JP2001085970A - 高安定圧電発振器用振動子 - Google Patents
高安定圧電発振器用振動子Info
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Abstract
(57)【要約】
高安定圧電発振器用振動子の使用温度範囲からＣＩディ
ップを除外する手段を得る。 【課題】 【解決手段】 厚み振動をする圧電基板に上下対向する
電極を配置した圧電振動子であって、前記電極の少なく
とも一方を除いて圧電基板をエッチングし、そのエッチ
ング量はＣＩディップを温度軸上でどの位移動させるか
に依存する。
ップを除外する手段を得る。 【課題】 【解決手段】 厚み振動をする圧電基板に上下対向する
電極を配置した圧電振動子であって、前記電極の少なく
とも一方を除いて圧電基板をエッチングし、そのエッチ
ング量はＣＩディップを温度軸上でどの位移動させるか
に依存する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高安定圧電発振器用
振動子に関し、特に使用温度範囲内に存在するＣＩディ
ップを範囲外に除外した高安定圧電発振器用振動子に関
する。
振動子に関し、特に使用温度範囲内に存在するＣＩディ
ップを範囲外に除外した高安定圧電発振器用振動子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】高安定圧電発振器、特に高安定水晶発振
器は周囲の温度変化、経年変化に対して周波数安定度、
周波数精度が優れていることから、計測器から携帯電話
等の基地局まで広く用いられている。高安定水晶発振器
は、高安定水晶発振器用振動子（以下、高安定水晶振動
子と称す）と発振回路の一部とを小型恒温槽の中に収容
し、全体を金属ケースで覆った発振器で、その周波数温
度特性は、例えば−１０℃〜＋６０℃の温度範囲にて10
-8から５×10-9であり、エージング特性も年に±２×10
-8程度のものが要求される。このように極めて高い周波
数安定度とエージング特性を満たす高安定水晶振動子に
は、周知のように、（１）Ｑ値が極めて高いこと、
（２）使用温度範囲にて周波数温度特性が良好であるこ
と、（３）経時変化（エージング特性）が極めて小さい
こと等が挙げられる。
器は周囲の温度変化、経年変化に対して周波数安定度、
周波数精度が優れていることから、計測器から携帯電話
等の基地局まで広く用いられている。高安定水晶発振器
は、高安定水晶発振器用振動子（以下、高安定水晶振動
子と称す）と発振回路の一部とを小型恒温槽の中に収容
し、全体を金属ケースで覆った発振器で、その周波数温
度特性は、例えば−１０℃〜＋６０℃の温度範囲にて10
-8から５×10-9であり、エージング特性も年に±２×10
-8程度のものが要求される。このように極めて高い周波
数安定度とエージング特性を満たす高安定水晶振動子に
は、周知のように、（１）Ｑ値が極めて高いこと、
（２）使用温度範囲にて周波数温度特性が良好であるこ
と、（３）経時変化（エージング特性）が極めて小さい
こと等が挙げられる。
【０００３】以上のような条件を満たす高安定水晶振動
子は、通常の振動子と異なって３次、あるいは５次の高
調波モードを用いて、水晶基板の一方の主面をレンズ状
に、他方の面を平面状に加工したプラノコンベックス基
板とするか、両主面をレンズ状に加工したバイコンベッ
クス基板とし、金の電極膜を高温中で付着し、膜歪みを
小さくする等の工夫が施されているのが一般的である。
また、基板の支持箇所も圧力−周波数感度の小さい所を
支持している。尚、基板の主面をレンズ状に加工するの
は、振動エネルギを基板中央部に閉じ込めて、支持によ
る振動損失を小さくし、Ｑ値を高くするためである。
子は、通常の振動子と異なって３次、あるいは５次の高
調波モードを用いて、水晶基板の一方の主面をレンズ状
に、他方の面を平面状に加工したプラノコンベックス基
板とするか、両主面をレンズ状に加工したバイコンベッ
クス基板とし、金の電極膜を高温中で付着し、膜歪みを
小さくする等の工夫が施されているのが一般的である。
また、基板の支持箇所も圧力−周波数感度の小さい所を
支持している。尚、基板の主面をレンズ状に加工するの
は、振動エネルギを基板中央部に閉じ込めて、支持によ
る振動損失を小さくし、Ｑ値を高くするためである。
【０００４】ところで、Ｑ値に関しては、水晶結晶の内
部損失とＱ値との関係に関するワーナーの理論、即ち縦
軸をＱ値、横軸を周波数（MHz）（両軸とも対数目盛）
とすると、Ｑ値は周波数の増加と共に右下がり４５度の
直線となることが知られている。従って、高Ｑ水晶振動
子を実現するには周波数を低く設定することが望ましい
