JP2001085395A - 表面処理装置 - Google Patents
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- JP2001085395A JP2001085395A JP25785799A JP25785799A JP2001085395A JP 2001085395 A JP2001085395 A JP 2001085395A JP 25785799 A JP25785799 A JP 25785799A JP 25785799 A JP25785799 A JP 25785799A JP 2001085395 A JP2001085395 A JP 2001085395A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、プラズマを用いた半導体の表
面処理においてバイアスをパルス変調したときに問題と
なる、電力値の精度を改善するものである。 【解決手段】バイアス電源の出力電力を少なくとも大小
２段階に切り替えられるようにして、パルス出力時には
最高出力が大きいモードになり、連続出力時には最高出
力が小さいモードで使用するようにした。さらに、この
モードの切替は自動で行われるようにした。この構成に
より、小出力時は最高出力も小さいので電力値精度よく
制御できる。
面処理においてバイアスをパルス変調したときに問題と
なる、電力値の精度を改善するものである。 【解決手段】バイアス電源の出力電力を少なくとも大小
２段階に切り替えられるようにして、パルス出力時には
最高出力が大きいモードになり、連続出力時には最高出
力が小さいモードで使用するようにした。さらに、この
モードの切替は自動で行われるようにした。この構成に
より、小出力時は最高出力も小さいので電力値精度よく
制御できる。
Description
【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の表面処
理装置にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面の
エッチングを行なう装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】本発明は、半導体素子のエッチングに用
いられているプラズマを利用した装置に適用する。ここ
ではECR(電子サイクロトロン共鳴)方式と呼ばれる装置
を例に、従来技術を説明する。この方式では、外部より
磁場を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマ
を発生する。磁場により電子はサイクロトロン運動し、
この周波数とマイクロ波の周波数を共鳴させることで効
率良くプラズマを発生できる。試料に入射するイオンを
加速するために、試料には高周波電圧が印加される。以
後、試料に印加する電力をバイアスと呼ぶ。プラズマと
なるガスには塩素やフッ素などのハロゲンガスが用いら
れる。 【０００３】この装置の主に高精度化をはかる目的で特
許公報平４-６９４１５号が知られている。この発明で
は、放電を起こすマイクロ波電力とバイアスを変調する
ことにより、プラズマ中のイオンやラジカルの比率を制
御すると同時に、イオンのエネルギーを制御でき、高精
度のエッチングができる。また、同様な技術は米国特許
USP４,５８５,５１６でも知られている。ここでは、電
極に高周波を印加して放電を発生する装置で、放電とバ
イアスの少なくとも一つを繰り返しオンオフして、エッ
チング速度の均一性を改善する方法が述べられている。
また、公開特許公報平６-１５１３６０号では、一秒以
下の周期でイオンエネルギーを変調して、高選択な低損
傷エッチングを実現する方法が述べられている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】バイアスの出力をパル
ス変調すると出力電力値の精度に関して以下の問題が生
じる。パルス出力すると、電源の正味の出力電力は電力
のピーク値にデューティー比すなわちパルスの１周期に
対するオン時間の割合をかけたものになる。例えば、po
ly Siのエッチングでは通常バイアス電力は連続で１０
から１００Ｗの値を使う。また、パルス変調での代表的
なデューティー比は２０%程度である。したがってデュ
ーティー比２０%でパルス変調する電源で、正味１００
Ｗの電力を得ようとすると電源の最高出力は５００Ｗ必
要になる。 【０００５】エッチングでは常にパルス変調するわけで
はなく、場合によっては連続バイアスを用いたほうが有
利となる。バイアス電力の大きさはエッチング特性に大
