JP2001089295A

JP2001089295A - 単結晶引上げ装置

Info

Publication number: JP2001089295A
Application number: JP26234199A
Authority: JP
Inventors: Akio Kon; 昭夫今
Original assignee: Toshiba Ceramics Co Ltd
Current assignee: Coorstek KK
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2001-04-03

Abstract

(57)【要約】【課題】単結晶引上げ装置内に不活性ガスを供給して
も、引上げワイヤの振動を抑制でき、単結晶シリコンイ
ンゴットの振れを抑制でき、良好な単結晶シリコンイン
ゴットを得ることができる単結晶引上げ装置を提供す
る。【解決手段】前記不活性ガス導入手段は、前記プルチ
ャンバの上部に取り付けられた、ガス溜り部５ｂを有す
るガスチャンバ５と、前記ガスチャンバの下面に設けら
れた、ガス溜り部内の不活性ガスをプルチャンバの下方
に向けて吹出す複数のガス吹出口５ｃとを備え、前記引
上げワイヤ３の周囲を包囲すると共に、前記ガスチャン
バの複数のガス吹出口よりも下方位置に延設されたガス
シールド４とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶引上げ装置
に関し、詳しくは、不活性ガスの吹出しによる引上げワ
イヤの振動を抑制した単結晶引上げ装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程において用いられる一般
的な単結晶引上げ装置は、図６に示すように、加熱チャ
ンバ１４内に設けられたルツボ１５と、このルツボ１５
の上方に設けられたプルチャンバ１１と、前記ルツボ１
５内の溶融シリコン１６に漬し、単結晶シリコンを成長
させる種結晶（図示せず）が取りつけられた引上げワイ
ヤ１３と、このプルチャンバ１１の上方に設けられ、前
記引上げワイヤ１３を巻取るための巻上装置１２とから
構成されている。このように構成された単結晶引上げ装
置は、前記種結晶をルツボ１５内の溶融シリコン１６に
接触させ、次いで、巻上装置１２により引上げワイヤ１
３を引き上げ、前記種結晶を引き上げることによって、
種結晶の下に単結晶シリコン（インゴット）１７を成長
させるものである。

【０００３】また、この種の単結晶引上げ装置１０にあ
っては、単結晶シリコンの成長過程で溶融シリコンと石
英ルツボとの間で発生する酸化シリコンの除去と、シリ
コン単結晶を冷却することを目的として、装置内に不活
性ガスを供給している。この不活性ガスの供給は、図６
に示すように、プルチャンバ１１の上部側面にガス供給
口１８を設け、単結晶引上げ装置１０の外部に設けたガ
ス供給部（図示せず）からプルチャンバ１１の内部に不
活性ガスを供給することによって行われる。

【０００４】このように、従来の単結晶引上げ装置１０
にあっては、プルチャンバ１１の上部側面にガス供給口
１８が設られているため、チャンバ１１内に供給された
不活性ガスが引上げワイヤ１３に当たって、前記引上げ
ワイヤ１３を振動させることがあった。そして、この振
動によって、引上げ時に単結晶シリコンインゴット１７
に振れが生じ、単結晶シリコンを良好に成長させること
ができないという技術的課題があった。

【０００５】この不活性ガス導入に伴う単結晶シリコン
インゴットの振れを防止するものとして、図７、図８、
図９に示すような単結晶引上げ装置のプルチャンバ上部
構造が提案されている（特公平３−１７７９７号公
報）。図７に示す構造は、プルチャンバ１１上部側面に
不活性ガスの供給口１８を設けると共に、前記供給口１
８と引上げワイヤ１３との間に邪魔板１９を設けたもの
である。このように邪魔板１９を設けることにより、不
活性ガスを引上げワイヤ１３に直接当たらないように
し、引上げワイヤ１３の振動を防止しようとするもので
ある。