が、周波数を低くすると水晶基板そのものが大きくなる
とという問題が生ずる。これを解決するため、前述のよ
うに水晶基板の主面をレンズ状に加工し、支持の影響を
少なくした振動子とすることが望ましい。
部損失とＱ値との関係に関するワーナーの理論、即ち縦
軸をＱ値、横軸を周波数（MHz）（両軸とも対数目盛）
とすると、Ｑ値は周波数の増加と共に右下がり４５度の
直線となることが知られている。従って、高Ｑ水晶振動
子を実現するには周波数を低く設定することが望ましい
が、周波数を低くすると水晶基板そのものが大きくなる
とという問題が生ずる。これを解決するため、前述のよ
うに水晶基板の主面をレンズ状に加工し、支持の影響を
少なくした振動子とすることが望ましい。
【０００５】図５（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の高安
定水晶振動子の構成を示す平面図と、Ｑ−Ｑにおける断
面図である。一方の主面を球面状に、他方の主面を平面
状に加工した、所謂プラノコンベックス基板２１の両面
に対向する電極２２ａ、２２ｂを配置すると共に、該電
極２２ａ、２２ｂから基板２１端部に向けてリード電極
２３ａ、２３ｂを延在して、高安定水晶振動素子Ｙを形
成する。該振動素子Ｙをホルダー（図示しない）の支持
部に取り付け、金属ケースで気密封止して高安定水晶振
動子を構成する。
定水晶振動子の構成を示す平面図と、Ｑ−Ｑにおける断
面図である。一方の主面を球面状に、他方の主面を平面
状に加工した、所謂プラノコンベックス基板２１の両面
に対向する電極２２ａ、２２ｂを配置すると共に、該電
極２２ａ、２２ｂから基板２１端部に向けてリード電極
２３ａ、２３ｂを延在して、高安定水晶振動素子Ｙを形
成する。該振動素子Ｙをホルダー（図示しない）の支持
部に取り付け、金属ケースで気密封止して高安定水晶振
動子を構成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高安定
水晶振動子はＱ値を高くするために振動エネルギを閉じ
込めた中央部から支持するための基板端部を遠ざける必
要がある。そのため、通常の水晶振動子と比べて水晶基
板の寸法が大きくなり、励振すべき厚み振動が輪郭振動
（屈曲振動、面すべり振動等）と結合して使用温度範囲
内でクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の急激な変動現
象（ＣＩディップ）を引き起こし、これを原因として厚
み振動の共振周波数が急激に変動することがある。図６
はＡＴカット水晶基板径Ｄが１４mmφ、球面の曲率半径
Ｒが２３０mm、３次高調波１０MHzの水晶基板に直径
６．５mmφで片面８００Åの金の電極を形成した高安定
水晶振動子のＣＩ温度特性を示す図である。２３℃近辺
に大きなＣＩディップが生じている。このようなＣＩデ
ィップが生ずると、この近傍の温度で発振周波数が急激
に変化し、高安定水晶発振器を用いる装置に誤動作を生
じさせるおそれがあり、ＣＩディップの大きさが仕様で
厳しく規定されている。高安定振動子を製作する際に、
使用温度内でＣＩディップが生ずる率は、設計（水晶基
板径Ｄ、曲率半径Ｒ等）、加工ロットの曲率半径Ｒのバ
ラツキにより異なるが１０〜５０％と高い割合で発生し
ている。
水晶振動子はＱ値を高くするために振動エネルギを閉じ
込めた中央部から支持するための基板端部を遠ざける必
要がある。そのため、通常の水晶振動子と比べて水晶基
板の寸法が大きくなり、励振すべき厚み振動が輪郭振動
（屈曲振動、面すべり振動等）と結合して使用温度範囲
内でクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の急激な変動現
象（ＣＩディップ）を引き起こし、これを原因として厚
み振動の共振周波数が急激に変動することがある。図６
はＡＴカット水晶基板径Ｄが１４mmφ、球面の曲率半径
Ｒが２３０mm、３次高調波１０MHzの水晶基板に直径
６．５mmφで片面８００Åの金の電極を形成した高安定
水晶振動子のＣＩ温度特性を示す図である。２３℃近辺
に大きなＣＩディップが生じている。このようなＣＩデ
ィップが生ずると、この近傍の温度で発振周波数が急激
に変化し、高安定水晶発振器を用いる装置に誤動作を生
じさせるおそれがあり、ＣＩディップの大きさが仕様で
厳しく規定されている。高安定振動子を製作する際に、
使用温度内でＣＩディップが生ずる率は、設計（水晶基
板径Ｄ、曲率半径Ｒ等）、加工ロットの曲率半径Ｒのバ
ラツキにより異なるが１０〜５０％と高い割合で発生し
ている。
【０００７】不良となった高安定振動子については廃棄
するしかないため、水晶基板を加工する最初の工程から
