JP2001077032A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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Abstract
にすることができる熱処理装置を提供する。 【解決手段】 熱処理容器内に、基板保持具と、基板保
持具を囲繞する保熱板と、熱処理容器の第1側面から第
1側面に対峙する第2側面に向かい基板保持具の基板保
持面に対して略平行に熱処理容器内へ挿入される複数の
熱電対とが設置され、複数の熱電対は少なくとも、保熱
板の第1側面側の温度を検出する第1熱電対と、保熱板
の第2側面側の温度を検出する第2熱電対とからなり、
第2熱電対の保熱板下に延在する部分が直棒状に構成さ
れ、且つ、第2熱電対の測温部分が第1熱電対の測温部
分よりも基板保持具から離隔している。
Description
し、さらに詳しくは、気相成長用の熱処理装置に係わ
る。
半導体基板等の熱処理を行うにあたっては、熱処理が行
われる熱処理容器と、基板保持具と、熱処理容器内に窒
素や水素等の雰囲気ガスあるいは原料ガスを供給するガ
ス供給装置と、ガスを排気するガス排気装置と、熱処理
容器内を加熱する加熱装置と、これらの装置を制御する
制御装置とを有する熱処理装置が用いられている。
置がある。この気相成長装置として、従来、横型、縦型
及びバレル型のものが知られているが、気相成長を施す
シリコン単結晶基板の直径が200mm(8インチ)以
上のものについては、主に枚葉式のものが用いられてい
る。
有する熱処理容器内の略中央に設けられた基板保持具
(サセプタ)上に1枚のシリコン単結晶基板を略水平に
載置し、熱処理容器の一端から他端に向けてシリコン単
結晶基板の主表面に沿って熱処理ガスを供給すると共
に、熱処理容器の外側に設けられた加熱装置を用いてシ
リコン単結晶基板を所望の温度に加熱することにより、
シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層等の
薄膜を形成する。
理が施される基板の温度を制御することが重要である。
例えばシリコンエピタキシャルの形成は通常1100℃
前後で行われ、加熱温度の高さや温度分布は形成される
薄膜の特性に影響を与えるので、加熱温度を注意深く制
御する必要がある。加熱温度の制御は、基板保持具の周
囲に例えば白金・ロジウム(Pt・Rh)合金の熱電対
を設置し、熱電対が検知した温度を加熱装置の加熱出力
にフィードバックすることにより行う。
に示す。熱電対は、熱電対の挿入側である熱処理容器5
1の第1側面側と該第1側面に対峙する第2側面側とに
少なくとも設置される。この取付構造では、同図に示す
ように、第1熱電対50a、第2熱電対50b及び第3
熱電対50cが、保熱板52下において、それぞれ、ガ
スの排気側、ガスの供給側及び熱処理容器51の側面側
に設置される。
と実質的に同じ温度にするために、基板保持具53と同
じく炭化珪素でコート(被覆)されたグラファイトによ
り構成されている。この保熱板52は、図6に示すよう
に、保熱板52下に熱電対50a、50b、50cを保
持するために環状の保持板54を有し、保熱板52と保
持板54の上下2枚を重ね合わせて熱電対50a、50
b、50cをカバーしている。ここでは保持板54も、
保熱板52と同様に、炭化珪素で被覆されたグラファイ
トにより構成されている。
容器51の第1側面61から第1側面に対峙する第2側
面62に向かい、基板保持具53の基板保持面53aに
対して略平行に、熱処理容器51内へ挿入されている。
ガスの排気側から導入したのは、その構造が最も簡単に
なるからである。ガスの供給側には、キャリアガス用、
原料ガス用、ドーパントガス用、エッチングガス用及び
置換ガス用等、複数のガスの供給配管(図示せず)が付
設される。また、ガスの供給側に基板の搬入・搬出口を
設ける熱処理装置もあり、この上にさらに熱電対の導入
口を設けると、ガスの供給側は非常に複雑な構造になっ
てしまう。一方、熱電対を熱処理容器の側面側から導入
する場合には、熱処理容器の側面側に熱電対の導入口を
設けると共に、熱電対の配線に熱がかからないような構
造にする必要がある上、さらには、熱処理容器側面部の
構造改造後もなお、ガス流が乱れないように工夫する必
要がある。
側から保熱板下に導入される熱電対50a、50b、5
0cのうち、第1熱電対50a及び第3熱電対50cは
直棒状に構成され、第2熱電対50bの保熱板52下に
延在する部分は、基板保持具53の外周形状に沿わせて
弧状に構成されている。第1熱電対50a及び第3熱電
対50cの場合には直棒状であっても基板保持具53に
近接できるのに対して、第2熱電対50bの場合には基
板保持具53の外周形状に沿わせて弧状となっていない
と、ガスの供給側である第2側面62側において熱電対