きな影響を与えるので、その絶対値の精度は±１％程度
必要となる。しかし、最高出力５００Ｗの電源で、１０
Ｗの出力を±１％で制御することな困難で、連続出力１
０Ｗで用いる用途には適さなくなってしまう。 【０００６】本発明の目的は，プラズマを用いた半導体
の表面処理において、バイアスをパルス変調したときに
問題となる電力値の精度を改善することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】
バイアス電源の出力電力を少なくとも大小２段階に切り
替えられるようにして、パルス出力時には最高出力が大
きいモードで、連続出力時には最高出力が小さいモード
で使用するようにした。さらに、このモードの切替は自
動で行われるようにした。 この構成により、小出力時は
最高出力も小さいので電力値精度よく制御できる。 【０００８】 【発明の実施の形態】 〔実施例１〕 以下、実施例を図に
より説明する。図１は本発明を適用するプラズマエッチ
ング装置の全体構成図である。マイクロ波電源１０１か
ら導波管１０２と導入窓１０３を介して真空容器１０４
内にマイクロ波が導入される。導入窓１０３の材質は石
英、セラミックなど電磁波を透過する物質である。真空
容器１０４の回りには電磁石１０５が設置されており、
磁場強度はマイクロ波の周波数と共鳴を起こすように設
定されて、たとえば周波数が２.４５GHzならば磁場強度
は８７５Gaussである。試料台１０８の上に試料１０７
が設置される。試料に入射するイオンを加速するため
に、バイアス電源１０９が試料台１０８に接続されてい
る。バイアス電源の周波数に特に制限はないが、通常で
は周波数は２００kHzから２０ＭHzの範囲が実用的でこ
こでは８００kHzを用いている。 【０００９】バイアス電源１０９にはそれぞれをオンオ
フ制御するパルス信号発生器１１０が備えてある。ま
た、バイアス電源１０９では最高出力を１００Ｗと５０
０Ｗの２段に切り替えられる。出力を切替える方法はい
くつかあるが、ここでは図２に示すバイアス電源１０９
のブロック図のように、電源の増幅部の増幅段の数を変
えて増幅率を変えている。すなわち、増幅率が小さい
と、増幅部に入力する信号の変動の増幅も小さくなるの
で、小出力時の精度が保てる。増幅率が大きいと小出力
時の精度は保てなくなるが、このモードでは、信号をパ
ルス変調するのでピーク出力は連続バイアスと比較して
大きく設定する必要があるために、小出力では使用しな
いので精度の問題はない。また、図示していないが電力
の測定器もそれぞれの出力に対応したフルスケールのも
のを２種備えている。 【００１０】次にこの装置で、 ウエハ上の微細パタン
をエッチングする例を図３で述べる。図３は試料の断面
であり、Si基板３０１上に厚さ２.５nmの酸化膜３０２/
polySi膜３０３(厚さ１００nm)/wSi膜３０４(厚さ１０
０nm)/レジスト３０５(厚さ８００nm)が堆積している。
通常多層膜のエッチングでは、エッチング途中で条件を
切り替えるステップエッチングを行う。ここではpoly S
i／wSi層のメインエッチングとその後にエッチ残り３０
６をとるオーバエッチングの２ステップに分けた。エッ
チングの切替は発光波形で判定している。図３(１)は試
料の初期状態、(２)はメインエッチング終了時の断面、
(３)はオーバエッチング終了後の断面をそれぞれ表す。
メインエッチングにはCl２(７４ sccm)+O２(６ sccm)の
圧力を０.４Paを用い、オーバエッチングにはHBr (１０
０ sccm)+O２(１０ sccm) ０.４Paを用いた。マイクロ
波電源１０１の出力を４００Ｗとした。バイアス電源１
０９はメインエッチング時のバイアス電力は周波数２kH
z、デューティー比２０％でパルス変調して、ピーク出
力を３００Ｗとした。その時はバイアス電源１０９は、
最高出力５００Ｗのモードである。また、オーバエッチ
ング時のバイアス電力は連続で１０Ｗとし、バイアス電
源１０９は最高出力１００Ｗのモードに自動的に切り替
えられる。 【００１１】メインエッチング時の正味のバイアス電力
は６０Ｗであるが、パルス変調では連続バイアスの６０
Ｗよりもバイアス電圧のピーク値が大きくなるので入射
イオンのエネルギーが高くなり、垂直なエッチング形状
が得られる。オーバエッチングでは下地の薄い酸化膜を
残したままエッチ残り３０６をとる必要があるので、対
酸化膜選択比を高くするためにイオンエネルギーを小さ
くすなわちバイアス電圧を極力小さくする必要がある。
このために連続バイアスでかつ電力を１０Ｗにしてい
る。 【００１２】この構成により、図３(３)に示すような垂
直でかつ、下地の酸化膜の削れが無くかつエッチ残りも