再製作が必要である。通常は不良率を予測して歩留まり
を大きく設定するため、価格が高くなるという問題があ
った。本発明は上記問題を解決するためになされたもの
であって、規格の温度内、例えば−２０℃から９５℃の
範囲に亘ってＣＩディップの存在しない、あるいは発生
度合いを抑圧した高安定水晶振動子を提供することを目
的とする。
するしかないため、水晶基板を加工する最初の工程から
再製作が必要である。通常は不良率を予測して歩留まり
を大きく設定するため、価格が高くなるという問題があ
った。本発明は上記問題を解決するためになされたもの
であって、規格の温度内、例えば−２０℃から９５℃の
範囲に亘ってＣＩディップの存在しない、あるいは発生
度合いを抑圧した高安定水晶振動子を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る高安定圧電発振器用振動子の請求項１記
載の発明は、圧電基板の両主面に対向する電極を配置し
て厚み振動を励起する圧電振動子において、前記電極で
被覆されない前記圧電基板の露出部分をエッチングした
ものであることを特徴とする高安定圧電発振器用振動子
である。請求項２記載の発明は、前記圧電基板がＡＴカ
ット水晶基板であることを特徴とする請求項１記載の高
安定圧電発振器用振動子である。請求項３記載の発明
は、前記圧電基板の形状がプラノコンベックスまたはバ
イコンベックスであることを特徴とする請求項１または
２記載の高安定圧電発振器用振動子である。
に本発明に係る高安定圧電発振器用振動子の請求項１記
載の発明は、圧電基板の両主面に対向する電極を配置し
て厚み振動を励起する圧電振動子において、前記電極で
被覆されない前記圧電基板の露出部分をエッチングした
ものであることを特徴とする高安定圧電発振器用振動子
である。請求項２記載の発明は、前記圧電基板がＡＴカ
ット水晶基板であることを特徴とする請求項１記載の高
安定圧電発振器用振動子である。請求項３記載の発明
は、前記圧電基板の形状がプラノコンベックスまたはバ
イコンベックスであることを特徴とする請求項１または
２記載の高安定圧電発振器用振動子である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明に係る高安定水晶振動子の構成を示す平
面図と、Ｑ−Ｑにおける断面図である。図１の例はプラ
ノコンベックス基板１に対向電極２ａ、２ｂを配置する
と共に、該電極２ａ、２ｂから基板１端部に向けてリー
ド電極３ａ、３ｂを延在して、高安定水晶振動素子Ｙを
形成する。そして、高安定水晶振動素子ＹのＣＩ温度特
性を測定し、使用温度範囲内にＣＩディップが存在する
振動素子Ｙについては、酸性フッカアンモニウム（NH4H
F2）溶液、例えば１０％溶液、に浸漬しエッチングす
る。電極２ａ、２ｂ、リード電極３ａ、３ｂ部は金（A
u）電極膜で覆われているためエッチングされず、図１
（ｂ）に示すように、電極２ａ、２ｂの境界、リード電
極３ａ、３ｂの境界（図示しない）で段差を有する形状
の水晶基板１となる。
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明に係る高安定水晶振動子の構成を示す平
面図と、Ｑ−Ｑにおける断面図である。図１の例はプラ
ノコンベックス基板１に対向電極２ａ、２ｂを配置する
と共に、該電極２ａ、２ｂから基板１端部に向けてリー
ド電極３ａ、３ｂを延在して、高安定水晶振動素子Ｙを
形成する。そして、高安定水晶振動素子ＹのＣＩ温度特
性を測定し、使用温度範囲内にＣＩディップが存在する
振動素子Ｙについては、酸性フッカアンモニウム（NH4H
F2）溶液、例えば１０％溶液、に浸漬しエッチングす
る。電極２ａ、２ｂ、リード電極３ａ、３ｂ部は金（A
u）電極膜で覆われているためエッチングされず、図１
（ｂ）に示すように、電極２ａ、２ｂの境界、リード電
極３ａ、３ｂの境界（図示しない）で段差を有する形状
の水晶基板１となる。
【００１０】上述したように、高安定水晶振動子ＹのＣ
Ｉディップを完全に除外することは極めて難しい。とこ
ろが、ＣＩディップは水晶基板１の輪郭振動が原因であ
り、基板１の外形形状によって出現する温度が変化する
という性質がある。そこで、曲率半径Ｒのバラツキを光
学系測定器にて測定して、水晶基板１を選別し、予め不
良品を除外することも考えられるが、現在の測定器の測
定精度では曲率半径Ｒを精度よく分類することができな
い。そこで、金（Au）の対向電極を形成した高安定水晶
振動素子Ｙを酸性フッカアンモニウム溶液に浸し、電極
が付着していない基板露出部をエッチングしてＣＩディ
ップの出現する温度点が変化する様子を調べた。その結
果、エッチング時間、即ちエッチング量が増大すると共
