JP2001077288A - リードフレーム部材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インナーリードの狭ピッチ化への対応が可能
なリードフレーム部材と、このようなリードフレーム部
材を安定して製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】 リードフレーム部材を、外枠部材と、ア
ウターリードとこのアウターリード先端部に延設された
インナ−リードとからなり外枠部材から内側へ略同一面
内に突設された複数のリードフレームと、これらの複数
のインナーリードの少なくとも先端側の一方の面に接合
された単層構造の絶縁性薄膜と、を備えたものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を搭載し
た樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレーム
部材と、これを製造するための方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、高集積化や小型化
技術の進歩、電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向か
ら、ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように、ますます高
集積化、高機能化が進んできている。このように高集積
化、高機能化された半導体装置においては、外部端子
（ピン）の総和の増加や更なる多端子（ピン）化が要請
されている。

【０００３】上記のような多端子（ピン）化の要請に応
えるものとして、多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレ
イやスタンダードセルに体表されるＡＳＩＣ、あるい
は、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置の製造においてリードフレ
ーム部材を用いたものがある。具体的には、ＱＦＰ（Ｑ
ｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パ
ッケージがあり、ＱＦＰでは、３００ピンクラスのもの
まで実用化されている。リードフレーム部材の外形加工
は、比較的高精細なものではフォトリソグラフィー技術
を用いたエッチング加工方法により行われており、ＱＦ
Ｐでは、外部端子（アウターリード）ピッチを狭めるこ
とにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端
子化に対応してきた。

【０００４】しかし、上記のエッチング加工方法の場
合、アウターリードの板厚の薄肉化と狭ピッチ化に伴っ
て、アウターリード自体が薄く幅が細くなり、強度が低
下するため、外形加工の後工程におけるアウターリード
のスキュー対応や平坦性維持が困難となり、実装に際し
ては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題
があった。

【０００５】これに対して、リードフレーム素材の板厚
は薄くせずに、２段エッチング加工方法を用いパターン
形状を工夫して、内部端子（インナーリード）を部分的
に薄くしながら外形加工を行うことにより、インナーリ
ードの狭ピッチ化を達成して多端子化に対応することが
行われている。

【０００６】しかし、このようなリードフレーム部材で
は、半導体素子の端子とインナーリードとのワイヤボン
ディングの際に、薄肉部の機械的強度不足により、キャ
ピラリに引っ張られ（以降、この現象を跳ね上がりとい
う）、薄肉部が変形するという問題がある。この跳ね上
がりを防止するために、インナーリードの先端近傍間を
接着層を備えた帯状の絶縁性のテープで固定することが
行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
インナーリードの先端近傍間を帯状の絶縁性テープで固
定する場合、リードフレーム部材を重ねる等の取り扱い
をすることにより、インナーリードの先端が絡んで変形
するという問題がある。

【０００８】また、複数のインナーリードに囲まれるよ
うに中央にダイパッドを備える場合、従来の帯状の絶縁
性テープでは、インナーリードに対するダイパッドの位
置を規制することができず、ワイヤボンディングの不良
発生が多いという問題があった。

【０００９】一方、接着層を備えた矩形の絶縁性テープ
を使用し、インナーリードをその先端も含めて固定し、
さらに、ダイパッドを備える場合には、ダイパッドも固
定することが行なわれている。しかし、従来の絶縁性テ
ープは、絶縁性フィルムと接着剤層とからなる多層構造
であるため単価が高く、リードフレーム部材の製造コス
ト低減の大きな支障となっていた。さらに、このような
矩形の絶縁性テープを接合する工程における加熱によ
り、絶縁性テープに熱収縮が生じ、リードフレーム部材
に反りが発生し易くなる。このようにリードフレーム部
材に反りが発生すると、半導体素子の実装に支障を来た
すとともに、樹脂封止型半導体装置の薄型化にも支障を
来たすことになる。

