行うため、第1の比較信号出力部それぞれ
のオフセットの影響を相殺でき、高精度にA/D変換を
行うことができる。また、抵抗等のインピーダンス素子
が不要になるため、コストアップにならなくなり、消費
電力を抑制できるとともに、回路規模も削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るA/D変換器の一実施形態の概略
構成を示すブロック図。
【図2】図1の特性を示す図。
【図3】(a)は図8や図9の二入力差動増幅部4の典
型的な回路図、(b)は図1の多入力差動増幅部4aの
詳細構成を示す回路図。
【図4】ダミーのプリアンプを有するフラッシュADC
のブロック図。
【図5】(a)は図4のプリアンプ3aの詳細構成を示
す回路図、(b)はプリアンプ3bの詳細構成を示す回
路図。
【図6】各プリアンプから単一の差電圧信号を出力する
ADCのブロック図。
【図7】従来のフラッシュADCの基本構成を示すブロ
ック図。
【図8】プリアンプを有するフラッシュADCの概略構
成を示すブロック図。
【図9】プリアンプの出力段に抵抗を接続してオフセッ
ト低減を図った従来のブロック図。
【符号の説明】
1 コンパレータ 2 デジタルデコーダ 3 プリアンプ 4 二入力差動増幅部 4a 多入力差動増幅部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000003078 株式会社東芝 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 (72)発明者 余 仲 哲 シンガポール国シンガポール、アレクサン ドラ、ロード、438ビー、アレクサンドラ、 テクノパーク、06−08/12 トーシバ、エ レクトロニクス、アジア、(シンガポー ル)、プライベート、リミテッド内 (72)発明者 濱 西 直 之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝 マイクロエレクトロニクスセ ンター Fターム(参考) 5J022 BA04 BA06 CA01 CB02 CD03 CF01 CF02 CF04 CF07 CG01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】それぞれ異なる電圧レベルの基準電圧が設
    定され、該基準電圧とアナログ入力電圧とを比較して両
    電圧の差電圧に応じた信号を出力する複数の比較器と、 これら比較器の出力に基づいて、前記アナログ入力電圧
    に対応するデジタル信号を生成するデジタル信号生成器
    と、を備えたA/D変換器において、 前記複数の比較器のそれぞれは、 自己の基準電圧とアナログ入力電圧との差電圧に応じた
    第1の信号を出力する第1の比較信号出力部と、 自己の前記第1の比較信号出力部から出力された前記第
    1の信号と、自己の基準電圧に近接した基準電圧が設定
    された他の前記比較器内の前記第1の比較信号出力部か
    ら出力された前記第1の信号との間で平均化処理を行っ
    た結果に基づいて、自己の基準電圧とアナログ入力電圧
    との差電圧に応じた第2の信号を出力する第2の比較信
    号出力部と、を備え、 前記第2の比較信号出力部は、インピーダンス素子を用
    いることなく、前記平均化処理を行い、 前記デジタル信号生成器は、前記第2の信号に基づいて
    前記アナログ入力電圧に対応するデジタル信号を生成す
    ることを特徴とするA/D変換器。
  2. 【請求項2】前記第1の比較信号出力部は、自己の基準
    電圧とアナログ入力電圧との差電圧に応じた差動信号を
    前記第1の信号として出力し、 前記第2の比較信号出力部は、自己の前記第1の比較信
    号出力部から出力された前記第1の信号と、自己の基準
    電圧に近接した基準電圧が設定された前記第1の比較信
    号出力部から出力された前記第1の信号とを、同じ比率
    あるいは異なる比率で重み付けして前記平均化処理を行
    うことを特徴とする請求項1に記載のA/D変換器。
  3. 【請求項3】前記第2の比較信号出力部は、自己の基準
    電圧よりも一段階電圧が高い基準電圧が設定された他の
    前記比較器内の前記第1の差動信号出力部から出力され
    た差動信号と、自己の基準電圧よりも一段階電圧が低い
    基準電圧が設定された他の前記比較器内の前記第1の差
    動信号出力部から出力された差動信号とに基づいて、前
    記平均化処理を行うことを特徴とする請求項2に記載の
    A/D変換器。
  4. 【請求項4】前記第2の比較信号出力部のそれぞれは、 自己に入力される前記第1の差動信号出力部のそれぞれ
    に対応して設けられる複数の差動トランジスタ対と、 各差動トランジスタ対の第1の出力端子に共通に接続さ
    れる負荷回路と、 各差動トランジスタ対のそれぞれごとに設けられ、各差
    動トランジスタ対の第2の出力端子に接続される定電流
    源と、を有し、 各差動トランジスタ対のゲート(ベース)端子には、対
    応する前記第1の差動信号出力部から出力された前記第
    1の信号が入力されることを特徴とする請求項2または
    3に記載のA/D変換器。
  5. 【請求項5】最も電圧レベルの高い最大基準電圧よりも
    さらに高い電圧とアナログ入力電圧とを比較した結果を
    出力する第1のダミー信号出力回路と、 最も電圧レベルの低い最小基準電圧よりもさらに低い電
    圧とアナログ入力電圧とを比較した結果を出力する第2
    のダミー信号出力回路と、を備え、 前記第1のダミー信号出力回路の出力端子は、前記最大
    基準電圧に対応する前記第2の比較信号出力部の入力端
    子に接続され、 前記第2のダミー信号出力回路の出力端子は、前記最小
    基準電圧に対応する前記第2の比較信号出力部の入力端
    子に接続されることを特徴とする請求項1及至4のいず
    れかに記載のA/D変換器。
  6. 【請求項6】前記第1のダミー信号出力回路は、 第1および第2の差動トランジスタ対と、 前記第1および第2の差動トランジスタ対の第1の出力
    端子に共通に接続される負荷回路と、 前記第1の差動トランジスタ対の第2の出力端子に接続
    される第1の定電流源と、 前記第2の差動トランジスタ対の第2の出力端子に接続
    される第2の定電流源と、を有し、 前記第1の差動トランジスタ対の一方のトランジスタの
    ゲート(ベース)端子にはアナログ入力電圧が印加さ
    れ、他方のトランジスタのゲート(ベース)端子には前
    記最大基準電圧が印加され、 前記第2の差動トランジスタ対の一方のトランジスタの
    ゲート(ベース)端子には前記最大基準電圧が印加さ
    れ、他方のトランジスタのゲート(ベース)端子には前
    記最大基準電圧より一段階電圧が低い基準電圧が印加さ
    れることを特徴とする請求項5に記載のA/D変換器。
  7. 【請求項7】前記第2のダミー信号出力回路は、 第3および第4の差動トランジスタ対と、 前記第3および第4の差動トランジスタ対の第1の出力
    端子に共通に接続される負荷回路と、 前記第3の差動トランジスタ対の第2の出力端子に接続
    される第3の定電流源と、 前記第4の差動トランジスタ対の第2の出力端子に接続
    される第4の定電流源と、を有し、 前記第3の差動トランジスタ対の一方のトランジスタの
    ゲート(ベース)端子にはアナログ入力電圧が印加さ
    れ、他方のトランジスタのゲート(ベース)端子には前
    記最小基準電圧が印加され、 前記第4の差動トランジスタ対の一方のトランジスタの
    ゲート(ベース)端子には前記最小基準電圧が印加さ
    れ、他方のトランジスタのゲート(ベース)端子には前
    記最小基準電圧より一段階電圧が高い基準電圧が印加さ
    れることを特徴とする請求項5または6に記載のA/D
    変換器。
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