無い状態が得られる。バイアス電源の最高出力が５００
Ｗのモードしかないと、オーバエッチング時の連続１０
Ｗが最悪５%程変動してしまい、同じ条件でエッチング
したつもりでも下地の酸化膜が抜けてしまったりあるい
はエッチ残りが生じたりして、特性が変動してしまう。 【００１３】次にバイアス波形の立ち上り時間について
述べる。図４にバイアス電圧波形を示す。ここでバイア
ス電圧がオンされてから振幅が安定時の９０%に達する
時間を立ち上がり時間、バイアスがオフされてから振幅
が１０%以下に減衰する時間を立ち下がり時間と定義す
る。立ち上がり時間を変えて試験した結果、立ち上がり
があまり速すぎると、電源のインピーダンス整合が数回
に１回程度の割り合いでとれなくなることがわかった。
この原因は、バイアスの変化が急峻だと波形にオーバシ
ュートなどが生じ易くなり、整合回路に誤信号が発生し
てマッチング点がずれてしまうためと推定される。 【００１４】これを防ぐためには、波形をなまらせて、
立ち上がり時間を全オン時間の１０%以上、３０％以下
にすればよい。３０%の以上でも整合異常は生じない
が、波形がなまりすぎるとエッチング性能が悪くなるの
で、上限が３０%となる。また、立ち下がり時間も同様
で、全オフ時間に占める割合を１０%以上３０％以下に
設定すると、整合異常が起こらなくなる。 【００１５】次に、エッチングに用いるガスについて述
べる。この発明はアスペクトの高いラインとスペースの
加工に適している。このようなラインとスペースは主に
トランジスタのゲート電極あるいはゲートにつながった
メタル配線部分に相当する。ゲート電極はpoly Si、pol
y Siと金属の合金、タングステンなどの高融点金属ある
いはこれらの材料の多層膜でできている。これらの材料
のエッチングには塩素、HBr、塩素と酸素の混合ガス、H
Brと酸素の混合ガス、あるいは塩素とHBrと酸素の混合
ガスが適している。またメタル配線のエッチングには塩
素、塩素とBCl３の混合ガス、塩素とHClの混合ガス、あ
るいは塩素とBCl３とHClの混合ガスが適している。また
多層構造の素子では層間の絶縁膜の加工などに適用で
き、ここではCF４,CHF３,CH２F２,C４F８,C４F５あるい
はこれらCO２,CO,希ガスなどを混合したガスが用いられ
る。 【００１６】〔実施例２〕図５は本発明を適用する別の
装置構造である。この装置では、数百kHzから数十MHzの
いわゆるラジオ波帯（rf）の周波数で誘導結合によりプ
ラズマを発生させる。真空容器５０１はアルミナや石英
などの電磁波を透過する物質でつくられている。その回
りに、プラズマを発生させるための電磁コイル５０２が
巻いてある。コイルにはrf電源５０３が接続されてい
る。真空容器５０１内には試料台５０４がありバイアス
電源５０５とパルス信号発生器５０６が接続されてい
る。 【００１７】この方式の装置でも、バイアス電源５０５
を繰り返しオンオフして、かつ、電源出力を２段に切り
替える構成にすることで、小出力時の精度とパルス時の
高ピーク電力の精度を両立することができる。 【００１８】〔実施例３〕図６は本発明を適用する別の
装置構造である。この装置では、rf電力の容量結合によ
りプラズマを発生させる。真空容器６０１内には２枚の
電極６０２、６０３が平行に配置してある。電極にはそ
れぞれrf電源６０４とバイアス電源６０５が接続してあ
る。電極６０３は試料台をかねる。バイアス電源６０５
にはパルス信号発生器６０７が接続されている。ガスは
試料と対向した電極６０２に開いた穴から導入管６０６
を通して容器内に入れられる。 【００１９】この方式の装置でも、バイアス電源６０５
を繰り返しオンオフして、かつ、電源出力を２段に切り
替える構成にすることで、小出力時の精度とパルス時の
高ピーク電力の精度を両立することができる。 【００２０】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、バイアス
電源のパルス化で問題となる小出力時の精度と大出力時
の精度を両立でき、広い範囲のプロセス領域で安定した
素子の加工が可能になる。
理装置にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面の
エッチングを行なう装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】本発明は、半導体素子のエッチングに用
いられているプラズマを利用した装置に適用する。ここ
ではECR(電子サイクロトロン共鳴)方式と呼ばれる装置
を例に、従来技術を説明する。この方式では、外部より
