JP2001075043A - 精密可変型長尺ビーム光学系 - Google Patents
精密可変型長尺ビーム光学系Info
- Publication number
- JP2001075043A JP2001075043A JP24848199A JP24848199A JP2001075043A JP 2001075043 A JP2001075043 A JP 2001075043A JP 24848199 A JP24848199 A JP 24848199A JP 24848199 A JP24848199 A JP 24848199A JP 2001075043 A JP2001075043 A JP 2001075043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- lens
- short
- long
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lenses (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
ムを形成することができる小型のビーム整形光学系を提
供すること。 【解決手段】 ここで、短軸イメージングレンズ50は
シリンドリカルレンズであり、このシリンドリカルレン
ズを通過する光ビームの長軸断面はテレセントリックと
なっている。よって、イメージングレンズ50を通過す
る主光線を光軸OAに平行にすることができ、長軸方向
に沿った短軸断面の結像について像面湾曲は発生しな
い。また、デフォーカスが生じてもビーム長は変化しな
い。
Description
るためのビーム整形光学系に関し、特にシリンダアレイ
タイプのビームホモジナイザーに関する。
シリコンのレーザアニーリングに代表される用途に用い
られるが、基板の大型化と高スループット化の要求に伴
い、よりレーザビームの長尺化が要求されている。ま
た、長尺方向と直行するビーム幅方向に関しては、これ
までと同様のエネルギー密度を確保するため、ビーム長
が大きくなる分だけ、より線幅の小さなビームが要求さ
れている。すなわち、長尺方向はより長尺化、ビーム幅
方向はより細線化という極端なビーム形状が要求される
わけであるが、実用化のためには、ビーム幅方向のエッ
ジの急峻性と、全長尺範囲にわたる均一性という条件が
満たされる必要がある。
モジナイザは、シリンダアレイで分割して形成した2次
光源をコンデンサレンズで重ね合わせて均一ビームを形
成するという構成をとっている。このようなビームホモ
ジナイザとしては、上記の均一面を直接加工面とするタ
イプと、この均一面を物面としてイメージングレンズで
加工面に再結像させるタイプとがある。特に0.5mm
以下の細いビームを形成しようとした場合、前者のタイ
プでは、レーザ拡がり角により絞り込める最小ビームサ
イズに限界がある。従って、安定して細いビームを形成
しようとした場合は、後者のタイプで縮小投影するほう
が確実である。
ついては200mmあるいはそれ以上の長さのビームが
要求されるため、長軸方向についてはイメージングを行
わずにコンデンサレンズによって直接短軸方向のイメー
ジング結像面に均一ビームを形成する構成、すなわちシ
リンドリカルレンズによって短軸のみイメージングする
構成を用いることが多い。短軸用のイメージングレンズ
としては、長軸方向に母線をもったシリンドリカルレン
ズが使用される。
ビームホモジナイザでは、シリンドリカルレンズの母線
断面において、光軸に対してある程度以上の角度を有す
る斜入射光が入射する場合、見かけ上のパワーが光軸に
平行な直入射光よりも大きくなり、ガウス像面の手前で
短軸断面の光が集光してピントずれをおこす。このよう
なピントずれに対応する像面湾曲の量を実用上間題ない
程度に抑えるためには、加工面で同じビーム長を得るこ
とを前提として、長尺側のNAを充分小さくすることに
よってシリンドリカルレンズへの入射角度を抑えるしか
なかった。
全長尺範囲で均一なビームを形成することができる小型
のビーム整形光学系を提供することを目的とする。
系は、線条ビームを形成するものであって、短軸方向に
関して、ビームを分割する短軸側シリンダアレイと、分
割することによって得た2次光源を重ね合わせる短軸側
コンデンサレンズと、前記2次光源を重ね合わせた位置
である物面を所定の加工面である像面に縮小投影するイ
メージングレンズとを備え、長軸方向に関して、ビーム
を分割する長軸側シリンダアレイと、分割することによ
って得た2次光源を前記所定の加工面上で重ね合わせる
長軸側コンデンサレンズとを備えるとともに、前記加工
面側でテレセントリックとなっていることを特徴とす
る。
テレセントリックとなっているので、イメージングレン
ズに入射するビームをほぼ光軸に平行にすることがで
き、イメージングレンズへの入射角に依存して結像位置
がずれることを防止できる。つまり、像面湾曲をなくし