【００１０】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、インナーリードの狭ピッチ化への対応
が可能なリードフレーム部材と、このようなリードフレ
ーム部材を安定して製造できる製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のリードフレーム部材は、樹脂封止型
半導体装置用のリードフレーム部材であって、外枠部材
と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設さ
れたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ
略同一面内に突設された複数のリードフレームと、前記
複数のインナーリードの少なくとも先端側の一方の面に
接合された単層構造の絶縁性薄膜と、を備えるような構
成とした。

【００１２】また、本発明のリードフレーム部材は、前
記外枠部材から接続リードを介して配設されたダイパッ
ドを備え、前記絶縁性薄膜は前記ダイパッドの一方の面
にも接合されているような構成とした。

【００１３】また、本発明のリードフレーム部材は、厚
みが５〜５０μｍの範囲内にあるような構成とした。

【００１４】また、本発明のリードフレーム部材は、前
記絶縁性薄膜がポリイミド系の樹脂薄膜であるような構
成とした。

【００１５】また、本発明のリードフレーム部材は、前
記インナーリードの先端側の一部がリードフレームの定
厚部よりも薄い薄肉部であり、前記絶縁性薄膜は前記イ
ンナーリードの少なくとも薄肉部に接合されたものであ
るような構成とした。

【００１６】さらに、本発明のリードフレーム部材は、
前記インナーリードの前記絶縁性薄膜接合面と反対面側
にめっき層を備えるような構成とした。

【００１７】本発明のリードフレーム部材の製造方法
は、（Ａ）剥離性基材に絶縁性樹脂組成物を所定のパタ
ーンで印刷して絶縁性薄膜を形成する第１の工程と、
（Ｂ）外枠部材と、アウターリードと該アウターリード
先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠
部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフ
レームとを備えたリードフレーム加工部材を、前記イン
ナーリードの一方の面が前記剥離性基材上の絶縁性薄膜
に当接するように圧着する第２の工程と、（Ｃ）前記剥
離性基材を剥離除去して前記絶縁性薄膜を前記リードフ
レーム加工部材に転写し、次いで、前記絶縁性薄膜に硬
化処理を施して前記リードフレーム加工部材に接合させ
る第３の工程と、を備えるような構成とした。

【００１８】また、本発明のリードフレーム部材の製造
方法は、前記第２の工程において、前記リードフレーム
加工部材として外枠部材から接続リードを介して配設さ
れたダイパッドを備えるリードフレーム加工部材を使用
し、該ダイパッドの一方の面も前記絶縁性薄膜に当接す
るように圧着するような構成とした。

【００１９】また、本発明のリードフレーム部材の製造
方法は、前記第２の工程において、前記絶縁性薄膜と前
記リードフレーム加工部材の少なくとも一方を予め加熱
した状態で圧着するような構成とした。

【００２０】このような本発明では、各リードフレーム
のインナーリードの少なくとも先端側の一方の面に接合
された単層構造の絶縁性薄膜が、機械的強度の弱いイン
ナーリードを補強するとともに、各インナーリードの先
端を確実に保持する作用をなし、ダイパッドのない場合
には、半導体素子を絶縁性薄膜に直接搭載することによ
り薄型化を可能とし、ダイパッドがある場合には、絶縁
性薄膜がダイパッドの位置を確実に規制する作用もな
す。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２２】リードフレーム部材 図１は本発明のリードフレーム部材の一実施形態を示す
平面図、図２は図１に示されるリードフレーム部材のＡ
−Ａ線における概略断面図である。