磁場を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマ
を発生する。磁場により電子はサイクロトロン運動し、
この周波数とマイクロ波の周波数を共鳴させることで効
率良くプラズマを発生できる。試料に入射するイオンを
加速するために、試料には高周波電圧が印加される。以
後、試料に印加する電力をバイアスと呼ぶ。プラズマと
なるガスには塩素やフッ素などのハロゲンガスが用いら
れる。 【０００３】この装置の主に高精度化をはかる目的で特
許公報平４-６９４１５号が知られている。この発明で
は、放電を起こすマイクロ波電力とバイアスを変調する
ことにより、プラズマ中のイオンやラジカルの比率を制
御すると同時に、イオンのエネルギーを制御でき、高精
度のエッチングができる。また、同様な技術は米国特許
USP４,５８５,５１６でも知られている。ここでは、電
極に高周波を印加して放電を発生する装置で、放電とバ
イアスの少なくとも一つを繰り返しオンオフして、エッ
チング速度の均一性を改善する方法が述べられている。
また、公開特許公報平６-１５１３６０号では、一秒以
下の周期でイオンエネルギーを変調して、高選択な低損
傷エッチングを実現する方法が述べられている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】バイアスの出力をパル
ス変調すると出力電力値の精度に関して以下の問題が生
じる。パルス出力すると、電源の正味の出力電力は電力
のピーク値にデューティー比すなわちパルスの１周期に
対するオン時間の割合をかけたものになる。例えば、po
ly Siのエッチングでは通常バイアス電力は連続で１０
から１００Ｗの値を使う。また、パルス変調での代表的
なデューティー比は２０%程度である。したがってデュ
ーティー比２０%でパルス変調する電源で、正味１００
Ｗの電力を得ようとすると電源の最高出力は５００Ｗ必
要になる。 【０００５】エッチングでは常にパルス変調するわけで
はなく、場合によっては連続バイアスを用いたほうが有
利となる。バイアス電力の大きさはエッチング特性に大
きな影響を与えるので、その絶対値の精度は±１％程度
必要となる。しかし、最高出力５００Ｗの電源で、１０
Ｗの出力を±１％で制御することな困難で、連続出力１
０Ｗで用いる用途には適さなくなってしまう。 【０００６】本発明の目的は，プラズマを用いた半導体
の表面処理において、バイアスをパルス変調したときに
問題となる電力値の精度を改善することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】
バイアス電源の出力電力を少なくとも大小２段階に切り
替えられるようにして、パルス出力時には最高出力が大
きいモードで、連続出力時には最高出力が小さいモード
で使用するようにした。さらに、このモードの切替は自
動で行われるようにした。 この構成により、小出力時は
最高出力も小さいので電力値精度よく制御できる。 【０００８】 【発明の実施の形態】 〔実施例１〕 以下、実施例を図に
より説明する。図１は本発明を適用するプラズマエッチ
ング装置の全体構成図である。マイクロ波電源１０１か
ら導波管１０２と導入窓１０３を介して真空容器１０４
内にマイクロ波が導入される。導入窓１０３の材質は石
英、セラミックなど電磁波を透過する物質である。真空
容器１０４の回りには電磁石１０５が設置されており、
磁場強度はマイクロ波の周波数と共鳴を起こすように設
定されて、たとえば周波数が２.４５GHzならば磁場強度
は８７５Gaussである。試料台１０８の上に試料１０７
が設置される。試料に入射するイオンを加速するため
に、バイアス電源１０９が試料台１０８に接続されてい
る。バイアス電源の周波数に特に制限はないが、通常で
は周波数は２００kHzから２０ＭHzの範囲が実用的でこ
こでは８００kHzを用いている。 【０００９】バイアス電源１０９にはそれぞれをオンオ
フ制御するパルス信号発生器１１０が備えてある。ま
た、バイアス電源１０９では最高出力を１００Ｗと５０
０Ｗの２段に切り替えられる。出力を切替える方法はい
くつかあるが、ここでは図２に示すバイアス電源１０９
のブロック図のように、電源の増幅部の増幅段の数を変
えて増幅率を変えている。すなわち、増幅率が小さい
と、増幅部に入力する信号の変動の増幅も小さくなるの
で、小出力時の精度が保てる。増幅率が大きいと小出力
時の精度は保てなくなるが、このモードでは、信号をパ
ルス変調するのでピーク出力は連続バイアスと比較して
大きく設定する必要があるために、小出力では使用しな
いので精度の問題はない。また、図示していないが電力
の測定器もそれぞれの出力に対応したフルスケールのも