て均一なビームを形成することができる。また、テレセ
ン性により、長軸方向についてフォーカスがずれても、
ビーム長はほとんど変化しない。なお、長軸側コンデン
サレンズは、シリンダレンズ等からなり、イメージング
レンズよりも光源側に配置される。
記短軸方向に関して、前記加工面側でテレセントリック
となっていることを特徴とする。
ずれても、ビーム幅はほとんど変化しない。
ームを形成するものであって、短軸方向に関して、ビー
ムを分割する短軸側シリンダアレイと、分割することに
よって得た2次光源を重ね合わせる短軸側コンデンサレ
ンズと、前記2次光源を重ね合わせた位置である物面を
所定の加工面である像面に縮小投影するイメージングレ
ンズとを備え、長軸方向に関して、ビームを分割する長
軸側シリンダアレイと、分割することによって得た2次
光源を前記所定の加工面上で重ね合わせるとともに当該
所定の加工面における像面湾曲を補正するトーリックレ
ンズを有する長軸側コンデンサレンズとを備えることを
特徴とする。
定の加工面における像面湾曲を補正するトーリックレン
ズを有するので、像面湾曲をなくして均一なビームを形
成することができる。
に係る第1実施形態のビーム整形光学系の構造を説明す
る図である。図1(a)は、線条ビームの長軸方向(す
なわち長尺方向)に関する図であり、図1(b)は、線
条ビームの短軸方向(すなわち幅方向)に関する図であ
る。
ビームを発生するレーザ光源(図示を省略)からの光ビ
ームを線状にして所定強度で所定の加工面である被照射
面IS上に入射させる線条ビームホモジナイザであり、
レーザ光源からの光ビームを長軸側に関して分割して複
数の2次光源を形成する長軸側シリンダアレイ群10
と、レーザ光源からの光ビームを短軸側に関して分割し
て複数の2次光源を形成する短軸側シリンダアレイ群2
0と、長軸側に関して分割された光ビームを重ね合わせ
て被照射面IS上に入射させる長軸側コンデンサレンズ
系30と、短軸側に関して分割された光ビームを重ね合
わせてスリット状の短軸マスク60に入射させる短軸側
コンデンサレンズ系40と、物面に配置された短軸マス
ク60を像面に配置された被照射面IS上に縮小投影す
るイメージングレンズ50とを備える。
第2シリンドリカルレンズアレイ10a、10bからな
る。ここで、第1シリンドリカルレンズアレイ10a
は、線条ビームの長軸方向の断面に曲率を有し光源側に
凸の複数のシリンドリカルレンズをそれらの母線に垂直
な方向に連結した構造を有する。第2シリンドリカルレ
ンズアレイ10bも、第1シリンドリカルレンズアレイ
10aと同一の構造を有する。両シリンドリカルレンズ
アレイ10a、10bの働きにより、長軸側に関して光
ビームを5分割して5つの2次光源を形成することがで
きる。なお、長軸側シリンダアレイ群10を第1及び第
2シリンドリカルレンズアレイ10a、10bに分けて
いるのは、両者の相対距離を変えて合成焦点距離を変更
することによって、ビームサイズ(ビーム長)を可変に
するためである。
第4シリンドリカルレンズアレイ20a、20bからな
る。ここで、第3シリンドリカルレンズアレイ20a
は、線条ビームの短軸方向の断面に曲率を有し光源側に
凸の複数のシリンドリカルレンズをそれらの母線に垂直
な方向に連結した構造を有する。第4シリンドリカルレ
ンズアレイ20bは、線条ビームの短軸方向の断面に曲
率を有し、像側に凹の複数のシリンドリカルレンズをそ
れらの母線に垂直な方向に連結した構造を有する。両シ
リンドリカルレンズアレイ20a、20bの働きによ
り、短軸側に関して光ビームを5分割して5倍の2次光
源を形成することができる。なお、短軸側シリンダアレ
イ群20を第3及び第4シリンドリカルレンズアレイ2
0a、20bに分けているのは、両者の相対距離を変え
て合成焦点距離を変更することによって、ビームサイズ
(線幅)を可変にするためである。
向の断面に曲率を有し光源側に凸のシリンドリカルレン
ズからなる第1群レンズ31と、長軸方向の断面に曲率
を有し像側に凸のシリンドリカルレンズからなる第2群
レンズ32とから構成される。長軸側コンデンサレンズ
系30は、長軸側シリンダアレイ群10によって形成さ
れる複数の2次光源を被照射面IS上で重ね合わせる働
きを有する。ここで、長軸側コンデンサレンズ系30を
第1群レンズ31と第2群レンズ32とに分けて、第1
群レンズ31の射出瞳位置に第2群レンズ32の前側焦
点位置を一致させることにより、長軸側では、被照射面
IS側にテレセントリックとなる。これにより、イメー
ジングレンズ50を通過する主光線を光軸OAに平行に
することができる。
向の断面に曲率を有し光源側に凸のシリンドリカルレン
ズからなる。この短軸側コンデンサレンズ系40は、短
軸側シリンダアレイ群20によって形成された複数の2
次光源を短軸マスク60上で重ね合わせる働きを有す
る。
面に曲率を有するシリンドリカルレンズからなる。この
イメージングレンズ50は、短軸側コンデンサレンズ系
40によって短軸マスク60上に重ね合わされた光源像