【０００６】また、図８に示す構造は、不活性ガスの供
給口１８をプルチャンバ１１の内壁に対して、略接線方
向に向けたものである。このように供給口１８からの不
活性ガスの吹出し方向を略接線方向にすることにより、
図７に示した構造と同様に、不活性ガスを引上げワイヤ
１３に直接当たらないようにしたものである。更に、図
９に示す構造は、不活性ガスの供給口１８の先端部をプ
ルチャンバ１１の円筒内面に沿って円弧状に形成したも
のである。このように不活性ガスの供給口１８の先端部
をプルチャンバ１１の円筒内面に沿って円弧状に形成す
ることによって、この供給口１８から導出された不活性
ガスを、プルチャンバ１１の円筒内面に沿って流すよう
にし、引上げワイヤ１３に直接当たらないようにしたも
のである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７乃
至図９に示された単結晶引上げ装置を用いた場合であっ
ても、以下のような技術的課題があった。まず、図７に
示す構造の場合には、不活性ガスは引上げワイヤ１３に
直接当たらないものの、邪魔板１９の裏面でその流れは
乱れ、乱流となる。その結果、引上げワイヤ１３に振動
が生じ、単結晶シリコンインゴットの振れを防止するこ
とはできなかった。

【０００８】また、図８に示す構造の場合には、邪魔板
１９を設けていないため邪魔板による乱流は生じないも
のの、供給口１８が１箇所であるため、プルチャンバ１
１内において不活性ガスの流れが不均一になり易い。ま
た、不活性ガスは単結晶引上げ装置の上部から導入さ
れ、装置（加熱チャンバ）の下部から外部に排出され
る。したがって、単結晶引上げ装置の上部（プルチャン
バ１１）内に略水平に導入された不活性ガスはプルチャ
ンバ１１内でその流れを変え、引上げワイヤ１３に対し
て略平行な垂直方向に流れる。この不活性ガスの流れの
変化によって、前記引上げワイヤ１３に振動が生じ、単
結晶シリコンに生ずる振れを防止することができなかっ
た。

【０００９】また、図９に示す構造の場合には、供給口
１８が複数設けられているため、図８に示す構造に比べ
て、プルチャンバ１１内における不活性ガスの流れはほ
ぼ均一になる。しかし、図８に示す構造と同様に、単結
晶引上げ装置の上部（プルチャンバ１１）内に略水平に
導入された不活性ガスはプルチャンバ１１内でその流れ
を変え、引上げワイヤ１３に対して略平行な垂直方向に
流れるため、前記引上げワイヤ３に振動が生じ、単結晶
シリコンインゴット１７に生ずる振れを完全に防止する
ことができなかった。

【００１０】また、前記いずれの構造のものであって
も、不活性ガスを長時間供給すると、不活性ガスの供給
口１８近傍に不純物が付着する。この不純物が付着する
とガスの流れが阻害され、ガスの流れが均一にならず、
ガスの流れは乱流となる。その結果、引上げワイヤ１３
は振動し、前記したように良好な単結晶シリコンの引上
げを行うことができないという問題があった。

【００１１】そのため、定期的にプルチャンバ１１内の
メンテナンス及び清掃を行うことが必要があるが、この
作業は布を先端に取り付けた清掃具を用いて装置の下方
から行うため、困難な作業であった。また、メンテナン
ス及び清掃の他の方法として、プルチャンバを分解し、
メンテナンス及び清掃後に組立てることも考えられる
が、その分解、組立て作業は容易ではない。更に、プル
チャンバ１１の側壁にメンテナンス及び清掃用の扉を設
けることも考えられるが、この場合、扉部分において、
プルチャンバ１１の内部形状（円筒形状）が凹凸とな
り、不活性ガスの流れが乱れ、引上げワイヤ１３は振動
するという新たな課題が生ずるものであった。

【００１２】本発明は、単結晶引上げ装置内に不活性ガ
スを供給しても、引上げワイヤの振動を抑制でき、単結
晶シリコンインゴットの振れを抑制でき、良好な単結晶
シリコンインゴットを得ることができる単結晶引上げ装
置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明にかかる単結晶引上げ装置は、ルツボ
を収容し、前記ルツボ内のシリコンを溶融する加熱チャ
ンバと、前記加熱チャンバの上部に設けられたプルチャ
ンバと、前記プルチャンバ内に不活性ガスを導入する不
活性ガス導入手段と、前記ルツボ内の溶融シリコンに漬
し、単結晶シリコンを成長させる種結晶が取り付けられ
た引上げワイヤと、前記引上げワイヤを巻取るための巻
上装置とを具備する単結晶引上げ装置において、前記不
活性ガス導入手段は、前記プルチャンバの上部に取り付
けられた、ガス溜り部を有するガスチャンバと、前記ガ
スチャンバの下面に設けられた、ガス溜り部内の不活性
ガスをプルチャンバの下方に向けて吹出す複数のガス吹
出口とを備え、前記引上げワイヤの周囲を包囲すると共
に、前記ガスチャンバの複数のガス吹出口よりも下方位
置に延設されたガスシールドとを有することを特徴とし
ている。