のを２種備えている。 【００１０】次にこの装置で、 ウエハ上の微細パタン
をエッチングする例を図３で述べる。図３は試料の断面
であり、Si基板３０１上に厚さ２.５nmの酸化膜３０２/
polySi膜３０３(厚さ１００nm)/wSi膜３０４(厚さ１０
０nm)/レジスト３０５(厚さ８００nm)が堆積している。
通常多層膜のエッチングでは、エッチング途中で条件を
切り替えるステップエッチングを行う。ここではpoly S
i／wSi層のメインエッチングとその後にエッチ残り３０
６をとるオーバエッチングの２ステップに分けた。エッ
チングの切替は発光波形で判定している。図３(１)は試
料の初期状態、(２)はメインエッチング終了時の断面、
(３)はオーバエッチング終了後の断面をそれぞれ表す。
メインエッチングにはCl２(７４ sccm)+O２(６ sccm)の
圧力を０.４Paを用い、オーバエッチングにはHBr (１０
０ sccm)+O２(１０ sccm) ０.４Paを用いた。マイクロ
波電源１０１の出力を４００Ｗとした。バイアス電源１
０９はメインエッチング時のバイアス電力は周波数２kH
z、デューティー比２０％でパルス変調して、ピーク出
力を３００Ｗとした。その時はバイアス電源１０９は、
最高出力５００Ｗのモードである。また、オーバエッチ
ング時のバイアス電力は連続で１０Ｗとし、バイアス電
源１０９は最高出力１００Ｗのモードに自動的に切り替
えられる。 【００１１】メインエッチング時の正味のバイアス電力
は６０Ｗであるが、パルス変調では連続バイアスの６０
Ｗよりもバイアス電圧のピーク値が大きくなるので入射
イオンのエネルギーが高くなり、垂直なエッチング形状
が得られる。オーバエッチングでは下地の薄い酸化膜を
残したままエッチ残り３０６をとる必要があるので、対
酸化膜選択比を高くするためにイオンエネルギーを小さ
くすなわちバイアス電圧を極力小さくする必要がある。
このために連続バイアスでかつ電力を１０Ｗにしてい
る。 【００１２】この構成により、図３(３)に示すような垂
直でかつ、下地の酸化膜の削れが無くかつエッチ残りも
無い状態が得られる。バイアス電源の最高出力が５００
Ｗのモードしかないと、オーバエッチング時の連続１０
Ｗが最悪５%程変動してしまい、同じ条件でエッチング
したつもりでも下地の酸化膜が抜けてしまったりあるい
はエッチ残りが生じたりして、特性が変動してしまう。 【００１３】次にバイアス波形の立ち上り時間について
述べる。図４にバイアス電圧波形を示す。ここでバイア
ス電圧がオンされてから振幅が安定時の９０%に達する
時間を立ち上がり時間、バイアスがオフされてから振幅
が１０%以下に減衰する時間を立ち下がり時間と定義す
る。立ち上がり時間を変えて試験した結果、立ち上がり
があまり速すぎると、電源のインピーダンス整合が数回
に１回程度の割り合いでとれなくなることがわかった。
この原因は、バイアスの変化が急峻だと波形にオーバシ
ュートなどが生じ易くなり、整合回路に誤信号が発生し
てマッチング点がずれてしまうためと推定される。 【００１４】これを防ぐためには、波形をなまらせて、
立ち上がり時間を全オン時間の１０%以上、３０％以下
にすればよい。３０%の以上でも整合異常は生じない
が、波形がなまりすぎるとエッチング性能が悪くなるの
で、上限が３０%となる。また、立ち下がり時間も同様
で、全オフ時間に占める割合を１０%以上３０％以下に
設定すると、整合異常が起こらなくなる。 【００１５】次に、エッチングに用いるガスについて述
べる。この発明はアスペクトの高いラインとスペースの
加工に適している。このようなラインとスペースは主に
トランジスタのゲート電極あるいはゲートにつながった
メタル配線部分に相当する。ゲート電極はpoly Si、pol
y Siと金属の合金、タングステンなどの高融点金属ある
いはこれらの材料の多層膜でできている。これらの材料
のエッチングには塩素、HBr、塩素と酸素の混合ガス、H
Brと酸素の混合ガス、あるいは塩素とHBrと酸素の混合
ガスが適している。またメタル配線のエッチングには塩
素、塩素とBCl３の混合ガス、塩素とHClの混合ガス、あ
るいは塩素とBCl３とHClの混合ガスが適している。また
多層構造の素子では層間の絶縁膜の加工などに適用で
き、ここではCF４,CHF３,CH２F２,C４F８,C４F５あるい
はこれらCO２,CO,希ガスなどを混合したガスが用いられ
る。 【００１６】〔実施例２〕図５は本発明を適用する別の
装置構造である。この装置では、数百kHzから数十MHzの
いわゆるラジオ波帯（rf）の周波数で誘導結合によりプ
ラズマを発生させる。真空容器５０１はアルミナや石英
などの電磁波を透過する物質でつくられている。その回