を被照射面IS上に縮小投影する働きを有する。
ッジ状の誘電体ミラーでできており、短軸方向の均一化
面に配置される。この短軸マスク60は、入射した光ビ
ームの短軸方向に関する裾野部分をカットするためのも
のであるが、必須のものではない。
像について説明する。この線条ビームホモジナイザに入
射した光ビームは、まず長軸側シリンダアレイ群10に
より長軸断面で分割される。分割された光ビームは、第
1群レンズ31に入射し、その後に配置されている第2
群レンズ32とセットで被照射面IS上に重ね合わせら
れ、ここに均一ビームを形成する。第1群レンズ31を
通った光ビームは、短軸側シリンダアレイ群20に入射
し、短軸断面で分割される。短軸側シリンダアレイ群2
0を経た光ビームは、短軸コンデンサレンズ系40に入
射し、短軸マスク60のマスク面上で短軸断面に関して
のみ均一ビームを形成する。すなわちマスク面が短軸断
面における2次光源の重ね合わせ面となり、ここに均一
ビームが形成される。なお、このマスク面は、長軸断面
における重ね合わせ面となっていないため、長軸方向に
ついては均一ビームが形成されていない。短軸マスク6
0は、均一である範囲のみ透過し、裾野部分の均一では
ない部分を遮光して短軸マスク60の像側にビームが届
くのを防止する。短軸マスク60を通った光ビームは、
第2群レンズ32に入射し、長軸断面の主光線が光軸に
対し平行となって出射する。第2群レンズ32から出射
した光ビームは、その後イメージングレンズ50を通過
して被照射面IS上で均一ビームを形成する。この際、
長軸断面で2次光源が完全に重ね合わされるだけでな
く、短軸断面でも、イメージングレンズ50によって短
軸マスク60の縮小投影像が形成される。ここで、イメ
ージングレンズ50はシリンドリカルレンズであり、こ
のシリンドリカルレンズを通過する光ビームの長軸断面
はテレセントリックとなっている。よって、既に説明し
たように、イメージングレンズ50を通過する主光線を
光軸OAに平行にすることができ、長軸方向に沿った短
軸断面の結像について像面湾曲が発生しない。また、デ
フォーカスが生じてもビーム長は変化しない。
ームホモジナイザから第2群レンズ32を除いた場合に
発生する像面湾曲を説明する図である。図からも明らか
なように、シリンドリカルレンズであるイメージングレ
ンズ50の母線断面において、光軸OAに対して角θを
有する斜入射光L’が入射する場合、見かけ上のパワー
が光軸OAに平行な直入射光Lよりも大きくなり、ガウ
ス像面上の結像位置FLよりも手前側の位置FL’で短
軸断面の光が集光してピントずれをおこす。このような
ピントずれによって像面湾曲が発生し、斜入射光L’の
入射する角θが大きくなる程、像面湾曲の量も増加す
る。
ジナイザでは、長軸断面で像側テレセントリックとなっ
ており、イメージングレンズ50を通過する主光線が光
軸OAに平行となっているので、短軸断面の結像につい
ては像面湾曲が発生しない。
ビーム整形光学系の構造を説明する図である。図3
(a)は、長軸方向に関する図であり、図3(b)は、
短軸方向に関する図である。なお、第2実施形態のビー
ム整形光学系は、第1実施形態のビーム整形光学系の変
形例であり、同一部分には同一の符号を付して重複説明
を省略する。
光学系に短軸方向に作用するフィールドレンズ70を追
加したもので、このフィールドレンズ70の働きによ
り、短軸用のイメージングレンズ50の前側焦点位置に
分割した2次光源を再結像させて像側(加工面である被
照射面IS側)にテレセントリックとしている。すなわ
ち、図示のホモジナイザの場合、長軸・短軸両断面にお
いてテレセントリックな構成となっている。これによ
り、長軸方向においては上記第1実施形態と同様の特徴
を有するとともに、短軸断面においても、フォーカスが
ずれても線幅が変化しなくなる。
ズ70を通過した光ビームは、このフィールドレンズ7
0で光線の向きを変え、短軸マスク60を通過した後イ
メージングレンズ50の前側焦点位置に分割した2次光
源を再結像する。ここで、イメージングレンズ50の射
出瞳は入射側の無限遠方に位置し、イメージングレンズ
50を出射した後の光線は主光線が光軸OAと平行に出
射しテレセントリックとなる。つまり、長軸・短軸両断
面においてテレセントリックであるため、デフォーカス
しても、ビーム長及びビーム幅ともに変化しない。
ビーム整形光学系の構造を説明する図である。図4
(a)は、長軸方向に関する図であり、図4(b)は、
短軸方向に関する図である。なお、第3実施形態のビー
ム整形光学系は、第1実施形態のビーム整形光学系の変
形例である。
光学系に設けた長軸側コンデンサレンズ系30を構成す
る第2群レンズ32をシリンドリカルレンズの代わりに
トーリックレンズからなる別のタイプの第2群レンズ1
32としている。トーリックレンズは、長軸断面と短軸
断面双方に曲率を有しており、その曲率が両者で異なる
という特徴を有している。したがって、この第2群レン