【００２３】図１および図２において、本発明のリード
フレーム部材１は、外枠部材２と、複数のリードフレー
ム３と、絶縁性薄膜８とを備えている。

【００２４】外枠部材２は、外形形状および内側開口形
状が矩形であり、各リードフレーム３は外枠部材２の内
側開口の各辺から同一平面内に突設されている。

【００２５】リードフレーム３は、外枠部材２から内側
開口内に突設されたアウターリード４と、このアウター
リード４の先端部に延設されたインナーリード５とから
なる。図示例では、各アウターリード４はダムバー３ａ
で相互に接続固定されている。インナーリード５は、そ
の先端部側に薄肉部５ａが形成され、インナーリード５
のアウターリード側には定厚部５ｂが形成されている。
この薄肉部５ａは、リードフレーム部材１の薄肉部５ａ
以外の部位（素材の導電性基材の厚みである部位＝定厚
部５ｂ）よりも薄いものである。上記の薄肉部５ａの厚
みは８０〜１００μｍの範囲内で設定し、定厚部５ｂの
厚みは１００〜２５０μｍの範囲内で設定し、薄肉部５
ａの厚みを定厚部５ｂの厚みの２０〜４０％の範囲内と
することができる。また、インナーリード５の幅は７０
〜２００μｍの範囲内で設定し、各インナーリード５の
先端部のピッチは１５０〜３００μｍの範囲内で設定す
ることができる。尚、本発明では、インナーリード５
は、その先端部側に薄肉部をもたず、均一な厚みであっ
てもよい。

【００２６】薄肉部５ａの切欠き部位側（図２の上側）
のワイヤボンディング領域には銀めっき層６が形成され
ている。尚、銀めっき層６の代わりに金めっき層やパラ
ジウムめっき層等を設けてもよい。

【００２７】上記のような外枠部材２、複数のリードフ
レーム３の材質は、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合
金）、銅、銅合金等とすることができる。

【００２８】絶縁性薄膜８は単層構造の矩形状の薄膜で
あり、各インナーリード５の一方の面（図示例では、銀
めっき層６の形成されていない面）に接合されている。
この絶縁性薄膜８は、機械的強度の弱いインナーリード
５を補強するとともに、インナーリード５の先端を確実
に保持する作用を目的としている。尚、絶縁性薄膜８が
インナーリード５のみではなく、アウターリード４にも
接合されていてもよい。

【００２９】絶縁性薄膜８としては、ポリイミド系樹
脂、ポリエチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の電気絶
縁性の熱可塑性樹脂の薄膜、あるいは、ポリイミド系樹
脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等の電気絶縁性
の熱硬化性樹脂を硬化させた薄膜とすることができ、厚
みは５〜５０μｍの範囲で設定することができる。この
絶縁性薄膜８は、リードフレーム部材に反りを生じさな
いことが重要であり、このため、リードフレーム部材１
への接合において、絶縁性薄膜８に生じる熱収縮を打ち
消す程度の大きな引張り延び率を絶縁性薄膜８が備える
ことが好ましい。ここで、本発明における引張り延び率
は、ＪＩＳ Ｋ７１２７、あるいはＡＳＴＭ Ｄ−８８
２により測定したものを意味し、引張り延び率の好まし
い範囲はリードフレーム部材の厚み、材質、形状等を考
慮して、リードフレーム部材に反りが発生しない範囲で
適宜設定することができるが、例えば、引張り延び率を
４０〜８０％程度とすることができる。このような範囲
の引張り延び率をもつ絶縁性薄膜８の形成は、使用する
電気絶縁性の樹脂材料に応じて、上記の引張り延び率の
範囲内となるように適宜厚みを設定することにより可能
である。特に、ポリイミド系（宇部興産（株）製エピコ
ートＦＳ１００Ｌ等）の樹脂薄膜は、上記の厚みの範囲
（５〜５０μｍ）のいずれにおいても、引張り延び率が
４０〜８０％となるので、絶縁性薄膜８として好まし
い。

【００３０】上記のような絶縁性薄膜８は、単層構造で
あるため、インナーリード固定用の従来の多層構造の絶
縁性テープ（通常、電気絶縁性のベースフィルムの両面
あるいは片面に接着層を設けたもの）に比べて材料コス
トが低いものとなる。また、本発明のリードフレーム部
材１は、樹脂封止型半導体装置の製造において、半導体
素子を絶縁性薄膜８に直接搭載することにより半導体装
置の薄型化が可能となる。