の先端が基板保持具53に近接せず、温度分布が正確に
検知できないと考えられていたからである。
持具53の外周形状に沿って曲がった熱電対を用いる
と、その熱電対を保持板54から引き抜くことが困難と
なる。そこで、熱電対の断線時など該熱電対を交換する
際には、熱処理容器51内から保熱板52をまず取り外
し、該保熱板52と保持板54を分離して第2熱電対5
0bを取り出していた。かかる作業は煩雑である上、熱
処理容器51内から保熱板52を一旦取り出すと、再装
着時に基板保持具53と保熱板52の位置関係が微妙に
変化するので、温度分布やガスの流れが変化してしま
い、製造条件の最適化に時間を要する場合がある。
取り出す際には、熱処理容器51内を外気に曝さなけれ
ばならない。操業時に乾燥した水素又は窒素雰囲気に保
たれている熱処理容器51内に一旦外気が入ると、空気
中に浮遊する重金属のような汚染物質又は水分が熱処理
容器51の内壁面に吸着してしまう。熱処理容器51の
内壁面に付着した重金属や水分は、操業再開後に内壁面
から遊離し、基板自体あるいは基板上に形成される薄膜
を汚染したり、トリクロロシラン(SiHCl 3)等の
原料ガスと酸化物を形成したりする。そこで、操業再開
前に水素などを流しながら熱処理容器51内を十分に空
焼きして、熱処理容器51の内壁面への吸着物質を十分
に追い出す必要がある。
ためになされたものであり、熱電対の交換時に保熱板の
取外し作業を不要にすることができる熱処理装置を提供
することを目的とする。
は、熱処理容器内に、基板保持具と、該基板保持具を囲
繞する保熱板と、該保熱板下に保持され、前記熱処理容
器の第1側面から該第1側面に対峙する第2側面に向か
い基板保持具の基板保持面に対して略平行に熱処理容器
内へ挿入される複数の熱電対とが設置され、該複数の熱
電対は少なくとも、前記保熱板の第1側面側の温度を検
出する第1熱電対と、前記保熱板の第2側面側の温度を
検出する第2熱電対とからなる熱処理装置において、前
記第2熱電対の前記保熱板下に延在する部分が直棒状に
構成され、且つ、前記第2熱電対の測温部分が前記第1
熱電対の測温部分よりも基板保持具から離隔しているこ
とを特徴とする。
記保熱板下に延在する部分も直棒状に構成するので、熱
処理容器内へ挿入する全ての熱電対において保熱板下に
延在する部分を直棒状に構成することにより、保熱板に
熱電対を差込み・抜取りする際に、保熱板を熱処理容器
内から取り出す必要が無いばかりか、熱処理容器内を外
気に晒さずに済むことになるので、作業を大幅に削減す
ることができる。
部を示す平面図、図2にはその長手方向の中央断面図が
示されている。この枚葉式の気相成長装置1は透明な石
英壁を有する熱処理容器2を備え、この熱処理容器2内
の略中央には炭化珪素でコートされたグラファイトによ
り構成される基板保持具(サセプタ)3が設けられてい
る。この基板保持具3は、熱処理容器2の外に設置され
たモータ(図示せず)に連結され、このモータによって
回転駆動されるようになっている。この基板保持具3上
には1枚のシリコン単結晶基板(図示せず)が略水平に
載置される。また、熱処理容器2内には基板保持具3を
囲繞するようにして保熱板(サセプタリング)4が設け
られ、この保熱板4下には熱電対5a,5b,5cが保
持されている。
熱装置が設置され、この加熱装置によって、基板保持具
3に載置された基板(ウェーハ)が加熱されるようにな
っている。この加熱装置の制御は、熱電対が検知した温
度を加熱出力にフィードバックすることにより行う。
気装置(共に図示せず)が連結され、このガス供給装置
及びガス排気装置によって熱処理容器2に対してガスを
給排するようになっている。図1及び図2にはガスの流
れ方向が矢印で示されている。
説明する。第1熱電対5a,第2熱電対5b,第3熱電
対5cは、熱処理容器2のガスの排気側である第1側面
11から、ガスの供給側であり第1側面11に対峙する
第2側面12に向かい、基板保持具3の基板保持面3a
に対して略平行に、熱処理容器2内へ挿入されている。
熱電対5a,5b,5cの保熱板4下に延在する部分は
全て直棒状に構成されている。
板保持面3aと略面一となるようにして設置される。こ
の保熱板4には熱電対の保持部8,9,10が付設さ
れ、基板保持具3と同様に、グラファイトにより一体型
のものとして構成され、その表面を炭化珪素でコートさ
れている。保熱板4を保持部8,9,10と一体化する
ことにより、従来重ね合わせて使用するために複雑な構
造と高い加工精度を要していたものを簡略化することが
できるので、保熱板4の製造コストを約半分に削減する
ことが可能である。この保熱板4は、上方から見て略矩
形状に構成され、その中央には、前記基板保持具3を受
容する円形状の穴4aが設けられている。この穴4aの
縁部は垂下しており、この垂下部分は内壁4bを構成
し、この内壁4bは前記基板保持具3を囲繞している。