ズ132は、長軸断面のコンデンサとしてのみならず、
短軸断面のイメージングレンズの一部としての作用もす
る。つまり、トーリックレンズを用いることにより、長
軸断面をテレセントリックとしなくても、短軸方向の結
像位置を調整して像面湾曲を除くことができ、被照射面
ISに投影されるビーム全体をほぼ同一の特性とするこ
とができる。
形態と同様のビーム整形光学系を組み込んだレーザアニ
ール装置の構造を説明する図である。
状Si等の半導体薄膜を表面上に形成したガラス板であ
るワークWを載置して3次元的に滑らかに移動可能なス
テージ81と、ワークW上の半導体薄膜を加熱するため
のエキシマレーザその他のレーザビームLBを発生する
レーザ光源82と、このレーザビームLBを線条にして
所定の照度でワークW上に入射させるビーム整形光学系
100と、ワークWを載置したステー81をビーム整形
光学系100等に対して必要量だけ相対的に移動させる
駆動手段であるステージ駆動装置83と、ステージ81
の移動位置を検出する位置センサ84と、レーザアニー
ル装置全体の各部の動作を統括的に制御する主制御装置
85とを備える。
LBをY軸方向に延びる所定断面形状及び強度の線条ビ
ーム像としてワークW上に入射させる線条ビームホモジ
ナイザーであり、光学系の構成については、図1、図
3、及び図4に示すものと同様であるので、詳細な説明
は省略する。
る。まず、レーザアニール装置のステージ81上にワー
クWを搬送して載置する。次に、位置センサ84の出力
に基づいてステージ駆動装置83を動作させることによ
り、ビーム整形装置100に対してステージ81をX軸
方向に移動させながら、ビーム整形装置100からのレ
ーザビームLBをY方向に延びる線条ビーム像としてワ
ークW上に入射させる。これにより、レーザビームLB
によるワークW全面の走査が行われることになる。この
際、簡単な構造で小型のビーム整形装置100によっ
て、像面湾曲がなく均一な状態で線条ビーム像を長尺化
しかつ細線化できるので、ワークWの大型化に対応で
き、レーザアニールのスループットを高めることができ
る。
たが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば上記実施形態のビーム整形装置100は、レ
ーザアニーリング装置だけでなく、例えば液晶や半導体
装置の表面改質等に用いられる各種加工装置に応用可能
である。
のビーム整形光学系によれば、長軸方向では、前記加工
面側でテレセントリックとなっているので、イメージン
グレンズに入射するビームをほぼ光軸に平行にすること
ができ、イメージングレンズへの入射角に依存して結像
位置がずれることを防止できる。つまり、像面湾曲をな
くして均一なビームを形成することができる。また、長
軸方向に関してフォーカスがずれても、ビーム長はほと
んど変化しない。
れば、長軸側コンデンサレンズが、所定の加工面におけ
る像面湾曲を補正するトーリックレンズを有するので、
像面湾曲をなくして均一なビームを形成することができ
る。
装置の構造を示す図である。
る。
装置の構造を示す図である。
装置の構造を示す図である。
明する図である。
イ 20 短軸側シリンダアレイ群 20a,20b 第3、第4シリンドリカルレンズアレ
イ 30 長軸側コンデンサレンズ系 31 第1群レンズ 32 第2群レンズ 40 短軸側コンデンサレンズ系 50 イメージングレンズ 60 短軸マスク 70 フィールドレンズ 81 ステージ 82 レーザ光源 83 ステージ駆動装置 LB レーザビーム OA 光軸 W ワーク
Claims (3)
- 【請求項1】 線条ビームを形成するビーム整形光学系
であって、 短軸方向に関して、ビームを分割する短軸側シリンダア
レイと、分割することによって得た2次光源を重ね合わ
せる短軸側コンデンサレンズと、前記2次光源を重ね合
わせた位置である物面を所定の加工面である像面に縮小
投影するイメージングレンズとを備え、 長軸方向に関して、ビームを分割する長軸側シリンダア
レイと、分割することによって得た2次光源を前記所定
の加工面上で重ね合わせる長軸側コンデンサレンズとを
備えるとともに、前記加工面側でテレセントリックとな
っていることを特徴とするビーム整形光学系。 - 【請求項2】 前記短軸方向に関して、前記加工面側で
テレセントリックとなっていることを特徴とする請求項
1記載のビーム整形光学系。 - 【請求項3】 線条ビームを形成するビーム整形光学系
であって、 短軸方向に関して、ビームを分割する短軸側シリンダア
レイと、分割することによって得た2次光源を重ね合わ
せる短軸側コンデンサレンズと、前記2次光源を重ね合
わせた位置である物面を所定の加工面である像面に縮小
投影するイメージングレンズとを備え、 長軸方向に関して、ビームを分割する長軸側シリンダア
レイと、分割することによって得た2次光源を前記所定
の加工面上で重ね合わせるとともに当該所定の加工面に
おける像面湾曲を補正するトーリックレンズを有する長