【００１４】このように、ガスシールドが引上げワイヤ
の周囲を包囲し、かつガス吹出口よりも下方位置まで延
設されているため、引上げワイヤの振動を抑制でき、単
結晶シリコンインゴットの振れを抑制することができ
る。また、プルチャンバの上部にガスチャンバを設け、
前記ガスチャンバの不活性ガスをプルチャンバの下方に
向けて吹出させるため、プルチャンバ内で不活性ガスの
流れを変えることなく、引上げワイヤに対して略平行な
垂直方向に流れるため、前記引上げワイヤの振動を抑制
でき、単結晶シリコンインゴットの振れを抑制すること
ができる。なお、ガス吹出口が複数設けられているた
め、ガス吹出口１箇所あたりの吹出し流速を小さくする
ことができるため、引上げワイヤの振動を抑制でき、単
結晶シリコンインゴットの振れを抑制することができ
る。

【００１５】ここで、前記ガスチャンバに設けられた複
数のガス吹出口は、引上げワイヤを中心とした同心円状
に設けられていることが望ましい。このように、前記ガ
スチャンバに設けられるガス吹出口は、同心円状に設け
られているため、プルチャンバ内において不活性ガスの
流れをほぼ均一にすることができる。

【００１６】また、前記ガス溜り部を有するガスチャン
バが複数積層されると共に連通し、最上部のガスチャン
バのガス溜り部に不活性ガスが導入され、最下部のガス
チャンバのガス溜り部からプルチャンバの下方に向けて
不活性ガスが吹き出すように構成されていることが望ま
しい。このように、ガス溜り部を有するガスチャンバを
複数積層し、順次そのガス溜り部を通過して、最下部の
ガスチャンバのガス溜り部からプルチャンバの下方に向
けて不活性ガスが吹き出すように構成されているため、
不活性ガス導入時の変動を緩和して、プルチャンバ内に
おける不活性ガスの流れをほぼ均一にすることができ
る。

【００１７】また、上記課題を解決するためになされた
本発明にかかる単結晶引上げ装置は、ルツボを収容し、
前記ルツボ内のシリコンを溶融する加熱チャンバと、前
記加熱チャンバの上部に設けられたプルチャンバと、前
記プルチャンバ内に不活性ガスを導入する不活性ガス導
入手段と、前記ルツボ内の溶融シリコンに漬し、単結晶
シリコンを成長させる種が取りつけられた引上げワイヤ
と、前記引上げワイヤを巻取るための巻上装置とを具備
する単結晶引上げ装置において、前記プルチャンバの上
部周壁に形成された開口部と、前記開口部の開閉を行う
扉体と、前記扉体の内面側に形成された、プルチャンバ
の円筒内面形状と略同一の内壁部とを備えることを特徴
としている。

【００１８】このように、プルチャンバの上部周壁に開
口部を設け、その開口部の開閉を行う扉体の内面側に、
プルチャンバの円筒内面形状と略同一の内壁部を設けた
ため、プルチャンバ内部の不活性ガス流れの乱れを極力
抑制でき、引上げワイヤの振動を抑制でき、単結晶シリ
コンインゴットの振れを抑制することができる。

【００１９】ここで、前記プルチャンバの上部周壁に形
成された開口部と、前記開口部の開閉を行う扉体と、前
記扉体の内面側に形成された、プルチャンバの円筒内面
形状と略同一の内壁部とを備えることが望ましい。この
ように、引上げワイヤの振動を抑制するガスシ−ルドを
設けると共に、プルチャンバの上部周壁に開口部を設
け、その開口部の開閉を行う扉体の内面側に、プルチャ
ンバの円筒内面形状と略同一の内壁部を設けたため、付
着物の清掃を容易に行うことができ、しかも引上げワイ
ヤの振動を抑制でき、単結晶シリコンインゴットの振れ
を抑制することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施形態を
図１に基づいて説明する。なお、図１は単結晶引上げ装
置のプルチャンバ上部構造を示す一部断面図である。図
において、符号１は単結晶引上げ装置に設けられた円筒
状のプルチャンバを示している。このプルチャンバ１の
上部にはフランジ部１ａが設けられ、このフランジ部１
ａに対応した蓋体１ｂが前記フランジ部１ａに取り付け
られることにより、プルチャンバ１の上部を封止するよ
うに構成されている。またこの蓋体１ｂの中央には、後
述するガスシールド４が挿入される挿入孔１ｃが設けら
れている。