一方、保熱板4のガスの排気側を除く3方向の外側縁部
も垂下しており、この垂下部分は外壁4cを構成し、図
3の裏面図に示すように、この外壁4cは前記内壁4b
をガスの排気側を除く3方向から囲繞している。外壁4
cは2箇所で内壁4bと結合している。符号6,7がそ
の結合部を示している。
5a,5b,5cを保持する保持部8,9,10がそれ
ぞれ設けられている。すなわち、外壁4c内側には保持
部8が設けられている。この保持部8は他の外壁部分に
比べて厚肉となっており、この保持部8にはガスの排気
側に開口する差込み穴8aが設けられている。この差込
み穴8aは、略矩形状に構成された保熱板4において、
熱電対の挿入部から最も離れたガス供給側すなわち熱処
理容器2の第2側面12側に位置する。保熱板4の形状
を略矩形にしたのは、矩形の熱処理容器2のガス供給側
端を熱電対で測温可能にするためである。従来の環状の
保持板54では、該保持板54の寸法を拡大することな
くして、ガス供給側端を熱電対で測温することができな
い。また、保熱板4の内壁4bにはガスの排気側に向け
て延びる保持部9が設けられている。この保持部9には
ガスの排気側に開口する差込み穴9aが設けられてい
る。この差込み穴9aはガスの流れ方向に沿って延びて
いる。なお、保持部9の下側には図4に示すように前記
差込み穴9aに連通するスリット9bが形成されてい
る。このスリット9bの存在によって炭化珪素を差込み
穴9aの内面にまで十分にコートできる。さらに、結合
部6には保持部10が設けられている。この保持部10
にはガスの排気側に開口する前記差込み穴10aが設け
られている。この差込み穴10aはガスの流れ方向に沿
って延びている。
差込み穴8a,9a,10aにはガスの排気側から熱電
対5b,5a,5cがそれぞれ差し込まれる。この差込
みによって、熱電対5a,5b,5cが保持される。こ
の場合の熱電対5a,5b,5cはそれぞれ第1熱電
対、第2熱電対、第3熱電対となる。第1熱電対5aの
測温部分となる差込み穴9aの位置と、第2熱電対5b
の測温部分となる差込み穴8aの位置とを比較すると、
差込み穴8aの位置は、差込み穴9aよりも基板保持具
3から離隔されている。一方、熱電対5a,5b,5c
の保持状態を解除するにあたっては、熱処理容器2の外
側から熱電対5a,5b,5cを単に抜き取るようにす
れば良いので、非常に便利である。
場合は、先端部を弧状に湾曲させた場合に比較すると、
その先端を基板保持具3に隣接させることはできない。
しかし、基板保持具3のガスの供給側の端部に接する、
ガスの流れ方向に直交する断面を考えた場合、該断面近
くに第2熱電対5bの先端が存在するようにすれば温度
検出に支障は生じない。第2熱電対5bで検出する温度
は、基板保持具3に隣接した点の温度と完全には一致し
ないものの、ある一定の温度差を保ちながら相関を有す
るので、その相関を考慮し温度補正を施すことで、加熱
温度の制御に用いることができるからである。
が、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であ
ることはいうまでもない。
み・抜取りする際に、保熱板を熱処理容器内から取り出
す必要が無いばかりか、熱処理容器内を外気に晒さずに
済むことになるので、従来熱電対の差込み・抜取りに付
随して行っていた製造条件の最適化や熱処理容器の空焼
き等の作業を省略することができ、それらに必要であっ
た作業時間を大幅に削減することができる。
す平面図である。
裏面図である。
取付構造を示す斜視図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 熱処理容器内に、基板保持具と、該基板
保持具を囲繞する保熱板と、該保熱板下に保持され、前
記熱処理容器の第1側面から該第1側面に対峙する第2
側面に向かい基板保持具の基板保持面に対して略平行に
熱処理容器内へ挿入される複数の熱電対とが設置され、
該複数の熱電対は少なくとも、前記保熱板の第1側面側
の温度を検出する第1熱電対と、前記保熱板の第2側面
側の温度を検出する第2熱電対とからなる熱処理装置に
おいて、 前記第2熱電対の前記保熱板下に延在する部分が直棒状
に構成され、且つ、前記第2熱電対の測温部分が前記第
1熱電対の測温部分よりも基板保持具から離隔している
ことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】 前記複数の熱電対の全てにおいて、保熱
板下に延在する部分が直棒状に構成されることを特徴と
する請求項1記載の熱処理装置。 - 【請求項3】 前記保熱板には熱電対を保持するための
保持部が付設され、該保持部は、前記保熱板を熱処理容
器内に設置した状態で熱電対が抜差し可能な差込み穴を
有することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。 - 【請求項4】 前記保熱板及び保持部は、炭化珪素で被