軸側コンデンサレンズとを備えることを特徴とするビー
ム整形光学系。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24848199A JP4191334B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 精密可変型長尺ビーム光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24848199A JP4191334B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 精密可変型長尺ビーム光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001075043A true JP2001075043A (ja) | 2001-03-23 |
JP4191334B2 JP4191334B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=17178808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24848199A Expired - Fee Related JP4191334B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 精密可変型長尺ビーム光学系 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4191334B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005338735A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ビーム整形光学装置及びアナモルフィック光学系 |
JP2006195325A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ビーム整形光学装置 |
JP2007512708A (ja) * | 2003-11-26 | 2007-05-17 | ティーシーズィー ゲーエムベーハー | レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 |
JP2007189240A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 |
JP2007214580A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8507334B2 (en) | 2001-08-27 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103676158B (zh) * | 2013-11-28 | 2015-08-12 | 中国船舶重工集团公司第七一七研究所 | 柱面镜阵列组光束整形装置 |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24848199A patent/JP4191334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10488671B2 (en) | 2001-08-27 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
US9910285B2 (en) | 2001-08-27 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
US9564323B2 (en) | 2001-08-27 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8722521B2 (en) | 2001-08-27 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8507334B2 (en) | 2001-08-27 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2012191221A (ja) * | 2003-11-26 | 2012-10-04 | Tcz Llc | レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 |
JP2007512708A (ja) * | 2003-11-26 | 2007-05-17 | ティーシーズィー ゲーエムベーハー | レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 |