【００２１】また、蓋体１ｂの上方には、引上げワイヤ
３を巻き取るための巻取装置２が設けられている。この
巻取装置２は、モータ等の駆動手段により引上げワイヤ
３を巻き取る巻取部２ａを有し、この巻取部２ａの下部
には引上げワイヤ３が挿通する管部２ｂが設けられると
共に、その管部２ｂの端部にフランジ部２ｃが設けられ
ている。前記フランジ部２ｃは、フランジ１ｂに固定さ
れる。また、蓋体１ｂとプルチャンバ１のフランジ部１
ａとはボルト（図示せず）で固定される。また蓋体１ｂ
の下部には、引上げワイヤ３の周囲を囲うように、円筒
状のガスシールド４が設けられている。このガスシール
ド４は蓋体１ｂの挿入孔１ｃに嵌合、固定されている。

【００２２】更に、蓋体１ｂの下面であってガスシール
ド４の外周囲には、リング型のガスチャンバ５が設けら
れている。このリング型のガスチャンバ５は、ボルト６
によって蓋体１ｂの下面に固定されている。なお、蓋体
１ｂとガスチャンバ５との間にはＯリング７が配置さ
れ、蓋体１ｂと後述するガス供給管８との間から不活性
ガスが漏れるのを防止している。

【００２３】次に、リング型のガスチャンバ５の構造に
ついて説明する。ガスシールド４の外周囲に設けられた
リング型のガスチャンバ５の上面には、ガス供給管８が
取り付けられる挿入口５ａが形成されている。また、ガ
スチャンバ５の内部には、リング状のガス溜り部５ｂが
設けられると共に、図１（ｂ）に示すように、その底面
（下面）に複数のガス吹出口５ｃが引上げワイヤ３に対
して同心円状にＮ個（Ｎ≧２、例えば８個）設けられて
構成されている。なお、ガス吹出口５ｃの配置位置、個
数、径等は、ガス流量及びプルチャンバ１の内径に合わ
せて適宜選択することが好ましい。

【００２４】次に、このようなプルチャンバ上部構造を
有する単結晶引上げ装置を用いて単結晶インゴットの製
造作業について説明する。まず、単結晶インゴットの引
上作業において、不活性ガス供給部（図示せず）からガ
ス供給管８を介し不活性ガスを供給すると、ガスチャン
バ５のガス溜り部５ｂに不活性ガスが溜まる。そして、
ガス溜り部５ｂに溜まった不活性ガスは、ガスチャンバ
５の底面に設けたガス吹出口５ｃからプルチャンバ１内
に供給される。このとき、不活性ガスは、ガスチャンバ
５に放射状に配置されるガス吹出口５ｃからプルチャン
バ１の下方向に向かってに導入される。

【００２５】前記プルチャンバ１内に導入された不活性
ガスは、ガスチャンバ５のガス吹出口５ｃよりも下方向
に設けられたガスシールド４によって、引上げワイヤ３
に直接当たることがない。また、ガスシールド４の側面
に当った一部の不活性ガスもプルチャンバ１の下方へと
向かう。そのため、不活性ガスによる引上げワイヤ３の
振動は抑制され、単結晶シリコンインゴットの引上げを
良好になすことができる。また、不活性ガスは複数のガ
ス吹出口５ｃからプルチャンバ１の上方から下方に向か
って流れるため、プルチャンバ１内において不活性ガス
の流れをほぼ均一にすることができる。

【００２６】次に、本発明にかかる単結晶引上げ装置の
第２の実施形態を図２、図３に基づいて説明する。な
お、図において、上述した実施形態と同一部分について
は同一符号を付すと共に、その説明は省略する。第２の
実施形態においては、片面に凹部５１ａ、５２ａ、５３
ａが形成されたガスチャンバ５１、５２、５３を積層す
ることにより、ガス溜り部５４を形成している。また、
ガスチャンバ５１、５２、５３を各ガス溜り部５４は連
通し、最下部のガスチャンバ５３のガス溜り部５４から
プルチャンバの下方に向けて不活性ガスが吹き出すよう
にガス吹出口５３ｂが設けられている。