【００３１】尚、上述のような本発明のリードフレーム
部材１は、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領
域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるもの
でもよい。この場合、リードフレーム部材の素材として
の導電性基材の表面に粗面化処理を施し、その上にパラ
ジウムめっき層を形成することが好ましい。上記の粗面
化処理は、導電性基材の表面を有機酸系等のエッチング
液で腐食して微細凹凸を形成する化学研磨処理が挙げら
れるが、これに限定されるものではない。また、リード
フレーム部材の素材が銅、銅合金である場合、ニッケル
めっき層を介してパラジウムめっき層を形成してもよ
い。このようにパラジウムめっき層を設けることによ
り、封止樹脂材料が直接にリードフレーム部材の素材に
接する場合と比べ、密着性が大幅に向上する。

【００３２】図３は本発明のリードフレーム部材の他の
実施形態を示す平面図、図４は図３に示されるリードフ
レーム部材のＢ−Ｂ線における概略断面図である。

【００３３】図３および図４において、本発明のリード
フレーム部材１１は、外枠部材１２と、複数のリードフ
レーム１３と、ダイパッド１７と、絶縁性薄膜１８とを
備えている。

【００３４】外枠部材１２は、上述のリードフレーム部
材１の外枠部材２と同様に、外形形状および内側開口形
状が矩形であり、各リードフレーム１３は外枠部材１２
の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている。

【００３５】リードフレーム１３は、外枠部材１２から
内側開口内に突設されたアウターリード１４と、このア
ウターリード１４の先端部に延設されたインナーリード
１５とからなり、図示例では、各アウターリード１４は
ダムバー１３ａで相互に接続固定されている。インナー
リード１５は、その先端部側に薄肉部１５ａが形成さ
れ、インナーリード１５のアウターリード側には定厚部
１５ｂが形成されている。この薄肉部１５ａは、リード
フレーム部材１１の薄肉部１５ａ以外の部位（素材であ
る導電性基材の厚みを有する部位＝定厚部１５ｂ）より
も薄いものである。上記の薄肉部１５ａの厚み、定厚部
１５ｂの厚み、および、薄肉部１５ａの厚みと定厚部１
５ｂの厚みの比率は、上述のリードフレーム部材１と同
様の範囲で設定することができる。尚、本発明では、イ
ンナーリード１５は、その先端部側に薄肉部をもたず、
均一な厚みであってもよい。

【００３６】また、図示例では、薄肉部１５ａの切欠き
部位側（図４の上側）のワイヤボンディング領域には銀
めっき層１６が形成されている。尚、銀めっき層１６の
代わりに金めっき層やパラジウムめっき層等を設けても
よい。

【００３７】ダイパッド１７は、外形形状が矩形であ
り、その四隅において接着リード１７ａを介して外枠部
材１２に保持され、外枠部材１２の内側開口内に配設さ
れている。

【００３８】上記のような外枠部材１２、複数のリード
フレーム１３、ダイパッド１７、接続リード１７ａの材
質は、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金
等とすることができる。

【００３９】絶縁性薄膜１８は単層構造の矩形状の薄膜
であり、各インナーリード１５の一方の面（図示例で
は、銀めっき層１６の形成されていない面）とダイパッ
ド１７の一方の面とに接合されている。この絶縁性薄膜
１８は、上述の絶縁性薄膜８と同様に、機械的強度の弱
いインナーリード１５を補強するとともに、インナーリ
ード１５の先端を確実に保持する作用をなし、さらに、
ダイパッド１７の位置を確実に規制することを目的とし
ている。このように、絶縁性薄膜１８によりダイパッド
１７とインナーリード１５の先端との位置が固定される
ので、樹脂封止型半導体装置の製造において、ワイヤボ
ンディングの不良発生を大幅に低減することができる。
尚、絶縁性薄膜１８がインナーリード１５のみではな
く、アウターリード１４にも接合されていてもよい。