りに、プラズマを発生させるための電磁コイル５０２が
巻いてある。コイルにはrf電源５０３が接続されてい
る。真空容器５０１内には試料台５０４がありバイアス
電源５０５とパルス信号発生器５０６が接続されてい
る。 【００１７】この方式の装置でも、バイアス電源５０５
を繰り返しオンオフして、かつ、電源出力を２段に切り
替える構成にすることで、小出力時の精度とパルス時の
高ピーク電力の精度を両立することができる。 【００１８】〔実施例３〕図６は本発明を適用する別の
装置構造である。この装置では、rf電力の容量結合によ
りプラズマを発生させる。真空容器６０１内には２枚の
電極６０２、６０３が平行に配置してある。電極にはそ
れぞれrf電源６０４とバイアス電源６０５が接続してあ
る。電極６０３は試料台をかねる。バイアス電源６０５
にはパルス信号発生器６０７が接続されている。ガスは
試料と対向した電極６０２に開いた穴から導入管６０６
を通して容器内に入れられる。 【００１９】この方式の装置でも、バイアス電源６０５
を繰り返しオンオフして、かつ、電源出力を２段に切り
替える構成にすることで、小出力時の精度とパルス時の
高ピーク電力の精度を両立することができる。 【００２０】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、バイアス
電源のパルス化で問題となる小出力時の精度と大出力時
の精度を両立でき、広い範囲のプロセス領域で安定した
素子の加工が可能になる。
【図１】本発明を適用する装置の全体構成図である。
【図２】図１のバイアス電源のブロック図である。
【図３】試料の断面図である。
【図４】バイアス電圧波形である。
【図５】本発明を適用する別の装置の全体構成図であ
る。
る。
【図６】本発明を適用する別の装置の全体構成図であ
る。
る。
１０１−マイクロ波電源、１０２−導波管、１０３−導
入窓、１０４,５０１,６０１−真空容器、１０５−磁
石、１０６−プラズマ、１０７−試料、１０８,５０４
−試料台、１０９,５０５,６０５−バイアス電源、１１
０、５０６、６０７−パルス信号発生器、３０１−Si基
板、３０２−酸化膜、３０３−poly Si膜、３０４−WSi
膜、３０５−レジスト、５０２−ｒｆコイル、５０３−
ｒｆ電源、６０２,６０３-電極、６０６-導入管。
入窓、１０４,５０１,６０１−真空容器、１０５−磁
石、１０６−プラズマ、１０７−試料、１０８,５０４
−試料台、１０９,５０５,６０５−バイアス電源、１１
０、５０６、６０７−パルス信号発生器、３０１−Si基
板、３０２−酸化膜、３０３−poly Si膜、３０４−WSi
膜、３０５−レジスト、５０２−ｒｆコイル、５０３−
ｒｆ電源、６０２,６０３-電極、６０６-導入管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼橋 洋二 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 4K057 DA20 DB06 DB08 DB11 DB15 DB20 DD01 DE01 DE06 DE08 DE11 DG15 DM29 DN01 5F004 AA05 BA16 BB13 BB14 BB29 CA01 CA03 CA06 CB02 DA00 DA04 DA26 DB02 DB17 EA28 EB02
Claims (4)
- 【請求項１】真空容器と、その中にプラズマを発生させ
る電源と、前記真空容器中に置かれた試料台に高周波を
印加するバイアス電源を備えた表面処理装置において、
前記バイアス電源の出力をパルス状に繰り返しオンオフ
して、かつ該バイアス電源の最高出力値を少なくとも、
大小２つに切り替えられるようにしたことを特徴とする
表面処理装置。 - 【請求項２】請求項１の表面処理装置において、前記バ
イアス電源の最高出力の切替は、パルス動作時は最高出
力が大きなモードとし、連続動作時は最高出力が小さい
にモードとしたことを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項３】請求項１または２おいて、前記バイアス電
源のオン時の立ち上がり時間が全オン期間に占める割合
を１０%以上３０％以下としたことを特徴とする表面処
理装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記バイアス電源のオ
フ時の立ち下がり時間が全オフ期間に占める割合を１０
%以上３０％以下としたことを特徴とする表面処理装
置。
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