【００２７】詳しく説明すれば、ガス溜り部５４は、ま
ず、図３（ｃ）に示すように、片面に装着時にガス溜り
となるリング状の凹部５１ａを有し、他面に中心線上に
ｎ個（ｎ≧２）のガス吹出口５１ｂを設けた第１ガスチ
ャンバ５１と、図３（ｂ）に示すように、片面に装着時
にガス溜りとなるリング状の凹部５２ａを有し、他面に
同心円状に２ｎ個（ｎ≧２）のガス吹出口５２ｂを設け
た第２ガスチャンバ５２と、図３（ａ）に示すように、
片面に装着時にガス溜りとなるリング状の凹部５３ａを
有し、他面に同心円状に４ｎ個（ｎ≧２）のガス吹出口
５３ｂを設けた第３ガスチャンバ５３とを一体に組立て
て構成されている。

【００２８】そして、この組立てられたガスチャンバ５
１、５２、５３をガスシ−ルド４の外周囲を囲むよう
に、ボルト６によって蓋体１ｂに取り付ける。これによ
り、各ガスチャンバ５１、５２、５３のガス溜り部５１
ａ〜５３ａが連通され、ガス供給管８から供給される不
活性ガスは、ガス吹出口５３ｂからプルチャンバ１内に
供給される。ガスチャンバが前記したように３つのガス
チャンバ５１、５２、５３に区分されているため、不活
性ガス導入時の変動を緩和して、プルチャンバ内におけ
る不活性ガスの流れをほぼ均一にすることができる。そ
の結果、不活性ガスによる引上げワイヤ３の振動は抑制
され、単結晶シリコンインゴットの引上げを良好になす
ことができる。

【００２９】次に、本発明の他の実施形態として、メン
テナンス及び清掃用の扉体をプルチャンバ上部に設けた
単結晶引上げ装置について説明する。ここで、図４は本
発明の第３の実施形態を示す上面図であり、図５は図４
の側面図である。本発明の第３の実施形態を詳しく説明
すると、プルチャンバ１は前記したものとほぼ同一形状
で、扉２を取り付ける部分へ開口部１ｄを設けた点で相
違する。

【００３０】プルチャンバ１に設ける開口部１ｄの周囲
には開口部側壁１ｅが設けられ、その開口部側壁１ｅの
１つにヒンジ９ａを介して開閉自在に扉体９が取り付け
られている。また、ヒンジ９ａと反対側の開口部側壁１
ｅはフック係合部となり、フック９ｂが係合するように
なっている。このフック９ｂがフック係合部に係合する
ことにより、扉体９内側に設けられたＯリング１０が押
し当てられ、扉体９による開口部１ｄの密閉が図られ
る。更に、扉体９の内側には、扉体９によってプルチャ
ンバ１が密閉されたとき、プルチャンバ１の円筒内面と
略一致するように、凹面形状を有する内壁面９ｃが形成
されている。

【００３１】このような構成を採用すると、プルチャン
バ１の上部、詳しくは、ガスチャンバ、ガスシ−ルドの
側壁等に不純物が付着した場合であっても、扉体９を開
けて、分解、清掃、組付けが可能となり、プルチャンバ
１上部のメンテナンス及び清掃を容易に行うことができ
る。また、扉体９の内面には、凹面形状を有する内壁面
９ｃが設けられているため、プルチャンバ１の内周面を
円筒状に維持でき、ガスの流れが乱れるのを抑制するこ
とができる。その結果、引上げワイヤの振動を抑制で
き、単結晶シリコンインゴットの振れを抑制することが
できる。

【００３２】

【発明の効果】本発明は、以上のような構成を採用する
ことにより、装置内に不活性ガスを供給しても、引上げ
ワイヤの振動を抑制でき、単結晶シリコンインゴットの
振れを抑制でき、良好な単結晶シリコンインゴットを得
ることができる。また、本発明は、以上のような構成を
採用することにより、ガスチャンバ等に不純物が付着し
た場合であっても、扉体を開けて、分解、清掃、組み付
けが可能となり、プルチャンバ上部のメンテナンス及び
清掃を容易に行うことができる。しかも、扉体を設けて
も、プルチャンバの内周面を円筒状に維持できるため、
ガスの流れが乱れるのを抑制することができ、引上げワ
イヤの振動、単結晶シリコンインゴットの振れを抑制す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる単結晶引上げ
装置のプルチャンバ上部構造を示し、（ａ）はその部分
断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ矢視図である。