【００４０】このような絶縁性薄膜１８の材料、厚み
は、上述のリードフレーム部材１の絶縁性薄膜８と同様
とすることができる。

【００４１】リードフレーム部材１１においても、上述
のリードフレーム部材１と同様に、樹脂封止型半導体装
置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウ
ムめっき層を備えるものでもよい。

【００４２】リードフレーム部材の製造方法 次に、本発明のリードフレーム部材の製造方法につい
て、図１および図２に示されるリードフレーム部材１を
例として説明する。

【００４３】まず、第１の工程では、図５に示されるよ
うに、剥離性基材２１上に絶縁性樹脂組成物を印刷して
矩形の絶縁性薄膜２８（図中に斜線で示す）を形成す
る。

【００４４】剥離性基材２１は、少なくとも絶縁性薄膜
２８の形成面が剥離性を備えるものであり、ステンレス
やアルミニウム等の金属板にテフロン（商品名）等のフ
ッ素樹脂等をコーティングしたもの、テフロン（商品
名）テープ、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の
樹脂板、樹脂フィルム、これらの複合板等を用いること
ができる。

【００４５】絶縁性樹脂組成物は、ポリイミド系樹脂、
ポリエチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の電気絶縁性
の熱可塑性樹脂、あるいは、ポリイミド系樹脂、エポキ
シ系樹脂、フェノール系樹脂等の電気絶縁性の熱硬化性
樹脂を含有する組成物である。このような絶縁性樹脂組
成物を剥離性基材２１上に印刷する方法は、通常、スク
リーン印刷が好ましく用いられる。

【００４６】次に、第２の工程として、まず、リードフ
レーム加工部材を図６に示すように作製する。すなわ
ち、導電性基材３１の表裏に感光性レジストを塗布、乾
燥して感光性レジスト層を形成し、これを所定のフォト
マスクを介して露光した後、現像してレジストパターン
４１Ａ，４１Ｂを形成する（図６（Ａ））。導電性基材
３１としては、上述のような４２合金（Ｎｉ４１％のＦ
ｅ合金）、銅、銅合金等の金属基板（厚み１００〜２５
０μｍ）を使用することができ、この導電性基材３１
は、両面を脱脂等を行い洗浄処理したものを使用するこ
とが好ましい。また、感光性レジストとしては、従来公
知のもの、例えば、重クロム酸カリウムを感光剤とした
ポリビニルアルコール水溶液からなるレジスト等を使用
することができる。

【００４７】次いで、レジストパターン４１Ａ，４１Ｂ
を耐腐蝕膜として導電性基材３１に腐蝕液でエッチング
を行い、その後、レジストパターン４１Ａ，４１Ｂを除
去することにより、リードフレーム加工部材３１′を作
製する（図６（Ｂ））。腐蝕液は、通常、塩化第二鉄水
溶液（液温３５〜８０℃、比重３５〜５０ボーメ（例え
ば、導電性基材３１が銅材の場合、液温４５℃、比重４
０ボーメとし、４２合金の場合、液温７５℃、比重４８
ボーメとすることができる））を使用し、導電性基材３
１の両面からスプレーエッチング（スプレー圧２〜５ｋ
ｇ／ｃｍ² ）にて行う。このエッチング工程におけるエ
ッチング量を加減することにより、ハーフエッチング加
工を行うことができる。また、腐蝕液のスプレー圧を高
く（例えば、５ｋｇ／ｃｍ² ）することにより、深さ方
向のエッチングが進行しやすくなり、高精細なパターン
エッチングがより容易となる。このようにして作製され
たリードフレーム加工部材３１′は、外形形状および内
側開口形状が矩形である外枠部材３２と、外枠部材３２
の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている複数
のリードフレーム３３とを備えたものである。各リード
フレーム３３は、外枠部材３２から内側開口内に突設さ
れたアウターリード３４と、このアウターリード３４の
先端部に延設されたインナーリード３５とからなり、ま
た、各リードフレーム３３のインナーリード３５は、そ
の先端部側に薄肉部３５ａが形成され、インナーリード
３５のアウターリード側には定厚部３５ｂが形成されて
いる。この薄肉部３５ａは、導電性基材３１の薄肉部３
５ａ以外の部位（定厚部３５ｂ）よりも薄いものであ
る。すなわち、各リードフレーム３３に挟まれた部位
は、表裏からのエッチングにより導電性基材が除去さ
れ、インナーリード３５の薄肉部３５ａは、表からのエ
ッチング（ハーフエッチング）により薄肉部として形成
される。