にＣＩディップが出現する温度が高温側へ移動すること
を見出した。
Ｉディップを完全に除外することは極めて難しい。とこ
ろが、ＣＩディップは水晶基板１の輪郭振動が原因であ
り、基板１の外形形状によって出現する温度が変化する
という性質がある。そこで、曲率半径Ｒのバラツキを光
学系測定器にて測定して、水晶基板１を選別し、予め不
良品を除外することも考えられるが、現在の測定器の測
定精度では曲率半径Ｒを精度よく分類することができな
い。そこで、金（Au）の対向電極を形成した高安定水晶
振動素子Ｙを酸性フッカアンモニウム溶液に浸し、電極
が付着していない基板露出部をエッチングしてＣＩディ
ップの出現する温度点が変化する様子を調べた。その結
果、エッチング時間、即ちエッチング量が増大すると共
にＣＩディップが出現する温度が高温側へ移動すること
を見出した。
【００１１】図２は、エッチャントに常温の１０％酸性
フッカアンモニウム溶液を用い、ＡＴカット水晶の３次
高調波１０MHz、水晶基板１径Ｄ１４mmφ、曲率Ｒ230m
m、金（Au）電極径６．５mmφの水晶振動素子を用いて
実験した場合である。エッチング時間（min）に対し、
エッチング前後のＣＩディップが出現した温度差（℃）
をプロットした図である。図２からエッチング時間（mi
n）とエッチング前後でＣＩディップが出現する温度差
（℃）がほぼ比例していることが判明した。なお、横軸
として実際の工程で使い易いように、エッチング時間
（min）を用いて表現したが、汎用的にはエッチング量
に換算して制御することが望ましい。図３は、図２と同
じ条件でエッチング時間（min）をエッチング量（μ
ｍ）に換算するための図の一例である。
フッカアンモニウム溶液を用い、ＡＴカット水晶の３次
高調波１０MHz、水晶基板１径Ｄ１４mmφ、曲率Ｒ230m
m、金（Au）電極径６．５mmφの水晶振動素子を用いて
実験した場合である。エッチング時間（min）に対し、
エッチング前後のＣＩディップが出現した温度差（℃）
をプロットした図である。図２からエッチング時間（mi
n）とエッチング前後でＣＩディップが出現する温度差
（℃）がほぼ比例していることが判明した。なお、横軸
として実際の工程で使い易いように、エッチング時間
（min）を用いて表現したが、汎用的にはエッチング量
に換算して制御することが望ましい。図３は、図２と同
じ条件でエッチング時間（min）をエッチング量（μ
ｍ）に換算するための図の一例である。
【００１２】実際には、まず高安定水晶振動素子ＹのＣ
Ｉ温度特性を個別に測定し、所定の温度範囲、例えば−
２０℃から９０℃の範囲に規格以上のＣＩディップが存
在した振動素子Ｙのみを、ＣＩディップが生じた温度ｔ
℃毎に分類する。温度ｔ℃に生じたＣＩディップを規格
で定められた使用温度範囲の上限である９０℃以上に移
動させるには、図２の縦軸の図中○印で示す（９０−
ｔ）℃の点を横軸に沿って平行移動し、直線Ｅと交わっ
た点を垂直に下ろし、横軸と交わった時間Ｔ（min）以
上エッチングすればよい。
Ｉ温度特性を個別に測定し、所定の温度範囲、例えば−
２０℃から９０℃の範囲に規格以上のＣＩディップが存
在した振動素子Ｙのみを、ＣＩディップが生じた温度ｔ
℃毎に分類する。温度ｔ℃に生じたＣＩディップを規格
で定められた使用温度範囲の上限である９０℃以上に移
動させるには、図２の縦軸の図中○印で示す（９０−
ｔ）℃の点を横軸に沿って平行移動し、直線Ｅと交わっ
た点を垂直に下ろし、横軸と交わった時間Ｔ（min）以
上エッチングすればよい。
【００１３】図２はエッチャントとして１０％の酸性フ
ッカアンモニウム溶液を用いた場合の例であるが、エッ
チャントの濃度はもとより、高調波次数、周波数、曲率
半径Ｒ、電極径等により直線Ｅが変化することは当然で
あり、予めそれぞれに応じたグラフを用意してこれに対
処すればよい。
ッカアンモニウム溶液を用いた場合の例であるが、エッ
チャントの濃度はもとより、高調波次数、周波数、曲率
半径Ｒ、電極径等により直線Ｅが変化することは当然で
あり、予めそれぞれに応じたグラフを用意してこれに対
処すればよい。
【００１４】図４はＣＩディップが２３℃に出現した高
安定振動素子を、常温の１０％の酸性フッカアンモニウ
ム溶液中で５時間エッチングした場合の例であり、ＣＩ
ディップの出現温度が１１８℃まで移動していることが
分かる。
安定振動素子を、常温の１０％の酸性フッカアンモニウ
ム溶液中で５時間エッチングした場合の例であり、ＣＩ
ディップの出現温度が１１８℃まで移動していることが
分かる。
【００１５】エッチングした高安定水晶振動素子Ｙのエ
ッチング前後における周波数変化量を測定したが、周波
数上昇量は水晶基板１の製作規格である１ｋＨｚ以内で