【図２】本発明の第２の実施形態にかかる単結晶引上げ
装置のプルチャンバ上部構造を示す部分断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は各々図２のＡ矢視図、Ｂ−Ｂ
断面図、Ｃ−Ｃ断面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態にかかる単結晶引上げ
装置のプルチャンバ上部構造を示す横断面図である。

【図５】図４の側面図である。

【図６】一般的な単結晶引上げ装置の概略縦断面図であ
る。

【図７】（ａ）及び（ｂ）は各々従来の単結晶引上げ装
置のプルチャンバ上部構造を説明する要部縦断面図及び
横断面図である。

【図８】（ａ）及び（ｂ）は各々従来の単結晶引上げ装
置のプルチャンバ上部構造を説明する要部縦断面図及び
横断面図である。

【図９】（ａ）及び（ｂ）は各々従来の単結晶引上げ装
置のプルチャンバ上部構造を説明する要部縦断面図及び
横断面図である。

【符号の説明】

１プルチャンバ１ａフランジ１ｂ蓋体１ｃ挿入孔１ｄ開口部１ｅ開口部側壁２巻取装置２ａ巻取部２ｂ管部２ｃフランジ部３引上げワイヤ４ガスシールド５ガスチャンバ５ａ挿入口５ｂガス溜り部５ｃガス吹出口６ボルト７Ｏリング８ガス供給管９扉体９ｃ内壁面５１第１ガスチャンバ５１ａリング状の凹部（ガス溜り部）５１ｂガス吹出口５２第２ガスチャンバ５２ａリング状の凹部（ガス溜り部）５２ｂガス吹出口５３第３ガスチャンバ５３ａリング状の凹部（ガス溜り部）５３ｂガス吹出口５４ガス溜り部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ルツボを収容し、前記ルツボ内のシリコ
ンを溶融する加熱チャンバと、前記加熱チャンバの上部
に設けられたプルチャンバと、前記プルチャンバ内に不
活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、前記ルツボ
内の溶融シリコンに漬し、単結晶シリコンを成長させる
種結晶が取り付けられた引上げワイヤと、前記引上げワ
イヤを巻取るための巻上装置とを具備する単結晶引上げ
装置において、前記不活性ガス導入手段は、前記プルチャンバの上部に
取り付けられた、ガス溜り部を有するガスチャンバと、
前記ガスチャンバの下面に設けられた、ガス溜り部内の
不活性ガスをプルチャンバの下方に向けて吹出す複数の
ガス吹出口とを備え、前記引上げワイヤの周囲を包囲すると共に、前記ガスチ
ャンバの複数のガス吹出口よりも下方位置に延設された
ガスシールドとを有することを特徴とする単結晶引上げ
装置。
【請求項２】前記ガスチャンバに設けられた複数のガ
ス吹出口は、引上げワイヤを中心とした同心円状に設け
られていることを特徴とする請求項１に記載された単結
晶引上げ装置。
【請求項３】前記ガス溜り部を有するガスチャンバが
複数積層されると共に連通し、最上部のガスチャンバの
ガス溜り部に不活性ガスが導入され、最下部のガスチャ
ンバのガス溜り部からプルチャンバの下方に向けて不活
性ガスが吹き出すように構成されていること特徴とする
請求項１または請求項２に記載された単結晶引上げ装
置。
【請求項４】ルツボを収容し、前記ルツボ内のシリコ
ンを溶融する加熱チャンバと、前記加熱チャンバの上部
に設けられたプルチャンバと、前記プルチャンバ内に不
活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、前記ルツボ
内の溶融シリコンに漬し、単結晶シリコンを成長させる
種が取りつけられた引上げワイヤと、前記引上げワイヤ
を巻取るための巻上装置とを具備する単結晶引上げ装置
において、前記プルチャンバの上部周壁に形成された開口部と、前
記開口部の開閉を行う扉体と、前記扉体の内面側に形成
された、プルチャンバの円筒内面形状と略同一の内壁部
とを備えることを特徴とする単結晶引上げ装置。
【請求項５】前記プルチャンバの上部周壁に形成され
た開口部と、前記開口部の開閉を行う扉体と、前記扉体
の内面側に形成された、プルチャンバの円筒内面形状と
略同一の内壁部とを備えることを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載された単結晶引上げ装置。