【００４８】次いで、上記のように作製されたリードフ
レーム加工部材３１′の一方の面に、絶縁性薄膜２８を
当接させるように正確に位置決めして剥離性基材２１を
圧着する（図６（Ｃ））。この圧着工程では、リードフ
レーム加工部材３１′および絶縁性薄膜２８の少なくと
も一方を予め加熱しておくことができる。この熱処理
は、温度範囲８０〜１２０℃の範囲で設定することがで
きる。

【００４９】次に、第３の工程として、リードフレーム
加工部材３１′から剥離性基材２１を剥離して除去する
ことにより、絶縁性薄膜２８をリードフレーム加工部材
３１′に転写する（図６（Ｄ））。次いで、転写した絶
縁性薄膜２８の硬化処理を施して、リードフレーム加工
部材３１′に接合した絶縁性薄膜８とし、その後、銀め
っき層６をインナーリード５ａの所定部位に形成するこ
とにより、図１に示されるようなリードフレーム部材を
得る（図６（Ｅ））。

【００５０】尚、銀めっき層６は、絶縁性薄膜２８を転
写する前のリードフレーム加工部材３１′に形成しても
よい。

【００５１】図３および図４に示されるリードフレーム
部材１１も、ダイパッド１７を備えたリードフレーム加
工部材をエッチングにより作製する他は、上述の製造方
法と同様の工程により製造することができる。

【００５２】

【実施例】次に、具体的な実施例を示して本発明を更に
詳細に説明する。

【００５３】まず、剥離性基材として、厚み３ｍｍのス
テンレスにフッ素系樹脂をコーティングしたステンレス
基板を準備し、このステンレス基板上に絶縁性樹脂組成
物（宇部興産（株）製ユピコートＦＳ１００Ｌ）をスク
リーン印刷により印刷し、その後、１００℃で２分間乾
燥して、１辺２０ｍｍの正方形の絶縁性薄膜Ａ（厚み約
１０μｍ）を形成した。

【００５４】また、同様の絶縁性樹脂組成物を使用し、
絶縁性薄膜Ｂ（厚み約１００μｍ）をステンレス基板上
に形成した。

【００５５】一方、導電性基板として厚み１２５μｍの
銅合金板（古河電気工業（株）製ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１
／２Ｈ）を準備し、脱脂処理、洗浄処理を行った後、こ
の銅合金板の両面に紫外線硬化型レジスト（東京応化工
業（株）製ＯＦＰＲ１３０５）を掛け流し法により塗布
して乾燥した。次いで、表面側および裏面側のレジスト
層をそれぞれ所定のフォトマスクを介して露光した後、
現像してレジストパターンを形成した。次に、銅合金板
の両面から塩化第二鉄水溶液を使用してスプレーエッチ
ングを行った。次いで、洗浄後、有機アルカリ溶液を用
いて表面側のレジストパターンを剥離除去した。これに
より、外形形状および内側開口形状が矩形である外枠部
材と、外枠部材の内側開口の各辺から同一平面内に突設
されている複数のリードフレームとを備えたリードフレ
ーム加工部材Ｉが得られた。

【００５６】また、同様の銅合金板を用いて、ダイパッ
ド（外形形状が矩形であり、その四隅において接着リー
ドを介して外枠部材に保持され、外枠部材の内側開口内
に配設されている）を備える他は、上記のリードフレー
ム加工部材Ｉと同じ構造のリードフレーム加工部材IIを
作製した。

【００５７】次に、上記の２種のリードフレーム加工部
材Ｉ、IIを１２０℃に加熱し、これらのリードフレーム
加工部材の一方の面に、絶縁性薄膜を当接させるように
各ステンレス基板（絶縁性薄膜はＡ、Ｂの２種）を圧着
した。

【００５８】次いで、ステンレス基板を剥離して絶縁性
薄膜Ａ、Ｂをリードフレーム加工部材Ｉ、IIに転写し、
その後、転写した絶縁性薄膜に下記の条件で硬化処理を
施して、リードフレーム部材（試料１〜４）を得た。こ
の試料１〜４における絶縁性薄膜とリードフレーム部材
の組み合わせを下記の表１に示した。

【００５９】硬化処理条件 ・１８０℃、６０分間 （硬化処理後の絶縁性薄膜の厚み：Ａ＝５μｍ、Ｂ＝５
０μｍ）

【００６０】上述のように作製したリードフレーム部材
（試料１〜４）は、いずれも各インナーリードの先端が
絶縁性薄膜により保持されてインナーリードが補強さ
れ、また、複数のリードフレーム部材を重ねてもインナ
ーリードの絡みは発生しながった。さらに、ダイパッド
を備えるリードフレーム部材（試料３、４）では、ダイ
パッドの位置が絶縁性薄膜により確実に規制され、ダイ
パッドとインナーリード先端との位置が固定されたもの
であった。

【００６１】尚、引張り延び率測定のために、絶縁性薄
膜Ａ、Ｂにステンレス基板上で上記の条件で硬化処理を
施し、この薄膜単体について、ＪＩＳ Ｋ７１２７ある
いはＡＳＴＭ Ｄ−８８２に基づいて引張り延び率を測
定した。その結果を下記の表１に示した。

【００６２】また、各リードフレーム部材（試料１〜
４）について、反りの発生量を下記の方法で測定して、
結果を下記の表１に示した。

【００６３】反り発生量の測定方法 表面粗さ計（小坂研究所製ＳＥＦ３４００）を用い、リ
ードフレーム部材の幅方向に沿って走査する。

【００６４】

【表１】 表１に示されるように、絶縁性薄膜を備えたリードフレ
ーム部材（試料１〜４）は、反りの発生がない、あるい
は、反りが極めて少なく良好であった。

【００６５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば複
数のインナーリードの少なくとも先端側の一方の面に、
単層構造の絶縁性薄膜を接合して備えるので、各インナ
ーリードの先端が確実に絶縁性薄膜により保持されて、
機械的強度の弱いインナーリードが補強され、インナー
リードの狭ピッチ化を更に進めたリードフレーム部材が
可能となるとともに、リードフレーム部材を重ねてもイ
ンナーリードが絡むことがないので、取り扱い作業性が
向上する。また、ダイパッドを備えるリードフレーム部
材では、ダイパッドの位置が絶縁性薄膜により確実に規
制されるので、ダイパッドとインナーリード先端との位
置が固定され、ワイヤボンディングの不良発生を大幅に
低減でき、ダイパッドのないリードフレーム部材の場合
には、半導体素子を絶縁性薄膜に直接搭載することによ
り半導体装置の薄型化を可能とする。さらに、絶縁性薄
膜は印刷により形成し転写してリードフレーム部材に接
合されるので、従来の固定用の絶縁性テープに比べて製
造コストの低減が可能であり、かつ、リードフレーム部
材に反りを生じさせることがほとんどないので、半導体
素子の実装を確実に行うことができる。このような本発
明のリードフレーム部材は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａ
ｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージのいず
れにも適用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のリードフレーム部材の一実施形態を示
す平面図である。