あった。プラノコンベックス状の水晶基板１に形成され
る段差部が水晶振動子の電気的定数、即ちＱ値、インダ
クタンス値、ＣＩ値等に及ぼす影響を振動子を製作して
測定したが、電気的定数の変化量は通常の製造バラツキ
の範囲内であることが判明した。
ッチング前後における周波数変化量を測定したが、周波
数上昇量は水晶基板１の製作規格である１ｋＨｚ以内で
あった。プラノコンベックス状の水晶基板１に形成され
る段差部が水晶振動子の電気的定数、即ちＱ値、インダ
クタンス値、ＣＩ値等に及ぼす影響を振動子を製作して
測定したが、電気的定数の変化量は通常の製造バラツキ
の範囲内であることが判明した。
【００１６】以上の説明では圧電基板として水晶ＡＴカ
ットのプラノコンベックス基板を例として説明したが、
コンベックス基板だけではなく、平板であっても同様な
効果をもたらすことができる。また、本発明は水晶基板
に限定するものではなく、ランガサイト等の圧電材料に
適用できることは云うまでもない。また、エッチングし
た際の溶液の残渣が高安定振動子のエージング特性に影
響するおそれがある場合には、一旦、金電極膜を剥離
し、基板を洗浄した上で再製作してもよい。更に、上記
実施例では化学液を用いたエッチングを例示したが、イ
オンビームによるドライエッチングや、その他の部分的
にエッチングする手段によって電極以外の部分をエッチ
ングしてもよい。イオンビームによるドライエッチング
技術については公知であるので詳細説明するのは省略す
る。
ットのプラノコンベックス基板を例として説明したが、
コンベックス基板だけではなく、平板であっても同様な
効果をもたらすことができる。また、本発明は水晶基板
に限定するものではなく、ランガサイト等の圧電材料に
適用できることは云うまでもない。また、エッチングし
た際の溶液の残渣が高安定振動子のエージング特性に影
響するおそれがある場合には、一旦、金電極膜を剥離
し、基板を洗浄した上で再製作してもよい。更に、上記
実施例では化学液を用いたエッチングを例示したが、イ
オンビームによるドライエッチングや、その他の部分的
にエッチングする手段によって電極以外の部分をエッチ
ングしてもよい。イオンビームによるドライエッチング
技術については公知であるので詳細説明するのは省略す
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、従来の手法では１０％から５０％の不良を想定し
て製作していたが、不良となった振動素子にエッチング
を施すだけでＣＩディップを抑圧した振動子が製作でき
るので、製造に要する金額が節約できるという優れた効
果を奏す。
ので、従来の手法では１０％から５０％の不良を想定し
て製作していたが、不良となった振動素子にエッチング
を施すだけでＣＩディップを抑圧した振動子が製作でき
るので、製造に要する金額が節約できるという優れた効
果を奏す。
【図１】本発明に係る高安定水晶振動素子の（ａ）は平
面図、（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。
面図、（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。
【図２】エッチャントに常温の１０％酸性フッカアンモ
ニウム溶液を用いた場合、ＡＴカット３次高調波１０Ｍ
Ｈｚ振動子のエッチング時間（min）とエッチング前後
のＣＩディップが生じる温度差との関係を示す図であ
る。
ニウム溶液を用いた場合、ＡＴカット３次高調波１０Ｍ
Ｈｚ振動子のエッチング時間（min）とエッチング前後
のＣＩディップが生じる温度差との関係を示す図であ
る。
【図３】エッチャントに常温の１０％酸性フッカアンモ
ニウム溶液を用いた場合、ＡＴカット３次高調波１０Ｍ
Ｈｚ振動子のエッチング時間（min）とエッチング量
（μｍ）との関係を示す図である。
ニウム溶液を用いた場合、ＡＴカット３次高調波１０Ｍ
Ｈｚ振動子のエッチング時間（min）とエッチング量
（μｍ）との関係を示す図である。
【図４】本発明の水晶基板をエッチングした場合のＣＩ
温度特性を示す図である。
温度特性を示す図である。
【図５】従来の高安定水晶振動子の（ａ）は平面図、
（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。
（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。
【図６】従来の高安定水晶振動子のＣＩ温度特性を示す
図である。
図である。
１・・水晶基板 ２ａ、２ｂ・・電極 ３ａ、３ｂ・・リード電極 Ｙ・・高安定振動素子