覆されたグラファイトであることを特徴とする請求項3
記載の熱処理装置。 - 【請求項5】 前記保持部には、差込み穴に連通するス
リットが形成されていることを特徴とする請求項4記載
の熱処理装置。 - 【請求項6】 前記保持板及び保持部は、一体型となっ
ていることを特徴とする請求項4記載の熱処理装置。 - 【請求項7】 前記熱処理装置は、気相成長装置である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項
記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP24889999A JP3438665B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24889999A JP3438665B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077032A true JP2001077032A (ja) | 2001-03-23 |
JP3438665B2 JP3438665B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=17185101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24889999A Expired - Fee Related JP3438665B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3438665B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003003432A1 (fr) | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede et dispositif de croissance en phase vapeur |
JP2011530806A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-22 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | サセプタリング |
USD1028913S1 (en) | 2021-06-30 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor deposition reactor ring |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24889999A patent/JP3438665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003003432A1 (fr) | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede et dispositif de croissance en phase vapeur |
US7049154B2 (en) | 2001-06-28 | 2006-05-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Vapor phase growth method by controlling the heat output in the gas introduction region |
JP2011530806A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-22 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | サセプタリング |
KR101613180B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2016-04-18 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 서셉터 링 |
USD1028913S1 (en) | 2021-06-30 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor deposition reactor ring |
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JP3438665B2 (ja) | 2003-08-18 |
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