【図２】図１に示されるリードフレーム部材のＡ−Ａ線
における概略断面図である。

【図３】本発明のリードフレーム部材の他の実施形態を
示す概略断面図である。

【図４】図３に示されるリードフレーム部材のＢ−Ｂ線
における概略断面図である。

【図５】本発明のリードフレーム部材の製造方法にて使
用する、絶縁性薄膜を備えた剥離性基材を示す平面図で
ある。

【図６】本発明のリードフレーム部材の製造方法の一例
を説明するための工程図である。

【符号の説明】

１，１１…リードフレーム部材 ２，１２…外枠部材 ３，１３…リードフレーム ４，１４…アウターリード ５，１５…インナーリード ５ａ，１５ａ…薄肉部 ５ｂ，１５ｂ…定厚部 ６，１６…銀めっき層 ８，１８…絶縁性薄膜 １７…ダイパッド １７ａ…接続リード ２１…剥離性基材 ２８…絶縁性薄膜 ３１…導電性基材 ３１′…リードフレーム加工部材 ３２…外枠部材 ３３…リードフレーム ３４…アウターリード ３５…インナーリード ３５ａ…薄肉部 ３５ｂ…定厚部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 久敏 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5F067 AA11 BE10 CC02 CC03 CC08 DF03

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
   ム部材において、 外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部
   に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材か
   ら内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレーム
   と、前記複数のインナーリードの少なくとも先端側の一
   方の面に接合された単層構造の絶縁性薄膜と、を備える
   ことを特徴とするリードフレーム部材。
2. 【請求項２】 前記外枠部材から接続リードを介して配
   設されたダイパッドを備え、前記絶縁性薄膜は前記ダイ
   パッドの一方の面にも接合されていることを特徴とする
   請求項１に記載のリードフレーム部材。
3. 【請求項３】 前記絶縁性薄膜は、厚みが５〜５０μｍ
   の範囲内にあることを特徴とする請求項１または請求項
   ２に記載のリードフレーム部材。
4. 【請求項４】 前記絶縁性薄膜は、ポリイミド系の樹脂
   薄膜であることを特徴とする請求項３に記載のリードフ
   レーム部材。
5. 【請求項５】 前記インナーリードは先端側の一部がリ
   ードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、前記絶
   縁性薄膜は前記インナーリードの少なくとも薄肉部に接
   合されたものであることを特徴とする請求項１乃至請求
   項４のいずれかに記載のリードフレーム部材。
6. 【請求項６】 前記インナーリードは前記絶縁性薄膜と
   の接合面と反対面側にめっき層を備えることを特徴とす
   る請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のリードフレ
   ーム部材。
7. 【請求項７】 樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
   ム部材の製造方法において、（Ａ）剥離性基材に絶縁性
   樹脂組成物を所定のパターンで印刷して絶縁性薄膜を形
   成する第１の工程と、（Ｂ）外枠部材と、アウターリー
   ドと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リー
   ドとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設
   された複数のリードフレームとを備えたリードフレーム
   加工部材を、前記インナーリードの一方の面が前記剥離
   性基材上の絶縁性薄膜に当接するように圧着する第２の
   工程と、（Ｃ）前記剥離性基材を剥離除去して前記絶縁
   性薄膜を前記リードフレーム加工部材に転写し、次い
   で、前記絶縁性薄膜に硬化処理を施して前記リードフレ
   ーム加工部材に接合させる第３の工程と、を備えること
   を特徴とするリードフレーム部材の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第２の工程において、前記リードフ
   レーム加工部材として外枠部材から接続リードを介して
   配設されたダイパッドを備えるリードフレーム加工部材
   を使用し、該ダイパッドの一方の面も前記絶縁性薄膜に
   当接するように圧着することを特徴とする請求項７に記
   載のリードフレーム部材の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第２の工程において、前記絶縁性薄
   膜と前記リードフレーム加工部材の少なくとも一方を予
   め加熱した状態で圧着することを特徴とする請求項７ま
   たは請求項８に記載のリードフレーム部材の製造方法。