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板の両主面に対向する電極を配置
して厚み振動を励起する圧電振動子において、前記電極
で被覆されない前記圧電基板の露出部分をエッチングし
たものであることを特徴とする高安定圧電発振器用振動
子。 - 【請求項２】 前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であ
ることを特徴とする請求項１記載の高安定圧電発振器用
振動子。 - 【請求項３】 前記圧電基板の形状がプラノコンベック
スまたはバイコンベックスであることを特徴とする請求
項１または２記載の高安定圧電発振器用振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25658999A JP2001085970A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 高安定圧電発振器用振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25658999A JP2001085970A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 高安定圧電発振器用振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085970A true JP2001085970A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17294738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25658999A Pending JP2001085970A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 高安定圧電発振器用振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085970A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352828A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Epson Toyocom Corp | 圧電基板とその製造方法 |
| WO2007037455A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Epson Toyocom Corporation | 水晶基板 |
| JP2009246645A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Daishinku Corp | 水晶振動片、および水晶振動子 |
| JP2012135043A (ja) * | 2005-05-16 | 2012-07-12 | Seiko Epson Corp | 振動片 |
| JP2012249099A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Daishinku Corp | 圧電振動片 |
| JP2014168145A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Kyocera Crystal Device Corp | 水晶振動素子 |
| WO2024027733A1 (zh) * | 2022-08-05 | 2024-02-08 | 天津大学 | 压电层为反高台结构的石英谐振器及其制造方法、电子器件 |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25658999A patent/JP2001085970A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352828A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Epson Toyocom Corp | 圧電基板とその製造方法 |
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| WO2024027733A1 (zh) * | 2022-08-05 | 2024-02-08 | 天津大学 | 压电层为反高台结构的石英谐振器及其制造方法、电子器件 |
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