JP4589660B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-12-01 | 住友重機械工業株式会社 | ビーム整形光学装置 |
JP2005338735A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ビーム整形光学装置及びアナモルフィック光学系 |
JP4665241B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-04-06 | 住友重機械工業株式会社 | ビーム整形光学装置 |
JP2006195325A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ビーム整形光学装置 |
JP4515473B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2007214580A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2007189240A (ja) * | 2007-02-15 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4191334B2 (ja) | 2008-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100487085B1 (ko) | 조명광학계 및 이를 구비하는 레이저 처리장치 | |
JP4322359B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP3991166B2 (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
KR101227725B1 (ko) | 조명 시스템 | |
JP3278277B2 (ja) | 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 | |
TWI834736B (zh) | 雷射加工系統 | |
JP2007310368A (ja) | ホモジナイザを用いた整形ビームの伝搬方法およびそれを用いたレ−ザ加工光学系 | |
JP2001075043A (ja) | 精密可変型長尺ビーム光学系 | |
JP3416579B2 (ja) | ダブルビーム用精密可変型矩形ビーム光学系 | |
JP2007029959A (ja) | レーザ加工機 | |
JP2001155993A (ja) | 照明光学装置及び該装置を備える投影露光装置 | |
WO2009154074A1 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP4754703B2 (ja) | 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置 | |
WO2020182903A2 (en) | Apparatus for forming a homogeneous intensity distribution with bright or dark edges | |
JP2000338447A (ja) | ビーム整形光学系 | |
JP2002144069A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2005316069A (ja) | レーザ集光光学系及びレーザ加工装置 | |
JP2011053441A (ja) | レンズアレイ及び光学系 | |
JP4818958B2 (ja) | ビーム照射装置、及び、ビーム照射方法 | |
JP3673255B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2003290961A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2002252182A (ja) | 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置 | |
JP3781091B2 (ja) | ビーム整形装置 | |
WO2024018785A1 (ja) | ビーム調整装置、レーザアニール装置 | |
TWI625606B (zh) | Euv投影微影的照明光學單元 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080328 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080620 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080918 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |